一种新型阴网点雕刻工艺的制作方法

本发明涉及雕刻，具体为一种新型阴网点雕刻工艺。

背景技术：

1、在印刷领域内，现有的版辊阴网点主要使用编辑模式进行雕刻，主要加工范围为100lpi--300lpi，lpi为分辨率，以每英寸上等距离排列多少条网线，在传统的商业印刷制版过程中，制版时需要在原始图像前加一个网屏，这一网屏由呈方格状的透明与不透明相等的网线构成，这些网线也就是光栅，其作用是切割光线解剖图像，由于光线具有衍射的物理特性。

2、现有的阴网点主要使用编辑模式进行雕刻，主要加工范围为100lpi--300lpi，如图2所示为现有的网点示意图存在下列问题，网线目数较低时，由于需要能量高，网点无法成型，目数高时，会出现形成网墙粗，占比高导致网点易堵版、流平效果差。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本发明提供了一种新型阴网点雕刻工艺，解决了现有的阴网点主要使用编辑模式进行雕刻，主要加工范围为100lpi--300lpi，如图2所示为现有的网点示意图存在下列问题，网线目数较低时，由于需要能量高，网点无法成型，目数高时，会出现形成网墙粗，占比高导致网点易堵版、流平效果差的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：

5、步骤一：调整：

6、通过调整雕刻斜线job的角度sa和pl的脉冲长度以及foc矢量控制参数，将斜线网点变形为阴网点正向雕刻的部分；

7、步骤二：部分雕刻：

8、对lac和dc的参数进行调整，当调整所需要雕刻的数值时，然后将阴网点负向雕刻部分雕刻出来；

9、步骤三：再次调整：

10、通过对雕刻机出光角度aj的调整，调整到网点底部光滑程度，得到新的阴网点；

11、步骤四：雕刻：

12、通过雕刻机对所需要雕刻的地方进行工作，雕刻完成后使用金刚石抛光带将表面抛至6u，再使用清洗机清洗干净。

13、优选的，所述步骤一中对于job的角度sa的范围控制在45°～140°之间，pl的脉冲长度在15ms～60ms之间，foc矢量控制参数为9～10.8之间。

14、优选的，所述步骤二中lac的位置区码参数为2～4，所述dc的参数为9～14之间。

15、优选的，所述步骤三中对雕刻机的出光角度aj进行调整为15°～23°之间，所述网点底部的光滑程度为1～3之间。

16、优选的，所述步骤四中雕刻机进行雕刻时网孔的深度在2～4丝之间。

17、优选的，所述的阴网点在相同网线、深度情况下，网墙比例明显减少，载墨量明显增加。

18、优选的，所述雕刻机在清洗时先对雕刻机上的污渍进行初步清洗，经过初步的清洗后方便我们辨别主要的污染区域，然后再使用ph值在7-8左右的中性清洗剂，清洗大理石雕刻机台面板的时候使用无摩擦的刷子或棉垫，表面干燥时，油渍污染处会呈现暗色污点状，首先直接将化学药剂涂抹在污染处，保证能得到较好的清洁效果，雕刻机在清洗时要保持表面湿润，让清除剂充分渗入石材内部，反应足够的时间，将污渍吸到表面上来。

19、优选的，所述网墙为圆柱形结构或者圆台型结构。

20、(三)有益效果

21、本发明提供了一种新型阴网点雕刻工艺。具备以下有益效果：

22、(1)、该新型阴网点雕刻工艺，在版辊主体的外壁雕刻出阴网点的正向雕刻部分；设置lac参数与dc参数，将阴网点的负向雕刻部分雕刻出来；通过对雕刻机的激光射出角度的调整，调整阴网点底部的光滑程度，相对于原阴网点100-300lpi加工范围，雕刻范围更广，可雕刻70-1000lpi的网点。

23、(2)、该新型阴网点雕刻工艺，通过激光雕刻的方式，根据预设的网点拼版图，在版辊主体的外壁雕刻阴网点，并在雕刻之前通过设置雕刻斜线角度、脉冲长度、foc矢量控制参数，在版辊主体的外壁雕刻出阴网点的正向雕刻部分，通过foc矢量控制参数与lac参数相互配合可得到一个雕刻效果最佳的光斑，使得能雕刻出网底最光滑的网点，可以对雕刻速度提高百分之二十左右。

技术特征：

1.一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步骤一中对于job的角度sa的范围控制在45°～140°之间，pl的脉冲长度在15ms～60ms之间，foc矢量控制参数为9～10.8之间。

3.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步骤二中lac的位置区码参数为2～4，所述dc的参数为9～14之间。

4.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步骤三中对雕刻机的出光角度aj进行调整为15°～23°之间，所述网点底部的光滑程度为1～3之间。

5.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步骤四中雕刻机进行雕刻时网孔的深度在2～4丝之间。

6.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述的阴网点在相同网线、深度情况下，网墙比例明显减少，载墨量明显增加。

7.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述雕刻机在清洗时先对雕刻机上的污渍进行初步清洗，经过初步的清洗后方便我们辨别主要的污染区域，然后再使用ph值在7-8左右的中性清洗剂，清洗大理石雕刻机台面板的时候使用无摩擦的刷子或棉垫，表面干燥时，油渍污染处会呈现暗色污点状，首先直接将化学药剂涂抹在污染处，保证能得到较好的清洁效果，雕刻机在清洗时要保持表面湿润，让清除剂充分渗入石材内部，反应足够的时间，将污渍吸到表面上来。

8.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述网墙为圆柱形结构或者圆台型结构。

技术总结
本发明公开了一种新型阴网点雕刻工艺，涉及雕刻技术领域。该新型阴网点雕刻工艺，该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：步骤一：调整：通过调整雕刻斜线job的角度SA和PL的脉冲长度以及FOC矢量控制参数，将斜线网点变形为阴网点正向雕刻的部分；步骤二：部分雕刻：对LAC和DC的参数进行调整，当调整所需要雕刻的数值时，然后将阴网点负向雕刻部分雕刻出来；步骤三：再次调整：通过对雕刻机出光角度AJ的调整，调整到网点底部光滑程度，得到新的阴网点；步骤四：雕刻：通过雕刻机对所需要雕刻的地方进行工作，雕刻完成后使用金刚石抛光带将表面抛至6u，调整阴网点底部的光滑程度，相对于原阴网点100‑300LPI加工范围，雕刻范围更广，可雕刻70‑1000LPI的网点。

技术研发人员：史天勇,崔石磊
受保护的技术使用者：广东上运激光科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13