专利名称：用于激光诱导热成像的膜供体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电子装置的生产，更具体地讲，涉及一种利用激光诱导热成像(LITI)技术在电子装置中形成有机材料层。
背景技术：
某些电子装置包括有机层。例如，有机发光装置(OLED)包括各种有机层。已经使用各种方法来形成这样的有机层。例如，这样的方法包括沉积方法、喷墨方法以及激光诱导热成像(LITI)方法。
在LITI方法中，使用膜供体(film donor)装置来提供可转移层。供体装置放置在部分制成的电子装置(半成品装置)上，从而可转移层接触该半成品装置的表面(接收表面)，可转移层被转移到该半成品装置上，。然后，激光束被施加到供体装置的被选择区域上，该激光束在供体装置的被选择区域中产生热量。该热量使可转移层的期望部分分离。当供体装置移开时，可转移层分离的部分留在半成品装置的表面上。
通常，LITI设备在上述工艺期间使用吸力使可转移层与半成品装置的所述表面接触并且保持这种接触。图1是LITI设备100的横截面视图。LITI设备100包括腔室110、基底支撑件120和激光源或者激光振荡器130。基底支撑件120包括半成品装置容纳凹槽121，将半成电子装置140容纳其中；供体装置容纳凹槽123，将膜供体装置150容纳其中。
为了高精度和较少缺陷地将有机材料部分转移到半成品装置上，需要在可转移层和接收表面之间紧密接触。LITI设备100包括吸力机构以形成这样紧密地接触。吸力机构包括管子161和163以及真空泵P。通过管子161的吸力使半成品装置(未显示)向下位于凹槽121中并且将其保持住。通过管子163的吸力使供体装置(未显示)向下位于凹槽123中并且与该半成品装置接触，并且将其这样保持住。为了产生这样的吸力方式，在腔室中需要空气或者其它的气态介质。
由于在LITI工艺之前或者接着LITI工艺执行的工艺通常在真空条件下实现，所以在整个工艺中利用吸力方式的LITI工艺需要打破真空条件来实现。
这部分问题在于提供相关技术的背景信息并且不构成现有技术的承认。
发明内容
本发明的一方面在于提供一种在激光诱导热成像中使用的膜供体装置。所述装置包括基底；可转移膜层，被构造成当足够量的热施加到其上时，其一部分被转移，所述可转移膜层包括有机材料；磁性层，包括磁体，其中，所述磁性层介于所述基底和所述可转移膜层之间，或者所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间。
所述磁性层可与所述可转移膜层的整个部分基本重叠。所述磁体可包括电磁体、永久磁体或者所述电磁体和永久磁体二者。所述磁体可包括电磁体，其中，所述装置还包括电连接到所述电磁体并且被构造成连接到外部电源的电极。
所述磁体可包括从由铝镍钴磁体、铁氧体磁铁、稀土磁体、橡胶磁体和塑料磁铁组成的组中选择的永久磁体。所述磁体可包括从由板形、条形、杆形和颗粒状构成的组中选择的一种或者多种形式。
所述装置还可包括光-热转化层，所述光-热转化层被构造成当预定波长的光施加到其上时产生热，所述光-热转化层介于所述基底和所述可转移膜层之间。所述磁性层可介于所述基底和所述光-热转化层之间。所述磁性层可介于所述光-热转化层和所述可转移膜层之间。所述基底可介于所述磁性层和所述可转移膜层之间，而所述磁性层还可介于所述基底和所述基底的材料之间，仿佛所述磁性层介于所述基底中一样。
所述磁性层还可包括光-热转化材料，所述光-热转化材料被构造成当预定波长的光施加到其上时产生热。所述磁体足够量以产生约5mGT到约50mGT的磁场。
本发明的另一方面在于提供一种用于激光诱导热成像的膜供体装置，所述装置包括基底；可转移膜层，被构造成当足够量的热施加到其上时，其一部分被转移，所述可转移膜层包括有机材料；光-热转化层，被构造成当预定波长的光施加到其上时产生热，所述光-热转化层介于所述基底和所述可转移膜层之间；磁性层，包括可被磁力吸引的材料，其中，所述可被磁力吸引的材料基本规则地或者基本均匀地布置于整个所述磁性层，其中，所述磁性层介于所述基底和所述可转移膜层之间，或者所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间。
所述可被磁力吸引的材料可包括从由板形、条形、杆形和颗粒状构成的组中选择的一种或者多种形式。所述磁性层介于所述基底和所述光-热转化层之间。所述磁性层介于所述光-热转化层和所述可转移膜层之间。所述磁性层可包括足够量的可被磁力吸引的材料，以当所述装置位于从约5mGT到约50mGT的磁场中时用于所述装置的运动。所述可被磁力吸引的材料包括从由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4、MnFeO4以及上述两种或者更多的合金构成的组中选择的一种或者多种。所述磁性层于所述可转移膜层的整个部分基本重叠。
本发明的另一方面在于提供一种制造电子装置的方法，所述方法包括提供包括半成产品和支撑装置的容纳设备，所述容纳设备包括磁性层，所述半成产品包括容纳表面，所述支撑装置被构造成制成所述半成产品，所述容纳设备的磁性层包括磁体或者可被磁力吸引的材料；提供上述的膜供体装置；将所述膜供体装置布置成使可转移膜层面对所述容纳表面，并且所述容纳设备的磁性层和膜供体装置彼此附着，从而所述可转移膜层与所述表面接触，二者之间基本没有气泡。
所述方法还可包括将激光束照射到所述膜供体装置的至少一部分上，并且将所述可转移膜层的至少一部分转移到所述表面上。所述半成产品可包括所述磁性层。所述支撑装置可包括所述磁性层。所述方法在基本真空的环境下执行。所述电子装置包括有机发光显示器。
通过下面参照附图进行的描述，本发明的各方面和优点将会变得清楚和更容易理解，其中图1示出了激光诱导热成像设备的示意性剖视图。
图2示出了根据本发明的一个实施例的激光诱导热成像设备的示意性的剖视图。
图3示出了根据本发明的一个实施例的激光诱导热成像设备的示意性的分解透视图。
图4A和图4B示出了根据本发明实施例的部分制成的电子装置的示意性的剖视图。
图4C示出了根据本发明一个实施例的部分制成的电子装置的示意性的俯视图。
图5A示出了根据本发明的一个实施例的基底支撑件的示意性的透视图。
图5B示出了沿着I-I′剖开的图5A的基底支撑件的示意性剖视图。
图6A至6C示出了根据本发明实施例的供体装置的示意性的部分剖视图。
图7示出了根据本发明的一个实施例的接触框架的示意性的透视图。
图8是根据本发明的一个实施例的激光诱导热成像方法的流程图。
图9A至9F示出了根据本发明的一个实施例的激光诱导热成像方法。
图10A至10D示出了根据本发明的一个实施例的激光诱导热成像方法。
图11示出了根据本发明的一个实施例的激光振荡器的示意性的透视图。
具体实施例方式
将参照附图来详细描述本发明的各样实施例。在附图中，相同的标号指示相同或者功能上相似的组件或者元件。
激光诱导热成像设备在实施例中，LITI设备使用磁力提供在膜供体装置和半成品装置之间的紧密接触。与图1的LITI设备中吸力方式不一样，磁力不需要在腔室内有空气或者流体。在实施例中，可以在真空或者非真空条件下执行使用磁力的膜供体装置与半成品装置的接触。
图2示出了根据一个实施例的LITI设备200。示出的LITI设备包括腔室210、基底支撑件260、接触框架230以及激光源或者激光振荡器220。腔室210提供使用膜供体装置241处理半成品(部分制成)电子装置250的空间。将基底支撑件260构造成支撑半成品装置250和膜供体装置241。接触框架230可移动地连接到腔室210，用于在膜供体装置241之上提供向下的重量。在特定的实施例中，可以省略接触框架230。膜供体装置241包括可转移层(未显示)。可转移层通过激光将被转移到半成品装置上。激光振荡器220位于接触框架230之上。将激光振荡器220构造成通过接触框架230将激光照射到膜供体装置241上。
在一个实施例中，LITI设备200操作如下。首先，将半成品装置250放入腔室210中并且放置在基底支撑件260上。然后，将膜供体装置241放置在半成品装置250上。膜供体装置241与半成品装置250至少一部分接触。利用磁力使膜供体装置241压靠着半成品装置250。在这个步骤中，可转移层与半成品装置紧密地接触。激光振荡器220被激活，将激光照射到膜供体装置241上。然后，可转移层从膜供体装置241转移到半成品装置250。
图3示出了LITI设备200的示意性的分解视图。虚线表示腔室210。在示出的实施例中，激光振荡器220、接触框架230以及基底支撑件260相互竖直地对齐。在LITI工艺中，半成品装置250放置在基底支撑件260上，膜供体装置241放置在半成品装置250之上。在另一个实施例中，上述部件可以有不同的排列，例如相反的构造。在一些实施例中，可以将基底支撑件构造成从顶部固定住半成品装置。这样的基底支撑件可称为基底固定器。
腔室210提供用于LITI工艺的反应空间。腔室可以是在其中实现LITI工艺的适合的封闭空间。腔室210容纳接触框架230和基底支撑件260。腔室还包括用于将半成品装置250和膜供体装置241放入或者移去的门。在一个实施例中，可以将腔室210构造成提供真空环境。
在示出的实施例中，激光振荡器220位于腔室210的顶部中间部分，在接触框架230之上，但是激光振荡器220的位置不限于此。将激光振荡器220构造成将激光束照射到膜供体装置241上。图11示出了激光振荡器220的一个实施例。示出的激光振荡器220可以是CW ND:YAG激光器(1604nm)。激光振荡器220具有两个检流计式扫描器(galvanometer scanner)221和222。激光振荡器220还具有扫描透镜223和柱面透镜224。技术人员应该理解，各种类型的激光振荡器可适于提供用于膜供体装置的激光。
在示出的实施例中，接触框架230位于基底支撑件260之上，但是不限于此。接触框架230经传输单元231可运动地连接到腔室210的顶部中间部分。接触框架230具有构造成在膜供体装置241之上提供重量的接触板232。接触板232被图案化，将在下面的膜供体装置241的一部分暴露，同时挡住其它的部分。为了暴露膜供体装置241的所述部分，接触板232包括多个开口233。开口233允许激光束直接到膜供体装置241的所述部分上。这样的构造使可转移层的一部分转移到半成品装置250上，这将在稍后详细描述。在特定实施例中，LITI设备可以没有接触框架。
在示出的实施例中，基底支撑件260位于反应腔室210的底部，但是不限于此。示出的基底支撑件260具有凹处263以容纳半成品装置250。基底支撑件260还支撑膜供体装置241。此外，基底支撑件260在下面容纳基底升降杆265和膜供体装置升降杆266。基底支撑件260具有通孔261和262，通过所述通孔基底升降杆265和膜供体装置升降杆266在竖直方向上运动。
在LITI工艺期间，半成品装置250放置在基底支撑件260上。术语“半成品装置”指具有利用LITI工艺形成有机材料的表面的任何装置。通常，这样的装置是部分制成的电子装置。在一个实施例中，半成品装置250是部分制成的有机发光装置。半成品装置250包括可转移层在其上被转移的表面。
在LITI工艺期间，膜供体装置241放置在半成品装置250之上。在一个实施例中，膜供体装置241包括基础基底、光-热转化层以及可转移层，这将在稍后描述。示出的膜供体装置241还包括围绕膜供体装置241的膜供体装置托盘240。膜供体装置盘240是用作保持膜供体装置241的形状的框架。在LITI工艺期间，将可转移层布置成面对半成品装置的表面。
图3的LITI设备200使用磁力提供膜供体装置241和半成品装置250之间的紧密接触。磁力保持膜供体装置241和半成品装置250的紧密接触，在所述两个装置241和250之间不存在空气间隙或者气泡。
在一个实施例中，磁力可以通过分开的两个或者更多磁性材料产生。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。这里，术语“部件”指在LITI工艺中使用的部件和装置，包括半成品装置250、膜供体装置241、接触框架230以及基底支撑件260。在实施例中，磁体或者磁性材料形成在LITI系统的下面两个部件中，但是不限于此1)半成品装置250和膜供体装置241；2)半成品装置250和接触框架230；3)基底支撑件260和膜供体装置241；或者4)基底支撑件260和接触框架230。
优选地，磁性材料可以设置在LITI系统的下面的部件结合的一种中5)基底支撑件260、半成品装置250和接触框架230；6)基底支撑件260、半成品装置250和膜供体装置241；7)基底支撑件260、膜供体装置241和接触框架230；或者8)半成品装置250、膜供体装置241和接触框架230。然而在另一个实施例中，磁性材料可以设置在9)基底支撑件260、半成品装置250、膜供体装置241和接触框架230中。技术人员应该理解，根据LITI设备的设计，磁性材料可以设置在特定的其它部件中。
将在一对部件中的磁性材料构造成彼此吸引，从而膜供体装置241和半成品装置250形成在可转移层和在其上可转移层被转移的表面之间的紧密接触。在此使用的术语“磁性材料”指磁体或者可被磁力吸引的材料。除非有其它指定，“磁体”通常可以指永久磁体或者电磁体。在此使用的术语“可被磁力吸引的材料”指不是磁体的但是可以被磁体吸引的材料。在一些实施例中，两个LITI部件中的一个包括磁体，而另一个可以包括不是磁体的可被磁力吸引的材料。在另一些实施例中，两个LITI部件都可以包括磁体。在特定实施例中，包括磁体的部件也可以包含可被磁力吸引的材料。在所有实施例中，部件包括一定数量的磁性材料，以产生提供膜供体装置241和半成品装置250之间的紧密接触的足够的磁力。
与吸力方式不同，磁力可以在真空环境中产生。因此，在一些实施例中，可以利用磁性地诱导使膜供体装置241和半成品装置250之间在真空中接触地执行LITI工艺，而不破坏真空。此外，在另一些实施例中，磁力系统可以与吸力系统一起使用来提高LITI工艺。以下，将详细描述磁体或者可被磁力吸引的材料在每个部件中的位置和构造。
在一个实施例中，在可转移层下面的磁性材料位于半成品装置250中。图4A和图4B示出了半成品装置400A和400B实施例的剖视图。示出的半成品装置400A和400B是部分制成的有机发光装置(OLED)。半成品装置400A和400B的每个都包括基底401、缓冲层402、薄膜晶体管440、钝化层409、电极420以及像素分隔壁430。薄膜晶体管440包括绝缘层403和404、半导体层405、源极406、漏极407以及栅极408。像素分隔壁430形成在钝化层409和电极420的一部分上，暴露电极420的顶表面的大部分。电极420将用作有机发光二极管的阴极或者阳极。可转移层将形成在电极420的暴露的顶表面之上。
在图4A中，磁性层401a附到基底401的底表面。在图4B示出的另一个实施例中，磁性层401b位于基底401和缓冲层402之间。磁性层401a和401b包括以下将详细描述的磁性材料。在一个实施例中，磁性层401a或者401b具有大约在5000到1μm之间的厚度。
在特定实施例中，根据半成品装置的设计，半成品装置可包括嵌入在电极420之下的任一部件，例如基底401、缓冲层402、绝缘层403和404和/或钝化层409中的磁性材料。在任何情况下，半成品装置包括使膜供体装置和半成品装置之间紧密接触的足够数量的磁性材料。
在另一个实施例中，半成品装置可包括在半成品装置的特定区域中的磁性材料条。图4C示出了半成品装置400C的一个实施例的俯视图。示出的装置是部分制成的有机发光装置400C。装置400C包括显示区域460、数据驱动器430、扫描驱动器440以及电源连接器410和420。显示区域460包括矩阵形式的多个像素470。示出的装置400C包括磁性材料条450a和450b。在示出的实施例中，所述条450a位于显示区域460外侧的周边区域。此外，所述条450b形成在显示区域460中。示出的条450基本彼此平行。在其它实施例中，磁性材料条形成在像素区域中，而不是形成在周边区域中。技术人员应该理解，可以使用各种其它构造的条来提供磁力。
在一个实施例中，磁性材料可以是包括永久磁体或者电磁体的磁体。永久磁体可以是铝镍钴磁体、铁氧体磁铁、稀土磁体、橡胶磁体或者塑料磁铁。永久磁体可以从板形、片形、条形、杆形和颗粒状中选择至少一种形式。在一个实施例中，永久磁体可以是纳米级的磁性颗粒、板、片、条或者杆。利用旋转涂敷(spin coating)、电子束沉积或者喷墨沉积可将这样纳米级的颗粒沉积在半成品装置的部件的表面上。在另外的实施例中，板、片、条、杆和颗粒可以大于纳米级的尺寸。
永久磁体可以基本均匀地分布在磁性层401a或者401b中。在另一个实施例中，磁性层401a或者401b可以仅在可转移层被转移到的区域上具有永久磁体部分。在另一个实施例中，磁性层可以是由永久磁体制成的单一板。
在另一个实施例中，磁性材料可以是电磁体。电磁体可以具有从螺线管和环状线圈中选择的至少一种形式。螺线管指形成直管形状的线圈。环状线圈指形成环状物形状的线圈。通常，环状线圈是弯曲以使端部连接的螺线管。在一些实施例中，螺线管或者环状线圈可以包括在线圈内部的顺磁性材料或者铁磁性材料(例如铁)的芯。因为电磁体需要电流以使其磁化，所以电磁体通过导线被连接到外部电源。在一个实施例中，半成品装置的非显示区域可以包括一个或者多个电连接到指定的电磁体的电极。将电极构造成为从外部电源接收功率。此外，电极通过导线被连接到电磁体。在实施例中，电极可以形成在包括电磁体的装置或者主体的外表面上，以电连接到外部电源。在其它实施例中，电极可以突出到包括电磁体的装置或者主体的外部。在由半成品装置形成的电子装置中，电极可以是非活跃的并且被埋在介电材料中。与永久磁体相似，电磁体可以根据半成品装置的设计基本均匀地或者不均匀地分布。
在另一个实施例中，磁性材料可以是可被磁力吸引的材料而不是磁体。可被磁力吸引的材料的例子包括但不限于，Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4、MnFeO4、它们的合金或者两个或者更多上述材料的混合物。可被磁力吸引的材料的其它例子还可以包括塑料和陶瓷磁性材料。与永久磁体相似，可被磁力吸引的材料可以从板形、片形、条形、杆形和颗粒状中选择至少一种形式。这些材料可以是纳米级或者更大的颗粒。可被磁力吸引的材料可以均匀地分布在磁性层中。在另一个实施例中，磁性层可以仅在可转移层被转移的区域上具有可被磁力吸引的材料部分。在另一个实施例中，磁性层可以是由可被磁力吸引的材料制成的单一板。
在另一个实施例中，可转移层之下的磁性材料可以位于基底支撑件中。图5A和图5B示出了包括磁性材料的基底支撑件260的一个实施例。示出的基底支撑件260包括在用于容纳半成品装置的凹处之下的区域263(由虚线表示)中的电磁体264。示出的电磁体264在竖直方向上被对齐。然而，电磁体根据基底支撑件的设计可以布置为其它各种构造。电磁体还可以具有相对于半成品装置如上所述的各种形状和构造。在特定的实施例中，磁性材料相对于半成品装置可以是如上所述的永久磁体或者可被磁力吸引的材料。
在一个实施例中，可转移层之上的磁性材料可以位于膜供体装置中。图6A至图6C是根据这些实施例的膜供体装置600A-600C的局部剖视图。
每个膜供体装置600A-600C包括基础基底601、覆在基础基底601之上的光-热转化层602、覆在光-热转化层602之上的中间层603以及覆在中间层603之上的可转移层604。优选地，膜供体装置可以包括中间层603和可转移层604之间的缓冲层(未显示)。
基础基底601用于为膜供体装置提供膜结构。基础基底601可以由透明聚合物制成。透明聚合体的例子包括但不限于，聚乙烯、聚酯、聚丙烯酰类聚合物(polyacryl)、聚环氧化合物(polyepoxy)和聚苯乙烯。基础基底601具有大约10μm到500μm之间的厚度，优选地为大约100μm到400μm之间。
将光-热转化层602构造成吸收激光并将激光转化成热。转化层602包括光吸收材料。光吸收材料可具有大约0.1到0.4的光密度。光吸收材料可包括金属、金属氧化物和/或有机材料。金属/金属氧化物的例子包括但不限于，铝、银、铬、锡、镍、钛、钴、锌、金、铜、钨、钼、铅以及上述金属的氧化物。有机材料可以包括光合材料(photosynthetic material)。有机材料的例子包括由(甲基)丙烯酸酯单体或低聚体制成的聚合物，例如由丙烯基(甲基)丙烯酸酯低聚体、酯(甲基)丙烯酸酯低聚体、环氧(甲基)丙烯酸酯低聚体、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚体等等制成的聚合物，或者由上述物质的两种或多种的混合物制成的聚合物。此外，转化层602还可以包括其它的添加剂，例如，炭黑、石墨或者红外线染料(infrared dye)。
根据光-热材料和制造方法，光-热转化层602的厚度可以改变。例如，当使用真空沉积方法、激光束沉积方法或者溅射方法时，转化层可以具有大约100到5000的厚度。在另一个实施例中，当使用挤压涂敷方法、照相凹板式涂敷方法、旋转涂敷方法以及刮涂敷方法时，转化层可以具有大约0.1μm到2μm的厚度。
中间层603用于保护光-热转化层602。在一个实施例中，中间层603具有高的抗热性。中间层603可以由有机材料或者无机材料制成，例如由聚酰亚胺类聚合物制成。中间层603具有大约1μm到1.5μm之间的厚度。在特定实施例中，可省略中间层603。
可转移层604是将被转移到半成品装置上的层。可转移层604可以由有机材料制成。在一个实施例中，在电子装置是有机发光装置的情况下，材料可以为有机发光材料。然而，材料也可以是用于形成有机发光装置的其它有机元件的其它有机材料。这样的其它元件包括但不限于，空穴注射层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注射层(EIL)以及电子传输层(ETL)。在其它的电子装置中，任何适于形成目标部件的材料可用作可转移层的材料。可转移层604具有大约200到1000之间的厚度。可转移层604可以使用任何合适的方法制成，例如，使用挤压涂敷方法、照相凹板式涂敷方法、旋转涂敷方法、刮涂敷方法、真空沉积或者化学气相沉积(CVD)方法来制成。
缓冲层(未显示)用于提高可转移层604的转移性能。缓冲层可以包括金属氧化物、金属硫化物、非金属无机化合物以及有机材料中的一种或者多种。无机化合物的例子包括Al和Au。有机材料的例子包括聚酰亚胺。
参照图6A，光-热转化层602包括磁性材料。例如，光-热转化层602可以包括永久磁体和/或电磁体。在其它的实施例中，转化层602可以包括可被磁力吸引的材料。磁性材料可以具有相对于半成品装置上述的各种构造。在其它的实施例中，磁性材料可以被嵌入基础基底601或者中间层603中。在特定实施例中，磁性材料可以被嵌入基础基底601、光-热转化层602和中间层603中的至少两层中。在其它实施例中，磁性材料可以仅嵌入基础基底601、光-热转化层602和中间层603中的一个或者多个层的特定部分中，但不是整个层。例如，基础基底601、光-热转化层602和中间层603中的一个或者多个层可以包括仅在将被转移到半成品装置的可转移层的部分之下的磁性材料。
参照图6B和图6C，膜供体装置600B和600C包括磁性层605。磁性层605包括磁性材料，例如永久磁体、电磁体和/或可被磁力吸引的材料。磁性材料可以具有相对于半成品装置如上所述的各种构造。
在图6B中，膜供体装置600B包括基础基底601和光-热转化层602之间的磁性层605。在图6C中，膜供体装置600C包括光-热转化层602和中间层603之间的磁性层605。在另一个实施例中，膜供体装置包括介于中间层603和可转移层604之间的磁性层605。在另一个实施例中，膜供体装置包括在基础基底601的底表面上的磁性层，该磁性层远离地面对光-热转化层602。在特定实施例中，膜供体装置可以具有介于基础基底601、光-热转化层602、中间层603和可转移层604中的两个连续层之间的两个或者多个磁性层。在这样的实施例中，磁性材料还可以嵌入基础基底601、光-热转化层602和中间层603中的至少一个层中。技术人员应该理解，磁性层的构造和组合可以根据膜供体装置的设计而改变。
在另一个实施例中，可转移层之上的磁性材料可以位于接触框架中。图7示出了接触框架230的一个实施例。示出的接触框架230包括嵌入框架中的磁性材料。磁性材料可以是相对于半成品装置的如上所述的永久磁体或者电磁体。在另一个实施例中，磁性材料可以是如上所述的可被磁力吸引的材料。
在特定的实施例中，接触框架230可以包括单独的磁性层。磁性层包括相对于半成品装置的如上所述的磁性材料。磁性层可以附到接触框架230的顶表面和底表面中的至少一个上。在另一实施例中，磁性层可嵌入接触框230中。在这样的实施例中，将所述层图案化成具有与接触框架的开口相对应的开口。接触框架和所述层的开口允许激光束直接照射到膜供体装置241的部分上。这样的构造允许可转移膜选择性地转移到半成品装置250上。在另一个实施例中，接触框架本身可以由磁性材料制成。在所有上述的实施例中，接触框架包括足够量的磁性材料以为膜供体装置压靠半成品装置提供磁力。
激光诱导热成像工艺根据实施例的激光诱导热成像(LITI)工艺采用磁力提供膜供体装置和半成品装置之间的紧密接触。图8是示出LITI工艺的一个实施例的流程图。
首先，在步骤810，半成品装置250放置在基底支撑件260上。在这个步骤中，半成品装置250通过任何合适的运动机构，例如机器人机构来使其运动。接下来，在步骤820中，膜供体装置241放置在半成品装置250之上。首先，膜供体装置241与半成品装置250竖直地对齐，该膜供体装置241的可转移层向下。然后，膜供体装置241向下移动到半成品装置250上。可转移层的至少一部分与半成品装置250接触。与步骤810相似，膜供体装置241可以通过运动机构来运动。
在步骤830中，磁力被提供以将膜供体装置241压靠这半成品装置250。磁可以由如上所述的位于两个LITI部件中的磁性材料产生，其中，一个部件在可转移层之上而另一个部件在所述可转移层将被转移到的表面之下。在一些实施例中，两个LITI部件中的一个可以包括磁体，而另一个可以包括不是磁体的可被磁力吸引的材料。在另一些实施例中，所述两个LITI部件都包括磁体。磁体可以包括永久性磁体和/或电磁体。在磁体包括电磁体的一个实施例中，磁力可以根据LITI工艺的需要在时间上选择性的产生。在特定的实施例中，包括磁体的部件还可以包含可被磁力吸引的材料。
在这个步骤中，磁力使膜供体装置241推靠向半成品装置250，这使可转移层更紧密地接触所述可转移层将被转移到的表面。在这个过程中，可以消除在膜供体装置241和半成品装置250之间的所有或者至少一些空气间隙或者气泡间隙。这个步骤便于可转移层转移到半成品装置250上。
在步骤840中，激光照射到膜供体装置241上。激光提供了可转移层转移到半成品装置250上所需的热量。在这个步骤中，激光振荡器220被激活以将激光照射到膜供体装置241的顶表面上。在采用具有开口的接触框架230的一个实施例中，激光穿过开口然后照射到膜供体装置241的顶表面。在这个过程中，激光直接照射到膜供体装置241被选择的区域。激光通过基础基底到达膜供体装置241的光-热转化层。光-热转化层将光能转化成热能，产生热量。所述热量被传到可转移层的被选择的区域。在这个过程中，可转移层的所述部分从膜供体装置241脱离并且转移到半成品装置250上。在没有使用接触框架的另一个实施例中，激光选择性地照射到膜供体装置241的顶表面的特定部分上。
接下来，在步骤850中，膜供体装置241从半成品装置250上移开，将可转移层的所述部分留在半成品装置上。可以使用与步骤820中使用的相同的运动机构将膜供体装置241移开。
参照图9A至9F，半成品装置250被引入转移腔室900。半成品装置250放置在转移腔室900中的机械臂920的末端执行器910上。接下来，如图9B所示，半成品装置250被运送到LITI腔室210中。然后，如图9C所示，半成品装置250被放置在基底支撑件260上。
然后，如图9C所示，膜供体装置241被放置在末端执行器910上。接下来，如图9D所示，膜供体装置241被引入LITI腔室210中。膜供体装置241半成品装置250竖直地对齐。然后，如图9E所示，膜供体装置241向下运动到半成品装置250上。然后末端执行器910从LITI腔室210中撤出。接下来，关闭闸式阀930以提供封闭的反应腔室。在一个实施例中，在这些步骤期间，可以保持转移腔室和LITI腔室始终处于真空环境。
优选地，接触框架可以设置在膜供体装置之上。在图9F中，接触框架230向下运动到膜供体装置241之上。接触框架230在膜供体装置241之上提供重量。接触框架230可便于膜供体装置241和半成品装置250之间的紧密接触。在其它的实施例中，可以省略接触框架。
然后，提供磁力使半成品装置和膜供体装置之间紧密接触。磁力可以由位于LITI设备部件的两个中的磁性材料产生，如上所述的一个在可转移层之下而另一个在可转移层之上。技术人员应该理解，磁性材料可以根据LITI设备的设计设置在特定的其它部件中。在所有上述的实施例中，磁力以足够的强度施加在半成品装置和膜供体装置之间，用于在半成品装置和膜供体装置之间产生没用空气间隙或者气泡的接触。以上描述了相对于LITI设备磁性材料的详细位置和构造。
图10A至10D是示出可转移层如何转移到半成品装置上的剖视图。示出的半成品装置是部分制成的有机发光装置400。在示出的实施例中，磁性材料位于半成品装置和膜供体装置中。在其它的实施例中，磁性材料可以如上所述地设置在LITI设备的其它部件中。
参照图10A，半成品装置400包括薄膜晶体管(TFT)结构411、磁性层410、电极420以及像素分隔层430。电极420的部分412通过像素分隔层430暴露。有机层将形成在暴露部分412上，这从下面的描述中很好理解。
接下来，如图10B所示，膜供体装置600放置在半成品装置400之上。如上所述根据图6B，膜供体装置600包括基础基底601、磁性层605、光-热转化层602、中间层603以及可转移层604。如图10B所示，可转移层604与像素分隔层430的顶表面至少部分地接触。在这个步骤中，磁力被施加在膜供体装置600和半成品装置400之间。
然后，激光被照射到膜供体装置600的被选择的部分上。被选择的部分位于电极420的暴露部分412之上。激光穿过基础基底和磁性层605，照射到光-热转化层602上。光-热转化层602将光能转化成热能，产生热量。所述热量经过中间层603被传到可转移层604上。
然后，如图10C所示，由于接收到热量，可转移层604的一部分从膜供体装置600分离并且与电极420的暴露部分412接触。在示出的实施例中，转化层602、中间层603以及可转移层604的部分与磁性层605分离。在其它的实施例中，仅有可转移层604可以与膜供体装置600分离。
接下来，如图10D所示，膜供体装置600从半成品装置400之上移开。在这个步骤后，仅有可转移层604的部分604a保留在半成品装置400上。
在如上所述的实施例中，磁力被用于提供时膜供体装置和半成品装置之间紧密接触。这样与吸力方式不同的构造在LITI腔室中不需要气压。从而，LITI工艺可以在真空环境中执行。由于LITI工艺之前或者接下来执行的工艺通常在真空环境中实现，所以LITI工艺可以在整个工艺中不破坏真空地被执行。从空穴注射层(HIL)的沉积工艺到第二电极层(阴极层)的沉积工艺，保持真空环境。此外，LITI工艺减少了在膜供体和半成品装置之间的杂质或者间隙的出现。这样提高了电子装置的成品寿命、产量可靠性。
虽然已经显示和描述了本发明的各种实施例，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和原理的情况下，可以对这些实施例进行改变。
权利要求
1.一种用于激光诱导热成像的膜供体装置，所述装置包括基底；可转移膜层，被构造成当足够量的热施加到其上时，其一部分被转移，所述可转移膜层包括有机材料；磁性层，包括磁体，其中，所述磁性层介于所述基底和所述可转移膜层之间，或者所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁性层与所述可转移膜层的整个部分基本重叠。
3.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁体包括电磁体、永久磁体或者所述电磁体和永久磁体二者。
4.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁体包括电磁体，其中，所述装置还包括电连接到所述电磁体并且被构造成连接到外部电源的电极。
5.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁体包括从由铝镍钴磁体、铁氧体磁铁、稀土磁体、橡胶磁体和塑料磁铁组成的组中选择的永久磁体。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁体包括从由板形、条形、杆形和颗粒状组成的组中选择的一种或者多种形式。
7.如权利要求1所述的装置，还包括光-热转化层，所述光-热转化层被构造成当预定波长的光施加到其上时产生热，所述光-热转化层介于所述基底和所述可转移膜层之间。
8.如权利要求7所述的装置，其中，所述磁性层介于所述基底和所述光-热转化层之间。
9.如权利要求7所述的装置，其中，所述磁性层介于所述光-热转化层和所述可转移膜层之间。
10.如权利要求1所述的装置，其中，所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间，而所述磁性层还介于所述基底和所述基底的材料之间，仿佛所述磁性层介于所述基底中一样。
11.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁性层还包括光-热转化材料，所述光-热转化材料被构造成当预定波长的光施加到其上时产生热。
12.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁体足够量以产生从约5mGT到约50mGT的磁场。
13.一种用于激光诱导热成像的膜供体装置，所述装置包括基底；可转移膜层，被构造成当足够量的热施加到其上时，其一部分被转移，所述可转移膜层包括有机材料；光-热转化层，被构造成当预定波长的光施加到其上时产生热，所述光-热转化层介于所述基底和所述可转移膜层之间；磁性层，包括可被磁力吸引的材料，其中，所述可被磁力吸引的材料基本规则地或者基本均匀地布置于整个所述磁性层，其中，所述磁性层介于所述基底和所述可转移膜层之间，或者所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间。
14.如权利要求13所述的装置，其中，所述可被磁力吸引的材料包括从由板形、条形、杆形和颗粒状构成的组中选择的一种或者多种形式。
15.如权利要求13所述的装置，其中，所述磁性层介于所述基底和所述光-热转化层之间。
16.如权利要求13所述的装置，其中，所述磁性层介于所述光-热转化层和所述可转移膜层之间。
17.如权利要求13所述的装置，其中，所述磁性层包括足够量的可被磁力吸引的材料，以当所述装置位于从约5mGT到约50mGT的磁场中时用于所述装置的运动。
18.如权利要求13所述的装置，其中，所述可被磁力吸引的材料包括从由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4、MnFeO4以及上述两种或者更多种的合金构成的组中选择的一种或者多种。
19.如权利要求13所述的装置，其中，所述磁性层与可转移膜层的整个部分基本重叠。
20.一种制造电子化装置的方法，所述方法包括提供包括半成产品和支撑装置的容纳设备，所述容纳设备包括磁性层，所述半成产品包括容纳表面，所述支撑装置被构造成支撑所述半成产品，所述容纳设备的磁性层包括磁体或者可被磁力吸引的材料；提供如权利要求1所述的膜供体装置；将所述膜供体装置布置成使可转移膜层面对所述容纳表面，并且所述容纳设备的磁性层和膜供体装置彼此附着，从而所述可转移膜层与所述表面接触，二者之间基本没有气泡。
21.如权利要求20所述的方法，还包括将激光束照射到所述膜供体装置的至少一个部分上，并且将所述可转移膜层的至少一部分转移到所述表面上。
22.如权利要求20所述的方法，其中，所述半成产品包括所述磁性层。
23.如权利要求20所述的方法，其中，所述支撑装置包括所述磁性层。
24.如权利要求20所述的方法，其中，所述方法在基本真空的环境下执行。
25.如权利要求20所述的方法，其中，所述电子装置包括有机发光显示器。
全文摘要
本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
文档编号B41M5/26GK1923530SQ20061012198
公开日2007年3月7日 申请日期2006年8月30日 优先权日2005年8月30日
发明者李承铉, 成研周, 宋明原, 俞炳旭, 姜泰旻, 成镇旭, 鲁硕原, 金茂显, 金善浩 申请人:三星Sdi株式会社