专利名称：有机电致发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光器件，更具体地，涉及一种有源矩阵有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术：
通常，有机电致发光器件(OLED)通过将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入到发射层中、组合电子和空穴、生成电子空穴对并将该电子空穴对从激发态转变为基态来发光。与液晶显示(LCD)器件相比，对于OLED不需附加光源来发光，因为电子空穴对在这两种状态之间的转变可以导致发光。因此，可以减小OLED的尺寸和重量。OLED具有其它优异的特性，例如低功耗、高亮度和快的响应时间。因为这些特性，所以OLED被认为是用于下一代消费者电子设备(例如，便携式电话、车辆导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、摄像机和掌上电脑)的有前景的显示器。另外，由于制造OLED是具有较少处理步骤的简单工艺，所以与LCD器件相比，制造OLED更廉价。
存在两种不同类型的OLED无源矩阵和有源矩阵。尽管无源矩阵OLED和有源矩阵OLED都具有简单的结构，并且通过简单的制造工艺形成，但是无源矩阵OLED需要相对高的功率来进行操作。此外，无源矩阵OLED的显示器尺寸受到其结构的限制。另外，当导线的数量增加时，无源矩阵OLED的孔径比减小。相反，有源矩阵OLED非常高效，并且对于大显示器可以通过相对较低的功率生成高质量图像。
图1是根据现有技术的OLED的示意性剖视图。在图1中，在第一基板12上形成包括薄膜晶体管(TFT)T的阵列元件14。在阵列元件14上形成第一电极16、有机电致发光层18和第二电极20。有机电致发光层18对于各个像素区域可以分别显示红色、绿色和蓝色。第二基板28与第一基板12相对，并与第一基板12间隔开。
第一基板12和第二基板28通过密封剂26彼此接合。通过将第一基板12与第二基板28接合来封装OLED。第二基板28包括吸湿材料22，用于除去可能渗入到有机电致发光层18的封装(capsule)中的水分和氧。在对第二基板28的一部分进行蚀刻后，使用吸湿材料22填充所蚀刻的部分，并且通过固定元件25来固定所填充的吸湿材料。
图2是根据现有技术的OLED的等效电路图。在图2中，选通线36与数据线49交叉，并且位于选通线36和数据线49的交叉点处的开关元件TS与选通线36和数据线49相连。驱动元件TD将开关元件TS电连接到有机电致发光二极管DEL。由于驱动元件TD是正型晶体管，所以存储电容器CST形成在驱动元件TD的驱动栅极34和驱动源极52之间。有机电致发光二极管DEL与电源线62相连，并且驱动漏极可以与有机电致发光二极管DEL的阳极相连。
当向开关元件TS的开关栅极32施加选通线36的扫描信号时，通过开关元件TS将数据线49的图像信号施加给驱动元件TD的驱动栅极34。通过施加给驱动栅极34的图像信号对驱动元件TD的电流密度进行调制。结果，有机电致发光二极管DEL可以多个灰度级显示图像。另外，因为将存储在存储电容器CST中的图像信号施加给驱动栅极34，所以即使在开关元件TS截止时，流入有机电致发光二极管DEL中的电流密度也可以保持均匀，直到施加下一图像信号位置。开关元件TS和驱动元件TD可以是多晶硅TFT或者非晶硅TFT。制造非晶硅TFT的工艺比制造多晶硅TFT的工艺简单。
图3是表示用于根据现有技术的OLED的一个像素区域的包括非晶硅TFT的开关元件和驱动元件的示意性剖视图。在图3中，沿第一方向在基板30上形成选通线36，数据线49沿第二方向与选通线36交叉以限定像素区域P，并且电源线62与数据线49平行设置并与选通线36交叉。与像素区域P相邻的开关元件TS与选通线36和数据线49相连。驱动元件TD与开关元件TS相连。另外，开关元件TS包括开关栅极32、开关半导体层56、开关源极48和开关漏极50。驱动元件TD包括驱动栅极34、驱动半导体层58、驱动源极52和驱动漏极54。具体地，驱动栅极34与开关漏极50相连，驱动源极52与电源线62相连，并且驱动漏极54与(图2的)有机电致发光二极管DEL的第一电极66相连。开关半导体层56和驱动半导体层58可以由非晶硅形成。
非晶硅驱动TFT应具有较大的宽长比(W/L比)，以驱动(图2的)有机电致发光二极管DEL。在这种情况下，驱动元件TD的尺寸远大于开关元件TS的尺寸，以向有机电致发光二极管DEL提供足够的电流。
因此，为了获得大的宽长比(W/L比)，驱动源极52和驱动漏极54包括沿第一方向的第一驱动源极52a和第一驱动漏极54a，以及分别从第一驱动源极52a和第一驱动漏极54a沿第二方向延伸的例如指形的第二驱动源极52b和第二驱动漏极54b。这里，第二驱动源极52b与第二驱动漏极54b交替。
图4是表示根据现有技术的第一示例的OLED的驱动元件的示意性平面图。
在图4中，驱动元件TD包括驱动栅极34、驱动栅极34上方的驱动半导体层58、驱动半导体层58上的驱动源极52以及驱动半导体层58上与驱动源极52间隔开的驱动漏极54。尽管没有示出，但是驱动半导体层58包括本征非晶硅的驱动有源层(active layer)以及在该有源层上的掺杂非晶硅的驱动欧姆接触层。在驱动源极52和驱动漏极54之间的驱动有源层的暴露部分用作电子或空穴经过的沟道。当宽长比(W/L比)增加时，导通电流(on current)特性相应地改善。因此，为了获得该优点，将驱动源极52和驱动漏极54形成为多个指形。此时，在驱动源极52和驱动漏极54下面的驱动栅极34形成有开口部分OP，以使驱动栅极34与驱动源极52和驱动漏极54之间的重叠部分最小。更具体地，利用该结构以减小由于重叠部分引起的寄生电容。
下面，将参照具体数值来说明根据驱动栅极34以及驱动源极52和驱动漏极54的结构。
当被定义为驱动源极52和驱动漏极54之间的距离的沟道长度L为大约6微米，并且驱动栅极34与驱动源极52和驱动漏极54之间的重叠宽度为大约3微米时，驱动栅极34的最小宽度应大约为12微米。因此，彼此相邻的多个驱动栅极34图案之间的距离为大约6微米，并且驱动源极52和驱动漏极54之间的距离为大约6微米。另外，驱动源极52和驱动漏极54的宽度应分别为至少大约12微米。这里，与驱动栅极34的最外层部分重叠的驱动源极52的最外侧部分对应于大约6微米。
因此，可以如下计算图4的驱动元件TD的宽度驱动源极52的宽度(6微米×2)+12＝24微米驱动源极54的宽度12微米×2＝24微米驱动元件TD的总沟道长度L6微米×4＝24微米因此，驱动元件TD的宽度24微米×3＝72微米因此，当将驱动源极52和驱动漏极54形成为具有指形形状，并且驱动栅极34形成有开口部分OP时，驱动元件TD的宽度可以为大约72微米。作为现有技术的另一示例，将环形的驱动元件TD用于增大宽长比(W/L比)。
图5是表示根据现有技术的第二示例的OLED的驱动元件的示意性平面图。
在图5中，驱动元件TD包括驱动栅极80、驱动栅极80上方的驱动半导体层82、驱动源极83以及驱动半导体层82上与驱动源极83间隔开的驱动漏极86。这里，驱动栅极80具有第一环形，并且驱动源极83具有与驱动栅极80的第一环形的最外侧部分重叠的第二环形。驱动源极83包围具有椭圆形状的驱动漏极86，该驱动漏极86覆盖驱动栅极80的开口部分OP。
另外，该结构应形成为获得大的宽长比(W/L比)，因此与(图3的)开关元件TS相比，环类的驱动元件被制造为过大的尺寸。因此，由于驱动元件TD的尺寸在(图3的)像素区域P中占据了大部分区域，所以减小了显示区域。因此，难于制造具有高孔径比和高分辨率的OLED。
发明内容
因此，本发明致力于一种OLED及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的局限性和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有高孔径比和高分辨率的OLED。
本发明的另一目的是提供一种通过减小驱动元件的宽度来制造具有高孔径比和高分辨率的OLED的方法。
本发明的另一目的是提供一种OLED，其可以实现足够的存储电容而无需附加的存储电容。
本发明的另一目的是提供一种制造OLED的方法，该OLED通过形成与驱动源极和驱动漏极相对应的驱动栅极(在驱动源极和驱动漏极之间具有间隔)，使用驱动栅极与驱动源极和驱动漏极之间的重叠部分来获得足够的存储电容，而无需附加的存储电容。
在以下说明书中将阐述本发明的其他特征和优点，其部分地通过说明书变得明了，或者可以通过对本发明的实践而习得。通过所撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构，可以实现并获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如具体实施和广泛描述的，一种有机电致发光器件包括基板上的选通线；数据线，其与该选通线交叉以限定像素区域；电源线，其与所述选通线和数据线之一交叉；开关元件，其包括与所述选通线相连的开关栅极、与所述数据线相连的开关源极、和与所述开关源极间隔开的开关漏极；驱动元件；以及有机电致发光二极管，其与所述驱动元件相连，所述驱动元件包括驱动源极，其与所述电源线相连，该驱动源极具有沿第一方向的第一驱动源极，以及沿与该第一方向交叉的第二方向从该第一驱动源极延伸的多个第二驱动源极；驱动漏极，其与所述驱动源极间隔开，该驱动漏极具有沿所述第一方向的第一驱动漏极，以及沿所述第二方向从所述第一驱动漏极延伸的多个第二驱动漏极，其中所述多个第二驱动源极与所述多个第二驱动漏极交替；以及驱动栅极，其与所述开关漏极相连，其中，其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对应。
在另一方面，一种有机电致发光器件包括基板上的选通线；数据线，其与该选通线交叉以限定像素区域；电源线，其与所述选通线和数据线之一交叉；开关元件，其包括与所述选通线相连的开关栅极、与所述数据线相连的开关源极、和与所述开关源极间隔开的开关漏极；驱动元件；以及有机电致发光二极管，其与所述驱动元件相连，所述驱动元件包括驱动源极，其与所述电源线相连，该驱动源极具有环形形状；驱动漏极，其与所述驱动源极间隔开，并由所述驱动源极包围；以及驱动栅极，其与所述开关漏极相连，其中，其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对应。
在另一方面，一种制造有机电致发光器件的方法，包括制备包括像素区域的基板，该像素区域具有开关区域和驱动区域；在所述基板上形成选通线、所述开关区域中的开关栅极、所述驱动区域中的驱动栅极，所述驱动栅极覆盖所述驱动区域；分别在所述开关栅极上形成开关半导体层，在所述驱动半导体层上形成驱动半导体层；形成与所述选通线交叉的数据线、与该数据线相连的开关源极、与该开关源极间隔开的开关漏极、具有沿第一方向的第一驱动源极以及沿与该第一方向交叉的第二方向从第一驱动源极延伸的多个第二驱动源极的驱动源极、以及与所述驱动源极间隔开的驱动漏极，该驱动漏极具有沿所述第一方向的第一驱动漏极以及沿所述第二方向从所述第一驱动漏极延伸的多个第二驱动漏极，并形成与所述开关漏极相连的驱动栅极，其中所述多个第二驱动源极与所述多个第二驱动漏极交替，并且其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对应；形成与所述选通线和数据线之一交叉的电源线，该电源线与所述驱动源极相连；以及形成与所述驱动元件相连的有机电致发光二极管。
在另一方面，一种制造有机电致发光器件的方法，包括制备包括像素区域的基板，该像素区域具有开关区域和驱动区域；在所述基板上形成选通线、所述开关区域中的开关栅极以及所述驱动区域中的驱动栅极，所述驱动栅极覆盖所述驱动区域；分别在所述开关栅极上形成开关半导体层，在所述驱动半导体层上形成驱动半导体层；形成与所述选通线交叉的数据线、与该数据线相连的开关源极、与该开关源极间隔开的开关漏极、具有环形形状的驱动源极、与所述驱动源极间隔开并由所述驱动源极包围的驱动漏极、以及与所述开关漏极相连的驱动栅极，其中，其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对应；形成与所述选通线和数据线之一交叉的电源线，该电源线与所述驱动源极相连；以及形成与所述驱动漏极相连的有机电致发光二极管。
应该理解，以上的概述和以下的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于说明本发明的原理，包含附图以提供对本发明的进一步理解，并将其并入构成说明书的一部分。在附图中图1是根据现有技术的OLED的示意性剖视图。
图2是根据现有技术的OLED的等效电路图。
图3是表示用于根据现有技术的OLED的一个像素区域的包括非晶硅TFT的开关元件和驱动元件的示意性剖视图。
图4是表示根据现有技术的第一示例的OLED的驱动元件的示意性平面图。
图5是表示根据现有技术的第二示例的OLED的驱动元件的示意性平面图。
图6是表示根据本发明的具有驱动元件的OLED的示例性示意放大平面图。
图7至图9是分别表示根据本发明第一至第三示例性实施例的OLED的驱动元件的示意性平面图。
图10是表示根据本发明第四示例性实施例的OLED的具有环形形状的驱动元件TD的示意性平面图。
图11A至11F、图12A至12F是分别沿图6中的线XI-XI和XII-XII截取的示意性剖视图，表示根据本发明实施例的OLED的驱动元件的制造工艺。
具体实施例方式
下面将详细描述本发明的所示实施例，附图中示出了其示例。只要可能，在所有附图中，使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。
图6是表示根据本发明的具有驱动元件的OLED的示例性示意放大平面图。
在图6中，选通线104沿第一方向形成在基板100上，数据线119沿第二方向与选通线104交叉以限定像素区域P，并且电源线132平行于数据线119设置并与选通线104交叉。与像素区域P相邻的开关元件TS与选通线104和数据线119相连。驱动元件TD与开关元件TS相连。此外，开关元件TS包括开关栅极102、开关半导体层110、开关源极120和开关漏极121。驱动元件TD包括驱动栅极106、驱动半导体层114、驱动源极122和驱动漏极123。具体地，驱动栅极106与开关漏极121相连，驱动源极122与电源线132相连，并且驱动漏极123与有机电致发光二极管DEL的第一电极166相连。开关半导体层110和驱动半导体层114可以由非晶硅形成。
更具体地，驱动源极122包括沿第一方向的第一驱动源极122a以及沿与第一方向交叉的第二方向从第一驱动源极122a延伸的多个第二驱动源极122b。驱动漏极123包括沿所述第一方向的第一驱动漏极123a以及沿所述第二方向从第一驱动漏极123a延伸的多个第二驱动漏极123b，其中，所述多个第二驱动源极122b与所述多个第二驱动漏极123b交替。
应该注意，驱动栅极106与开关漏极121相连，其中其间具有间隔的驱动源极122和驱动漏极123与驱动栅极106相对应。
即，由于与现有技术的驱动栅极34(图3)的宽度相比，根据本发明的驱动栅极106的宽度减小，所以可以通过与现有技术相同的宽长比(W/L比)来减小驱动元件TD的占用面积。因此，当将该结构应用于OLED的驱动元件TD时，可以实现高分辨率。
这里，将驱动栅极106与驱动源极122和驱动漏极123之间的重叠部分用于存储电容。
图7至9是分别表示根据本发明第一至第三示例性实施例的OLED的驱动元件的示意性平面图。
在图7中，驱动元件TD包括驱动栅极106、驱动栅极106上的驱动半导体层114、驱动半导体层114上的驱动源极122，以及驱动半导体层114上与驱动源极122间隔开的驱动漏极123，其中驱动栅极106具有与其间具有间隔的驱动漏极123和驱动源极122相对应的区域。换言之，驱动源极122和驱动漏极123的整个表面与驱动栅极106重叠。此时，第二驱动源极122b和第二驱动漏极123b的各个宽度均为作为最小宽度的大约6微米，并且被定义为第二驱动源极122b和第二驱动漏极123b之间的距离的沟道长度L为大约6微米。
如上所述，可以如下计算根据本发明第一实施例的驱动元件TD的宽度第二驱动源极122b的宽度6微米×3＝18微米驱动漏极123b的宽度6微米×2＝12微米驱动元件TD的总沟道长度L6微米×4＝24微米因此，驱动元件TD的宽度(18+12+24)微米＝54微米此时，沟道长度L与根据现有技术的沟道长度相同。另外，驱动元件TD的长度与根据现有技术的长度相同。因此，尽管驱动栅极106的宽度比现有技术的小，但是第二驱动源极122b和第二驱动漏极123b之间的距离和宽度可以保持为与现有技术的相同。因此，因为减小了驱动元件TD的宽度，所以可以获得较高的孔径比。此外，由于可以在不降低性能的情况下减小驱动元件的总体尺寸，所以可以使用根据本发明的驱动元件来制造具有高分辨率的OLED。
如图7所示，所述多个第二驱动源极122b中的最外侧第二驱动源极122b与所述多个第二驱动漏极123b中的最外侧第二驱动漏极123b位于周边部分中，其中最外侧驱动源极122b中的每一个具有与驱动栅极106重叠的第一部分和不与驱动栅极106重叠的第二部分。
在图8中，驱动源极222位于驱动栅极206的内部。这里，由于驱动栅极206的宽度至少为大约6微米，因此不会出现负效应。
在图9中，驱动元件TD与第一和第二实施例相比提供增大的宽长比(W/L比)，由于大的宽长比(W/L比)认为驱动元件TD大大改善了导通电流特性。
具体地，所述多个第二驱动源极322b中的最外侧第二驱动源极322b之一以及所述多个第二驱动漏极323b中的最外侧第二驱动漏极323b之一分别位于驱动元件TD的两个外侧。更具体地，所述最外侧第二驱动源极322b和所述最外侧第二驱动漏极323b之一中的每一个都具有与驱动栅极306重叠的第三部分和不与驱动栅极306重叠的第四部分。
这里，第二驱动源极322b和第二驱动漏极323b分别为三个，从而增加了其间的沟道数量。
例如，当第二驱动源极322b和第二驱动漏极323b之间的宽度为大约6微米，并且第二驱动源极322b和第二驱动漏极323b之间的沟道长度L为大约6微米时，可以如下计算驱动元件TD的宽度驱动源极322b的宽度6微米×3＝18微米驱动漏极323b的宽度6微米×3＝18微米驱动元件TD的总沟道长度L6微米×5＝30微米因此，驱动元件TD的宽度(18+18+30)微米＝66微米尽管根据第三实施例的该结构提供了比第一和第二实施例的结构大的沟道宽度，但是根据驱动源极322b和漏极323b之间的间隔数量的增加，其宽度小于现有技术的宽度。因此，在仍然减小驱动元件的总体尺寸的同时，与现有技术相比可以获得很大的宽长比(W/L比)。
因此，当驱动元件TD的导通电流增大时，可以使施加给驱动元件TD的电压应力最小。另外，由于驱动栅极306与驱动源极322b和驱动漏极323b之间的重叠尺寸大于根据现有技术的重叠尺寸，所以可以获得足够的存储电容。
图10是表示根据本发明第四示例性实施例的OLED的具有环形形状的驱动元件TD。
在图10中，驱动元件TD包括驱动栅极406、具有环形形状的驱动源极422、以及与驱动源极422间隔开并由驱动源极422包围的驱动漏极423，其中其间具有间隔的驱动源极422和驱动漏极423与驱动栅极406相对应。
另外，该实施例的优点在于，由于驱动栅极406的结构而使得可以获得很大的存储电容。
图11A至11F、图12A至12F是分别沿图6中的线XI-XI和XII-XII截取的示意性剖视图，表示根据本发明实施例的OLED的驱动元件的制造工艺。
在图11A和图12A中，在第一基板100中限定有像素区域P、开关区域S和驱动区域D。通过沉积并构图金属层(例如，铝(Al)、Al合金、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等)，在第一基板100上形成开关栅极102和驱动栅极106。尽管没有示出，但是开关栅极102与沿第一方向形成在第一基板100上的选通线相连。
应该注意，驱动栅极106被形成为与稍后形成的驱动源极和驱动漏极相对应。
在图11B和图12B中，栅极绝缘层108形成在具有开关栅极102和驱动栅极106的第一基板100上。通过沉积无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2))，来形成栅极绝缘层108。通过依次沉积并构图本征非晶硅和掺杂非晶硅，分别在开关栅极102和驱动栅极106上形成开关半导体层110和驱动半导体层114。因此，分别在开关半导体层110与驱动半导体层114之间以及开关栅极102与驱动栅极106之间形成栅极绝缘层108。开关半导体层110包括开关有源层109和开关欧姆接触层112。类似地，驱动半导体层114包括驱动有源层113和驱动欧姆接触层116。另外，栅极绝缘层108具有暴露驱动栅极106的一部分的栅极接触孔118(图11B)。
在图11C和图12C中，通过沉积并构图金属层，分别在开关半导体层110和驱动半导体层114上形成开关源极120和开关漏极121以及驱动源极122和驱动漏极123。具体地，开关源极120和开关漏极121与开关欧姆接触层112接触，并且驱动源极122和驱动漏极123与驱动欧姆接触层116接触。
驱动源极122包括沿第一方向的第一驱动源极122a(在图12C中未显示)，以及沿与第一方向交叉的第二方向从第一驱动源极122a延伸的多个第二驱动源极122b。驱动漏极123与驱动源极122间隔开，驱动漏极123包括沿第一方向的第一驱动漏极123a(在图12C中未显示)，以及沿第二方向从第一驱动漏极123a延伸的多个第二驱动漏极123b，其中该多个第二驱动源极122b与该多个第二驱动漏极123b交替，并且其间具有间隔的驱动源极122和驱动漏极123与驱动栅极106相对应。这里，驱动栅极106通过栅极接触孔118与开关漏极121相连。
接下来，分别去除开关源极120与驱动源极122之间以及开关漏极121和驱动漏极123之间的开关欧姆接触层112和驱动欧姆接触层116的一部分，以分别暴露出在开关欧姆接触层112和驱动欧姆接触层116的该部分下方的开关有源层109和驱动有源层113的一部分。
在图11D和图12D中，在包括开关源极120和开关漏极121以及驱动源极122和驱动漏极123的第一基板100上形成第一钝化层124。第一钝化层124具有暴露出驱动源极122的边缘部分的第一接触孔128。
在图11E和图12E中，通过沉积并构图导电层来形成电源线132(图12E)，并且该电源线132通过第一接触孔128与驱动源极122相连。然而，电源线132可以与驱动栅极106同时形成。
在图11F和图12F中，通过沉积诸如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，或者通过涂覆诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂的有机绝缘材料，来形成第二钝化层134。尽管在图11F和图12F中没有示出，但是第二钝化层134可以具有第二接触孔，驱动漏极123通过该接触孔与(图6的)第一电极166相连。
尽管没有示出，但是有机电致发光二极管与驱动元件TD相连。更具体地，有机电致发光二极管包括与驱动漏极123相连的第一电极、该第一电极上的有机电致发光层、以及该有机电致发光层上的第二电极。
当第一电极用作阴极时，其包括具有功函的透明导电材料。当第二电极用作阳极时，该第二电极可以由具有低功函的不透光(不透明)的导电材料制成。
尽管根据本发明实施例，驱动源极和驱动漏极之间的最小宽度为大约6微米，但是该宽度并不限于6微米。例如，其间的宽度可以大于大约6微米。
当根据本发明的OLED的驱动元件包括与其间具有间隔的驱动源极和驱动漏极相对应的驱动栅极时，可以减小驱动栅极的宽度，而不改变宽长比(W/L)。因此，可以实现使用驱动元件的具有高分辨率的OLED。
此外，当驱动栅极的宽度固定时，可以增加第二驱动源极和漏极的数量，以改善导通电流特性，从而可以获得稳定的驱动特征。
另外，可以利用驱动栅极与驱动源极和驱动漏极之间的增大的重叠面积作为存储电容。因此，不再需要另外的存储电容，并且可以提高生产率。
对于本领域技术人员，显然可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明的OLED及其制造方法进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等价物的范围内的本发明的这些修改和变化。
本发明要求于2004年8月10日在韩国提交的韩国专利申请No.2004-062689的优先权，在此通过引用将其并入。
权利要求
1.一种有机电致发光器件，其包括基板上的选通线；数据线，其与所述选通线交叉以限定像素区域；电源线，其与所述选通线和所述数据线之一交叉；开关元件；驱动元件，其包括驱动栅极，其与所述开关元件相连，该驱动栅极均匀地形成在所述基板上；驱动源极，其与所述电源线相连，该驱动源极具有沿第一方向的第一驱动源极，以及沿与该第一方向交叉的第二方向从该第一驱动源极延伸的多个第二驱动源极；驱动漏极，其与所述驱动源极间隔开，该驱动漏极具有沿所述第一方向的第一驱动漏极，以及沿所述第二方向从所述第一驱动漏极延伸的多个第二驱动漏极，其中所述多个第二驱动源极与所述多个第二驱动漏极交替，其中，其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对；以及有机电致发光二极管，其与所述驱动元件相连。
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述开关元件包括开关栅极，其与所述选通线相连；开关源极，其与所述数据线相连；以及开关漏极，其与所述开关源极间隔开，其中，所述驱动栅极与所述开关漏极相连。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个第二驱动源极的最外侧第二驱动源极与所述多个第二驱动漏极的最外侧第二驱动漏极位于周边部分中。
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述最外侧驱动源极中的每一个具有与所述驱动栅极重叠的第一部分，以及不与所述驱动栅极重叠的第二部分。
5.根据权利要求3所述的器件，其中所述驱动源极位于所述驱动栅极区域的内部。
6.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个第二驱动源极中的最外侧第二驱动源极之一以及所述多个第二驱动漏极中的最外侧第二驱动漏极之一分别位于所述驱动元件的相对的最外边缘。
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述最外侧第二驱动源极之一和所述最外侧第二驱动漏极之一中的每一个都具有与所述驱动栅极重叠的第三部分和不与所述驱动栅极重叠的第四部分。
8.根据权利要求1所述的器件，其中所述开关元件和所述驱动元件分别具有开关半导体层和驱动半导体层。
9.根据权利要求8所述的器件，其中所述开关半导体层和所述驱动半导体层包括非晶硅材料。
10.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个第二驱动源极中的每一个的宽度都为大约6微米。
11.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个第二驱动漏极中的每一个的宽度都为大约6微米。
12.根据权利要求1所述的器件，其中被定义为所述多个第二驱动源极中的一个与和所述多个第二驱动源极中的所述一个相对的所述多个第二驱动漏极中的一个之间的距离的沟道长度为大约6微米。
13.根据权利要求1所述的器件，其中所述有机电致发光二极管包括与所述驱动漏极相连的第一电极、该第一电极上的有机电致发光层、以及该有机电致发光层上的第二电极。
14.一种有机电致发光器件，其包括基板上的选通线；数据线，其与所述选通线交叉以限定像素区域；电源线，其与所述选通线和所述数据线之一交叉；开关元件；驱动元件，其包括驱动栅极，其与所述开关元件相连，该驱动栅极均匀地形成在所述基板上；驱动源极，其与所述电源线相连，该驱动源极具有环形形状；驱动漏极，其与所述驱动源极间隔开，并由所述驱动源极包围，其中，其间具有间隔的所述驱动源极和所述驱动漏极与所述驱动栅极相对；以及有机电致发光二极管，其与所述驱动元件相连。
15.根据权利要求14所述的器件，其中所述开关元件包括开关栅极，其与所述选通线相连；开关源极，其与所述数据线相连；以及开关漏极，其与所述开关源极间隔开。
16.根据权利要求14所述的器件，其中所述驱动源极的最外侧部分与所述驱动栅极位于周边部分中。
17.根据权利要求14所述的器件，其中所述开关元件和所述驱动元件分别具有开关半导体层和驱动半导体层。
18.根据权利要求17所述的器件，其中所述开关半导体层和所述驱动半导体层包括非晶硅材料。
19.根据权利要求14所述的器件，其中所述有机电致发光二极管包括与所述驱动漏极相连的第一电极、该第一电极上的有机电致发光层、以及该有机电致发光层上的第二电极。
20.一种制造有机电致发光器件的方法，包括制备包括像素区域的基板，该像素区域具有开关区域和驱动区域；在所述基板上形成选通线、所述开关区域中的开关栅极、以及所述驱动区域中的驱动栅极，其中所述驱动栅极均匀地形成在所述基板上；在所述开关栅极上形成开关半导体层，并在所述驱动栅极上形成驱动半导体层；形成与所述选通线交叉的数据线、与该数据线相连的开关源极、与该开关源极间隔开并与所述驱动栅极相连的开关漏极、具有沿第一方向的第一驱动源极以及沿与该第一方向交叉的第二方向从该第一驱动源极延伸的多个第二驱动源极的驱动源极、以及与所述驱动源极间隔开的驱动漏极，该驱动漏极具有沿所述第一方向的第一驱动漏极以及沿所述第二方向从所述第一驱动漏极延伸的多个第二驱动漏极，其中所述多个第二驱动源极与所述多个第二驱动漏极交替，并且其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对；形成与所述选通线和所述数据线之一交叉的电源线，该电源线与所述驱动源极相连；以及形成与所述驱动元件相连的有机电致发光二极管。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个第二驱动源极的最外侧第二驱动源极与所述多个第二驱动漏极的最外侧第二驱动漏极位于周边部分中。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述最外侧第二驱动源极中的每一个被形成为具有与所述驱动栅极重叠的第一部分，以及不与所述驱动栅极重叠的第二部分。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述最外侧第二驱动源极被形成为位于所述驱动栅极的内部。
24.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个第二驱动源极中的最外侧第二驱动源极之一以及所述多个第二驱动漏极中的最外侧第二驱动漏极之一分别被形成为位于所述驱动元件的两个外侧。
25.根据权利要求24所述的方法，其中所述最外侧第二驱动源极之一和所述最外侧第二驱动漏极之一中的每一个都被形成为具有与所述驱动栅极重叠的第三部分和不与所述驱动栅极重叠的第四部分。
26.根据权利要求20所述的方法，其中所述开关半导体层和所述驱动半导体层由非晶硅材料形成。
27.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个第二驱动源极中的每一个的宽度都为大约6微米。
28.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个第二驱动漏极中的每一个的宽度都为大约6微米。
29.根据权利要求20所述的方法，其中被定义为所述多个第二驱动源极中的一个与和所述多个第二驱动源极中的所述一个相对的所述多个第二驱动漏极中的一个之间的距离的沟道长度为大约6微米。
30.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述有机电致发光二极管的所述步骤包括形成与所述驱动漏极相连的第一电极；在该第一电极上形成有机电致发光层；以及在该有机电致发光层上形成第二电极。
31.根据权利要求20所述的方法，还包括以下步骤在所述开关栅极和所述驱动栅极与所述开关半导体层和所述驱动半导体层之间形成栅极绝缘层。
32.一种制造有机电致发光器件的方法，包括制备包括像素区域的基板，该像素区域具有开关区域和驱动区域；在所述基板上形成选通线、所述开关区域中的开关栅极、以及所述驱动区域中的驱动栅极，其中所述驱动栅极均匀地形成在所述基板上；在所述开关栅极上形成开关半导体层，并在所述驱动栅极上形成驱动半导体层；形成与所述选通线交叉的数据线、与该数据线相连的开关源极、与该开关源极间隔开并与所述驱动栅极相连的开关漏极、具有环形形状的驱动源极、以及与所述驱动源极间隔开并由所述驱动源极包围的驱动漏极，其中其间具有间隔的所述驱动源极和驱动漏极与所述驱动栅极相对；形成与所述选通线和所述数据线之一交叉的电源线，该电源线与所述驱动源极相连；以及形成与所述驱动漏极相连的有机电致发光二极管。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述驱动源极与所述驱动栅极位于周边部分中。
34.根据权利要求32所述的方法，其中所述开关半导体层和所述驱动半导体层由非晶硅材料形成。
35.根据权利要求32所述的方法，其中所述有机电致发光二极管包括与所述驱动漏极相连的第一电极、该第一电极上的有机电致发光层、以及该有机电致发光层上的第二电极。
36.根据权利要求32所述的方法，还包括以下步骤在所述开关栅极和所述驱动栅极与所述开关半导体层和所述驱动半导体层之间形成栅极绝缘层。
全文摘要
有机电致发光器件及其制造方法。一种有机电致发光器件，其包括驱动元件，该驱动元件具有驱动栅极，其与开关元件相连，该驱动栅极均匀地形成在基板上；驱动源极，其具有沿第一方向的第一驱动源极，以及沿与该第一方向交叉的第二方向从该第一驱动源极延伸的多个第二驱动源极；驱动漏极，其与驱动源极间隔开，该驱动漏极具有沿该第一方向的第一驱动漏极，以及沿该第二方向从该第一驱动漏极延伸的多个第二驱动漏极，其中该多个第二驱动源极与该多个第二驱动漏极交替，其中其间具有间隔的驱动源极和驱动漏极与驱动栅极相对。
文档编号G09G3/30GK1735294SQ2005100824
公开日2006年2月15日 申请日期2005年6月30日 优先权日2004年8月10日
发明者金京满, 高斗炫, 裵晟埈 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社