专利名称：用于等离子体显示面板的多重模式切换器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多重模式切换器，特别涉及一种具有多重模式切换功能并且用于等离子体显示面板或其它应用产品的多重模式切换器。
背景技术：
在等离子体显示面板(plasma display panel，PDP)的驱动电路中的功率开关需要在三种工作模式下作用，第一种是关闭模式，第二种是完全开启模式，而第三种是可变电阻模式或大电阻模式。在现有技术中，一般需要至少两个功率开关才能在这三种工作模式下作用。
发明内容
本发明的目的是提供一多重模式切换器可以在三种不同工作模式之间切换，且仅具有一个功率开关，因此，可以减少功率开关的使用数量，进而降低成本，此外，由功率开关所造成的能量减损也能同步减少。
基于上述目的，本发明提供一种具有多重模式切换功能的多重模式切换器，包含有一输入信号接口，用以接收一第一输入信号与一第二输入信号，并产生一联合输入信号，一驱动电路，用以接收该联合输入信号并且相应地产生驱动信号，一电阻模式电路，耦接于该驱动电路的一第一输出点、一第一节点与一第二节点，以使该多重模式切换器在可变电阻模式或大电阻模式下运作，一完全开启模式电路，耦接于该第二输入信号、该驱动电路的第一输出点与该第二节点，以使多重模式切换器在完全开启模式下运作，以及一功率开关，耦接于该第一节点，该第二节点以及一第三节点，用以控制该多重模式切换器在关闭模式、完全开启模式、以及可变电阻模式或大电阻模式等模式之间进行切换。
为了更近一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而所述附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
图1是根据本发明的较佳实施例的多重模式切换器的功能方块图。
图2是图1所示的多重模式切换器的等效电路图。
图3是总结说明在本发明中，第一输入信号S1以及第二输入信号S2如何影响多重模式切换器作用的表格。
图4是根据本发明的另一较佳实施例的完全开启模式电路的电路图。
附图符号说明100多重模式切换器105可变电阻模式或大电阻模式电路110、110’完全开启模式电路120功率开关130驱动集成电路140输入信号接口S1第一输入信号S2第二输入信号IN联合输入信号R201、R202、R211、R212、R213、R214、R215、R221、R241电阻C201电容D211、D241、D242二极管VR201可变电阻Q211、Q212、Q221晶体管ZD221齐纳二极管A、B、C、D节点具体实施方式
请参考图1，图1是根据本发明的较佳实施例的多重模式切换器100的功能方块图。多重模式切换器100包含有一可变电阻模式或大电阻模式电路105，用以使多重模式切换器100在可变电阻模式或大电阻模式下运作、一完全开启模式电路110，以使多重模式切换器100在完全开启模式下运作、一功率开关120，以及一驱动集成电路130。其中，驱动集成电路130提供一输入信号接口140，用以接收系统的第一输入信号S1与第二输入信号S2，并产生一联合输入信号IN。此外，完全开启模式电路110也会接收第二输入信号S2以控制完全开启模式电路110的操作。
请参考图2，图2是图1所示的多重模式切换器100的等效电路图。可变电阻模式或大电阻模式电路105包含有电阻R201与R202、一电容C201，以及一可变电阻VR201。当第二输入信号S2是低电平，而且第一输入信号S1是高电平时，与驱动集成电路130的第一输出点耦接的节点C会是高电平。因此，功率开关120会经由可变电阻模式或大电阻模式电路105而被驱动。而在这种情况之下，节点A与节点B之间的电阻值会是可以变动的，并且可以经由调整可变电阻VR201来决定此可变电阻值。
完全开启模式电路110包含有电阻R211、R212、R213、R214与R215、一二极管D211，以及晶体管Q211与Q212。如图2所示，晶体管Q212的射极耦接于节点B，同时节点B也是驱动集成电路130的第二输出点。如果第二输入信号S2是高电平，而第一输入信号S1是低电平时，则节点C会是高电平，而且晶体管Q211与Q212也会被第二输入信号S2开启。与此同时，节点D的电平会经由晶体管Q211与Q212直接被节点C拉高。相反地，如果节点C是低电平，则节点D的电平会经由二极管D211与电阻R211直接被节点C拉低。
功率开关120包含有一晶体管Q221、一电阻R221，以及一齐纳二极管ZD221，不过电阻R221以及一齐纳二极管ZD221是非必须的。而输入信号接口140包含有一电阻R241，以及二极管D241与D242。其中，第一输入信号S1与第二输入信号S2分别经由二极管D241与D242的阳极输入。而输入信号接口140接收第一输入信号S1与第二输入信号S2，并产生一联合输入信号IN。
其中，图2所示，晶体管Q221是一N通道金属氧化物半导体(N-channelmetal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管，亦可为一绝缘栅极双载子接合晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)，而晶体管Q211与Q212分别为PNP型与NPN型晶体管，亦可为双载子接合晶体管(bipolarjunction transistor，BJT)。
请参考图3，图3是总结说明第一输入信号S1以及第二输入信号S2如何影响多重模式切换器100作用的表格。当第一输入信号S1以及第二输入信号S2均为低电平时(逻辑上为0)，则联合输入信号IN亦为低电平，而且节点C的电压值也为低电压值。这种情况代表晶体管Q211与Q221被关闭，而且由于晶体管Q221被关闭，节点A与B之间具有一开路。
当第一输入信号S1为高电平以及第二输入信号S2为低电平时，由于输入信号S1、S2其中之一为高电平，所以联合输入信号IN为高电平，而且节点C的电压值亦为高电压值。这种情况代表晶体管Q211被关闭，晶体管Q221被开启，而且功率开关120是经由可变电阻模式或大电阻模式电路105所驱动。因此，节点A与B之间具有一可变电阻值，其电阻值由可变电组VR201所决定。
当第一输入信号S1为低电平以及第二输入信号S2为高电平时，则联合输入信号IN也为高电平，而且节点C的电压值亦为高电压值。高电平的第二输入信号S2使得晶体管Q211以及Q221被开启，而且节点A与B之间的电阻值几乎等于0，也就是节点A与B之间接近短路的状态，以开启功率开关120。此外，如图3所示，第一输入信号S1以及第二输入信号S2均为高电平的情况并不存在，所以不需要定义。
请参考图4，图4是根据本发明的另一较佳实施例的完全开启模式电路110’的电路图。在图2所示的完全开启模式电路110中，晶体管Q212的射极耦接于节点B，而在完全开启模式电路110’中，晶体管Q212的射极耦接于地。
值得注意的是，本发明亦可用两个以上的多重模式切换器100平行耦合。这些多重模式切换器可以设定不同的电阻值，以用于等离子体显示面板或其它的应用产品。此外，当这些平行耦合的多重模式切换器都在完全开启模式时，它们可以一起在循环中共享电流。
综上所述，本发明提供一种可以在三种不同工作模式之间切换，且仅具有一个功率开关的多重模式切换器，而在现有技术中，需要至少两个功率开关才能在三种不同工作模式之间切换。因此，利用本发明可以减少功率开关的使用数量，进而降低成本。此外，由功率开关所造成的能量减损也能同步减少。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种具有多重模式切换功能的多重模式切换器，包含一输入信号接口，用以接收一第一输入信号与一第二输入信号，并产生一联合输入信号；一驱动电路，用以接收该输入信号接口所产生的该联合输入信号且相应地产生一驱动信号；一电阻模式电路，耦接于该驱动电路的一第一输出点、一第一节点与一第二节点，以使该多重模式切换器在可变电阻模式或大电阻模式下运作；一完全开启模式电路，耦接于该第二输入信号、该驱动电路的第一输出点与该第二节点，以使多重模式切换器在完全开启模式下运作；以及一功率开关，耦接于该第一节点、该第二节点与一第三节点，用以控制该多重模式切换器切换完全开启模式、以及可变电阻模式或大电阻模式等模式。
2.如权利要求1所述的多重模式切换器，其中，该电阻模式电路包含一第一电阻与一可变电阻，串联耦接于该驱动电路的第一输出点与该第二节点之间；以及一电容与一第二电阻，串联耦接于该第一节点与该第二节点之间。
3.如权利要求2所述的多重模式切换器，其中，该功率开关包含一晶体管，其具有一栅极，耦接于该第二节点，一第一端点，耦接于该第一节点，以及一第二端点，耦接于该第三节点。
4.如权利要求3所述的多重模式切换器，其中，该功率开关另包含一电阻，耦接于该第二节点与该第三节点之间。
5.如权利要求3所述的多重模式切换器，其中，该功率开关另包含一齐纳二极管，其具有一阴极，耦接于该第二节点，及一阳极，耦接于该第三节点。
6.如权利要求3所述的多重模式切换器，其中，该功率开关是一金属氧化物半导体场效晶体管或是一绝缘栅极双载子接合晶体管等功率组件。
7.如权利要求3所述的多重模式切换器，其中该完全开启模式电路包含一二极管与一第一电阻，串联耦接于该驱动电路的该第一输出点与该第二节点之间；一第一双载子晶体管，其具有一耦接于该驱动电路的第一输出点的射极；一第二电阻，耦接于该第二节点与该第一双载子晶体管的一集极之间；一第三电阻，耦接于该第一双载子晶体管的该射极与该第一双载子晶体管的一基极之间；一第四电阻，其具有一第一端点耦接于该第一双载子晶体管的该基极；一第二双载子晶体管，其具有一集极，耦接于该第四电阻的一第二端点，与一耦接于该第三节点的射极；以及一第五电阻，耦接于该第二双载子晶体管的一基极与该第二输入信号之间。
8.如权利要求7所述的多重模式切换器，其中，该完全开启模式电路的该二极管包含有一阴极，耦接于该驱动电路的第一输出点，以及一阳极，耦接于该完全开启模式电路的该第一电阻。
9.如权利要求5所述的多重模式切换器，其中该完全开启模式电路包含一二极管与一第一电阻，串联耦接于该驱动电路的第一输出点与该第二节点之间；一第一双载子晶体管，其具有一耦接于该驱动电路的第一输出点的射极之间；一第二电阻，耦接于该第二节点与该第一双载子晶体管的一集极之间；一第三电阻，耦接于该第一双载子晶体管的该射极与该第一双载子晶体管的一基极之间；一第四电阻，其具有一第一端点耦接于该第一双载子晶体管的该基极；一第二双载子晶体管，其具有一集极，耦接于该第四电阻的一第二端点，与一接地的射极；以及一第五电阻，耦接于该第二双载子晶体管的一基极与该第二输入信号之间。
10.如权利要求9所述的多重模式切换器，其中，该完全开启模式电路的该二极管包含一阴极，耦接于该驱动电路的第一输出点，以及一阳极，耦接于该完全开启模式电路的该第一电阻。
11.如权利要求1所述的多重模式切换器，其中，该第三节点耦接于该驱动电路的一第二输出点。
12.如权利要求1所述的多重模式切换器，其中，该输入信号接口包含一第一二极管，其具有一接收该第一输入信号的阳极，与一耦接于一输出点的阴极；一第二二极管，其具有一接收该第二输入信号的阳极，与一耦接于一输出点的阴极；以及一电阻，耦接于一输出点与地之间，其中，该联合输入信号由该输入信号接口产生于该输入信号接口的输出点。
全文摘要
多重模式切换器包含一输入信号接口，以接收第一输入信号与第二输入信号，并产生联合输入信号，一驱动电路，以接收联合输入信号并且相应地产生驱动信号，一电阻模式电路，耦接于驱动电路的第一输出点、第一节点与第二节点，以使该多重模式切换器在可变电阻模式或大电阻模式下运作，一完全开启模式电路，耦接于第二输入信号、驱动电路的第一输出点与第二节点，以使多重模式切换器在完全开启模式运作，及一功率开关，耦接于第一节点，第二节点与第三节点，以控制多重模式切换器在关闭模式、完全开启模式、与可变电阻或大电阻模式之间切换。
文档编号G09F9/313GK1885388SQ20061009410
公开日2006年12月27日 申请日期2006年6月22日 优先权日2005年6月22日
发明者林信彰, 陈弼先, 黄以民 申请人:中华映管股份有限公司