彩色显示装置的制作方法

专利名称：彩色显示装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关一种彩色显示装置及其设计方法，该显示装置使用电场发光(ElectroluminescenceEL)等的自发光组件以及薄膜晶体管(TFT)。
背景技术：
近年来，盛行开发代替CRT的薄型且低消耗电力的平面显示装置，作为其中之一的液晶显示装置(LCD)已众所周知。最近，正研究使用自发光EL组件的EL显示装置。有关这种平面显示装置，为实现彩色显示，例如使用EL显示装置的自发光组件的情况时，是对应使用分别发R、G、B光的不同材料的EL组件设置画素区域(pixel region)，透过来自多个画素区域的光的合成，进行全彩显示的方法已众所周知。
EL组件，特别是使用有机化合物作为发光材料的有机EL组件，组件所使用的有机层寿命对彩色显示装置全体寿命的影响非常大。该有机层的寿命，根据材料不同而不同。因此，于使用发光色不同的EL材料的情况，藉各色成分使EL材料的寿命一致其结果，造成整体显示装置的长寿命化。
作为该长寿命化的一个方法，可举出对应显示各色成分的EL材料特性于各色成分改变发光区域(光的辨认区域)。EL组件的寿命，与组件中的电流流动密度有依存性，要延长寿命，较有效的方法是尽量降低电流密度。因此，有关寿命短的EL组件，则透过尽量扩大组件面积，可用低电流密度达成所要求的亮度。
第1A图，是显示有关设置个别控制各画素区域的EL组件发光的薄膜晶体管的EL显示装置，即主动矩阵型EL显示装置中，通常所采用的大略平面构成。沿水平方向，形成有栅极信号线151，而沿垂直方向形成有漏极信号线(资料信号线)152以及驱动电源线153。并且，栅极信号线151、漏极信号线152以及驱动电源线153所围成的区域，大致成为各画素区域。在各画素区域内，作为一般的构成，具备第1TFT110、保持电容Cs、第2TFT120以及EL组件170。第1TFT110，是由栅极信号线151驱动，具有从漏极信号线152读取对应显示信息的数据信号的开关组件的功能，保持电容Cs，与第1TFT110的漏极信号线152的相反侧的例如源极区域113s相连接，通过第1TFT110的漏极区域113d、源极区域113s，使所被施加的对应前述数据信号的电压保持一定时间(直至下一次选择TFT110，写入新数据信号)。第2TFT120，其栅极125，与保持电容Cs以及第1TFT110相连接，对应施加于栅极125的电压的电流，从驱动电源线153供给至有机EL组件170。
将各画素面积的大小设为相等的情况，如第1A图所示，将各构成加以布局(layout)即可。另一方面，于该种构成中，作为改变矩阵配置的多个画素区域的各面积(发光区域)的简单方法，例如有第1B图所示的依各色成分改变水平方向的画素区域的宽度。即使在依各色成分改变画素区域的面积的情况，由于不必改变信号线与第1TFT110的连接关是，因此不用变动与栅极信号线151、漏极信号线152连接的第1TFT110和该等信号线151、152的相对位置。如此一来，如第1B图所示，与第1TFT110的漏极信号线152相连接的漏极区域113d的尺寸(Ld)，在分配于R、G、B的画素区域相互相等。但是，夹着漏极区域113d以及信道区域113c的位于相反侧的源极区域113s、与至该源极区域113s所连接的保持电容Cs(保持电容电极155与保持电容线154的重叠区域，该保持电容线是与保持电容电极夹着绝缘膜而相向配置)的距离Ls(至显示平面上的投影距离)、在不同色成分的画素区域相互不同。
如上述当距离Ls不同时，则在第1TFT110与保持电容Cs间的负荷LOs，会在每一个画素区域产生差值。因此，来自漏极信号线152的信号，通过第1TFT110，向保持电容Cs以及第2TFT120的栅极写入时间会根据色成分不同而不同，而非一定值。由于有机EL组件，对供给电流的发光感度高，因此若不考虑向第2TFT120写入条件的不同进行驱动，则可能产生发光亮度的偏差。而在较其它色成分的宽度更广的画素区域，有相当于该部分的多余空间，因此在该多余空间形成保持电容Cs，而可认为能进一步提高存储性。但是，这变成根据不同色成分的画素区域来积极地改变保持电容Cs的大小，即电荷储存能力，而通过第1TFT110向保持电容Cs写入数据信号的条件，则根据画素区域的不同，形成更大不同。因此，必须进行使各色成分最优化的调整、个别控制，这不仅增大了设计负担，而且由于产生调整、控制的偏差，因此反而可能引起对显示(发光亮度)均一性的损伤。

发明内容
本发明是具备以下特征，易于设计及驱动，且可实现优质的彩色显示装置。
有关本发明的彩色显示装置，具有对应各个特定色成分的多个画素区域；前述多个画素区域，分别具有选择性地向各画素区域供给对应显示信息信号的第1薄膜晶体管、与前述第1薄膜晶体管相连接的保持电容，该保持电容保持对应前述显示信息的信号；前述多个画素区域，在第1方向的长度各个相等，相对应某色成分的前述画素区域，与相对应其它的至少一个色成分的前述画素区域，在第2方向的长度不同，前述第1薄膜晶体管的信道长方向，形成于沿与前述第1方向交叉的第3方向上，从前述第1薄膜晶体管的栅极边缘至前述保持电容的对显示平面上的投影距离在各画素区域相等。
本发明的另一形态，为有关彩色显示装置，具有对应各个特定色成分的多个画素区域；前述多个画素区域，分别具有选择性地向各画素区域供给对应显示信息的信号的第1薄膜晶体管、与前述第1薄膜晶体管相连接的保持电容，该保持电容保持对应前述显示信息的信号；前述多个画素区域，在第1方向的长度各个相等，相对应某色成分的前述画素区域，与相对应其它的至少一个色成分的前述画素区域，在第2方向的长度不同，前述第1薄膜晶体管的信道长方向，形成于沿与前述第1方向交叉的第3方向上，从前述第1薄膜晶体管的信道边缘至前述保持电容的负荷，在前述多个画素区域几乎相等。
本发明的另一形态，为有关彩色显示装置，具有对应各个特定色成分的多个画素区域；前述多个画素区域，分别具有选择性地向各画素区域供给对应显示信息的信号的第1薄膜晶体管、与前述第1薄膜晶体管相连接的保持电容，该保持电容保持对应前述显示信息的信号；前述多个画素区域，在第1方向的长度各个相等，相对应某色成分的前述画素区域，与相对应其它的至少一个色成分的前述画素区域，在第2方向的长度不同，前述第1薄膜晶体管的信道长方向，形成于沿至少与前述第1方向的非平行方向，从前述第1薄膜晶体管的栅极的前述保持电容侧的边缘至前述保持电容的对显示平面上的对投影距离至少在相互发光面积不同的画素领域为相等。
本发明的另一形态，为有关前述彩色显示装置，从前述第1薄膜晶体管的栅极的前述数据信号线侧的边缘，至前述数据信号线与前述第1薄膜晶体管的接触位置的对显示平面上的投影距离，至少在相互发光面积不同的画素区域，互相相等。
本发明的另一形态，为有关前述彩色显示装置，前述多个画素区域，还包含有分别对应的画素电极、以及与前述画素电极相连接的第2薄膜晶体管，前述第2薄膜晶体管的栅极，与前述保持电容及前述第1薄膜晶体管电气连接，从前述数据信号线至前述画素电极的负荷，在相对应不同色成分的前述多个画素区域相互相等。
本发明的另一形态，为有关前述彩色显示装置，前述多个画素区域，分别具备与前述第1薄膜晶体管及前述保持电容电气连接的第2薄膜晶体管，以及与前述第2薄膜晶体管连接，并根据对应透过前述第1薄膜晶体管所供给的显示信息的信号而发光的发光组件。
本发明的另一形态，为有关前述彩色显示装置，前述发光组件，是电流驱动型电场发光组件。
依照如上所述的本发明，每个色成分的画素区域的大小，例如水平方向(画素宽度)等，即使在第2方向的长度不同的情况，在各画素区域中，至少将第1薄膜晶体管与保持电容的形状在各画素区域设定成相同，而第1薄膜晶体管与保持电容为存在于读取并保持对应显示情报的信号的路径上。因此，即使在面积不同的画素区域，也可将该路径内的负荷(寄生电阻、寄生电容等)设定成相互相等，可将来自数据信号线的信号，于各保持电容以同一条件进行同样的写入(可以相同时间且相同比例进行写入)。例如，保持电容等，即使形状不同，只要其电容面积(大小)相等，其电容量值也就相等，因此可在各画素使条件相等。从设计上的观点，通过使形状在各画素相同，可非常容易地使各画素的负荷的大小一致。所以，不必个别设计对应不同色成分的画素区域内的薄膜晶体管以及保持电容，对应一个色成分的画素区域内的设计，可反映在对应其它色成分的画素领域内的设计，从而大幅缩短了设计时间。并且，没有必要改变对应画素面积(例如发光面积等)的对不同色成分的画素区域的驱动条件(信号波形、强度等)，驱动也变得容易，且不做在驱动电路侧的特别处理，可改变对应色的画素面积。
不仅可将第1薄膜晶体管与保持电容间负荷，而且还可将第1薄膜晶体管与信号线间的负荷，及从第1薄膜晶体管至连接上述发光组件等的显示组件的第2薄膜晶体管的负荷，或从第1薄膜晶体管至显示组件的负荷，相对应不同色成分，在面积不同的画素区域，藉由设定为相互相等，可使布局设计、驱动条件的设定等更简单。


第1A图是说明以往的主动矩阵型EL显示装置的构成的概略平面图。
第1B图是有关改变了第1A图的画素区域的面积的情况下，所采用的关联技术的概略平面图。
第2图是表示有关本发明的实施形态的EL显示装置的画素区域的平面图。
第3A、3B图，是沿第2图的A-A线、B-B线的EL显示装置的概略剖面构造的示意图。
第4图是有关本发明的实施形态的EL显示装置的概略平面图。
第5图是有关本发明的实施形态的各画素区域的概略等效电路示意图。
第6图是表示有关本发明的其它实施形态的EL显示装置的画素区域的平面图。
具体实施例方式
第2图是表示有关本发明的实施形态的彩色显示装置的画素区域的平面图，第3A、3B图，分别为第2图的沿A-A线、B-B线的彩色显示装置的概略剖面图。而第4图，是将第2图的画素区域简略化后的示意图。以下，参照这些图，以在各画素区域具备电流驱动型EL组件的EL显示装置为例，对有关本发明的实施形态的彩色显示装置进行说明。
多个栅极信号线51形成于水平方向，而多个漏极(数据)信号线52以及多个驱动电源线53平行形成于显示的垂直方向。对应各色成分的画素区域PR·PG·PB，配置于由栅极信号线51、漏极信号线52以及驱动电源线53所围成的区域中。画素区域PR·PG·PB的垂直方向(第1方向)高度H相等，水平方向(第2方向)的宽度WR·WG·WB不同，因此对应不同色成分的画素区域，相互的该画素区域的面积不同。有关各画素区域，在画素电极61以与门极信号线51之间配置有相对漏极信号线52，串联连接的2个第1TFT10、以及保持电容电极线54和保持电容电极55的一部分。开关组件(switching element)的2个第1TFT10的半导体层13，其信道(channel)长方向，与栅极信号线51成平行(第3方向在此与第1方向不同，与第2方向平行)配置。多个第1TFT10的栅极15，电气并联连接于栅极信号线51，覆盖着半导体层13的一部分。而实际上，如后所述，在半导体层13上形成有栅极绝缘膜14，栅极15，形成于该栅极绝缘膜14上。为半导体层13的栅极15所覆盖的区域是信道区域13c，以包夹着各信道区域13c的方式形成有源极区域13s以及漏极区域13d。漏极信号线52侧的漏极区域13d通过漏极电极17电气连接漏极信号线。而汲电极17与漏极信号线52可一体形成，本实施形态中，是一体形成，漏极信号线52在第2图的接触孔17c的位置直接与漏极区域13d连接。
第2图的例中，对应各色成分的画素区域PR·PG·PB，从漏极信号线52，更确切的说，从漏极信号线52的与第1TFT10的漏极区域13d接触的位置，至该漏极信号线52所连接的第1TFT10的栅极15的漏极侧边缘部的对显示平面上的投影距离LRd·LGd·LBd相互不同。
没有直接连接漏极信号线52的第1TFT10的源极区域13s与保持电容电极55相连接。该保持电容电极55，之间夹着栅极绝缘膜14，与保持电容电极线54相对，在该电极55与电极线54重叠区域构成有保持电容Cs。保持电容Cs，即形成保持电容Cs的保持电容电极线54，或从保持电容电极55的边缘部至连接保持容量Cs的第1TFT10的栅极15的距离Ls，在对应任何各色成分的画素区域PR·PG·PB也成相互相等。
在各画素区域，更在驱动电源线53，以及有机EL组件的画素电极61间配置有电气并联的2个驱动组件的第2TFT20。在该第2TFT20的半导体层23中，之间夹着栅极绝缘膜14，由栅极25覆盖的区域是信道区域23c，以包夹着该信道区域23c的方式形成有源极区域23s以及漏极区域23d。一个第2TFT20的各源极区域23s，分别与驱动电源线53相连接，漏极区域23d则连接于汲电极24，并通过汲电极24与有机EL组件的画素电极61连接。保持电容Cs，在没有施加来自画素外部电压的一定期间，在第2TFT20的栅极上，施加对应显示内容(显示信息)的电压，此为使EL组件的发光持续。
保持电容电极线54，通过栅极绝缘膜14，形成于半导体层13的对向，该半导体层13兼具与第1TFT10的源极区域13s连接的保持电容电极55。通过这样，在保持电容电极线54与保持电容电极55间储积电荷，形成电容。该电容，成为保持施加于第2TFT20的栅极25的电压的保持电容Cs。本实施形态中，配置于各画素区域的保持电容Cs以共通的形状(相同形状)形成。该保持电容Cs，特别是有关该电容量值所对应不同色成分的画素区域，相互相同为较理想，为使电容量值相同，至少电容的面积相同为必要条件。为使布局设计更方便的本实施形态，为使面积相等，各画素区域的保持电容Cs为相同形状(当然，在这种情况，保持电容Cs的构成要素的电极55、电极线54以与门极绝缘膜14，在各保持电容Cs使用相同材料并以相同条件形成)。
接着，参考第4A图以及第4B图，对有关本实施形态的EL显示装置的剖面构造进行说明。
首先，对有关开关组件的第1TFT10附近进行说明。在绝缘性基板11上，作为缓冲膜，形成有由SiO2膜、SiN膜等构成的绝缘膜12。在其上，依序层积有由多晶硅膜构成的半导体层13。该多晶硅膜，例如于形成非晶硅膜后，可实施雷射退火(laser anneal)等多晶化退火而形成。在半导体层13上，之后例如以栅极为屏蔽，掺杂杂质，从而形成源极13s、漏极13d，在两者中间位置，以栅极覆盖于上方的区域，形成有信道13c。半导体层13上，层积有由SiO2膜、SiN膜等构成的栅极绝缘膜14，在对应信道13c的位置，形成有由铬、钼等高熔点金属构成的兼任栅极15的闸信号线51以及保持电容电极线54。并且，其上方，全面形成有由SiO2膜、SiN膜构成的层间绝缘膜16，该层间绝缘膜16上形成有Al等金属层，层间绝缘膜16的漏极13d的对应位置所形成的接触孔17c，与该金属层以及漏极区域13d相连接。在此，金属层为兼任漏极信号线52的汲电极17。包含有漏极信号线52的整个基极上方，形成有用于平坦表面的平坦化膜18。而源极13s，电气连接着保持电容电极55，本例中，构成源极13s的半导体层13，兼作保持电容电极55。并且，本实施形态中，从源极13s至保持电容Cs(保持电容电极55与电容电极线54的重叠区域)的距离(对显示平面上的投影距离)LRs·LGs·LBs是形成全部相等。如前所述，本实施形态中，保持电容Cs是指在保持电容电极55与先前所述的保持电容电极线54间包夹栅极绝缘膜14的重叠区域。
再者，对用于驱动有机EL组件的驱动组件，即对向有机EL组件供给来自驱动电源线53的电流的驱动晶体管的第2TFT20进行说明。前述形成第1TFT10的同时所形成的同一膜等，在原则上标以相同符号。在绝缘基板11上，作为缓冲膜，形成有由SiO2膜、SiN膜等构成的绝缘膜12，其上方依序层积有与第1TFT10的半导体膜13同时形成的多晶硅膜构成的半导体层23。半导体层23上，之后掺杂杂质形成源极23s、漏极23d，或在其中间位置形成有信道23c。半导体层23上，积层有由SiO2膜、SiN膜等构成的栅极绝缘膜14，在信道23c的对应位置，与第1TFT10的栅极15相同，形成有由铬、钼等高熔点金属构成的栅极25。并且，在包含栅极25的整个基板上，形成有由SiO2膜、SiN膜等构成的层间绝缘膜16，层间绝缘膜16上，形成有由Al等构成的金属层，该金属层，连接源极区域23s，漏极区域23d，并分别构成源电极24、驱动电源线53(兼作汲电极)，前述源极区域23s，漏极区域23d，是在层间绝缘膜16以与门极绝缘膜14的对应源极区域23s及漏极23d的位置所形成接触孔与金属层对应连接。而驱动电源线53，与未图标的外部电源相连接，将来自该电源的电力通过该漏极区域23d、信道区域23c以源极区域23d，供给有机EL组件70。并且，覆盖这些源电极24、驱动电源线53的整个基板，覆盖有用于使表面平坦的由有机树脂等构成的平坦化膜18。对应该平坦膜18的源电极24的位置，形成有接触孔，通过该接触孔，源电极24与所接触的由ITO(Indium Tin Oxide)构成的透明电极(画素电极)，即有机EL组件的下部画素电极16(例如阳极)覆盖着平坦化膜18。其上方，作为一例，依序层积形成有具备电洞输送层(hole moving layer)62、发光层63、电子输送层(electron moving layer)64的积层构造的发光组件层65、例如镁与铟的合金、镁与铝等合金或铝等构成的上部电极66(例如阴极)等。有机EL组件70，构成于前述电极61与电极66的层间夹着发光组件层65的相向形成的领域。
在此，参照概念性说明本实施形态的各画素区域的等效电路的第5图，对有关本实施形态的显示装置进行进一步说明。本实施形态，对于任何色成分的画素区域，通过采用以上的构成，使从TFT10栅极15至保持电容Cs的距离相等，电气负荷LOs(Losr、LOsg、LOsb)在R、G、B的任意画素区域都相等。并且，通过使任意画素区域的保持电容Cs的形状(大小以及面积也相等)相同，使电容量值相等。于是，可使TFT10的电气连接于从信道13c至TFT20的栅极25的路径的保持电容Cs以及寄生电阻、寄生电容等的负荷LOs在所有画素区域相等。所以，可使来自漏极信号线52的信号通过TFT10写入TFT20的栅极的时间在任何画素区域也都相等。通过设计对应任意一个色成分的画素区域的TFT以及保持电容，可直接适用于对应其它色成分的画素区域。所以，可大幅缩短画素设计的时间，削减设计成本。
本发明并不限于以上构成，配置第1TFT10的半导体13的第3方向，可不与第2方向(水平方向)平行，只要和第1方向相交的方向即可。第1TFT10以及第2TFT20的形状、位置以及/或保持电容电极的形状、位置、对应设计图形，可进行各种形态的变更。例如，TFT10可设计1个或3个以上。配置于1个画素区域的第1TFT10与第2TFT20的个数，可为不是相同数目。而为了进一步缩短设计时间，保持电容Cs为同一形状较理想。但是，当设计上的权宜等无法实现相同形状的情况，为使信号的写入时间、写入比例在各画素区域变成相等，只要使保持电容Cs的电容量相同即可。
有关本实施形态，对应各色成分的画素区域的宽度WR·WG·WB相互不同的情况，已作了叙述，但对于只有对应一个色成分的画素区域的宽度，与对应其它色成分的画素区域的宽度不同的情况，也可适用。
作为其它实施形态，可考虑例如第6图所示者。从通过各画素区域间的漏极信号线52，在对应各色成分的画素区域上延伸出有一定长度的凸部56。该凸部56是于漏极区域13d以及形成于绝缘膜的接触孔17c，通过汲电极17连接。本例中，汲电极17与凸部56以及漏极信号线52，可一体构成。若为一体，则通过只将漏极信号线52的图形根据画素区域变更，在不追加特别制程的条件下，可使从凸部56的漏极信号线52的延伸出距离作成任意长度。通过改变从该凸部56的漏极信号线52的延伸距离，不仅可使LRs、LGs、LBs在面积(有机EL组件的电极61与发光组件层65的接触面积为起因的发光面积)不同的画素区域相互相等，还可使从漏极13d到凸部56的距离，更确切地说，是从漏极13d与信道13c(信号线52侧)的边界，至凸部56与半导体层13的接触孔的在显示平面上的投影距离LRd·LGd·LBd在面积(有机EL组件的电极61与发光组件层65的接触面积为起因的发光面积)不同的画素区域也相互相等。此外的构造与先前所述的实施形态共通。
根据本实施形态，在对应不同色成分的画素区域，可将从漏极信号线52(接触孔)至第1TFT的栅极15的漏极侧的边缘部的距离，设为相等(共通)，且可尽量地缩短，因此可使各画素区域PR·PG·PB内的从漏极信号线52至第1TFT10的负荷尽量变小，且可使该负荷在所有画素区域成为一定值。本发明，也可采用不在以上的实施形态的所有画素区域中的漏极信号线52上设凸部56，而在画素区域宽度最窄的画素区域(例如PG)中，不设凸部56的构成。
根据本发明，对应不同色成分的画素区域的一方的长度不同，另一方长度为共通(相同)的情况下，使配置于相对该共通方向的交差方向上的TFT以及保持电容的形状实质一定，透过这样，即使在显示不同颜色的画素区域，可取得几乎相同的布局效果。由于可使配置于对应不同色成分的画素区域的TFT的TFT特性以及保持电容的保持特性几乎相同，因此没有必要根据色成分调节、控制将供给作为开关组件的TFT的信号写入作为驱动组件的TFT的时间或写入比例等，所以可进一步缩短设计时间。例如，使用R、G、B的3种色成分的EL显示装置的情况，以单纯的计算，可利用以往的1/3的时间进行设计。所以，实际可大幅缩短设计EL显示装置的必要时间，降低设计成本。又，在各画素区域使用了相同材料，相同发光色的EL组件后，例如将R、G、B的色成分的发光分配于对应画素区域，并以最适合的白色平衡，实现全彩显示的情况，根据对各色成分的要求亮度与对应色变换组件的变换效率，通过改变各画素区域的发光面积，即使要求亮度等根据色不同而不同，也可使向各画素区域的EL组件供给的电流密度相等，前述色变换组件，由彩色滤光片、色变换膜等构成。因此，可防止只有对应特定色成分的EL组件以高电流密度驱动，而造成的劣化加速。依照本实施形态，即使根据色成分不同而画素区域面积不同，也使画素布局设计更容易，且驱动也更方便。
权利要求
1.一种彩色显示装置，其特征在于所述彩色显示装置具有对应各个指定的色成分的多个画素区域；前述多个画素区域，分别具有第1薄膜晶体管，该第1薄膜晶体管向各画素区域选择性供给对应显示信息的信号；保持电容，该保持电容与前述第1薄膜晶体管相连接，保持对应前述显示信息的信号；前述多个画素区域，在第1方向的长度各个相等，对应某色成分的前述画素区域，与对应其它至少一个色成分的前述画素区域，在第2方向的长度不同；前述第1薄膜晶体管的信道长方向，形成于沿着与前述第1方向交叉的第3方向上，从前述第1薄膜晶体管的栅极边缘部，至前述保持电容的在显示平面上的投影距离在各画素领域相等。
2.如权利要求1所述的彩色显示装置，其特征在于前述画素区域的第2方向的长度，在与对应不同色成分的前述画素区域间彼此相互不同。
3.如权利要求1所述的彩色显示装置，其特征在于前述保持电容，在各画素区域，是构成于保持电容电极与保持电容配线重叠领域，各画素区域的前述重叠区域的面积、形状或电容量值的至少其中一项是实质相等。
4.如权利要求1所述的彩色显示装置，其特征在于分别对应各画素区域所配置的前述第1薄膜晶体管的形状以及大小各个相等。
5.如权利要求1所述的彩色显示装置，其特征在于并且，还具有多个数据信号线，该些信号线用于向各前述画素区域供给对应前述显示信息的显示数据信号；前述数据信号线，与前述第1薄膜晶体管的漏极区域或源极区域其中之一连接。
6.如权利要求5所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，更具有分别对应的画素电极以及与前述画素电极连接的第2薄膜晶体管；前述第2薄膜晶体管的栅极，与前述保持电容以及前述第1薄膜晶体管相连接。
7.如权利要求6所述的彩色显示装置，其特征在于前述第2薄膜晶体管的形状以及大小，在对应不同色成分的前述多个画素区域，相互相等。
8.如权利要求5所述的彩色显示装置，其特征在于从前述第1薄膜晶体管的栅极的前述数据信号线侧的边缘，至前述数据信号线与前述第1薄膜晶体管的接触位置的在显示平面上的投影距离，在对应不同色成分的前述多个画素区域相互相等。
9.如权利要求5所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，更具有分别对应的画素电极以及与前述画素电极连接的第2薄膜晶体管；前述第2薄膜晶体管的栅极，与前述保持电容以及前述第1薄膜晶体管电气连接；从前述数据信号线至前述画素电极的负荷，在对应不同色成分的前述多个画素区域相互相等。
10.一种彩色显示装置，具有对应各个指定的色成分的多个画素区域；前述多个画素区域，分别具有第1薄膜晶体管，该第1薄膜晶体管向各画素区域选择性供给对应显示信息的信号；保持电容，该保持电容与前述第1薄膜晶体管相连接，保持对应前述显示信息的信号；前述多个画素区域，在第1方向的长度各个相等，对应某色成分的前述画素区域，与对应其它至少一个色成分的前述画素区域，在第2方向的长度不同；前述第1薄膜晶体管的信道长方向，形成于沿着与前述第1方向交叉的第3方向上，从前述第1薄膜晶体管的信道边缘部，至前述保持电容的负荷，在前述多个画素区域几乎相等。
11.如权利要求10所述的彩色显示装置，其特征在于前述画素区域的第2方向的长度，在对应不同色成分的前述画素区域间相互不同。
12.如权利要求10所述的彩色显示装置，其特征在于前述保持电容，在各画素区域，是构成于保持电容电极与保持电容配线重叠领域，各画素区域的前述重叠区域的面积、形状或电容量值的至少其中一项是实质相等。
13.如权利要求10所述的彩色显示装置，其特征在于分别对应各画素区域所配置的前述第1薄膜晶体管的形状以及大小各个相等。
14.如权利要求10所述的彩色显示装置，其特征在于并且，还具有多个数据信号线，该些信号线用于向各前述画素区域供给对应前述显示信息的显示数据信号；前述数据信号线，与前述第1薄膜晶体管的漏极区域或源极区域其中之一连接。
15.如权利要求14所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，更具有分别对应的画素电极以及与前述画素电极连接的第2薄膜晶体管；前述第2薄膜晶体管的栅极，与前述保持电容以及前述第1薄膜晶体管相连接。
16.如权利要求15所述的彩色显示装置，其特征在于前述第2薄膜晶体管的形状以及大小，在对应不同色成分的前述多个画素区域，相互相等。
17.如权利要求14所述的彩色显示装置，其特征在于从前述第1薄膜晶体管的栅极的前述数据信号线侧的边缘，至前述数据信号线与前述第1薄膜晶体管的接触位置的在显示平面上的投影距离，在对应不同色成分的前述多个画素领域相互相等。
18.如权利要求14所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，更具有分别对应的画素电极以及与前述画素电极连接的第2薄膜晶体管；前述第2薄膜晶体管的栅极，与前述保持电容以及前述第1薄膜晶体管电气连接；从前述资料信号线至前述画素电极的负荷，在对应不同色成分的前述多个画素区域相互相等。
19.一种彩色显示装置，具有对应各个指定的色成分的多个画素区域；前述多个画素区域，分别具有第1薄膜晶体管，该第1薄膜晶体管向各画素区域选择性供给对应显示信息的信号；保持电容，该保持电容与前述第1薄膜晶体管相连接，保持对应前述显示信息的信号；前述多个画素区域，在第1方向的长度各个相等，对应某色成分的前述画素区域，与对应其它至少一个色成分的前述画素区域，在第2方向的长度不同；前述第1薄膜晶体管的信道长方向，形成于沿着至少与前述第1方向非平行的方向上，从前述第1薄膜晶体管的栅极的前述保持电容侧的边缘，至前述保持电容的在显示平面上的投影距离，至少在发光面积不同的画素区域相互相等。
20.如权利要求19所述的彩色显示装置，其特征在于从前述第1薄膜晶体管的栅极的前述数据信号线侧的边缘，至前述数据信号线与前述第1薄膜晶体管的接触位置的在显示平面上的投影距离，至少在相互发光面积不同的画素区域相互相等。
21.如权利要求19所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，更具有分别对应的画素电极以及与前述画素电极连接的第2薄膜晶体管；前述第2薄膜晶体管的栅极，与前述保持电容以及前述第1薄膜晶体管电气连接；从前述数据信号线至前述画素电极的负荷，在对应不同色成分的前述多个画素区域相互相等。
22.如权利要求19所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，还分别具有发光的发光组件，该发光组件是根据对应通过前述第1薄膜晶体管所供给的显示信息的信号而发光。
23.如权利要求19所述的彩色显示装置，其特征在于前述多个画素区域，具有分别与前述第1薄膜晶体管以及前述保持电容电气连接的第2薄膜晶体管；前述第2薄膜晶体管所连接的发光组件，该发光组件根据对应通过前述第1薄膜晶体管所供给的显示信息的信号而发光。
24.如权利要求23所述的彩色显示装置，其特征在于前述发光组件，是电流驱动型的电场发光组件。
全文摘要
本发明提供一种彩色显示装置，是于对应不同色成分的面积，例如水平方向的宽度分别配置在不同的多个画素区域的情况时，从设于各画素区域内，将对应的显示信息的信号选择性地供给至各画素区域的第1薄膜晶体管的栅极的电容侧边缘部，至连接于该第1薄膜晶体管之用以保持对应显示信息的信号的保持电容为止的投影在显示平面上的投影距离在各画素设为相等。藉此，即使在画素区域的面积不同的情况，也可省略根据色成分的通过第1薄膜晶体管供给信号的写入时间、写入比例等的调整。
文档编号G09G3/30GK1551685SQ200410006148
公开日2004年12月1日 申请日期2004年3月2日 优先权日2003年3月3日
发明者松本昭一郎 申请人:三洋电机株式会社