专利名称：一种电致发光像素驱动设备、发光设备和电致发光像素驱动设备中的特性参数获取方法
技术领域：
本发明涉及像素驱动设备、发光设备和像素驱动设备中的特性参数获取方法。
背景技术：
近些年，对发光元件类型的显示设备(发光元件类型的显示器、发光设备)的研究 和开发得到了普及，该类型的显示设备提供以矩阵形式布置发光元件的显示面板(像素阵 列)作为替代液晶显示设备的下一代显示设备。电流驱动类型的发光元件，诸如有机电致发光元件(有机EL元件)和无机电致发 光元件(无机EL元件)，或发光二极管(LED)是已知的此类型的发光元件。与已知的液晶显示设备相比，应用有源矩阵驱动方法的发光元件类型的显示设备 特别具有的特点包括较快的显示响应速度、无视角依赖性、高亮度和出众的对比度、以及高 分辨率显示图像质量的能力。另外，发光元件类型的显示设备具有极其有利的特点因为不像LCD设备那样，发 光元件类型的显示设备不显示背光或光导板，进一步减薄薄膜变得可能。因此，可以预期将 此类型的显示设备应用于将来的电子设备上。日本专利申请特开2002-156923号中公开了利用有源矩阵驱动方法的有机EL显 示设备作为此类型的发光元件类型的显示设备，该有源矩阵驱动方法通过电压信号控制电 流。利用有源矩阵驱动方法的有机EL显示设备给每个像素配备了为发光元件的有机 EL元件，并配备了具有开关薄膜晶体管和驱动有机EL元件的电流控制薄膜晶体管的像素 驱动电路。电流控制薄膜晶体管通过施加电压信号后施加的栅极电压来控制在电流控制薄 膜晶体管的漏极和源极之间流动的电流的电流值，该电压信号具有基于电流控制薄膜晶体 管的电流控制端上的每个像素的图像数据确定的电压值(以下写作“基于图像数据的电压 值”)。供应至有机EL元件的此电流使得有机EL元件发光。开关薄膜晶体管执行开关以向 电流控制薄膜晶体管的栅极供应基于图像数据的电压信号。以此方式构成的显示设备中的电流控制薄膜晶体管的特性会随着使用经历年代 改变。具体地，已知在电流控制薄膜晶体管由非晶硅TFT (薄膜晶体管)构成时，作为该TFT 的一个性质的阈值电压Vth呈现相对大的年代变化。甚至在给电流控制薄膜晶体管栅极施加用于图像数据的相同灰度值的具有相同 电压值的电压信号时，其中该电压信号具有通过基于图像数据的电压信号的电压值来控制 显示的图像的灰度的构成，在阈值电压Vth改变时，在电流控制薄膜晶体管的漏极和源极 之间流动的电流的电流值也改变，由此对于图像数据的相同灰度值，改变从显示像素的有 机EL元件发射的光的亮度。电流控制薄膜晶体管的其它特性，例如像素之间的电流放大因子β的无规性也影响显示的图像。电流控制薄膜晶体管的漏极和源极之间流动的电流的电流值与电流放大 因子β成比例。因此，即使每个像素的电流控制薄膜晶体管的阈值电压相同，当电流放大 因子β值中发生源自例如制造工艺的无规性时，电流控制薄膜晶体管的漏极和源极之间 流动的电流的电流值中也将产生无规性，由此在从有机EL元件发射的光的亮度中产生无 规性。电流放大因子的无规性归因于迁移率的无规性。迁移率的无规性在低温多晶硅 TFT中尤其突出，而非晶硅TFT中此类型的无规性相对较低。然而，即使这样，源于制造工艺 的迁移率，即电流放大因子β，的无规性的影响是不可避免的。以此方式，阈值电压Vth的改变和源于制造工艺的电流放大因子β的无规性影响 显示的图像的图像数据再现性，即图像等同性。
发明内容
为了控制归因于这些类型的阈值电压Vth的改变和源于制造工艺的电流放大因 子β的无规性的图像质量的退化，本发明中，获取例如用于每个像素的阈值电压和电流放 大因子β作为特性参数，并且能够基于此特性参数来校正基于供应的图像数据供应至每 个像素的电压信号。根据本发明的像素驱动设备是一种用于驱动多个像素的像素驱动设备，所述多个 像素连接至多个信号线中的每一个，且所述多个像素中的每一个包括发光元件、和像素驱 动电路，所述像素驱动电路具有驱动晶体管，所述驱动晶体管用于控制供应至所述发光元 件的电流，且所述驱动晶体管的电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，所述像 素驱动电路具有保持电容，所述保持电容用于通过施加于所述驱动晶体管的控制端子上的 电压储存电荷，所述像素驱动设备包括电压施加电路，用于输出参考电压；电压测量电路，配备为连接至每个信号线；开关电路，用于在所述电压施加电路和所述电压测量电路之间切换每个信号线的 一端的连接；以及特性参数获取电路，用于获取与每个像素的电特性相关的特性参数；其中，所述参考电压具有的电位使得，所述驱动晶体管的所述电流路径的所述一端相对 于另一端的电位差是超过所述驱动晶体管的阈值电压的值；以及所述开关电路将每个信号线的所述一端连接至所述电压施加电路，并在通过所述 电压施加电路在每个信号线的所述一端上施加所述参考电压达预定的时间后将每个信号 线的所述一端和所述电压施加电路之间的连接设定为中断，且在预定的沉降时间消逝后将 每个信号线的一端连接至每个电压测量电路；以及当通过所述开关电路将每个电压测量电路连接至每个信号线的一端时，所述每个 电压测量电路获取每个信号线的所述一端的电压作为所测得的电压；以及所述沉降时间设定为第一沉降时间组值和第二沉降时间值；所述第一沉降时间组 由多个不同时间值构成，所述多个不同时间值中的每一个大于比率(c/βθ)，其中，C是总 电容，所述总电容为所述保持电容、寄生于单个信号线上的寄生电容、以及寄生于所述发光元件上的发光元件电容的和，且β 0是所述电流放大因子的参考值；以及所述第二沉降时 间由比所述比率(C/βΟ)短的时间值构成；以及基于所述电压测量电路获取的针对所述第一沉降时间组的所述多个测得的电压 的值，所述特性参数获取电路获取每个像素的所述驱动晶体管的所述阈值电压和所述像素 驱动电路的所述电流放大因子作为所述特性参数中的第一特性参数；并且，基于获取的针 对每个像素的所述阈值电压的值和所述电压测量电路获取的针对所述第二沉降时间的所 测得的电压的值，所述特性参数获取电路获取表示所述电流放大因子的无规性的无规性参 数作为所述特性参数中的第二特性参数。根据本发明的第一发光设备是如下一种发光设备，包括像素阵列，所述像素阵列由多个像素构成，所述多个像素布置成连接至多个信号 线中的每一个，且所述多个像素中的每一个包括发光元件、和像素驱动电路，所述像素驱动 电路具有驱动晶体管和保持电容，所述驱动晶体管用于控制供应至所述发光元件的电流， 且所述驱动晶体管的电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，所述保持电容用于 通过施加于所述驱动晶体管的电流控制端子上的电压储存电荷；电压施加电路，用于输出参考电压；多个电压测量电路，分别配备为连接至所述多个信号线中的每一个；开关电路，用于在所述电压施加电路和每个电压测量电路之间切换每个信号线的 一端的连接；以及特性参数获取电路，用于获取与每个像素的电特性相关的特性参数；其中，所述参考电压具有的电位使得，所述驱动晶体管的所述电流路径的所述一端相对 于另一端的电位差是超过所述驱动晶体管的阈值电压的值；以及所述开关电路将每个信号线的所述一端连接至所述电压施加电路，并在通过所述 电压施加电路在每个信号线的所述一端上施加所述参考电压达预定的时间后将每个信号 线的所述一端和所述电压施加电路之间的连接设定为中断，且在预定的沉降时间消逝后将 每个信号线的一端连接至每个电压测量电路；以及当通过所述开关电路将每个电压测量电路连接至每个信号线的一端时，所述每个 电压测量电路获取每个信号线的所述一端的电压作为所测得的电压；以及所述沉降时间设定为分别的第一沉降时间组值和第二沉降时间；所述第一沉降时 间组由多个不同时间值构成，所述多个不同时间值中的每一个大于比率(c/βθ)，其中，C 是总电容，所述总电容为所述保持电容、寄生于单个信号线上的寄生电容、以及寄生于所述 发光元件上的发光元件电容的和，且β 0是所述电流放大因子的参考值；以及所述第二沉 降时间由比所述比率(C/βΟ)短的时间值构成；以及基于所述电压测量电路获取的针对所述第一沉降时间组的所述多个测得的电压 的值，所述特性参数获取电路获取每个像素的所述驱动晶体管的所述阈值电压和所述像素 驱动电路的所述电流放大因子作为所述特性参数中的第一特性参数；并且，基于获取的针 对每个像素的所述阈值电压的值和所述电压测量电路获取的针对所述第二沉降时间的所 测得的电压的值，所述特性参数获取电路获取表示所述电流放大因子的无规性的无规性参 数作为所述特性参数中的第二特性参数。
根据本发明的像素驱动设备中的特性参数获取方法是一种用于驱动多个像素的 像素驱动设备中的特性参数获取方法，所述多个像素连接至多个信号线中的每一个，并且 所述多个像素中的每一个包括发光元件、和像素驱动电路，所述像素驱动电路具有驱动晶 体管，所述驱动晶体管的电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，用于控制供应 至所述发光元件的电流，所述像素驱动电路具有保持电容，所述保持电容用于储存由施加 于所述驱动晶体管的控制端子上的电压确定的电荷，所述方法包括参考电压施加步骤，通过将电压施加电路连接至每个信号线的一端，在每个信号 线的一端上施加参考电压，使得所述驱动晶体管的所述电流路径的一端相对于另一端的电 位差是超过每个信号线的一端的所述驱动晶体管的阈值电压的值；测量电压获取步骤，其中断每个信号线的一端和所述电压施加电路之间的连接， 然后在中断所述连接后在预定的沉降时间中的每一个消逝后，获取每个信号线的一端的电 压作为所测得的电压；以及特性参数获取步骤，其根据所测得的电压获取与每个像素的电特性相关的所述特 性参数；其中，在所测得的电压获取步骤中，所述沉降时间设定为分别的第一沉降时间组值和第 二沉降时间；所述第一沉降时间组由多个不同时间值构成，所述多个不同时间值中的每一 个大于比率(C/βΟ)，其中，C是总电容，所述总电容为所述保持电容、寄生于单个信号线上 的寄生电容、以及寄生于所述发光元件上的发光元件电容的和，且β 0是所述电流放大因 子的参考值；以及所述第二沉降时间由比所述比率(c/βθ)短的时间值构成；以及所述特性参数获取步骤，包括第一特性参数获取步骤，基于针对所述第一沉降时间组的测得的电压的值，获取 每个像素的所述驱动晶体管的所述阈值电压和所述像素驱动电路的所述电流放大因子作 为所述特性参数中的第一特性参数；以及第二特性参数获取步骤，基于获取的针对每个像素的所述阈值电压的值和针对所 述第二沉降时间的所测得的电压的值，获取表示所述电流放大因子的无规性的无规性参数 作为所述特性参数中的第二特性参数。根据本发明的第二发光设备是如下发光设备，包括多个像素，所述多个像素连接至多个信号线中的每一个，且所述多个像素中的每 一个包括发光元件；以及驱动晶体管，所述驱动晶体管具有电流路径和控制端子，所述驱动晶体管将所述 电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，并基于在所述控制端子和所述电流路径 的所述一端之间写入的电压数据，来控制通过所述电流路径供应至所述发光元件的电流；电压测量电路，用于获取电压值作为每个信号线的一端的测得的电压；特性参数获取电路，用于获取与每个像素的电特性相关的特性参数；其中，所述电压测量电路获取方程(7)中表示为VmeaS(t)的每个信号线的所述一端的 电压值作为针对其分别的值满足条件(C/i3)/t < 1的多个不同沉降时间的多个第一测得的电压和针对其值满足条件(C/i3)/t ^ 1的沉降时间的第二测得的电压，其中，所述沉降 时间规定为，在经由每个信号线的所述一端将所述电压施加于所述驱动晶体管的所述电流 路径的所述一端上，使得所述驱动晶体管的所述电流路径的一端和另一端之间的电位差超 过所述驱动晶体管的所述阈值电压，并然后将每个信号线的所述一端设定于高阻抗状态 后，从停止所施加的电压的时刻起消逝的时间；以及基于所述电压测量电路获取的所述多个第一测得的电压值和所述第二测得的电 压的值，所述特性参数获取电路获取表示所述多个像素的所述驱动晶体管的电压/电流特 性的无规性的无规性参数(△ β/β)作为所述特性参数，
权利要求
一种用于驱动多个像素(21(i，j))的像素驱动设备，所述多个像素(21(i，j))连接至多个信号线(Ld)中的每一个，且所述多个像素(21(i，j))中的每一个包括发光元件(101)、和像素驱动电路(DC)，所述像素驱动电路(DC)具有驱动晶体管(T3)，所述驱动晶体管用于控制供应至所述发光元件的电流，且所述驱动晶体管的电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，所述像素驱动电路具有保持电容(Cs)，所述保持电容用于通过施加于所述驱动晶体管的控制端子上的电压储存电荷，所述像素驱动设备包括电压施加电路(14)，用于输出参考电压(Vref)；电压测量电路(114)，配备为连接至每个信号线；开关电路(Sw3)，用于在所述电压施加电路和所述电压测量电路之间切换每个信号线的一端的连接；以及特性参数获取电路(16)，用于获取与每个像素的电特性相关的特性参数；其中，所述参考电压具有的电位使得，所述驱动晶体管的所述电流路径的所述一端相对于另一端的电位差是超过所述驱动晶体管的阈值电压(Vth)的值；以及所述开关电路将每个信号线的所述一端连接至所述电压施加电路，并在通过所述电压施加电路在每个信号线的所述一端上施加所述参考电压达预定的时间后将每个信号线的所述一端和所述电压施加电路之间的连接设定为中断，且在预定的沉降时间消逝后将每个信号线的一端连接至每个电压测量电路；以及当通过所述开关电路将每个电压测量电路连接至每个信号线的一端时，所述每个电压测量电路获取每个信号线的所述一端的电压作为所测得的电压；以及所述沉降时间设定为第一沉降时间组值和第二沉降时间值；所述第一沉降时间组由多个不同时间值构成，所述多个不同时间值中的每一个大于比率(C/β0)，其中，C是总电容，所述总电容为所述保持电容、寄生于单个信号线上的寄生电容、以及寄生于所述发光元件上的发光元件电容的和，且β0是所述电流放大因子的参考值；以及所述第二沉降时间由比所述比率(C/β0)短的时间值构成；以及基于所述电压测量电路获取的针对所述第一沉降时间组的所述多个测得的电压的值，所述特性参数获取电路获取每个像素的所述驱动晶体管的所述阈值电压和所述像素驱动电路的所述电流放大因子作为所述特性参数中的第一特性参数；并且，基于获取的针对每个像素的所述阈值电压的值和所述电压测量电路获取的针对所述第二沉降时间的所测得的电压的值，所述特性参数获取电路获取表示所述电流放大因子的无规性的无规性参数作为所述特性参数中的第二特性参数。
2.如权利要求1所述的像素驱动设备，其中所述电流放大因子的所述参考值是所述电流放大因子的典型值或设计值。
3.如权利要求1所述的像素驱动设备，其中在初始阶段获取所述第一特性参数和所述第二特性参数，在所述初始阶段，每个像素 的所述驱动晶体管具有初始特性。
4.如权利要求1所述的像素驱动设备，其中当所述第一沉降时间组为tl和t2时，基于方程(1)，所述特性参数获取电路获取所述 第一特性参数，即每个像素的Vth和β，针对所述第一沉降时间组的所测得的电压分别为Vmeas (tl)和Vmeas (t2)、所述阈值电压为Vth、以及所述电流放大因子为β， (1) · · · Vmeas(t) = Vth+(C/β)/t 其中，t = tl, t2o
5.如权利要求4所述的像素驱动设备，还包括当所述第二沉降时间为t3时，基于第二方程(2)，所述特性参数获取电路获取所述第 二特性参数，即所述无规性参数Δ β/β的值，针对所述第二沉降时间的像素之间的所测 得的电压的偏差为Δ Vmeas (t3)，所述参考电压的电压值为Vref，每个像素的所述阈值电 压为Vth，所述多个像素中的电容量相对于所述电流放大因子的比率的平均值为〈C/β〉， 且所述无规性参数为Δ β/β，
6. 一种发光设备，包括像素阵列(21)，所述像素阵列由多个像素(21(i，j))构成，所述多个像素(21(i，j)) 布置成连接至多个信号线(Ld)中的每一个，且所述多个像素(21(i，j))中的每一个包括发 光元件(101)、和像素驱动电路(DC)，所述像素驱动电路(DC)具有驱动晶体管(T3)和保持 电容(Cs)，所述驱动晶体管用于控制供应至所述发光元件的电流，且所述驱动晶体管的电 流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，所述保持电容用于通过施加于所述驱动晶 体管的电流控制端子上的电压储存电荷； 电压施加电路(14)，用于输出参考电压；多个电压测量电路(114)，分别配备为连接至所述多个信号线中的每一个； 开关电路(Sw3)，用于在所述电压施加电路和每个电压测量电路之间切换每个信号线 的一端的连接；以及特性参数获取电路(16)，用于获取与每个像素的电特性相关的特性参数；所述参考电压具有的电位使得，所述驱动晶体管的所述电流路径的所述一端相对于另 一端的电位差是超过所述驱动晶体管的阈值电压(Vth)的值；以及所述开关电路将每个信号线的所述一端连接至所述电压施加电路，并在通过所述电压 施加电路在每个信号线的所述一端上施加所述参考电压达预定的时间后将每个信号线的 所述一端和所述电压施加电路之间的连接设定为中断，且在预定的沉降时间消逝后将每个 信号线的一端连接至每个电压测量电路；以及当通过所述开关电路将每个电压测量电路连接至每个信号线的一端时，所述每个电压 测量电路获取每个信号线的所述一端的电压作为所测得的电压；以及所述沉降时间设定为分别的第一沉降时间组值和第二沉降时间；所述第一沉降时间组 由多个不同时间值构成，所述多个不同时间值中的每一个大于比率(C/βΟ)，其中，C是总 电容，所述总电容为所述保持电容、寄生于单个信号线上的寄生电容、以及寄生于所述发光 元件上的发光元件电容的和，且β 0是所述电流放大因子的参考值；以及所述第二沉降时 间由比所述比率(C/βΟ)短的时间值构成；以及基于所述电压测量电路获取的针对所述第一沉降时间组的所述多个测得的电压的值，
7.如权利要求6所述的发光设备，其中所述像素阵列中的所述多个所述信号线分别沿第一方向布置； 所述像素阵列具有沿与所述第一方向正交的第二方向布置的至少一个扫描线(Ls)； 所述多个像素布置在所述扫描线和所述多个信号线的每个交点附近； 所述发光设备具有选择驱动电路(13)，用于通过在所述扫描线上施加选择的信号来设 定连接至所述扫描线的每个像素的选择的状态；以及特性参数获取电路获取处于所述选择驱动电路所选择的状态中的每个像素的所述第 一特性参数。
8.如权利要求7所述的发光设备，其中 所述像素驱动电路包括至少，第一薄膜晶体管(T3)，预定的电源电压施加于所述第一薄膜晶体管的所述电流路径的 一端上，并且所述第一薄膜晶体管具有将其所述电流路径的另一端连接至所述发光元件的 所述一个端子的连接点；第二薄膜晶体管(Tl)，其控制端子连接至所述扫描线，所述第二薄膜晶体管的电流路 径的一端连接至所述第一薄膜晶体管的所述电流路径的所述一端，并且所述第二薄膜晶体 管的所述电流路径的另一端连接至所述第一薄膜晶体管的所述控制端子；以及第三薄膜晶体管(T2)，其控制端子连接至所述扫描线，所述第三薄膜晶体管的电流路 径的一端连接至所述信号线，且所述第三薄膜晶体管的所述电流路径的另一端连接至所述 连接点； 其中，所述第一薄膜晶体管对应于所述驱动晶体管，并且在所述像素处于所述选择驱动电路选择的状态时，所述第二薄膜晶体管和所述第 三薄膜晶体管进入导通状态，所述第一薄膜晶体管的所述电流路径的所述一端与所述第一 薄膜晶体管的所述控制端子连接，并且所述信号线通过所述第三薄膜晶体管的所述电流路 径连接至所述连接点，由此，从所述电压施加电路供应的所述参考电压通过所述第三薄膜 晶体管施加于所述连接点上；以及在每个沉降时间消逝后，所述电压测量电路经由所述第三薄膜晶体管和每个信号线获 取布置在所述第二方向上的处于选择的状态中的每个像素的所述连接点的电压作为所测 得的电压。
9.如权利要求6所述的发光设备，其中所述电流放大因子的所述参考值是所述电流放大因子的典型值或设计值。
10.如权利要求6所述的发光设备，其中所述特性参数获取电路中所述第一特性参数和所述第二特性参数的获取是在初始阶 段执行的，在所述初始阶段，每个像素的所述驱动晶体管具有初始特性。
11.如权利要求6所述的发光设备，其中当所述第一沉降时间组为tl和t2时，基于方程(1)，所述特性参数获取电路获取所述 第一特性参数，即每个像素的Vth和β，针对所述第一沉降时间组的所测得的电压分别为 Vmeas (tl)和Vmeas (t2)、所述阈值电压为Vth、以及所述电流放大因子为β，(1)
12.如权利要求6所述的发光设备，其中当所述第二沉降时间为t3时，基于方程(4)，所述特性参数获取电路获取所述第二特 性参数，即所述无规性参数Δ β/β的值，针对所述第二沉降时间的像素之间的所测得的 电压的偏差为Δ Vmeas (t3)，所述参考电压的电压值为Vref，每个像素的所述阈值电压为 Vth，所述多个像素中的电容量相对于所述电流放大因子的比率的平均值为〈C/β >，且所述 无规性参数为Δ β/β，
13. 一种用于驱动多个像素(21 (i，j))的像素驱动设备中的特性参数获取方法，所述 多个像素连接至多个信号线(Ld)中的每一个，并且所述多个像素中的每一个包括发光元 件(101)、和像素驱动电路(DC)，所述像素驱动电路(DC)具有驱动晶体管(T3)，所述驱动晶 体管的电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，用于控制供应至所述发光元件的 电流，所述像素驱动电路具有保持电容(Cs)，所述保持电容用于储存由施加于所述驱动晶 体管的控制端子上的电压确定的电荷，所述方法包括参考电压施加步骤，通过将电压施加电路(14)连接至每个信号线的一端，在每个信号 线的一端上施加参考电压(Vref)，使得所述驱动晶体管的所述电流路径的一端相对于另一 端的电位差是超过每个信号线的一端的所述驱动晶体管的阈值电压的值；测量电压获取步骤，其中断每个信号线的一端和所述电压施加电路之间的连接，然后 在中断所述连接后在预定的沉降时间中的每一个消逝后，获取每个信号线的一端的电压作 为所测得的电压；以及特性参数获取步骤，其根据所测得的电压获取与每个像素的电特性相关的所述特性参数；在所测得的电压获取步骤中，所述沉降时间设定为分别的第一沉降时间组值和第二沉 降时间；所述第一沉降时间组由多个不同时间值构成，所述多个不同时间值中的每一个大 于比率(C/βΟ)，其中，C是总电容，所述总电容为所述保持电容、寄生于单个信号线上的寄 生电容、以及寄生于所述发光元件上的发光元件电容的和，且β 0是所述电流放大因子的 参考值；以及所述第二沉降时间由比所述比率(C/βΟ)短的时间值构成；以及 所述特性参数获取步骤，包括第一特性参数获取步骤，基于针对所述第一沉降时间组的测得的电压的值，获取每个 像素的所述驱动晶体管的所述阈值电压和所述像素驱动电路的所述电流放大因子作为所 述特性参数中的第一特性参数；以及其中，第二特性参数获取步骤，基于获取的针对每个像素的所述阈值电压的值和针对所述第 二沉降时间的所测得的电压的值，获取表示所述电流放大因子的无规性的无规性参数作为 所述特性参数中的第二特性参数。
14.如权利要求13所述的像素驱动设备中的特性参数获取方法，其中 第一特性参数获取步骤包括当所述第一沉降时间组为tl和t2时，基于方程(5)，获取所述第一特性参数的步骤，所 述第一特性参数即每个像素的Vth和β，针对所述第一沉降时间组的所测得的电压分别为 Vmeas (tl)和Vmeas (t2)、所述阈值电压为Vth、以及所述电流放大因子为β，
15.如权利要求13所述的像素驱动设备中的特性参数获取方法，其中 第二特性参数获取步骤包括当所述第二沉降时间为t3时，基于方程(6)，获取所述第二特性参数的步骤，所述第 二特性参数即每个像素的所述无规性参数Δ β/β的值，针对所述第二沉降时间的像素之 间的所测得的电压的偏差为Δ Vmeas (t3)，所述参考电压的电压值为Vref，每个像素的所 述阈值电压为Vth，所述多个像素中的电容量相对于所述电流放大因子的比率的平均值为 〈C/ β >，且所述无规性为Δ β / β，(6)...=— 2—<C'P>\0L々」 3 I Vref-Vth t3 J
16.一种发光设备，包括多个像素(21 (i，j))，所述多个像素(21 (i，j))连接至多个信号线(Ld)中的每一个， 且所述多个像素(21 (i，j))中的每一个包括 发光元件(101)；以及驱动晶体管(T3)，所述驱动晶体管具有电流路径和控制端子，所述驱动晶体管将所述 电流路径的一端连接至所述发光元件的一个端子，并基于在所述控制端子和所述电流路径 的所述一端之间写入的电压数据，来控制通过所述电流路径供应至所述发光元件的电流； 电压测量电路(114)，用于获取电压值作为每个信号线的一端的测得的电压； 特性参数获取电路(16)，用于获取与每个像素的电特性相关的特性参数； 其中，所述电压测量电路获取方程(7)中表示为Vmeas(t)的每个信号线的所述一端的电压 值作为针对其分别的值满足条件(C/i3)/t < 1的多个不同沉降时间的多个第一测得的电 压和针对其值满足条件(C/i3)/t ^ 1的沉降时间的第二测得的电压，其中，所述沉降时间 规定为，在经由每个信号线的所述一端将所述电压施加于所述驱动晶体管的所述电流路径 的所述一端上，使得所述驱动晶体管的所述电流路径的一端和另一端之间的电位差超过所 述驱动晶体管的所述阈值电压，并然后将每个信号线的所述一端设定于高阻抗状态后，从 停止所施加的电压(Vref)的时刻起消逝的时间；以及基于所述电压测量电路获取的所述多个第一测得的电压值和所述第二测得的电压的 值，所述特性参数获取电路获取表示所述多个像素的所述驱动晶体管的电压/电流特性的无规性的无规性参数(Δ β/β)作为所述特性参数，
17.如权利要求16所述的发光设备，其中， 特性参数获取电路通过将所述电压测量电路获取的针对每个像素的所述多个第一测得的电压代入方程 (8)，获取所述Vth和所述β作为所述驱动晶体管的所述特性参数，同时，所述驱动晶体管 的所述(C/β)值和初始阈值电压是所述特性参数；以及通过将所述驱动晶体管的所获取的特性参数、和所述电压测量电路获取的所述多个像 素的所述第二测得的电压的偏差Δ Vmeas (t)代入方程(9)，获取所述无规性参数(Δ β/ β),
全文摘要
一种像素驱动设备，其中，在将超过驱动晶体管(T3)的阈值电压(Vth)的参考电压(Vref)通过信号线内(Ld)施加于包括电致发光元件(101)和驱动晶体管的每个像素(21(i，j))上后，将信号线设定为高阻抗状态，并在预定的沉降时间消逝后获取信号线的一端的电压值，并基于在比预定的值长的多个第一沉降时间获取的电压值来获取每个像素的驱动晶体管的阈值电压和像素驱动电路的电流放大因子作为第一特性参数，并基于第一特性参数的值和在比预定的值短的时间获取的测得的电压值来获取表示电流放大因子的无规性的无规性参数。
文档编号G09G3/32GK101978411SQ20098010938
公开日2011年2月16日 申请日期2009年11月27日 优先权日2008年11月28日
发明者小仓润, 樫山俊二, 武居学 申请人:卡西欧计算机株式会社