专利名称：电光装置、其制造方法以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明，涉及例如通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板、在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶的液晶装置等的电光装置及其制造方法，以及具备有该电光装置的、例如液晶投影机等的电子设备的技术领域。
背景技术：
如公知地，电光装置，例如液晶装置，在由玻璃基板、石英基板等构成的2块基板间夹持液晶所构成，在一方的基板，矩阵状地配置例如多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下，称为TFT)等的开关元件及像素电极，并在另一方的基板配置对向电极，通过使夹持于两基板间的液晶层的光学特性相应于图像信号发生变化，而可以进行图像显示。
即，通过TFT等的开关元件而向排列成矩阵状的多个像素电极(ITO；Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)供给图像信号，向像素电极和对向电极相互间的液晶层施加基于图像信号的电压，使液晶分子的排列发生变化。由此，使像素的透射率发生变化，使通过像素电极及液晶层的光相应于图像信号发生变化而进行图像显示。
并且，配置有TFT的元件基板，和对向于该元件基板所配置的对向基板，分别制造，其后，在面板组装工序中，例如通过周状的密封材料高精度地(例如对准误差1μ以内)贴合。
若对该面板组装工序详细地进行说明，则首先，在各基板的制造工序中所分别制造的元件基板和对向基板的、与各液晶层相接触的面上，形成用于使液晶分子沿基板面进行取向的、例如由聚酰亚胺所构成的取向膜。其后，进行焙烘，进而，实施用于使电压未施加时的液晶分子的排列确定下来的摩擦处理。
接下来，在例如通过液晶封入方式，在元件基板和对向基板之间存在有液晶的情况下，在元件基板和对向基板的一方的基板上的密封材料涂敷区域以使得在一部分具有缺口的方式，大致周状地涂敷成为粘接剂的密封材料，采用该密封材料贴合元件基板和对向基板，接下来实施对准而压接固化之后，通过设置于密封材料的一部分的缺口封入液晶，缺口，通过因热等而固化了的封固材料所密封，从而组装好液晶装置。
如此的液晶装置的组装工序，为公知技术，例如已公开于特开平9-222612号公报(以下，称为专利文献1)中。在公开于专利文献1中的液晶装置中，提出下述技术在上述封固材料的形成工序中，在封固材料热固化时，对由于热在封固材料产生裂纹而导致封固材料从元件基板剥离的情况，通过在封固材料和元件基板之间，形成由透明电极构成的封固材料剥离防止图形来进行防止，使液晶装置的耐湿性提高。
可是，例如在元件基板的与液晶层相接触的面上形成了取向膜之后，取向膜的一部分，具体地，形成于配置于通过密封材料所包围的区域的有效像素区域外的取向膜，形成于为该取向膜的下层的膜的，例如由SiO2(二氧化硅)、BSG(硼硅酸盐玻璃即掺硼氧化膜)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃即掺硼磷氧化膜)等所构成的平坦化了的绝缘膜上。
但是，由聚酰亚胺所构成的取向膜和由上述的构件等所构成的绝缘膜，因为紧密接合性不好，所以若将组装好的液晶装置，在高湿条件下使用，则通过取向膜和绝缘膜之间，水分进入到有效像素区域内，由于该进入进来的水分，而有发生显示不匀的显示不佳的情况，存在使液晶装置的耐湿性降低的这样的技术性问题点。
进一步，在对取向膜进行摩擦处理的工序中，存在下述技术性问题点由于因该摩擦处理而从绝缘膜剥离下来的取向膜的尘埃，有在显示区域中发生附着筋状条纹等的摩擦不匀的情况。
再者，如此的问题点，并不限于绝缘膜，虽然由于取向膜和该取向膜的下层的膜的紧密接合性而发生，但是这些问题点，在公开于专利文献1中的液晶装置中，未进行任何考虑，期望谋求液晶装置整体的耐湿性提高的方法。
另一方面，液晶装置中的图像显示之时，入射光，因为除了液晶层之外还通过像素电极及对向电极等，所以为了进行高质量的显示而期望提高像素电极及对向电极的透射率。例如在特开2005-140836号公报(以下，称为专利文献2)中，公开了下述技术在紧接着地位于构成像素电极及对向电极的ITO膜的下方，通过敷设例如由氮化膜等构成的光学薄膜而使透射率提高。
但是，依照公开于专利文献2中的技术，存在下述技术性问题点起因于由氮化膜等构成的光学薄膜和由聚酰亚胺等构成的取向膜的界面紧密接合性低，装置的耐湿性低下。
发明内容
本发明，鉴于例如上述的问题点而作出，目的在于提供使取向膜和该取向膜的下层的膜之间的紧密接合性提高，防止水分向有效像素区域的进入而使耐湿性提高，并且能够防止取向膜在摩擦处理时从该取向膜的下层的膜的剥离的电光装置及其制造方法以及具备有该电光装置的电子设备。进而，目的在于提供维持耐湿性并能够提高透射率，可以进行高质量的显示的电光装置及其制造方法以及具备有该电光装置的电子设备。
本发明中的第1电光装置为了解决上述问题，通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；具备形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方的、紧接着地位于前述密封材料的下方的、使前述液晶进行取向的取向膜，和前述取向膜的下层的下层膜；在前述取向膜和前述下层膜之间的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域，形成与前述取向膜及前述下层膜紧密接合的透明导电膜。
依照本发明中的第1电光装置，能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的下层膜之间而从区域外进入到第1基板和第2基板的至少一方的通过密封材料所规定的区域。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和下层膜的紧密接合性提高，具有能够防止取向膜从下层膜的剥离的效果。
在本发明中的第1电光装置的一种方式中，在前述第1基板和前述第2基板的至少一方，形成外部连接用端子，在前述有效像素区域设置电极；前述透明导电膜，形成于前述取向膜和前述下层膜之间的除了前述外部连接用端子及前述电极的区域的整面。
依照该方式，透明导电膜不接触于外部连接用端子及有效像素区域的电极，而在外部连接用端子间、电极间不会发生短路，能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的下层膜之间而从区域外进入到第1基板和第2基板的至少一方的通过密封材料所规定的区域。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和下层膜的紧密接合性提高，具有能够防止取向膜从下层膜的剥离的效果。
在本发明中的第1电光装置的其他方式中，在前述下层膜的接触于前述透明导电膜的面的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域形成槽。
依照该方式，由于通过不仅透明导电膜而且还有槽，与没有槽的情况相比，对进入路径进行延长而能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的下层膜之间而从区域外进入到第1基板和第2基板的至少一方的通过密封材料所规定的区域。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，由于通过不仅透明导电膜而且还有槽而使取向膜和下层膜的紧密接合性提高，具有能够防止取向膜从下层膜的剥离的效果。
本发明中的第2电光装置为了解决上述问题，通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；具备形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方、紧接着地位于前述密封材料的下方的、使前述液晶进行取向的取向膜，和紧接着地位于前述取向膜的下方的下层膜；在前述下层膜的接触于前述取向膜的面的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域形成槽。
依照本发明中的第2电光装置，由于通过槽与没有槽的情况相比而对进入路径进行延长而能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的下层膜之间而从区域外进入到第1基板和第2基板的至少一方的通过密封材料所规定的区域。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，由于通过槽，而使取向膜和下层膜的紧密接合性提高，具有能够防止取向膜从下层膜的剥离的效果。
在本发明中的电光装置的其他方式中，前述下层膜，由绝缘膜所构成。
依照该方式，能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的密封材料的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和绝缘膜的紧密接合性提高，具有能够防止在摩擦处理时、取向膜从绝缘膜的剥离的效果。
在本发明中的电光装置的其他方式中，前述透明导电膜，是由ITO所构成的膜。
依照该方式，能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的密封材料的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和绝缘膜的紧密接合性提高，具有能够防止取向膜从绝缘膜的剥离的效果。
在形成上述的槽的方式中，也可以为前述槽，包围前述有效像素区域的周围地平面性地形成为周状。
在该情况下，能够可靠地防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜或透明导电膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。
在形成上述的槽的方式中，也可以前述槽，连接成闭环状所形成。
在该情况下，能够在电光装置的任何方向上都可靠地防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜或透明导电膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。
在形成上述的槽的方式中，也可以为前述槽，由多个所构成。
在该情况下，能够更加可靠地防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜或透明导电膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。
在形成上述的槽的方式中，也可以为前述第1基板和前述第2基板的至少一方的接触于前述密封材料的面，通过前述槽，剖面形状具有凹凸状。
另外，还可以为通过前述第1基板和前述第2基板的至少一方的接触于前述密封材料的面和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有直角地形成。
进而，还可以为通过前述第1基板和前述第2基板的至少一方的接触于前述密封材料的面和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有曲线或钝角地形成。
本发明中的第1电光装置的制造方法为了解决上述问题为下述制造方法，其中，该电光装置，通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该制造方法包括在前述第1基板和前述第2基板的至少一方的基板表面的膜，形成槽的工序；在前述膜的至少形成有前述槽的区域上，形成透明导电膜的工序；至少在前述透明导电膜上，形成使前述液晶进行取向的取向膜的工序；和在形成有前述槽的区域的上方的前述取向膜上的区域内，形成前述密封材料的工序。
依照本发明中的第1电光装置的制造方法，能够可靠地防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和绝缘膜的紧密接合性提高，具有能够防止摩擦处理时的取向膜从绝缘膜的剥离的效果。
本发明中的第2电光装置的制造方法为了解决上述问题为下述制造方法，其中，该电光装置，通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该制造方法包括在前述第1基板和前述第2基板的至少一方的基板表面的膜，形成槽的工序；至少在前述膜上，形成使前述液晶进行取向的取向膜的工序；和在形成有前述槽的区域的上方的前述取向膜上的区域内，形成前述密封材料的工序。
依照本发明中的第2电光装置的制造方法，由于通过槽对进入路径，与没有槽的情况相比进行延长而能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而发生显示不佳。其结果，具有电光装置的耐湿性提高的效果。并且，由于通过槽而使取向膜和绝缘膜的紧密接合性提高，具有能够防止在摩擦处理时、取向膜相对于绝缘膜的剥离的效果。
在本发明中的电光装置的制造方法的一种方式中，前述槽通过干蚀刻形成，通过前述基板表面的前述膜和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有直角地形成。
在本发明中的电光装置的制造方法的其他方式中，前述槽通过湿蚀刻形成，通过前述基板表面的前述膜和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有曲线或钝角地形成。
本发明中的第1电子设备为了解决上述问题，具有电光装置，该电光装置，通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该电光装置的特征在于，具备形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方、紧接着地位于前述密封材料的下方的、使前述液晶进行取向的取向膜，和前述取向膜的下层的下层膜；在前述取向膜和前述下层膜之间的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域，形成与前述取向膜及前述下层膜紧密接合的透明导电膜。
依照本发明中的第1电子设备，能够可靠地防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而在电光装置中发生显示不佳。其结果，因为电光装置的耐湿性提高，所以具有电子设备的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和绝缘膜的紧密接合性提高，具有能够防止在摩擦处理时取向膜从绝缘膜的剥离的效果。
本发明中的第2电子设备为了解决上述问题，具有电光装置，该电光装置，通过密封材料对向配置第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该电光装置的特征在于，具备形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方、紧接着地位于前述密封材料的下方的、使前述液晶进行取向的取向膜，和紧接着地位于前述取向膜的下方的下层膜；在前述下层膜的接触于前述取向膜的面的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域形成槽。
依照本发明中的第2电子设备，由于通过槽与没有槽的情况相比较，对进入路径进行延长而能够防止在高湿度条件下，水分通过取向膜和为该取向膜的下层的膜的绝缘膜之间从区域外进入到配置于第1基板和第2基板的至少一方的被密封材料所包围的区域的内侧的、为有效像素区域的液晶区域，而在电光装置中发生显示不佳。其结果，因为电光装置的耐湿性提高，所以具有电子设备的耐湿性提高的效果。并且，通过使取向膜和绝缘膜的紧密接合性提高，具有能够防止在摩擦处理时取向膜从绝缘膜的剥离的效果。
本发明中的第3电光装置为了解决上述问题，具备夹持电光物质的一对第1及第2基板；由设置于前述第1基板上的透明导电膜构成的像素电极；形成于前述像素电极上，对前述电光物质的取向状态进行限制的取向膜；在沿设置有前述像素电极的显示区域的周围的密封区域中，使前述第1及第2基板相互贴合起来的密封材料；叠层于前述第1基板和前述像素电极之间，具有前述第1基板的折射率和前述像素电极的折射率的中间的大小的折射率的光学薄膜；和设置于前述第1基板上的至少形成前述密封区域的一部分的部分区域，由与前述像素电极为同一膜的膜构成的密封下侧膜。
依照本发明中的第3电光装置，一对第1及第2基板，在沿显示区域的周围的密封区域中通过密封材料所交互贴合，在一对第1及第2基板间，夹持作为电光物质的例如液晶。第1基板，具有例如在玻璃基板上，叠层有例如像素开关用的晶体管、例如扫描线、数据线等的布线的叠层结构，在最上层形成由例如NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)或者硅氧化膜构成的层间绝缘膜。第2基板，例如由玻璃基板构成。在第1基板上例如矩阵状地排列由例如ITO膜等的透明导电膜构成的透明的像素电极，在第2基板上对向于像素电极而设置由例如ITO膜等的导电膜构成的对向电极。在不使电光装置工作的状态下，由于由例如聚酰亚胺等的有机材料或者例如二氧化硅(SiO2)等的无机材料构成的取向膜及设置于对向电极上的取向膜的表面形状效应，电光物质在一对第1及第2基板间取预定的取向状态。电光装置在工作时，在像素电极及对向电极间的液晶层施加基于图像信号的电压，使液晶分子的取向状态发生变化。每个像素的光的透射率都由于如此的液晶分子的取向状态的变化而发生变化。通过液晶层的光由此而相应于图像信号发生变化，在显示区域中进行图像显示。
在本发明中尤其是，具有第1基板的折射率和像素电极的折射率的中间的大小的折射率的、由例如氮化硅膜(SiN膜)、氮氧化硅膜(SiON膜)等构成的光学薄膜，在第1基板上的叠层结构中，配置于第1基板和像素电极之间，即层间。还有，如此的光学薄膜，典型地，形成于第1基板上的整面。即，与例如折射率为1.4的第1基板相邻接，按例如折射率为1.6～1.8(即，1.6以上并且1.8以下)的范围内的光学薄膜和例如折射率为2.0的像素电极的顺序使它们被叠层。还有，在此的所谓“中间的大小”，在第1基板的折射率比像素电极的折射率大的情况下，为比第1基板的折射率小并且比像素电极的折射率大的意思；而在第1基板的折射率比像素电极的折射率小的情况下，则为比第1基板的折射率大并且比像素电极的折射率小的意思；总而言之，是处于两者的折射率之间的值的意思。即，并非限定于中间值的意思。因而，通过光学薄膜，能够提高从像素电极侧入射进来的入射光、对像素电极进行透射而向第1基板内所出射时的透射率。即，假如不采取任何对策，则在与第1基板相邻接而设置了像素电极的情况下，起因第1基板和像素电极的折射率的比较大的差，像素电极和第1基板的界面处的界面反射会比较大地发生。但是依照本发明，通过具有中间的大小的折射率的光学薄膜，能够减少界面反射。从而，能够提高对像素电极进行透射而向第1基板内所出射时的透射率。
进而在本发明中尤其是，具备密封下侧膜，该密封下侧膜，在第1基板上平面性地看，设置于第1基板上的至少形成密封区域的一部分的部分区域，与像素电极由同一膜构成。在此，所谓“同一膜”，指的是在制造工序中的同一时机所成膜的膜，是同一种类的膜。再者，所谓“是同一膜”，并非还要求甚至到作为一片膜而相连续的意思，基本上，为只要是同一膜之中的相互所分断的膜部分就足够的意思。即，密封下侧膜，由与例如由ITO膜等构成的像素电极为同一膜的膜构成，至少部分性地形成于密封区域内。即，至少在密封区域的部分区域中，按光学薄膜、密封下侧膜及取向膜的顺序使它们被叠层。因而，在第1基板上的密封区域中，减小了取向膜和光学薄膜的界面的面积。换而言之，在第1基板上的密封区域中，代替取向膜和光学薄膜的界面，而形成取向膜和密封下侧膜的界面、及密封下侧膜和光学薄膜的界面。因而，能够减少或者防止起因于由例如聚酰亚胺等的有机材料或者例如二氧化硅(SiO2)等的无机材料构成的取向膜和由例如氮化硅膜、氮氧化硅膜等构成的光学薄膜的界面处的紧密接合性低，而导致水分从外部通过取向膜和光学薄膜的界面向显示区域内渗透。换而言之，至少在密封区域的部分区域，通过形成紧密接合性比取向膜和光学薄膜的界面高的、取向膜和密封下侧膜的界面及密封下侧膜和光学薄膜的界面，能够提高界面处的紧密接合性。从而，能够使装置的耐湿性提高，其结果，能够使装置的可靠性提高。还有，密封下侧膜，在第1基板上平面性地看，在位于显示区域的周边的周边区域之中，并不限于设置于密封区域内，也可以设置于密封区域以外的部分。
另外，密封下侧膜，如上述地，因为由与像素电极为同一膜的膜所形成，所以不招致第1基板上的叠层结构的复杂化、制造工序的复杂化，能够使装置的耐湿性提高。
进而，通过至少在密封区域的部分区域形成密封下侧膜，能够在形成有密封下侧膜的区域容易残留摩擦屑，该摩擦屑，例如为摩擦织物的摩耗粉等的摩擦屑，起因于第1基板表面和像素电极表面的台阶差而产生于摩擦处理时。即，能够减少或者防止摩擦屑残留于显示区域内、而对图像显示产生坏影响的现象。
如以上说明过地，依照本发明的第3电光装置，至少在密封区域的部分区域，通过设置由与像素电极为同一膜的膜构成的密封下侧膜而维持耐湿性，并通过紧接着地位于像素电极的下方设置光学薄膜而能够提高透射率，可以进行高质量的显示。而且，不会招致第1基板上的叠层结构的复杂化、制造工序的复杂化。
在本发明中的第3电光装置的一种方式中，前述密封下侧膜，在前述第1基板上平面性地看，具有与前述像素电极相同的平面图形。
依照该方式，密封下侧膜，在第1基板上平面性地看(即，在第1基板的基板面上平面性地看)，以与像素电极相同的平面图形所形成。即，在显示区域中由透明导电膜而将像素电极构图为例如矩阵状等的预定平面图形时，密封下层膜也由与像素电极为同一膜的透明导电膜以相同平面图形(即，例如矩阵状等)而形成于例如密封区域内。换而言之，一般来说构成形成于密封区域和显示区域之间的框缘状的区域的伪(dummy)像素的像素电极的图形，一直形成到密封区域。因而，以与像素电极同一工序制造密封下侧膜变得容易。即，几乎不用改变形成像素电极的工序，就能够在同一工序中形成密封下侧膜。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述密封下侧膜，在前述第1基板上平面性地看，在前述密封区域内，具有包围前述显示区域地形成的第1部分。
依照该方式，因为密封下侧膜之中的第1部分，包围显示区域地，例如连续性地所形成，所以能够减少或者防止水分从外部渗入到显示区域中。即，第1部分，通过作为分隔外部和显示区域的分隔壁而发挥作用，能够基本或者完全地遮断水分的渗入路径。因而，能够使装置的耐湿性更进一步提高。再者，在形成有密封下侧膜的区域中，形成取向膜和密封下侧膜的界面、及密封下侧膜和光学薄膜的界面，可提高界面处的紧密接合性。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述密封下侧膜，在前述第1基板上平面性地看，在前述密封区域内，具有相互分离所形成并且包围前述显示区域地配置的多个第2部分。
依照该方式，因为多个第2部分，包围显示区域地，作为在与例如从密封区域内朝向显示区域的方向相交的方向上互相偏移了的多列所配置。因而，多个第2部分，通过作为分隔外部和显示区域的分隔壁而发挥作用，能够通过将水分的渗入路径复杂化、或者加长而进行遮断。因而，能够使装置的耐湿性更进一步提高。再者，在形成有密封下侧膜的区域中，形成取向膜和密封下侧膜的界面、及密封下侧膜和光学薄膜的界面，可提高界面处的紧密接合性。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述透明导电膜，是ITO膜。
依照该方式，通过在由透射率比较低的ITO膜构成的像素电极和第1基板之间设置光学薄膜，能够使第1基板、光学薄膜及像素电极的整体的透射率提高。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述光学薄膜，具有1.6～1.8的范围内的折射率。
依照该方式，例如，通过设置于折射率约为1.4的第1基板、和由折射率约为2左右的ITO构成的像素电极之间的，折射率1.6～1.8(即1.6以上且1.8以下)的范围内的光学薄膜，能够有效地降低界面反射。由此，能有效提高透射率。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述光学薄膜的光吸收系数，比前述透明导电膜的光吸收系数小。
依照该方式，能够减少或者防止光通过光学薄膜内时的光损失、即光强度的下降，能够更可靠地使透射率提高。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述光学薄膜，包括无机物的氮化膜及氮氧化膜的至少一方。
依照该方式，光学薄膜，因为包括例如氮化硅膜(SiN)等的氮化膜、及例如氮氧化硅膜(SiON)等的氮氧化膜的至少一方，所以能够容易地使折射率为像素电极的折射率和第1基板的折射率的中间的大小的折射率。因而，能够容易且可靠地使透射率提高。
在本发明中的第3电光装置的其他方式中，前述取向膜，由聚酰亚胺构成。
依照该方式，在密封区域的部分区域中，由于不形成由聚酰亚胺构成的取向膜和包括例如氮化硅膜等的氮化膜、或者例如氮氧化硅膜等的氮氧化膜等的光学薄膜的，紧密接合性低的界面，能够使装置的耐湿性提高。
本发明中的第3电子设备为了解决上述问题，具备上述的本发明中的第3电光装置。
依照本发明中的第3电子设备，因为具备上述的本发明中的第3电光装置，所以能够实现可以进行高质量的图像显示的，投影型显示装置、电视机、便携电话机、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。
并且，作为本发明的电子设备，例如还可以实现电子纸等的电泳装置，电子发射装置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitterdisplay，场致发射显示器及传导型电子发射显示器)，采用了这些电泳装置、电子发射装置的显示装置。
本发明中的第3电光装置的制造方法为了解决上述问题，用于制造下述电光装置，该电光装置，具备夹持电光物质的一对第1基板及第2基板，和设置于第1基板上的像素电极；该制造方法包括在前述第1基板上，与前述第1基板相邻接地，形成具有前述第1基板的折射率和前述像素电极的折射率的中间的大小的折射率的光学薄膜的光学薄膜形成工序；在前述第1基板上的显示区域，与前述光学薄膜相邻接在上层侧对透明导电膜进行叠层而形成前述像素电极的像素电极形成工序；在前述像素电极上，形成对前述电光物质的取向状态进行限制的取向膜的工序；和在沿前述显示区域的周围的密封区域中以密封材料，使前述第1及第2基板相互贴合起来的工序；前述像素电极形成工序，在前述第1基板上的至少形成前述密封区域的一部分的部分区域，由与前述像素电极为同一膜的膜形成密封下侧膜。
依照本发明的第3电光装置的制造方法，能够制造上述的本发明中的第3电光装置。在此尤其是，通过像素电极形成工序，至少在密封区域的部分区域，通过设置由与像素电极为同一膜的膜构成的密封下侧膜而维持耐湿性；并通过光学薄膜形成工序，通过紧接着地位于像素电极的下方设置光学薄膜而能够提高透射率。因而，能够制造可以进行高质量的显示的电光装置。而且，密封下侧膜，因为通过像素电极形成工序所形成，所以几乎或完全不会招致制造工序的复杂化。
本发明的性质、实用性、及进一步的特征，若与在以下简单地进行说明的附加的附图相对照地阅读关联于本发明的合适的实施方式的以下的详细的说明，则变得更加明白。
图1是表示本发明的第1实施方式的液晶装置的平面图。
图2是沿图1中的II-II线的液晶装置的剖面图。
图3是沿图1中的III-III线的液晶装置的部分剖面图。
图4是平面性且概略性地表示透明导电膜形成区域的图1的TFT基板的平面图。
图5是概略性地表示第1实施方式的透明导电膜的形成区域的变形例的液晶装置的正面图。
图6是沿图5中的VI-VI线的液晶装置的部分剖面图。
图7是表示透明导电膜露出到外部的变形例的液晶装置的部分剖面图。
图8是表示表现本发明的第2实施方式的液晶装置的TFT基板的构成的概要的正面图。
图9是沿图8中的IX-IX线的TFT基板的部分剖面图。
图10是表示在绝缘膜上的槽形成区域外形成掩模的工序的剖面图。
图11是表示在图10的绝缘膜的槽形成区域形成凹槽的工序的剖面图。
图12是表示在图11的绝缘膜上形成取向膜的工序的剖面图。
图13是表示在平面性地覆盖密封材料的区域的上方的图12的取向膜上，形成密封材料的工序的剖面图。
图14是表示通过湿蚀刻所形成的凹槽的形状的剖面图。
图15是表示图8的凹槽的平面形状的变形例的TFT基板的部分平面图。
图16是表示本发明的第3实施方式的液晶装置的TFT基板的部分剖面图。
图17是表示在图11的绝缘膜上形成透明导电膜的工序的剖面图。
图18是表示在图17的透明导电膜上形成取向膜的工序的剖面图。
图19是表示在平面性地覆盖密封材料的区域的上方的图18的取向膜上，形成密封材料的工序的剖面图。
图20是表示本发明的第4实施方式中的液晶装置的整体构成的平面图。
图21是图20的H-H’线的剖面图。
图22是本发明的第4实施方式中的液晶装置的像素中的各种元件等的等效电路图。
图23是图21的C1部分的部分放大剖面图。
图24是表示光学薄膜的膜厚和透射率的关系的曲线图。
图25是图20的A-A’线的剖面图。
图26是表示TFT基板上的密封下侧膜的平面图形的模式图。
图27是本发明的第4实施方式中的第1变形例的与图26相同主旨的模式图。
图28是本发明的第4实施方式中的第2变形例的与图26相同主旨的模式图。
图29是本发明的第4实施方式中的第2变形例的与图25相同主旨的剖面图。
图30是本发明的第4实施方式中的第3变形例的与图26相同主旨的模式图。
图31是用于对本发明的第4实施方式中的液晶装置的制造过程的各工序进行说明的流程图。
图32是表示应用了电光装置的电子设备的一例的投影机的构成的图。
具体实施例方式
以下参照附图关于本发明的合适的实施的方式进行说明，还有，在示于以下的实施的方式中电光装置，举液晶装置为例进行说明。
第1实施方式首先，关于本发明的第1实施方式进行说明。
图1，是表示第1实施方式的液晶装置的平面图；图2，是沿图1中的II-II线的液晶装置的剖面图。
如示于图1、图2中地，液晶装置100，在例如采用了石英基板、玻璃基板、硅基板的为第1基板的TFT基板10，和对向于该TFT基板10所配置的采用了例如玻璃基板、石英基板的为第2基板的对向基板20之间的内部空间，存在有为电光物质的液晶50所构成。被对向配置的TFT基板10和对向基板20，通过密封材料52相贴合。
在TFT基板10的基板上的与液晶50相接触的面侧，构成液晶装置100的有效像素区域(以下，称为显示区域)70的TFT基板10的显示区域10h被构成。并且，在显示区域10h的整面，矩阵状地配置构成像素的多个像素电极(ITO)9。
并且，在对向基板20的基板上的整面，设置对向电极(ITO)21，在对向电极21的对向于TFT基板10的显示区域10h的位置的、与液晶50相接触的面侧，构成液晶装置100的显示区域70的对向基板20的显示区域20h被构成。
在TFT基板10的像素电极9上，设置实施了摩擦处理的取向膜16，并且，在遍及对向基板20上的整面所形成了的对向电极21上，也设置实施了摩擦处理的取向膜26。
各取向膜16、26，例如由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成。并且，各取向膜16、26，构成对向配置了TFT基板10和对向基板20时的各自的对向面。
并且，在TFT基板10的显示区域10h中，多条扫描线和多条数据线(全都未图示出)相交叉地布线，在以扫描线和数据线所划分开的区域，矩阵状地配置像素电极9。然后，对应于扫描线和数据线的各交叉部分而设置作为薄膜晶体管的TFT30，对该TFT30的每一个连接像素电极9。
TFT30通过扫描线的导通信号变成导通，由此，被数据线供给的图像信号被供给到像素电极9。该像素电极9和设置于对向基板20的对向电极21之间的电压被施加到液晶50。
并且，与像素电极9相并联地，设置未图示出的存储电容，通过存储电容，像素电极9的电压，变得可以保持比施加了源电压的时间例如长3位的时间。并且，通过存储电容，可改善电压保持特性，变得可以进行对比度比高的图像显示。
在对向基板20，设置遮光膜53，该遮光膜53，通过对TFT基板10的显示区域10h及对向基板20的显示区域20h的外周，在像素区域中进行规定并划分，而作为对显示区域进行规定的框缘。
在TFT基板10和对向基板20之间的空间中，以已知的液晶注入方式注入液晶50的情况下，密封材料52，在密封材料52的1条边的一部分欠缺，平面性地看涂敷成大致周状。
密封材料52的欠缺了的部位，构成液晶注入口108，该液晶注入口108，用于从该欠缺了的部位向贴合好的TFT基板10和对向基板20之间注入液晶50。液晶注入口108，在注入液晶后，被封固材料109封固。
在密封材料52的外侧的区域，沿TFT基板10的一边设置数据线驱动电路101及外部连接用端子102，该外部连接用端子102，用于进行与外部电路的连接，该数据线驱动电路101，为以预定的定时向TFT基板10的未图示出的数据线供给图像信号而对该数据线进行驱动的驱动器。
沿相邻于该一边的两边，设置扫描线驱动电路103、104，该扫描线驱动电路103、104，是通过向TFT基板10的扫描线及TFT30的未图示出的栅电极，以预定的定时供给扫描信号，而对栅电极进行驱动的驱动器。扫描线驱动电路103、104，在密封材料52的内侧的对向于遮光膜53的位置，形成于TFT基板10上。
并且，在TFT基板10上，对向于遮光膜53的3条边而设置对数据线驱动电路101，扫描线驱动电路103、104，外部连接用端子102及上下导通端子107进行连接的布线105。
上下导通端子107，形成于密封材料52的角部的4处的TFT基板10上。而且，在TFT基板10和对向基板20相互间，设置下端接触于上下导通端子107而上端接触于对向电极21的上下导通材料106，通过该上下导通材料106，在TFT基板10和对向基板20之间取得电导通。
并且，在石英基板、玻璃、硅基板等的TFT基板10上，除了具备像素电极9、取向膜16、TFT30之外，还具备包括它们的各种的构成所形成的叠层结构。还有，该叠层结构、及所叠层了的各层的功能因为公知所以说明进行省略，仅对涉及本实施方式的、为TFT基板10的最表面层的取向膜16的附近的叠层的构成，采用图3、图4来进行说明。
图3，是沿图1中的III-III线的液晶装置的部分剖面图；图4，是平面性且概略性地表示透明导电膜形成区域的图1的TFT基板的平面图。还有，在图3中，遮光膜53、扫描线驱动电路104、布线105等，为了使附图简化而被省略所记载。
并且，在图4中，遮光膜53、数据线驱动电路101、外部连接用端子102、扫描线驱动电路103、104、布线105、上下导通材料106、上下导通端子107、封固材料109等，也为了使附图简化而被省略所记载。
如示于图3中地，在TFT基板10的紧接着地位于密封材料52的下方的层，形成例如由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成的取向膜16，在取向膜16的下层，形成例如O3(臭氧)TEOS(四乙氧基硅烷)、SiO2(二氧化硅)、BSG(掺硼氧化膜)、BPSG(掺硼磷氧化膜)等所构成的为下层膜的绝缘膜60。还有，绝缘膜60，可通过常压CVD等来形成。
并且，如示于图3中地，在绝缘膜60和取向膜16之间，如以图4的虚线所示地，在至少平面性地覆盖密封材料52的区域，即在密封材料52的图3中下方平面性地覆盖的透明导电膜形成区域41，形成与绝缘膜60和取向膜16紧密接合的透明导电膜40。还有，在图4中，透明导电膜40，以虚线的斜线所图示。
并且，形成于透明导电膜形成区域41的透明导电膜40，如示于图4中地，在密封材料52被平面性地涂敷成大致周状的情况下，形成为沿密封材料52平面性地成为闭环状的周状。
透明导电膜40，是由与例如构成像素电极9的ITO为同一构件的构件所构成的膜，通过与像素电极9在同一工序中所形成，而形成为与像素电极9同等的预定的膜厚。
还有，透明导电膜40，即使是由ITO以外的构件所构成的膜，但是只要是由与绝缘膜60及取向膜16的紧密接合性好的导电膜所构成的膜，就可以是任何膜。并且，透明导电膜40，也可以与像素电极9在不同的工序中所形成。进而，还可以使膜厚与像素电极9不同。
并且，透明导电膜40，相对于像素电极9、其他的具有导电性的构件而具有浮置(floating)状态，通过不与像素电极9及具有导电性的构件相接触地所形成，像素电极9彼此之间、及具有导电性的构件彼此之间不会电短路。
如此地，在本实施方式中，表示了在绝缘膜60和取向膜16之间的、平面性地覆盖密封材料52的透明导电膜形成区域41，形成与绝缘膜60及取向膜16紧密接合的透明导电膜40。
依照于此，在高湿度条件下，即使在采用了液晶装置100的情况下，也因为通过透明导电膜40，取向膜16和绝缘膜60紧密接合，所以能够可靠地防止水分从液晶装置100外，通过取向膜16和为该取向膜16的下层的膜的绝缘膜60之间，进入到配置于通过密封材料52所包围的区域的TFT基板10的显示区域10h中，该进入进来的水分混入到液晶50中，而发生显示不匀等的显示不良。其结果，电光装置的耐湿性提高。
并且，因为取向膜16和绝缘膜60的紧密接合性由于透明导电膜40而提高，所以在对取向膜16实施摩擦处理时，能够防止取向膜16从绝缘膜60的剥离，因此能够可靠地防止由于从绝缘膜60剥离下来的取向膜16的尘埃，而发生在显示区域10h附着筋状条纹等的摩擦不匀。
还有，以下表示变形例。图5，是概略性地表示本实施方式的透明导电膜的形成区域的变形例的液晶装置的正面图；图6，是沿图5中的VI-VI线的液晶装置的部分剖面图；图7，是表示透明导电膜露出到外部的变形例的液晶装置的部分剖面图。
还有，在图5中，遮光膜53、数据线驱动电路101、布线105、上下导通材料106、上下导通端子107、封固材料109等，为了使附图简化而被省略所记载。在图6、图7中，遮光膜53、扫描线驱动电路104、布线105等，也为了使附图简化而被省略所记载。
在本实施方式中，示出了透明导电膜40，在绝缘膜60和取向膜16之间，形成于平面性地看覆盖密封材料52的透明导电膜形成区域41。
并不限于此，如示于图5、图6中地，也可以在绝缘膜60和取向膜16之间的，形成有像素电极9的区域外，即从显示区域10h外到TFT基板10的外周端部的外部连接用端子102以外的区域42的整面，形成透明导电膜40。进而，若不接触于像素电极9地形成透明导电膜40，则透明导电膜40，也可以形成于显示区域10h内。
如此地，通过在TFT基板10的大致整面设置透明导电膜40，在高湿度条件下，即使在采用了液晶装置100的情况下，也因为通过透明导电膜40，取向膜16和绝缘膜60比本实施方式在宽范围紧密接合，所以能够比本实施方式可靠地防止水分从液晶装置100外，通过取向膜16和绝缘膜60之间，进入到显示区域10h中，由于该进入进来的水分混入到液晶50中，而发生显示不匀等的显示不良。其结果，电光装置的耐湿性更加提高。
并且，因为透明导电膜40的形成范围比本实施方式宽，故取向膜16和绝缘膜60的紧密接合性比本实施方式提高，因此在对取向膜16实施摩擦处理时，能够在宽范围防止取向膜16从绝缘膜60的剥离，所以能够比本实施方式可靠地防止由于从绝缘膜60剥离下来的取向膜16的尘埃，而发生在显示区域10h附着筋状条纹等的摩擦不匀。
还有，因为在外部连接用端子102及像素电极9以外的区域42的整面形成透明导电膜40，即，因为不接触于外部连接用端子102及像素电极9地形成透明导电膜40，所以不会发生透明导电膜40接触于外部连接用端子102及像素电极9，在外部连接用端子102间、像素电极9间发生短路。
并且，本实施方式同样，透明导电膜40，因为具有浮置状态，所以如示于图7中地，透明导电膜40，也可以自密封材料52去除TFT基板10的外周侧的取向膜16而露出于外部。
进而，在本实施方式中，虽然举由透明导电膜40得到的TFT基板10侧的取向膜16和绝缘膜60的紧密接合为例而示出，但是只要对向基板20，不具有在整面形成有对向电极(ITO)21的构成，则透明导电膜40，也可以为了提高对向基板20侧的取向膜26和对向基板20的取向膜26的下层的膜的紧密接合性，而形成于两膜间。
第2实施方式其次，关于本发明的第2实施方式进行说明。
图8，是表示表现本发明的第2实施方式的液晶装置的TFT基板的构成的概要的正面图；图9，是沿图8中的IX-IX线的TFT基板的部分剖面图。
本实施方式的液晶装置的构成，与上述的示于图1～图7中的第1实施方式的液晶装置100相比较，不同点为不采用透明导电膜40而使取向膜16和绝缘膜60紧密接合的构成。因而，仅对该差别点进行说明，并在与第1实施方式同样的构成中附加相同的符号，而对其说明进行省略。
还有，在图8、图9中，遮光膜53，数据线驱动电路101，外部连接用端子102，扫描线驱动电路103、104，布线105，上下导通材料106，上下导通端子107，封固材料109等为了使附图简化而被省略所记载。
如示于图9中地，在为第1基板的TFT基板210的紧接着成为取向膜16的下方的膜的为下层膜的绝缘膜60的、接触于取向膜16的面60m的至少平面性地覆盖密封材料52的区域，即，在平面性地覆盖密封材料52的图9中下方的区域241内的槽形成区域242，形成凹槽240。并且，在绝缘膜60的面60m上，形成取向膜16；在为取向膜16的面16s上的、区域241的上方的区域，形成密封材料52。
形成于区域241内的槽形成区域242的凹槽240，如示于图8中地，在密封材料52被平面性地涂敷成大致周状的情况下，沿密封材料52包围成为有效像素区域的显示区域210h的周围地平面性地连接成闭环状而周状地形成多条、例如2条。再者，凹槽240，也可以由1条所形成。
由此，在形成于凹槽240上的取向膜16的部位，如示于图9中地，也沿凹槽240而形成凹槽16p。即，TFT基板210的接触于密封材料52的面211，剖面形状形成为凹凸状。由此，通过凹槽240，可提高绝缘膜60和取向膜16的紧密接合性。
其次，采用图10～图14而对上述的凹槽的形成工序～密封材料的形成工序进行说明。图10，是表示在绝缘膜上的槽形成区域外形成掩模的工序的剖面图；图11，是表示在图10的绝缘膜的槽形成区域形成凹槽的工序的剖面图；图12，是表示在图11的绝缘膜上形成取向膜的工序的剖面图；图13，是表示在平面性地覆盖密封材料的区域的上方的图12的取向膜上，形成密封材料的工序的剖面图；图14，是表示通过湿蚀刻所形成的凹槽的形状的剖面图。
首先，在石英基板、玻璃、硅基板等的TFT基板10上叠层了预定的层后的成为表面的绝缘膜60上，在接触于取向膜16的面60m的除了槽形成区域242的部位，如示于图10中地，形成掩模230。还有，槽形成区域242，位于平面性地覆盖形成于后的密封材料52的区域241内。
接下来，如示于图11中地，例如通过干蚀刻，在槽形成区域242，如示于图8中地连接成闭环状而周状地，形成例如2条凹槽240。通过干蚀刻所形成的凹槽240形成为，通过成为当前工序中的基板表面的膜的绝缘膜60的接触于取向膜16的面60m和凹槽240所形成的凹槽240的开口缘部240k的剖面形状具有直角。
还有，凹槽240，也可以通过湿蚀刻所形成。通过湿蚀刻所形成的凹槽240形成为，通过成为当前工序中的基板表面的膜的绝缘膜60的接触于取向膜16的面60m和凹槽240所形成的凹槽240的开口缘部240k的剖面形状，如示于图14中地，具有曲线，或虽然未图示出但是具有钝角。
在绝缘膜60的槽形成区域242形成了凹槽240之后，去除掩模230，如示于图12中地，在绝缘膜60的面60m上形成取向膜16。还有，取向膜16也可以形成于基板表面的整面，即显示区域10h的像素电极9上。并且，在形成于槽形成区域242上的取向膜16的部位，也沿凹槽240而形成凹槽16p。
最后，如示于图13中地，在为取向膜16的面16s上的、区域241的上方的区域内，大致周状地形成密封材料52。
如此地，在本实施方式中，示出了在绝缘膜60的接触于取向膜16的面60m的至少平面性地覆盖密封材料52的区域，即在平面性地覆盖密封材料52的图9中下方的区域241内的槽形成区域242，沿密封材料52平面性地连接成闭环状而周状地形成2条凹槽240。
依照于此，在高湿度条件下，即使在采用了液晶装置100的情况下，也由于与没有凹槽240的情况相比较通过凹槽240对水分的进入路径进行延长而能够可靠地防止水分从液晶装置100外，通过绝缘膜60和为该绝缘膜60的下层的膜的取向膜16之间，进入到配置于通过密封材料52所包围的区域的TFT基板10的显示区域10h中，该进入进来的水分混入到液晶50中，由此而发生显示不匀等的显示不良。其结果，电光装置的耐湿性提高。
并且，由于通过凹槽240，绝缘膜60和取向膜10的紧密接合性，比绝缘膜60的面60m平坦时有所提高，在对取向膜16实施摩擦处理时，因为能够防止取向膜16从绝缘膜60的剥离，所以能够可靠地防止由于从绝缘膜60剥离下来的取向膜16的尘埃，而发生在显示区域10h附着筋状条纹等的摩擦不匀。
还有，以下表示变形例。图15，是表示图8的凹槽的平面形状的变形例的TFT基板的部分平面图。在本实施方式中，凹槽240，虽然示出为沿密封材料52平面性而周状地连接成闭环状所形成，但是并不限于此，只要沿密封材料52平面性地形成为周状，也可以不连接成闭环状所形成。
具体地，如示于图15中地，在绝缘膜60的平面性地覆盖密封材料52的区域241内的槽形成区域242，多条凹槽240a，具有预定间隔而平面性地形成为周状；在该周状的凹槽240a的外周，堵塞凹槽240a的间隙地与凹槽240a偏移相位，多条凹槽240b具有预定间隔而平面性地形成为周状。
即，由两条周状的凹槽240a、240b所构成的凹槽240，平面性地看，形成为交错状。还有，即使在该情况下，周状的凹槽240也不限于2条，也可以由多条形成，使得分别堵塞形成于内周的多条凹槽的间隙。
为具有如此的形状的凹槽，也能够得到与上述的本实施方式同样的效果。
进而，在本实施方式中，虽然举由凹槽240得到的TFT基板10侧的取向膜16和绝缘膜60的紧密接合为例而示出，但是凹槽240，也可以形成于对向基板20侧，并用于提高对向基板20侧的取向膜26和该对向基板20上的取向膜26的下层的膜的紧密接合性。
第3实施方式其次，关于第3实施方式进行说明。
图16，是表示本发明的第3实施方式的液晶装置的TFT基板的部分剖面图。本实施方式的液晶装置的构成，与上述的示于图1～图7中的第1实施方式的液晶装置，示于图8、图9中的第2实施方式的液晶装置相比较，不同点为采用透明导电膜及凹槽而使取向膜16和绝缘膜60紧密接合的构成。因而，仅对该差别点进行说明，并在与第1实施方式及第2实施方式同样的构成中附加相同的符号，而对其说明进行省略。
如示于图16中地，在为第1基板的TFT基板310的绝缘膜60的面60t上，形成上述的透明导电膜40；在该透明导电膜40的面40h上，形成取向膜16；在为取向膜16的面16s上的、平面性地覆盖密封材料52的区域241的上方的区域，形成密封材料52。
透明导电膜40，在绝缘膜60的面60t上，与上述的第1实施方式同样地，形成于至少平面性地覆盖密封材料52的区域241。还有，该透明导电膜40，即使在该情况下仍具有浮置状态。
在密封材料52被平面性地涂敷成大致周状的情况下，在绝缘膜60的区域241内的槽形成区域242，如示于上述的第2实施方式中地，凹槽240沿密封材料52平面性地，包围有效像素区域210h的周围地，连接成闭环状而周状地形成多条、例如2条。
还有，即使在该情况下，凹槽240，也可以由1条所形成。并且，凹槽240，并不限于连接了的形状，如示于图15中地，也可以形成为交错状。
由此，在形成于凹槽240上的透明导电膜40的部位，也沿凹槽240而形成凹槽40p。进而，在形成于透明导电膜40上的取向膜16，也沿凹槽240形成凹槽16p。
即，TFT基板310的接触于密封材料52的面311，剖面形状形成为凹凸状。由此，通过不仅凹槽240而且通过与取向膜16及绝缘膜60具有紧密接合性的透明导电膜40，在区域241中，提高绝缘膜60和取向膜16的紧密接合性。
其次，采用在第2实施方式中上述的图10、图11及图17～图19而对上述的凹槽的形成工序～密封材料的形成工序进行说明。
图17，是表示在图11的绝缘膜上形成透明导电膜的工序的剖面图；图18，是表示在图17的透明导电膜上形成取向膜的工序的剖面图；图19，是表示在平面性地覆盖密封材料的区域的上方的图18的取向膜上，形成密封材料的工序的剖面图。
首先，如上述地，在绝缘膜60上，在接触于取向膜16的面60t侧的除了槽形成区域242的部位，如示于上述的图10中地，形成掩膜230，接着，如示于图11中地，例如通过干蚀刻，在槽形成区域242，凹槽240，如示于图8中地平面性地连接成闭环状而周状地，形成例如2条。
在绝缘膜60的槽形成区域242形成了凹槽240之后，去除掩模230，如示于图17中地，在绝缘膜60上形成透明导电膜40。还有，透明导电膜40，与上述的第1实施方式同样，在绝缘膜60中，形成于形成有槽240的、至少平面性地覆盖密封材料52的区域241上。此时，在形成于槽形成区域242上的透明导电膜40的部位，沿凹槽240形成凹槽40p。
并且，即使在该情况下，与第1实施方式同样，透明导电膜40，如示于图5中地，也可以在形成有像素电极9的区域外，即，从显示区域外到TFT基板的外周端部，在外部连接用端子102以外的区域的整面所形成。
接下来，如示于图18中地，在透明导电膜40的面40h上，形成取向膜16。再者，取向膜16形成于基板表面的整面，即，还形成于显示区域10h的像素电极9上。并且，在形成于槽形成区域242上的取向膜16的部位，也沿凹槽240形成凹槽16p。
最后，如示于图19中地，在为区域241的上方而且为取向膜16的面16s的区域内，密封材料52，形成为大致周状。
如此地，在本实施方式中，示出了在绝缘膜60的面60t侧的至少平面性地覆盖密封材料52的区域241内的槽形成区域242，凹槽240，沿密封材料52平面性地连接成闭环状而周状地形成2条。并且，示出了在平面性地覆盖密封材料52的区域241的取向膜16和绝缘膜60之间形成透明导电膜40。
依照于此，在高湿度条件下，即使在采用了液晶装置100的情况下，也由于通过透明导电膜40而使绝缘膜60和取向膜16紧密接合，并与没有凹槽240的情况相比较通过凹槽240对进入路径进行延长，而能够比第1或第2实施方式可靠地防止水分从液晶装置100外，通过绝缘膜60和取向膜16之间，进入到配置于通过密封材料52所包围的区域的TFT基板10的显示区域10h中，由于该进入进来的水分混入到液晶中，而发生显示不匀等的显示不良。其结果，电光装置的耐湿性提高。
并且，由于绝缘膜60和取向膜16的紧密接合性，通过透明导电膜40及凹槽240而提高，在对取向膜16实施摩擦处理时，因为能够防止取向膜16从绝缘膜60的剥离，所以能够比第1或第2实施方式可靠地防止由于从绝缘膜60剥离下来的取向膜16的尘埃，而发生在显示区域10h附着筋状条纹等的摩擦不匀。
进而，在本实施方式中，虽然举由透明导电膜40得到的TFT基板310侧的取向膜16和绝缘膜60的紧密接合为例而示出，但是只要对向基板20，不具有在整面形成有对向电极(ITO)21的构成，则透明导电膜40，也可以为了提高对向基板20侧的取向膜26和对向基板20的取向膜26的下层的膜的紧密接合性，而形成于两膜间。并且，即使在该情况下，凹槽240也可以形成于对向基板20侧。
第4实施方式其次，关于第4实施方式进行说明。
首先，关于本实施方式中的液晶装置的整体构成，参照图20及图21进行说明。在此图20，是表示本实施方式中的液晶装置的构成的平面图；图21，是在图20的H-H’线处的剖面图。
在图20及图21中，在本实施方式中的液晶装置中，对向配置TFT基板10和对向基板20。还有，TFT基板10，为本发明中的“第1基板”的一例；对向基板20，为本发明中的“第2基板”的一例。TFT基板10，例如，由石英基板、玻璃基板、硅基板等构成；对向基板20，例如，由石英基板、玻璃基板等构成。TFT基板10及对向基板20，通过设置于位于本发明中的作为“显示区域”的一例的图像显示区域10a的周围的密封区域52a的密封材料52而互相贴合，通过密封材料52及封固材料109，在TFT基板10及对向基板20之间封入液晶50。
在图20中，并行于配置有密封材料52的密封区域52a的内侧，对图像显示区域10a的框缘区域进行限定的遮光性的遮光膜53，设置于对向基板20侧。在周边区域之中，在位于配置有密封材料52的密封区域52a的外侧的区域，沿TFT基板10的一边设置数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。在沿该一边的、比密封区域52a靠内侧，被遮光膜53所覆盖地设置采样电路7。并且，扫描线驱动电路103、104，在沿相邻于该一边的2边的密封区域的内侧，被遮光膜53所覆盖地设置。并且，在TFT基板10上，在对向于对向基板20的4个角部的区域，配置用于以上下导通材料106将两基板间连接起来的上下导通端子107。由此，能够在TFT基板10和对向基板20之间取电导通。
在TFT基板10上，形成用于将外部电路连接端子102，和数据线驱动电路101、扫描线驱动电路103、104、上下导通端子107等电连接起来的引绕布线90。
在图21中，在TFT基板10上，形成安装有为驱动元件的像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的叠层结构。在像素显示区域10a中，在像素开关用TFT、扫描线，数据线等的布线的上层，设置由作为本发明中的“透明导电膜”的一例的ITO膜构成的像素电极9。在像素电极9上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20的与TFT基板10的对向面上，形成遮光膜23。然后，在遮光膜23上，与多个像素电极9相对向而形成与像素电极同样地由ITO膜构成的对向电极21。在对向电极21上形成取向膜。并且，液晶50，例如由一种或混合了多种向列液晶的液晶构成，在这些一对取向膜间，取预定的取向状态。另外，虽然在此未图示，但是在TFT基板10上的紧接着地位于像素电极9的下方，形成后述的光学薄膜；在TFT基板10上的密封区域52a，形成后述的密封下侧膜。
还有，虽然在此未图示，但是在TFT基板10上，也可以除了数据线驱动电路101，扫描线驱动电路103、104之外，还形成用于对制造过程中、出厂时的该液晶装置的质量、缺陷等进行检查的检查电路、检查用图形等。
其次，关于本实施方式中的液晶装置的像素部中的电构成，参照图22进行说明。在此图22，是构成液晶装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。
在图22中，在构成本实施方式中的液晶装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中，分别形成像素电极9和用于对该像素电极9进行开关控制的TFT30，供给图像信号的数据线6a电连接于TFT30的源。写入到数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn，既可以按照该顺序线顺序地供给，也可以相对于相邻的多条数据线6a彼此间，按每组而供给。
并且，在TFT30的栅上电连接扫描线3a，以预定的定时，对扫描线3a脉冲性地使扫描信号G1、G2、…、Gm，按该顺序以线顺序而施加地构成。像素电极9，电连接于TFT30的漏，通过使为开关元件的TFT30只在一定期间闭合其开关，而以预定的定时写入从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、…、Sn。
通过像素电极9而写入到液晶50(参照图21)的预定电平的图像信号S1、S2、…、Sn，在其与形成于对向基板的对向电极之间被保持一定期间。液晶50，按照所施加的电压电平而分子集合的取向、秩序发生变化，由此对光进行调制，可以进行灰度等级显示。若为常白模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压而使相对于入射光的透射率减小；若为常黑模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压而使相对于入射光的透射率增加；作为整体从液晶装置射出具有相应于图像信号的对比度的光。
在此，为了防止所保持的图像信号发生泄漏，与形成于像素电极9和对向电极21(参照图21)之间的液晶电容相并联地附加存储电容70。存储电容70的一方的电极，与像素电极9相并联而连接于TFT30的漏，另一方的电极，连接到电位固定的电容布线300，而成为定电位。
其次，关于本实施方式中的光学薄膜，参照图23及图24进行说明。在此图23，是图21的C1部分的部分放大剖面图。图24，是表示光学薄膜的膜厚和透射率的关系的曲线图。还有，在图23中，对图21的遮光膜23的图示进行省略。在图23中，为了使各层、各构件在附图上为可以识别的程度的大小，而使比例尺按该各层、各构件的每一个而不同。
在图23中，在TFT基板10上，叠层包括未图示的TFT30、扫描线3a，数据线6a等的布线的各种的层，在这些层的上层侧形成层间绝缘膜89。层间绝缘膜89，通过NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)或者硅氧化膜所形成。还有，层间绝缘膜89，也可以由例如PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃、氧化硅等形成。在层间绝缘膜89上，按顺序叠层后述的光学薄膜91及像素电极9，在像素电极9上形成例如由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成的取向膜16。另一方面，在对向基板20上，叠层对向电极21，在对向电极21上形成例如由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成的取向膜22。液晶50，在这些一对取向膜16及22间，取预定的取向状态。还有，取向膜16及22，也可以由例如聚酰亚胺膜等的有机膜之外的，例如二氧化硅(SiO2)等的无机膜形成。即，取向膜16及22，既可以是有机取向膜，也可以是由无机材料构成的无机取向膜。
如示于图23中地，在本实施方式中尤其是，光学薄膜91，叠层于层间绝缘膜89和像素电极9之间。即，在TFT基板10上，层间绝缘膜89、光学薄膜91及像素电极9按该顺序叠层。光学薄膜91，形成于TFT基板10上的整面。而且，在本实施方式中尤其是，光学薄膜91，具有层间绝缘膜89的折射率和像素电极9的折射率的中间的大小的折射率。即，相对于由NSG(或者氧化硅膜)构成的层间绝缘膜89的折射率为约1.4，由ITO膜构成的像素电极9的折射率为约2.0，光学薄膜91的折射率，形成为1.6～1.8的范围内。光学薄膜91，例如由氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)等构成。因而，通过光学薄膜91，能够提高例如通过对向基板20及液晶50等而向像素电极9进行入射的入射光、对像素电极9进行透射而向层间绝缘膜89内所出射时的透射率。即，在假设不采取任何措施，而在层间绝缘膜89上设置有像素电极9的情况下，起因于层间绝缘膜89和像素电极9的折射率的比较大的差(即，折射率之差，约0.6)，产生比较大的像素电极9和层间绝缘膜89的界面处的界面反射。但是依照本实施方式，通过具有中间的大小的折射率(即，1.6～1.8的范围内的折射率)的光学薄膜91，能够减少界面反射。即，因为像素电极9和光学薄膜91的折射率之差(即，折射率之差，为约0.2～0.4的范围内)，及光学薄膜91和层间绝缘膜89的折射率之差(即，折射率之差，为约0.2～0.4的范围内)，都比像素电极9和层间绝缘膜89的折射率之差(即，折射率之差，为约0.6)小，所以像素电极9和光学薄膜91的界面处的界面反射量，及光学薄膜91和层间绝缘膜89的界面处的界面反射量，都比像素电极9和层间绝缘膜89的界面处的界面反射量小。而且，使像素电极9和光学薄膜91的界面处的界面反射量及光学薄膜91和层间绝缘膜89的界面处的界面反射量合起来的界面反射量，也比像素电极9和层间绝缘膜89的界面处的界面反射量小。从而，例如，能够提高对像素电极9进行透射而向层间绝缘膜89内(即，TFT基板10内)所出射时的透射率。
图24，表示关于具有在由氧化硅膜构成的基板上，例如按顺序叠层了由氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)等构成的光学薄膜，及ITO膜的叠层结构的叠层膜，在进行使光学薄膜的膜厚或者折射率发生变化的模拟时的，光学薄膜的膜厚和透射率的关系。在此透射率，是入射光通过了ITO膜、光学薄膜及基板后的出射光的强度，相对于入射光的强度的比率。
图24中的数据E1，表示光学薄膜的折射率为1.72时的光学薄膜的膜厚和透射率的关系；图24中的数据E2，表示光学薄膜的折射率为1.62时的光学薄膜的膜厚和透射率的关系。还有，ITO膜的膜厚为80nm，如示于图24中地，未设置光学薄膜(即，光学薄膜的膜厚为零)的情况下的透射率，为约0.75。
如示于图24中地，在光学薄膜的折射率为1.72及1.62的任一情况下，通过设置光学薄膜，透射率，与没有光学薄膜的情况相比较都变得高。尤其是，在光学薄膜的膜厚为55～100nm的范围内，透射率变高。因而，优选将折射率为1.6～1.8的范围内并且膜厚为55～100nm的范围内的光学薄膜，设置于基板及ITO膜间。由此可以谋求透射率的有效提高。
其次，关于本实施方式中的密封下侧膜，参照图25及图26进行说明。在此图25，是在图20的A-A’线处的剖面图；图26，是表示TFT基板上的密封下侧膜的平面图形的模式图。
如示于图25及图26中地，在本实施方式中尤其是，在TFT基板10上的密封区域52a、遮光区域53a及密封外侧区域54a，具备密封下侧膜451。密封下侧膜451，由与像素电极9同一膜，即，与像素电极9位于同层的同一种类的ITO膜所形成。即，在密封区域52a、遮光区域53a及密封外侧区域54a的各自的部分区域中，光学薄膜91、密封下侧膜451及取向膜16按该顺序所叠层。因而，在TFT基板10上的至少密封区域52a中，与假设未形成密封下侧膜451的情况相比较，可减小取向膜16和光学薄膜91的界面的面积。换而言之，在TFT基板10上的密封区域52a中，形成取向膜16和密封下侧膜451的界面、及密封下侧膜451和光学薄膜91的界面，来代替取向膜16和光学薄膜91的界面。因而，能够减少或者防止起因于例如由聚酰亚胺膜等的透明的有机膜构成的取向膜16和例如由氮化硅膜、氮氧化硅膜等构成的光学薄膜91的界面处的紧密接合性低，而导致水分从外部通过取向膜16和光学薄膜91的界面向图像显示区域10a内渗透。换而言之，至少在密封区域52a的部分区域中，形成比取向膜16和光学薄膜91的界面紧密接合性高的、取向膜16和密封下侧膜451的界面及密封下侧膜451和光学薄膜91的界面，由此而能够提高界面处的紧密接合性。从而，能够使装置的耐湿性提高，其结果，能够使装置的可靠性提高。
进而，密封下侧膜451，如上述地，因为与像素电极9由同一膜所形成，所以不会招致TFT基板10上的叠层结构的复杂化、制造工序的复杂化，能够使装置的耐湿性提高。
另外，密封下侧膜451，通过形成于密封区域52a、遮光区域53a及密封外侧区域54a，起因于光学薄膜91的表面和像素电极9的表面的台阶差(换而言之，TFT基板10表面和像素电极9表面的台阶差)而可产生于摩擦处理时的、例如摩擦织物的摩耗粉等的摩擦屑，能够容易残留于密封区域52a、遮光区域53a及密封外侧区域54a。即，能够降低或者防止由于摩擦屑残留于图像显示区域10a内，对图像显示产生坏影响的情况。
进而，如示于图26中地，在本实施方式中尤其是，密封下侧膜451，在TFT基板10上平面性地看，与像素电极9以同一平面图形所形成。即，像素电极9在图像显示区域10a中由ITO膜被构图成矩阵状的平面图形时，密封下侧膜451也在密封区域52a、遮光区域53a及密封外侧区域54a内由ITO膜以同一平面图形(即，矩阵状的平面图形)所形成。换而言之，一般来说形成于密封区域52a和图像显示区域10a之间的框缘状的遮光区域53a的成为伪像素的像素电极的图形，一直形成到密封区域52a及密封外侧区域54a。因而，变得容易与像素电极9以同一工序制造密封下侧膜451。即，几乎不用改变形成像素电极9的工序，就能够在同一工序中形成密封下侧膜451。
还有，密封下侧膜451，根据以下观点优选为电浮置的状态(即，未电连接于例如电源、布线等的状态)。即，这样一来，能够减少或者防止由于密封下侧膜451的电位和像素电极9的像素电位的电耦合而产生的对图像显示的坏影响。但是，例如为了使密封下侧膜451的电位稳定等，也可以将密封下侧膜451连接到预定电位的布线，或者利用密封下侧膜451作为预定电位的布线的一部分。
其次，关于本实施方式的第1变形例中的密封下侧膜，参照图27进行说明。在此图27，是与本实施方式的第1变形例中的图26同样主旨的模式图。
如示于图27中地，在第1变形例中尤其是，密封下侧膜451，在TFT基板10上平面性地看，设置于包括密封区域52a的区域。即，在TFT基板10上的密封区域52a内，并不形成取向膜16和光学薄膜91的界面。因而，能够更可靠地减少或者防止起因于取向膜16和光学薄膜91的界面处的紧密接合性低，而导致水分从外部通过取向膜16和光学薄膜91的界面向图像显示区域10a内渗透。
其次，关于本实施方式的第2变形例中的密封下侧膜，参照图28及图29进行说明。在此图28，是与本实施方式的第2变形例中的图26同样主旨的模式图；图29，是与本实施方式的第2变形例中的图25同样主旨的剖面图。
如示于图28中地，在第2变形例中尤其是，密封下侧膜451，在TFT基板10上平面性地看，在密封区域52a内，包围图像显示区域10a地所形成。更具体地，密封下侧膜451，在TFT基板10上平面性地看，由距图像显示区域10a近的侧和远的侧的2个部分构成，各自的部分包围图像显示区域10a地，连续性地所形成。即，在TFT基板10上平面性地看，通过这两部分双重包围图像显示区域10a地，形成密封下侧膜451。密封下侧膜451，如上述地，因为由ITO膜构成，所以几乎不会让水分渗透。因而，能够减少或者防止水分从外部渗入到图像显示区域10a中。即，如示于图28加上图29中地，密封下侧膜451，通过作为将外部和图像显示区域10a分隔开的分隔壁而发挥作用，能够几乎或完全地遮断水分的渗入路径。因而，能够使装置的耐湿性更加提高。再者，在形成有密封下侧膜451的区域中，形成取向膜16和密封下侧膜451的界面，及密封下侧膜451和光学薄膜91的界面，可提高界面处的紧密接合性。
其次，关于本实施方式的第3变形例中的密封下侧膜，参照图30进行说明。在此图30，是与本实施方式的第3变形例中的图26同样主旨的模式图。
如示于图30中地，在第3变形例中尤其是，密封下侧膜451，在TFT基板10上平面性地看，在密封区域52a内，具有相互分离所形成并包围图像显示区域10a地所配置的多个部分451a、451b及451c。多个部分451a、451b及451c，分别形成相互分离且包围图像显示区域10a地所排列的列。这些列在排列方向上(即，与从密封区域52a内朝向图像显示区域10a的方向相交的方向)互相偏离。换而言之，多个部分451a、451b及451c，配置为互相堵塞分别排列出的间隔。因而，密封下侧膜451，即多个部分451a、451b及451c，与参照图29而上述的第2变形例同样地，通过作为将外部和图像显示区域10a分隔开的分隔壁而发挥作用，能够使水分的渗入路径复杂化，或者通过将其加长，而进行遮断。因而，能够使装置的耐湿性更进一步提高。再者，在形成有密封下侧膜451的区域中，形成取向膜16和密封下侧膜451的界面，及密封下侧膜451和光学薄膜91的界面，可提高界面处的紧密接合性。
如以上说明过地，依照本实施方式中的液晶装置，至少在密封区域52a的部分区域，通过设置由与像素电极9为同一膜的膜构成的密封下侧膜451而维持耐湿性，并通过在紧接着地位于像素电极9的下方设置光学薄膜91而能够提高透射率，可以进行高质量的显示。而且，不会招致TFT基板10上的叠层结构的复杂化、制造工序的复杂化，能够使装置的可靠性提高。
其次，关于制造上述的第1实施方式中的液晶装置的液晶装置的制造方法，参照图31进行说明。在此图31，是用于对第4实施方式中的液晶装置的制造过程的各工序进行说明的流程图。
首先，在图31中，在TFT基板10上，由各种导电膜、半导体膜、绝缘膜等形成像素开关用的TFT30、扫描线3a、数据线6a等的布线，，一直到形成层间绝缘膜89(步骤S11)。此时，层间绝缘膜89，例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法，通过对NSG进行叠层而形成。再者，层间绝缘膜89，也可以通过对PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃，氮化硅、氧化硅等进行叠层而形成。如此地所形成的层间绝缘膜89的折射率约为1.4。
接着，通过光学薄膜形成工序，对层间绝缘膜89上，供给氧气(O2)并采用氮化硅(SiN)，通过例如CVD法等对氮氧化硅膜(SiON)进行叠层而形成光学薄膜91(步骤S12)。此时，光学薄膜91，形成于TFT基板10上的整面，并对例如进行供给的氧气的量、压力、温度等的环境条件进行调节，使得光学薄膜91具有层间绝缘膜89的折射率和像素电极9的折射率的中间的大小的折射率(例如，1.6～1.8的折射率)。还有，优选使得膜厚为55～100nm的范围内地，形成光学薄膜91。
接着，通过像素电极形成工序，在光学薄膜91上的像素显示区域10a以矩阵状的平面图形对ITO膜进行叠层，形成像素电极9(步骤S13)。此时，在本实施方式中尤其是，在密封区域52a、遮光区域53a及密封外侧区域54a内，也以同一平面图形(即，矩阵状的平面图形)对ITO膜进行叠层，形成密封下侧膜451。因而，能够通过密封下侧膜451而维持装置的耐湿性，并通过光学薄膜91使透射率提高。还有，在像素电极形成工序中，既可以在密封区域52a的一部分或者全部形成密封下侧膜451，也可以例如在遮光区域53a、密封外侧区域54a等也进一步形成密封下侧膜451。
接着，通过在TFT基板10的表面涂敷聚酰亚胺而形成取向膜16(步骤S14)。此时，对于形成了的取向膜16实施摩擦处理。
在图31中，与从步骤S11到步骤S14的TFT基板10的制造工序相并行或相前后，通过溅射等在对向基板20上对ITO膜进行叠层，形成对向电极21(步骤S21)。
接着，通过在对向基板20的表面涂敷聚酰亚胺而形成取向膜22(步骤S22)。此时，对于形成了的取向膜22实施摩擦处理。
其后，通过贴合工序，将TFT基板10及对向基板20，使TFT基板10中形成有取向膜16的侧，和对向基板20中形成有取向膜22的侧通过密封材料52贴合起来(步骤S31)。在此尤其是，在密封区域52a中，与假定没有密封下侧膜451的情况相比较，因为可减小界面紧密接合性低的取向膜16和光学薄膜91的界面的面积，所以可提高装置的耐湿性。
接着，对已互相贴合了的状态的TFT基板10及对向基板20间注入液晶50(步骤S32)。
依照以上说明过的液晶装置的制造方法，能够制造上述的第4实施方式中的液晶装置。在此尤其是，在像素电极形成工序中，在密封区域52a内，通过设置由与像素电极9为同一膜的膜构成的密封下侧膜451而维持耐湿性，并通过光学薄膜形成工序，通过在紧接着地位于像素电极9的下方设置光学薄膜91而能够提高透射率。因而，能够制造可以进行高质量的显示的电光装置。进而，密封下侧膜451，因为通过像素电极形成工序所形成，所以几乎或者完全不会招致制造工序的复杂化，也几乎或者完全不会招致成品率的降低。
液晶装置，并非仅限定于上述的图示例，在不脱离本发明的要旨的范围内能够加以种种的改变自不待言。例如，上述的液晶装置，虽然举采用了TFT(薄膜晶体管)等的有源元件的有源矩阵方式的液晶显示组件为例进行了说明，但是并不限于此，也可以是采用了TFD(薄膜二极管)等的有源元件的有源矩阵方式的液晶显示组件。
进而，在本实施方式中，电光装置，虽然举液晶装置为例进行了说明，但是本发明并非限定于此，能够应用于电致发光装置，尤其是，有机电致发光装置，无机电致发光装置等，等离子体显示装置，FED(Field EmissionDisplay，场致发射显示)装置，SED(Surface-Conduction Electron-EmitterDisplay，表面传导电子发射显示)装置，LED(发光二极管)显示装置，电泳显示装置，使用了采用了薄型的布劳恩管或液晶闸门等的小型电视机的装置等的各种的电光装置中。
并且，电光装置，也可以是在半导体基板上形成元件的显示用器件，例如LCOS(Liquid Crystal On Silicon，硅上液晶)等。在LCOS中，作为元件基板采用单晶硅基板，作为用于像素、周边电路中的开关元件而将晶体管形成于单晶硅基板。并且，在像素中，采用反射型的像素电极，在像素电极的下层形成像素的各元件。
并且，电光装置，也可以是在单侧的基板的同一层，形成一对电极的显示用器件，例如IPS(In-Plane Switching，平面内开关)；在单侧的基板，通过绝缘膜形成一对电极的显示用器件FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)等。
(电子设备)其次，关于将为上述的电光装置的液晶装置应用于电子设备中的情况进行说明。还有，在此，作为电子设备以投影型显示装置，具体地，以投影机为例。图32，是表示配设了3个上述的实施方式中的液晶装置的投影机的构成的图。
如示于图32中地，在投影机1100中，上述的实施方式的液晶装置，分别作为RGB用的光阀，例如配设3个(100R、100G、100B)。
在投影机1100中，若从金属卤化物灯等的白色光源的灯单元1102发出投影光，则通过3片镜1106及2片分色镜1108，分离成对应于RGB的3原色的光分量R、G、B，分别被引导到对应于各色的光阀100R、100G、100B。
此时，尤其是B光，为了防止因长的光路引起的光损失，通过由入射透镜1122、中继透镜1123及出射透镜1124构成的中继透镜系统1121所引导。
然后，通过光阀100R、100G、100B所分别调制过的对应于3原色的光分量，通过分色棱镜1112被再次合成之后，通过投影透镜1114作为彩色图像投影到屏幕1120。
还有，除了参照图32进行了说明的电子设备之外，还可列举便携型的个人计算机，便携电话机，液晶电视机，取景器型、监视器直视型的磁带录像机，汽车导航装置，呼机，电子笔记本，计算器，文字处理机，工作站，电视电话机，POS终端，具备触摸面板的装置等。而且，不用说当然可以应用于这些各种电子设备中。
本发明，也可以不从其精神和基本性的特征脱离，而以其他的特定的方式所具体化。从而，本实施方式，在所有之点可认为是例证，并非限制于此，本发明的范围，不是通过上述的说明而是通过后附的技术方案的范围所表示。进入与技术方案的范围同等的意思及范围的改变，全都包括在本发明中。
权利要求
1.一种电光装置，其通过密封材料对向配置有第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；其特征在于，具备取向膜，其形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方，紧接着地位于前述密封材料的下方，使前述液晶进行取向，和位于前述取向膜的下层的下层膜；在前述取向膜和前述下层膜之间的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域，形成有与前述取向膜及前述下层膜紧密接合的透明导电膜。
2.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于在前述第1基板和前述第2基板的至少一方，形成有外部连接用端子，在前述有效像素区域设置有电极；前述透明导电膜，形成于前述取向膜和前述下层膜之间的、除了前述外部连接用端子及前述电极的区域的整面。
3.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于在前述下层膜的接触于前述透明导电膜的面的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域形成有槽。
4.一种电光装置，其通过密封材料对向配置有第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；其特征在于，具备取向膜，其形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方，紧接着地位于前述密封材料的下方，使前述液晶进行取向，和紧接着地位于前述取向膜的下方的下层膜；在前述下层膜的接触于前述取向膜的面的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域形成有槽。
5.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于前述下层膜，由绝缘膜所构成。
6.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于前述透明导电膜，是由ITO所构成的膜。
7.按照权利要求3所述的电光装置，其特征在于前述槽，包围前述有效像素区域的周围地平面性地形成为周状。
8.按照权利要求7所述的电光装置，其特征在于前述槽，连接成闭环状地形成。
9.按照权利要求7所述的电光装置，其特征在于前述槽，由多个所构成。
10.按照权利要求7所述的电光装置，其特征在于前述第1基板和前述第2基板的至少一方的接触于前述密封材料的面，通过前述槽，剖面形状具有凹凸状。
11.按照权利要求10所述的电光装置，其特征在于通过前述第1基板和前述第2基板的至少一方的接触于前述密封材料的面和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有直角地形成。
12.按照权利要求10所述的电光装置，其特征在于通过前述第1基板和前述第2基板的至少一方的接触于前述密封材料的面和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有曲线或钝角地形成。
13.一种电光装置的制造方法，该电光装置，通过密封材料对向配置有第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该制造方法的特征在于，包括在前述第1基板和前述第2基板的至少一方的基板表面的膜，形成槽的工序；在前述膜的至少形成有前述槽的区域上，形成透明导电膜的工序；至少在前述透明导电膜上，形成使前述液晶进行取向的取向膜的工序；和在形成有前述槽的区域的上方的前述取向膜上的区域内，形成前述密封材料的工序。
14.一种电光装置的制造方法，该电光装置，通过密封材料对向配置有第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该制造方法的特征在于，包括在前述第1基板和前述第2基板的至少一方的基板表面的膜，形成槽的工序；至少在前述膜上，形成使前述液晶进行取向的取向膜的工序；和在形成有前述槽的区域的上方的前述取向膜上的区域内，形成前述密封材料的工序。
15.按照权利要求13所述的电光装置的制造方法，其特征在于前述槽通过干蚀刻形成，通过前述基板表面的前述膜和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有直角地形成。
16.按照权利要求13所述的电光装置的制造方法，其特征在于前述槽通过湿蚀刻形成，通过前述基板表面的前述膜和前述槽所形成的前述槽的开口缘部的剖面形状，具有曲线或钝角地形成。
17.一种具有电光装置的电子设备，该电光装置，通过密封材料对向配置有第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该电光装置的特征在于，具备取向膜，其形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方，紧接着地位于前述密封材料的下方，使前述液晶进行取向，和位于前述取向膜的下层的下层膜；在前述取向膜和前述下层膜之间的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域，形成有与前述取向膜及前述下层膜紧密接合的透明导电膜。
18.一种具有电光装置的电子设备，该电光装置，通过密封材料对向配置有第1基板和对向于该第1基板的第2基板，在前述第1基板和前述第2基板之间的至少有效像素区域存在有液晶；该电光装置的特征在于，具备取向膜，其形成于前述第1基板和前述第2基板的至少一方，紧接着地位于前述密封材料的下方，使前述液晶进行取向，和紧接着地位于前述取向膜的下方的下层膜；在前述下层膜的接触于前述取向膜的面的、平面性地至少覆盖前述密封材料的区域形成有槽。
19.一种电光装置，其特征在于，具备一对第1及第2基板，其夹持电光物质；像素电极，其由设置于前述第1基板上的透明导电膜构成；取向膜，其形成于前述像素电极上，对前述电光物质的取向状态进行限制；密封材料，其在沿设置有前述像素电极的显示区域的周围的密封区域中，使前述第1及第2基板相互贴合；光学薄膜，其叠层于前述第1基板和前述像素电极之间，具有前述第1基板的折射率和前述像素电极的折射率的中间的大小的折射率；和密封下侧膜，其设置于前述第1基板上的至少构成前述密封区域的一部分的部分区域，由与前述像素电极为同一膜的膜构成。
20.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述密封下侧膜，在前述第1基板上平面性地看，具有与前述像素电极相同的平面图形。
21.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述密封下侧膜，在前述第1基板上平面性地看，在前述密封区域内，具有包围前述显示区域地形成的第1部分。
22.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述密封下侧膜，在前述第1基板上平面性地看，在前述密封区域内，具有相互分离所形成并且包围前述显示区域地配置的多个第2部分。
23.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述透明导电膜，是ITO膜。
24.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述光学薄膜，具有1.6～1.8的范围内的折射率。
25.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述光学薄膜的光吸收系数，比前述透明导电膜的光吸收系数小。
26.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述光学薄膜，包括无机物的氮化膜及氮氧化膜的至少一方。
27.按照权利要求19所述的电光装置，其特征在于前述取向膜，由聚酰亚胺构成。
28.一种电子设备，其特征在于具备权利要求19所述的电光装置。
29.一种制造电光装置的电光装置的制造方法，该电光装置，具备夹持电光物质的一对第1基板及第2基板，和设置于第1基板上的像素电极；该制造方法的特征在于，包括光学薄膜形成工序，其在前述第1基板上，与前述第1基板相邻地，形成具有前述第1基板的折射率和前述像素电极的折射率的中间的大小的折射率的光学薄膜；像素电极形成工序，其在前述第1基板上的显示区域，与前述光学薄膜相邻地在上层侧对透明导电膜进行叠层而形成前述像素电极；在前述像素电极上，形成对前述电光物质的取向状态进行限制的取向膜的工序；和在沿前述显示区域的周围的密封区域中以密封材料，使前述第1及第2基板相互贴合的工序；前述像素电极形成工序，在前述第1基板上的至少构成前述密封区域的一部分的部分区域，由与前述像素电极为同一膜的膜形成密封下侧膜。
全文摘要
本发明的电光装置使取向膜和该取向膜的下层膜间的紧密接合性提高，防止水分向有效像素区域进入而使耐湿性提高，能防止取向膜在摩擦处理时从该取向膜的下层膜剥离。电光装置通过密封材料(52)对向配置第1基板(10)和第2基板(20)，在第1基板(10)和第2基板(20)之间的至少有效像素区域存在有液晶(50)；其特征在于，具备形成于第1基板(10)的紧接着地位于密封材料(52)的下方的取向膜(16)，和取向膜(16)的下层的下层膜(60)；在取向膜(16)和下层膜(60)之间的平面性地至少覆盖密封材料(52)的区域(41)，形成与取向膜(16)及下层膜(60)紧密接合的透明导电膜(40)。
文档编号G09F9/35GK1991537SQ20061017149
公开日2007年7月4日 申请日期2006年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者横川孙幸, 中村定一郎 申请人:精工爱普生株式会社