专利名称：电致发光显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电致发光显示装置，特别是具有像素阵列的有源矩阵显示装置，该像素阵列包括多个发光电致发光显示元件和多个薄膜晶体管。更具特别地，本发明涉及一种有源矩阵电致发光显示装置，该显示装置的像素包括多个光敏元件，它们可响应于显示元件发出的光，并用于控制所述显示元件的通电。
利用电致发光、发光、显示元件的矩阵显示装置是公知的。该显示元件通常包括有机薄膜电致发光元件(OLEDs)，该有机薄膜电致发光元件包括聚合材料(PLEDs)、或者发光二极管(LEDs)。典型地这些材料包括一层或多层夹在一对电极之间的半导体共轭聚合物，这对电极中的一个是透明的，而另一个由适合于将空穴或电子注入到聚合物层中的材料组成。
在这种显示装置中的显示元件是电流驱动的，传统的模拟驱动方式包括提供可控的电流给显示元件。典型地，提供电流源晶体管作为像素结构的一部分，提供栅极电压给电流源晶体管，其可确定流经电致发光(EL)显示元件的电流。储能电容器在寻址阶段之后可保持栅极电压。EP-A-0717446中描述了一种所述像素电路的实例。
因此每个像素包括EL显示元件和相关联的驱动电路。该驱动电路具有地址晶体管，由行导体上的行地址脉冲使地址晶体管导通。当使地址晶体管导通时，列导体上的数据电压可穿过其余的像素。特别地，地址晶体管可将列导体电压提供给电流源，该电流源包括驱动晶体管和与驱动晶体管的栅极耦合的储能电容器。将列数据电压提供给驱动晶体管的栅极，并且该栅极由储能电容器保持在该电压，即使在行地址脉冲已经结束之后也是如此。该电路中的驱动晶体管可实施为p-沟道型TFT(薄膜晶体管)，使得储能电容器可使栅极-源极电压保持固定。这样可得到流经晶体管的恒定的源极-漏极电流，因此可以提供期望的像素的电流源操作。
在上面的基本像素电路中，LED材料的不同老化或退化对于给定的驱动电流来说会导致像素的光输出电平降低，这会引起显示器上图象质量的变化。此外，由于驱动晶体管特征曲线的变化，特别是阈值电压电平的变化，会产生显示不均匀的问题。
已经提出了多种改进的电压寻址的像素电路，其能够补偿LED材料的老化以及晶体管特征曲线的变化。这些电路包括响应于显示元件的光输出的光敏元件，并可用于响应光输出而使储能电容器上储存的电荷泄漏，从而在驱动周期中控制显示元件的积分光输出，该驱动周期跟随像素的初始寻址。在WO01/20591和EP 1096466中详细描述了这种类型的像素结构的实例。在以上示例性实施例中，像素中的光电二极管可使储存在储能电容器上的栅极电压放电，当驱动晶体管上的栅极电压达到阈值电压时，此时储能电容器停止放电，EL显示元件停止发射。从光电二极管漏出的电荷的比率(rate)是显示元件输出的函数，从而光电二极管可用作光敏反馈器件。
利用这种布置，可以提供来自显示元件的光输出，而不依赖于EL显示元件的效率和老化补偿。已经表明这种技术在实现高质量的显示方面是有效的，其在一段时间中很少有不均匀的问题。然而，为了良好的效果，优选使用高效率的光电二极管如非晶硅pin型光电二极管，在使用多晶硅TFTs作为驱动晶体管时这种非晶硅pin型的光电二极管会导致制造复杂化，实际上事实就是这样。此外，为了从像素获得良好的帧时间平均亮度，需要高峰值的亮度水平，这意味着EL元件的使用远离了最有效的工作点，其结果是EL材料可能会更加快速地老化。
在前述的WO01/20591和EP-A-1096466中描述了多个像素电路的实施例，这些实施例使用较低效率的光电晶体管作为光敏元件，可以使用通常的处理来制造该光敏元件和驱动TFTs。在这些像素电路中，指向光电晶体管的光可导致储能电容器逐渐地放电，由此流经驱动晶体管的电流会降低，当电流降低到预定的低水平时，光电晶体管导通使电容快速放电。通过将光电晶体管的栅极与EL元件的阳极耦合可实现该导通。然而，这样做的问题是在EL元件的阳极电压中需要显著的移动，这样会难以实现。此外，在这种像素电路中，与EL元件的阳极耦合意味着将LED老化的影响即阳极电压的增大向后耦合到像素电路中，由于驱动晶体管和光电晶体管参数的变化可能产生像素电路的不均匀。
本发明的一个目的是提供一种改进的有源矩阵电致发光显示装置，其使用了像素电路中的光反馈。
根据本发明的一个方面，提供一种有源矩阵电致发光显示装置，包括显示像素阵列，每个像素包括电致发光显示元件；驱动晶体管，用于驱动流经显示元件的电流；储能电容器，用于储存寻址驱动晶体管的电压；与储能电容器耦合的门控(gated)光敏部件，用于根据显示元件的光输出使储能电容器放电；以及反相器，其输出与门控光敏部件的栅极耦合，其输入与储能电容器的一侧耦合，该反相器操作成当储能电容器一侧的电压达到预定水平时，快速接通控光敏部件以便使储能电容器放电。
因此在该装置中，门控光敏部件的栅极不再与EL元件的阳极耦合。相反地，该栅极的电压由反相器根据储能电容器的电压进行控制。这样可以显著地改善显示装置的性能以及产生的显示的质量。特别地，可以避免在像素驱动晶体管的阈值电平变化的影响，即导致不均匀的问题。此外，可以避免在已知的像素电路的操作中与EL元件的阈值电压的相关性，该相关性随着EL元件的老化而增大。本发明中装置的像素电路在提供“脱离(snap off)”动作方面可以按照与已知的像素电路相似的方式操作，由此当门控光敏部件接通时，可以快速停止EL元件的光输出。然而，和仅仅使用如已知的像素电路中的光电晶体管所获得的“脱离”动作相比，使用本发明的像素获得的“脱离”动作可以大为改善，并且显著地实现了健壮的、更快速的切换动作。
门控光敏部件可以是光电晶体管，优选地是TFT结构或横向门控的光电二极管器件。可替换地该部件包括多种元件的组合，例如与标准的TFT并联耦合的NIP或PIN型光电二极管。
优选地，与传统的像素电路一样，驱动晶体管耦合在电源线和显示元件之间。然后门控光敏部件与储能电容器并联耦合在电源线和驱动晶体管的栅极之间。
此外，与传统的装置一样，每个像素包括一地址晶体管，其连接在输入信号线和像素输入之间，输入信号线如传送阳极电压的数据信号，该像素输入与储能电容器的一侧和驱动晶体管的栅极之间的节点耦合。
为了方便起见，输电线电源线可以用作反相器的电源电压，其它电源电压可由参考位源如接地线提供。
优选地，反相器是CMOS型反相器，因为这种反相器当其进行切换时可以仅使用电流。尽管由于不同反相器的TFTs的特征曲线会发生变化，使用两种传导型(p和n)的TFTs的反相器会引入一些不均匀，但是如果其仅仅连接在储能电容器的一侧和光敏部件的栅极之间就可以使用。
因此在一个优选实施例中，每个像素包括另一个电容器，其连接在反相器的输入和储能电容器的一侧之间，并且根据反相器的切换点电压在该电容上储存调节电压。通过这种方式，门控光敏部件的动作可以不依赖于可能在反相器的切换点电压中产生的变化而实现，从而根据在储能电容器的一侧出现的某一预定的电压电平可靠地控制门控光敏部件的操作。每个像素优选还包括切换晶体管，其连接在反相器的输入和输出之间，在寻址阶段期间反相器可操作成使得将该反相器保持在其切换点电压。
与传统的装置一样，在像素布置在多行中的情况下，其中每行的像素由通过各个行地址线提供的选择(门控)信号在寻址阶段选择，用于像素行的反相器的参考位源可以便利地由与相邻的像素行相联的行地址线提供。在传统的驱动方式中，将像素行的选择地址信号施加到相联的行地址导体一段相对短的行寻址周期，通常是相应于阵列中许多的像素行隔开的帧周期，对于其余的帧周期通常使行地址导体保持在低的、固定的电位，一般是地电位。
根据本发明的另一方面，提供一种有源矩阵电路，用于驱动电致发光元件的阵列，包括用于驱动多个显示元件的驱动电路阵列，每个驱动电路包括驱动晶体管，用于为显示元件提供驱动电流；储能电容器，储存用于寻址驱动晶体管的电压；与储能电容器耦合的门控光敏部件，用于根据入射到门控光敏部件上的光使储能电容器放电；以及反相器，其输出与门控光敏部件的栅极耦合，其输入与储能电容器的一侧耦合，该反相器操作成当储能电容器一侧的电压响应于入射到门控光敏部件上的光达到某一放电电平时，快速接通门控光敏部件以便使储能电容器放电。
现在以实例的方式，参考附图描述根据本发明的有源矩阵电致发光(E1)显示装置的多个实施例。
图1是根据本发明有源矩阵EL显示装置的一个实施例的简化示意图；图2和3示意性地示出了由已知形式的像素组成的等效电路；图4以图表的形式示出了图2和3的像素的操作；图5示意性地示出了在图1的装置中典型像素的等效电路；图6是示出了在图5的像素操作中的可能变化的图表；图7示出了根据本发明的像素电路的另一个实施例；图8示出了在图7的像素电路的操作中出现的各种波形；以及图9示出了图7的像素电路的一个应用实施例、在全部附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的元件。
参考图1，有源矩阵EL显示装置包括一具有规则隔开的像素行和像素列的矩阵阵列的面板，用方框10表示，每个矩阵阵列包括一EL显示元件20和一相联的驱动电路，该驱动电路可控制流经显示元件的电流。多个像素位于行(选择)和列(数据)地址导体或导线12和14的交叉集合之间的交点处。在此为了简单仅示出了一些像素。利用外围的驱动电路经由地址导体的集合可寻址像素10，所述驱动电路包括行扫描驱动电路16和与各导体集合的端部连接的列数据驱动电路18。
在帧周期中又利用由电路16施加到相关的行导体12上的选择脉冲信号寻址每个像素行，从而利用各个数据信号给行像素编程，所述数据信号可在跟随寻址周期的帧周期中确定它们各自的显示输出，所述数据信号由电路18并联地提供给多个列导体14。当寻址每行时，多个数据信号由电路18以适当同步的方式提供。
每个像素的EL显示元件20包括一有机发光二极管，这里表示为一个二极管元件(LED)，该发光二极管包括一对电极，在这对电极之间夹入了一层或多层有机电致发光材料的有源层。在该特殊实施例中，所述材料包括聚合物LED材料，尽管也可以使用其它的有机电致发光材料，例如低分子量的材料。可以在绝缘的基板表面上设置显示元件阵列和与其相联的有源矩阵电路。该基板由透明材料如玻璃制成，显示元件20的阴极或阳极由透明的导电材料如ITO形成，使得电致发光层产生的光可透射穿过这些电极。在WO96/36956中描述了可以用作EL材料的适当有机共轭聚合物材料的典型实例。在EP-A-0717446中描述了其它的低分子量有机材料的典型实例。
每个像素10的驱动电路包括一驱动晶体管，该驱动晶体管包括低温多晶硅TFT(薄膜晶体管)，其负责根据通过列导体14施加到像素上的数据信号电压来控制流经显示元件20的电流，所述列导体由各个像素列共用。该列导体14通过像素驱动电路中的地址TFT与电流控制的驱动TFT的栅极耦合，用于行像素的地址TFT的栅极都与各自的共同的行地址导体12连接。
尽管图1中没有示出，但是每个像素10行还以传统的方式共用一保持在预定电压的相应电源线和参考电位线，通常提供该参考电位线作为所有像素共同的连续电极。显示元件20和驱动TFT串联地在电源线和共同的参考电位线之间连接。该参考电位线例如可以是地电位，而电源线相对参考电位线可处于正电位，例如是大约12V。
现在描述的显示装置的特性通常与那些已知的装置相似。
图2示出了一种已知形式的像素电路，例如与WO01/20591中描述的一样。这里驱动TFT和地址TFT都包括p-沟道型器件，分别用22和26表示，电源线和参考电位线分别用32和30表示。当利用施加到行导体12的选择脉冲信号在各行寻址周期中使地址TFT26导通时，列导体14上的电压(数据信号)可以通过其余的像素。特别地，TFT26将列导体电压提供给电流源电路25，所述电流源电路包括驱动TFT22和连接在TFT22的栅极和电源线32之间的储能电容器24。从而，利用储能电容器24，即使在行寻址周期结束时断开地址TFT26之后，列电压也可以被提供给保持在该电压的TFT22的栅极，该电压构成一储存的控制值。这里驱动TFT22可实施为p-沟道型TFT，电容24可保持栅极-源极电压。这样可以得到恒定的流经TFT22的源极-漏极电流，从而可以提供期望的像素的电流源操作。流经显示元件20的电流由驱动TFT22调节，它是TFT22上的栅极电压的函数，该函数不依赖于由列电压、数据信号确定的储存的控制值。在行寻址周期结束时，在下一个帧周期中再次寻址像素之前，由储能电容器24保持的电压可维持显示元件在下一个驱动周期中的操作。因此TFT22的栅极和参考电位线32之间的电压可以确定流经显示元件20的电流，并且再控制像素的瞬间光输出电平。
已知的图2的像素电路还包括一放电光电二极管34，它是反向偏置的，并可响应于显示元件20发出的光，以及用于根据元件20发出的光通过在光电二极管中产生的光电流使储存在储能电容器24上的电荷衰减。光电二极管可使储存在电容24上的栅极电压放电，当TFT22上的栅极电压达到TFT的阈值电压时，显示元件20将不再发出光，储能电容器也会停止放电。从光电二极管34漏出的电荷的比率(rate)是显示元件光输出电平的函数，从而光电二极管34可用作一光敏反馈器件。
光电二极管的反馈布置可用于补偿显示元件老化的退化效果，由此会降低其在对于给定的驱动电流产生的光输出电平方面的操作效率。经过这种退化，已经被长时间剧烈驱动的显示元件将显示出减小的亮度，从而导致显示不均匀。通过适当控制在驱动周期中来自显示元件的积分的、总光输出，该光电二极管的布置可消除这些影响，其中驱动周期相应于在最大值处的帧周期。给显示元件通电以在驱动周期(其跟随寻址周期)中产生光的时间长度可根据现有的显示元件的驱动电流的发光电平的特性曲线以及所施加的数据信号电平进行调节，从而减小退化的影响。退化的、更暗的显示元件将导致像素驱动电路给显示元件通电一段时间，且通电时间比未退化的、更亮的显示元件的通电时间长，使得在装置操作的延长周期上保持相同的平均亮度。
驱动周期中的平均光输出取决于光电二极管34的效率，光电二极管在像素阵列上是高度均匀的，其不依赖于LED元件的效率。然而，所述输出也取决于驱动TFT22的阈值电压，并且因为该阈值电压会从像素到像素变化，所以可能产生显示不均匀。图2的像素电路还需要一高效的光电二极管和需要相对高峰值的亮度，以便实现适当平均的亮度，高效的光电二极管典型地是一非晶硅PIN型光电二极管。储存在储能电容器24上的电荷的衰减也意味着电路在大部分驱动周期中以相当低的亮度水平操作。因此电路可以低效率地操作LED，从而导致老化加剧。
图3示出了在WO01/20591中描述的使用光反馈的另一种形式的像素电路。在该电路中，光电二极管由低效率的光电晶体管36替代，该光电晶体管跨接在储能电容器24上，处于电源线30和驱动TFT22的栅极节点之间，而光电晶体管的栅极与驱动TFT22和LED元件20的阳极之间的节点连接。在这种布置中，包括一p沟道型器件的光电晶体管36可以用于反向偏压和反向响应从LED20输入的光而产生的光电流，并可用于使储能电容器24逐渐放电。随着流过TFT22的电流减小，在该操作阶段中LED阳极电压会降低，并且当达到某一阳极电压电平时，该电压电平相应于光电晶体管36的阈值电压电平，使光电晶体管36导通，从而释放储能电容器24上的其余电荷并断开驱动TFT22。这种光电晶体管的使用和阳极电压的移动以及获得的脱离动作有助于避免急剧升降的电流/在图2的像素电路中发现的光衰减。这种操作方式使得可以使用低效率的光敏元件，并允许更低峰值的亮度水平。
图4以图表的形式示出了在操作图2的像素电路操作的情况下的曲线A以及在操作图3的像素电路操作的情况下的曲线B中亮度L随时间T变化的不同。
尽管图3的像素电路具有许多优于图2的电路的优点，但是它也存在某些问题。典型地LED阳极电压最多仅能移动几伏特，这种受限制的电压变化意味着可以容易地就使光电晶体管36导通，因此很可能不能充当为一个开关。这意味着可能会折衷获得的微分老化补偿。此外，阳极电压随着LED元件的退化而增大，其部分电压可电容性地反冲回(kicked back)储能电容器上。因此，与LED元件20的阳极的连接不可避免地意味着LED元件的老化因素会反向耦合到电路中。此外，由于驱动TFTs22的特征曲线和从像素到像素的光电晶体管36的变化，可能导致电路不均匀。通过分析像素电路的电气特性可以检验后两个问题。这种分析表明在光电晶体管36导通时储能电容器24上的电压在某种程度上取决于驱动TFT22的阈值电压电平和迁移率以及光电晶体管36的阈值电压，它们可导致不均匀的问题，此外在某种程度上还取决于LED元件的阈值电压，因为该阈值电压随着老化会增大，从而引入微分老化元件。
根据本发明通过使用一反相器来控制光电晶体管的操作可以克服这些问题。和仅使用图3的电路中的光电晶体管所获得的相比，可以提供一种极大改善的脱离动作。
图5示出了一个根据本发明的像素电路的实施例。该电路包括一反相器50，其输出51与光电晶体管36的栅极耦合，其输入52与驱动TFT22的栅极(即远离电源线32的储能电容24的一侧)和光电晶体管36的一个端子之间的节点54耦合。
该电路的操作通常与图3的电路相似，通过地址TFT26在寻址周期中取决于沿导线14提供的数据信号的电压储存在储能电容器24上，且光电晶体管36可用于在跟随寻址周期的驱动周期中从储能电容器24泄漏电荷，这是因为在该周期期间从LED元件20发出的光将指向光电晶体管36的结果。然而，光电晶体管36的栅极不再与LED元件20的阳极连接，由光电晶体管36执行的脱离动作将由反相器50替代进行控制。当储能电容器24上的电压即节点54上的电压(其相应于反相器输入电压上的电压)达到预定的放电电平时，该放电电平相当于反相器的切换点电压，反相器输出电压将快速切换到接地，由此有效地使光电晶体管36导通以便使电容24完全放电。因此和图3电路中的切换动作相比，可以实现更加稳键的切换动作，因为反相器的切换动作是在两个明确可控的电压之间发生的，并且非常快。
尽管可以使用其它类型的反相器电路，但是CMOS型反相器是优选的。这里，提供p型和n型晶体管作为p型和n型TFTs。
然而，当考虑处于其切换点的反相器时，即当反相器输入电压等于其输出电压时，在处于该点的反相器中流经p型和n型TFTs的电流将相等，通过分析电气特性可以表示这点，即切换点取决于阈值电压和反相器的p型和n型TFTs两者的迁移率。因此，在图5的的简单电路中，会出现非均匀问题，如图6以图表形式示出的，其中对于具有变化的TFT参数的三种反相器绘出了反相器输入电压Vin和输出电压Vout之间的关系。正如所看到的，由Vin等于Vout的条件确定的切换点Vs可以变化。
为了获得定义明确的接通电压，图6中示出的特征曲线的斜率应该优选非常大，并且在理想条件下是垂直的。
图7示出了根据本发明的像素电路的第二实施例，其可以修改成对在上述切换点中的变化进行校正。图8示出了在该像素电路操作中出现的各种寻址波形的相对定时。该像素电路与图5的电路不同，其还包括一开关70和一电容72，其中所述开关70包括另一p沟道型TFT，并与反相器50的输入52和输出51连接，所述电容72连接在节点54和反相器输入之间。
TFT开关70的操作由施加到其相联的地址线74上的波形控制，当接通开关时，通过使Vin等于Vout，可以用于使反相器50保持处于其切换点Vs。在通过将门控信号施加给地址导体12使地址TFT26导通的同时，数据导体14保持在电压V(T)，在该电压期望的是光电晶体管36应该导通，即该电压可确定脱离动作。这样可以导致电容72充电成其电压与Vs-V(T)相等。然后断开开关TFT70，从而导致电荷储存在电容72上，之后使数据导体14移动到所需的数据信号电压电平V(O)，从而确定期望的来自像素的显示输出。当V(O)小于V(T)时，可降低给反相器50的输入52，使反相器的输出51很高，相应于应用实施例中的电源线32的电压，其可使光电晶体管36保持断开，正如在图8中用周期A表示的像素操作的寻址阶段内所需要的。在寻址阶段A的末尾，断开地址TFT26，之后，在驱动周期B中，像素以和前面描述的实施例相似的方式工作，所述实施例具有产生光输出以及在光电晶体管36中产生光电流的LED元件20，所述光电晶体管可使储能电容器24放电。如果反相器50的特性曲线接近于理想状态，也就是在图6中示出的特性曲线的斜率处于或者近似垂直，这可以通过仔细设计反相器电流来实现，那么反相器50的输出51将保持很高直到储能电容器24上达到电压值V(T)，此时反相器的输入52将等于Vs-V(T)+V(T)，也就是等于Vs。这样，当储能电容器24上的电压达到V(T)时，反相器会改变状态。这种状态的变化将使反相器的输出52处于低压，即接地，并导致脱离动作，由此使光电晶体管36导通而难以快速地使储能电容器24完全放电，从而导致LED元件20被断开，并且停止来自像素的光输出。
因此应该理解，该像素电路克服了如上所述的可能的不均匀问题，只要反相器50的特性足够陡(sharp)。因为只需要反相器50来驱动另一个适当大小的TFT的栅极，所以可以容易地实现这点。该电容性负荷将非常小，所以仅需要小的电流。因此，利用反相器中相对小尺寸的TFTs，可以获得一非常快的状态变化，其通常比一微秒更短。
图9示出了图7的像素电路的一个实际实施例。这里，反相器50包括一对相反导电型的TFTs，即一个p型和一个n型，该对TFTs串联地连接在电源线32和接地线90之间，其中所述电源线可提供用于保持晶体管36断开的高输出电平，所述接地线可提供使晶体管36导通的低输出电平。
应该理解，地址线12和74、接地线90和电源线30由同一行中的所有像素共用。为了这个目的，不使用单独的、专用的用于接地线90的导线，而是使用与相邻的、以前寻址过的像素行相联的地址导体12。为此，地址TFT26包括一n型器件。
尽管在上述实施例中，可以使用光电晶体管作为光敏反馈元件，但是可以设想也可以使用其它门控光敏部件，例如横向门控的PIN器件。也可以使用多个元件的组合，例如与TFT并联连接的PIN或NIP光电二极管，所述光电二极管可响应来自显示元件的光输出以便使储能电容器放电，所述TFT可响应反相器的输出。
此外，尽管这些示例性实施例使用p沟道型TFTs作为驱动TFTs22，可以设想可以使用n沟道型TFTs代替，因此这里使储能电容器放电的参考应该据此解释为与在寻址阶段中储存的电荷性质相关。
通过阅读目前的公开内容，对于本领域技术人员来说其它修改也是显而易见的。这种修改包括在有源矩阵电致发光显示装置和用于该显示装置的部件的领域中已经公知的其它特征，还包括可以用来替代或者添加到这里已经描述的特征的其它特征。
权利要求
1.一种有源矩阵电致发光显示装置，包括显示像素(10)的阵列，每个像素包括电致发光显示元件(20)；驱动晶体管(22)，用于驱动流经显示元件的电流；储能电容器(24)，用于储存用来寻址驱动晶体管的电压；与储能电容器(24)耦合的门控光敏部件(36)，用于根据显示元件的光输出使储能电容器放电；以及反相器(50)，其输出(51)与门控光敏部件(36)的栅极耦合，其输入(52)与储能电容器(24)的一侧耦合，该反相器操作成当储能电容器一侧的电压达到预定电平时，快速接通门控光敏部件以便使储能电容器放电。
2.根据权利要求1的显示装置，其中驱动晶体管(22)连接在电源线(32)和显示元件(22)之间。
3.根据权利要求2的显示装置，其中门控光敏部件(36)与储能电容器并联地连接在电源线(32)和驱动晶体管(22)的栅极之间。
4.根据权利要求3的显示装置，其中反相器(50)包括一对相反导电型的晶体管，所述晶体管串联地连接在第一电压输入(32)和第二电压输入(90)之间。
5.根据权利要求4的显示装置，其中电源线(32)为反相器提供第一电压输入。
6.根据权利要求4或5的显示装置，其中每个像素包括另一个电容(72)，其连接在反相器的输入(52)和储能电容器的一侧之间，并且根据反相器的切换点电压在其上储存调节电压。
7.根据权利要求6的显示装置，其中每个像素包括一切换晶体管(70)，其连接在反相器(50)的输入(52)和输出(51)之间，所述反相器在像素寻址阶段期间操作成使反相器保持在其切换点电压。
8.根据前述权利要求中任何一项的显示装置，其中每个像素还包括一地址晶体管(26)，其连接在输入信号线(14)和像素输入之间，所述像素输入与储能电容器(24)的一侧和驱动晶体管(22)的栅极之间的节点(54)耦合。
9.根据权利要求8的显示装置，其中像素(10)布置成多行和多列，并且各输入信号线(14)由像素列共用，其中每行中像素的地址晶体管(26)连接到各地址导体(12)并通过各地址导体(12)控制每行中像素的地址晶体管(26)。
10.根据权利要求9的显示装置，其中对于一行中像素的反相器(50)的电压输入由与相邻的像素行相关联的地址导体(90/12)提供。
11.根据前述权利要求中任何一项的显示装置，其中门控光敏部件包括一光电晶体管。
12.根据权利要求1至10中任何一项的显示装置，其中门控光敏部件包括一横向门控的光电二极管器件。
13.一种有源矩阵电路，用于驱动电致发光元件(20)的阵列，包括用于驱动多个显示元件的驱动电路(10)的阵列，每个驱动电路包括驱动晶体管(22)，为显示元件提供驱动电流；储能电容器(24)，储存寻址驱动晶体管(22)要使用的电压；与储能电容器耦合的门控光敏部件(36)，用于根据入射到门控光敏部件上的光使储能电容器放电；以及反相器(50)，其输出(51)与门控光敏部件(36)的栅极耦合，其输入(52)与储能电容器(24)的一侧耦合，所述反相器设置成当储能电容器一侧的电压响应于入射到门控光敏部件上的光达到某一放电电平时，快速接通门控光敏部件以便使储能电容器放电。
全文摘要
在有源矩阵电致发光显示装置中，每个像素(10)中提供一储能电容器(24)，用于储存寻址驱动晶体管(22)的电压，该驱动晶体管控制电致发光显示元件(20)的照明，还提供一门控放电光敏部件(36)，例如光电晶体管，用于根据显示元件的光输出使电荷储能电容器放电。门控光敏部件的操作由反相器(50)的输出控制，该反相器的输入与储能电容器的一侧耦合。当储能电容器达到预定的放电电压时，可以通过反相器的切换接通门控光敏部件(36)，由此快速地使电容放电并关断显示元件。以这种方式使用反相器可以确保快速、稳键以及适当控制的切换动作，从而停止光输出。
文档编号G09G3/32GK1816838SQ200480019090
公开日2006年8月9日 申请日期2004年6月23日 优先权日2003年7月2日
发明者D·A·菲什 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司