等离子显示装置的制作方法

专利名称：等离子显示装置的制作方法
技术领域：
0001
本发明涉及一种在计算机或者电视等的图像显示中使用的等离子显 示装置。
背景技术：
0002
近年来，在计算机或者电视等的图像显示中使用的等离子显示装置 (下面，简记为PDP)，不仅实现了大屏幕并且厚度薄重量轻，而且为了 实现更高画质提高了对高清晰度的要求。0003
以往的PDP， 一般情况下为图26所示的结构。图26中，PDP1100由 前面面板PA1001和背面面板PA2构成。0004
前面面板PA1001，由在前面玻璃基板11上以条纹状设置的第2电极 即扫描电极19a、第1电极即维持电极19b、黑条(遮光层)、电介质层 17、保护层1018的层叠构成。电介质层17，由第1电介质层17a和第2 电介质层17b构成。第1电介质层17a，以覆盖扫描电极19a、维持电极 1%以及黑条7的方式形成。保护层1018形成于电介质层17上。扫描电 极19a由扫描透明电极19al和扫描金属电极19a2构成，维持电极19b由 维持透明电极19M和维持金属电极19b2构成。0005
背面面板PA2，由第3电极即地址电极14、电介质层13以及隔壁15 构成。第3电极即地址电极14在背面玻璃基板12上以条纹状设置。电介 质层13以覆盖地址电极14的方式形成。隔壁15以围绕地址电极14的方 式在电介质层13上形成为箱状。在隔壁15的内壁涂有荧光体层16。荧光体层通常为了彩色显示依次配置红、绿、蓝的三色荧光体。
0006
使前面面板PA1001与背面面板PA2相对，并在由隔壁15所划分的 放电部20中充入放电气体。例如，在放电部20中，通常以67kPa左右的 压力充入由氦、氖、氩、氪、氙、等组成的混合气。0007
接下来，对PDP的电极配置以及具有用于显示驱动PDP的驱动电路 的等离子显示装置进行说明。图27，表示PDP1100的电极配置。另外， 图28表示等离子显示装置的驱动电路的结构的框图。该等离子显示装置， 具有面板IOOI、扫描电极驱动电路1021、维持电极驱动电路22、地址电 极驱动电路23、定时发生电路1024、 A/D (模拟/数字)转换器25、扫描 线数转换部26、子场转换部27、 APL (Averaged Picture Level (平均亮度 水平))检测部28。0008
图28中，图像信号VD输入A/D转换器25。另外，水平同步信号H 以及垂直同步信号V输入定时发生电路1024、 A/D转换器25、扫描线数 变换部26。 A/D转换器25，将图像信号VD转换为数字信号的图像数据， 并将其图像数据输出至扫描线数转换部26以及APL检测部28。 APL检测 部28检测图像数据的平均亮度水平。基于检测出的平均亮度水平，控制 构成1电视场的驱动波形。扫描线数转换部26，将图像数据转换为对应面 板1001的像素数的图像数据，并输出至子场转换部27。对于子场，将在 后面叙述。子场转换部27，将分割为子场的图像数据输出至地址电极驱动 电路23。地址电极驱动电路23，在每一场将对应地址电极Dl 地址电极 Dm的电压施加于地址电极。0009
定时发生电路1024，根据水平同步信号H以及垂直同步信号V产生 定时信号，并输出至扫描电极驱动电路21以及维持电极驱动电路22。扫 描电极驱动电路1021以及维持电极驱动电路22，基于定时信号对扫描电 极SCN1 扫描电极SCNn以及维持电极SUS1 维持电极SUSn施加驱动电压。0010
接下来，对PDP1100中使用的灰度表示的方式进行说明。图29表示 PDP1100中使用的灰度表示的方式。在显示电视影像的情况下，例如， NTSC制式中的影像1秒期间由60场构成。原来，PDP1100中，仅能灰 度显示点亮或者熄灭的2种灰度。因此，使用了如下的方式，通过将l个 场期间分割为多个子场(下面，记为SF)的期间来对红、绿、蓝的各颜 色的点亮时间进行时间划分，并通过其组合来表现中间颜色。将对各SF 的放电维持期间施加的维持脉冲数的比，.以例如"1" 、 "2" 、 "4"、 "8" "16"、 "32"、 "64"、 "128"的方式以2进制模式进行附于权 重，通过将SF进行8比特的组合来表示256种灰度。0011
该方式中，为了控制放电部20中的气体放电，各SF进一步分割为4 个期间。图30，表示为了驱动一个SF中的等离子显示装置，施加于扫描 电极SCN、维持电极SUN以及地址电极D的电压波形。另外，对于这4 个期间将利用图26、图27以及图30进行说明。0012
在初始化期间，在进行选择使其点亮的单元的写入放电的写入期间 1032之前，在写入放电中通过弱放电来积蓄所希望的壁电荷积蓄。在1 电视子场内的最初的SF中，设有全单元初始化期间1031，对进行图像显 示的全部的单元进行使其发生初始化放电的初始化动作。另一方面，在其 他的SF中，设有选择初始化期间1034，进行全单元初始化动作或者仅对 在前一个SF中经历过维持放电的单元进行使其发生初始化放电的选择初 始化动作。在写入期间1032，通过写入放电进行点亮的单元的选择。在维 持期间1033中，进行仅对完成了在写入期间1032的写入放电的单元进行 维持发光的维持动作。0013
在全单元初始化期间1031的前半的初始化动作中，所有的维持电极 SUS1 维持电极SUSn以及地址电极Dl 地址电极Dm保持在0V。然后， 对全部的扫描电极SCN1 扫描电极SCNn，施加向阈值电压Vff以上的电 压Vh平缓上升的斜坡电压，该阈值电压Vff为与扫描电极SCN1 扫描电极SCNn成对的维持电极SUS1 维持电极SUSn以及相对交叉的地址电极 Dl 地址电极Dm之间开始放电的电压。于是，在放电部20发生气体放电。 在此的放电是电离倍增时间性地平缓进展的弱放电。通过该弱放电而产生 的电荷在围绕放电部20的壁面作为壁电荷积蓄，以减弱地址电极14、扫 描电极19a、维持电极19b周边的放电部20的内部以及表面的电场积蓄。 在扫描电极19a附近的保护面18表面负电荷作为壁电荷积蓄，在维持电 极1%附近的保护层18表面以及地址电极14附近的荧光体层16表面， 正电荷作为壁电荷积蓄。0014
进而，在全单元初始化期间1031的后半的初始化动作中，所有的维 持电极SUS1 维持电极SUSn保持在正电压Ve。然后，对所有的扫描电 极SCN1 扫描电极SCNn，施加向阈值电压Vpf以下的电压Vbt平缓下降 的斜坡电压，该阈值电压Vpf为与扫描电极SCN1 扫描电极SCNn成对的 维持电极SUS1 维持电极SUSn以及相对交叉的地址电极D卜地址电极 Dm之间开始放电的电压。于是，在放电部20引起气体放电。在此的放电 也是电离倍增时间性地平缓进展的弱放电。通过该放电，扫描电极19a附 近的保护层18表面所积蓄的负电荷以及维持电极19b附近的保护层18表 面所积蓄的正壁电荷被减弱。0015
在结束全单元初始化动作、所有的电极接地的状态下，对于扫描电极 与地址电极14以及维持电极1%之间通过写入放电来选择点亮单元所必 需的希望的电位差(称为"壁电位")是通过积蓄的壁电荷而产生。再者， 所谓初始化动作就是通过放电形成用于控制写入放电的所希望的壁电荷 的动作。
0016
写入期间1032中对扫描电极19a施加比地址电极14以及维持电极19b 低的电压。进而，仅对点亮的单元的地址电极14，以在扫描电极19a与 地址电极14之间产生与壁电位相同极性的电压差的方式施加电压。通过 这样，引起写入放电。由此在荧光体表面以及维持电极19b附近的保护层 表面，负电荷作为壁电荷而积蓄，在扫描电极19a附近的保护层表面，正电荷作为壁电荷而积蓄。在写入期间结束，并所有的电极接地的状态下，
在壁电荷在扫描电极19a与维持电极19b之间产生对于引起维持放电所需
的希望的壁电位。
0017
维持期间1033中，首先对扫描电极19a施加比维持电极19b高的电 压从而引起放电。其后，通过对扫描电极19a与维持电极1%以彼此替换 极性的方式施加电压，断续维持发光。0018
下面，在接下来的选择初始化期间1034中，在前一个SF的维持期间 1033的最后，对维持电极19b施加与扫描电极19a的位相差时间宽度窄的 矩形波形消去电压。通过这样，使其发生不完全的放电从而消除一部分壁 电荷，为下一个SF的初始化动作做准备。这样在以往的PDP的驱动方法 中，通过初始化期间、写入期间、维持期间这种一连串的顺序进行图像显 示。再有，全单元初始化期间，并不是仅在1个场的最初的SF施行，也 可以在其他的SF中进行。0019
图26所示的PDP1100中，在用于通过弱放电来积蓄所希望的壁电荷 的全单元初始化期间1031中，在初期放电部20中存在的离子或电子(成 为电离倍增的基础的带电粒子)的密度低的情况下，或者容易吸收带电粒 子的电荷的荧光体或隔壁围绕放电部20的情况下，成为放电来源的带电 粒子的数目绝对地减少。因此，发生电离倍增时间性地急剧进展的强放电 (下面，记为"强放电")的概率提高。0020
若发生强放电，比所希望的壁电荷过剩的壁电荷(例如，大致消除放 电部20的电场的壁电荷)被积蓄，产生比所希望的壁电位高的异常壁电 位。
0021
通过该异常壁电位的作用，出现如下的问题，即在维持期间尽管应 该熄灭但还是进行了维持发光，从而不能进行正常的图像显示(例如，参 照专利文献O 。0022
另外，在使用高清晰PDP来进行影像显示的情况下，有如下问题。例 如，在进行了高清晰处理的PDP中，由于单元间距(隔壁的间隔)较短， 因此即使由隔壁对单元彼此进行隔离，但是与相邻单元的电场干扰和带电 粒子飞散的影响也增大。0023
图30所示的以往的PDP的驱动方式中，由于在选择初始化期间1034 施加矩形波形电压，因此消去放电增强。由此，存在如下的问题，即在 驱动高清晰PDP时，在初始化期间的相邻单元之间的放电干扰的影响变得 显著，不能积蓄在写入动作中所希望的壁电位，写入动作不能正常地进行 (例如，参照专利文献2)。0024
在以往的PDP中，在为了高清晰化而减小像素间距，从而相对于放电 部20的容积的表面积的比例增大的情况下，或者在为了高亮度而提高氤 或氪等的原子序数大的放电气体的混合比例的情况下，用于进行稳定的初 始化动作的电子供给量不充足。于是，在初始化期间发生强放电，并由于 通过强放电而积蓄的异常壁电荷，在维持期间尽管是熄灭却进行了维持发 光。其结果是，存在不能进行正常的图像显示的问题。0025
再有，以往的驱动方法中，存在如下的问题，即在驱动高清晰PDP 的情况下，选择初始化期间的相邻单元间的电场干涉或带电粒子的飞散的 影响变得显著。因此，在维持期间尽管是点亮的却并未进行维持发光，不 能进行正常的图像显示。
0026
将伴随着高清晰化从而问题变得显著的原因在下面进行详细地说明。0027
伴随着高清晰化，每一单元的放电部20的体积减小，相对于放电部 20的体积的壁面的表面积的比例增加，在壁面中的带电粒子的再吸收以及 弹性撞击引起的放热所带来的能量损失增大。于是，需要从外部投入更多 的功率。其结果，全单元初始化动作前的放电部20内部的带电粒子数目减少，另外在各期间中的驱动电压上升。
0028
若施加于电极的电压上升，电极周围的放电部20内部以及表面的电 场强度变得更强，电离倍增时间性地急剧进行的概率变得更高。其结果， 使其发生在以往的初始化动作中所利用的弱放电变得更加困难。0029
这样，由于伴随着高清晰化，放电部20内部的带电粒子的减少以及 驱动电压的增大，在初始化期间容易发生强放电。其结果，正常地进行写 入期间的点亮或者熄灭单元的选择变得更加困难。0030
另外，伴随着高清晰化，由于减小各单元的尺寸，隔壁以及金属电极 所引起的遮光率增加，亮度下降从而影像的整体变暗。因此，作为确保高 画质显示中所必需的亮度的方法，提高负责可见光的发光的氙或氪的混合 比或者放电气体的全压的方法被关注。例如，研究了全压是180Torr以上 750Torr以下，氤分压比是10%、 15%、 20%、 30%、 50%、 80%、 90%、 95%、 98%、 100%等的情况。0031
在氙或氪等的混合比例较大的情况下，上述的问题变得显著的原因将 在下面进行详细地说明。0032
由于氙或氪等原子序号大的元素最外层的电子能量(第一离子化能 量)较小，因此与最外层的电子能量大的氦、氖、氩相比其二次电子发射 系数非常小。其结果，由保护膜表面提供给放电部20的电子的绝对数目 减少，从而放电开始中所必需的阈值电压变大。0033
若施加于电极的电压上升，则电极周围的放电部20内部以及表面的 电场强度变得更强，电离倍增时间性地急剧进行概率变得更高。其结果是 使其发生在初始化期间所利用的弱放电变得更困难。0034
为了确保高画质显示中所必需的高亮度而增加氤或氪等的分压比的情况下，容易在全单元初始化期间发生强放电。由于发生了强放电，由一 次发生的放电产生的发光强度较强，因此对比度显著下降，在显示低灰度 表示较多的影像时，画质显著劣化。再有，由于过剩的壁电位的形成，正 常进行写入期间下的点亮或者熄灭单元的选择变得更加困难。特开2000-214823号公报 [专利文献2]特开2006-151295号公报

发明内容
0035
等离子显示装置，具有等离子显示面板，等离子显示面板构成为，将 第1基板与第2基板相对配置，第1基板，具有至少一组的第1电极以及 第2电极，以覆盖第1电极以及第2电极的方式形成电介质层并且在电介 质层表面形成保护层，第2基板，具有至少1根的第3电极，并以覆盖第 3电极的方式形成电介质层，在第1基板与第2基板之间充入放电气体， 并且保护层，在基底保护层上附着多个由金属氧化物形成的多个结晶粒子 的所凝集的凝集粒子群。1个场由多个子场构成，子场具有初始化期间、 写入期间、维持期间之中的至少初始化期间和写入期间。初始化期间，具 有初始化期间前半部和初始化期间后半部，初始化期间前半部，对第2电 极施加从第1电压至第2电压平缓上升的电压，初始化期间后半部，对第 2电极施加从第3电压至第4电压平缓下降的电压。


0036
图1是表示本发明的实施方式中使用的面板主要部分的立体图。
图2是本发明的实施方式中的面板的电极布线图。
图3是使用了本发明的实施方式中的PDP的等离子显示装置的结构图。
图4是本发明的实施方式中的PDP的驱动方式中的子场的结构图。 图5是放大表示本发明的实施方式中的PDP的保护层部分以及其近旁 的说明图。图6是在用于说明在本发明的实施方式的PDP的保护层中凝集粒子的 放大图。
图7是表示在本发明的PDP的制造方法中，保护层形成的步骤。
图8是本发明的驱动方式中，施加于PDP的各电极的驱动电压的时序图。
图9是表示用于输出本发明的实施方式中的驱动波形的驱动电路结构 的一例的图。
图10是表示结晶粒子的阴极发光测定结果的特性图。 图11是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，电子 发射性能与表示电荷保持性能的Vscn点亮电压的关系的特性图。
图12是表示在全单元初始化期间，弱放电情况下的APD输出电压的图。
图13是表示在全单元初始化期间，强放电情况下的APD输出电压的图。
图14是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，电子 发射性能与初始化倾斜电压的边界倾斜度的关系的特性图。
图15是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，电子 发射性能与写入动作错误发生概率的关系的特性图。
图16是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，面板 温度与电子发射性能的关系的特性图。
图17是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，将施 加了本发明的驱动波形的情况下的显示状态在显示器上显示的图像的图。
图18是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，将施 加了本发明的驱动波形的情况下的显示状态在显示器上显示的图像的图。
图19是表示结晶粒子的粒子直径与电子发射性能的关系的特性图。
图20是表示结晶粒子的粒子直径与隔壁的损坏的发生率的关系的特 性图。
图21是在本发明的实施例2中施加于各电极的驱动电压的时序图。
图22是用于说明初始化抛出电压(pop voltage)的图。
图23是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，初始化抛出电压与黑色亮度的关系的特性图。
图24A是表示在本发明的实施例3中，在初始化期间前半部以及初始 化期间后半部施加于扫描电极的驱动波形的一例的图。
图24B是表示在本发明的实施例3中，在初始化期间前半部以及初始 化期间后半部施加于扫描电极的驱动波形的一例的图。
图24C是表示在本发明的实施例3中，在初始化期间前半部以及初始 化期间后半部施加于扫描电极的驱动波形的一例的图。
图24D是表示在本发明的实施例3中，在初始化期间前半部以及初始 化期间后半部施加于扫描电极的驱动波形的一例的图。
图25是表示在本发明的实施例3中，用于输出该驱动波形的扫描电 极驱动电路的一例的图。
图26是表示以往的面板主要部分的立体图。
图27是以往的面板的电极布线图。
图28是使用了以往的PDP的等离子显示装置的结构图。 图29是以往的PDP的驱动方式中的子场的结构图。 图30是施加于以往的PDP的各电极的驱动电压的时序图。0037
图中
l一等离子显示面板 ll一前面玻璃基板
12 —背面玻璃基板
13 —电介质层
14 —地址电极
15 —隔壁 16荧光体层 17电介质层 17a—第1电介质层 17b —第2电介质层 18 —保护层 18a—基底保护层18b—结晶粒子 18C —凝集粒子群
19al —扫描透明电极 19a2 —扫描金属电极 19bl —维持透明电极 19b2 —维持金属电极
20 —放电部
21 —扫描电极驱动电路
22 —维持电极驱动电路
23 —地址电极驱动电路
24 —定时发生电路
25— A/D转换器
26— 扫描线数转换部 27 —子场转换部 28—APL检测部
31 —全单元初始化期间
32 —写入期间
33 —维持期间 34—选择初始化期间 35 —初始化期间。
具体实施方式
0038
下面，对本发明的具体实施方式
结合附图进行说明。首先，图l是表 示本发明的实施方式中的面板主要部分的立体图。图2是本发明的实施方 式中的面板电极布线图。图3是使用了本发明的实施方式中的PDP的等离 子显示装置的结构图。图4是本发明的实施方式中的PDP的驱动方法中的 子场的结构图。0039
在表示图1所示的本发明的实施方式中使用的面板主要部分的立体图中，与图26所示的以往的面板主要部分相同的部分附上相同的参照序号。 在以下的说明中将重点说明与图26所示的以往的面板主要部分不同的部
分。另外，图3所示的使用了本发明的实施方式中的PDP的等离子显示装 置的结构图中，与使用了图28所示的以往的PDP的等离子显示装置的结 构图相同的部分附上相同的参照序号。在下面的说明中重点说明与使用了 图28所示的以往的PDP的等离子显示装置的结构图不同的部分。0040
图1中，维持电极19b是第1电极，扫描电极19a是第2电极，地址 电极14是第3电极。另外，将至少1组的第1电极以及第2电极，和以 覆盖第1电极以及第2电极的方式形成电介质层并且在电介质层17表面 形成保护层18的部分总称为第1基板。并且，将至少具有一根的第3电 极，并以覆盖第3电极的方式形成电介质层的部分总称为第2基板。0041
因此，首先，对根据本发明的PDP装置的面板的特征即保护层的结构 以及制造方法进行说明。图5是放大表示本发明的实施方式中的PDP保护 层部分以及其近旁的说明图。在根据本发明的PDP中，如图5所示，保护 层18构成为在电介质层17上形成由作为杂质含有铝(Al)的氧化镁 (MgO)构成的基底保护层18a，并且在其基底保护层18a上，使凝集了 多个金属氧化物即MgO的结晶粒子18b的凝集粒子群18c离散地散布。 凝集粒子群18c以遍及全面并大致均匀地分布的方式附着多个。再者，本 发明，也包含凝集粒子群18c以不均匀地分布的方式附着多个的情况。0042
在此，对凝集粒子群18c进行说明。图6是用于在在本发明的实施方 式中的PDP1的保护层中说明凝集粒子的放大图。凝集粒子群18c如图6 所示那样，规定的原始粒子直径的结晶粒子18b凝集或者收縮的状态。结 晶粒子18b的每一个，并不是作为固体具有较强的结合力而结合，而是通 过静电或范德瓦尔斯力来结合，以通过超声波的外部刺激而一部分或者全 部离散为结晶粒子的程度的结合力进行结合。0043
另外，结晶粒子18b的粒子直径是大约1 u m左右，作为结晶粒子18b，优选14面体或12面体等的具有7个面以上的面的多面体形状。结晶粒子 18b的原始粒子的粒子直径和形状，可以通过制造方法控制。
0044
例如，煅烧碳酸镁或氢氧化镁等的MgO前体来生成的情况下，若调 整煅烧温度和煅烧气氛，则可以控制粒子直径。虽然一般情况下，煅烧温 度可以在从700度左右到1500度左右的范围进行选择，但通过煅烧温度 设定为比较高的1000度以上，可以将原始粒子直径控制在0.3 2 ii m左右。 再有，通过加热MgO前体从而生成结晶粒子18b，由此在生成过程中， 可以制作多个原始粒子彼此通过被称为凝集或者收縮的现象结合的凝集 粒子群18c。0045
接下来，对在本发明中的PDP中，形成保护层18的制造步骤进行说 明。图7表示本发明的PDP的制造方法中，保护层形成的步骤。如图7 中表示的制造工艺的流程，进行形成由第1电介质层17a与第2电介质层 17b的层叠结构构成的电介质层17的电介质层形成步骤S71。0046
在基底保护层蒸镀步骤S72中，通过将作为杂质含有Al的MgO烧结 体作为原材料的真空蒸镀法，将由MgO构成的基底保护层18a形成于第2 电介质层表面17b上。0047
在基底保护层蒸镀步骤S72中所形成的未煅烧的基底保护层18a表 面，进行使多个凝集粒子群18c离散地附着的步骤。准备将具有规定的粒 子直径分布的结晶粒子18b与树脂成分一起混合于溶剂的凝集粒子糊。在 凝集粒子糊层形成步骤S73中，将凝集粒子糊通过丝网印刷，涂布于未煅 烧的基底保护层18a上从而形成凝集粒子糊层。再有，作为用于形成凝集 粒子糊层的方法，除丝网印刷以外，还有喷涂法、旋转涂层法、冲模涂层 法(die coat)、微缝涂层法(slit coat)等。0048
形成了凝集粒子糊层之后，进行使凝集粒子糊层干燥的干燥步骤S74。0049接下来，在基底保护层蒸镀步骤S72中形成的未煅烧的基底保护层
18a，与实施了干燥步骤S74的凝集粒子糊层，以几百度的温度加热煅烧 的煅烧步骤S75中，进行同时煅烧。于是，在煅烧步骤S75中，通过除去 残留于凝集粒子糊层的溶剂和树脂成分，可以在基底保护层18a上形成附 着了多个凝集粒子群18c的保护层18。根据该方法，可以在基底保护层 18a以遍及全面并均匀分布的方式附着多个凝集粒子群18c。通过以上的 步骤，制造等离子显示面板。0050
再有，除上述以外，也存在不使用溶媒，而使结晶粒子在气体中漂浮 的状态下与气体一起喷出附着的方法，或者在不喷出的情况下使用重力来 进行沉降的方法等。0051
接下来，对本发明的PDP中的驱动方法的初始化期间的驱动波形以及 驱动电路进行说明。图8是本发明的驱动方法中施加于PDP1的各电极的 驱动电压的时序图。本发明的PDP驱动波形如图8所示，在各SF的全单 元初始化期间31中，设有初始化期间前半部T1 (参照图12)和初始化期 间后半部T2 (参照图12)，其中的初始化期间前半部T1，对扫描电极19a 施加从第1电压Val至第2电压Vbl平缓上升的电压，其中的初始化期 间后半部T2，施加从第3电压Vcl至第4电压Vdl平缓下降的电压。0052
图9中表示用于实现本发明的PDP驱动波形的维持电极驱动电路22 的结构。该维持电极驱动电路，在初始化期间前半部T1中，准备有用于 施加平缓上升的电压的电源Vb，并通过分离电路来控制正极性的电压的 输出。另外，在初始化期间后半部T2中，准备有用于施加平缓下降的电 压的电源Vd，并通过分离电路控制负极性的电压的输出。0053
对于控制维持电压Vsus的输出的电路9A,控制正极性电压Vb的输 出的分离电路9B与电路9A的输出端子连接。控制负极性的电压Vd的输 出的分离电路9C与电路9B的输出端子连接。另外，在分离电路9B的高 侧开关SW3的栅极/漏极之间，连接有由恒定电流电路Il、电容器C1、二极管D1、电阻R1以及电源电压Vb构成的倾斜发生电路RMPl。在分
离电路9C的低侧开关SW6的栅极/漏极之间，也连接有由恒定电流电路 12、电容器C2、 二极管D2、电阻R2以及电源电压Vd构成的倾斜发生电 路RMP2。通过该电路结构，可以在全单元初始化期间前半部Tl将平缓 上升的电压、在全部初始化期间后半部T2将平缓下降的电压施加于扫描 电极19a。再有，图9所示的电路结构是输出倾斜电压的一例，并不限定 于此。
0054
接下来，对为了在本发明的等离子显示装置中确认效果所进行的实验 进行说明。0055
(验证实验1)
将保护层18与凝集粒子群18c的结构不同的PDP1试制了 4种样品。 其4种样品是下面的试制品1至试制品4。0056
试制品1:仅形成由MgO构成的保护层的PDP。0057
试制品2:形成由掺杂了 Al、 Si等的杂质的MgO构成的保护层PDP。0058
试制品3:在由MgO构成的基底保护层18a的表面仅散布由金属氧化 物形成的结晶原始粒子，并附着于MgO基底保护层18a的PDP。0059
试制品4:是本发明中的试制品，在由MgO构成的基底保护层18a 表面，将凝集了结晶原始粒子的凝集粒子群以遍及全面并大致均匀分布的 方式附着的PDP。0060
再有，在试制品3、试制品4中，作为金属氧化物，使用MgO单晶 粒子。
0061
对于本发明中的试制品4，对附着于基底保护层18a表面的凝集粒子群照射电子束，并测定阴极发光后，获得由图io的曲线所表示的特性。 横轴表示波长，纵轴表示发光强度的相对值。
0062
对于使用了试制品1至试制品4的4种的保护层的PDP，对电子发射 性能与电荷保持性能进行测量。在此，对电子发射性能与电荷保持性能进 行说明。
0063
所谓电子发射性能由每单位面积每单位时间从含有基底保护层18a以 及凝集粒子群的保护层表面发射出的电子数目(电流密度)决定。作为测 量从保护层表面流入放电部20的电流密度的方法，可以考虑如下的方法， 即破坏试制品从而将前面板的小片样品放入真空室中，通过外部电场捕 捉发射至空间的电子，并通过光电子倍增管等检测。但是，实际中测量来 自驱动PDP时的保护层的电路密度比较困难。0064
因此，作为与到达放电为止的电流密度有关的测定量，使用放电的统 计滞后时间Ts。将施加电压之后到放电出现峰值为止的时间性的放电的滞 后，作为放电的形成滞后时间Tf与放电的统计滞后时间Ts的和来进行解 释。放电滞后时间，依赖于施加的电压以及放电开始前的气体中的电子数 目密度。形成滞后时间Tf与施加电压相关，统计滞后时间Ts与放电开始 前的气体中电子数目密度相关。作为到达放电开始为止时间的函数，测量 各时刻下的统计滞后时间Ts。统计滞后时间Ts的倒数，与来自围绕放电 气体的保护层的电子的电流密度存在正比关系。如果将统计滞后时间Ts 的倒数，作为到达放电开始为止的时间的函数进行时间积分，可以进行来 自保护层的每单位面积的电子发射量的相对比较。在此，通过统计滞后时 间Ts的测量，进行试制品的电子发射性能的相对比较。0065
接下来，对电荷保持性能进行说明。作为电荷保持性能的指标，有在 写入期间施加的电压Vscn。初始化动作结束之后直至进行写入动作为止， 为了不失去在写入动作中所希望的壁电荷，对扫描电极19a施加与壁电位 相反极性的电压Vscn,从而抑制写入动作等待的期间的壁电荷的损失。0066
在通过与保护层18的表面电流和放电气体的电荷交换，积蓄的壁电 荷容易失去的情况下，Vscn电压有增高的趋势。Vscn电压较低表示电荷 保持性能较高。在目前的产品中，用于将扫描电压依次施加于面板的 MOSFET等的半导体开关元件中，大多数使用耐压150V左右的元件。因 此，作为Vscn电压，考虑到由开关元件的发热所引起的损伤，优选将Vscn 电压抑制在120V以下。在此，测量在写入动作中必需的最低扫描电压 Vscn，来比较试制品的电荷保持性能。0067
图11表示对上述的电子发射性能与电荷保持性能进行研究的结果。 横轴表示电子发射性能，纵轴作为电荷保持性能表示Vscn点亮电压。于 是描绘出试制品1至试制品4的性能。本发明中的试制品4获得如下特性， 即电子发射性能为6以上，并且电子保持性能为Vscn电压120V以下。 电子发射性能高的试制品2和试制品3中，Vscn电压为120V以上，电荷 保持性能较差。另一方面，在电荷保持性能高的试制品1中，电子发射性 能为2以下，电子发射性能较差。0068
(验证实验2)
试制了试制品5和试制品6。试制品5 (与试制品2的掺杂量不同)， 形成由掺杂了A1、 Si等的杂质的MgO构成的保护膜。试制品6 (试制品 4的重复品)，在由MgO构成的保护层表面将凝集了结晶原始粒子的凝 集粒子群以遍及全面并大致均匀分布的方式附着。0069
对于这些试制品，比较在全单元初始化期间的发生强放电的难易性， 并进行了由本发明中的试制品6引起的全单元初始化期间的强放电的抑制 效果的验证。0070
本实验中，作为测量仪器使用了作为光信号的接收部被利用的近红外 线用的光敏二极管(下面，标记为APD)。将全单元初始化期间中的放电 的强弱，通过APD的输出来观测。放电强弱，可以通过从氤的激励状态之间的跃迁所发射的近红外线的产生量来识别。在放电强的情况下，近红 外线的产生量增大。
0071
作为一例，图12表示全单元初始化期间弱放电发生时的APD输出波 形示意图，图13表示全单元初始化期间强放电发生时的APD输出波形示 意图。图12以及图13中，横轴表示时间纵轴表示电压。0072
在图12中，初始化期间前半部T1中，对扫描电极19a施加正电压， 包含电极周围的放电部20内部或者表面的壁电位的电位差比放电开始的 电位差高。在此，并不是时间性地急剧的电离倍增而是稳定地引起缓慢进 行的弱放电。在扫描电极19a的施加电压从正电压替换至负电压的初始化 期间后半部T2中，去除初始化期间前半部Tl中积蓄的壁电荷中的多余部 分的壁电荷，来调整壁电荷。通过在初始化期间前半部Tl以及初始化期 间后半部T2中的弱放电，能够在扫描电极19a以及地址电极14周围的放 电部20，积蓄写入放电所希望的壁电荷。0073
在图13中，在初始化期间前半部T1中，对扫描电极19a施加正电压， 包含电极周围的放电部20内部或者表面的壁电位的电位差比开始放电的 电位差高。在此，进行时间性地急剧的电离倍增，从而发生强放电。在扫 描电极19a的施加电压从正电压替换至负电压的初始化期间后半部T2中， 由于初始化期间前半部Tl中所积蓄的过剩的壁电荷，扫描电极19a的电 压在从峰值电压下降时也发生强放电。0074
这样，通过APD监视在全部初始化期间是否发生强放电，同时对于 试制品5以及试制品6，使其面板温度发生变化，来测量在初始化期前半 部发生强放电的倾斜电压的边界倾斜度。在此，作为倾斜电压产生电路 RMP1的恒定电流电路Il，通过将p型半导体、MOSFET以及电位器电阻 (volume resistor)组合的电路结构进行控制。另夕卜，在某些单元发生了强 放电的情况下与进行弱放电的其他的单元相比发光较强，即使目测也能够 确认强放电的发生。因此，通过APD与目测的双方，进行强放电的监视。0075
虽然对于各面板温度下的电子发射性能，通过后面叙述的预先实验便 已知，但是通过本实验明确了电子发射性能与边界倾斜度的关系。图14 表示本实验的结果。在图14中，横轴表示每单位时间的电子发射性能， 纵轴表示初始化倾斜电压倾斜度。0076
试制品5中，了解到在面板温度低时，电子发射性能显著恶化，必需 使倾斜电压的倾斜度更加平缓。另一方面，在试制品6中，与面板温度没 有关系，即使将倾斜电压的倾斜度设定为评价装置的测定边界的20V/y sec，也并不发生强放电。图14中，作为试制品6的边界倾斜度设定为20V/ usee进行描绘的。0077
试制品5中，为了防止全单元初始化期间中的强放电，必需使倾斜电 压的倾斜度更加平缓，初始化期间的延长是必要的。因此，考虑到縮短维 持期间或写入期间的方法。0078
但是，维持期间的縮短，在进行高清晰化时成为大的问题。高清晰PDP 中单元间距变小，像素内的金属电极和隔壁所占的比例增加，开口率降低， 亮度下降。再有，若为了防止上述的强放电延长初始化期间从而縮短维持 期间，则最大维持脉冲数目变少，峰值亮度下降。重复以上的情况，高清 晰PDP中，明亮处对比度显著恶化，画质极端劣化。0079
另外，若縮短写入期间，比起放电滞后时间，扫描电压的周期变短， 不能进行正常的写入动作。作为一例，图15表示将扫描电压的周期设定 为1.2"sec，电子发射性能与写入动作错误发生率的关系。在图15中，横 轴表示每单位时间的电子发射性能，纵轴表示初始化倾斜电压倾斜度。试 制品5中，若面板温度变为低温，则电子发射性能恶化，放电滞后时间变 长，不能进行正常的写入动作。另一方面，本发明的试制品6中，能够在 不发生写入动作错误的情况下，进行稳定的写入动作。0080由于以上原因，试制品5中在初始化期间的强放电防止与对于维持期间以及写入期间的时间上的制约不能并存。
0081
在此，对上述的预先实验进行说明。在预先实验中，研究由统计滞后时间Ts的倒数计算出的电子发射性能的相对值与面板温度的关系。图16表示其结果。在图16中，横轴表示面板温度，纵轴表示每单位时间的电子发射性能。在此，电子发射性能，是在试制品5中将面板温度为3(TC下的电子发射性能设定为"1"，来计算其他的面板温度和试制品6的电子发射性能的相对值。0082
由图16可知，试制品5随着面板的温度的下降，每单位时间的电子发射性能急剧恶化。另一方面，试制品6，与面板的温度没有关系，保持稳定并且高的电子发射性能。0083(验证实验3)
在本发明的试制品6中，施加以往的驱动方式中的驱动波形与本发明中的驱动波形，并进行由相邻单元之间的放电干涉所引起的点亮不良的比较。将以往的驱动方式中的驱动波形记为驱动波形DWF1，将本发明中的驱动波形记为驱动波形DWF2。以往的驱动方式中的驱动波形DWF1中，在选择初始化期间，施加上升沿为37V/U sec即矩形波形的消除电压。在驱动波形DWP2中，在选择初始化期间前半部中，施加以10V/usec平缓上升的倾斜电压。图17表示在驱动波形DWF1下的点亮，图18表示在驱动波形DWF2下的点亮。0084
由图17所知，在选择初始化期间施加了矩形波形的驱动方式DWF1中，观察到多个引起点亮不良的单元。另一方面，如图18所示，在选择初始化期间施加了平缓上升的倾斜电压的驱动波形DWF2中，并未观察到引起点亮不良的单元。驱动波形DWF1中，在选择初始化期间发生强放电，相邻单元之间的放电干涉很大。驱动波形DWF2中，在选择初始化期间发生弱放电，相邻单元之间的放电干涉较小。各驱动波形下的选择初始化期间的放电的强弱，通过APD进行确认。
0085
对于试制品6，由于面板面内的电介质层的薄膜厚度偏差而出现放电干涉的某种程度的偏差，研究影像显示失败的选择初始化期间前半部的倾斜电压的倾斜度。其结果是，随着升降倾斜电压的倾斜度边界为25V/Usec~35 V/ u sec。0086
根据本发明，能够提供如下的等离子显示装置，即无论全单元初始化期间、还是选择初始化期间，都能够抑制初始化期间的强放电，另外，在Vscn电压120V以下进行稳定的写入动作，高清晰、高画质、低价格的等离子显示装置。0087(实施例1)
对使用了以保护层18的结晶粒子18b的粒子直径，在平均0.9 um 2Um的范围为特征的PDP的等离子显示装置进行说明。在下面的说明中，
所谓粒子直径意味着平均粒子直径，所谓平均粒子直径表示体积累积平均直径(D50)。另外，粒子直径，可以通过SEM观察来对结晶粒子进行长
0088
在图11中说明的本发明的试制品4中，使MgO结晶粒子的粒子直径改变从而研究电子发射性能。图19表示其结果。图19中，横轴表示粒子直径，纵轴表示电子发射性能。0089
若粒子直径减小至0.3um左右，则电子发射性能降低，如果大致为0.9um以上，则可获得高的电子发射性能。0090
接下来，在图11中说明的本发明的试制品4中，在保护层18表面每单位面积散布一定个数的粒子直径不同的结晶粒子，从而研究隔壁的破损发生概率。图20表示其结果。在图20中，横轴表示粒子直径，纵轴表示隔壁破损概率。为了增加放电单元内的电子发射数目，优选保护层18上的每单位面积的结晶粒子数目较多。但是，与前面板PA1的保护层18紧
密接触的背面板PA2的隔壁15的顶部之间存在结晶粒子的情况下，在密封前面板PA1与背面板PA2时隔壁的一部分会破损。破损的隔壁材料的一部分落入放电部20中，则单元产生不正常点亮熄灭的不良。由于由隔壁破损带来的不良，在隔壁顶部存在很多结晶粒子的情况下表现得显著，因此如果附着的结晶粒子数目变多，则隔壁的损坏发生概率升高。0091
由图20可知，若结晶粒子的粒子直径增大至2.5um，则隔壁破损的概率急剧增高。另一方面，如果是粒子直径比2.5um小的结晶粒子，则隔壁破损的概率可以抑制得比较小。
0092
根据以上结果，考虑到结晶粒子18b的制造偏差和形成保护层18时的加工偏差，作为结晶粒子优选粒子直径为0.9ym以上且小于2.0wm。0093
另外，为了抑制由放电气体的离子溅射所带来的基底保护层18a的损伤，在离子溅射后进行再结晶化的过程中，优选凝集粒子群与基底保护层18a为同质的材料。因此，优选基底保护层18a也由与结晶粒子18b同质的MgO构成。0094
根据本发明的实施例l，能够获得电子发射性能为6以上，并且电荷保持性能是Vscn电压为120V以下的性能，作为高清晰PDP的保护层18，能够满足电子发射能力与电荷保持能力的两方面。因此，由此能够实现具备高清晰并高亮度的显示性能，并且低耗电的PDP。
0095
(实施例2)
本发明中的实施例2的驱动方式，是关于如下的等离子显示装置，该等离子显示装置，在图像显示所涉及的场中，至少具有一场以上的在各SF的初始化期间进行的初始化动作都是选择初始化动作的场。这里，图21表示驱动波形。0096下面，以进行的实施例2的效果验证来说明。该验证中使用的PDP是试制品5、试制品6。
0097
首先，使用本发明中的图8的驱动波形，并改变在全单元初始化期间的第2电压Vbl，从而进行黑色显示时的亮度的测定。此时，将初始化期间前半部以及初始化期间后半部中的放电所涉及的电压的总和，作为初始化抛出电压进行测量。具体的是，在初始化期间前半部，第1电压Val与第2电压Vbl之间的电压中，将开始放电的电压设为Vfl。在初始化期间后半部，第3电压Vcl与第4电压Vdl之间的电压中，将开始放电的电压设为Vf2。这样一来，初始化抛出电压为(Vbl-Vfl) + (Vf2-Vdl)。图22是初始化抛出电压的测量中的示意图。0098
图22中，横轴作为时间，分别表示近红外线的光敏二极管电压波形(图22中，记为"NIR用APD电压波形")、扫描电极的驱动波形(图22中记为"SCN")、数据电极的驱动波形(图22中记为"DATA")。电压Vfl与Vbl之间是上升抛出电压223，电压Vdl与电压Vf2之间是下降抛出电压224。另外，在扫描电极的驱动电压处于上升抛出电压223的期间发生上升发光221，在扫描电极的驱动电压处于下降抛出电压224的期间发生下降发光222。0099
另外，图23中横轴表示初始化抛出电压，纵轴表示黑色显示时的亮度(下面，记为"黑色亮度")，描绘试制品5和试制品6。在此，初始化期间前半部以及初始化期间后半部的倾斜电压的倾斜度都是2V/H sec，第3电压Vcl设定为210V，第4电压设定为132V。根据本发明者的研究，弱放电所涉及的电压(初始化抛出电压)与弱放电所引起的发光量的关系，在电极距离和单元间距等单元结构相同的情况下，比起保护层18的构成，对放电气体的依赖性显著。试制品5与试制品6中，由于是同一单元结构以及同一放电气体，仅保护层18的结构不同，因此得到黑色亮度特性相同的倾向。0100本发明所涉及的PDP以及图9的驱动方式中，在该场的前一场中，进行该单元的写入动作的情况下，该场内的全单元初始化动作中的初始化抛
出电压，比选择初始化动作中的初始化抛出电压，最大仅增大VM-Vb2。在该SF的前一个SF中，进行了写入动作的单元中，是比未进行写入动作的单元，积蓄更多的壁电荷的状态。于是，能够在比全单元初始化动作时所施加的第2电压Vbl低的第2电压Vb2下进行初始化动作(在此，为
选择初始化动作)。0101
但是，在电荷保持性能低的情况下，在进行写入动作之后到进行选择初始化动作为止的中止期间的期间，积蓄的壁电荷渐渐消失，变得不能正常地进行选择初始化动作。
0102
例如，在试制品2和试制品5中，若使其连续显示从而导致面板温度上升，则电荷保持性能恶化，写入动作中所必需的最低扫描电压Vscn急剧上升。另外，试制品3中，与面板温度无关最低扫描电压Vscn大大超过了基准值120V。另一方面，试制品4与试制品6中，与面板温度无关，不发生最低扫描电压Vscn的上升，比基准值电压120V低。0103
实际中，对试制品2、试制品3、试制品5，实施了图21所示的本发明中的驱动方式的情况下，有些单元由于壁电荷不足不能进行选择写入动作，从而不能进行正常的图像显示。另一方面，对试制品4和试制品6，实施了图21所示的本发明中的驱动方式的情况下，能够抑制初始化动作中的强放电，进行选择写入动作。0104
因此，在电荷保持性能低的以往例的PDP中，如果不在每一场进行至少一次峰值高的全单元初始化动作，则不能通过初始化动作积蓄写入动作中所希望的壁电荷。本发明的PDP中，由于与面板温度无关电荷保持性能稳定并且高，因此不需要在每一场进行全单元初始化动作。0105
本发明所涉及的PDP以及图8的驱动方式中，如上述在进行了写入动作的单元中，在全单元初始化动作时，最大施加仅Vbl-Vb2的额外电压。
例如，设定为Vbl-Vb2400V的图8的驱动方式中，对进行了写入动作的单元进行了全单元初始化动作的情况下，黑色亮度最大增加89%。因此，本发明的电荷保持性能高的PDP中，能够如图21所示减少全单元初始化动作的次数，从而比图8降低黑色亮度，能够提供黑色表现力高的等离子显示装置。
0106
(实施例3)
实施例3涉及一种在本发明的驱动方法中倾斜电压的倾斜度在中途变化的等离子显示装置。图25表示实施例3中的驱动电路的一例，从图24A至图24D表示波形图。从图24A至图24D，横轴表示时间，纵轴表示电压。
0107
如图25所示，实施例3的驱动电路中，是将平缓上升的倾斜电压之一在扫描IC的电源电压Vic中使用的结构。驱动电路，由倾斜发生电路RAMP3、扫描IC、扫描电压选择电路25D、扫描电位提高电路25E这3个构成。倾斜发生电路RAMP3，由恒定电流电路I3、电容器C3、 二极管D3、电阻R3、开关SW7以及电源电压Vb构成。扫描IC，构成为高侧开关SW10与低侧开关SW11串联连接。扫描电压选择电路25D，构成为在写入动作用的电源电压Vscn的两端串联连接开关SW8和SW9。扫描电位提高电路25E包含电压比较器。倾斜发生电路RAMP3的输出端子以及扫描电压选择电路25D的中点与扫描IC的电源输入端子连接。另外，电源Vscn的负极与开关SW9的另一端，连接至扫描IC的GND，并也连接至电源Vs。从扫描IC的中点输出电压至扫描电极19a。再有，扫描IC在每个扫描电极19a以并联的方式配置l个，扫描电压选择电路26D，是用于控制写入期间的扫描脉冲的接通断开的电路。0108
下面，对初始化期间的驱动电路的动作进行说明。开始，仅扫描IC的低侧开关SW11导通(准确的为经由二极管)，电压Vs施加于扫描电极19a。此处的电压Vs为OV。接下来，信号S3中输入高电平，从而用于发生倾斜电压的电源电压Vb，经由开关SW7施加于扫描IC。但是，由于
开关SW8、开关SW9、开关SW10处于断开，因此电源电压Vb并不输出至扫描电极19a。在此期间，使主电压Vs从0V至Va为止陡峭地上升，施加于扫描电极19a。0109
接下来，扫描IC的低侧开关SW11被断开，高侧开关SW10被导通。此时，来自恒定电流电路13的充电电流，对开关SW9以及开关SW10的寄生电容进行充电。因此，施加于扫描IC的电压，直到充电至动作开始电压为止高侧开关SW10不导通，施加于扫描电极19a的电压保持在Va。若扫描IC的电压超过动作开始电压，开关SW10开始导通，通过充电电流而作用于扫描IC的电压变为倾斜电压，从电压Va上升至电压(Va+Vic)。Vic以上的电压施加于扫描IC，从而开关SW10完全导通之后，倾斜电压发生电路RMP3输出倾斜电压直至变为电压Vb的。0110
倾斜电压达到电源电压Vb后，信号S3被断开，开关SW8被导通，经由开关SW8以及SW10从而施加于扫描电极19a的电压下降至电压(Va+Vscn)。接下来，开关SW9以及开关SW11被导通，扫描IC的电压变为0V，施加于扫描电极19a的电压下降至电压Va。0111
通过上述的电路结构，能够设有2个倾斜电压的倾斜度不同的期间，并产生后面的倾斜电压比前面的倾斜电压倾斜度平缓的电压波形。再有，图25所示的电路结构，是输出具有2个不同的倾斜度的倾斜电压的一例，并不限定于此。0112
根据本实施例3，在初始化期间前半部，倾斜电压的倾斜度设定得逐渐平缓。通过门信号发生器控制快门的开闭，并使用高灵敏度CCD照相机，从面板正面观察初始化动作时的放电扩散(discharge spread)的情况。于是了解到，在由倾斜电压引起的初始化动作中，随着从第l电压Va变化至第2电压Vb，进行将维持电极19b与地址电极14作为负极，将扫描电极19a作为正极，从透明电极的内侧(靠近于放电单元中央部一侧)至页
外侧(靠近放电单元隔壁一侧)的放电。
0113
本发明中的PDP，电子发射性能优异，并可以抑制初始化动作时的强 放电。但是，在放电扩散至外侧的情况下，有时在隔壁或隔壁近旁的荧光 体发生剩余带电，在初始化动作后的写入动作中引起异常，从而不能进行 正常的图像显示。因此，通过将倾斜电压的倾斜度设定得逐渐平缓，能够 在放电扩散至外侧的时间带进一步减弱放电，缓和对侧壁的剩余带电。进 而，通过在初始化期间前半部设有地址电极14的电压为正极性的期间， 能够抑制放电的扩散，并缓和对侧壁的剩余带电。0114
另外，通过在倾斜电压的最初的时间带增大倾斜度，能够縮短初始化 动作中所耗费的时间，并能够在与图像显示的稳定性有关的写入动作和与 图像的亮度有关的维持动作中分配更多时间。0115
如上述，本发明的PDP中，使用了本发明的驱动方式的等离子显示装 置中，考虑到电子发生源即保护层18的长期可靠性、PDP与驱动电路的 制造偏差、由初始化动作时的强放电发生引起的画质劣化、对侧壁的剩余 带电引起的画质恶化，从而优选将倾斜电压的倾斜度设定为20V/U sec以 下。
0116
(实施例4)
本发明的实施例4中的驱动方式，涉及一种如下的等离子显示装置， 即从图25所示的电路结构中，去除扫描电位提高电路25E，施加于扫 描电极19a的扫描脉冲的电位与第4电压Vd为同电位。本发明中的PDP 中，由于电荷保持性能稳定，并且写入动作等待的中止期间的壁电荷的消 失较少，因此可以省去为了补充相当于消失的电荷的电压而插入的电压 Vset2。这种情况下，可以去掉扫描电位提高电路25E，从而能够提供更低 成本的等离子显示装置。0117
以上虽然对本发明的实施方式进行了说明，但是电介质层17并不限于与各电极接触的情况，在各电极的周边部配置即可。另外，在凝集粒子 群18c配置于保护层17的表面或者内部的情况下也可获得同样的效果。 另外，PDP的单元结构，并不只是图1所示的面放电型，在形成了相对电 极的相对放电型PDP中也可以获得同样的效果。
0118
另外，本发明包含在迎来初始化前半部之前，第3电极的电压上升至 正极性的情况，初始化前半部的中途从正极性下降的情况，正极性的期间 多次复现的情况。0119
如以上说明所明确那样，根据本发明的等离子显示装置，具有如下的
效果，即增加在初期放电部中存在的带电粒子或激发粒子(下面，记为 "起动粒子(priming particle)")的密度，在写入期间之前的初始化期 间，抑制使对比度显著下降的强放电。0120
另外，具有如下效果，即能够减少选择初始化期间中的相邻单元之 间的电场干涉和带电粒子的飞散的影响，并抑制由写入期间的点亮或者熄 灭单元的选择不良引起的画质恶化。
0121
另外，在进行高清晰化而增加了扫描线条数的情况下，也能够抑制由 放电滞后引起的写入不良，从而高速地进行写入动作，能够通过高清晰化 而进行高画质显示。0122
另外，能够防止在初始化动作结束后，至写入动作为止的等待期间发 生的电荷消失，并降低在写入期间施加的扫描电压和写入电压，可以减少 扫描IC以及地址电极驱动电路的部件个数，能够提供更低成本的PDP。0123
另外，由于抑制初始化动作中的强放电的效果，防止电荷消失的效果、 抑制放电滞后的效果，因此可以提高氙或氪等原子序数大的气体的混合比 或者放电气体的全压，从而能够提供更高亮度并且高效/省电的等离子显示 装置。0124
本发明同时解决了以往的PDP的问题以及以往的驱动方式的问题，不 仅飞跃地改善了图像的闪烁和粗糙，而且可以实现由地址电极驱动电路的 部件个数减少和扫描脉冲的低电压化所带来的扫描IC的低价格，能够提 供实现了高清晰/省电/低价格的等离子显示装置。0125
本发明的等离子显示装置是，在保护层18周边部具有多个凝集了由 金属氧化物构成的多个结晶粒子的凝集粒子群的等离子体显示面板。再 有，该等离子体面板驱动方法中，初始化期间具有对第2电极施加从第1 电压至第2电压平缓上升的电压的初始化期间前半部，和对第2电极施加 从第3电压至第4电压平缓下降的电压的初始化期间后半部。通过该驱动 方式，对以良好的画质进行图像显示的图像显示装置是起作用的。另外， 本发明也可以应用于，通过提高Xe分压比或提高全压而提高了效率的等 离子显示，或者使用了全规格高清晰度的等离子显示的图像显示装置等的 用途。
权利要求
1.一种等离子显示装置，具有等离子显示面板，所述等离子显示面板构成为，将第1基板与第2基板相对配置，所述第1基板，具有至少1组的第1电极以及第2电极，以覆盖所述第1电极以及第2电极的方式形成电介质层并且在所述电介质层表面形成有保护层，所述第2基板，具有至少1根的第3电极，并以覆盖所述第3电极的方式形成有电介质层；并且在所述第1基板与所述第2基板之间封入放电气体；并且所述保护层在基底保护层上附着多个由金属氧化物构成的多个结晶粒子所凝集的凝集粒子群而构成，1个场由多个子场构成，所述子场具有初始化期间、写入期间、维持期间之中的至少初始化期间和写入期间，所述初始化期间，具有初始化期间前半部和初始化期间后半部，在所述初始化期间前半部，对所述第2电极施加从第1电压至第2电压平缓上升的电压，在所述初始化期间后半部，对所述第2电极施加从第3电压至第4电压平缓下降的电压。
2. 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于， 所述结晶粒子的粒子直径平均在0.9 li m以上且2 ii m以下的范围。
3. 根据权利要求1或权利要求2的任意一项所述的等离子显示装置， 其特征在于，所述保护层由MgO即氧化镁构成。
4. 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于， 具有至少1个场以上的在所述初始化期间所进行的初始化动作都是选择初始化动作的场。
5. 根据权利要求l所述的等离子显示装置，其特征在于，在所述初始化期间前半部具有至少2个以上的期间，该2个以上的期 间的上升的电压的倾斜度不同，在所述2个以上的期间内，后面的期间比 前面的期间倾斜度平缓。
6. 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于， 在所述初始化期间后半部具有至少2个以上的期间，该2个以上的期间的下降的电压的倾斜度不同，在所述2个以上的期间内，后面的期间一 方比前面的期间倾斜度平缓。
7. 根据权利要求l所述的等离子显示装置，其特征在于， 在所述写入期间，施加于所述第2电极的扫描脉冲的电压与所述第4电压同电位。
8. 根据权利要求l所述的等离子显示装置，其特征在于， 在所述初始化期间前半部，具有所述第3电极的电压为正极性的期间。
9. 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于， 所述初始化期间前半部的上升的电压的倾斜度为20V/U sec以下。
10. 根据权利要求l所述的等离子显示装置，其特征在于， 所述初始化期间后半部的下降的电压的倾斜度为20V/U sec以下。
11. 根据权利要求l所述的等离子显示装置，其特征在于， 在所述写入期间，施加于所述第2电极的扫描脉冲的周期为0.5 y sec以上且1.8usec以下。
全文摘要
本发明提供一种等离子显示装置，将凝集了由金属氧化物构成的多个结晶粒子的凝集粒子群在保护层的周边部配置多个，并以在初始化期间中，具有初始化期间前半部和初始化期间后半部的驱动方式进行驱动，来进行图像显示，其中在初始化期间前半部，对第2电极施加从第1电压至第2电压平缓上升的电压，其中在初始化期间后半部，施加从第3电压至第4电压平缓下降的电压。
文档编号G09G3/296GK101689454SQ20098000045
公开日2010年3月31日 申请日期2009年3月27日 优先权日2008年4月1日
发明者村田充弘, 桥本伸一郎, 沟上要, 若林俊一, 赤松庆治 申请人:松下电器产业株式会社