专利名称：：光学记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明涉及能记录并且再现信息的可记录光学记录介质，其中将光束照射到染料记录层上以引起如透射率和反射率的光学变化，尤其涉及具有两层可记录的信息记录层的双层DVD(数字视频光盘或数字多功能光盘)。技术背景除了播放专用的光学记录介质如DVD-ROM以外，可记录的DVD如DVD+RW、DVD+R、DVD-R、DVD-RW和DVD-RAM也可以从市场上买到。DVR+R和DVD+RW是在常规的CD-R和CD-RW(记录光盘)的基础上开发的，从而，记录密度(轨道间距、信号标记长度)和基底厚度在CD和DVD条件之间兼容，以便确保与播放专用DVD的再现兼容性。例如，DVD+R具有与CD-R类似的结构，即通过旋涂花青或偶氮染料，在基底上设置光学记录层，通过粘合剂将具有金属膜光反射层的信息记录基底层压在光学记录层的背面。在该结构中，一般使用染料物质或化合物形成光学记录层或染料记录层。CD-R具有高达65。/。以上的特定反射率，如CD规格标准所定义的那样。为了使这种结构具有更高的反射率，光学吸收层应该在记录-再现波长下具有特定范围的复折射率，并且染料应该具有合适的光学吸收性能，并且这也是DVD所需要的。另一方面，提出一种具有双层图像记录层作为记录单元的只读DVD，以便增加记录容量。在第一基底的内表面上形成第一信息记录层的半透明层，并且在第二基底的内表面上形成第二信息记录层的反射层。半透明层由介电膜或薄的金属膜形成，并且反射层由金属膜形成。在形成有半透明层和反射层的基底表面上形成凹凸形记录标记；通过UV射线可固化树脂的透明中间层，层压第一基底和第二基底，由此，利用从第一基底的透明侧入射的再现激光的反射-干涉作用可以读出记录信号。由于能从两个信息记录层中读出信号，记录容量可以最高达约8.5GB。第一和第二基底的厚度分别为约0.6mm，并且透明中间层的厚度为约50nm。第一信息记录层设计成具有约30%的反射率；在第一信息记录层上衰减初始光量的约30%之后，用于再现第二信息记录层的激光在第二信息记录层上反射，然后进一步在第一信息记录层上衰减，并且从盘射出。再现光的激光变窄，以便聚焦在第一或第二信息记录层上，并且检测反射光，由此可以再现信息记录层上的信号。在DVD的情况下，用于信息再现的激光波长为约650nm。最近，已经开发了具有两层染料记录层的可记录的DVD,其中在其上已经形成沟槽的第一基底上层压第一染料记录层和第一半透明反射层以形成第一信息记录层；在第一信息记录层上涂布能UV射线固化的树脂，并且使压模接触未固化的树脂；该树脂通过UV照射固化并且剥离，由此将第二记录层的沟槽转移到第二染料记录层，并且层压光反射层，以形成第二信息记录层，然后整体层压到第二基底上。双层可记录的DVD可以作为2P(光聚合)类型从市场上买到。此外，IS(反向堆叠)类型的双层可记录的DVD也可以从市场上买到，它用以下方式制造将第一染料记录层和第一半透明反射层层压在其上已经形成沟槽的第一基底上以形成第一信息记录层；将光反射层、第二染料记录层和保护层层压在其上已经形成沟槽的第二基底上以形成第二信息记录层；然后通过使用能UV固化的树脂进一步层压这些层压层。专利文献1公开一种具有以下结构的光学记录介质在中间层或粘合层和第二光学吸收层之间设置第二阻挡层；在其实施例中，仅仅举例说明Au作为第二阻挡层的材料。然而，使用金属容易增加复折射率(n-ik)的吸收系数"k",这在双图像记录层上记录时一般不能获得高的反射率和足够的调制度。而且，文献在0039段说明第二阻挡层的材料优选具有不小于O.l的"k";因而，该文献没有说明关于如本发明所述的吸收系数低于0.05的技术构思。专利文献2公开一种具有在第一记录盘和第二记录盘之间的层压结构的光学记录介质，其中第一记录盘通过将有机染料记录层和光反射层层压在光学透明基底上形成，而第二记录盘通过将光学反射层、有机染料记录层和染料保护层层压在光学透明基底上形成；然而，并没有说明关于有机染料记录层中使用的染料。专利文献3描述了染料的热沉积温度和最大吸收波长，然而，还描述了当保护层厚度小于80nrn时，几乎不能获得足够的记录信号调制度。专利文献1:日本专利申请特许公开(JP-A)No.2000-311384专利文献2:JP-ANo.2003-303447专利文献3:JP-ANo.2006-48992
发明内容具有通过常规旋涂法形成的染料记录层的光学记录介质，具有在基底的凹面部分处比凸出部分处厚的染料膜，因此，由于当记录到记录轨道的凹面部分时凸出部分的绝热效果，可能压制凹坑向相邻轨道延伸；同时，在基底上设置摆动的凸出部分(以及所需的地址信息)的情况中，在第二基底上的第二信息记录层至少依次包含反射层、上保护层、第二染料记录层和下保护层，并且信息被记录在作为记录轨道的第二基底的凸出部分，因此与通常在凹面部分记录相比，平均膜厚度应该增加，以便获得足够的信号振幅和反射率。此外，在凸出部分形成的染料记录层的膜厚度与在轨道之间的凹面部分形成的染料记录层的膜厚度相近或略薄，因此，由于激光照射和/或染料分解导致的热量传递到相邻轨道，导致较高的抖动和/或摆动信号质量的恶化。本发明的目的是解决上述这些问题，并且提供用于在一侧记录和再现的光学记录介质，它利用具有优异的记录信号性能的第二信息记录层。本发明基于我们的上述发现，并且所述目的可以通过以下发明获得。本发明提供一种光学记录介质，包括第一信息记录层和第二信息记录层两层；第一信息记录层和第二信息记录层通过中间层层压；其中所述双层通过从第一信息记录层侧照射的激光作用进行记录和再现，第二信息记录层包括基底上的光反射层、染料记录层和无机保护层，并且该基底包括在其表面上的摆动凸出部分，所述无机保护层具有3nm到40nm的厚度，所述染料记录层包括由通式(I)表示的花青化合物和由通式(II)表示的斯夸镜(squarylium)化合物；通式①其中，环A和环B均是可以具有取代基的苯环或萘环；在R'到R"中，相邻的两基团R'和R2、W和R4、或113和114是千基，或所有W到W均是千基，并且除了千基以外的基团R/到W每一个均为碳数为1到4的烷基，或彼此相连形成三元到六元环；Y1和丫2各自独立地为碳数为1到30的有机基团；An^表示价态为"m"的阴离子，并且"m"是1或2的整数，"p"是中性电荷因子；其中，RS表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳垸基、或可以具有取代基的芳基；116表示卣素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳基、硝基、氰基、或可以具有取代基的烷氧基；"s"表示0到4的整数，当"s"表示2到4的整数时，各个R6可以彼此相同或不同，并且相邻的两个R6可以与相邻的两个碳原子结合形成可以具有取代基的芳环；R和Rs均是独立选自可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳基和可以具有取代基的杂环基团中的基团；R"和R"均是独立选自可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基和可以具有取代基的芳基中的基团，R9和R1G可以彼此结合形成脂环族烃环或杂环；Q表示能配位的金属原子；"t"是2或3的整数。优选的是，由通式(I)表示的花青化合物的量(W1)和由通式(II)表示的斯夸镥化合物的量(W"满足以下关系0.2<W1/(W1+W2)<0.8。优选的是，花青化合物的热分解温度为200。C到240°C,并且斯夸错化合物的热分解温度为240。C到300。C。优选的是，花青化合物在透射光表现出最大吸光率处的最大吸收波长Xmax为610nrn到630nm,斯夸镥化合物的Xmax为560nm到620nm。优选的是，无机保护层的主要组分是硫化锌。优选的是，无机保护层包括透明的导电氧化物。优选的是，透明的导电氧化物是氧化铟、氧化锌、氧化镓、氧化锡、氧化铌和InCa03(ZnO)m(m:自然数)中的至少一种。优选的是，光反射层由Ag或Ag合金形成，并且具有80nm到200nm的厚度。优选的是，通过利用激光照射在第二信息记录层上进行的记录，在对应于第二信息记录层的凹坑的位置处，使染料记录层和无机保护层之间的界面变形。根据本发明，提供了具有两个信息记录层的光学记录介质，其中在入射光背侧处的第二信息记录层包括包含具有特定结构和最佳的光学吸收/热分解性能的花青化合物和斯夸镥化合物的染料记录层，以及具有一定厚度的无机保护层，由此可以获得足够的反射率和调制度，并且通过在记录时抑制标记扩散可以减少相邻轨道之间的串扰，即使在高速记录下，也可以提供具有优异记录性能的光学记录介质。图1是示范性显示本发明的光学记录介质的层结构的横截面示意图。图2是适用于本发明的化合物的光学吸收语。图3是显示记录之后再现信号的示意图。图4是表示保护层的厚度和反射率之间的关系的图表。图5是表示保护层的厚度和调制度之间的关系的图表。具体实施方式下面解释本发明在本发明的具有两层即第一和第二信息记录层的光学记录介质中，第二信息记录层包含光反射层、染料记录层和无机保护层；该染料记录层至少包括具有特定结构和性能的花青化合物和具有特定结构和性能的斯夸镥化合物，并且无机保护层的膜厚度限定为3到40nm，因此，可以减少相邻轨道之间的串扰，尤其是可以在较高速度下改进记录性能，并且可以增加保存耐久性。在常规DVD士R和双层记录介质的情况中，通过涂布方法，在具有100到200nm深的沟槽的表面上，使正面的第一记录层具有60到100nm厚的染料记录层。结果，通过光照射记录信息的染料记录层的膜厚度在沟槽部分变得较厚，同时，没有记录信息的染料记录层的膜厚度在平台部分处变得较薄，因此，还减少了相邻沟槽之间的热干扰。热干扰随着记录激光功率变大而容易表现出更显著的影响，因此降低信号质量，即抖动。因而，所知道的是记录速度越高，所需功率越高，并且热干扰成为关键影响。为了从入射光侧看在本发明结构中的光学记录介质的背面形成第二染层，涂布染料记录层，并且'减射保护层。因此，在基底上交替存在的平台和沟槽部分之中，信息记录在从记录/再现拾取头看去的前侧的平台上的染料记录层中。由于在沟槽部分处染料记录层的膜厚度较厚，因此在相邻平台上的热干扰影响更显著，并且记录质量的抖动容易升高。因此，使用如在本发明中限定的具有特定结构和最佳光学吸收/热分解性能的花青化合物和斯夸镜化合物作为第二染料记录层，以及具有特定膜厚度的无机保护层，可以抑制在记录时标记分散，因此可以提供适合高速记录的光学记录介质。由通式(I)表示的花青化合物特征在于较低的分解温度和适当的波长。在由通式(I)中环A或B表示的可以具有取代基的苯或萘环中，取代基的实例包括卣素如氟、氯、溴和碘；烷基如曱基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基和2-乙基己基；芳基如苯基、萘基、2-曱基苯基、3-曱基苯基、4-曱基苯基、4-乙烯基苯基和3-异丙基苯基；烷氧基如曱氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基和叔丁氧基、烷辟L基如曱硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、仲丁硫基和叔丁硫基；硝基和氰基。关于由R'到W表示的基团，1^和112均为节基，112和114均为千基，R3和W均为千基，或所有W到W均为千基。当^到114是除了千基以外的基团时，为具有碳数为1到4的烷基，或W和112或W和W可以连接以形成三元到六元环。烷基的实例包括曱基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基和异丁基；三到六元环的实例包括环丙-l,l-二基、环丁-l,l-二基、2,4-二曱基环丁-l，l-二基、3-二曱基环丁-l,l-二基、环戊-l,l-二基、环己-l,l-二基、四氢吡喃-4,4-二基、氰-4，4-二基、哌啶-4,4-二基、N-取代的哌啶-4，4-二基、吗啉-2,2-二基、吗啉-3,3-二基、N-取代的吗啉-2，2-二基、^取代的吗啉-3,3-二基等；N取代的取代基可以是环A中举例说明的那些。由Yi或丫2.表示的碳数为1到30的有机基团可以根据应用适当选择。其实例包括烷基如曱基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基曱基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基；烯基如乙烯基、1-曱基乙烯基、2-曱基乙烯基、丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基和l-苯基丙烯-3-基；烷基芳基如苯基、萘基、2-曱基苯基、3-曱基苯基、4-曱基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-硬脂基苯基、2,3-二曱基苯基、2,4-二曱基苯基、2,5-二曱基苯基、2，6-二甲基苯基、3,4-二曱基苯基、3,5-二曱基苯基、2,4-二叔丁基苯基和环己基苯基；芳基烷基如千基、苯乙基、2-苯基丙-2-基、二苯曱基、三苯曱基、苯乙烯基和肉桂基；以及具有插入醚或硫醚基团的这些烃基如2-曱氧基乙基、3-曱氧基丙基、4-曱氧基丁基、2-丁氧基乙基、曱氧基乙氧基乙基、曱氧基乙氧基乙氧基乙基、3-曱氧基丁基、2-苯氧基乙基、2-曱硫基乙基和2-苯硫基乙基；这些基团可以进一步被烷氧基、烯基、硝基或氰基、或卤素原子等取代。在Y1和丫2是较大取代基的情况下，本发明的花青化合物可以有较低的摩尔吸光系数，并且可能影响灵敏度，因此Y^口Y"优选为碳数为l到8的烃基，更优选为碳数为1到8的烷基。关于由ArT-表示的阴离子，举例说明的单价阴离子为卣素阴离子如氯阴离子、溴阴离子、碘阴离子和氟阴离子；无机阴离子如高氯酸阴离子、氯酸阴离子、硫氰酸阴离子、六氟化磷阴离子、六氟化锑阴离子和四氟化硼阴离子；有机磺酸阴离子如苯磺酸阴离子、曱苯磺酸阴离子、三氟曱烷^t酸阴离子、二苯胺-4-磺酸阴离子、2-氨基-4-曱基-5-氯苯^t酸阴离子和2-氨基-5-硝基苯磺酸阴离子；有机磷酸阴离子如辛基磷酸阴离子、十二烷基磷酸阴离子、十八烷基磷酸阴离子、苯基磷酸阴离子、壬基苯基磷酸阴离子和2，2'-亚曱基双(4，6-二叔丁基苯基)磷酸阴离子；举例说明的二价阴离子为苯二磺酸阴离子和萘二磺酸阴离子。此外，这种阴离子还可以任选地作为使受激分子失活或猝灭的猝灭剂阴离子或茂金属阴离子如在环戊二烯基环上具有如羧基、膦酸或磺酸基团的阴离子基的二茂铁和二茂钌使用。由通式(l)表示的花青化合物可以通过例如在JP-ANo.2005-54150中描述的常规方法制造。本发明的光学记录介质至少包括一种选自由结构式(II)表示的那些的斯夸错化合物；在这些中，从较小串扰的角度看，尤其优选在卩引咮镥(indolinium)基团的3位上具有千基的斯夸镥化合物的铝络合物。在上式(II)中，W和rS可以彼此相同或不同，并且均表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳基、或可以具有取代基的杂环基；Q表示能配位的金属原子，"t，，是2或3的整数；W和R化均表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或可以具有取代基的芳基；R9和R1Q可以彼此结合形成脂环族烃环或杂环。Rs表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或可以具有取代基的芳基；W表示卣素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或可以具有取代基的芳基；硝基、氰基、或可以具有取代基的烷氧基；"s"表示0到4的整数。在"s"表示2到4的整数的情况下，各个R6可以彼此相同或不同，并且相邻的两个R6可以与相邻的两个碳原子结合形成可以具有取代基的芳环。尤其优选的是q是铝，rS是笨基，和/或R7是被卣素取代的或未被取代的烷基。优选的是R7是具有支链的烷基，和W是三氟曱基或异丙基。优选的是W和R^均为未被取代的芳烷基或未被取代的烷基，更优选的是千基或曱基。优选的是两个Re与苯环一起形成萘基。关于结构式(II)中的取代基，在上述烷基和烷氧基中烷基部分可以是碳数为1到6的直链或支链烷基，或碳数为3到8的环烷基；其实例包括曱基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、1-曱基丁基、2-曱基丁基、叔戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基和环辛基。芳烷基优选为碳数为7到19、更优选为7到15的那些；其实例包括千基、苯乙基、苯丙基和萘曱基。芳基优选为碳数为6到18、更优选为6到14的那些；其实例包括苯基、萘基、蒽基和甘菊环基。卣素原子可以是氯、溴、氟或碘原子。能配位的金属原子Q可以是例如铝、锌、铜、铁、镍、铬、钴、锰、铱、钒和钛。本发明包含形成铝络合物的斯夸镥化合物的光学记录介质尤其可显示出优异的光学性能。由上述W和111()形成的脂环族烃环可以是碳数为3到10的饱和或不饱和的脂环族烃环；其实例包括环丙烷环、环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、环辛烷环、环壬烷环、环癸烷环、环戊烯环、1，3-环戊二烯环、环己烷环和环己二烯环。由相邻的两个116和相邻的两个碳原子形成的芳环优选为碳数为6到14的那些；其实例包括苯、萘环。上述杂环中的杂环和由上述R9和R1Q彼此结合形成的杂环，可以是包括氮、氧和硫原子中至少一种的五元或六元的单环芳环或脂环族杂环，或包括氮、氧和^L原子中至少一种的双环或三环缩合的芳环、或三个到八个环缩合的脂环族杂环。其具体实例包括吡啶环、pyradine、嘧啶环、哒溱环、会啉环、异喹啉环、酞。秦环、喹唑啉环、喹喔啉环、萘啶环、邻二氮萘环、吡咯环、p比。坐环、。米t，坐环、三峻环、四哇环、p塞，，分环、吹喃环、p塞峻环、哺p坐环、吲哚环、异吲哚环、吲唑环、苯并咪唑环、苯并三唑环、苯并噻唑环、苯并喝唑环、噤呤环、。卡唑环、吡咯烷环、哌啶环、哌。秦环、吗啉环、硫代吗啉环、均p底p定环、均p底。秦环、四氬吡，定环、四氢p奎啉环、四氢异会啉环、四氢呋喃环、四氢吡喃环、二氢苯并呋喃环和四氢p卡峻环。芳烷基、芳基、烷氧基或杂环基、或由相邻的两个W和相邻的两个碳原子形成的芳环的上述取代基可以是1到5个相同或不同的取代基，并且举例说明的是羟基、羧基、烷基、烷氧基、硝基、和取代或未被取代的氨基、和卣素原子。烷基或烷氧基和卣素原子的具体实例如上所述。烷基的上述取代基可以是1到3个相同或不同的取代基，举例说明的是羟基、羧基、烷氧基、和卤素原子。烷氧基和囟素原子的具体实例可为如上所述。氨基的上述取代基可以是1个或2个相同或不同的烷基，烷基的具体实例可为如上所述。由通式(II)表示的斯夸镜化合物可以通过例如在JP-ANo.2004-244342中描述的常规方法制造。优选的是在染料记录层中，除了其它组分以外，花青化合物和斯夸错化合物的重量比为约2/8到8/2。在花青化合物的重量比为8/2以上的情况中，反射率可能太低，因为在具有较大吸收波长的花青化合物的影响下，记录/再现波长处的吸收变得过大；此外，热阻可能降低，因此损害记录之后在较高温度下的保存可靠性。在斯夸镥化合物的重量比为8/2以上的情况中，较高的分解温度容易降低记录灵敏度，并且在较高温度下记录时标记也可能容易在相邻轨道上扩散，因此，抖动容易恶化，并且妨碍适当的记录性能。第一和第二染料记录层的膜厚度一般均为30到150nm。如果低于30nm，对比度可能不足，并且调制可能低。另一方面，如果高于150nm,可能难以写入小的记录标记。当进行如0.5|im以下的最小标记长度的高密度记录时，膜厚度优选为40到90nm。在膜厚度低于40nm的情况中，反射率容易过度^[氐，并且膜厚度可能不均匀；另一方面，在高于90nm的情况中，热容量变大，这可能导致差的记录灵敏度，不均匀的热导率和混乱的边缘，以及较高的抖动。优选的是第二染料记录层的膜厚度约为第一染料记录层的膜厚度的1.0到2.0倍。当染料记录层的膜厚度在该范围外时，由于记录标记的不同扩散趋势，可能难以以某种记录策略(记录激光的照射脉沖模式)在两层上记录。在本发明中，可适当形成染料记录层；通常，该层通过湿涂方法形成，即将基本组分溶解到有机溶剂如低级醇、醚醇、S同、酯、丙烯酸酯、氟化醇、烃和氯化烃中，然后通过旋涂、喷雾、浸渍法等将该溶液涂布在基底上。旋涂法可以提供基本上均匀的染料记录层；随后的记录可以为该层或基底提供变形或穿孔，这又提供不同的反射率，并且因此可以读取记录标记。在记录前后之间的反射率差异不少于5%。当在具有导向槽的基底上形成染料记录层时，染料膜厚度在沟槽和沟槽之间部分之间不同。染料记录层可以任选包含染料化合物如花青、偶氮和酞菁化合物、以及其它组分如聚合物、稳定剂、分散剂、阻燃剂、润滑剂、抗静电剂、表面活性剂、增塑剂、游离基清除剂、抗氧化剂、耐光剂等。在第二染料记录层和中间层之间提供无机保护层，以便保护染料记录层不受化学和/或物理侵蚀。无机保护层的材料可以是氧化物如氧化硅、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化镓、氧化铌、氧化铝、氧化镁和氧化钽；非金属或半导体如硅、锗、碳化硅、碳化钛和石墨；氟化物如氟化镁、氟化铝、氟化镧和氟化硒；疏化物如硫化锌、硫化镉和-克化锑；氮化物如氮化硅和氮化铝；硫族元素化物如ZnSe、GaSe和ZnTe，和它们两种或多种的任何结合。从无机保护层的较低内应力的观点看，优选的材料是硫化锌、硫化镉、硫化锑和氧化硅。可以使用这些物质的混合物，以便优化折射率"n，，和吸收系数"k"。在两种或多种材料的混合物中的"n，'和"k"与从加权平均法计算得到的那些数值大致对应，条件是材料均具有足以避免它们的溅射靶烧结的足够高的熔点。其中，硫化锌具有较低的毒性、较高的溅射等级和较低的成本，可带来较高的产率和较低的生产成本。硫化锌的含量优选为60到95摩尔％;当含量高于95摩尔％时，几乎不能获得薄膜，因为所得到的膜容易在第二染料记录层上溅射时再结晶。当调节折射率"n"时，优选的是95摩尔％以下的硫化锌与具有不同折射率的一种或多种其它物质共混。当形成共混物质的薄膜时，鉴于较高的系统成本和对过程的复杂控制，同时进行多个靶的溅射是不利的，尽管不是不可能的，因而，有利的是制备硫化锌和附加物质的混合物，作为溅射的耙材料。折射率"n，'为约2.35的硫化锌和具有较低折射率的氧化硅的各种混合物可以提供用于制造目前市场上可以买到的CD-RW、DVD-RW和DVD+RW的靶。而且，向该靶添加透明的导电氧化物如氧化铟、氧化锌、氧化镓、氧化锡、氧化铌和InCa03(ZnO)m(m:自然数)，可以为靶提供允许DC溅射的电导率，这有助于通过较高的溅射等级缩短生产节奏并降低生产成本。为了使用DC溅射，要求靶的电阻率不大于l.O欧姆'厘米。当电阻率低到0.1欧姆.厘米以下时，即使在施加较高溅射功率时，也不发生与电弧形成有关的问题，因此可以有利地改进生产率。更优选地，电阻率低到0.01欧姆.厘米以下，因为溅射电源不需要电弧切割设备或脉沖复制系统，这进一步降低生产系统成本。然而，较高含量的附加物质可能产生较高的膜应力，这可能导致染料记录层和无机保护层之间的分离；因而，附加物质的含量一般最高达30摩尔％。优选的是无机保护层的厚度为3到40nm。当厚度低于3nm时，保护层的缺陷可能允许中间层材料渗入第二染料记录层，影响其中的染料。当在形成无机保护层之后从无机保护层的外部区域或基底边缘除去染料时，优选的是无机保护层的厚度不大于5nm,因为一般使用具有较低粘度的低级醇作为溶剂。当具有约2.0到2.3的较高折射率的材料用于保护层的材料时，光干涉导致折射率以如图4所示的周期性方式依赖于无机保护层的膜厚度，因此膜厚度优选为不大于50nm。类似地，光干涉一般导致记录之后的调制度以图5所示的周期性方式依赖于无机保护层的膜厚度，因此膜厚度优选不大于40nm。此外，当无机保护层的吸收系数"k，，不为零时，光学吸收不可避免地降低第二信息记录层的折射率，因此"k"优选为尽可能低。第一和第二基底的材料可以是聚碳酸酯树酯、丙烯酸类树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、有机硅树脂、氟树脂、ABS树脂、聚氨酯树脂和透明玻璃；从优良的光学性质和较低的成本看，优选的材料是聚碳酸酯树酯和丙烯酸类树脂。第一和第二基底一般具有间距为0.8pm以下的沟槽，以引导记录/再现光。沟槽的几何形状不需要为矩形或梯形，即可以是具有不同折射率的光学沟槽，如由例如离子注入法形成的波导。第一和第二基底的厚度一般不同，以便根据评估拾取头的透镜数值孔径(NA)获得色像差。当NA为0.6到0.65时，厚度优选为约0.6毫米。第一和第二基底之间的沟槽形状也不同。在具有4.7GB和0.74|um间距的DVD+R和DVD-R的情况中，优选的是，第一基底的槽深为1000到2000埃并且在底部槽深为0.2到0.3nm。从染料在旋涂法下容易填充到沟槽中的角度看，这些范围对于利用界面反射是优选的，并且染料记录层和光反射层之间的界面构造取决于染料的填充量和沟槽形状。另一方面，优选的是第二基底的槽深为200到600埃，并且槽深为0.2看，这些范围对于利用界面反射是优选的。第一和第二基底均具有以下趋势比上述范周深的深度导致较低的折射率。此外，比上述范围浅的宽度或落在上述范围外的沟槽宽度有可能使记录时寻道不稳定，导致不均勻的记录标记和较高的4牛动。本发明的光学记录介质具有以下结构，其中，如DVD+R和CD-R那样，通过在染料记录层的两个界面上的多重干涉效果，导致较高折射率，因此染料记录层必须具有以下光学性质,即在记录/再现波长X下，复折射率(n-ik)中，折射率"n"较高并且吸收系数"k"较低。关于"n，，和"k"的范围，"n"大于2.0，"k"大于0.02并且低于0.2,优选地，"n，，为2.2到2.8并且"k，，为0.03到0.07。在"k，，低于0.02的情况中，由于记录激光吸收较低，可能导致灵敏度差，而在"k"大于0.2的情况中，折射率容易低，因此，当有两层染料记录层时，难以使/人入射光侧看背面的染料记录层的折射率维持足够高。这种光学性质可以通过利用在染料膜的光吸收带的较长波长端的性能而获得。本发明的光学记录介质适合600到800nm的红激光，并且记录/再现波长？i的优选范围为650到670nm。在本发明的光学记录介质的^:计中，最初限定用于记录/再现的激光波长，然后选择材料和膜厚度，以便满足本发明中限定的要求。光反射层和半透明反射层的材料选自对激光具有较高折射率的那些，其实例包括金属和非金属如Au、Ag、Cu、Al、Ti、V、Cr、Ni、Nd、Mg、Pd、Zr、Pt、Ta、W、Si、Zn和In。在这些材料中，优选以下这种合金，该合金包含选自Au、Ag、Cu和Al中的一种主要组分和含量为0.2到5.0质量％的选自除了主要组分以外的Au、Ag、Cu、Al、Ti、V、Cr、Ni、Nd、Mg、Pd、Zr、Pt、Ta、W、Si、Zn和In中的至少一种附加组分。含量为0.2重量％以上的附加组分可以产生较小的晶体尺寸并且耐腐蚀性优异的薄膜；然而，大于5质量％的添加量是不利的，因为降低反射率。光反射层的膜厚度优选为80到200nm，更优选不小于100nm，用于提到0.4pm。从染料记录层供足够高的折射率。从改善第二信息记录层的热耗散看，光反射层的厚度优选较高；然而，大于200nm的厚度一般导致费时和昂贵的材料成本，因此从生产成本看是不期望的，并且还可能降低膜表面的微观平整度。半透明反射层修整为具有30%到60%的透射率和15%到30%的反射率，以便使激光充分到达第二染料记录层。半透明反射层的厚度优选为5nm到30nm。在第一染料记录层和丙烯酸类树脂等的透明中间层通过膜厚度薄到不大于30nm的半透明反射层接触的情况中，要求染料和丙烯酸类树脂完全不因通过半透明反射层渗透而相容。例如，当半透明反射层由较大晶体尺寸的材料如纯金属薄膜形成时，该薄膜容易具有可允许通过晶粒边界渗透的岛状结构，因此，在这种情况中可以任选提供防范措施。实施例参考实施例对本发明进行更具体的解释，但是本发明决不限于这些实施例。例如，在DVD八倍记录/再现条件(线速度30.6m/秒)下评估光学记录介质；还可以根据更高的速度设计进一步增加该速度。图1是本发明的光学记录介质中示范性的层结构的横截面示意图，表示了这样的结构"第一基底1/第一染料记录层2/半透明的光反射层3/中间层4/无机保护层5/第二染料记录层6/光反射层7/第二基底8"。第一信息记录层100由第一染料记录层2和半透明的光反射层3形成，并且第二信息记录层200由无机保护层5、第二染料记录层6和光反射层7形成。根据在第一染料记录层的两个界面上的多重干涉效果以及形成标记时第一基底的变形，借助于从常规的单一信息记录层介质(DVD+R、DVD-R等)中除去单板的结构，为第一信息记录层适当地提供反射率和记录信号调制度(对比度)，所述单一信息记录层介质通过使具有第一染料记录层和半透明反射层的第一基底与第二基底层压形成。根据基底的沟槽形状和染料的光学吸收性能，为第二信息记录层适当地提供必需的反射率和记录信号调制度(对比度)，并且借助于在第二染料记录层和由有机树脂等形成的透明中间层4之间布置透明防护层来防止有机树脂对染料洗脱并且调整标记形状。实施例1包含溶解于2，2,3,3-四氟丙醇中的如下所示的化合物(1)的斯夸镥化合物的涂布液体被旋涂在0.57mm厚的聚碳酸酯基底上，该聚碳酸酯基底具有深为160nm、底部宽为0.25ium并且轨道间距为0.74pm的凹面沟槽，由此形成约40nm厚的第一染料记录层。然后在第一染料记录层上溅射具有0.5原子°/。的In的Ag合金以形成9nm厚的半透明反射层，由此形成具有第一信息记录层的第一信息基底。其后，通过在0.60mm厚的具有深34nm、底部宽为0.25pm并且轨道间距为0.74|iim的凸出沟槽的聚碳酸酯基底上进行溅射形成120nm厚的Ag光反射层，然后在其上旋涂包含以化合物(2)/化合物(3)的重量比为6/4溶解于2,2,3,3-四氟丙醇中的如下所示化合物(2)的花青染料和如下所示化合物(3)的斯夸镥化合物的涂布液体，由此形成约60nm厚的第二染料记录层。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>化合物(l)然后，在该第二染料记录层上形成包含包含80摩尔％ZnS和20摩尔％<formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>化合物(2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>化合物(3)Si02的10nm厚的无机保护层，由此形成具有第二信息记录层的第二信息基底。其后，利用能UV固化的粘合剂(KARAYADDVD576M，NipponKayakuCo.)将所得到的第一和第二信息基底与约5(Him厚的中间层层压在一起，由此制备光学记录介质。化合物(1)到(4)的热分解温度和薄膜的Xmax如表1所示。化合物(2)和(3)的光学吸收谱如图2所示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>实施例2以与实施例1类似的方式，将溶解于2,2,3，3-四氟丙醇中的化合物(1)斯夸镥化合物的涂布液体旋涂在0.57mm厚的具有深为160nm、底部宽为0.25pm并且轨道间距为0.74lum的凹面沟槽的聚碳酸酯基底上，由此形成约40nm厚的第一染料记录层。然后在第一染料记录层上賊射具有0.5原子％的In的Ag合金以形成9nm厚的半透明反射层，由此形成具有第一信息记录层的第一信息基底。其后，通过在0.60mm厚的具有深为34nm、底部宽为0.25pm并且轨道间距为0.74|Lim的凸出沟槽的聚碳酸酯基底上进行'减射形成120nm厚的Ag光反射层，然后在其上旋涂包含以化合物(2)/化合物(4)的重量比为6/4溶解于2,2,3，3-四氟丙醇中的化合物(2)的花青染料和如下所示的化合物(4)的斯夸镥化合物的涂布液体，由此形成约60nm厚的第二染料记录层。化合物(4)然后，在该第二染料记录层上形成包含80摩尔％ZnS和20摩尔％Si02的10nm厚的无机保护层，由此形成具有第二信息记录层的第二信息基底。其后，利用能UV固化的粘合剂(KARAYADDVD576M,NipponKayakuCo.)将所得到的第一和第二信息基底与约50nm厚的中间层层压在一起，由此制备光学记录介质。通过利用ODU1000(波长657nm，NA:0.65，PulstecIndustrialCo.),在30.64m/s的线速度(8倍记录)下，将DVD(8-16)信号记录在实施例1中的光学记录介质的第二信息记录层上，然后通过在3.83m/s下再现以进行评估；结果，反射率为19%,并且调制度I14/I14H(在图3中(I14H-I14L)/I14H)为65%。功率储备((P2-Pl)x2/(P2+Pl),Pl:在9%以下的抖动下的功率下限，P2:其功率上限)为20%。此外，在从0.0到1.0改变化合物(2)和(3)的混合比W1/(W1+W2)的同时，以与实施例1中相似的方式制备多个光学记录介质。使所得到的光学记录介质进行记录，然后在8(TC和85。/oRH下保存不同时间后评估错误。结果，比率W1/(W1+W2)为0.8以上的那些在保存150小时之后产生不能校正的错误。另一方面，对于在9.2米/秒的线速度(2.4倍速度)下记录的那些，混合比W1/(W1+W2)为0.2以下容易降低记录灵敏度并且增加错误。通过利用ODU1000(波长657nm，NA:0.65,PulstecIndustrialCo.),在45.96m/s的线速度(12倍记录)下，将DVD(8-16)信号记录在实施例2中的光学记录介质的第二信息记录层上，然后通过在3.83m/s下再现以进行评估；结果，反射率为19%并且调制度为I14/I14H(在图3中(I14H-I14L)/I14H)为63%。功率储备((P2-Pl)x2/(P2+Pl)，Pl:在9%以下的抖动下的功率下限，P2:其功率上限)为15%。此外，在从0.0到1.0改变化合物(2)和(4)的混合比W1/(W1+W2)的同时，以与实施例1中相似的方式制备多个光学记录介质。使所得到的光学记录介质进行记录，然后在80。C和85%RH下不同时间后，评估4昔误；结果，W1/(W1+W2)为0.8以上的那些在保存150小时之后产生不能校正的错误。另一方面，对于在9.2米/秒的线速度(2.4倍速度)下记录的那些，混合比W1/(W1+W2)为0.2以下容易降低记录灵敏度并且增加错误。权利要求1.一种光学记录介质，包括第一信息记录层和第二信息记录层两层；该第一信息记录层和第二信息记录层通过中间层层压，-其中通过从第一信息记录层侧照射的激光作用，在所述两层进行记录和再现，该第二信息记录层包括在基底上的光反射层、染料记录层和无机保护层，该基底包括在其表面上的摆动凸出部分，该无机保护层具有3nm到40nm的厚度，该染料记录层包括由通式(I)表示的花青化合物和由通式(II)表示的斯夸鎓化合物；id="icf0001"file="A2007800093120002C1.tif"wi="64"he="46"top="96"left="62"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>通式(I)其中，环A和环B均为可以具有取代基的苯环或萘环；在R1到R4中，相邻的两基团R1和R2、R2和R4、或R3和R4是苄基，或所有R1到R4均为苄基，并且除了苄基以外的基团R1到R4均为碳数为1到4的烷基，或彼此相连形成三元到六元环；Y1和Y2均独立为碳数为1到30的有机基团；Anm-表示价态为“m”的阴离子，并且“m”是1或2的整数，“p”是中性电荷因子；id="icf0002"file="A2007800093120002C2.tif"wi="69"he="30"top="193"left="54"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>通式(II)其中，R5表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或可以具有取代基的芳基；R6表示卤素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳基、硝基、氰基、或可以具有取代基的烷氧基；“s”表示0到4的整数，当“s”表示2到4的整数时，各个R6可以彼此相同或不同，并且相邻的两R6可以与相邻的两个碳原子结合形成可以具有取代基的芳环；R7和R8均为独立选自可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳基、和可以具有取代基的杂环基中的基团；R9和R10均为独立选自可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、和可以具有取代基的芳基中的基团，R9和R10可以彼此结合形成脂环族烃环或杂环；Q表示能配位的金属原子；“t”是2或3的整数。2.根据权利要求1的光学记录介质，其中由通式(I)表示的花青化合物的量(W1)和由通式(II)表示的斯夸镜化合物的量(W2)满足以下关系0.2<W1/(W1+W2)<0.8。3.根据权利要求1或2所述的光学记录介质，其中所述花青化合物的热分解温度为20(TC到240°C，并且所述斯夸镜化合物的热分解温度为240。C到300°C。4.根据权利要求1到3中任何一项所述的光学记录介质，其中所述花青化合物在透射光表现出最大吸光率处的最大吸收波长imax为610nrn到630nm,并且斯夸错化合物的Xmax为560nm到620nm。5.根据权利要求1到4中任何一项的光学记录介质，其中所述无机保护层的主要组分为硫化锌。6.根据权利要求5所述的光学记录介质，其中所述无机保护层包括透明的导电氧化物。7.根据权利要求6所述的光学记录介质，其中所述透明的导电氧化物是氧化铟、氧化锌、氧化镓、氧化锡、氧化铌和InCa03(ZnO)m(m:自然数)中的至少一种。8.根据权利要求1到7中任何一项所述的光学记录介质，其中该光反射层由Ag或Ag合金形成，并且具有80nm到200nm的厚度。9.根据权利要求1到8中任何一项所述的光学记录介质，其中通过利用激光照射在第二信息记录层上进行记录，在对应于第二信息记录层的凹坑的位置处，使染料记录层和无机保护层之间的界面变形。全文摘要提供一种光学记录介质，包括第一信息记录层和第二信息记录层两层，第一信息记录层和第二信息记录层通过中间层层压，其中通过从第一信息记录层侧照射的激光作用，在所述两层进行记录和再现，第二信息记录层包括在基底上的光反射层、染料记录层和无机保护层，并且该基底包括在其表面上的摆动凸出部分，该无机保护层具有3nm到40nm的厚度，该染料记录层包括由通式(I)表示的花青化合物和由通式(II)表示的斯夸鎓化合物见右上通式(I)见右上通式(II)文档编号B41M5/26GK101405145SQ200780009公开日2009年4月8日申请日期2007年3月14日优先权日2006年3月16日发明者中村有希,八代彻,林昌弘,水上智申请人:株式会社理光;协和发酵化学有限公司