致动器装置及其制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置的制作方法

文档序号:2510839阅读:221来源:国知局
专利名称:致动器装置及其制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置的制作方法
技术领域
本发明涉及在振动板上具有压电元件的致动器装置及其制造方法、使用该致动器装置的液体喷射头以及液体喷射装置,其中所述压电元件由下电极、压电体层、以及上电极构成,所述压电体层由压电材料形成。
背景技术
作为用于致动器装置的压电元件,有以下电极和上电极两个电极夹持压电体层而构成的压电元件,所述压电体层由呈机电转换功能的压电材料、例如结晶化的压电陶瓷等形成。该致动器装置通常被称为挠曲振动模式的致动器装置,例如被安装在液体喷射头等中来使用。另外,作为液体喷射头的代表示例,例如有喷墨式记录头等,在该喷墨式记录头中,与喷出墨滴的喷嘴开口连通的压力产生室的一部分由振动板构成,通过压电元件使该振动板变形,对压力产生室的墨水进行加压,从而从喷嘴开口喷出墨滴。另外,作为安装在喷墨式记录头中的致动器装置,例如有通过成膜技术在振动板的整个表面上形成均匀的压电材料层,通过平板印刷方法将该压电材料层切分成与压力产生室对应的形状,从而形成每个压力产生室各自独立的压电元件(例如,参照专利文献1)。
在具有该压电元件的致动器装置中,通过平板印刷方法这种精密、简单的方法,不仅可以高密度地固定压电元件,而且还可以使压电元件的厚度很薄,从而可以高速驱动。但是,这样形成的压电元件存在着由构成压电元件的各个膜的膜质、或膜应力等所导致的膜剥离的问题。尤其是压电元件的最上层、即上电极容易从压电体层上剥离。
另外,为了调整构成压电元件的膜的应力,例如可以在压电层(压电体层)之间设置应力缓和层(例如,参照专利文献2)。通过做成这种结构,也许可以在一定程度上防止构成压电元件的膜剥离。但是,却存在着压电体层的压电特性降低、从而造成驱动压电元件时无法获得想要的位移量的危险。
当然,不仅安装在喷墨式记录头等液体喷射头中的致动器装置存在该问题,安装在其他所有装置上的致动器装置均存在同样的问题。
专利文献1日本专利文献特开平5-286131号公报(图3、第0013段等);专利文献2日本专利文献特开2004-128492号公报(权利要求等)。

发明内容
本发明是鉴于以上问题而完成的,其目的在于提供一种可以保持良好的压电体层的压电特性并且可以防止上电极剥离的致动器装置、该致动器装置的制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置。
为了解决上述问题,本发明第一方式的致动器装置的制造方法的特征在于,具有在基板上形成振动板的步骤以及在该振动板上形成由下电极、压电体层、以及上电极构成的压电元件的步骤,在形成所述压电元件的步骤中,通过溅射法在所述压电体层上形成所述上电极,使溅射时的温度为25~250(℃)、压力为0.4~1.5(Pa),由此形成厚度为30~100(nm)、应力为0.3~2.0(Gpa)、且电阻率为2.0(×10-7Ω·m)以下的所述上电极。
通过该第一方式,由于确保了上电极与压电体层的粘合性,所以能够保持良好的压电体层的压电特性并且可以提高上电极的膜质。因此,可以实现位移特性和耐久性均优良的致动器装置。
本发明的第二方式是如第一方式所述致动器装置的制造方法,其特征在于,使形成所述上电极时的能量密度为3~30(kW/m2)。
通过该第二方式,可以更加可靠地形成具有期望应力的上电极。
本发明的第三方式是如第一或第二方式所述致动器装置的制造方法,其特征在于,使用铱(Ir)来作为所述上电极的材料。
在该第三方式中,通过使用预定的材料来作为上电极,更加可靠地提高了上电极的膜质。
本发明的第四方式是一种致动器装置,其特征在于,所述致动器装置是通过第一至第三方式中任一种方式的制造方法来制造的。
在所述第四方式中,实现了位移特性和耐久性均显著提高的致动器装置。
本发明的第五方式是一种液体喷射头,其特征在于,所述液体喷射头具有第四方式的致动器装置。
在所述第五方式中,实现了喷出特性良好并且耐久性显著提高的液体喷射头。
本发明的第六方式是一种液体喷射装置,其特征在于,具有第五方式的液体喷射头。
通过第六方式,由于提高了喷出特性和耐久性,因此可以实现可靠性显著提高的液体喷射装置。


图1是示出本发明第一实施方式的记录头的大体结构的分解立体图;图2是本发明第一实施方式的记录头的平面图和截面图;图3是表示本发明第一实施方式的记录头的制造方法的截面图;图4是表示本发明第一实施方式的记录头的制造方法的截面图;图5是表示本发明第一实施方式的记录头的制造方法的截面图;图6是表示本发明第一实施方式的记录头的制造方法的截面图;图7是实施例和比较例的PZT薄膜的磁滞曲线;图8是本发明的一个实施方式的记录装置的简图。
具体实施例方式
下面,根据实施方式来详细地说明本发明。
(第一实施方式)图1是示出本发明第一实施方式的喷墨式记录头的简要结构的分解立体图,图2中的(a)和(b)是图1的平面图和沿A-A’所取的截面图。如图所示,在本实施方式中,流路形成基板10由面取向(110)的单晶硅基板形成,在其一个表面上形成有厚度为0.5~2μm的弹性膜50,该弹性膜50由通过预热氧化形成的二氧化硅构成。在流路形成基板10上,在其宽度方向上并列设置着由隔壁11区划出的多个压力产生室12。另外,在流路形成基板10的压力产生室12的长度方向外侧的区域中形成有连通部13,连通部13与各个压力产生室12通过按每个压力产生室12分别设置的墨水供应通路14而相连通。另外,连通部13与后述的保护基板的贮存部连通,并构成作为各个压力产生室12共用的墨水室的贮存器的一部分。墨水供应通路14的宽度比压力产生室12窄,从而使从连通部13流入压力产生室12的墨水的流路阻力保持恒定。
另外,在流路形成基板10的开口面一侧间隔掩膜52并通过粘接剂或热熔敷膜等固定有喷嘴板20,与各个压力产生室12的与墨水供应通路14相反的一侧的端部附近连通的喷嘴开口21穿透设置在该喷嘴板20上。另外,喷嘴板20例如由玻璃陶瓷、单晶硅基板或不锈钢形成。
另一方面,在流路形成基板10的与开口面相反的一侧上形成有如上所述的由二氧化硅形成的、厚度例如大约为1.0μm的弹性膜50,在该弹性膜50上层积形成有例如由二氧化锆(ZrO2)等形成的、厚度例如大约为0.4μm的绝缘体膜55。另外,在绝缘体膜55上形成有压电元件300,所述压电元件300由厚度例如大约为0.1~0.2μm的下电极膜60、厚度例如大约为0.5~5μm的压电体层70、以及厚度例如大约为0.05μm的上电极膜80构成。即,在本发明中,振动板具有氧化膜,在该氧化膜上形成有压电元件300。另外,通常将压电元件300的某一个电极作为共用电极,并按每一个压力产生室12对另一个电极和压电体层70进行图案化。在本实施方式中,将下电极膜60做为压电元件300的共用电极,将上电极膜80作为压电元件300的专用电极,但也可以按照驱动电路或布线的情况而将其互换。另外,在这里,将压电元件300以及通过该压电元件300的驱动而改变位置的振动板合称为致动器装置。
另外,在该各个压电元件300的上电极膜80上分别连接有例如由金(Au)等形成的导线电极90,通过该导线电极90向各个压电元件300选择性地施加电压。
另外,在本实施方式中,除了与下电极膜60的连接部60a以及导线电极90的连接部90a相对的区域以外,压电元件300的各层以及导线电极90的布图区域均被由绝缘材料形成的绝缘膜95覆盖。即,除了该连接部60a、90a以外,下电极膜60、压电体层70、上电极膜80、以及导线电极90的表面被绝缘膜95覆盖。由此,可以防止压电体层70的水分(湿气)造成损害。另外,绝缘膜95的材料没有特别的限定,只要是无机绝缘材料即可,例如,可以列举出三氧化二铝(Al2O3)、五氧化二钽(Ta2O5)等,尤其优选使用三氧化二铝(Al2O3)。
在形成有该压电元件300的流路形成基板10上,在与压电元件300相对的区域中通过粘接剂等接合有具有压电元件保持部31的保护基板30,该压电元件保持部31用于保护压电元件300。另外,压电元件保持部31所确保的空间只要不会阻碍压电元件300的运动即可,既可以密封该空间,也可以不进行密封。另外,在保护基板30上,在与连通部13相对的区域中设有贮存部32,该贮存部32如上所述与流路形成基板10的连通部13连通并构成作为各个压力产生室12共用的墨水室的贮存器100。另外,在保护基板30的压电元件保持部31与贮存部32之间的区域中设有在厚度方向上贯穿保护基板30的贯穿孔33,下电极膜60的一部分以及导线电极90的顶端部分露出到该贯通孔33内,尽管图中未示出,但在该下电极膜60和导线电极90上连接有从驱动IC延伸设置的连接布线的一端。
作为保护基板30,优选使用热膨胀率与流路形成基板10大致相同的材料,例如玻璃、陶瓷材料等。在本实施方式中,使用材料与流路形成基板10相同的单晶硅基板。
在保护基板30上接合有由密封膜41和固定板42构成的柔性基板40。这里,密封膜41由刚性低并具有可挠性的材料(例如,厚度为6μm的聚苯硫醚(PPS)膜)形成,通过该密封膜41来密封贮存部32的一个表面。另外,固定板42由金属等硬质材料(例如,厚度为30μm的不锈钢(SUS)等)形成。该固定板42的与贮存器100相对的区域形成为在厚度方向上被完全除去的开口部43,因此仅以具有可挠性的密封膜41来密封贮存器100的一个表面。
在本实施方式的该喷墨式记录头中,从图中未示出的外部墨水供应单元获取墨水,在从贮存器100至喷嘴开口21的内部被墨水充满后,根据来自驱动电路IC的记录信号,在与压力产生室12对应的各个下电极膜60和上电极膜80之间施加电压,使弹性膜50、下电极膜60、以及压电体层70弯曲变形,由此各个压力产生室12内的压力升高,从而从喷嘴开口21喷出墨滴。
下面,参照图3~图6来说明喷墨式记录头的制造方法。另外,图3~图6是压力产生室12的长度方向的截面图。首先,如图3中的(a)所示,用大约1100℃的扩散炉对流路形成基板用晶片110进行热氧化并在其表面上形成构成弹性膜50的二氧化硅膜51,该基板用晶片110为硅晶片。另外,在本实施方式中,使用膜厚大约为625μm的较厚的、高刚性的硅晶片作为流路形成基板用晶片110。
接着,如图3中的(b)所示,在弹性膜50(二氧化硅膜51)上形成由氧化锆构成的绝缘体膜55。具体来说,在弹性膜50(二氧化硅膜51)上例如通过溅射(sputtering)法形成锆(Zr)层后,例如用500~1200℃下的扩散炉对该锆层进行热氧化,由此形成由二氧化锆(ZrO2)构成的绝缘体膜55。
接着,如图3中的(c)所示,在绝缘体膜55的整个表面上形成了由铂(Pt)、铱(Ir)等构成的下电极膜60后,将其图案化为预定的形状。例如,在本实施方式中,通过溅射法层积由铱构成的膜以及由铂构成的膜,并将层积的多个膜图案化为预定形状,由此来形成下电极膜60。
接着,如图3中的(d)所示,例如通过溅射法等在下电极60以及绝缘膜55上涂敷钛(Ti),由此形成预定厚度的钛晶种层65。然后,在该钛晶种层65上形成由压电材料、在本实施方式中即锆钛酸铅(PZT)构成的压电体层70。另外,在本实施方式中,将金属有机物溶解、分散在触媒中获得所谓的溶胶,涂敷干燥该溶胶并使其凝胶化,再用高温烧固,由此得到由金属氧化物构成的压电体层70,即使用溶胶-凝胶方法来形成压电体层70。另外,压电体层70的制造方法不限于溶胶-凝胶方法,例如也可以使用MOD(Metal-Organic Decomposition,有机金属裂解)方法等。
作为压电体层70的形成次序的一个例子,首先如图4中的(a)所示,在钛晶种层65上成膜形成作为PZT前驱体膜的压电体前驱体膜71。即,在流路形成基板用晶片110上涂敷含有金属有机化合物的溶胶(溶液)。然后,将压电体前驱体膜71加热至预定温度,并将其干燥一定时间,使溶胶的溶媒蒸发,由此使压电体前驱体膜71干燥。并且,在大气气氛中,在一定的温度下使压电体前驱体膜71脱脂一定的时间。另外,在这里所说的脱脂是指使溶胶膜的有机成分成为例如NO2、CO2、H2O等而脱离。
然后,将该涂敷、干燥、脱脂的工序重复预定的次数、例如两次,则如图4中的(b)所示,形成预定厚度的压电体前驱体膜71,用扩散炉等对该压电体前驱体膜71进行加热处理,由此使之结晶化,从而形成压电体膜72。即,通过烧固压电体前驱体膜71而使结晶以钛晶种层65为晶核生长,从而形成压电体膜72。另外,烧固温度优选为650~850℃左右,例如,在本实施方式中,在大约700℃下将压电体前驱体膜71烧固30分钟,从而形成压电体膜72。另外,在该条件下形成的压电体膜72的结晶优先沿(100)面取向。
再通过多次重复上述涂敷、干燥、脱脂、烧固等工序,如图4中的(c)所示,形成例如由五层压电体膜72构成的预定厚度的压电体层70。
另外,作为压电体层70的材料,例如也可以使用在锆钛酸铅(PZT)等铁电压电材料中添加了铌、镍、镁、铋、钇等金属的弛豫铁电体等。考虑压电元件的特性、用途等来适宜地选择其组分即可,例如可以列举出PbTiO3(PT)、PbZrO3(PZ)、Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PZN-PT)、Pb(Zi1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PNN-PT)、Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)、Pb(Sc1/3Ta2/3)O3-PbTiO3(PST-PT)、Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PSN-PT)、BiScO3-PbTiO3(BS-PT)、BiYbO3-PbTiO3(BY-PT)等。
在这样形成了压电体层70之后,如图5中的(a)所示,在流路形成用晶片110的整个表面上形成例如由铱(Ir)构成的上电极膜80。此时,在本发明中,通过溅射法、例如DC或RF溅射法来形成厚度为30~100(nm)、应力为0.3~2.0(GPa)、并且电阻率为2.0(×10-7Ω·m)以下的上电极膜80。另外,在这里,以正值表示拉伸方向的应力,以负值表示压缩方向的应力。
为了使上电极膜80的应力和电阻率为上述值,使成膜上电极膜80时的溅射压力为0.4~1.5(Pa),使成膜上电极膜80时的温度、即流路形成基板用晶片110的加热温度处于25℃(常温)~250℃的范围内。由此,通过形成厚度为30~100(nm)的上电极膜80,可以使上电极膜80的应力和电阻率均为期望的值。另外,通过使成膜上电极膜80时的温度处于25℃(常温)~250℃的范围内,可以防止形成上电极膜80时的热量对压电体层70造成损害,从而可以使压电体层70维持良好的压电特性。
另外,对通过溅射法成膜上电极膜时的能量密度(power density)没有特别的限定,优选使其处于3~30(kW/m2)的范围内。由此,能够更加可靠地形成应力和电阻率为上述值的上电极膜80。
另外,通过以上述条件来成膜上电极膜80,可以使上电极膜80的电阻率为2.0(×10-7Ω·m)以下,而例如通过改变以溅射法成膜上电极膜80时导入的氩(Ar)等气体的压力,也可以调节上电极膜80的电阻率。
在这样形成了上电极膜80之后,如图5中的(b)所示,在与各个压力产生室12相对的区域中对压电体层70和上电极膜80进行图案化,从而形成压电元件300。另外,在形成了压电元件300之后,如图5中的(c)所示,在流路形成基板用晶片110的整个表面上形成例如由金(Au)等构成的金属层91,然后,例如通过由抗蚀剂等构成的掩膜图案(图中未示出),按每个压电元件300对金属层91进行图案化,由此形成导线电极90。
然后,如图5中的(d)所示,形成例如由二氧化铝(Al2O3)构成的绝缘膜95。即,在流路形成基板10的整个表面上形成绝缘膜95,然后通过离子研磨等干蚀刻对该绝缘膜95进行图案化,使成为下电极膜60的连结部60a和导线电极90的连接部90a的区域等露出来。
然后,如图6中的(a)所示,在流路形成基板用晶片110的压电元件300一侧接合有将变成多个保护基板30的保护基板用晶片130,该保护基板用晶片130为硅晶片。另外,由于该保护基板用晶片130具有例如400μm左右的厚度,所以通过接合保护基板用晶片130,可以显著地提高流路形成基板用晶片110的刚性。
然后,如图6中的(b)所示,将流路形成基板用晶片110研磨到一定程度的厚度之后,再通过氟硝酸进行湿蚀刻,由此使流路形成基板用晶片110具有预定的厚度。例如,在本实施方式中,对流路形成基板用晶片110进行蚀刻加工,使其厚度为大约70μm左右。然后,如图6中的(c)所示,在流路形成基板用晶片110上重新形成例如由氮化硅(SiN)构成的掩膜52,并将其图案化为预定的形状。然后,通过该掩膜52对流路形成基板用晶片110进行各向异性蚀刻,由此如图6中的(d)所示,在流路形成基板用晶片110上形成压力产生室12、连通部13以及墨水供应通路14等。
然后,例如用切割机等切断并除去流路形成基板用晶片110和保护基板用晶片130的外周边缘部上的不需要的部分。然后,在流路形成基板用晶片110的与保护基板用晶片130相反的一侧的表面上接合穿透设置有喷嘴开口21的喷嘴板20,并且在保护基板用晶片130上接合柔性基板40,将流路形成基板用晶片110等分割为如图1所示的一个芯片大小的流路形成基板10等,由此做成本实施方式的喷墨式记录头。
如上所述,在本发明中,形成厚度为30~100(nm)、应力为0.3~2.0(GPa)、并且电阻率为2.0(×10-7Ω·m)以下的构成压电元件300的上电极膜80。由此,可以提高上电极膜80和压电体层70的粘合性、防止上电极膜80剥离、并且压电体层70的电特性不会降低。即,上电极膜80在压缩方向的应力强时容易剥离,而当拉伸方向的应力强时难以剥离,但是此时压电体层70的极化特性有降低的趋势。通过以上述条件来形成上电极膜80,可以获得压电体层70的电特性和上电极膜80的粘合性均良好的压电元件300。另外,电阻率只要为2.0(×10-7Ω·m)以下即可,对其下限值没有特别的限制。优选为1.59(×10-7Ω·m)以上。
并且,该上电极膜80的膜质得以提高并且其表面变为实质上没有凹凸的平滑的表面,因此可以很好地在该上电极膜80上形成厚度均匀的绝缘膜95,其结果是防止了绝缘膜95的剥离。因此,可以得到位移特性和耐久性均优良的致动器装置,并能够实现可以长期维持优良印刷质量的喷墨式记录头。
在这里,制作了以下述表1所示的成膜条件来成膜作为上电极膜的Ir膜的实施例1~8、以及比较例1~15的致动器装置,测定该各个实施例和比较例的致动器装置的上电极膜在最大翘曲方向的应力,并评价致动器装置的位移量、以及上电极膜(TE)和压电体层之间的粘合力。下述表1同时示出了其结果。
另外,如果致动器装置的位移量约为210(nm)以下的话,在上述液体喷射头的结构中将影响墨水的喷出特性。因此,如果致动器的位移量为210(nm)以上的话,评价为“良好”;当比210(nm)小时,评价为“降低”(不良)。另外,在制作致动器装置的阶段中观察上电极膜的状态,根据上电极膜有无剥离以及压电体层与上电极膜之间有无空间来评价上电极膜(TE)与压电体层的贴紧力。即,如果存在上述剥离及空间的话,评价为“降低”(不良);如果不存在的话,评价为“良好”。
表1



如上表1所示,在实施例1~8的致动器装置中,对位移量和TE粘合力的评价均为“良好”,在比较例1~15的致动器装置中,对位移量或TE粘合力中的至少一个的评价为“降低”。从该结果可以明确地知道,根据本发明,可以提高上电极膜80与压电体层70之间的粘合性,从而可以防止上电极膜80剥离,并且可以使压电体层70维持良好的电气特性。
另外,在下述表2中示出了从上述各个实施例和比较例的致动器中任意选择的致动器装置(实施例4和比较例2的致动器装置)中的、作为压电体层的PZT薄膜的剩余极化(2Pr)的调查结果。另外,在下述表2中同时示出了Ir成膜条件、Ir应力、Ir电阻率、以及致动器装置的位移量。另外,图7示出了实施例和比较例的致动器装置的PZT薄膜(压电体层)的磁滞曲线。
表2


如上表2所示,在实施例的致动器装置中,PZT薄膜的剩余极化(2Pr)和致动器的位移量均显示出良好的值,但是在比较例的致动器装置中,该值与实施例的致动器装置相比均变低。另外,从图7所示的PZT薄膜的磁滞曲线也可知,与比较例相比,实施例的致动器装置的极化强度较大。
上述表2所示的实施例的溅射压力(Pa)为0.4(Pa),当然也可以使溅射压力在0.4~1.5(Pa)的范围内。另外,温度为250℃,但只要为25~250℃即可。由此,可以确保使PZT薄膜的剩余极化(2Pr)的数值比比较例的高。
另外,上电极膜80的材料可以使用铱(Ir)。作为上电极膜80的具体的方式,不限于由单层铱(Ir)构成的方式,也可以是由以铱(Ir)为主要成分的合金层构成的方式。另外,也可以在铱(Ir)层或以铱(Ir)为主要成分的合金层的、与压电体层70接触的表面的相反一侧的表面上层积其他的层来形成上电极膜80。
(其他实施方式)以上说明了本发明的实施方式,但本发明不限于上述实施方式。
另外,该各个实施方式的喷墨式记录头构成具有与墨盒等连通的墨水流路的记录头单元的一部分并安装在喷墨式记录装置中。图8是示出该喷墨式记录装置的一个示例的简图。如图8所示,具有喷墨式记录头的记录头单元1A和1B可装卸地设置在构成墨水供应单元的墨盒2A和2B上,装载有该记录头单元1A和1B的托架3可沿轴向自由移动地设置在托架轴5上,该托架轴5安装在装置主体4上。该记录头单元1A和1B例如分别喷出黑墨水组成物和彩色墨水组成物。
并且,驱动马达6的驱动力通过未图示的多个齿轮和同步带7传至托架3,由此装载有记录头单元1A和1B的托架3沿托架轴5移动。另一方面,在装置主体4上沿托架轴5设有台板8,在台板8上传送由未图示的进纸辊等输送的纸等作为记录介质的记录薄片S。
在上述第一实施方式中,说明了作为液体喷射头的一个示例的喷墨式记录头,但本发明广泛地以所有的液体喷射头为对象,当然也可适用于喷出墨滴以外的液体的液体喷射头。作为其他的液体喷射头,例如可以列举出用于打印机等图像记录装置的各种记录头、用于制造液晶显示器等的滤色器的颜料喷射头、用于形成有机EL显示器及FED(面发光显示器)等的电极的电极材料喷射头、用于制造生物芯片的生物有机物喷射头等。勿庸置疑,本发明不限于用于液体喷射头的致动器装置,例如,也可适用于装载在传感器等其他任何装置上的致动器装置。
权利要求
1.一种致动器装置的制造方法,其特征在于,具有在基板上形成振动板的步骤;以及在该振动板上形成由下电极、压电体层、和上电极构成的压电元件的步骤;并且,在形成所述压电元件的步骤中,通过溅射法在所述压电体层上形成所述上电极,使进行溅射时的温度为25~250(℃)、压力为0.4~1.5(Pa),由此,形成厚度为30~100(nm)、应力为0.3~2.0(GPa)、且电阻率为2.0(×10-7Ω·m)以下的所述上电极。
2.如权利要求1所述的致动器装置的制造方法,其特征在于,使形成所述上电极时的能量密度为3~30(kW/m2)。
3.如权利要求1所述的致动器装置的制造方法,其特征在于,使用铱(Ir)来作为所述上电极的材料。
4.一种致动器装置,其特征在于,所述致动器装置是通过权利要求1所述的制造方法而制造的。
5.一种液体喷射头,其特征在于,所述液体喷射头具有权利要求4所述的致动器装置。
6.一种液体喷射装置,其特征在于,所述液体喷射装置具有权利要求5所述的液体喷射头。
全文摘要
本发明提供一种可以保持良好的压电体层的压电特性并且可以防止上电极剥离的致动器装置及其制造方法、以及液体喷射头和液体喷射装置。所述方法具有在基板上形成振动板的步骤以及在振动板上形成由下电极、压电体层、和上电极构成的压电元件的步骤,在形成压电元件的步骤中,通过溅射法在压电体层上形成上电极,使溅射时的温度为25~250(℃)、压力为0.4~1.5(Pa),由此,形成厚度为30~100(nm)、应力为0.3~2.0(GPa)、且电阻率为2.0(×10
文档编号B41J2/045GK1911665SQ200610109730
公开日2007年2月14日 申请日期2006年8月9日 优先权日2005年8月9日
发明者李欣山, 西胁学 申请人:精工爱普生株式会社
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