存储卡的制作方法

专利名称：存储卡的制作方法
技术领域：
本发明涉及存储卡。
背景技术：
近几年，作为存储信息的存,介之一，使用内置了存储芯片的存储 卡。存储卡，便携性强，所以作为便携式信息终端、便携电话机等便携式 电子设备的存储媒介受到广泛使用。而且，便携式电子设备，从提高便携 性的角度出发，每年都在向小型化及薄型化发展，与^目伴随，要求存储 卡的小型化及薄型化。为了满足该要求，在存储卡的制造中，使用金属引线等的引线键合工艺(wire bonding)连接并安装存储芯片的电极和电路M上的电极。具 体地讲，例如，首先，通过粘接剂、两面粘接胶带，在粘接于引线框架(lead frame)上的存储芯片上，稍微偏移地层叠另一个存储芯片。接着，将两 个存储芯片的电极及粘接于引线框架上的控制芯片的电极通过金属引线连 接于引线框架。由此，公开了使存储卡薄型化的技术(例如，参照专利文 献l)。此外，通过树脂材料，将存储芯片和控制芯片采用倒装芯片安装的方 法等安装于电路基板上。然而，如专利文献l的存储卡所示， 一般来讲，很多情况下，存储芯 片和控制芯片由硅材料形成，电路M由玻璃环氧树脂形成。而且，玻璃 环氧树脂比硅的热膨胀率大，所以如果从#时的温度下降到常温，则电 路14^比存储卡收缩得多。但是，由于对电路基板的安装面上接合存储芯 片，所以能够抑制安装面处的收缩。其结果是，电路M,向存储芯片的3安装面侧弯曲成凸状，电路M的厚度增厚相等程度，所以关于存储卡的 薄型化，这是一个课题。另外，通过例如热压接等，在加热状态下将存储芯片接合于平坦的电路J41后，使电路a及存储芯片的温度下降至常温， 所以接合时的温度越高，电路a的弯曲越明显。即，电路皿和存储芯 片接合时的温度与常温的差越大，电路M的弯曲量越大。另外，将存储芯片通过粘接剂接合于电路M的情况下，由于与粘接 剂的凝固相伴随的收缩，有时电路M会向安装面侧弯曲成凸状。这起因 于存储芯片和电路M的刚性差，对于刚性小的电路M，这种影响会产 生得较大。此外，电路基板的安装面侧的收缩通过存储芯片抑制，所以在其结合 部即电极中存在较大应力。其结果是，由于使用环境下的热过程、外部负 荷，使得接合强度下降、容易出现剥离等，在可靠性方面，这是一个课题。如上所述，存储芯片与电路M、粘接剂之间的热膨胀系数差、收缩 量的差导致发生存储卡的弯曲、连接可靠性的下降等，成为较大问题。专利文献l:日本特开2004-13738号公报发明内容本发明的存储卡，至少具备半导体芯片；电路基板，其主面侧安装 有半导体芯片，具有至少在主面或主面的相反侧的面的线状区域所形成的 刚性降低部；和覆盖部，在电路a的主面侧覆盖半导体芯片，电路基板， 具有由于刚性降低部而向主面侧弯曲成凸状的多个凸状区域。由于该构成，能够实现抑制了电路基板的弯曲的薄型存储卡。此外， 可以得到减小半导体芯片和电路基板的应力(尤其连接的凸起和电极间)、 连接等的可靠性优良的存储卡。


图l是表示本发明的第1实施方式中存储卡的构成的俯视图。 图2是图1的存储卡的2-2线剖视图。图3是图1的存储卡的3-3线剖视图。图4是表示本发明的第2实施方式中存储卡的构成的俯视图。图5A是表示本发明的第3实施方式中存储卡的构成的俯视图。图5B是表示本发明的第3实施方式中存储卡的另一例的构成的俯视图6是表示本发明的第4实施方式中存储卡的构成的俯视图。 图7是表示本发明的第5实施方式中存储卡的构成的俯视图。 图8是表示本发明的第6实施方式中存储卡的构成的俯视图。 图9是图8的存储卡的9-9线剖视图。图IO是表示本发明的第7实施方式中存储卡的构成的剖视图。 符号说明1、 la、 lb、 lc、 ld、 le、 lf、 lg 存储卡2 电路基板3半导体芯片(第l半导体芯片) 5半导体芯片(第2半导体芯片) 6芯片部件 21、 31 上表面 22 下表面23、 23a、 23b 第1槽24 第2槽25、 26 贯通孑L27 缺口33、 53 凸起41、 42 密封树脂层71、 72 覆盖部201 凸状区域202第l线状区域(线状区域) 203 第2线状区域211、 212、 213 电极 221 外部电极 711 凹部具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式中的存储卡进行说明。 (第1实施方式)图1是表示本发明的第1实施方式中存储卡1的构成的俯视图。图2 是图1的存储卡1的2-2线剖视图，图3是图1的存储卡1的3-3线剖视 图。在图1中，为了容易理解存储卡l的内部构造，对覆盖部71用虚线仅 表示轮廓，对用于半导体芯片的安装的密封树脂层省略图示(从图4到图 8也同样)。此外，图2和图3中，将电路^L 2的弯曲表示得比实际大(图 9和图IO也同样)。在本实施形态中，作为存储卡1，以微型SD存储卡(micro secure digital memory card,微型安全数字存储卡)为例进行说明。通常，存储 卡1的长度和宽度(图1中的左右方向和上下方向的大小)以M度(图 2和图3中的上下方向的大小)，分别是15mm、 11mm及lmm。此外，为 方便起见，将图2和图3中的上側及下侧分别作为存储卡1的上侧及下侧 进行说明。以下的各实施方式中也同样。此外，以下，以作为线状区域具 有第1线状区域和第2线状区域、作为刚性降低部具有第1刚性降低部和 第2刚性降低部、作为半导体芯片具有第1半导体芯片和第2半导体芯片 的构成的存储卡为例进行说明。如图1到图3所示，存储卡1,具备大致矩形状的电路基板2、夹着球 凸起(即所谓"钉状(stud)凸起"，以下简写为"凸起，，)33安装于电路 的上侧的主面(以下记为"上表面")21上的第1半导体芯片3、夹 着凸起53安装于电路基板2的上表面21上的第2半导体芯片5、介于第1 半导体芯片3及第2半导体芯片5、与电路1412之间的密封树脂层41和 42、使用焊料安装于电路基板2的上表面21的电阻器、电容器等的微小的芯片部件6、以及在电路J412的上表面21覆盖第l半导体芯片3、第2 半导体芯片5、密封树脂层41、 42及芯片部件6的覆盖部71。在此，覆盖 部71,在电路基板2的上表面21，以例如通过热塑性树脂等的插入(insert) 成形被覆第1半导体芯片3等的方式而形成。
电路J412，主要由玻璃环氧树脂形成，如图2和图3所示，在其上 表面21具^^接合了第l半导体芯片3的电极211、接合了第2半导体芯片 5的电极212、以及接合芯片部件6的电极213。此外，在电路^412的下 侧的主面(以下记为"下表面"。)22，具备用于连接外部的电子设备的多 个外部电极221。此时，外部电极221，通过从电路^板2的下表面22连 通到上表面21的通孔(through hole)(没有图示)，与i史置于上表面21 上的布线电连接。
此外，如图1和图2所示，在电路基板2的上表面21，在沿着安装第 1半导体芯片3的宽度方向(图1中的上下方向)延伸的直线状的第1线 状区域202，作为第1刚性降低部形成第1槽23。同样，如图1和图3所 示，在沿着与安装第l半导体芯片3的第l槽23垂直的长度方向(即图1 中的左右方向)延伸的直线状的第2线状区域203,作为第2刚性降低部 形成第2槽24。另外，在图2和图3中，将第l槽23和第2槽24的宽度 和深度表示得比实际大。
在此，优选，第1槽23和第2槽24，至少在电路基&2的上表面21 与第l半导体芯片3相对的区域的大约中心(即长度方向及宽度方向的中 央)互相垂直而设置，不过没有特别限定。此时，第1槽23和第2槽24 的剖面形状，如图2和图3所示，以宽度和深度为例如50nm的大致半椭 圆形而形成。另外，第l槽23和第2槽24的剖面形状，除了大致半椭圆 形以外，也可以是半圆形、三角形、矩形等的形状。而且，第1槽23和第 2槽24等，通过例如蚀刻加工、激光加工、切削加工等而形成。
此外，第1半导体芯片3和第2半导体芯片5，是主要由硅材料形成 的棵芯片，与一般由玻璃环氧树脂形成的电路基板2相比，其热膨胀率(热 膨胀系数)较小。具体地讲，第1半导体芯片3和第2半导体芯片5的热膨胀率为约2ppm/°C 3ppm/°C ，电路基板2的热膨胀率为约15ppm/°C。
此时，例如第1半导体芯片3是存储各种信息的存储芯片，第2半导 体芯片5是控制第l半导体芯片3的控制芯片等。而且，第l半导体芯片 3具备在电极上形成的凸起33，凸起33通过密封树脂层41 * (包括保 持接触的状态)于电路基板2的电极211。同样地，第2半导体芯片5具 备在电极上形成的凸起53，凸起53通过密封树脂层42接合(包括保持接 触的状态)于电路J412的电极212。此时，密封树脂层41、 42，通过将 作为例如膜状的树脂材料的非导电性树脂膜(NCF (Non-Conductive Film))贴附于电路J^L2的上表面21而形成。
而且，在本实施方式的存储卡l的制造中，首先，将第l半导体芯片 3和第2半导体芯片5，例如通过NCF —边按压于电路基板2， 一边加热 到约1卯 200。C，进行热压接。由此，NCF被加热、固化，形成密封树脂 层41、 42，第l半导体芯片3和第2半导体芯片5与电路基板2接合。
接着，第1半导体芯片3和第2半导体芯片5，热压接到以平坦的状 态由安装装置保持的电路基板2后，各半导体芯片和电路基板2的温度下 降至常温(约25°C )。此时，存储卡1，由于温度下降，第1半导体芯片3、 第2半导体芯片5和电路基敗2相应于各自的热膨胀率而收缩。而且，如 上所述，第1半导体芯片3和第2半导体芯片5的热膨胀率小于电路;S41 2的热膨胀率，所以电路M 2比第1半导体芯片3和第2半导体芯片5 收缩得多。但是，电路基板2的上表面21,有第l半导体芯片3和第2半 导体芯片5接合，所以其收缩被抑制。另一方面，电路基板2的下表面22 没有被限制，所以随着温度下降而收缩。由此，电路基板2向上表面21 侧弯曲成凸状。
另外，第2半导体芯片5比第l半导体芯片3的形状小，所以第2半 导体芯片5附近的电路1412的弯曲，比第l半导体芯片3附近的电路基 板2的弯曲小。
此时，在如以往构成那样，在电路皿上没有形成作为第1刚性降低 部的笫i槽和作为第2刚性降低部的第2槽的情况下，电路M的第1半导体芯片附近的电路M，会以与第1半导体芯片的大致中心相对的位置为顶点，弯曲成方文射状(球面状)。此外，没有安装第l半导体芯片和第2 半导体芯片的电路a的其他区域，也随着上述弯曲而弯曲，结果整个电 路基板大幅弯曲。相对于这一点，本实施方式的存储卡l，通过设置于电路M2的上 表面21的第1刚性降低部的第1槽23，电路Ul2的刚性在第1槽23的 位置减小。其结果是，如图2所示，电路^L2的第l槽23的两侧的区域 分别独立地向其上表面21侧弯曲成凸状。此外，通过设置于电路基板2的上表面21的第2刚性降低部的第2 槽24，电路基板2的刚性在第2槽24的位置减小。由此，如图3所示， 电路M2的第2槽24的两侧的区域分别独立地向其上表面21侧弯曲成 凸状。即，在电路1412中，通过第l槽23和第2槽24划分的多个(上述 情况为四个)区域分别独立弯曲。因此，与在没有设置第l槽和第2槽的 电路基板中整体一体地弯曲的情况相比，能够抑制电路皿2的整体性弯 曲(从电路基板2的弯曲的顶点到弯曲的下端为止的厚度方向上的距离)。具体地讲，存储卡l中，即使安装与电路基板2热膨装率不同的第1 半导体芯片3，通过第1槽和第2槽，由于第1半导体芯片3的安装而产 生的电路基板2的朝向上表面21侧的凸状弯曲，作为被分割的状态的多个 凸状区域201而形成。而且，通过多个凸状区域201，能够抑制电路1^12 整体的弯曲。在此，如果假定电路基板2的弯曲曲率相同，通过例如两个 凸状区域的分割，弯曲量能够减少到1/2左右。其结果是，电路a2的 实质性厚度变薄，能够使存储卡l薄型化。此外，通过第l槽23和第2槽24,由与作为密封树脂层的例如NCF 等的固化相伴随的收缩所引起的电路1412的弯曲，也同样能够抑制。由 此，使用例如热膨胀率大致相同、刚性率不同的半导体芯片和电路M构 成存储卡的情况下，即使使用热膨胀率不同的密封树脂层，也能够緩和电 路基板的弯曲。本实施方式的存储卡l,形成有第1槽23的第1线状区域202，配置 在与第l半导体芯片3重叠的位置(特别在长度方向上的第l半导体芯片 3的中央附近的位置)。由此，在没有设置第l槽23的情况下产生的弯曲 的顶点附近，使电路1412的刚性降低，能够抑制起因于第l半导体芯片 3的安装的弯曲。同样地，形成有第2槽24的第2线状区域203，与第1 线状区域202垂直，且配置在与第l半导体芯片3重叠的位置(特别在宽 度方向上的第1半导体芯片3的中央附近的位置)。由此，在没有设置第2 槽24的情况下产生的弯曲的顶点附近，使电路^L2的刚性降低，能够进 一步抑制起因于第1半导体芯片3的安装的弯曲。此外，本实施方式的存储卡1，将由于电路K和半导体芯片的收缩 量的差而在半导体芯片的凸起和电路基板的电极间的接合部所产生的应 力，通过各刚性降低部，进行緩和/减低，是连接等的可靠性优良的存储卡。此外，本实施方式的存储卡l，在通过热塑性树脂进行的覆盖部71的 插入成形时，能在将电路基板2按压于模具的状态下形成覆盖部71，所以 能够进一步抑制电路m2的弯曲。另外，在覆盖部71的插入成形时，第 l槽23和第2槽24通过热塑性树脂而埋^1。由此，补偿第1槽23和第2 槽24引起的刚性降低，提高电路基板2的刚性、特别是弯曲刚性，能够实 现耐变形的存储卡。另外，本实施方式中，以在电路141设置了作为第1刚性降低部的第 1槽和作为第2刚性降低部的第2槽的例子进行了说明，不过不限于此， 也可以是只设置其中一个。此外，以第l槽和第2槽垂直的构成进行了说 明，不过也可以形成为以任意角度交叉的构成。另外，还可以在多个线状 区域设置多个槽。此外，本实施方式中，以在电路14l使作为第1刚性降低部的第l槽 和作为第2刚性降低部的第2槽，在与形状较大的第1半导体芯片相对的 区域内垂直(交叉)的例子进行了说明，不过不限于此。例如，交叉的位 置如果是在电路基板内，则可以是任意位置。此外，本实施方式中，以将第1刚性降低部的第1槽和作为第2刚性降低部的第2槽形成于电路M的上表面的例子进行了说明，不过不限于 此。例如，可以设置在电路Ul的下表面，也可以设置在两面。此时，不 必在电路g的上表面及下表面的相同位置设置第1刚性降低部和第2刚 性降低部，不过优选各刚性降低部的数量，设置在主面较多。由此，能够 使电路基板更容易向半导体芯片侧弯曲成凸状。 (第2实施方式)以下，用图4对本发明的第2实施方式中的存储卡la进行说明。图4 是表示本发明的第2实施方式中存储卡la的构成的俯视图。如图4所示的存储卡la，作为电路g2的第l线状区域202的第1 刚性降低部和第2线状区域203的第2刚性降低部，替代第1槽和第2槽， 例如排列多个圓形的贯通孔25而构成这一点，与从图1到图3所示的存储 卡1不同。其他构成要素相同，所以附加相同的符号进^S兌明。另外，在 本实施方式中，作为贯通电路1412的贯通孔25的开口形状，以圆形为例 进4亍:沈明，不过不限于此。例如，作为贯通孔25的开口形状，也能釆用矩 形和椭圆形等各种形状，也能够获得同样的效果。即，如图4所示，作为存储卡la的第1线状区域202的第1刚性降低 部、第2线状区域203的第2刚性降低部，形成多个贯通孔25，通过第1 刚性降低部和第2刚性降低部，使电路基板2的刚性减小。此时，贯通孔， 通过例如蚀刻加工、激光加工、切削加工、冲孔加工等而形成。由此，与第1实施方式同样地，由电路基板2上的第1线状区域202 和第2线状区域203划分的多个区域分别独立地向上表面21侧弯曲成凸 状，形成凸状区域。其结果是，能够抑制电路1412整体的弯曲，进行薄 型化，并且能减小电路141的电极和各半导体芯片的凸起的连接部的应力， 能够实现可靠性优良的存储卡。这种情况下， 一般来讲，在存储卡中电路141具有贯通孔等的情况下， 为了防止异物等"电路基板的安装面侧，所以需要密封贯通孔。但是， 本实施方式的存储卡la，在覆盖部71的插入成形时，能够通过热塑性树 脂填埋多个贯通孔25而密封。其结果是，没有必要进行贯通孔25的密封工序，所以能够简化存储卡la的制造。另夕卜，本实施方式中，将多个贯通孔25作为单纯的孔进行了说明，不 过不限于此。例如，多个贯通孔的全部或一部分可以作为电连接电路M 2的上表面21和下表面22 (参照图2和图3 )的通孔(through hole )而 使用。由此，提高电路基板的上下表面的连接的便利性。 (第3实施方式)以下，用图5A对本发明的第3实施方式中的存储卡lb进行说明。图 5A是表示本发明的第3实施方式中的存储卡lb的构成的俯视图。如图5A所示的存储卡lb，在电路基板2的第l线状区域202作为第 1刚性降低部设置一个长圆形的贯通孔26、以及在第2线状区域203作为 第2刚性降低部设置两个长圆形的贯通孔26这一点，与从图1到图3所示 的存储卡l不同。其他构成要素相同，所以附加相同的符号进行说明。另 外，在本实施方式中，作为设置于电路基板2的贯通孔26的开口形状，以 长圆形为例进行说明，不过不限于此。作为贯通孔26的开口形状，例如可 以采用矩形、椭圆形等各种形状，也能够获得同样的效果。即，如图5A所示，在存储卡lb中，作为第l线状区域202的第1刚 性降低部和第2线状区域203的第2刚性降低部，形成贯通孔26，通过第 1刚性降低部和第2刚性降低部，使电路1412的刚性降低。此时，贯通 孔，通过例如蚀刻加工、激光加工、切削加工、沖孔加工等而形成。由此， 与第1实施方式同样地，由电路基板2上的第1线状区域202和第2线状 区域203划分的多个区域分别独立地向上表面21侧弯曲成凸状，形成凸状 区域。其结果是，能够抑制电路1412整体的弯曲，进行薄型化。此外， 能够减小电路141的电极和各半导体芯片的凸起的连接部的应力，实现可 靠性优良的存储卡。以下，用图5B对本发明的第3实施方式中的存储卡的另一例进行说明。图5B是表示本发明的第3实施方式中的存储卡的另一例的构成的俯 视图。如图5B所示的存储卡lc，在电路基板2的第1线状区域202与第2 线状区域203交叉的区域，作为第1刚性降低部和第2刚性降低部，设置 十字型的贯通孔26。由此，能够获得与存储卡lb同样的效果。另外，作为电路M2的第1线状区域202的第1刚性降低部和第2 线状区域203的第2刚性降低部，可以设置例如T型的贯通孔，来替代十 字型的贯通孔26。 (第4实施方式)以下，用图6对本发明的第4实施方式中的存储卡ld进行说明。图6 是表示本发明的第4实施方式中的存储卡ld的构成的俯视图。如图6所示的存储卡ld，作为电路基板2的第l线状区域202的第1 刚性降低部和第2线状区域203的第2刚性降低部，在电路M 2的第1 线状区域202和第2线状区域203，从相对的端面、在相对的方向上设置 一对缺口 27，来替代第1槽和第2槽这一点，与从图1到图3所示的存储 卡1不同。其他构成要素相同，所以附加相同的符号进行说明。即，如图6所示，在存储卡ld中，作为第1线状区域202的第1刚 性降低部和第2线状区域203的第2刚性降低部，形成分别相对的一对缺 口 27，通过第1刚性降低部和第2刚性降低部，使电路a2的刚性降低。 此时，缺口通过例如蚀刻加工、激光加工、切削加工、冲孔加工等而形成。 由此，与第l实施方式同样地，电路1412上的由第l线状区域202和第 2线状区域203划分的多个区域分别独立地向上表面21侧弯曲成凸状，形 成凸状区域。其结果是，能够抑制电路基板2整体的弯曲，进行薄型化。 此外，能够减小电路a的电极和各半导体芯片的凸起的连接部的应力， 实现可靠性优良的存储卡ld。另外，本实施方式中，以相对的一对缺口中只有一个进入了安装第1 半导体芯片的区域的状态进行表示，不过不限于此。例如，也可以是所有 的缺口都进入安装第l半导体芯片的区域。由此，能进一步减小电路M 的弯曲。(第5实施方式)13以下，用图7对本发明的第5实施方式中的存储卡le进行说明。图7 是表示本发明的第5实施方式中存储卡le的构成的俯视图。如图7所示的存储卡le，作为电路基板2的第1线状区域202的第1 刚性降低部和第2线状区域203的第2刚性降低部，在电路M 2的第1 线状区域202和第2线状区域203设置一个缺口 27，来替代第1槽和第2 槽这一点，与从图l到图3所示的存储卡1不同。其他构成要素相同，所 以附加相同的符号进行说明。即，如图7所示，在存储卡le中，作为第l线状区域202的第1刚性 降低部和第2线状区域203的第2刚性降低部，形成一个缺口 27，通过第 1刚性降低部和第2刚性降低部，使电路M2的刚性降低。由此，与第1 实施方式同样地，能够抑制电路基板2整体的弯曲。此外，本实施方式的存储卡le的构成，特别适合没有空间形成如第4 实施方式那样互相相对的一对缺口 27 (参照图6)的情况、如果形成一对 缺口 27则电路基板2的刚性会过度降低的情况等。另外，本实施方式中，以在第1线状区域202和第2线状区域203， 在电路基板的相对的端面中的一个端面形成一个缺口 27的例子进行了说 明，不过不限于此。例如，也可以在另一个端面形成一个缺口 27。但是， 优选，在离安装较大形状的半导体芯片的区域较近的电路基板的端面形成 缺口，能够使刚性减低效果更好。 (第6实施方式)以下，对本发明的第6实施方式中的存储卡lf进行说明。图8是表示 本发明的第6实施方式中的存储卡lf的构成的俯视图，图9是图8的存储 卡lf的9-9线剖一见图。在本实施方式中，作为存储卡lf，以微型SD存储卡(mini secure digital memory card )为例进行说明。通常，存储卡lf的长度、宽度(图8中的 左右方向和上下方向的大小)及厚度(图9中的上下方向的大小)，分别为 21.5mm、 20mm及1.4mm。如图8和图9所示，存储卡lf，与如图1到图3所示的存储卡1同样地，具备大致矩形状的电路I412、夹着凸起33安装于电路基板2的上表 面21上的第1半导体芯片3、与第1半导体芯片3相邻并夹着凸起53安 装于电路^L 2的上表面21上的第2半导体芯片5、分别介于第1半导体 芯片3、第2半导体芯片5与电路^2之间的密封树脂层41、 42、使用 焊料安装于电路1412的上表面21的电阻器、电容器等的微小的芯片部件 6、在电路M2的上表面21覆盖第l半导体芯片3、第2半导体芯片5、 密封树脂层41 、 42及芯片部件6的覆盖部71及覆盖电路&板2的下表面 22的一部分的覆盖部72。在此，覆盖部71、 72,是通过例如环氧树脂等的树脂材料形成的成型 部件。如图9所示，覆盖部71，具备对安装于电路M2的笫1半导体芯 片3、第2半导体芯片5、密封树脂层41、 42及芯片部件6进行收置的凹 部711。而且，^f吏覆盖部71的凹部711的开口和电路基板2的上表面21 相对，覆盖部71安装于电路基板2。电路J412，与第1实施方式同样地，主要由玻璃环氧树脂形成，如 图9所示，在其上表面21具备分别接合第1半导体芯片3、第2半导体芯 片5和芯片部件6的电极211、 212、 213。而且，电路^i^L2，为连接外部 的电子设备，在其下表面22具备多个外部电极221。此外，在本实施方式中，在电路^i412的上表面21，如图8和图9所 示，通过相邻配置的第l半导体芯片3和第2半导体芯片5之间、且在宽 度方向上延伸的直线状的第1槽23a，作为第1线状区域202的第1刚性 降低部而形成。此时，第l槽23a的剖面形状，如图9所示，是宽度和深 度为例如50jmi的大致半椭圓形，图中将第1槽23a的宽度和深度表示得 比实际大。另外，第l槽23a的剖面形状，也可以是半圆形、三角形、矩 形等的形状，通过例如蚀刻加工、激光加工、切削加工等而形成。此外，笫1半导体芯片3和第2半导体芯片5，与第1实施方式同样 地，是主要由硅材料形成的棵芯片，与一般由玻璃环氧树脂形成的电路基 板2相比，其热膨胀率较小。另外，例如第l半导体芯片3是存储各种信 息的存储芯片，第2半导体芯片5是控制第l半导体芯片3的控制芯片等。此时，存储卡lf中，第l半导体芯片3和第2半导体芯片5通过热压 接接合于电路基板2，所以由于接合后温度的下降，电路M2会向其上 表面21侧弯曲成凸状。但是，存储卡lf，通过作为第1刚性降低部的第1 槽23a，在其位置处，电路基板2的刚性降低，所以如图9所示，电路基 板2的第l槽23a的两侧的区域，分别独立地向上表面21侧弯曲成凸状， 形成多个凸状区域201。而且，通过多个凸状区域201，与第l实施方式同 样地，能够抑制电路基板2整体的弯曲。另外，本实施方式的存储卡lf中，覆盖部71、 72是成型部件，所以 不怎么具有如第1实施方式的存储卡1那样通过以插入成形的方式在电路 基板2上形成覆盖部71所实现的矫正电路基板2的弯曲的效果。因而，能 够抑制电路基板2整体的弯曲的存储卡lf的构成，适合在由成型部件的覆 盖部71、 72所形成的有限空间内内置电路基板2的存储卡。此外，在本实施方式中，以在相邻的半导体芯片间设置槽的例子进行 了说明，不过不限于此。例如，也可以在电路基板2的上表面21，在安装 第1半导体芯片3、第2半导体芯片5的区域，形成在与第l槽23a垂直 的长度方向上延伸的另一个槽，作为第2刚性降低部。即，也可以设置至 少与第1半导体芯片3、第2半导体芯片5相对的第2线状区域，在第2 线状区域形成第2槽作为第2刚性降低部。由此，进一步增加凸状区域的 数量，能够更进一步抑制电路基板2整体的弯曲。此外，在本实施方式中，仅以设置了第l槽23a的例子进行了说明， 不过不限于此。例如也可以在安装第1半导体芯片3和第2半导体芯片5、 电路基板2的温度下降到常温后，对第1槽23a填充树脂等并使其固化。 由此，补偿电路1412的由第l槽23a引起的刚性降低，提高电路1412 的刚性，能够实现对由外部负荷引起的变形等承受能力强的存储卡。 (第7实施方式)以下，用图IO对本发明的第7实施方式中的存储卡lg进行说明。图 IO是表示本发明的第7实施方式中的存储卡lg的构成的俯视图。如图10所示的存储卡lg，将第1半导体芯片3通过粘接剂、两面粘接胶带等接合于电路基板2的上表面21 ，将第2半导体芯片5通过粘接剂、 两面粘接胶带等接合于第1半导体芯片3的上表面31 (与电路^2侧相 反的一侧的面)这一点，与第l实施方式不同。其他构成要素与图l到图 3相同，所以附加相同的符号进行说明。即，如图10所示，在存储卡lg中，第l半导体芯片3和第2半导体 芯片5不具备凸起。所以，各半导体芯片的电极，通过例如金属引线等的 引线键合工艺与电路基板2上的电极电连接。上述构成的存储卡lg中，将层叠了的第1半导体芯片3和第2半导体 芯片5接合于电路1412的情况下，对电路基&2上的同一处，进行两次 与加热相伴随的半导体芯片的按压。因此，与将各半导体芯片独立地层叠 于电路^12的情况相比，由于多次的热过程，电路M2的弯曲变大。 但是，通过具备第1刚性降低部的电路皿2,能够抑制其整体的弯曲， 所以也适合层叠多个半导体芯片而产生较大弯曲的存储卡。根据本实施方式的存储卡lg，与第1实施方式同样地，通过在与第1 半导体芯片3重叠的第1线状区域202形成第1槽23b，在电路M 2形 成多个凸状区域201，能够抑制电路基板2整体的弯曲。另外，在本实施方式中，以在电路基板的上表面设置第1槽作为第1 刚性降低部的例子进行了说明，不过不限于此。例如，也可以在电路J4^ 2的上表面21，在安装第l半导体芯片3的区域，形成在与第l槽23b垂 直的长度方向上延伸的另一个槽，作为第2刚性降低部。即，也可以设置 至少与第1半导体芯片3、第2半导体芯片5相对的第2线状区域，在第2 线状区域形成第2槽作为第2刚性降4氐部。由此，进一步增加凸状区域的 数量，能够更进一步抑制电路基板2整体的弯曲。以上对本发明的实施方式进行了说明，不过本发明不限于上述实施方 式，能够进行各种变更。例如，在第1实施方式的存储卡1中，也可以在下表面22形成第1 槽23及第2槽24中的任何一方，或两方。此外，第1槽23及第2槽24， 并不一定必须形成为贯穿从电路1^12的一个端面到相对的另一个端面为止的全长。此外，第1槽23及第2槽24,也可以相对电路^i412的长度 方向及宽度方向倾斜进行设置。此外，在第1实施方式的存储卡1中，从抑制电路皿2的整体弯曲 的角度出发，优选形成第l槽23及第2槽24双方，不过不限于此。例如， 在仅通过第1槽23及笫2槽24的其中 一个能够充分抑制弯曲的情况下(例 如，能够使存储卡l的整体厚度为规格内的大小的情况)，可以在电路M 2的上表面21或下表面22仅形成第1槽23或第2槽24的其中一个。相 反，在需要进一步抑制电路基板2的弯曲的情况下，例如除了第1槽23 及第2槽24之夕卜，还可以在电路M2按以第l槽23和第2槽24的交点 为中心的放射状形成多个槽。此外，在第6实施方式、第7实施方式的存储卡中，也可以在第l线 状区域202形成贯通孔、多个贯通孔的排列、缺口或互相相对的一对缺口， 来替代第1槽。另外，上述实施方式的存储卡中，也可以组合槽、贯通孔、 多个贯通孔的排列、缺口及互相相对的一对缺口中的多个，形成于线状区 域。此外，从第1实施方式到第5实施方式及第7实施方式的存储卡中， 在与第1半导体芯片3不相对的电路1^L的区域也可以设置线状区域。但 是，从抑制电路基板2的整体的弯曲的角度出发，优选，将线状区域设置 于与第l半导体芯片3相对的区域的电路基板上。另外，在上述各实施方式中，以将第l半导体芯片3和第2半导体芯 片5利用通过引线键合、密封树脂剂的压接进行安装的例子进行了说明， 不过不限于此。例如，可以通过各向异性导电性树脂膜、各向异性导电性 树脂膏状物、非导电性树脂膏状物等进行倒装芯片安装，也可以通过焊料 接合进行倒装芯片安装。此外，在上述各实施方式中，以存储芯片和控制芯片为例说明了第1 半导体芯片3和第2半导体芯片5，不过不限于此。例如，可以将ASIC 等其他棵芯片作为第l半导体芯片3和第2半导体芯片5使用。而且，作 为第1半导体芯片3和第2半导体芯片5，可以是层叠两个存储芯片，通此外，从第1实施方式到第5实施方式中，作为第2半导体芯片5，可以将存储信息和控制其他存储芯片的存储/控制并用芯片，安装于电路M 2。此时，半导体芯片，只要是部分利用半导体功能的芯片，则可以不是整体 具有半导体功能的芯片。此外，从第1实施方式到第5实施方式及第7实施方式中，也可以通 过成型部件构成覆盖部71，安装于电路基板2。此外，在第6实施方式中，覆盖部71、 72，可以通过例如热塑性树脂、 热固化性树脂等进行的插入成形而形成。此外，也可以将上述各实施方式适用于SD卡以外的其他卡片型存储 媒介，也能够得到同样的效果。本发明对存储信息、特别是希望薄型化的存储卡等技术领域有用。19
权利要求
1.一种存储卡，其特征在于，至少具备半导体芯片，电路基板，其中，在主面侧安装有所述半导体芯片，具有至少在所述主面或所述主面的相反侧的面的线状区域所形成的刚性降低部，以及覆盖部，其在所述电路基板的所述主面侧覆盖所述半导体芯片；所述电路基板，具有通过所述刚性降低部向所述主面侧弯曲成凸状的多个凸状区域。
2. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于，所述线状区域，至少与 所述半导体芯片相对。
3. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于，所述刚性降低部，由槽、 贯通孔及缺口中的至少一种构成。
4. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于，将所述线状区域作为第 1线状区域，将所述刚性降低部作为第1刚性降低部，在所述电路M, 在与所述第1线状区域垂直并至少与所述半导体芯片相对的笫2线状区域， 还具有在所述主面或所述主面的相反侧的所述面所形成的第2刚性降低部。
5. 如权利要求4所述的存储卡，其特征在于，所述第2刚性降低部， 由槽、贯通孔及缺口中的至少一种构成。
6. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于，还具备与所述半导体芯 片相邻地安装于所述电路基板上的另一个半导体芯片，至少所述线状区域，位于所述半导体芯片和所述另 一个半导体芯片之间。
7. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于，所*盖部，是在所述 电路a上以覆盖所述半导体芯片的方式成形的热塑性树脂。
8. 如权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述覆盖部，是具有容 纳所述半导体芯片的凹部并将所述凹部的开口面向所述电路J^而安装于所述电路^i4i的成型部件。
全文摘要
一种存储卡(1)，至少具备半导体芯片(3)；电路基板(2)，在其主面(21)侧安装有半导体芯片(3)，具有至少在主面(21)或主面的相反侧的面(22)的线状区域所形成的刚性降低部(23)；和覆盖部(71)，在电路基板(2)的主面(21)侧覆盖半导体芯片(3)，电路基板(2)具有通过刚性降低部(23)向主面(21)侧弯曲成凸状的多个凸状区域(201)。
文档编号B42D15/10GK101405752SQ200780009890
公开日2009年4月8日 申请日期2007年4月18日 优先权日2006年4月21日
发明者光明寺大道, 山田博之, 岩本笃信, 武田修一, 西川英信, 近藤繁 申请人:松下电器产业株式会社