一种晶圆划片方法及晶粒产品与流程

本发明涉及集成电路制造领域，具体涉及一种晶圆划片方法及晶粒产品。

背景技术：

1、切割晶圆时，通常将晶圆背面贴附于保护膜胶层表面，利用切割机c/t台真空吸力，晶圆和膜固定在c/t台上，实施切割，但晶体类晶圆材质较硬且脆，在晶圆切割时，需要切入保护膜胶层20～30μm，以保证晶圆完全切透，当切割刀从晶圆硬材质切入保护膜较软材质时，由于切割刀应力释放而形变，从而晶圆底部易发生较大切崩及隐裂现象。现有技术的方案为：如图2所示，晶圆背面贴附保护膜后，直接使用使用切割刀从晶圆电路面将其切透，切割至保护膜胶层20～30μm，将晶圆分割成单个晶粒。此方案晶圆背面基材崩角、崩裂较大。

2、基于这一技术背景，本发明研究了一种晶圆划片方法及晶粒产品。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提出一种晶圆划片方法及晶粒产品，该方法将晶圆的背面贴附于硬质基座的一面，在硬质基座的另一面贴附保护膜，从晶圆的正面切割至硬质基座，切割时杜绝了因保护膜胶层较软产生的切割刀应力释放而形变的问题，从而减轻晶圆底部基材崩角、崩裂，提高了晶粒产品的切割质量。

2、为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种晶圆划片方法及晶粒产品，包括以下步骤：

3、在晶圆的背面贴附硬质基座；

4、在所述硬质基座的另一面贴附保护膜；

5、从所述晶圆的正面切割至所述硬质基座；

6、分离切割下来的晶粒。

7、本发明第二方面提供一种上述方法得到晶粒产品。

8、本发明的效果是：

9、(1)本发明提出的晶圆划片方法将晶圆的背面贴附于硬质基座的一面，在硬质基座的另一面贴附保护膜，从晶圆的正面切割至硬质基座，切割时杜绝了因保护膜胶层较软产生的切割刀应力释放而形变的问题，从而减轻晶圆底部基材崩角、崩裂，提高了晶粒产品的切割质量。

10、(2)本发明提出的晶圆划片方法利用熔融态的蜡层或胶层将晶圆固定在硬质基座上，再将硬质基座未贴附晶圆的一面贴附于保护膜上，从而实现较好的固定。

11、(3)本发明提出的晶圆划片方法中蜡层或胶层的粘合力大、硬化后硬度高，切割时杜绝了因保护膜胶层较软产生的切割刀应力释放而形变的问题。

12、(4)本发明提出的晶圆划片方法设定正面切割至硬质基座的深度为10～30μm，保证切割刀在切透晶圆、硬化后的蜡层或胶层、基座时不释放较大的应力而形变过大。

13、(5)本发明提出的晶圆划片方法中的蜡层或胶层为加热熔于酒精或丙酮的电绝缘材质，不仅方便清洗，还保证了切割过程中的电绝缘。

14、(6)本发明提出的晶圆划片方法中硬质基座为硬度、材料特性与所述晶圆的基材接近的材料，且设定基座厚度在300～725μm范围内，具备足够的机械强度和支撑力。

15、本发明的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种晶圆划片方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圆的背面贴附硬质基座包括：将熔融态的蜡或胶均匀涂抹于硬质基座的一面形成蜡层或胶层，将晶圆的背面贴附于所述蜡层或胶层上，常温静置至所述蜡层或胶层硬化。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬质基座为硬度、材料特性与所述晶圆的基材接近的材料，所述硬质基座的厚度为300～725μm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在加热台上将熔融态的蜡或胶，采用丝网印刷的方式均匀涂抹于硬质基座的一面形成蜡层或胶层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在真空和加热条件下，将所述晶圆的背面贴附于所述蜡层或胶层上；

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护膜固定在带铁环的晶圆架上，所述正面切割在c/t台上进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正面切割至所述硬质基座的深度为10～30μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分离切割下来的晶粒包括：将所述晶粒置于加热的有机溶剂中清洗后分选。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂为酒精和/或丙酮。

10.一种利用权利要求1-9中任意一项所述的方法得到晶粒产品。

技术总结
本发明涉及集成电路制造领域，具体提供了一种晶圆划片方法及晶粒产品，包括以下步骤：在晶圆的背面贴附硬质基座；在硬质基座的另一面贴附保护膜；从晶圆的正面切割至硬质基座；分离切割下来的晶粒。本发明的方法将晶圆的背面贴附于硬质基座的一面，在硬质基座的另一面贴附保护膜，从晶圆的正面切割至硬质基座，切割时杜绝了因保护膜胶层较软产生的切割刀应力释放而形变的问题，从而减轻晶圆底部基材崩角、崩裂，提高了晶粒产品的切割质量。

技术研发人员：陈金龙,孟庆勇
受保护的技术使用者：北京唯捷创芯精测科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31