显示装置及其控制方法
【专利摘要】本发明涉及显示装置及其控制方法。显示装置具备的多个像素电路(10)分别具备：驱动晶体管(TD)；第一端子连接于驱动晶体管(TD)的源极端子的第一电容元件(C1)；切换驱动晶体管(TD)的栅极端子与数据线(DATA)之间的导通及非导通的第一开关元件(T1)；切换驱动晶体管(TD)的栅极端子与第一电容元件(C1)的第二端子之间的导通及非导通的第二开关元件(T2)；切换第一电容元件(C1)的第二端子与参考电压线(VR)之间的导通及非导通的第三开关元件(T3)；切换第一电源线(VDD)与所述驱动晶体管的源极端子之间的导通及非导通的第四开关元件(T4)；以及第一端子连接于驱动晶体管(TD)的漏极端子、第二端子连接于第二电源线(VSS)的发光元件(EL)。
【专利说明】显示装置及其控制方法【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置及其控制方法，尤其涉及使用了有机电致发光(EL)元件的显示装置及及其控制方法。
【背景技术】
[0002]近来，使用了有机EL元件的显示装置(以下称为有机EL显示装置)的开发及实用化得到进展。有机EL显示装置一般具有呈矩阵状配置分别具有有机EL元件的多个像素电路而成的显示单元、和用于驱动该显示单元的驱动电路。
[0003]有源矩阵型的有机EL显示装置中所使用的原理性的像素电路使用有机EL元件、开关晶体管、电容器、以及驱动晶体管而构成。在这种像素电路中，首先使该像素的选择开关晶体管导通，将与该像素的辉度信号对应的数据电压通过信号线记录到电容器中之后，使所述选择开关晶体管为非导通的状态，由此在所述电容器中保持数据电压。接着，从驱动晶体管向有机EL元件供给大小与保持在电容器的电压对应的电流，有机EL元件以与从驱动晶体管供给的电流相应的辉度进行发光。
[0004]针对这种原理性的像素电路，提出了多种多样的像素电路及其控制方法的方案(例如专利文献I)，所述像素电路设置有用于使有机EL元件以与数据电压对应的更准确的辉度进行发光的结构。
[0005]图30是表示 专利文献I所公开的现有的像素电路90的电路图。
[0006]像素电路90包括晶体管Ml~M5、电容器Cvth、Cst、以及有机EL元件0LED。信号线Dm传输与有机EL元件OLED的发光辉度对应的数据电压Vdata。
[0007]概括而言，像素电路90进行如下的工作。此外，在以下的说明中，将如下的工作描述为以电压B为基准而在电容器中保持电压A，该工作为:向电容器的一端施加电压A，并向另一端施加电压B，用该电容器保持作为电压A与电压B之差的电压(A — B)。该描述在本说明书的整体中使用。
[0008]首先，用电容器Cvth以基准电压Vsus为基准来保持从晶体管Ml的源极电压(在此为电源电压VDD)下降了晶体管Ml的阈值电压Vth的电压VDD — Vth。接着，用电容器Cst以电源电压VDD为基准来保持数据电压Vdata。
[0009]其结果，将电容器Cvth所保持的电压Vsus - (VDD 一 Vth)和电容器Cst所保持的电压VDD - Vdata相加而得到的电压(也即是，由电容器Cvth、Cst构成的串联电路的两端电压)成为将阈值电压Vth和基准电压Vsus与数据电压Vdata之差相加而得到的电压Vsus — Vdata+Vth。
[0010]该电压Vsus - Vdata+Vth作为偏置电压而被施加在晶体管Ml的栅极、源极端子之间。该偏置电压包含阈值电压Vth，晶体管Ml的源极电压为VDD，因此，对于晶体管Ml的源极电流，能够消除阈值电压Vth和晶体管Ml的源极电压的影响，能够向有机EL元件OLED供给大小仅依赖于基准电压Vsus与数据电压Vdata之差的电流。
[0011]在先技术文献[0012]专利文献1:日本特开2005 - 258407号公报
【发明内容】
[0013]发明所要解决的问题
[0014]然而，根据专利文献I所记载的现有的像素电路及其控制方法，在电容器Cvth中保持了上述的作为晶体管Ml的源极电压的电源电压VDD的时刻以后电源电压VDD发生了变动的情况下(例如在动态图像显示中显示图像发生了变化的情况下)，存在晶体管Ml向有机EL元件OLED供给的电流量、即有机EL元件OLED的发光辉度会产生与该变动量相应的误差的问题。
[0015]供给到像素电路的电源电压VDD的电压降，特别是在配置多个像素电路而成的显示单元中，是根据由相邻的像素电路所消耗的电流量(发光的有无、辉度的大小等)而必然产生的，其大小也时刻发生变化，难以进行预测。
[0016]参照图31(a)~(C)来说明产生上述的误差的机理。为便于说明，设电源电压VDD为从原本的电源电压VDDO产生了Λ Vl或AV2的大小的电压降后的电压。
[0017]图31(a)是说明Vth检测工作、也即是用电容器Cvth保持从晶体管Ml的源极电压(在此为电源电压VDD)下降了晶体管Ml的阈值电压Vth后的电压的工作的电路图。在该工作中成为非导通状态的晶体管M3、Μ5用虚线来表示。当将此时的电源电压VDD设为VDDO 一 Λ Vl时，则以基准电压Vsus为基准，将电压VDDO-AVl - Vth保持在电容器Cvth中。
[0018]图31(b)是说明数据写入工作、也即是经由晶体管M3取得数据电压Vdata、并用电容器Cst保持数据电压Vdata的工作的电路图。在该工作中成为非导通状态的晶体管M2、M4、M5用虚线来表示。当将此时的电源电压VDD设为VDDO — Λ V2时，则以电源电压VDDO —AV2为基准，将数据电压Vdata保持在电容器Cst中。
[0019]其结果，将电容器Cvth、Cst各自所保持的电压相加而得到的偏置电压成为(Vsus - (VDD0 -Δ Vl - Vth))+ ((VDDO -Δ V2) — Vdata) = ( Δ Vl - Δ V2) +Vsus —Vdata+Vth，在偏置电压中残留有电源电压的变动量差(AVl —Δ V2)。
[0020]图31 (C)是说明发光工作、也即是将保持在电容器Cvth、Cst中的偏置电压施加在晶体管Ml的栅极一源极间而从晶体管Ml向有机EL元件OLED供给电流的工作的电路图。在该工作中成为非导通状态的晶体管M2、M3、M4用虚线来表示。从晶体管Ml供给到有机EL元件 OLED 的电流 Id 成为 β/2Χ (Vsg — Vth)2 = β /2Χ ( Δ Vl -Δ V2+Vsus — Vdata)2,和与数据电压Vdata对应的准确的电流量相比，会产生与电源电压的变动量差(AVl —Δ V2)相应的误差。在此，β = μ XCoxX (ff/L), μ为晶体管的迁移率，Cox为每单位面积的晶体管的栅极绝缘膜电容，W为晶体管的沟道宽度，L为晶体管的沟道长度。
[0021]因而，在例如动态图像显示时的对比度高的影像高速地在显示区域中移动的场景下，Vth检测工作完成时刻的电源电压VDD的电压下降量Λ Vl与数据写入工作时的电源电压VDD的电压下降量Λ V2的变动量差(Λ Vl — Λ V2)变大，无法仅用数据电压Vdata来高精度地控制像素电流，无法使有机EL元件OLED以与数据电压对应的准确的辉度进行发光,会产生显示质量的劣化。
[0022]本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种具有能够不受电源电压变动的影响而以与数据电压对应的准确的辉度使有机EL元件发光的像素电路的显示装置及其控制方法。
[0023]用于解决问题的技术方案
[0024]为了达到上述目的，本发明的一种方式涉及的显示装置是具有配置多个像素电路而成的显示单元的显示装置，每个所述像素电路具备:驱动晶体管；第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子；第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换；第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换；第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换；第四开关元件，其对用于传输第一电源电压的第一电源线和所述驱动晶体管的源极端子之间的导通及非导通进行切换；以及发光元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的漏极端子，第二端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线。
[0025]另外，本发明的一种方式涉及的控制方法是所述显示装置的控制方法，包括如下的步骤:在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测。
[0026]发明的效果
[0027]根据本发明的显示装置及其控制方法，在将所述驱动晶体管的源极端子从电源电压电切断、将所述驱动晶体管的栅极端子连接于预定的电压的状态下，检测所述驱动晶体管的阈值电压，因此，所检测到的阈值电压完全不含有电源电压的变动的影响。
[0028]因而，能够在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间施加与所述数据电压对应、且用所述检测到的阈值电压Vth修正后的偏置电压而从所述驱动晶体管向所述发光元件供给电流，因此，能够不受电源电压的变动的影响而以与所述数据电压对应的准确的辉度使所述发光元件发光。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1是表示实施方式I的显示装置的结构的一例的功能框图。
[0030]图2是表示实施方式I的像素电路与扫描线驱动电路及信号线驱动电路的连接的一例的电路图。
[0031]图3是表示实施方式I的像素电路的结构的一例的电路图。
[0032]图4是表示实施方式I的控制信号和数据信号的一例的时间图(定时图)。
[0033]图5是表示实施方式I的像素电路的结构的一例的电路图。
[0034]图6是表不实施方式I的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0035]图7是表示实施方式I的像素电路的工作的一例的电路图。
[0036]图8是表示实施方式2的像素电路的结构的一例的电路图。
[0037]图9是表示实施方式2的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0038]图10是表示实施方式2的像素电路的结构的一例的电路图。
[0039]图11是表示实施方式2的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0040]图12是表示实施方式2的像素电路的工作的一例的电路图。[0041]图13是表示实施方式2的变形例的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0042]图14是表示实施方式2的变形例的像素电路的工作的一例的电路图。
[0043]图15是表示实施方式3的像素电路的结构的一例的电路图。
[0044]图16是表示实施方式3的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0045]图17是表示实施方式3的像素电路的结构的一例的电路图。
[0046]图18是表示实施方式3的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0047]图19是表示实施方式3的变形例的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0048]图20是表示实施方式3的变形例的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0049]图21是表示实施方式4的像素电路的结构的一例的电路图。
[0050]图22是表示实施方式4的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0051]图23是表示实施方式4的像素电路的结构的一例的电路图。
[0052]图24是表示实施方式4的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0053]图25是表示实施方式5的像素电路的结构的一例的电路图。
[0054]图26是表不实施方式5的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0055]图27是表示实施方式5的像素电路的结构的一例的电路图。
[0056]图28是表不实施方式5的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0057]图29是表示内置本发明的显示装置的薄型平面TV的一例的外观图。
[0058]图30是表示现有的像素电路的结构的一例的电路图。
[0059]图31是说明在现有的像素电路中产生发光辉度的误差的机理的图。标号说明
[0060]1:显示装置
[0061]2:显示单元
[0062]3:控制电路
[0063]4:扫描线驱动电路
[0064]5:信号线驱动电路
[0065]6:电源电路
[0066]10 ?14、20 ?24、90:像素电路
[0067]TD:驱动晶体管
[0068]Tl?T6:开关晶体管
[0069]C1、C2:电容器
[0070]EL:有机EL元件
【具体实施方式】
[0071]本发明的一种方式涉及的显示装置是具有配置多个像素电路而成的显示单元的显示装置，每个所述像素电路具备:驱动晶体管；第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子；第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换；第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换；第三开关兀件，其对所述第一电容兀件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换；第四开关元件，其对用于传输第一电源电压的第一电源线和所述驱动晶体管的源极端子之间的导通及非导通进行切换；以及发光元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的漏极端子，第二端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线。
[0072]本发明的一种方式涉及的显示装置是具有配置多个像素电路而成的显示单元的显示装置，每个所述像素电路具备:驱动晶体管，其漏极端子连接于用于传输第一电源电压的第一电源线；第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子；第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换；第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换；第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换；发光元件，其第一端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线；以及第四开关元件，其对所述驱动晶体管的源极端子和所述发光元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换。
[0073]另外，每个所述像素电路可以使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而进行所述驱动晶体管的阈值电压检测。
[0074]根据这些结构，在将所述驱动晶体管的源极端子从电源电压电切断(电切离)、将所述驱动晶体管的栅极端子连接于预定的电压的状态下，检测所述驱动晶体管的阈值电压，因此，所检测的阈值电压完全不含有电源电压的变动的影响。
[0075]因而，能够在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间施加与所述数据电压对应、且用所述检测到的阈值电压Vth修正后的偏置电压而从所述驱动晶体管向所述发光元件供给电流，因此，能够不受电源电压的变动的影响而以与所述数据电压对应的准确的辉度使所述发光元件进行发光。
[0076]另外，每个所述像素电路可以还具备第二电容元件，所述第二电容元件的第一端子连接于所述驱动晶体管的栅极端子，第二端子与所述第一电容元件的第二端子连接。
[0077]根据该结构，能够向所述驱动晶体管的栅极端子施加保持在所述第二电容元件的数据电压而检测所述阈值电压。因此，能够在从所述数据线向所述第二电容元件取得了所述数据电压之后使用足够的时间来以更高的精度检测所述阈值电压。
[0078]另外，所述第二电容元件的容量值可以比所述第一电容元件的容量值小。另外，在每个所述像素电路中，所述第一开关元件和所述第三开关元件可以是双栅型薄膜晶体管，而且，所述第二开关元件也可以是双栅型薄膜晶体管。
[0079]根据该结构，能够减少所述第一电容元件的泄漏，因此，能够使所述发光元件以更准确的辉度进行发光。
[0080]本发明的一种方式涉及的控制方法是显示装置的控制方法，所述显示装置具有配置多个像素电路而成的显示单元，每个所述像素电路具备:驱动晶体管；第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子；第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换；第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换；第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换；第四开关元件，其对用于传输第一电源电压的第一电源线和所述驱动晶体管的源极端子之间的导通及非导通进行切换；以及发光元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的漏极端子，第二端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线，所述控制方法包括如下的步骤:在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测。
[0081]本发明的一种方式涉及的控制方法是显示装置的控制方法，所述显示装置具有配置多个像素电路而成的显示单元，每个所述像素电路具备:驱动晶体管，其漏极端子连接于用于传输第一电源电压的第一电源线；第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子；第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换；第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换；第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换；发光元件，其第一端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线；以及第四开关元件，其对所述驱动晶体管的源极端子和所述发光元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换，所述控制方法包括如下的步骤:在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测。
[0082]另外，所述控制方法可以还包括如下的步骤:在每个所述像素电路中，使所述第二开关元件和所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第一开关元件为导通状态而从所述数据线写入数据电压；在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为导通状态，在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间施加与所述数据电压Vdata对应、且用所述阈值电压Vth修正后的偏置电压，从所述驱动晶体管向所述发光元件供给电流。
[0083]根据这些结构，在将所述驱动晶体管的源极端子从电源电压电切断、将所述驱动晶体管的栅极端子连接于预定的电压的状态下，检测所述驱动晶体管的阈值电压，因此，所检测的阈值电压完全不含有电源电压的变动的影响。
[0084]而且，在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间施加与所述数据电压对应、且用所述检测到的阈值电压Vth修正后的偏置电压而从所述驱动晶体管向所述发光元件供给电流，因此，能够不受电源电压的变动的影响而以与所述数据电压对应的准确的辉度使所述发光元件进行发光。
[0085]以下，说明本发明的实施方式。此外，以下对于在所有附图中发挥同等功能的要素标记相同的标号，适当省略重复的说明。
[0086](实施方式I)
[0087]参照附图对本发明的实施方式I进行说明。
[0088]实施方式I的显示装置是具有呈矩阵状配置多个像素电路而成的显示单元的显示装置，构成为在所述各像素电路中无论电源电压的变动如何，都能用电容器保持与发光辉度对应的准确的偏置电压。
[0089]以下，参照附图对本发明的实施方式I进行说明。
[0090]图1是表示实施方式I的显示装置I的结构的一例的功能框图。
[0091]显示装置I包括显示单元2、控制电路3、扫描线驱动电路4、信号线驱动电路5以及电源电路6。
[0092]显示单元2是以矩阵方式配置多个像素电路10而成的。在该矩阵的各行设置扫描信号线，在该矩阵的各列设置数据信号线。
[0093]控制电路3是控制显示装置I的工作的电路，从外部接收图像信号，并控制扫描线驱动电路4、信号线驱动电路5，使得在显示单元2显示由该图像信号表示的图像。
[0094]扫描线驱动电路4经由设置在显示单元2的各行的扫描信号线而向像素电路10供给用于控制像素电路10的工作的控制信号。
[0095]信号线驱动电路5经由设置在显示单元2的各列的数据信号线而向像素电路10供给作为与发光辉度对应的电压信号的数据信号。
[0096]电源电路6将显示装置I的工作用的电源供给到显示装置I的各部。
[0097]图2是表示像素电路10与扫描线驱动电路4及信号线驱动电路5的连接的一例的电路图。
[0098]在显示单元2的各行设置有信号线SCAN、MERGE、RESET、ENAB来作为共用地连接于配置在相同行的多个像素电路10的扫描信号线，在显示单元2的各列设置有信号线DATA来作为共用地连接于配置在相同列的多个像素电路10的数据信号线。
[0099]另外，在显示单元2设置有传输从电源电路6供给的正电源电压而分配到像素电路10的电源线VDD、传输从电源电路6供给的负电源电压而分配到像素电路10的电源线VSS、以及传输从电源电路6供给的一定的参考电压而分配到像素电路10的参考电压线VR。电源线VDD、VSS、以及参考电压线VR共用地连接于所有的像素电路10。
[0100]在向有机EL 元件EL供给电流的电源线VDD、VSS的各自与像素电路10的连接点，会发生由电阻引起的电压降所造成的复杂的电压变动，而在不供给直流电流的参考电压线VR上不产生稳定的电压降。
[0101]配置在显示单元2的各像素电路10通过配置像素电路10的行的信号线SCAN、MERGE、RESET、ENAB连接于扫描线驱动电路4，并且通过配置像素电路10的行的信号线DATA连接于信号线驱动电路5。
[0102]信号线SCAN、MERGE、RESET、ENAB从扫描线驱动电路4向像素电路10传送用于控制像素电路10的工作的控制信号。信号线DATA从信号线驱动电路5向像素电路10传送与发光辉度对应的数据信号。
[0103]图3是表示像素电路10的结构的一例的电路图。
[0104]像素电路10是以与数据信号对应的辉度使有机EL元件发光的电路，包含驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T4、电容器Cl、以及有机EL元件EL。驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T4由η型薄膜晶体管(TFT)构成。
[0105]驱动晶体管TD的漏极端子d连接于电源线VDD。
[0106]电容器Cl的第一(纸面的右侧)端子连接于驱动晶体管TD的源极端子S，第二(纸面的左侧)端子经由开关晶体管T2而连接于驱动晶体管TD的栅极端子g。
[0107]有机EL元件EL的第一(纸面的下侧)端子连接于电源线VSS。
[0108]开关晶体管Tl按照由信号线SCAN传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的栅极端子g与数据线DATA之间的导通及非导通。
[0109]开关晶体管T2按照由信号线MERGE传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的栅极端子g与电容器Cl的第二端子之间的导通及非导通。
[0110]开关晶体管T3按照由信号线RESET传送的控制信号来切换电容器Cl的第二端子与参考电压线VR之间的导通及非导通。
[0111]开关晶体管T4按照由信号线ENAB传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的源极端子s与有机EL元件EL的第二(纸面的上侧)的端子之间的导通及非导通。
[0112]在此，开关晶体管Tl~T4分别是第一开关元件~第四开关元件的一例，电容器Cl是第一电容元件的一例，有机EL元件EL是发光元件的一例。另外，电源线VDD是第一电源线的一例，电源线VSS是第二电源线的一例。另外，数据信号是数据电压的一例。
[0113]图4是在一帧期间示出用于使像素电路10工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图4中，纵轴表示各信号的电平，横轴表示时间。像素电路10的开关晶体管Tl~T4由η型晶体管构成，因此，开关晶体管Tl~Τ4分别在对应的控制信号为高电平的期间成为导通状态，在对应的控制信号为低电平的期间成为非导通状态。 [0114]对按照图4所示的控制信号和数据信号进行的像素电路10的工作进行说明。此外，为便于说明，将电源线VDD、VSS各自与像素电路10的连接点的电压分别记载为正电源电压VDD、负电源电压VSS，将参考电压线VR的电压记载为参考电压VR。
[0115]在时刻tl到t2的Cl复位期间，进行Cl复位工作。Cl复位工作是指将电容器Cl的电压复位为预定的电压的工作。
[0116]在Cl复位期间，开关晶体管Tl、T3、T4成为导通状态，对驱动晶体管TD的栅极端子g设定数据线DATA的电压，对电容器Cl的第二端子的电压设定参考电压VR，对电容器Cl的第一端子的电压即驱动晶体管TD的源极电压设定将负电源电压VSS和与驱动晶体管TD的栅极端子g的电压相应的有机EL元件EL的激活(on，工作)电压相加而得到的电压。由此，电容器Cl的电压按每帧而被进行初始化，因此，能排除在前一帧结束时在电容器Cl残留的前一帧的电压的影响。
[0117]在时刻t2到t3的数据写入及Vth检测期间，并行地进行数据写入工作和Vth检测工作。数据写入工作是指从信号线DATA经由开关晶体管Tl而向像素内传送数据电压Vdata(也即是向像素电路10内写入数据电压Vdata)的工作。Vth检测工作是指向驱动晶体管TD的栅极端子g施加预定的电压而检测驱动晶体管TD的阈值电压Vth的工作，在此，使用数据电压Vdata来作为预定的电压。
[0118]在数据写入及Vth检测期间，开关晶体管T4为非导通状态，驱动晶体管TD的源极端子s被从负电源电压VSS电切断(电切离)。另外，开关晶体管Tl成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata，向驱动晶体管TD的栅极端子g施加数据电压Vdata。另外，正电源电压VDD被预先设定为比将所有像素的驱动晶体管TD的阈值电压Vth的最大值与信号线DATA的最高电压相加而得到的电压高的电压。
[0119]其结果，在数据写入及Vth检测期间，驱动晶体管TD必定工作在饱和区域，因此，驱动晶体管TD的漏极一源极电流仅由栅极、源极端子间电压来控制。此刻，由于驱动晶体管TD的栅极端子g被固定为数据电压Vdata，所以结果成为驱动晶体管TD的漏极、源极电流由源极端子s的电压来控制。
[0120]由于开关晶体管T4成为非导通状态，所以在驱动晶体管TD的源极端子仅连接了电容器Cl的第一端子，驱动晶体管TD的漏极、源极电流流至电容器Cl。由此，电容器Cl被充电，电容器Cl的第一端子的电压即驱动晶体管TD的源极端子s的电压上升，最终成为Vdata - Vth,也即是，当驱动晶体管TD的栅极、源极端子间电压成为与驱动晶体管TD的阈值电压Vth相同时，驱动晶体管TD成为截止状态。
[0121]如此，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响而收敛于从数据电压Vdata下降了阈值电压Vth的电压Vdata — Vth0
[0122]该电压以参考电压VR为基准而被保持在电容器Cl中。电容器Cl所保持的电压为VR — (Vdata 一 Vth)，该电压完全不包含正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响。
[0123]在时刻t4以后的发光期间进行发光工作。发光工作是指在驱动晶体管TD的栅极、源极端子间施加与数据电压Vdata对应、且用阈值电压Vth修正后的偏置电压而从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给电流的工作。
[0124]在发光期间，开关晶体管T1、T3成为非导通状态，并且，开关晶体管Τ2成为导通状态，电容器Cl所保持的电压VR - (Vdata 一 Vth)被施加在驱动晶体管TD的栅极、源极端子间。
[0125]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Isd = β /2 X (VR — Vdata)2,因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0126]此外，在像素电路10中，优选开关晶体管Τ1、Τ3由双栅型TFT构成，更优选开关晶体管Τ2也可以由双栅型TFT构成。根据这种结构，能够减少电容器Cl的泄露，因此，能够使有机EL元件EL以更准确的辉度进行发光。
[0127]另外，在像素电路10中能够进行如下的变形。 [0128]例如如图4所示，由于信号线SCAN、RESET传送同一控制信号，因此，也可以用I条信号线来兼作信号线SCAN、RESET。
[0129]另外，也可以由p型晶体管构成开关晶体管T2。由于控制信号的电平翻转，所以由P型晶体管构成的开关晶体管Τ2可以用由η型晶体管构成的开关晶体管Tl、Τ3的控制信号来控制。在该情况下，也可以用I条信号线来兼用作信号线SCAN、MERGE、RESET。
[0130]另外，也可以用I条信号线来兼用作信号线ENAB和相邻行的信号线MERGE。
[0131 ] 信号线的兼用能够削减信号线的覆盖区域(footprint)，因此，有益于提高像素电路10的配置密度、实现高精细的显示装置。另外，由于能够削减扫描线驱动电路4的输出条数，所以能够缩小电路尺寸，能够实现成本的降低。
[0132]进一步，也可以将驱动晶体管TD和开关晶体管Tl~T5全部用p型晶体管构成。以下，说明这种像素电路。
[0133]图5是表示像素电路20的结构的一例的电路图。像素电路20与图3所示的像素电路10同样地是以与数据信号对应的辉度使有机EL元件发光的电路，包括驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T4、电容器Cl、以及有机EL元件EL。
[0134]像素电路20与像素电路10相比，不同点在于驱动晶体管TD和开关晶体管Tl~T5全部由P型晶体管构成。像素电路20构成为:当被提供将像素电路10所使用的控制信号的电平单纯地翻转后的控制信号时，进行与像素电路10同等的工作。
[0135]电容器Cl的第一(纸面的右侧)端子连接于驱动晶体管TD的源极端子S，第二(纸面的左侧)端子经由开关晶体管T2而连接于驱动晶体管TD的栅极端子g。
[0136]有机EL元件EL的第一(纸面的上侧)端子连接于驱动晶体管TD的漏极端子d，第二(纸面的下侧)端子连接于电源线VSS。[0137]开关晶体管Tl按照由信号线SCAN传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的栅极端子g与数据线DATA之间的导通及非导通。
[0138]开关晶体管T2按照由信号线MERGE传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的栅极端子g与电容器Cl的第二端子之间的导通及非导通。
[0139]开关晶体管T3按照由信号线RESET传送的控制信号来切换电容器Cl的第二端子与参考电压线VR之间的导通及非导通。
[0140]开关晶体管T4按照由信号线ENAB传送的控制信号来切换电源线VDD与驱动晶体管TD的源极端子s之间的导通及非导通。
[0141]在此，开关晶体管Tl?T4分别是第一开关元件?第四开关元件的一例，电容器Cl是第一电容元件的一例，有机EL元件EL是发光元件的一例。另外，电源线VDD是第一电源线的一例，电源线VSS是第二电源线的一例。另外，数据信号是数据电压的一例。
[0142]图6是在一帧期间示出用于使像素电路20工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图6中，纵轴表示各信号的电平，横轴表示时间。像素电路20的开关晶体管Tl?T4由P型晶体管构成，因此，开关晶体管Tl?T4分别在对应的控制信号为低电平的期间成为导通状态，在对应的控制信号为高电平的期间成为非导通状态。图6所示的用于使像素电路20工作的控制信号是将图4所示的用于使像素电路10工作的控制信号的电平单纯地翻转后的控制信号。
[0143]参照图7(a)、(b)来说明按照图6所示的控制信号和数据信号进行的像素电路20的工作。
[0144]在时刻tl到t2的Cl复位期间，进行Cl复位工作。
[0145]在Cl复位期间，开关晶体管T3、T4成为导通状态，对电容器Cl的第二端子设定参考电压VR,对电容器Cl的第一端子设定正电源电压VDD。由此，电容器Cl按每巾贞而被初始化为相同的电压，因此，能排除前一帧结束时在电容器Cl残留的前一帧的电压的影响。
[0146]在时刻t2到t3的数据写入及Vth检测期间，并行地进行数据写入工作和Vth检测工作。
[0147]图7(a)是说明数据写入工作和Vth检测工作的电路图。在数据写入及Vth检测期间成为非导通状态的开关晶体管T2、T4用虚线来表示。
[0148]在数据写入及Vth检测期间，开关晶体管T4为非导通状态，驱动晶体管TD的源极端子s被从正电源电压VDD电切断。另外，开关晶体管Tl成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata，向驱动晶体管TD的栅极端子g施加数据电压Vdata。另外，负电源电压VSS被设定为比将所有像素的驱动晶体管TD的阈值电压Vth的最大值与信号线DATA的最低电压相加后、减去有机EL元件EL的阈值电压Vth(EL)而得到的电压低。
[0149]其结果，在数据写入及Vth检测期间，驱动晶体管TD必定工作在饱和区域，因此，驱动晶体管TD的源极、漏极电流仅由源极、栅极端子间电压进行控制。此刻，由于驱动晶体管TD的栅极端子g被固定为数据电压Vdata，所以结果成为驱动晶体管TD的漏极电流由源极端子s的电压进行控制。
[0150]由于开关晶体管T4为非导通状态，所以在驱动晶体管TD的源极端子仅连接了电容器Cl的第一端子，驱动晶体管TD的源极、漏极电流从电容器Cl流过。由此，电容器Cl被放电，电容器Cl的第一端子的电压即驱动晶体管TD的源极端子s的电压下降，最终成为Vdata+Vth,也即是，当驱动晶体管TD的栅极、源极端子间电压成为与驱动晶体管TD的阈值电压Vth相同时，驱动晶体管TD成为截止状态。
[0151]如此，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响，收敛为从数据电压Vdata上升了阈值电压Vth后的电压Vdata+Vth。
[0152]该电压以参考电压VR为基准而被保持在电容器Cl中。电容器Cl所保持的电压为(Vdata+Vth) — VR，该电压完全不包含正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响。
[0153]在时刻t4以后的发光期间进行发光工作。
[0154]图7(b)是说明发光工作的电路图。在发光期间成为非导通状态的开关晶体管Tl、T3用虚线来表示。
[0155]在发光期间，开关晶体管T1、T3成为非导通状态，并且，开关晶体管Τ2成为导通状态，电容器Cl所保持的电压(Vdata+Vth) — VR被施加在驱动晶体管TD的栅极一源极间。
[0156]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Isd = β/2Χ (Vdata 一 VR)2,因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0157]此外，在像素电路20中，优选开关晶体管T1、T3由双栅型TFT构成，更优选开关晶体管Τ2也可以由双栅型TFT构成。根据这种结构，能够减少电容器Cl的泄露，因此，能够使有机EL元件EL以更准确的辉度进行发光。 [0158]另外，在像素电路20中，能够进行与用像素电路10说明过的变形同样的变形。即，可以用I条信号线兼用作信号线SCAN、RESET，另外，也可以在由η型晶体管构成开关晶体管Τ2之后用I条信号线兼用作信号线SCAN、MERGE、RESET。
[0159]另外，还可以用I条信号线兼用作信号线ENAB和相邻行的信号线MERGE。
[0160]信号线的兼用能够削减信号线的覆盖区域，因此，有益于提高像素电路20的配置密度、实现高精细的显示装置。另外，由于能够削减扫描线驱动电路4的输出条数，所以能够缩小电路尺寸，能够实现成本的降低。
[0161](实施方式2)
[0162]参照附图对本发明的实施方式2进行说明。
[0163]图8是表示实施方式2的像素电路11的结构的一例的电路图。像素电路11构成为在图3的像素电路10中追加用于保持数据电压Vdata的电容器C2。电容器C2与开关晶体管T2并联连接。电容器C2是第二电容元件的一例。
[0164]图9是在一帧期间示出用于使像素电路11工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图9中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0165]图10是表示实施方式2的像素电路21的结构的一例的电路图。像素电路21构成为在图5的像素电路20中追加用于保持数据电压Vdata的电容器C2。电容器C2与开关晶体管T2并联连接。电容器C2是第二电容元件的一例。
[0166]图11是在一帧期间示出用于使像素电路21工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图11中，纵轴表不各信号的电平，横轴表不时间。
[0167]驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T4在像素电路11中由η型晶体管构成，在像素电路21中由P型晶体管构成。像素电路11和像素电路21构成为当分别被提供如图9和图11所示的电平彼此翻转的控制信号时进行同等的工作。[0168]代表这些，参照图12(a)~(d)来说明按照图11所示的控制信号和数据信号进行的像素电路21的工作。
[0169]在时刻tl,前一帧的发光结束。
[0170]在时刻t2到t3的数据写入期间进行数据写入工作。
[0171]图12(a)是说明数据写入工作的电路图。在数据写入期间成为非导通状态的开关晶体管T2、T4用虚线来表示。
[0172]在数据写入期间，开关晶体管Tl、T3成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata，数据电压Vdata被以参考电压VR为基准而保持在电容器C2。
[0173]在时刻t4到t5的Cl复位期间，进行Cl复位工作。
[0174]图12(b)是说明Cl复位工作的电路图。在Cl复位期间成为非导通状态的开关晶体管Tl、T2用虚线来表示。
[0175]在Cl复位期间，开关晶体管T3、T4成为导通状态，对电容器Cl的第二端子设定参考电压VR,对电容器Cl的第一端子设定正电源电压VDD。由此，电容器Cl按每帧而被初始化为相同的电压，因此，能排除前一帧结束时在电容器Cl残留的前一帧的电压的影响。
[0176]在时刻t5到t6的Vth检测期间，进行Vth检测工作。
[0177]图12(c)是说明Vth检测工作的电路图。在Vth检测期间成为非导通状态的开关晶体管Tl、T2、T4用 虚线来表示。
[0178]在Vth检测期间，开关晶体管T4为非导通状态，驱动晶体管TD的源极端子s被从正电源电压VDD电切断。电容器C2所保持的数据电压Vdata被施加到驱动晶体管TD的栅极端子g。其结果，通过与前述的图7(a)同样的工作，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响，收敛为从数据电压Vdata上升了阈值电压Vth 后的电压 Vdata+Vth。
[0179]该电压被以参考电压VR为基准而保持在电容器Cl。电容器Cl所保持的电压为(Vdata+Vth) - VR，该电压完全不包含正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响。
[0180]在时刻t7以后的发光期间进行发光工作。
[0181]图12(d)是说明发光工作的电路图。在发光期间成为非导通状态的开关晶体管Tl、T3用虚线来表示。
[0182]在发光期间，开关晶体管T1、T3成为非导通状态，并且，开关晶体管Τ2成为导通状态，电容器Cl所保持的电压(Vdata+Vth) — VR被施加在驱动晶体管TD的栅极、源极端子间。
[0183]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Isd = β/2Χ (Vdata 一 VR)2,因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0184]此外，在像素电路11、21中，优选开关晶体管Tl、T3由双栅型的TFT构成，更优选开关晶体管T2也可以由双栅型的TFT构成。根据这种结构，能够减少电容器Cl的泄漏，因此，能够使有机EL元件EL以更准确的辉度进行发光。
[0185]另外，在像素电路11、21中能够进行如下所述的变形。
[0186]例如，可以在由P型晶体管构成像素电路11的开关晶体管T2后用I条信号线兼用作信号线MERGE、RESET,另外，也可以在由η型晶体管构成像素电路21的开关晶体管Τ2后用I条信号线兼用作信号线MERGE、RESET。
[0187]信号线的兼用能够削减信号线的覆盖区域，因此，有益于提高像素电路11、21的配置密度、实现高精细的显示装置。另外，由于能削减扫描线驱动电路4的输出条数，所以能够缩小电路尺寸，能够实现成本的降低。
[0188](实施方式2的变形例)
[0189]参照附图对本发明的实施方式2的变形例进行说明。在本变形例中，示出图8所示的像素电路11的工作的另一例。
[0190]图13是在一帧期间示出用于使像素电路11工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图13中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0191]参照图14(a)?(d)，说明按照图13所示的控制信号和数据信号进行的像素电路11的工作。
[0192]在时刻tl，前一帧的发光结束。
[0193]在时刻tl到t5的Cl复位期间，进行Cl复位工作。
[0194]图14(a)是说明Cl复位工作的电路图。在Cl复位期间成为非导通状态的开关晶体管Tl、T2用虚线来表示。
[0195]在Cl复位期间，开关晶体管T3、T4成为导通状态，对电容器Cl的第二端子设定参考电压VR，对电容器Cl的第一端子、即作为电容器Cl的第一端子的电压的驱动晶体管TD的源极电压设定将与驱动晶体管TD的栅极端子g的电压相应的有机EL元件EL的电压和负电源电压VSS相加而得到的电压。由此，电容器Cl的电压按每帧而被初始化为相同的电压，因而，能排除前一帧结束时在电容器Cl残留的前一帧的电压的影响。
[0196]在时刻t3到t4的数据写入期间进行数据写入工作。
[0197]图14(b)是说明数据写入工作的电路图。在数据写入期间成为非导通状态的开关晶体管T2用虚线来表示。
[0198]在数据写入期间，开关晶体管Tl、T3成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata，数据电压Vdata被以参考电压VR为基准而保持在电容器C2。
[0199]在时刻t5到t6的Vth检测期间，进行Vth检测工作。
[0200]图14(c)是说明Vth检测工作的电路图。在Vth检测期间变为非导通状态的开关晶体管Tl、T2、T4用虚线来表示。
[0201]在Vth检测期间，开关晶体管T4为非导通，驱动晶体管TD的源极端子s被从负电源电压VSS电切断。电容器C2所保持的数据电压Vdata被施加到驱动晶体管TD的栅极端子g。另外，正电源电压VDD被设定为比将所有像素的驱动晶体管TD的阈值电压Vth的最大值与信号线DATA的最高电压相加而得到的电压高。
[0202]其结果，在数据写入和Vth检测期间，驱动晶体管TD必定工作在饱和区域，因此，驱动晶体管TD的漏极、源极电流仅由栅极、源极端子间电压进行控制。此刻，由于驱动晶体管TD的栅极端子g被固定为数据电压Vdata，所以结果成为驱动晶体管TD的漏极、源极电流由源极端子s的电压进行控制。
[0203]由于开关晶体管T4为非导通状态，所以在驱动晶体管TD的源极端子仅连接了电容器Cl的第一端子，驱动晶体管TD的漏极、源极间电流流至电容器Cl。因而，电容器Cl被充电，电容器Cl的第一端子的电压、即驱动晶体管TD的源极端子s的电压上升，最终成为Vdata - Vth,也即是，当驱动晶体管TD的栅极、源极端子间电压成为与驱动晶体管TD的阈值电压Vth相同时，驱动晶体管TD成为截止状态。
[0204]如此，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响，收敛为从数据电压Vdata下降了阈值电压Vth后的电压Vdata — Vth0
[0205]该电压被以参考电压VR为基准而保持在电容器Cl。电容器Cl所保持的电压为VR - (Vdata 一 Vth)，该电压完全不包含正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响。
[0206]在时刻t7以后的发光期间进行发光工作。
[0207]图14(d)是说明发光工作的电路图。在发光期间成为非导通状态的开关晶体管Tl、T3用虚线来表示。
[0208]在发光期间，开关晶体管T1、T3成为非导通状态，并且，开关晶体管Τ2成为导通状态，电容器Cl所保持的电压VR - (Vdata 一 Vth)被施加在驱动晶体管TD的栅极、源极端子间。
[0209]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Isd = β /2 X (VR — Vdata)2,因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0210]另外，电容器C2发挥在图12(c)和图14(c)所示的Vth检测期间保持驱动晶体管TD的栅极电压的作用，在图12(d)和图14(d)所示的发光期间中，通过信号线MERGE而使开关晶体管T2为导通状态，因此，保持着驱动晶体管TD的栅极电压的部件仅为电容器Cl。即，为了降低发光期间的 有机EL元件EL的电流密度而增长有机EL元件EL的寿命，在发光期间被设定为比Vth检测期间长的情况下，电容器C2保持电压的时间比电容器Cl保持电压的时间短。即，电容器C2的容量可以比电容器Cl的容量小。
[0211]由此，能够对电容器Cl确保比电容器C2大的面积，能够在发光期间使从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给的电流稳定化。也即是,能够提高显示质量。
[0212](实施方式3)
[0213]参照附图对本发明的实施方式3进行说明。
[0214]图15是表示实施方式3的像素电路12的结构的一例的电路图。像素电路12构成为在图8的像素电路11中追加开关晶体管T5。与像素电路12对应地，设置于显示单元2的各行的信号线ENAB变更为2条信号线ENAB1、ENAB2。
[0215]在像素电路12中，开关晶体管T4按照由信号线ENABl传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的源极端子s与有机EL元件EL的第二(纸面的上侧)端子之间的导通及非导通。
[0216]开关晶体管T5插入在电源线VDD与驱动晶体管TD的漏极端子d之间，按照由信号线ENAB2传送的控制信号来切换电源线VDD与驱动晶体管TD的漏极端子d之间的导通及非导通。
[0217]图16是在一帧期间示出用于使像素电路12工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图16中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0218]图17是表示实施方式3的像素电路22的结构的一例的电路图。像素电路22构成为在图10的像素电路21中追加开关晶体管T5。与像素电路22对应地，设置于显示单元2的各行的信号线ENAB变更为2条信号线ENAB1、ENAB2。[0219]在像素电路22中，开关晶体管T4按照由信号线ENABl传送的控制信号来切换电源线VDD与驱动晶体管TD的源极端子s之间的导通及非导通。
[0220]开关晶体管T5插入在驱动晶体管TD的漏极端子d与有机EL元件EL的第一(纸面的上侧)端子之间，按照由信号线ENAB2传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的漏极端子d与有机EL元件EL的第一端子之间的导通及非导通。
[0221]图18是在一帧期间示出用于使像素电路22工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图18中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0222]驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T5在像素电路12中由η型晶体管构成，在像素电路22中由P型晶体管构成。像素电路12和像素电路22构成为当分别被提供如图16和图18所示的电平彼此翻转的控制信号时进行同等的工作。
[0223]按照图16所示的控制信号和数据信号进行的像素电路12的工作与按照图13所示的控制信号和数据信号进行的像素电路11的工作相比，共同点是包括Cl复位工作、数据写入工作、Vth检测工作、以及发光工作，而不同点是在开关晶体管Τ5成为非导通状态、驱动晶体管TD的漏极端子d被从正电源电压VDD电切断的状态下进行Cl复位工作和数据写入工作。
[0224]由此，在Cl复位工作中，能够使电流不在有机EL元件EL中流动而使电容器Cl的两端的电压成为驱动晶体管TD的阈值电压Vth以上。其结果，能抑制有机EL元件EL的不需要的发光，能得到提高显示对比度的效果。 [0225]这也适用于按照图18所示的控制信号和数据信号进行的像素电路22的工作。即，在按照图18所示的控制信号和数据信号进行的像素电路22的工作中，在开关晶体管T5成为非导通状态、驱动晶体管TD的漏极端子d被从负电源电压VDD电切断的状态下，进行Cl复位工作和数据写入工作。其结果，与上述同样地，能抑制有机EL元件EL的不需要的发光，能得到提高显示对比度的效果。
[0226]另外，与实施方式2同样地，电容器C2的容量可以比电容器Cl的容量小，能够对电容器Cl确保比电容器C2大的面积，能够在发光期间使从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给的电流稳定化。也即是，能够提高显示质量。
[0227](实施方式3的变形例)
[0228]参照附图对本发明的实施方式3的变形例进行说明。在本变形例中，示出像素电路12、22的工作的另一例。
[0229]图19是在一帧期间示出用于使像素电路12工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0230]图20是在一帧期间示出用于使像素电路22工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。
[0231]在图19、图20中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。图20所不的用于使像素电路22工作的控制信号是将图19所示的用于使像素电路12工作的控制信号的电平单纯地翻转后的控制信号。
[0232]代表这些，说明按照图19所示的控制信号和数据信号进行的像素电路12的工作。
[0233]在时刻tl，前一帧的发光结束。
[0234]在时刻t2到t3的Cl复位期间进行Cl复位工作。[0235]在Cl复位期间，开关晶体管T3、T4成为导通状态，对电容器Cl的第二端子的电压设定参考电压VR，对电容器Cl的第一端子即驱动晶体管TD的源极电压设定将有机EL元件EL的非激活(off，非工作)电压与负电源电压VSS相加而得到的电压。由此，电容器Cl按每帧而被初始化为相同的电压，因此，能排除前一帧结束时在电容器Cl残留的前一帧的电压的影响。此时，开关晶体管T2也成为导通状态，因此，电容器C2的电压被复位为O。
[0236]在时刻t4到t5的Vth检测期间进行Vth检测工作。
[0237]在Vth检测期间，开关晶体管T4为非导通状态，驱动晶体管TD的源极端子s被从负电源电压VSS电切断。开关晶体管T2、T3成为导通状态，参考电压VR被施加到驱动晶体管TD的栅极端子g。其结果，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受负电源电压VSS的影响，收敛为从参考电压VR下降了阈值电压Vth的电压VR - Vth。
[0238]该电压被以参考电压VR作为基准而保持在电容器Cl。电容器Cl所保持的电压为VR - (VR - Vth) = Vth，该电压完全不包含负电源电压VSS的影响。
[0239]在时刻t6到t7的数据写入期间进行数据写入工作。
[0240]在数据写入期间，开关晶体管Tl、T3成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata,以参考电压VR为基准而保持在电容器C2中。
[0241]在时刻t8以后的发光期间进行发光工作。
[0242]在发光期间，开关晶体管Tl~T3为非导通，将电容器C1、C2各自保持的电压相加而得到的电压(Vdata - VR)+Vth施加在驱动晶体管TD的栅极、源极端子间。
[0243]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Isd = β/2Χ (Vdata 一 VR)2,因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0244](实施方式4)
[0245]参照附图对本发明的实施方式4进行说明。
[0246]图21是表示实施方式4的像素电路13的结构的一例的电路图。像素电路13构成为在图8的像素电路11中追加电容器C3。与像素电路13对应地，设置于显示单元2的各行的信号线RESET变更为2条信号线RESET1、RESET2。
[0247]在像素电路13中，开关晶体管T3按照由信号线RESETl传送的控制信号来切换电容器Cl的第二(纸面的左侧)端子与参考电压线VR之间的导通及非导通。
[0248]电容器C3的第一(纸面的上侧)端子连接于驱动晶体管TD的源极端子S，第二(纸面的下侧)端子连接于信号线RESET2。
[0249]图22是在一帧期间示出用于使像素电路13工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图22中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0250]图23是表示实施方式4的像素电路23的结构的一例的电路图。像素电路23构成为在图10的像素电路21中追加电容器C3。与像素电路23对应地，设置于显示单元2的各行的信号线RESET变更为2条信号线RESET1、RESET2。
[0251]在像素电路23中，开关晶体管T3按照由信号线RESETl传送的控制信号来切换电容器Cl的第二(纸面的左侧)端子与参考电压线VR之间的导通及非导通。
[0252]电容器C3的第一(纸面的下侧)端子连接于驱动晶体管TD的源极端子S，第二(纸面的上侧)端子连接于信号线RESET2。[0253]图24是在一帧期间示出用于使像素电路23工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图24中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0254]驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T5在像素电路13中由η型晶体管构成，在像素电路23中由P型晶体管构成。像素电路13和像素电路23构成为当分别被提供如图22和图24所示的电平彼此翻转的控制信号时进行同等的工作。
[0255]代表这些，说明按照图22所示的控制信号和数据信号进行的像素电路13的工作。
[0256]在时刻tl，前一帧的发光结束。
[0257]在时刻t2到t3的数据写入期间进行数据写入工作。
[0258]在数据写入期间，开关晶体管Tl、T3成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata,数据电压Vdata被以参考电压VR为基准而保持在电容器C2中。
[0259]在时刻t4到t5的Vth检测期间进行Vth检测工作。
[0260]在Vth检测期间，开关晶体管T4为非导通状态，驱动晶体管TD的源极端子s被从负电源电压VSS电切断。电容器C2所保持的数据电压Vdata被施加到驱动晶体管TD的栅极端子g。另外，正电源电压VDD被设定为比将所有像素的驱动晶体管TD的阈值电压Vth的最大值与信号线DATA的最高电压相加而得到的电压高。
[0261]在时刻t4，RESET2从高电平下降为低电平。当将此时的RESET2的电压变动量设为Δ Vrst时，如果驱动晶体管TD的源极端子s的电压在即将为t4之前为Vso (VDD≥Vso)，则成为Vso -Δ Vrst .C3/(C1+C3)。在此，将RESET2的下降电压变动量Λ Vrst设定为使得成为 Vdata — Vso+ Δ Vrst.C3/(C1+C3)≥ Vth。
[0262]于是，驱动晶体管TD的栅极、源极端子间电压比阈值电压Vth大，因此，驱动晶体管TD成为导通状态，从驱动晶体管TD的漏极端子向源极端子流动电流。此时，开关晶体管T4为非导通状态，因此，驱动晶体管TD的漏极、源极间电流流至电容器Cl和电容器C3，不向有机EL元件EL供给电流而不发光。
[0263]因而，电容器Cl和电容器C3被充电，电容器Cl的第一端子的电压、即驱动晶体管TD的源极端子s的电压上升，最终成为Vdata — Vth,也即是，当驱动晶体管TD的栅极、源极端子间电压成为与驱动晶体管TD的阈值电压Vth相同时，驱动晶体管TD成为截止状态。
[0264]其结果，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响，收敛为从数据电压Vdata下降了阈值电压Vth的电压Vdata — Vth。
[0265]该电压被以参考电压VR为基准而保持在电容器Cl中。电容器Cl所保持的电压为VR — (Vdata 一 Vth)，该电压完全不包含正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响。
[0266]在时刻t7以后的发光期间进行发光工作。
[0267]在发光期间，开关晶体管T1、T3成为非导通状态，并且，开关晶体管Τ2成为导通状态，电容器Cl所保持的电压VR - (Vdata 一 Vth)被施加在驱动晶体管TD的栅极、源极端子间。
[0268]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Ids = β /2 X (VR — Vdata)2,因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0269]此外，在像素电路13、23中能够进行如下所述的变形。
[0270]例如，也可以用I条信号线兼用作传送着类似的波形的控制信号的信号线RESET2、SCAN。
[0271]另外，例如，也可以如图22、图24中用虚线所示那样，将由信号线SCAN传送的控制信号成为有效(在图22中为高电平，在图24中为低电平)的时间扩大为数据写入期间的I倍以上的长度。例如，在将由信号线SCAN传送的控制信号成为有效的时间设为数据写入期间的2倍长度的情况下，被扩大的部分与配置在相邻的行的像素电路的数据写入期间相等。因此，由信号线SCAN传送的被扩大的控制信号和由相邻的行的信号线RESET2传送的控制信号成为相同的波形，因此，也可以兼用作信号线SCAN和相邻的行的信号线RESET2。
[0272]信号线的兼用能够削减信号线的覆盖区域，因此，有益于提高像素电路13、23的配置密度、实现高精细的显示装置。另外，由于能够削减扫描线驱动电路4的输出条数，所以能够缩小电路尺寸，能够实现成本的降低。
[0273]另外，与实施方式2同样地，电容器C2的容量可以比电容器Cl的容量小，能够对电容器Cl确保比电容器C2大的面积，能够在发光期间使从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给的电流稳定化。也即是，能够提高显示质量。
[0274](实施方式5)
[0275]参照附图对本发明的实施方式5进行说明。
[0276]图25是表示实施方式5的像素电路14的结构的一例的电路图。像素电路14构成为在图8的像素电路11中追加开关晶体管T6。与像素电路14对应地，设置于显示单元2的各行的信号线RESET变更为2条信号线RESET1、RESET2，并且，用I条信号线ENAB兼用作设置在各行的信号线MERGE、ENAB。另外，显示单元2的参考电压线VR变更为2条参考电压线VR1、VR2。
[0277]此外，信号线MERGE、ENAB也可以分别独立地设置。在独立地设置的情况下，开关晶体管T6可以与参考电压线VR2、有机EL元件EL的第二端子连接，由此能够进行有机EL元件EL的电压复位工作，例如通过向有机EL元件EL施加反向偏置电压，能够抑制有机EL元件EL的劣化。
[0278]在像素电路14中，开关晶体管T3按照由信号线RESETl传送的控制信号来切换电容器Cl的第二(纸面的左侧)端子与参考电压线VRl之间的导通及非导通。
[0279]开关晶体管T2按照由信号线ENAB传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的栅极端子g与电容器Cl的第二端子之间的导通及非导通。
[0280]开关晶体管T6插入在参考电压线VR2与驱动晶体管TD的源极端子s之间，按照由信号线RESET2传送的控制信号来切换参考电压线VR2与驱动晶体管TD的源极端子s之间的导通及非导通。
[0281]图26是在一帧期间示出用于使像素电路14工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图26中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0282]图27是表示实施方式5的像素电路24的结构的一例的电路图。像素电路24构成为在图10的像素电路21中追加开关晶体管T6。与像素电路14对应地，设置在显示单元2的各行的信号线RESET变更为2条信号线RESET1、RESET2，并且，用I条信号线ENAB兼用作设置在各行的信号线MERGE、ENAB。另外，显示单元2的参考电压线VR变更为2条参考电压线VR1、VR2。
[0283]在像素电路24中，开关晶体管T3按照由信号线RESETl传送的控制信号来切换电容器Cl的第二(纸面的左侧)端子与参考电压线VR之间的导通及非导通。
[0284]开关晶体管T2按照由信号线ENAB传送的控制信号来切换驱动晶体管TD的栅极端子g与电容器Cl的第二端子之间的导通及非导通。
[0285]开关晶体管T6插入在参考电压线VR2与有机EL元件EL的第一(纸面的上侧)端子之间，按照由信号线RESET2传送的控制信号来切换参考电压线VR2与有机EL元件EL的第一端子之间的导通及非导通。
[0286]图28是在一帧期间示出用于使像素电路23工作的控制信号和数据信号的一例的时间图。在图28中，纵轴表不各信号的电平,横轴表不时间。
[0287]驱动晶体管TD、开关晶体管Tl~T4、T6在像素电路14中由η型晶体管构成，在像素电路24中由P型晶体管构成。像素电路14和像素电路24构成为当分别被提供如图26和图28所示的电平彼此翻转的控制信号时进行同等的工作。
[0288]代表这些，说明按照图26所示的控制信号和数据信号进行的像素电路14的工作。
[0289]在时刻tl， 前一帧的发光结束。
[0290]在时刻t2到t3的数据写入期间进行数据写入工作。
[0291]在数据写入期间，开关晶体管Tl、T3成为导通状态，从信号线DATA取得数据电压Vdata,数据电压Vdata被以参考电压VR为基准而保持在电容器C2中。
[0292]在时刻t4到t5的Cl复位期间进行Cl复位工作。
[0293]在Cl复位期间，开关晶体管T3、T6成为导通状态，对电容器Cl的第二端子的电压设定参考电压VR1，对电容器Cl的第一端子的电压设定参考电压VR2。由此，电容器Cl按每帧而被初始化为相同的电压，因此，能排除前一帧结束时在电容器Cl残留的前一帧的电压的影响。在此，参考电压VRl和VR2被设定为使得成为VRl - VR2≥Vth。此时，驱动晶体管TD为导通状态，而开关晶体管T4为非导通状态，因此，不向有机EL元件EL供给电流而不发光。
[0294]在时刻t5到t6的Vth检测期间进行Vth检测工作。
[0295]在Vth检测期间，开关晶体管T4、T6为非导通状态，驱动晶体管TD的源极端子s被从负电源电压VSS和参考电压VR2电切断。电容器C2所保持的数据电压Vdata被施加到驱动晶体管TD的栅极端子g。另外，正电源电压VDD被设定为比将所有像素的驱动晶体管TD的阈值电压Vth的最大值与信号线DATA的最高电压相加而得到的电压高。
[0296]其结果，在Vth检测期间，驱动晶体管TD必定工作在饱和区域中，因此，驱动晶体管TD的漏极、源极电流仅由栅极、源极端子间电压进行控制。此刻，由于驱动晶体管TD的栅极端子g被固定为数据电压Vdata，所以结果成为驱动晶体管TD的漏极、源极电流由源极端子s的电压进行控制。
[0297]由于开关晶体管T4、T6为非导通状态，所以在驱动晶体管TD的源极端子仅连接了电容器Cl的第一端子，驱动晶体管TD的漏极、源极电流流至电容器Cl。因而，电容器Cl被充电，电容器Cl的第一端子的电压、即驱动晶体管TD的源极端子s的电压上升，最终成为Vdata - Vth,也即是，当驱动晶体管TD的栅极、源极端子间电压成为与驱动晶体管TD的阈值电压Vth相同时，驱动晶体管TD成为截止状态。
[0298]如此，驱动晶体管TD的源极端子s的电压不受正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响，收敛为从数据电压Vdata下降了阈值电压Vth的电压Vdata — Vth。[0299]该电压被以参考电压VRl为基准而保持在电容器Cl中。电容器Cl所保持的电压为VRl - (Vdata — Vth)，该电压完全不包含正电源电压VDD和负电源电压VSS的影响。
[0300]在时刻t7以后的发光期间进行发光工作。
[0301]在发光期间，开关晶体管T1、T3成为非导通状态，并且，开关晶体管Τ2成为导通状态，电容器Cl所保持的电压VRl - (Vdata 一 Vth)被施加在驱动晶体管TD的栅极一源极间。
[0302]其结果，从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给与数据电压Vdata对应的准确的大小的电流Isd= β/2Χ (VRl — Vdata)2，因此，能够使有机EL元件EL不受电源电压的变动的影响而以与数据电压Vdata对应的准确的辉度进行发光。
[0303]此外，在像素电路14、24中能够进行如下所述的变形。
[0304]例如，也可以在像素电路14中由P型晶体管构成开关晶体管T3、在像素电路24中由η型晶体管构成开关晶体管Τ3后，用I条信号线兼用作信号线RESET1、ENAB。
[0305]另外，例如在数据写入期间与配置在相邻的行的像素电路的Cl复位期间相等的情况下，由信号线SCAN传送的控制信号和由相邻的行的信号线RESET2传送的控制信号成为相同的波形，因此，也可以兼用作信号线SCAN和相邻的行的信号线RESET2。
[0306]信号线的兼用能够削减信号线的覆盖区域，因此，有益于提高像素电路14、24的配置密度、实现高精细的显示装置。另外，由于能够削减扫描线驱动电路4的输出条数，所以能够缩小电路尺寸，能够实现成本的降低。 [0307]另外，与实施方式2同样地，电容器C2的容量可以比电容器Cl的容量小，能够对电容器Cl确保比电容器C2大的面积，能够在发光期间使从驱动晶体管TD向有机EL元件EL供给的电流稳定化。也即是，能够提高显示质量。
[0308]以上，针对本发明涉及的显示装置及其控制方法、尤其是在显示装置中使用的特征性的像素电路及其工作，列举若干实施方式和变形例进行了说明，但本发明不限于这些实施方式、变形例。在不超出本发明的主旨的范围内，本领域技术人员实施能够想到的各种变形、任意地组合实施方式及变形例的构成要素和工作而实现的显示装置及其控制方法也包含在本发明中。
[0309]本发明涉及的显示装置也可以内置在如图29所记载的薄型平面TV中。通过内置本发明涉及的显示装置，能实现能够高精度地显示由图像信号表示的图像的薄型平面TV。
[0310]产业上的可利用性
[0311]本发明对使用有机EL元件的显示装置是有用的，尤其是对有源矩阵型的有机EL显示装置是有用的。
【权利要求】
1.一种显示装置，具有配置多个像素电路而成的显示单元， 每个所述像素电路具备: 驱动晶体管； 第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子； 第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换； 第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换； 第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换； 第四开关元件，其对用于传输第一电源电压的第一电源线和所述驱动晶体管的源极端子之间的导通及非导通进行切换；以及 发光元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的漏极端子，第二端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线。
2.根据权利要求1所述的显示装置， 每个所述像素电路使所 述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而进行所述驱动晶体管的阈值电压检测。
3.根据权利要求1所述的显示装置， 每个所述像素电路还具备第二电容元件，所述第二电容元件的第一端子连接于所述驱动晶体管的栅极端子，第二端子与所述第一电容元件的第二端子连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置， 所述第二电容元件的容量值比所述第一电容元件的容量值小。
5.根据权利要求1所述的显示装置， 在每个所述像素电路中，所述第一开关元件和所述第三开关元件是双栅型薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示装置， 在每个所述像素电路中，所述第二开关元件是双栅型薄膜晶体管。
7.—种显示装置，具有配置多个像素电路而成的显示单元， 每个所述像素电路具备: 驱动晶体管，其漏极端子连接于用于传输第一电源电压的第一电源线； 第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子； 第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换； 第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换； 第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换； 发光元件，其第一端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线；以及 第四开关元件，其对所述驱动晶体管的源极端子和所述发光元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换。
8.根据权利要求7所述的显示装置， 每个所述像素电路使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而进行所述驱动晶体管的阈值电压检测。
9.根据权利要求7所述的显示装置， 每个所述像素电路还具备第二电容元件，所述第二电容元件的第一端子连接于所述驱动晶体管的栅极端子，第二端子与所述第一电容元件的第二端子连接。
10.根据权利要求9所述的显示装置， 所述第二电容元件的容量值比所述第一电容元件的容量值小。
11.根据权利要求7所述的显示装置， 在每个所述像素电路中，所述第一开关元件和所述第三开关元件是双栅型薄膜晶体管。
12.根据权利要求11所述的显示装置， 在每个所述像素电路中，所述第二开关元件是双栅型薄膜晶体管。
13.—种显示装置的控制方法， 所述显示装置具有配置多个像素电路而成的显示单元， 每个所述像素电路具备: 驱动晶体管； 第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子； 第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换； 第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换； 第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换； 第四开关元件，其对用于传输第一电源电压的第一电源线和所述驱动晶体管的源极端子之间的导通及非导通进行切换；以及 发光元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的漏极端子，第二端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线， 所述控制方法包括如下的步骤:在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测。
14.根据权利要求13所述的显示装置的控制方法， 所述控制方法还包括如下的步骤: 在每个所述像素电路中，使所述第二开关元件和所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第一开关元件为导通状态而从所述数据线写入数据电压； 在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为导通状态，在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间施加与所述数据电压Vdata对应、且用所述阈值电压Vth修正后的偏置电压，从所述驱动晶体管向所述发光元件供给电流。
15.一种显示装置的控制方法，所述显示装置具有配置多个像素电路而成的显示单元， 每个所述像素电路具备: 驱动晶体管，其漏极端子连接于用于传输第一电源电压的第一电源线； 第一电容元件，其第一端子连接于所述驱动晶体管的源极端子； 第一开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和用于传输与辉度对应的数据电压的数据线之间的导通及非导通进行切换； 第二开关元件，其对所述驱动晶体管的栅极端子和所述第一电容元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换； 第三开关元件，其对所述第一电容元件的第二端子和用于传输一定的参考电压的参考电压线之间的导通及非导通进行切换； 发光元件，其第一端子连接于用于传输第二电源电压的第二电源线；以及第四开关元件，其对所述驱动晶体管的源极端子和所述发光元件的第二端子之间的导通及非导通进行切换， 所述控制方法包括如下的步骤:在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第三开关元件为导通状态而对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测。
16.根据权利要求15所述的显示装置的控制方法， 所述控制方法还包括如下的步骤: 在每个所述像素电路中，使所述第二开关元件和所述第四开关元件为非导通状态、且使所述第一开关元件为导通状态而从所述数据线写入数据电压； 在每个所述像素电路中，使所述第四开关元件为导通状态，在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间施加与所述数据电压Vdata对应、且用所述阈值电压Vth修正后的偏置电压，从所述驱动晶体管向所述发光元件供给电流。
【文档编号】G09G3/20GK104025176SQ201180075052
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2011年11月24日 优先权日:2011年11月24日
【发明者】小野晋也 申请人:松下电器产业株式会社