一种新型的双银low-e镀膜玻璃的制作方法
【专利摘要】一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一TiOx膜层、第一AZO阻挡层、第一Ag层、第一NiCr阻挡层、第二AZO阻挡层、第二TiOx膜层、第三AZO阻挡层、第二Ag层、第二NiCr阻挡层、第四AZO阻挡层、第三TiOx膜层、以及SixNy顶膜层。本发明具有较好的粘结性和较佳机械强度，且可延长保存期。
【专利说明】—种新型的双银LOW-E镀膜玻璃
【技术领域】
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[0001]本发明涉及一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃。
【背景技术】
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[0002]LOff-E玻璃，是一种高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品。但现有LOW-E玻璃，其膜层粘结力较差，机械强度不佳，容易出现脱膜、氧化等质量缺陷。同时，Ag层上下表面之间均使用NiCr膜层作为阻挡层，容易掉渣，无法保护Ag层，使得LOW-E玻璃的保存期最长才为6个月。
[0003]故有必要对现有的LOW-E玻璃作出改进，以提供一种具有较好粘结性、较佳机械强度、且可延长保存期的LOW-E镀膜玻璃。
【发明内容】
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[0004]本发明的目的在于提供一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其具有较好的粘结性和较佳机械强度，且可延长保存期。
[0005]一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一 T1x膜层、第一 AZO阻挡层、第一 Ag层、第一 NiCr阻挡层、第二 AZO阻挡层、第二 T1x膜层、第三AZO阻挡层、第二 Ag层、第二 NiCr阻挡层、第四AZO阻挡层、第三T1x膜层、以及SixNy顶膜层。
[0006]本发明可通过如下方案进行改进:
[0007]所述SixNy基膜层的厚度为10?Ιδηπι，SixNy顶膜层的厚度为I5?25nm。
[0008]所述第一 T1x膜层的厚度为15?20nm，第二 T1x膜层的厚度为20?35nm，第三T1x膜层的厚度为15?30nm。
[0009]所述第一 AZO阻挡层的厚度为5?15nm，第二 AZO阻挡层的厚度为10?25nm，第三AZO阻挡层的厚度为4?15nm，第四AZO阻挡层的厚度为2?8nm。
[0010]所述第一 Ag层的厚度为4?8nm,第二 Ag层的厚度为2?5nm。
[0011]所述第一 NiCr阻挡层、第二 NiCr阻挡层的厚度为I?5nm。
[0012]所述SixNy基膜层、所述SixNy顶膜层为Si3N4保护层。
[0013]本发明具有如下优点:1、利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用T1x提高玻璃的透光率，各Ag层下面均用AZO阻挡层，各Ag层上面均用NiCr阻挡层和AZO阻挡层，AZO阻挡层具有附着力较强，不容易掉渣的性能，可以使各Ag层得到更好的保护，可将LOW-E玻璃的保存期延长至7-8个月。2、本玻璃透过率^60%,辐射率< 0.06,反射率< 15，遮阳系数SC ( 0.38 ;本玻璃颜色显现浅蓝色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值:a* = -2.5?-3.5，b* = -6?_7，光学性能良好。
【专利附图】
【附图说明】
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[0014]图1为本发明结构剖视图。【具体实施方式】:
[0015]如图所示，一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材I，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层2、第一 T1x膜层3、第一 AZO阻挡层4、第一 Ag层5、第一 NiCr阻挡层6、第二 AZO阻挡层7、第二 T1x膜层8、第三AZO阻挡层9、第二 Ag层10、第二 NiCr阻挡层11、第四AZO阻挡层12、第三T1x膜层13、以及SixNy顶膜层14。
[0016]进一步地，所述SixNy基膜层2的厚度为10?15nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
[0017]再进一步地，所述第一 T1x膜层3的厚度为15?20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
[0018]更进一步地，所述第一 AZO阻挡层4的厚度为5?15nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。为第一 Ag层5作铺垫，降低辐射率。
[0019]又进一步地，所述第一 Ag层5的厚度为4?8nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500?550SCCM。
[0020]再进一步地，所述第一 NiCr阻挡层6的厚度为I?5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
[0021]再进一步地，所述第二 AZO阻挡层7的厚度为10?25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0022]再进一步地，所述第二 T1x膜层8的厚度为20?35nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
[0023]再进一步地，所述第三AZO阻挡层9的厚度为4?15nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0024]再进一步地，所述第二 Ag层10的厚度为2?5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500?550SCCM。
[0025]再进一步地，所述第二 NiCr阻挡层11的厚度为I?5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
[0026]再进一步地，所述第四AZO阻挡层12的厚度为2?8nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0027]再进一步地，所述第三T1x膜层13的厚度为15?30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
[0028]再进一步地，所述SixNy顶膜层14的厚度为15?25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
[0029]具体地，所述SixNy基膜层2、所述SixNy顶膜层14为Si3N4保护层。
[0030]本发明利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用T1x提高玻璃的透光率，各Ag层下面均用AZO阻挡层，各Ag层上面均用NiCr阻挡层和AZO阻挡层，AZO阻挡层具有附着力较强，不容易掉渣的性能，可以使各Ag层得到更好的保护，可将LOW-E玻璃的保存期延长至7-8个月。2、本发明透过率> 60%，辐射率(0.06，反射率< 15，遮阳系数SC ( 0.38 ;本发明颜色显现浅蓝色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值:a* = -2.5?-3.5, b* = -6?_7，光学性能良好。
[0031]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。
【权利要求】
1.一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一 T1x膜层、第一 AZO阻挡层、第一 Ag层、第一 NiCr阻挡层、第二 AZO阻挡层、第二 T1x膜层、第三AZO阻挡层、第二 Ag层、第二 NiCr阻挡层、第四AZO阻挡层、第三T1x膜层、以及SixNy顶膜层。
2.根据权利要求1所述的一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜层的厚度为10?15nm，SixNy顶膜层的厚度为15?25nm。
3.根据权利要求1所述的一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述第一T1x膜层的厚度为15?20nm，第二 T1x膜层的厚度为20?35nm，第三T1x膜层的厚度为15?30nmo
4.根据权利要求1所述的一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述第一AZO阻挡层的厚度为5?15nm，第二 AZO阻挡层的厚度为10?25nm，第三AZO阻挡层的厚度为4?15nm,第四AZO阻挡层的厚度为2?8nm。
5.根据权利要求1所述的一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述第一Ag层的厚度为4?8nm,第二 Ag层的厚度为2?5nm。
6.根据权利要求1所述的一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述第一NiCr阻挡层、第二 NiCr阻挡层的厚度为I?5nm。
7.根据权利要求1或2所述的一种新型的双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜层、所述SixNy顶膜层为Si3N4保护层。
【文档编号】B32B17/06GK104355551SQ201410606694
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年10月30日 优先权日:2014年10月30日
【发明者】陈圆, 禹幸福 申请人:中山市亨立达机械有限公司