专利名称：高分辨率像素体系结构的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及有源矩阵有机发光器件(AMOLED)显示器，并且特别地涉及在这种显示器中具有较大开口率的像素结构。
背景技术：
当前，正在引入有源矩阵有机发光器件(“AM0LED”)显示器。这种显示器的优点包括与传统液晶显示器相比更低功率消耗、制造灵活以及更快的刷新速率。与传统的液晶显示器相反，在AMOLED显示器中没有背光，因为每个像素由独立发光的不同颜色的有机发光器件(例如，红色、绿色和蓝色)组成。有机发光二极管(OLED )基于通过驱动晶体管供给的电流而发光。驱动晶体管典型地是由非晶硅或者多晶硅制造的薄膜晶体管(TFT)。每个OLED中消耗的功率与该OLED中产生的光的大小有直接关系。驱动晶体管的驱动电流确定像素的亮度，并且实际OLED器件的表面(孔)确定像素的OLED寿命。AMOLED显示器典型地由0LED、驱动晶体管、任何其它支持电路(例如使能或者选择晶体管)以及各种其它驱动和编程线构造。这种其它组件减小了像素的孔，因为它们不发光但是为OLED的正确操作所需要。一般，彩色显示器对于每个像素10具有以“条带”方式布置的三个0LED，如图IA所示。图IA中的像素10是底部发射型0LED，在其中OLED被制造在其中没有其它组件(例如晶体管和金属线)的集成电路的衬底上。像素10包括OLED 12、14和16以及对应的驱动晶体管22、24和26，其平行布置以产生“条带”布置。平行的电源线32、34和36是为向OLED 12、14和16以及驱动晶体管22,24和26提供电压所必需的。OLED 12、14和16分别发射红光、绿光和蓝光，并且对于每个OLED 12、14和16的不同亮度级可以被编程以便经由从一系列平行数据线42、44和46输入的编程电压沿着光谱产生颜色。如图IA所示，必须为用于OLED 12、14和16以及驱动晶体管22、24和26的电源线32、34和36以及选择线50和数据线42、44和46保留额外的区域。在该已知配置中，像素10的集成电路的孔比集成电路的总面积小得多，因为存在为驱动晶体管以及电源和数据线所需的区域。例如，在制作用于制造像素10的这种集成电路的遮罩(shadow mask)中，两个相邻OLED (例如OLED 12和14)之间的距离以及OLED尺寸是重要的(大于20um)。结果，对于高分辨率显示器(例如，具有33. 5um子像素宽度的253ppi)，开口率将非常低。图IB示出了电子组件的电路图，即OLED 12、驱动晶体管22、对于驱动电压线32的电源输入和对于构成像素10的每个颜色OLED的编程电压输入42。编程电压输入42向驱动晶体管22提供可变电压，驱动晶体管22又调节给OLED 12的电流以便确定OLED 12的亮度。图IC示出了对于传统的底部发射结构(例如图IA中的像素10)的截面。如所示出的，OLED 12被制造在开口区域中的衬底上的其它组件那一侧。因此，OLED发光面积被像素中的其它组件限制。公共电极层70提供与OLED 12的电连接。在该情况下，电流密度高，因为用于发光的区域有限。由于电流密度较高，因此OLED电压也高。结果，功率消耗较高并且OLED寿命减少。对于构成像素的每个OLED的另一种类型的集成电路配置包括在背板组件(例如晶体管和金属迹线)之上制造0LED，并且被称为顶部发射配置。顶部发射配置允许OLED的更大的表面面积，并且因此更高的开口率，但是要求到OLED的公共电极更薄，因为这种电极必须是透明的以便允许光从OLED发射。薄的电极导致较高的电阻并且引起该电极两端的显著的电压降。这对于实际上需要较大面积公共电极的较大面积显示器可能是个问题。
因此，当前，由于驱动晶体管和其它电路的必要性，OLED显示器的像素的孔是受限的。此外，OLED显示器中的OLED的开口率也是受限的，因为归因于设计规则要求而必须具有OLED之间的空间的最小量。因此，存在对增大用于较高分辨率显示器的基于OLED的集成电路像素的开口率的需求。
发明内容
本公开的方面包括用于彩色像素的集成电路、电路。所述集成电路具有发射第一颜色的光的第一有机发光器件。第二有机发光器件发射第二颜色的光。第二有机发光器件位于第一有机发光器件下方。第三有机发光器件发射第三颜色的光，并且与第一有机发光器件对齐且在第二有机发光器件之上。另一个示例是彩色显示器，其具有控制器和与所述控制器耦接的像素的阵列，用于显示图像。每个像素包括发射第一颜色的光的第一有机发光器件。每个像素包括发射第二颜色的光的第二有机发光器件。第二有机发光器件位于第一有机发光器件下方的底部行中。发射第三颜色的光的第三有机发光器件位于具有第一有机发光器件的顶部行中。相应的第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第三驱动晶体管分别与第一有机发光器件、第二有机发光器件和第三有机发光器件耦接。另一个示例是用于像素的集成电路。所述集成电路包括公共电极层、位于公共电极层上的有机发光器件。所述有机发光器件包括发射表面。驱动晶体管布置在所述发射表面的部分上。反射器层布置在驱动晶体管和有机发光器件之间。所述反射器层包括在所述发射表面之上的孔以及面向所述发射表面的反射表面。所述反射表面将从发光表面发射的光反射通过所述孔。鉴于参考附图进行的各种实施例和/或方面的详细描述，对于本领域技术人员而言本发明的上述和另外的方面和实施例将是明白的，接下来提供附图的简短描述。
在阅读以下详细描述时和在参考附图时本发明的上述和其它优点将变得清晰。
图IA是用于OLED像素的现有技术集成电路的布局；图IB是用于图IA中的OLED像素的OLED之一和对应驱动晶体管的电路图；图IC是图IA中的OLED像素的集成电路的侧视图；图2是具有用于校正用于参数补偿控制的数据的参考像素的AMOLED显示器的框图；图3是用于具有用于增大孔的交错的OLED的RGB型像素的集成电路的配置；图4是用于具有用于增大孔的交错的OLED的RGBW型像素的集成电路的配置；图5是用于RGB OLED像素的顶部发射布置的集成电路的配置；图6是用于顶部发射RGB OLED像素的集成电路的可替代的配置； 图7是具有用于增大从像素输出的亮度的反射器的OLED像素的截面图；图8A是与图3中的交错布置相比的、已知的像素中的OLED的条带布置的开口率的图表；图8B是与交错的顶部发射布置(例如图7中的布置)相比的、已知的像素中的OLED的条带布置的开口率的图表。虽然本发明易受到各种修改和可替代的形式，但是特定实施例已经在附图中通过示例的方式而示出并且将在本申请中详细描述。然而，应当明白，本发明并不意图限于所公开的特殊形式。相反地，本发明覆盖落入如由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替代方案。
具体实施例方式图2是具有有源矩阵区域或像素阵列202的电子显示系统200，在该像素阵列202中有源像素204a-d的阵列以行和列的配置布置。每个有源像素204包括用于发射不同的颜色成分的红色、绿色和蓝色有机发光器件(0LED)，其被结合来产生用于从像素发射的不同颜色。为了方便图示，仅仅示出了两行和两列的像素。在有源矩阵区域202的外部是外围区域206，其中设置有用于驱动和控制像素阵列202的外围电路。外围电路包括栅极或地址驱动器电路208、源极或数据驱动器电路210、控制器212和可选的电源电压(例如，Vdd)驱动器214。控制器212控制栅极驱动器208、源极驱动器210和电源电压驱动器214。栅极驱动器208在控制器212的控制之下对地址或选择线SEL[i]、SEL[i+l]等进行操作，对于像素阵列202中的每一行像素204有一个地址或选择线。在下述的像素共享的配置中，栅极或地址驱动器电路208还可以可选地对全局选择线GSEL[j]和可选地/GSEL[j]进行操作，全局选择线GSEL [j]或/GSEL [j]对像素阵列202中的像素204a_d中的多个行(诸如每两行像素204)进行操作。源极驱动器电路210在控制器212的控制之下对电压数据线Vdata[k], Vdata[k+1]等进行操作，对于像素阵列202中的每一列像素204有一个电压数据线。电压数据线给每一个像素204运送表示像素204中的发光器件的每个颜色成分的亮度的电压编程信息。在像素204的发光器件的每一个中的存储元件(诸如电容器)存储电压编程信息直到发射或驱动周期使每个发光器件导通。可选的电源电压驱动器214在控制器212的控制之下控制电源电压(VDD)线，对于像素阵列202中的每一行像素204有一个电源电压线。显示系统200还可以包括电流源电路，该电流源电路供应电流偏置线上的固定的电流。在一些配置中，参考电流能够被供应给电流源电路。在这样的配置中，电流源控制部分控制电流偏置线上的 偏置电流的施加的定时。在其中参考电流不被供应给电流源电路的配置中，电流源地址驱动器控制电流偏置线上的偏置电流的施加的定时。如已知的，显示系统200中的每个像素204需要被用指示像素204中的发光器件中的每一个的亮度的数据来编程，以便产生要从像素204发射的期望颜色。一个帧限定了包括编程周期或阶段以及驱动或发射周期或阶段的时间段，在编程周期或阶段期间用表示亮度的编程电压来对显示系统200中的每个像素204进行编程，并且在驱动或发射周期或阶段期间每个像素中的每个发光器件被导通以便以与存储在存储元件中的编程电压相当的亮度发光。因此帧是组成在显示系统200上显示的完整的运动图画的许多静态图像中的一个。至少存在用于编程和驱动像素的两种方案逐行或者逐帧。在逐行编程中，一行像素被编程并且随后在下一行像素被编程和驱动之前被驱动。在逐帧编程中，显示系统200中的所有行的像素都被首先编程，并且所有像素被逐行地驱动。任一种方案都可以采用在每个帧的开始或结束处的简短的垂直消隐时间，在该垂直消隐时间期间像素既不被编程也不被驱动。位于像素阵列202外面的组件可以被布置在其上布置有像素阵列202的同一个物理衬底上的在像素阵列202周围的外围区域206中。这些组件包括栅极驱动器208、源极驱动器210和可选的电源电压控制214。可替代地，在外围区域中的一些组件可以被布置在与像素阵列202相同的衬底上而其它组件被布置在不同的衬底上，或者在外围区域中的所有组件可以被布置在与其上布置有像素阵列202的衬底不同的衬底上。栅极驱动器208、源极驱动器210和电源电压控制214 —起构成显示驱动器电路。某些配置中的显示驱动器电路可以包括栅极驱动器208和源极驱动器210但不包括电源电压控制214。显示系统200还包括电流供应和读出电路220，其从数据输出线VD [k]、VD[k+1]等读取输出数据，对于像素阵列202中的每一列像素204a、204c有一个数据输出线。在该示例中的像素204中的OLED的驱动晶体管是由非晶硅制造的薄膜晶体管。可替代地，驱动晶体管可以由多晶硅制造。在下述的OLED的配置中，通过改变驱动晶体管和OLED的布置使OLED发射表面的遮挡面积最小化来提高开口率。顶部发射的另一种配置允许光从由驱动晶体管和金属层(例如电源和编程线)阻挡的区域引导到OLED的发射表面上方的窗口。结果，开口率比实际开口大的多。下述的OLED和驱动晶体管的布置使得像素开口更少依赖于制造设计规则，所述制造设计规则要求在OLED之间的一定的距离以及电压供应和数据线的一定的宽度。该技术允许在不需要高分辨率制造工艺的情况下制造高分辨率显示器而同时得到合理的开口率。因此，遮罩的使用变得可能或者甚至更容易，用于划分高像素密度的像素。图3示出了作为RGB底部发射像素的交错的体系结构的像素300的集成电路布局的顶视图。像素300的集成电路布局包括顶部子行302和底部子行304，每个子行具有一系列0LED。每个OLED构成单独的像素(例如像素300)中的子像素。子像素(例如，绿色、红色和蓝色)在子行之间交替。在该示例中，顶部子行302包括绿色OLED 310、驱动晶体管312、红色OLED 314和驱动晶体管316。底部子行304包括驱动晶体管320、蓝色OLED 322、驱动晶体管324和绿色OLED 326。选择线330被制造在顶部子行302的顶部上，并且选择线332被制造在底部子行304的底部上。驱动晶体管316和绿色OLED 326属于阵列中的下一个像素350，并且与像素300共用选择线330和332。因此，像素300中的OLED 310、314和322处于交错布置，这允许它们被并排地更紧密地放置在一起。应当理解，仅仅为了方便而使用术语“子行”。从另一个视角来看，不同的OLED可以在相邻列上交错。各种OLED被布置为使得一定的OLED彼此紧邻而其它OLED在彼此紧邻的OLED的上方或者下方，以便允许增大OLED的宽度。电源线340环绕(border)绿色OLED 310和驱动晶体管320两者。数据线342被制造在顶部子行302的驱动晶体管312和绿色OLED 310之间，并且在底部子行304的蓝色OLED 322和驱动晶体管320之间延续。电源线344被制造在顶部子行302的红色OLED314和驱动晶体管312之间，并且在底部子行304的驱动晶体管324和蓝色OLED 322之间延续。像素300的结构还包括数据线346，数据线346被制造在顶部子行302的驱动晶体管314和红色OLED 314之间，并且在底部子行304的绿色OLED 326和晶体管324之间延续。另一个电源线348环绕顶部子行302的驱动晶体管316和底部子行304的绿色OLED 326。 驱动晶体管316和绿色OLED 326是与像素300相邻的下一个像素350的一部分但是共用数据线346。在图3中，像素300的显示电路被分成两个子行302和304。OLED 310、322和314被交替地放置在像素区域的顶侧和底侧。结果，两个相邻OLED之间的距离将比所要求的最小距离大。同时，数据线(例如数据线342和346)可以在两个相邻像素(例如像素300和相邻像素350)之间被共用。这得到大的开口率，因为由于交错配置得到OLED的更大的发射面积，OLED (例如OLED 310和OLED 322)之间的距离可以被减小。由于像素300中的OLED共用电源线，为这种线所必需的表面面积被减少，允许该区域对OLED的发射表面开放，因此进一步增大开口率。图4示出了用于RGBW底部发射显示像素电路400的示例性交错体系结构。用于像素400的集成电路布局包括顶部子行402和底部子行404。在该示例中，顶部子行402包括绿色OLED 410、驱动晶体管412、红色OLED 414和驱动晶体管416。底部子行404包括驱动晶体管420、蓝色OLED 422、驱动晶体管424和白色OLED 426。图4示出了包括四个OLED 410、414、422 和 426 的整个像素。选择线430被制造在顶部子行402的顶部上，并且选择线432被制造在底部子行404的底部上。电源线440环绕绿色OLED 410和驱动晶体管420两者。数据线442被制造在顶部子行402的驱动晶体管412和绿色OLED 410之间，并且在底部子行404的蓝色OLED422和驱动晶体管420之间延续。电源线444被制造在顶部子行402的红色OLED 414和驱动晶体管412之间，并且在底部子行404的驱动晶体管424和蓝色OLED 422之间延续。电路400还包括数据线446，数据线446被制造在顶部子行402的驱动晶体管416和红色0LED414之间，并且在底部子行404的白色OLED 426和驱动晶体管424之间延续。另一个电源线448环绕顶部子行402的驱动晶体管416和底部子行404的白色OLED 426。电源线440和448由相邻像素(未示出)共用。如同图3中的配置一样，图4中的像素电路400具有增大的孔，因为由于OLED410、414、422和426之间的交错关系，平行的OLED之间的距离可以减少。添加了白色OLED426，因为使用像素电路400的显示器的大部分典型地发射白色并且白色OLED 426减少蓝色OLED 422的连续发射，在RGB型像素(例如图3中的像素300)中主要利用蓝色OLED 422来发射白色。如同图3中的配置一样，OLED之间的距离可以被减少，得到发射表面区域的更大的暴露。此外，数据和电源线的共用还减少为这种线所必需的区域，得到用于OLED的暴露的额外的表面发射面积。如图3和图4所示的相同的交错布置可以被用于顶部发射型OLED集成电路。图5示出了用于RGB顶部发射显示结构500的交错颜色图形。结构500包括顶部子行502和底部子行504。顶部子行502包括绿色OLED 512和红色OLED 514。用于驱动OLED 512和514的驱动晶体管被安装在OLED 512和514下方的较低电路层516上。底部子行504包括蓝色OLED 522和绿色OLED 524。驱动0LED522和524的驱动晶体管被制造在OLED 522和524下方的电路层526上。在显示结构500中，OLED 512、514和522构成一个像素，而绿色OLED 524为另一个像素的一部分。因此结构500得到具有共用各种数据线的互锁像素的显示器。这种像素要求图像数据的某种内插，因为数据线在像素的OLED之间被共用。选择线530被制造在顶部子行502的顶部上，并且选择线532被制造在底部子行504的底部上。电源线540环绕绿色OLED 510和蓝色OLED 520两者。数据线542被制造在顶部子行502的绿色0LED510下方，并且在底部子行504的蓝色OLED 522下方延续。数据线542被用来对绿色OLED 512和蓝色OLED 522进行编程。电源线544被制造在顶部子行502的红色OLED 514和绿色OLED 512之间，并且在底部子行504的绿色OLED 524和蓝色OLED 522之间延续。数据线546被制造在顶部子行502的红色OLED 514上方，并且在底部子行404的绿色OLED 524上方延续。数据线546被用来对红色0LED514和绿色OLED524进行编程。另一个电源线548环绕顶部子行502的红色OLED 514和底部子行504的绿色OLED 524。电源线540和548由相邻像素的OLED和晶体管共用。在该情况下，在顶部发射结构500中共用数据编程线542和546 (VDATA)导致更多的区域用于OLED下方的驱动晶体管。结果，发射结构500中的驱动晶体管可以具有较大的源极区、漏极区和栅极区，并且由于晶体管所需的电流密度较低，驱动晶体管的老化将较慢。发射结构500由于交错布置而允许减小OLED 512和522之间的距离。可以使得OLED 512、514、522和524宽于已知OLED，但是具有相对较短的长度。较宽的OLED表面引起增大的开口率。发射结构500要求来自原始RGB信号的处理后的图像数据信号，因为OLED与来自相邻像素的OLED交错。OLED 512、514、522和524上方的透明公共电极(未示出)具有相对较低的电阻，因为OLED 512、514、522和524的区域较宽。图6示出了用于顶部发射结构的可替代的像素布置600。像素布置600提高开口率并且放宽OLED制造要求。像素布置600包括不同的像素602、604、606和608。每个像素具有布置在电路层616上的三个OLED (例如OLED 610、612和614)，电路层616包括用 于驱动OLED 610,612和614中的每一个的驱动晶体管。在该情况下，OLED 610发射绿光并且与发射红光的OLED 612在一行中。0LED614发射蓝光并且具有比OLED 610和612大的发射表面。选择线(例如选择线620、622和624)在像素602、604、606和608的顶部和底部上行进。电源线630、632和634沿着像素602、604、606和608的侧面行进，用于为OLED610,612和614以及它们的相应的驱动晶体管供应电压。数据线640、642、644和646在像素602、604、606和608的OLED下方行进。例如，数据线640被用来对OLED 610进行编程，数据线642被用来对OLED 612进行编程，并且数据线640或者644被用来对像素602中的OLED 614进行编程。在结构600中，任意单一电流在一个子行之内。结果，线在使用布置600的像素组成的显示器中看起来更直，因此为文本应用提供更好的质量。发射蓝光的OLED 614比OLED610和612大，覆盖基本上像素602的整个宽度，因为用于蓝色OLED 614的增大的表面面积放慢了作为蓝色OLED固有的更快速老化的结果的老化。增大的表面面积要求更低电流密度来产生与更小表面OLED相同的输出，并且因此老化更慢。图6中的结构600具有相比于图5中的结构500改善的外观，因为红色、绿色和蓝色OLED元件处于一条直线中而不是在像素之间交错。如同图5中的结构500 —样，OLED 610、612和614上方的透明公共电极(未示出)具有相对较低的电阻，因为OLED 610,612和614的区域较宽。图7示出了作为修改过的底部发射型像素的像素结构700的截面，该 修改过的底部发射型像素通过具有反射器聚焦从OLED 702的发射区域的由其它电路组件覆盖的区域发射的光来增大开口率。OLED 702包括阴极层704和阳极层706。公共电极层708给0LED702的另一侧提供电偏置。公共电极708可以被成形为凹面反射镜，以便将更多的光反射朝向反射表面740。驱动晶体管710被制造在OLED 702的发射表面的一部分的上方。驱动晶体管710包括栅极712、漏极区714和源极区716。驱动晶体管710被制造在与OLED702重叠的透光的(clear)衬底层720上。金属化层730被覆盖在透光的衬底720上，以便形成分别与驱动晶体管710的漏极区714和源极区716接触的电极732和734，并且提供与电路的其它组件(例如数据和电源电压线)的电连接。电极还被形成到晶体管710的栅极(未示出)。金属化层730包括孔736，通过该孔736来自OLED 702的光可以被发射通过透光的衬底720。像素结构包括反射器740，反射器740被布置在OLED 702和驱动晶体管710之间。反射器740包括面向OLED 702的发射表面的反射表面742，该反射表面742反射从OLED702发射的通常会被驱动晶体管710阻挡的光。反射光(图7中的箭头所示出的)被发射出反射器740中的窗口 744，因此增加实际上从OLED 702发射的光。因此OLED发射面积不限于由OLED 702上的支持组件和驱动晶体管限定的开口窗。结果，对于给定亮度的OLED电流密度低于传统的底部发射布置。包括反射器740的该布置为了实现与没有反射器的传统的OLED相同的亮度而要求较低的OLED电压并且因此较低的功率消耗。此外，由于电流密度较低，OLED 702的寿命将更长。该结构700还可以和其它技术一起使用来进一步提高开口率。对于不同的显示分辨率的开口率被展现在图8A中的图表800中。图表800比较显示分辨率的各种配置的开口率。一组数据点802示出了如图IA所示的标准非晶硅红绿蓝像素条带结构的开口率。第二组数据点804示出了标准多晶硅红绿蓝像素条带结构的开口率。如图8A所示，基于多晶硅的像素具有比基于非晶硅的像素稍微更好的开口率。第三组数据点806示出了底部发射交错结构(例如图3所示出的像素300的结构)的开口率。如图8A中的数据点802所示，在使用标准RGB条带配置的较高分辨率(例如，250PPI)的开口率是零时，数据点806中的图3中的交错像素体系结构的开口率对于直到260PPI都高于20%。图8B是示出对于各种OLED像素结构在不同的显示分辨率下的开口率的绘图的图表850。一组数据点852示出了利用遮罩制造的如图IA所示的标准非晶硅红绿蓝像素条带结构的开口率。第二组数据点854示出了利用遮罩制造的非晶硅底部发射交错结构(例如图3所示出的像素300的结构)的开口率。另一组数据点856示出了通过激光引发的热成像(LITI)制造的红绿蓝像素条带结构中的顶部发射型结构的开口率。最后一组数据点858示出了通过LITI制造的使用图7所示出的交错布置的顶部发射型结构的开口率。对于两种类型的OLED图形化(具有20-μ m间隙的遮罩以及具有10-μ m间隙的LITI)提取开口率，如对于图IA所示出的条带类型布置的数据点852和856所示。在遮罩制造的情况下，RGB条带的开口率受到OLED设计规则的限制，而使用LITI制造的RGB条带受到TFT设计规则的限制。然而，对于遮罩和LITI制造两者，交错颜色图形化可以提供具有如由数据点854和858所示出的大开口率的高分辨率(例如300ppi)。与传统的OLED布局相比，该分辨率在没有要求较紧密的设计规则的情况下被提供。 虽然已经示出和描述了本发明的特定实施例和应用，但是应当理解，本发明不限于在本申请中公开的精确的构造和布局，并且在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下各种修改、改变和变体可以根据上述描述而明白。
权利要求
1.一种用于彩色像素的集成电路，所述电路包括 第一有机发光器件，发射第一颜色的光； 第二有机发光器件，发射第二颜色的光，所述第二有机发光器件位于第一有机发光器件下方；以及 第三有机发光器件，发射第三颜色的光，与第一有机发光器件对齐并且在第二有机发光器件之上。
2.根据权利要求I所述的集成电路，还包括 第一驱动晶体管，位于第一有机发光器件下方，控制第一有机发光器件的亮度； 与第一发光器件紧邻的第二驱动晶体管，第二驱动晶体管控制第二有机发光器件的亮度；以及 控制第三有机发光器件的亮度的第三驱动晶体管，第三驱动晶体管被设置为与第二有机发光器件紧邻并且在第三有机发光器件下方。
3.根据权利要求I所述的集成电路，还包括耦接到第一有机发光器件的一侧的电压线、耦接在第一有机发光器件和第二有机发光器件之间的数据线。
4.根据权利要求2所述的集成电路，还包括用于激活有机发光器件的编程的选择线，所述选择线与第一有机发光器件、第二驱动晶体管和第三有机发光器件耦接。
5.根据权利要求2所述的集成电路，还包括与第三驱动晶体管紧邻设置的第四有机发光器件和与第三有机发光器件紧邻设置的第四驱动晶体管，第四驱动晶体管控制第四有机发光器件的亮度，其中第四有机发光器件发射白光。
6.根据权利要求I所述的集成电路，其中第一颜色是绿色，第二颜色是蓝色并且第三颜色是红色。
7.根据权利要求I所述的集成电路，还包括 多个驱动晶体管，位于第一有机发光器件、第二有机发光器件和第三有机发光器件下方；以及 在有机发光器件下方制造的数据线。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其中第一颜色是绿色，第二颜色是蓝色并且第三颜色是红色，其中第二有机发光器件具有比第一和第二发光器件的发射面积大的发射面积。
9.根据权利要求I所述的集成电路，其中有机发光器件是使用遮罩工艺或激光引发的热成像工艺之一来制造的。
10.根据权利要求I所述的集成电路，还包括反射器层，所述反射器层被布置在有机发光器件中的至少一个之上，所述反射器层具有面向有机发光器件的反射表面，并且将来自有机发光器件的光引向所述反射器层中的孔。
11.一种彩色显示器，包括 控制器； 与所述控制器耦接的像素的阵列，用于显示图像，其中每个像素包括 第一有机发光器件，发射第一颜色的光； 第二有机发光器件，发射第二颜色的光，所述第二有机发光器件位于第一有机发光器件下方的底部行中；第三有机发光器件，发射第三颜色的光，所述第三有机发光器件在具有第一有机发光器件的顶部行中；以及 相应的第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第三驱动晶体管，分别与第一有机发光器件、第二有机发光器件和第三有机发光器件耦接。
12.根据权利要求I所述的彩色显示器，其中有机发光器件位于衬底上，并且驱动晶体管被制造在有机发光器件上，第一驱动晶体管位于第一有机发光器件下方的底部行，第二驱动晶体管在顶部行中与第一发光器件紧邻地设置，并且第三驱动晶体管在底部行上与第二有机发光器件紧邻地设置并且在第三有机发光器件下方。
13.根据权利要求12所述的彩色显示器，其中每个像素还包括在底部行上与第三驱动晶体管紧邻地设置的第四有机发光器件和在顶部行上与第三有机发光器件紧邻地设置的第四驱动晶体管，第四驱动晶体管控制第四有机发光器件的亮度，其中第四有机发光器件发射白光。
14.根据权利要求12所述的彩色显示器，其中第一颜色是绿色，第二颜色是蓝色并且第三颜色是红色。
15.根据权利要求12所述的彩色显示器，还包括 多个驱动晶体管，位于第一有机发光器件、第二有机发光器件和第三有机发光器件下方；以及 在有机发光器件下方制造的数据线。
16.根据权利要求15所述的彩色显示器，其中第一颜色是绿色，第二颜色是蓝色并且第三颜色是红色，其中第二有机发光器件具有比第一和第二发光器件的发射面积大的发射面积。
17.一种用于像素的集成电路，所述集成电路包括 公共电极层； 有机发光器件，位于公共电极层上，所述有机发光器件包括发射表面； 驱动晶体管，布置在所述发射表面的部分上；以及 反射器层，布置在驱动晶体管和有机发光器件之间，所述反射器层包括在所述发射表面之上的孔以及面向所述发射表面的反射表面，所述反射表面将从发光表面发射的光反射通过所述孔。
全文摘要
本发明公开了使用交错布置的有机发光器件(OLED)来增大开口率的高分辨率像素。布置可以和底部和顶部发射型像素一起使用。该布置包括发射第一颜色的光的第一有机发光器件。发射第二颜色的光的第二有机发光器件位于第一有机发光器件下方的底部行中。发射第三颜色的光的第三有机发光器件位于具有第一有机发光器件的顶部行中。
文档编号G09G3/32GK102714213SQ201080060644
公开日2012年10月3日 申请日期2010年12月1日 优先权日2009年12月1日
发明者A·纳桑, G·查吉, V·古普塔 申请人:伊格尼斯创新公司