专利名称：背光开路保护电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及 一 种背光开路保护电路，特别是 一 种用于液晶 显示器的背光开路保护电路。
背景技术：
由于液晶显示器具有轻薄，耗电低和辐射少等特点，因此被广泛用于便携式DVD、可视音乐播放器、移动电话和笔记本 电脑等领域。由于液晶显示器中的液晶分子本身并不发光，因 此液晶显示器需要借助 一 背光模组发光来实现图像显示，通常 背光模组包括多个背光灯管和 一 调节该多个背光灯管工作电流 的脉宽调变集成电路，当一背光灯管工作出现意外，造成该脉 宽调变集成电路的输出负载开路时，该脉宽调变集成电路需要 一背光开路保护电路使其停止工作。请参考图1，是一种现有技术背光开路保护电路100的示意 图。该背光开路保护电路1 00包括四个检测电路110、 一输入电 路130、 一脉宽调变集成电路150和一控制开关170。每 一 检测电路 110包括 一 背光灯管 111和 一 检测输出端112。该输入电路130包括四个二极管131、四个偏置电阻132、 四个滤波电容135、 一第一晶体管1331、 一第二晶体管1332、 一第三晶体管1333和一第四晶体管1334。该第一晶体管1331 的源极接地，该第一晶体管1331的漏极连接到该第二晶体管 1332的源极，该第二晶体管 1332的漏极连接到该第三晶体管 1333的源极，该第三晶体管 1333的漏极连接到该第四晶体管 1334的源极，该第四晶体管1334的漏极是该输入电路130的输 出端。第 一 晶体管1331的栅极经由 一偏置电阻132和一滤波电 容135并联接地，一二极管131的负极连接到该第 一 晶体管1331
的栅+及，该二极管131的正+及作为该输入电路130的一输入端。 该第二晶体管1332、第三晶体管1333和第四晶体管1334的栅 极连接结构与该第一晶体管1331的栅才及连接相同。该四个二极 管131的正极分别作为该输入电路130的四个输入端，并分别 连接到检测输出端112。该脉宽调变集成电路1 50包括 一 电流采样端151，当该电流 采样端151被拉为低电压时，该脉宽调变集成电路150停止工 作。该控制开关170包括一第五晶体管171和一限流电阻172， 该第五晶体管171的源极接地，该第五晶体管171的漏极连接 到该脉宽调变集成电路150的电流采样端151,该第五晶体管 171的栅极和该第四晶体管1334的漏极皆经由该限流电阻172 连接到一 5V电源(脉宽调变集成电路150的一引脚)。正常工作时，该四个检测电路110的四个4企测输出端 112 电压分别输出信号四个高电压信号。该四个高电压信号通过该 四个二极管131使得该第一晶体管1331、第二晶体管1332、第 三晶体管1333和第四晶体管1334都开启，则该第四晶体管1334 的漏极被下拉为低电压，因此该第五晶体管1 71关闭。当任意 一 检测电路11 (H全测到背光灯管111为开路或对地短 路时，该检测电路110的检测输出端112产生一〗氐电压信号，该 低电压信号通过该二极管131使得该使得该第一晶体管1331、 第二晶体管1332、第三晶体管1333和第四晶体管1334之一关 闭，由于该第五晶体管171的栅极和该第四晶体管1334的漏极 都经由该限流电阻172连接到一电源。因此该第五晶体管171 的栅极为高电压，该第五晶体管171开启，于是同该第五晶体 管171漏极连接的该电流采样端151纟皮拉为4氐电压，该脉宽调 变集成电路150停止工作，实现背光开路保护功能。该背光开路保护电路IOO中，该输入电路130包括第 一 、第 二、第三、第四晶体管1331、 1332、 1333 、 1334四个晶体管， 结构比较复杂，且如果采用的背光灯管lll增多时，该输入电路 130还需要相应增加.晶体管数量，进一步增加成本
发明内容
为了解决现有技术背光开路保护电路结构较复杂的缺点， 有必要提供一种结构筒单的背光开路保护电路。一种背光开路保护电路，其包括至少两个背光灯开路检测 电路、 一脉宽调变集成电路、 一控制开关和一输入电路。该背 光灯开路检测电路包括 一 背光灯管和 一 检测输出端。该脉宽调 变集成电路包括 一 电流采样端，当该电流采样端被拉为低电压 时，该脉宽调变集成电路停止工作。该控制开关包括 一 笫 一 晶 体管。该输入电路包括至少两个第一二极管、至少两个输入电 阻、至少两个第一滤波电容、 一第一偏置电阻、 一第二晶体管 和一峰值检波电路。该峰值检波电路包括一第二二极管、 一第 二滤波电容和一第二偏置电阻。该第一晶体管的源极接地，该 第 一 晶体管的漏极连接到该脉宽调变集成电路的电流采样端， 该第 一 晶体管的栅极连接到 一 电源。该第一 二极管的正极连接 到该第二 二极管的正极，且第一 二极管与该第二 二极管之间的一电路节点经由该偏置电阻连接到该电源。每一 二极管的负极 分别串联 一 输入电阻后连接到 一 检测输出端。该第二 二极管的 负极连接到该第二晶体管的栅极，且分别经由该第二滤波电容 和第二偏置电阻接地。该第二晶体管的源极接地。该第二晶体 管的漏极连接到该第 一 晶体管的栅极。相较于现有技术，上述背光开路保护电路中的输入电路仅 包括一晶体管。且，即使增加背光灯管该背光开路保护电路也 不需要增加晶体管。因此，该背光开路保护电路结构简单，成 本较低。
图1是一种现有技术背光开路保护电路的电路图。图2是本发明背光开路保护电路一较佳实施方式的示意图。
具体实施方式
请参考图2，是本发明一较佳实施方式所揭露的一种背光开 路保护电路200的示意图。该背光开路保护电路200包括多个 背光灯开路检测电路210、 一输入电路230、 一脉宽调变集成电 路250和 一控制开关270。每一背光灯开路检测电路210包括一背光灯管211和一检 测输出端212。该脉宽调变集成电路250包括 一 电流采样端251,当该电流 采样端251被拉为低电压时，该脉宽调变集成电路250停止工 作。该控制开关270包括 一 第 一 晶体管271和 一 限流电阻272 ， 该笫一晶体管271的源极接地，该第一晶体管271的漏极连接 到该脉宽调变集成电路250的电流采样端251，该第一晶体管 271的栅极经由该限流电阻272连接到一 5 V直流电源，该5 V 直流电源由该脉宽调变集成电路250的 一 引脚提供。该输入电路230包括多个第一二极管231、多个输入电阻 232、多个第一滤波电容233、 一第一偏置电阻234、 一第二晶 体管235 、 一充电电容239和一峰值检波电路290。该峰值检波 电路290包括一第二二极管236、 一第二滤波电容237和一第 二偏置电阻238。该多个第一二极管231的正极都连接到该第二二极管236 的正极，且第一二极管231与该第二二极管236之间的 一 电路 节点经由该偏置电阻234连接到该5V直流电源。该多个第一 二 极管231的负极分别经由该第一滤波电容233接地，且该多个 第一二极管231的负极分别串联一输入电阻232后作为该输入 电路230的多个输入端。该输入电路230的每一输入端连接到 一检测输出端212。该第二二极管236的负极连接到该第二晶体 管235的栅极，且分别经由该第二滤波电容237和第二偏置电 阻238接地。该第二晶体管235的源极接地。该第二晶体管235 的漏极是该输入电路230的一输出端，其连接到该第一晶体管 271的栅极且经由该充电电容239接地。该充电电容239用于减 小该第 一 晶体管271的瞬间开启电流。该第一二极管231和第二极管236皆采用型号为SN4148的 二极管。该限流电阻272 、该输入电阻232 、该第 一 偏置电阻234和该第二偏置电阻238的电阻值分别为180KQ、 IOKQ、 IOOKQ、 470KQ。该第 一 滤波电容233和第二滤波电容237的电容值皆为 O.lpF。该第一晶体管271和第二晶体管235都是N型通道耗尽 型金属氧化物半导体场效晶体管(N-Channel depletion mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, N-MOSFET) 或其它可替代的NPN型双极晶体管。该脉宽调变集成电路250 是采用型号为OZ9910G的集成电路。该背光灯管211是冷阴极 荧光灯管(Cold Cathode Fluorescent Light, CCFL)。正常工作时，该多个背光灯开路检测电路210的多个检测 输出端212输出一幅度较大的第一灯管采样电流。该第一灯管 采样电流经由该输入电阻232和该第 一 滤波电容233积分后成 为 一 约3 V的直流高电压。然后该二 +及管231将该3 V直流高电 压抬升为3.7 V ，并经由该峰值检波电路290传输到该第二晶体 管235,使该第二晶体管235导通。则该第一晶体管271的栅极 经由导通的该第二晶体管23 5接地，被下拉为低电压，因此该 第一晶体管271关闭。该脉宽调变集成电路250正常工作。当任意一背光灯开路检测电路210检测到背光灯管211为 开路或对地短路时，该背光灯开路检测电路210的检测输出端 212输出 一幅度较小的第二灯管采样电流。该第二灯管采样电流 经由该输入电阻232和该第一滤波电容233积分后成为 一 小于 2V的直流电压。该小于2 V的直流电压经由该二极管23 1抬升， 然后经由该峰值检波电路290峰值检波后为一低电压，其不足 以使该第二晶体管23 5导通。由于该第 一 晶体管271的栅极连 接到该5V直流电源，该5V直流电源使得该第 一 晶体管271开 启，于是连接到该第一晶体管271漏极上的该电流采样端251 被拉为低电压，该脉宽调变集成电路250停止工作，实现背光 开路保护功能。相较于现有技术，该背光开路保护电路200中的输入电路 230仅仅包括一 个晶体管235,而且即使增加背光灯管211,该 背光开路保护电路200中的输入电路230也不需要增加晶体管 数量。因此，该脊光开踏保护电踏200鲒枸筒单，成本较低。
权利要求
1.一种背光开路保护电路，包括至少两个背光灯开路检测电路，每一背光灯开路检测电路包括一背光灯管和一检测输出端；一脉宽调变集成电路，其包括一电流采样端，当该电流采样端被拉为低电压时，该脉宽调变集成电路停止工作；一控制开关，该控制开关包括一第一晶体管，该第一晶体管的源极接地，漏极连接到该脉宽调变集成电路的电流采样端，栅极连接到一电源；一输入电路；其特征在于该输入电路包括至少两个第一二极管；至少两个输入电阻；至少两个第一滤波电容；一第一偏置电阻；一第二晶体管；和一峰值检波电路，其包括一第二二极管、一第二滤波电容和一第二偏置电阻；该第一二极管的正极连接到该第二二极管的正极，且第一二极管与该第二二极管之间的一电路节点经由该第一偏置电阻连接到该电源，每一第一二极管的负极经由该第一滤波电容接地，且每一第一二极管的负极分别串联一输入电阻后连接到一检测输出端，该第二二极管的负极连接到该第二晶体管的栅极，且分别经由该第二滤波电容和第二偏置电阻接地，该第二晶体管的源极接地，该第二晶体管的漏极连接到该第一晶体管的栅极。
2. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 背光开路保护电路进一步包括一限流电阻，该第 一晶体管的栅极 经由该限流电阻连接到该电源。
3. 如权利要求2所述的背光开路保护电路，其特征在于该，艮;充电阻的电阻〗直为180KQ。
4. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 第一和第二晶体管为N型通道耗尽型金属氧化物半导体场效晶体管。
5. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 第一和第二晶体管为NPN型双极晶体管。
6. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 输入电阻、第一偏置电阻和第二偏置电阻的电阻值分别为IOOKQ、 IOKQ、 470KQ。
7. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 第一滤波电容和第二滤波电容的电容值皆为O.lpFQ。
8. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 背光开路保护电路进一步包括一充电电容，该第二晶体管的漏极 经由该充电电容4妄i也。
9. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 电源为一 5V直流电源。
10. 如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于该 背光灯管是冷阴极荧光灯管。
全文摘要
本发明公开一种背光开路保护电路，其包括至少两个背光灯开路检测电路、一脉宽调变集成电路、一控制开关和一输入电路。该背光灯开路检测电路包括一检测输出端。该输入电路包括至少两个第一二极管、至少两个输入电阻、至少两个第一滤波电容、一第一偏置电阻、一晶体管和一峰值检波电路。该峰值检波电路包括一第二二极管、一第二滤波电容和一第二偏置电阻。该第一二极管的正极连接到该第二二极管的正极，且该第一二极管与该第二二极管之间的一电路节点经由该偏置电阻连接到一电源。每一第二二极管的负极分别串联一输入电阻后连接到一检测输出端。该第二二极管的负极连接到该晶体管的栅极，且分别经由该第二滤波电容和第二偏置电阻接地。该晶体管的源极接地。该晶体管的漏极经由该控制开关连接到脉宽调变集成电路。
文档编号G09G3/34GK101126847SQ20061006219
公开日2008年2月20日 申请日期2006年8月18日 优先权日2006年8月18日
发明者通 周, 鲁建辉 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司