专利名称：显示基底、制造其的方法及具有其的显示装置的制作方法
技术领域：
本发明的示例性实施例涉及一种显示基底、制造该显示基底的方法及具有该显示基底的显示装置。更具体地讲，本发明的示例性实施例涉及一种具有改进的显示品质的显示基底、制造该显示基底的方法及具有该显示基底的显示装置。
背景技术：
在已经开发出的各种平板显示装置中，因为液晶显示装置较轻薄，而不像其他种类的显示装置那样，所以液晶显示装置广泛应用在产业中。此外，因为制造液晶显示装置较容易，所以液晶显示装置已应用在更加广阔的领域。
液晶显示装置分类为透射液晶显示装置、反射液晶显示装置和透反液晶显示装置。透射液晶显示装置利用从位于液晶显示面板背面的背光模组提供的光来显示图像。反射液晶显示装置利用从外部提供的外部光来显示图像。在没有外部光源的情况下，例如在室内环境下，透反液晶显示装置以利用从背光模组提供的光来显示图像的透射显示模式来工作。另一方面，在有外部光源的情况下，例如在室外环境下，透反液晶显示装置以利用反射光来显示图像的反射显示模式来工作。
在用于反射液晶显示装置和透反液晶显示装置的液晶显示面板中，形成微透镜图案，以提高自然光的反射性并增大视角。
通过执行感光有机层的沉积工艺，并通过执行曝光工艺和显影工艺来形成微透镜图案。这里，通过旋涂沉积的感光有机层产生不期望的效果，例如玻璃基底中心部分和边缘部分之间的厚度变化。当执行交联工艺例如感光有机层的曝光工艺、感光有机层的显影工艺等时，微透镜图案会变形。
因为上述问题，所以难以以精确的方法控制微透镜，从而使得提高液晶显示装置的反射性更加困难。
发明内容
示例性实施例提供了一种精确控制微透镜图案以提高光的反射性的显示基底。
示例性实施例提供了一种制造上述显示基底的方法。
示例性实施例提供了一种具有上述显示基底的显示装置。
示例性实施例提供了一种显示基底。该显示基底包括透明基底、像素层、有机绝缘层、透明电极和反射电极。像素层形成在透明基底上，像素层包括具有矩阵形状的像素部分。有机绝缘层形成在像素层上，并包括形成在有机绝缘层的上部上的深度不小于大约1.5微米(μm)的微透镜图案。透明电极形成在有机绝缘层上。反射电极局部地形成在透明电极上，以限定反射区和透射区。
示例性实施例提供了一种制造显示基底的方法。在制造显示基底的该方法中，包括具有矩阵形状的像素部分的像素层形成在透明基底上。包括深度不小于大约1.5μm的微透镜图案的有机绝缘层形成在像素层上。透明电极形成在有机绝缘层上。用于限定反射区和透射区的反射电极形成在透明电极上。可通过使用有机绝缘层片来形成有机绝缘层。
示例性实施例提供了一种显示装置。该显示装置包括显示基底、相对基底和液晶层。显示基底包括有机绝缘层、透明电极和反射电极。有机绝缘层包括深度不小于大约1.5μm的微透镜图案。透明电极形成在有机绝缘层上。反射电极局部地形成在透明电极上，以限定反射区和透射区。相对基底面向显示基底。液晶层设置在显示基底和相对基底之间。
通过结合附图来详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其他特点及优点将变得更加清楚，其中图1是示出根据本发明的显示基底的示例性实施例的平面图；图2是示出沿着图1中的I-I′线截取的显示装置的剖视图；图3是示出图2中的“A”部分的放大剖视图；图4是示出使用测量积分球反射性的设备根据微透镜图案232的深度A1的光的反射性的示例性实施例的模拟曲线图；图5是示出用于形成图2中的有机绝缘层的有机绝缘层片的示例性实施例的剖视图；
图6至图10是示出根据本发明的制造显示基底的方法的示例性实施例的剖视图。
具体实施例方式
以下参照附图来更加充分地描述本发明，在附图中，示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并不应该被解释为局限于在此阐述的示例性实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开更加彻底和完全，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为清楚起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
应该理解，当元件或层被称作在另一元件或层之“上”或“连接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层之上，直接连接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件或层被称作“直接”在另一元件或层之“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的标号始终指代相同的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和全部组合。
应该理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在这里可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分区别于另一区域、层或部分。因此，在不脱离本发明教导的情况下，下述的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述如附图中示出的一个元件或零件相对于另一元件或零件的关系，在这里可使用空间相对术语，例如“上”、“下”等。应该理解，空间相对术语意在除包括附图中示出的方位之外，还包括使用中或运行中的装置的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或零件之“下”的元件将随后被定向为在其他元件或零件之“上”。因此，示例性的术语“在...之下”可包括上和下两种方位。可另外定向装置(旋转90度或在其他方位上)，并相应地解释在这里使用的空间相对描述符。
在这里使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不意在成为本发明的限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地表明，否则单数形式意在也包括复数形式。还应理解，当术语“包括”和/或“包含”用在本说明书中时，特指所述的零件、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，并不排除存在或添加一个或多个其他零件、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照剖视图来描述本发明的示例性实施例，剖视图是本发明理想实施例(和中间结构)的示意性说明。由此，将预料的是由例如制造技术和/或公差导致的图例形状的变化。因此，本发明的示例性实施例不应该被解释为局限于在这里示出的区域的特定形状，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意在示出装置的区域的实际形状，且不意在限制本发明的范围。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应理解，除非在这里特别定义，否则比如在通用词典中定义的术语应被解释为其含义与它们在相关领域的上下文中的含义一致，将不以理想化或过度正式的含义来解释。
图1是示出本发明的显示基底的示例性实施例的平面图。图2是示出沿着图1中的I-I′线截取的显示装置的剖视图。
参照图1和图2，显示装置100包括显示基底200；相对基底300，面向显示基底200；液晶层400，设置在显示基底200和相对基底300之间。
显示基底200包括反射区RR和透射区TR。在反射区RR中，从显示装置100的上侧入射的自然光被反射。在透射区TR中，从显示装置100的下侧入射的背光被透射。
显示基底200包括透明基底210、像素层220、有机绝缘层230、透明电极240和反射电极250。
透明基底210可包括透射光的透明材料。在一个示例性实施例中，透明基底210包括玻璃。
像素层220形成在透明基底210上。像素层220包括以基本上的矩阵形状布置在透明基底210上的像素部分221。
像素层220包括栅极线222、栅极绝缘层223、数据线224、薄膜晶体管225和钝化层226。
栅极线222形成在透明基底210上，以限定图1中的像素部分221的上侧和下侧。
栅极绝缘层223形成在透明基底210上，以覆盖栅极线222。在一个示例性实施例中，栅极绝缘层223包括氮化硅层或氧化硅层。
数据线224形成在栅极绝缘层223上，以限定图1中的像素部分221的左侧和右侧。
薄膜晶体管225连接到栅极线222和数据线224，并形成在像素部分221中。薄膜晶体管225响应于通过栅极线222传输的扫描信号来将图像信号施加到透明电极240。
薄膜晶体管225包括栅电极G、活性层227、源电极S和漏电极D。
栅电极G连接到栅极线222。栅电极G用作薄膜晶体管225的栅极接线端。
对应于栅电极G的位置和/或尺寸，活性层227形成在栅极绝缘层223上。活性层227包括半导体层227A和欧姆接触层227B。在示例性实施例中，半导体层227A可包括非晶硅。欧姆接触层227B可包括重掺杂有n型杂质的非晶硅。
源电极S连接到数据线224。源电极S形成为延伸至活性层227的上部。源电极S用作薄膜晶体管225的源极接线端。
漏电极D形成在活性层227上，并与源电极S隔开。漏电极D用作薄膜晶体管225的漏极接线端。漏电极D通过接触孔228连接到透明电极240。接触孔228形成为穿过钝化层226和有机绝缘层230。
源电极S和漏电极D设置在活性层227上，且彼此隔开。通过源电极S和漏电极D之间的距离来限定薄膜晶体管225的沟道层。
钝化层226形成在形成有数据线224和薄膜晶体管225的栅极绝缘层223上。钝化层226覆盖数据线224和薄膜晶体管225。在一个示例性实施例中，钝化层226包括氮化硅层或氧化硅层。
有机绝缘层230形成在像素部分220上。用于暴露薄膜晶体管225的漏电极D的接触孔228形成为穿过有机绝缘层230和钝化层226。
微透镜图案232形成在有机绝缘层230的上部上，以提高被反射电极250反射的光的反射性并增大视角。
图3是示出图2中的“A”部分的放大剖视图。
参照图3，微透镜图案232包括具有基本上凹透镜形状的微透镜234。微透镜234以均匀的间隔布置为彼此保角(conformal)。在可选的示例性实施例中，微透镜234可具有凸透镜形状。
从外部入射的光的反射性受微透镜图案232的深度A1和微透镜234的直径A2的影响。从外部入射的光的反射性受微透镜图案232的深度A1的影响最大。
图4是示出使用测量积分球反射性的设备根据微透镜图案232的深度A1的光的反射性的示例性实施例的模拟曲线图。在图4中，A点表示微透镜图案的深度为0.8微米(μm)，B点表示深度为1.1μm，C点表示深度为1.4μm，D点表示深度为1.8μm，E点表示深度为2.3μm，F点表示深度为2.8μm，G点表示深度为3.1μm，H点表示深度为3.5μm。
参照图3和图4，当将微透镜234的直径A2固定为大约13.6μm长，并通过改变微透镜图案232的深度A1使用测量积分球的设备来执行模拟时，从A点至F点反射性增大，随后从F点至H点反射性急剧减小。随着微透镜图案232的深度A1在A点从0.8μm的深度增大至在F点2.8μm的深度，反射性也增大。同时，随着微透镜图案232的深度A1增大并超过2.8μm的深度，反射性减小。具体地讲，当微透镜图案232的深度A1在1.5μm至2.8μm的范围内时，反射性不小于大约80％。
有利地，当微透镜图案232的深度A1形成在大约1.5μm至2.8μm的范围内时，可提高从外部入射的自然光的反射性。
再次参照图1至图3，透明电极240形成在有机绝缘层230上。透明电极240形成在与各像素部分221对应的有机绝缘层230上。透明电极240通过穿过有机绝缘层230和钝化层226形成的接触孔228电连接到漏电极D。
透明电极240可包括透射光的透明导电材料。在一个示例性实施例中，透明电极240包括氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)。
反射电极250形成在透明电极240上。反射电极250可包括对光的反射性高的导电材料，以反射光。在示例性实施例中，反射电极250包括单层反射层或双层反射层。在一个示例性实施中，单层反射层包括铝钕层。在另一个示例性实施例中，双层反射层包括铝钕层和钼钨层。
反射电极250局部地形成在透明电极240上，以限定反射区RR和透射区TR。反射区RR是反射电极250存在的区域，透射区TR是去除反射电极250并暴露透明电极240的区域。透射区TR通过透射从显示装置的下侧入射的背光来提供用于显示图像的光。反射区RR是通过反射从显示装置的上侧入射的自然光来提供用于显示图像的光的区域。
透明电极240和反射电极250基本上均匀地形成在有机绝缘层230上，使得透明电极240和反射电极250的表面构造或轮廓与有机绝缘层230的表面构造或轮廓基本相同。反射层250的深度与有机绝缘层230的微透镜图案232的深度基本相同。
参照图2，相对基底300包括透明基底310、滤色器层320和共电极330。
透明基底310可包括透明材料，以透射光。在一个示例性实施例中，透明基底310包括玻璃。
滤色器层320形成在透明基底310面向显示基底200的表面上。滤色器层320可包括彩色像素例如红色、绿色、蓝色等，以实现彩色。
在可选的示例性实施例中，滤色器层320可形成在显示基底200上。
共电极330形成在滤色器层320上，以面向显示基底200。共电极330可包括透明导电材料，以透射光。在一个示例性实施例中，共电极330包括氧化铟锌或氧化铟锡。
液晶层400具有这样的结构，即，凭借这样的结构，具有光学和电学特性例如各向异性的折射系数、各向异性的介电常数等的液晶规则地布置在液晶层400中。通过在透明电极240和共电极330之间施加的电场来改变液晶层400中的液晶取向，从而控制光的透射率。
在示出的示例性实施例中，可通过有机绝缘层片来形成具有微透镜图案232的有机绝缘层230。
图5是示出用于形成图2中的有机绝缘层230的有机绝缘层片的示例性参照图5，有机绝缘层片500包括基层510、有机绝缘层520和覆盖层530。
基层510包括基膜512和图案层514。在一个示例性实施例中，基膜512包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，并形成为具有大约50μm的厚度。在一个示例性实施例中，图案层514包括丙烯酰基树脂，并形成为具有大约4.5μm的厚度。与图2中示出的微透镜图案232对应的压纹图案(embossing pattern)516形成在图案层514上。压纹图案516具有凸透镜形状，压纹图案516形成为具有不小于大约1.5μm的高度。在一个示例性实施例中，压纹图案516形成为具有大约1.5μm至大约2.8μm的高度。
有机绝缘层520形成在图案层514上。在一个示例性实施例中，有机绝缘层520包括丙烯酰基感光树脂，有机绝缘层520形成为具有大约2.3μm的厚度。通过图案层514的压纹图案516来誊写(transcribe)有机绝缘层520，有机绝缘层520具有具有凹透镜形状的微透镜形成在有机绝缘层520上的结构。通过使用图案层514的誊写工艺来实现有机绝缘层520的形状，可精确地形成期望形状的有机绝缘层。
覆盖层530保护有机绝缘层520。在一个示例性实施例中，覆盖层530包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，并形成为具有大约25μm的厚度。
在下文，描述使用有机绝缘层片来制造显示基底的方法。
图6至图10是示出根据本发明的制造显示基底的方法的示例性实施例的剖视图。
参照图1至图6，像素层220包括具有矩阵形状的像素部分221，像素层220形成在透明基底210上。在示例性实施例中，第一金属层形成在透明基底210上。栅极线222和栅电极G形成在第一金属层上。在示例性实施例中，可通过对第一金属层执行照相工艺和刻蚀工艺来形成栅极线222和栅电极G。
栅极线222限定图1中的像素部分221的上侧和下侧。栅电极G连接到栅极线222，并用作薄膜晶体管225的栅极接线端。
栅极绝缘层223形成在形成有栅极线222和栅电极G的透明基底210上。在一个示例性实施例中，栅极绝缘层223包括氮化硅层或氧化硅层，栅极绝缘层223形成为具有大约4500的厚度。
在非晶硅层和重掺杂有n型杂质的非晶硅层形成在栅极绝缘层223上之后，活性层227对应于栅电极G形成在栅极绝缘层223上。在示例性实施例中，可通过照相工艺和刻蚀工艺将活性层227形成在栅极绝缘层223上。
活性层227包括半导体层227A和欧姆接触层227B。半导体层227A可包括非晶硅。欧姆接触层227B可包括高度掺杂有n型杂质的非晶硅。
在第二金属层形成在栅极绝缘层223和活性层227上之后，形成数据线224、源电极S和漏电极D。可通过照相工艺和刻蚀工艺来形成数据线224、源电极S和漏电极D。
数据线224限定图1中的像素部分221的左侧和右侧。源电极S连接到数据线224，并用作薄膜晶体管225的源极接线端。漏电极D与源电极S分开，并用作薄膜晶体管225的漏极接线端。
接下来，去除位于源电极S和漏电极D之间的欧姆接触层227B，并暴露半导体层227A。可通过蚀刻来去除欧姆接触层227B。
钝化层226形成在其上形成有数据线224、源电极S和漏电极D的栅极绝缘层223上。在一个示例性实施例中，钝化层226包括氮化硅层或氧化硅层，并形成为具有大约2000的厚度。
参照图7，将有机绝缘层片500设置在其上形成有像素层220的透明基底210上。如图7所示，将去除覆盖层530的有机绝缘层片500设置在透明基底210上，使得有机绝缘层520接触像素层220。
有机绝缘层片500层叠在像素层220上。可通过使用辊子540的碾压工艺来执行有机绝缘层片500的层叠。在示例性实施例中，辊子540的温度范围为大约100℃至大约140℃。
参照图8，在将有机绝缘层片层叠在像素层220上之后，对有机绝缘层520进行曝光。为了将有机绝缘层520图案化，在将具有预定图案的掩模550设置在有机绝缘层520的上方之后，曝光的光照射到有机绝缘层片500上。掩模550包括图案部分552，以透射或遮蔽曝光的光。如在示出的实施例中，为图案部分552设置掩模550，以与图2中的接触孔的位置对应。
参照图9，在对有机绝缘层520进行曝光之后，去除有机绝缘层500的基层510。
通过将剩余在像素层220上的有机绝缘层520显影来将有机绝缘层230形成在透明基底210上。这里，去除钝化层226和有机绝缘层520的通过掩模550的图案部分552没有被曝光的部分，以形成接触孔228。
微透镜图案232最终形成在有机绝缘层230的上表面上。在示例性实施例中，微透镜图案232的深度不小于大约1.5μm。在一个示例性实施例中，微透镜图案232的厚度大约为1.5μm至2.8μm，以提高反射性并增大视角。
通过使用具有标准化微透镜图案232的有机绝缘层片500来形成有机绝缘层230，可减小根据有机绝缘层230的位置的厚度变化，并可精确地制造微透镜图案232。
如上所述，当通过有机绝缘层片500来形成有机绝缘层230时，可解决通过旋涂法形成的传统的有机绝缘层的厚度不均匀的问题。
参照图1和图10，在透明导电层形成在有机绝缘层230上之后，可通过照相工艺和刻蚀工艺将透明电极240形成为与刻蚀的像素部分221对应。
透明电极240可包括透明导电材料，以透射光。在一个示例性实施例中，透明电极240包括氧化铟锌或氧化铟锡。
透明电极240通过形成在有机绝缘层230和钝化层226上的接触孔228电连接到薄膜晶体管225的漏电极D。
在对光的反射性高的金属层形成在透明基底240上之后，形成反射电极250。在示例性实施例中，可通过对金属层执行照相工艺和刻蚀工艺来形成反射电极250。反射电极250可包括对光的反射性高的导电材料。在一个示例性实施例中，反射电极250包括单层反射层或双层反射层。单层反射层可包括但不局限于铝钕层。双层反射层可包括但不局限于铝钕层和钼钨层。
反射电极250局部地形成在透明电极240上，以限定反射区RR和透射区TR。发射区RR是存在反射电极250的区域，透射区TR是去除反射电极250并暴露透明电极240的区域。
透明电极240和反射电极250基本上均匀地形成在有机绝缘层230上，使得透明电极240和反射电极250的表面构造与有机绝缘层230的表面构造基本相同。反射层250的深度与有机绝缘层230的微透镜图案232的深度基本相同。
在示出的示例性实施例中，深度不小于大约1.5μm的微透镜图案232形成在有机绝缘层上，使得可提高反射性，并可增大视角。
在示例性实施例中，使用具有标准化微透镜图案的有机绝缘层片来形成有机绝缘层，可减小根据有机绝缘层的位置的厚度变化，并可精确地制造微透镜图案。
本发明上面的描述是示出性的，并不被解释为受其限制。虽然已经描述了本发明的一些示例性实施例，但是本领域技术人员应该容易理解，在实质上不脱离本发明新的教导和优点的情况下，在示例性实施例中可进行许多更改。因此，所有这样的更改意在包含在由权利要求限定的本发明的范围内。在权利要求中，装置加功能的(means-plus-function)项意在覆盖在这里被描述为执行所述功能的结构，且不仅覆盖结构等同物，而且覆盖等同的结构。因此，应该理解，本发明前面的描述是示出性的，并不被解释为局限于公开的特定实施例，对公开的实施例的更改以及其他实施例意在包含在权利要求的范围内。通过权利要求以及其中包含的权利要求的等同物来限定本发明。
权利要求
1.一种显示基底，包括透明基底；像素层，形成在所述透明基底上，所述像素层包括具有矩阵形状的像素部分；有机绝缘层，形成在所述像素层上，所述有机绝缘层包括形成在所述有机绝缘层的上部上的深度不小于大约1.5μm的微透镜图案；透明电极，形成在所述有机绝缘层上；反射电极，局部地形成在所述透明电极上，并限定反射区和透射区，其中，所述有机绝缘层在所述透明基底的中心区域的高度和在所述透明基底的外围区域的高度基本相同。
2.如权利要求1所述的显示基底，其中，所述微透镜图案的深度为大约1.5μm至大约2.8μm。
3.如权利要求1所述的显示基底，其中，所述微透镜图案包括直径不大于大约13.6μm的凹微透镜。
4.如权利要求1所述的显示基底，其中，所述像素层包括栅极线，形成在所述透明基底上，所述栅极线限定所述像素部分的上侧和下侧；栅极绝缘层，形成在其上形成有栅极线的透明基底上；数据线，形成在所述栅极绝缘层上，所述数据线限定所述像素部分的左侧和右侧；薄膜晶体管，形成在所述像素部分中，并连接到所述栅极线和所述数据线；钝化层，形成在形成有所述数据线和所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上。
5.如权利要求4所述的显示基底，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极，连接到所述栅极线；活性层，形成在所述栅极绝缘层上，与所述栅电极对应；源电极，形成在所述活性层上，并连接到所述数据线；漏电极，形成在所述活性层上，并与所述源电极隔开，所述漏电极通过穿过所述钝化层和所述有机绝缘层形成的接触孔连接到所述透明电极。
6.一种制造显示基底的方法，包括在透明基底上形成包括具有矩阵形状的像素部分的像素层；使用有机绝缘层片在所述像素层上形成有机绝缘层，所述有机绝缘层包括深度不小于大约1.5μm的微透镜图案；在所述有机绝缘层上形成透明电极；在所述透明电极上局部地形成反射电极，以限定反射区和透射区。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述有机绝缘层片包括基层，包括基膜和图案层，所述图案层具有与所述微透镜图案对应的压纹图案；有机层，形成在所述图案层上；覆盖层，保护所述有机层。
8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述有机绝缘层的步骤还包括在形成有所述像素层的透明基底上设置去除了所述覆盖层的有机绝缘层片；将所述有机绝缘层片层叠在像素层上；将所述有机绝缘层图案化；去除所述基层。
9.如权利要求8所述的方法，其中，将所述有机绝缘层片层叠在所述像素层上的步骤包括使用温度为大约100℃至大约140℃的辊子的碾压工艺。
10.如权利要求7所述的方法，其中，所述有机绝缘层包括丙烯酰基感光树脂。
11.如权利要求7所述的方法，其中，所述基膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，其中，所述图案层包括丙烯酰基树脂。
12.如权利要求6所述的方法，其中，所述微透镜图案的深度为大约1.5μm至大约2.8μm。
13.如权利要求6所述的方法，其中，所述微透镜图案包括直径不大于大约13.6μm的凹微透镜。
14.如权利要求6所述的方法，其中，形成所述像素层的步骤包括在所述透明基底上形成栅极线，以限定所述像素部分的上侧和下侧；在形成有所述栅极线的透明基底上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成数据线，以限定所述像素部分的左侧和右侧；在所述像素部分中形成连接到所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管；在形成有所述数据线和所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成钝化层。
15.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述薄膜晶体管的步骤包括形成连接到所述栅极线的栅电极；在所述栅极绝缘层上形成活性层，与所述栅电极对应；在所述活性层上形成连接到所述数据线的源电极；在所述活性层上形成漏电极，并与所述源电极隔开，所述漏电极通过穿过所述钝化层和所述有机绝缘层形成的接触孔连接到所述透明电极。
16.一种显示装置，包括显示基底，包括有机绝缘层、透明电极和反射电极，所述有机绝缘层包括深度不小于大约1.5μm的微透镜图案，所述透明电极形成在有机绝缘层上，所述反射电极局部地形成在所述透明电极上以限定反射区和透射区；相对基底，面向所述显示基底；液晶层，介于所述显示基底和所述相对基底之间，其中，所述有机绝缘层在所述显示基底的中心区域的高度和在所述显示基底的外围区域的高度基本相同。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述微透镜图案的深度为大约1.5μm至大约2.8μm。
18.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述相对基底包括用以实现彩色的滤色器层；共电极，形成在所述滤色器层上，以面向所述显示基底。
19.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述反射电极的深度与所述微透镜图案的深度基本相同。
全文摘要
一种显示基底，包括透明基底、像素层、有机绝缘层、透明电极和反射电极。像素层形成在透明基底上，并包括具有矩阵形状的像素部分。有机绝缘层形成在像素部分上，并包括形成在有机绝缘层的上部上的深度不小于大约1.5μm的微透镜图案。透明电极形成在有机绝缘层上。反射电极局部地形成在透明电极上，以限定反射区和透射区。
文档编号G09F9/00GK1963648SQ200610128938
公开日2007年5月16日 申请日期2006年9月4日 优先权日2005年11月9日
发明者金钟声, 赵晟焕, 金宰贤 申请人:三星电子株式会社