本技术涉及电气设备装配工装,具体为一种igbt单管装配工装。
背景技术:
1、igbt是绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor)的英文缩写, igbt根据封装不同可以分为igbt模块和igbt单管, igbt单管是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,广泛应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、引传动等领域。
2、igbt单管装配主要是通过螺钉将多个igbt单管均匀安装在散热器两侧外部。现有技术中,此工序基本上通过工人手动完成,装配时,多依靠工人经验确定igbt单管的安装间距,安装螺钉时,散热器容易晃动,进而导致装配质量良莠不齐。为此,我们提出一种igbt单管装配工装。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种igbt单管装配工装,具有装配稳定、效率高的优点,解决了背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种igbt单管装配工装,包括工装本体,所述工装本体包括有底部的底板和顶部的顶板,所述底板和顶板两侧之间分别通过侧板固定连接,所述顶板顶部转动安装有压板,所述压板一端超出所述顶板,且均匀开设有定位槽,所述底板上端面开设有供散热器嵌入的嵌槽,所述嵌槽上均匀开设有和所述定位槽对应的空槽。
3、优选的,所述顶板上方设置有中轴,所述中轴两端分别转动连接有耳座板,所述耳座板底部分别固定设置在所述侧板的顶部,所述压板远离所述定位槽的一侧和所述中轴固定连接。
4、优选的,所述中轴一端延伸至所述耳座板的外部,其固定连接有转柄。
5、优选的,所述压板远离所述定位槽的一侧和所述顶板顶部一侧之间通过合页转动连接。
6、优选的,所述顶板的宽度小于底板的宽度。
7、优选的,所述工装本体底部四角处均粘接有足垫。
8、与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
9、本实用新型通过在顶板上转动安装压板,由于顶板的阻挡,压板水平压在散热器上,使得散热器不易晃动,接着将igbt单管放在定位槽处的散热器上,由于定位槽的限位作用,安装时igbt单管不易移位,另外还由于igbt单管分别放置在定位槽处的散热器上,使得多个igbt单管之间的安装间距一致,进而提高了组装效率和组装质量。
1.一种igbt单管装配工装,包括工装本体(1),其特征在于:所述工装本体(1)包括有底部的底板(2)和顶部的顶板(3),所述底板(2)和顶板(3)两侧之间分别通过侧板(8)固定连接,所述顶板(3)顶部转动安装有压板(7),所述压板(7)一端超出所述顶板(3),且均匀开设有定位槽(701),所述底板(2)上端面开设有供散热器嵌入的嵌槽(201),所述嵌槽(201)上均匀开设有和所述定位槽(701)对应的空槽(202)。
2.根据权利要求1所述的igbt单管装配工装,其特征在于:所述顶板(3)上方设置有中轴(5),所述中轴(5)两端分别转动连接有耳座板(4),所述耳座板(4)底部分别固定设置在所述侧板(8)的顶部,所述压板(7)远离所述定位槽(701)的一侧和所述中轴(5)固定连接。
3.根据权利要求2所述的igbt单管装配工装,其特征在于:所述中轴(5)一端延伸至所述耳座板(4)的外部,其固定连接有转柄(6)。
4.根据权利要求1所述的igbt单管装配工装,其特征在于:所述压板(7)远离所述定位槽(701)的一侧和所述顶板(3)顶部一侧之间通过合页转动连接。
5.根据权利要求1所述的igbt单管装配工装,其特征在于:所述顶板(3)的宽度小于底板(2)的宽度。
6.根据权利要求1所述的igbt单管装配工装,其特征在于:所述工装本体(1)底部四角处均粘接有足垫(9)。