专利名称：一种新型铝基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及电子零件导热和散热、半导体照明技术领域，更具体的说涉及一种新型铝基板的制造方法。
背景技术：
铝基板为电子零件导热和散热技术中不可或缺组分，目前衡量铝基板质量高低的主要技术参数一般包括导热系数以及耐压值，导热系数高以及耐压值高通常都代表铝基板的性能越好。如图1所示，其为传统铝基板9的剖视图，该铝基板9具有从表及里依次叠设的表面绝缘层91、导电层92、粘附绝缘层93、以及铝层94，该电子零件8可以与导电层92相连， 该导电层92即为电路层，其上蚀刻形成有电路，该粘附绝缘层93则用于将导电层92粘附绝缘在铝层94上，该粘附绝缘层93则用于避免导电层92与铝层94之间的电性导通，该铝层94则主要用于起到提高散热效果的作用。目前该粘附绝缘层93的一种方式是采用绝缘耐压材料制成，其与绝缘层之间的导热能力都很差，即无形中影响了铝层94对电子零件8的散热效果；由此，人们通过采用绝缘导热胶的方式，即在胶中添加金属粉末而增加导热效果，但其却会降低整个铝基板的耐压值。针对如上问题，中国专利申请200610053598. 6公开了铝基板磁控溅射金属化电路板及LED照明器件，其开发出的新技术为——对铝基板的表面进行绝缘氧化处理，并生成了具有电气绝缘性能的氧化层，从而通过该氧化层来实现导热绝缘的功能，但是由于其是采用表面氧化的方式，即其仅能对铝层中的孔隙进行填充而无法达到形成足够厚度，即其在耐压性能上仍然会存在缺陷。有鉴于此，本发明人针对现有铝基板的上述缺陷深入研究，遂有本案产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型铝基板的制造方法，从而使得成型出来的铝基板能在散热效果以及耐压性能俱佳。一种新型铝基板的制造方法，其中，在成型出铝层后，还包括在铝层上进行纳米陶瓷镀膜而形成纳米陶瓷绝缘镀膜层的工序，该纳米陶瓷绝缘镀膜层的厚度=铝基板耐压值 /基本耐压值*纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值，所述的纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值指的是预先测得的一个基本耐压值所对应的纳米陶瓷绝缘镀膜层厚度值。进一步，其在铝层的下端亦进行纳米陶瓷镀膜工序而形成第二纳米陶瓷绝缘镀膜层。采用上述结构后，本发明涉及的一种新型铝基板的制造方法，其与现有技术相比， 其在通过在铝层上成型出纳米陶瓷绝缘镀膜层，从而能使得导电层的热量能直接传递至纳米陶瓷绝缘镀膜层，该纳米陶瓷绝缘镀膜层再传递给铝层而散发出去，如此其导热性能不会因为粘附绝缘层而受到限制，即能大大增加导热效果；并且由于该纳米陶瓷绝缘镀膜层是采用镀膜的方式实现地，其可以根据实际耐压需要而增加厚度，从而确保整个铝基板具有足够的耐压值，即具有安全性能上的保障。
图1为现有一种铝基板的结构剖视图2为本发明涉及一种新型铝基板的制造方法所成型出-图。图中
铝基板100
导电层2 铝层4 电子零件8 表面绝缘层91 粘附绝缘层93
-种具体铝基板的结构剖视
表面阻焊层1
纳米陶瓷绝缘镀膜层3
第二纳米陶瓷绝缘镀膜层5
铝基板9
导电层92
铝层94。
具体实施例方式为了进一步解释本发明的技术方案，下面通过具体实施例来对本发明进行详细阐述。本发明涉及一种新型铝基板的制造方法，其相对于现有铝基板的成型方法不同之处在于
在成型出铝层后，还包括在铝层上进行纳米陶瓷镀膜的工序，通过该镀膜工序从而能形成纳米陶瓷绝缘镀膜层，在实际镀膜时，需要根据当前铝基材的耐压值要求而电镀出相应厚度的纳米陶瓷绝缘镀膜层。该纳米陶瓷绝缘镀膜层的厚度=铝基板耐压值/基本耐压值*纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值，所述的纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值指的是预先测得的一个基本耐压值所对应的纳米陶瓷绝缘镀膜层厚度值。具体的，该纳米陶瓷绝缘镀膜层英文为Nano Ceramic Coating。另外，为了进一步提高绝缘性能，其在铝层的下端亦进行纳米陶瓷镀膜工序而形成第二纳米陶瓷绝缘镀膜层。这样，本发明与现有技术相比，其在通过在铝层上成型出纳米陶瓷绝缘镀膜层，从而能使得导电层的热量能直接传递至纳米陶瓷绝缘镀膜层，该纳米陶瓷绝缘镀膜层再传递给铝层而散发出去，如此其导热性能不会因为粘附绝缘层而受到限制，即能大大增加导热效果；并且由于该纳米陶瓷绝缘镀膜层是采用镀膜的方式实现地，其可以根据实际耐压需要而增加厚度，从而确保整个铝基板具有足够的耐压值，即具有安全性能上的保障。如图2所示，其为本发明涉及的方法所成型出一种新型铝基板100的结构剖视图， 其上并未给出电子零件连接于其上的示意，具体其可以参照图1的结构，其两者在电子零件与导电层2相连接处是采用同样的技术手段。该新型铝基板100包括表面阻焊层1、导电层2、纳米陶瓷绝缘镀膜层3以及铝层 4，该表面阻焊层1、导电层2、纳米陶瓷绝缘镀膜层3和铝层4由表及里依次设置，在铝层4上表面镀纳米陶瓷绝缘镀膜层3，在纳米陶瓷绝缘镀膜层的上表面形成为导电层2，导电层 2上的表面阻焊层1工艺与其他现有铝基板相同，其可以实际情形而选择不设置，该纳米陶瓷绝缘镀膜层3的厚度=铝基板100耐压值/基本耐压值*纳米陶瓷绝缘镀膜层3的单位厚度值，所述的纳米陶瓷绝缘镀膜层3的单位厚度值指的是预先测得的一个基本耐压值所对应的纳米陶瓷绝缘镀膜层3厚度值。具体地，该纳米陶瓷绝缘镀膜层3每微米厚度就具有基本耐压值17V,如此在实际设计时，如果当前使用条件需要耐压1500V，此时纳米陶瓷绝缘镀膜层3就需要被设置为90 微米；如果当前使用条件需要耐压3000V时，此时纳米陶瓷绝缘镀膜层3就需要被设置为 180微米；这样人们可以根据实际使用条件的要求而匹配性地设置该纳米陶瓷绝缘镀膜层 3的厚度。优选地，为了进一步确保绝缘性能，该新型铝基板100还包括第二纳米陶瓷绝缘镀膜层5，该第二纳米陶瓷绝缘镀膜层5位于铝层4的下端。上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。
权利要求
1.一种新型铝基板的制造方法，其特征在于，在成型出铝层后，还包括在铝层上进行纳米陶瓷镀膜而形成纳米陶瓷绝缘镀膜层的工序，该纳米陶瓷绝缘镀膜层的厚度=铝基板耐压值 /基本耐压值*纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值，所述的纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值指的是预先测得的一个基本耐压值所对应的纳米陶瓷绝缘镀膜层厚度值。
2.如权利要求1所述的一种新型铝基板的制造方法，其特征在于，其在铝层的下端亦进行纳米陶瓷镀膜工序而形成第二纳米陶瓷绝缘镀膜层。
全文摘要
本发明公开一种新型铝基板的制造方法，在成型出铝层后，还包括在铝层上进行纳米陶瓷镀膜而形成纳米陶瓷绝缘镀膜层的工序，该纳米陶瓷绝缘镀膜层的厚度=铝基板耐压值/基本耐压值*纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值,所述的纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值指的是预先测得的一个基本耐压值所对应的纳米陶瓷绝缘镀膜层厚度值。本发明在通过在铝层上成型出纳米陶瓷绝缘镀膜层，从而能使得导电层的热量能直接通过纳米陶瓷绝缘镀膜层而传递给铝层而散发出去，如此能大大增加导热效果；并且由于该纳米陶瓷绝缘镀膜层是采用镀膜的方式实现地，其可以根据实际耐压需要而增加厚度，从而确保整个铝基板具有足够的耐压值，即具有安全性能上的保障。
文档编号B32B15/20GK102355796SQ20111031090
公开日2012年2月15日 申请日期2011年10月14日 优先权日2011年10月14日
发明者欧阳伟, 欧阳杰 申请人:格瑞电子(厦门)有限公司