器件和显示单元的制作方法

专利名称：器件和显示单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及诸如薄膜晶体管(TFT)的器件，以及具有该器件的显示单元。
背景技术：
在相关技术中，因为诸如TFT的器件通常被形成在玻璃基板上，绝缘膜的应力等被认为是不重要的。此外，例如，日本未审查专利申请公布No. 2000-164874公开了一种TFT的制造方法，其中，接触孔的制造工艺被省略，以降低成本，并且该方法目前被广泛使用。

发明内容
近年来,在包括液晶显示单元、有机EL显示单元、电泳显示单元等在内的显示单 元中，更薄和重量更轻的显示单元是人们所期望的。为了使得显示单元更薄和更轻，可以减小支撑主体的玻璃基板的厚度，或者采用具有柔性的基板，诸如塑料基板。但是，存在的问题是，当具有高应力的绝缘膜被形成在这样的基板上时，膜的应力可以导致膜剥离和基板损坏，使得产率降低。期望提供一种器件，其中形成在基板上的绝缘膜的应力被降低以提高产率，并且提供具有该器件的显示单元。根据本发明的实施方式的器件包括基板；金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。根据本发明的实施方式的显示单元包括器件；以及显示层，所述器件和所述显示层设置在基板的上方。所述器件包括金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。在根据本发明的实施方式的器件和显示单元中，在隔着形成在基板上的区域中的金属层形成在基板上的第一绝缘膜中，沟槽被设置在没有设置所述金属层的区域中的一部分或全部中，因此减小了第一绝缘膜的应力。在根据本发明的实施方式的器件和显示单元中，在隔着金属层形成在基板上的第一绝缘膜中，沟槽被设置在没有设置所述金属层的区域中的一部分或全部中，因此减小了第一绝缘膜的应力。结果，抑制了第一绝缘膜等从基板的膜剥离的发生，因此提高了产率。应理解的是，前面的一般性描述和后面的详细描述都是示例性的，意在对所要求保护的技术提供进一步的说明。


附图被包括来提供对于本发明的进一步理解，并且被包含在本说明书中，构成本说明书的一部分。附示说明了实施方式，并与说明书一起，用于解释本技术的原理。图I是示出了根据本发明的实施方式的显示单元的构造的剖视图。
图2A和2B分别是平面图和剖视图，都示出了图I中所示的显示单元中的TFT层的一部分。图3是示出了图I中所示的显示单元的制造工艺的流程图。图4A和4B是用于说明本发明的实施方式的示例性效果的剖视图。图5是示出了根据本发明的实施方式的修改例I的显示单元的构造的剖视图。图6是示出了根据本发明的实施方式的修改例2的显示单元的构造的剖视图。图7A是示出了应用实施例I的外观的实施例的透视图，而图7B是示出了应用实施例I的外观的实施例的透视图。图8是示出了应用实施例2的外观的透视图。
·
图9A是示出了当从前面观察时应用实施例3的外观的实施例的透视图，而图9B是示出了当从前面观察时应用实施例3的外观的实施例的透视图。图10是示出了应用实施例4的外观的透视图。图11是示出了应用实施例5的外观的透视图。图12A是展开状态下的应用实施例6的正视图，图12B是其侧视图；图12C是折叠状态下的正视图，图12D是左视图，图12E是右视图，图12F是顶视图，并且图12G是底视图。
具体实施例方式下面将参考附图详细描述本发明的实施方式。请注意，下面将以如下次序进行描述。I.实施方式显示单元，其中隔着金属层设置在基板上的第一绝缘膜包含沟槽2.修改例I显示单元，其中第二绝缘膜设置在第一绝缘膜和第三绝缘膜之间3.修改例2显示单元，其中显示层直接设置在第二绝缘膜上4.应用实施例I.实施方式(显示单元I的构造)图I示出了根据本发明的实施方式的显示单元I的横截面构造。例如，显示单元I是利用电泳显示图像(例如，字母信息等)的电泳显示器(所谓的电子纸显示器)，并且显示单元I具有其中TFT层10和显示层20被层叠在基板11上的构造。应该注意，图I示意性地示出了显示单元I的结构，可能与实际尺寸和形制不同。基板11支撑TFT层10和显示层20，并具有柔性。具体地，例如，基板11由无机材料(诸如玻璃、石英、硅和砷化镓)，塑料材料(诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚醚醚酮(PEEK)以及芳香族聚酯(液晶聚合物))或类似材料制成。此外，基板11只需要一定的厚度，并且具体地，优选的是，基板11具有例如I U m到700 u m的厚度。阻挡层12防止由水和有机气体导致的TFT层10和显示层20的劣化，并且阻挡层12由例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钽(Ta2O5)、或氧氮化铝(AlOxNh(其中X = 0. 01到0. 2))制成。阻挡层12可以利用CVD设备、ALD(原子层沉积)设备、PLD (脉冲激光沉积)设备、溅射设备、EB沉积设备、离子镀覆设备等来形成。TFT层10是具有多个包含薄膜(诸如电极的金属层、绝缘膜等)的器件的层。具体地，除了作为构造来选择像素的开关元件的TFT之外，TFT层10还包含电容元件(保持电容元件等)、配线(扫描线、信号线等)、电极(信号电极等)等。就是说，TFT层10包括TFT、电容元件、配线和电极中的一个或多个。应该注意，上述的TFT可以由利用有机半导体层作为沟道层IOA的有机TFT或者利用无机半导体层作为沟道层IOA的无机TFT (图2)来构造。在图I中所示的本实施方式的TFT层10中，第一绝缘膜14被设置在金属层13上。此外，金属层15 (对应于电容电极13B的电极)被设置在第一绝缘膜14上、与电容电极13B相对的区域中，并且第三绝缘膜16被设置在第一绝缘膜14和金属层15的整个表面上。

在此例中，例如，金属层13是栅电极13A和电容元件的电极对的下电极的电容电极13B,而金属层15是电容兀件的电容电极对的上电极的电容电极。金属层13和15中的每一个由单层膜构成，所述单层膜由常用导电材料诸如钥(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、铝(Al)、铝合金等等中的一种制成，或者金属层13和15中的每一个由层叠膜构成，所述层叠膜由上述材料中的两种或更多种制成。应该注意，铝合金的实施例是铝-钕合金。应该注意，虽然在图中没有示出，金属层15包括源电极和漏电极。第一绝缘膜14保护金属层13 (栅电极13A和电容电极13B)，并且还防止栅电极13A、电容电极13B、金属层(电容电极)15、源电极和漏电极的短路。第一绝缘膜14由例如由Si02、Si3N4、SiN0、Al203等中的一种制成的单层膜构成。虽然对第一绝缘膜14的膜厚度没有具体限制，但是例如100-500nm是优选的，以保持电极之间的绝缘性能。应该注意，第一绝缘膜14的材料不限于上述的无机材料，并且可以使用有机材料，诸如PVA (聚乙烯醇)、PVP(聚乙烯基苯酚)、线性酚醛树脂、丙烯酸类树脂以及氟基树脂。在本实施方式中，第一绝缘膜14在其中没有形成金属层13的区域(未形成金属层区域A)中设置有沟槽14A。具体地，沟槽14A被形成在第一绝缘膜14的除了其中形成金属层13的区域的区域以及外周中的一部分和所有部分中。结果，第一绝缘膜14的应力被节制。图2A是示出了根据本实施方式的显示单元I的TFT层10的一部分的构造的平面图，而图2B是示出了沿图2A的1-1'线所取的构造的剖视图。在此例中，沟槽14A被设置在栅电极13A和外周部分(14A1)之间、栅电极13A和电容电极13B(14A2)之间、以及电容电极13B和外周部分(14A3)之间。对沟槽14A的深度(第一绝缘膜14的层叠方向)没有具体限制，但是优选地，深度等于第一绝缘膜14的厚度。沟槽14A可以穿透第一绝缘膜14。具体地，当沟槽14A被构造来穿透第一绝缘膜14时，可以有效地减小第一绝缘膜14的应力。此外，优选地，沟槽14A的宽度(沿第一绝缘膜14的水平方向)为例如4iim或更大。应该注意，理想地，每一金属层13的侧面被具有约4 或更大的厚度的第一绝缘膜14覆盖，以防止短路。此外，沟槽14A用后面所述的第三绝缘膜16填充。第三绝缘膜16是构造来保护或平坦化TFT的沟道层10A、电容层等的保护膜。并且，第三绝缘膜16是显示层20将被设置在其上的保护膜。第三绝缘膜16优选由例如具有光敏性的烷基树脂材料制成。此外，也可以使用非光敏性有机材料，诸如PVA(聚乙烯醇)、PVP(聚乙烯基苯酚)、线性酚醛树脂、丙烯酸类树脂以及氟基树脂。第三绝缘膜16的膜厚度(从第一绝缘膜14的上表面开始，除了沟槽14A之外)例如为I y m到4 y m，但是这不是限制性的。应该注意，对第一绝缘膜14和第三绝缘膜16的膜性质没有具体限制，并且其可以具有基本等同的膜性质，例如，基本相等的膜密度，或者其可以彼此不同的膜密度。应该注意，第二绝缘膜18被设置在上述的沟道层IOA上。第二绝缘膜18是保护TFT的沟道层IOA的保护膜，并且涉及TFT的开关特性的可靠性。第二绝缘膜18例如由单层膜构成，所述单层膜由Si02、Si3N4、SiN0、Al203等中的一种制成，或者第二绝缘膜18由层叠膜构成，所述层叠膜由上述材料中的两种或更多种制成。第二绝缘膜18的厚度例如为50到350nm，但是这不是限制性的。此外，第二绝缘膜18的材料不限于上述的无机材料，并且可以使用有机材料，诸如PVA(聚乙烯醇)、PVP(聚乙烯基苯酚)、线性酚醛树脂、丙烯酸类树脂以及氟基树脂。应该注意，虽然在本例中，第二绝缘膜18仅被形成在沟道层IOA上以·节制TFT层10中的应力，但是如后面所述的，第二绝缘膜18可以被设置在整个面上而不限于在沟道层IOA上。显示层20具有如下结构，其中例如，具有电泳粒子的电泳层22被夹在像素电极21和公共电极23之间。就是说，显示单元I是利用电泳来显示图像(例如字母信息等)的电泳显示器。像素电极21以逐个像素的方式设置在TFT层10上，而公共电极23设置在透明基板30的整个表面上。像素电极21和TFT层10的金属层15通过穿透电极17连接。应该注意，像素电极21和穿透电极17可利用像素电极21的材料同时形成。例如，电泳粒子包括两种由白色颜料(诸如二氧化钛)构成的电泳粒子和由黑色颜料(诸如碳黑和苯胺黑)构成的电泳粒子。透明基板30由例如与基板11相似的材料制成。可以在透明基板30上额外地设置防止水渗入显示层20中的防水膜和防止外部的光在显示层20上反射的光学功能膜。下面将描述本实施方式的显示单元I的制造方法(显示单元I的制造方法)例如，显示单元I以如下方式来制造。具体地，首先，由Si02、SiN或类似物制成的阻挡层12通过例如CVD (化学气相沉积)方法或溅射方法被形成在基板11上(具体地，形成在基板11的显示区域上)，此后，使用后面描述的光刻技术来形成包含各种器件的TFT层10。接着，以类似方式，例如使用光刻技术在TFT层10上形成显示层20。此后，透明基板30被结合在显示层20上。以此方式，完成了图I中所示的显示单元I。还可以在公共电极23被形成在透明基板30上之后，形成电泳层22，然后将其中粘附层(没有示出)被设置在电泳层22的表面上的显示层20结合到TFT层10上。(TFT层10的制造方法)在此，图3是示出了 TFT层10的制造方法(器件形成工艺)的示例性主要工艺的流程图。首先，例如通过溅射方法在阻挡层12上形成金属膜。接着，在该金属膜上形成(涂覆)光刻胶膜之后，利用光刻法进行图案化，然后通过进行湿法刻蚀或干法刻蚀形成包含栅电极13A、电容电极13B等的金属层13(步骤S101)。
接着，例如通过使用CVD方法或溅射方法以覆盖阻挡层12和金属层13的方式形成第一绝缘膜14(步骤S102)。具体地，首先，通过利用包含硅烷(SiH4)、氨(NH3)和氮气的混合气体作为原料气体的等离子体CVD方法，形成由SiN制成的第一绝缘膜14。接着，形成半导体层(没有示出)(步骤S103)。具体地，在通过溅射方法形成无定形硅作为半导体材料之后，利用光刻法进行图案化，以获得期望的形状，然后通过刻蚀等形成期望的图案。接着，为了形成金属层13的传导部分，利用光刻法图案化第一绝缘膜14(步骤S104)。具体地，通过刻蚀图案化第一绝缘膜14，以形成金属层13的传导部分。该刻蚀通过例如利用氟基气体的干法刻蚀等以化学和物理方式进行。或者，也可以采用利用诸如氢氟酸等的化学剂的湿法刻蚀等。此时，在本实施方式中，虽然优选的是同时去除用作非传导部分的金属层非形成区域A中的第一绝缘膜14，如图2A和2B中所示，但是这不是限制性的。或者，可以单独地刻蚀金属层非形成区域A中的第一绝缘膜14。接着，在例如通过使用溅射方法在第一绝缘膜14上形成金属膜之后，利用光刻法进行图案化以获得期望的形状，由此形成包含源电极和漏电极、电容元件的电极等等的金 属层15(步骤S105)。接着，在形成沟道层IOA之后，例如具体地通过CVD方法或溅射方法在沟道层10A、第一绝缘膜14和金属层15的整个面上形成第二绝缘膜18(步骤S106)。具体地，首先，类似于上述的第一绝缘膜的形成方法，通过利用包含硅烷(SiH4)、氨(NH3)和氮气的混合气体作为原料气体的等离子体CVD方法，形成由SiN或类似物制成的第二绝缘膜18。应该注意，就减小应力而言，如图2A所示，利用光刻法仅在沟道层IOA上进行图案化。接着，利用例如CVD方法或溅射方法在第一绝缘膜14和金属层15上生成由光敏性有机材料制成的第三绝缘膜16 (步骤S106)。虽然在本例中使用了光敏性有机材料，但是也可以涂覆非光敏性树脂并烘焙，然后利用光刻法，通过利用氧气的干法刻蚀或湿法刻蚀图案化穿透孔，其中，穿透电极17将被设置到所述穿透孔。这样，得到了其中第三绝缘膜16也填充设置到第一绝缘膜14的沟槽14A的结构。最后，通过类似于用于金属层13和金属层15的形成方法形成像素电极21和穿透电极17。这样，形成了包含诸如栅电极13A、电容电极13B以及各种配线的器件的TFT层10。应注意的是，像素电极21和穿透电极17中的每一个由单层膜构造，所述单层膜由常用导电材料诸如钥(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、铟合金(包括ITO, IGO, IGZO等)、铝(Al)、铝合金等等中的一种制成，或者像素电极21和穿透电极17中的每一个由层叠膜构成，所述层叠膜由上述材料中的两种或更多种制成。铝合金的实施例是铝-钕合金。接着，将描述本实施方式的显示单元I的功能和效果。如上所述，在其中诸如TFT的器件被设置在玻璃基板上的显示单元中，通常使用其中接触孔的形成过程省略以降低成本的TFT制造方法，并且栅极绝缘膜的未图案化膜被形成在设置有栅电极的玻璃基板上。为了保持TFT(特别是栅电极)的耐压性和TFT的可靠性，该栅极绝缘膜是具有高膜密度的致密膜。该栅极绝缘膜较之被构造来保护半导体层和平坦化膜的保护膜具有非常强的应力。结果，存在如下问题，即当TFT或类似物被形成在具有柔性的基板上时，由于栅极绝缘膜和保护层或类似物之间的应力差以及由于这些层是层叠的这一事实，可能发生膜开裂、膜剥落等，导致产率下降。作为解决该问题的技术方案，例如，存在其中栅极绝缘膜的膜厚度被减小以减小栅极绝缘膜的应力的方法。但是，当栅极绝缘膜的厚度被减小时，耐压性能可能劣化，或电极之间诸如栅电极与源电极和漏电极等之间的绝缘性能可能劣化，因此可靠性可能劣化。此外，虽然通过降低栅极绝缘膜的膜密度也可以减小应力，但是由于与上述的减小栅极绝缘膜的厚度的情形相似的原因，这样的方案是不合适的。相反，在本实施方式中，第一绝缘膜14隔着金属层13形成在基板11上，所述金属层13包含形成在基板11上的区域的一部分中的栅电极13A、电容电极13B等，并且沟槽14A被设置在金属层非形成区域A的一部分或全部中。结果，可以减小第一绝缘膜14的应力，而不会劣化第一绝缘膜14的厚度和密度。如上所述，在本实施方式中，沟槽14A被设置隔着金属层13设置在基板11上的第一绝缘膜14的金属层非形成区域A的一部分或全部中，所以可以减小第一绝缘膜14的应力。就是说，抑制了第一绝缘膜14等从基板11的膜剥离的发生，从而提高了产率。此外，在沟槽14A穿透第一绝缘膜14的情况下，因为第一绝缘膜14和第三绝缘膜·16的层叠部分被减少，所以可以进一步抑制第一绝缘膜14从基板11的膜剥离的发生。此外，当基板11是柔性基板时，异物可能在制造过程期间被混入其中。因此，在相同金属层的电极(例如，在本实施方式中，栅电极13A和电容电极13B)将通过基于光刻法的图案化来形成的情况下，如果例如在曝光光刻胶膜之前异物(颗粒)存在于光刻胶膜上或存在于光掩模(曝光掩模)上，则难以在刻蚀时形成期望的图案。因此，可能发生刻蚀缺陷，并可能发生由图4A中所示的异物31所导致的配线断路或短路(短接)。结果，在某些情况下可能导致点缺陷或线缺陷，使得制造产率降低。相反，在本实施方式中，因为第一绝缘膜14设置有沟槽14A，并且该沟槽14A是穿透孔，所以可以解决异物的混入的问题。就是说，在第一绝缘膜14和异物31由相同的材料构成的情况下，通过在形成沟槽14A时图案化第一绝缘膜14，可以在去除第一绝缘膜14的同时去除异物31，如图4B所示。结果，可以减少在栅电极13A和电容电极13B之间、配线(图4A和4B中没有示出)之间、以及配线(图4A和4B中没有示出)和电极之间发生的短路缺陷等。因此，可以提高产率而不增加工艺数量。此外，即使当第一绝缘膜14和异物31由彼此不同的材料制成时，可以通过适当地选择刻蚀溶液，在第一绝缘膜14的去除工艺中去除异物31。或者，可以通过延长曝光时间去除异物31。(修改例I)图5示出了根据修改例I的显示单元IA的横截面构造。在显示单元IA中，第二绝缘膜18被设置在第一绝缘膜14和第三绝缘膜16之间的整个界面上。除了此点，显示单元IA具有与上述实施方式的显示单元I相似的构造,并且其功能和效果与显示单元I的相似。本修改例的第二绝缘膜18被设置在基板11的整个面上。结果，制造工艺被简化，并且阻挡层12的效果被增强。如在上述实施方式中一样，第二绝缘膜18例如由单层膜构成，所述单层膜由Si02、Si3N4, SiNO, Al2O3等中的一种制成，或者第二绝缘膜18由层叠膜构成，所述层叠膜由上述材料中的两种或更多种制成。第二绝缘膜18的厚度为例如50-350nm，但是这不是限制性的。此外，第二绝缘膜18的材料不限于上述无机材料，并且可以使用有机材料，诸如PVA(聚乙烯醇)、PVP(聚乙烯基苯酚)、线性酚醛树脂、丙烯酸类树脂以及氟基树脂。
第三绝缘膜16由聚酰亚胺树脂或丙烯酸类树脂制成，并且理想地具有光敏性。由此，像素电极21和栅极配线或源极配线之间的绝缘距离被增大，因此寄生电容降低。因此，可以将像素电极21的端部以堆叠方式放置在栅极配线和源极配线上方。就是说，可以加宽像素电极21的有效平面尺寸。虽然对第三绝缘膜16的膜厚度没有具体限制，但是大约Ium至3pm是优选的。由此，可以平坦化由TFT、栅极配线和源极配线导致的不平坦。应注意，第三绝缘膜16的材料不限于上述有机材料。第三绝缘膜16也可以是无机材料，诸如Si02、Si3N4、SiN0和Al2O3，并且第三绝缘膜16可以由单层膜构成，所述单层膜由Si02、Si3N4、SiNO, Al2O3中的一种制成，或者第三绝缘膜16由层叠膜构成，所述层叠膜由上述材料中的两种或更多种制成。应该注意，上述第一实施方式中所述的沟槽14A由第二绝缘膜18和第三绝缘膜16填充，如图5所示，但这不是限制性的。或者，沟槽14A可仅由第二绝缘膜18填充。在本修改例的显示单元IA中，第二绝缘膜18被设置在具有沟槽14A的第一绝缘膜14和第三绝缘膜16之间，因此除了上述实施方式的效果之外，还获得了如下效果像素 电极21和栅极配线或信号线等之间的干扰被抑制。结果，可以增大像素电极21的平面尺寸。此外，当像素电极21由非透明金属制成时，可以屏蔽照射到半导体层的光，并且抑制由光电效应等导致的TFT特性的劣化。(修改例2)图6示出了根据修改例2的显示单元IB的横截面构造。该显示单元IB与上述修改例I的显示单元IA的不同之处在于，第二绝缘膜18被设置在第一绝缘膜14上，并且显示层20被直接设置在第二绝缘膜18上。除了此点，显示单元IB具有与上述修改例I的显示单元IA相似的构造,并且其功能和效果与显示单元IA的相似。虽然第二绝缘膜18由与上述修改例I的第三绝缘膜16相同的材料制成，但其膜厚度理想地为IOOnm至500nm。应注意，优选的是，本修改例的第二绝缘膜18的厚度大于上述实施方式和修改例I的第二绝缘膜18的厚度。利用这样的构造，可以减小与像素电极21相关的寄生电容。本技术的实施方式的显示单元可被应用于各种电子设备，并且对于电子设备的类型没有具体限制。例如，显示单元可以被结合在下面所述的电子设备中。应该注意，下面所述的电子设备的构造仅仅是示例，并且其构造可以被适当地改变。图7A和7B不出了电子书的外观。此电子书例如包括显不部分110、非显不部分120和操作部分130。应注意，操作部分130可以设置在非现实部分120(壳体)的前面上，如图7A中所示，或者可以设置在顶面上，如图7B中所示。应注意，本技术的实施方式的显示单元可被结合在具有类似于图7A和7B中所示的电子书的构造的PDA或类似物中。图8示出了电视机的外观。例如，该电视机具有包含前面板210和滤光玻璃220的图像显示屏幕部分200。图9A和9B示出了数字静态照相机的外观，并且分别示出了其前面和后面。该数字静态照相机例如包括产生闪光灯的发光部310、显示部分320、菜单开关330、快门按钮340。图10示出了笔记本个人电脑的外观。此笔记本个人电脑例如包括主体410、用于诸如字母等的键盘420、以及其上显示图像的显示部分430。图11示出了视频摄像机的外观。该视频摄像机例如包括主体部分510、被配置来获取对象的图像并设置在主体部分510的前侧的镜头520、当拍摄图像时使用的开始停止开关530、以及显示部分540。图12A到12G示出了移动电话的外观。图12A和12B分别示出了展开状态下的移动电话的前面和侧面。图12C到12G分别示出了折叠状态下的移动电话的前面、左侧面、右侧面、顶面和底面。此移动电话例如包括由连接部分(铰链部分)630连接的上侧壳体610和下侧壳体620，并且包括显示器640、子显示器650、图画灯660、以及照相机670。以上，虽然基于实施方式和修改例描述了本技术，但是本技术不限于上述实施方式等，并且可以进行各种修改。例如，虽然在实施方式等中描述了其中包含电泳粒子的显示层20被设置像素电极和公共电极之间的电泳显示器，但是也可采用液晶层、有机EL (电致发光)层、无机EL层等作为显示层20。此外，在实施方式等中描述的每一个层的材料和厚度以及膜的形成方法、膜形成条件等不是限制性的，并且可以采用其他材料、厚度、膜形成方法以及膜形成条件。例如，第 一绝缘膜14和第二绝缘膜18的膜性能可以彼此相似，并且第一绝缘膜14和第二绝缘膜18的膜性能可互换。此外，虽然在实施方式等中详细描述了显示单元I的构造，但是其不必包含这些层中的全部，并且可以包含其他的层。由本发明的上述的示例性实施方式和修改例可以至少获得下面的构造。(I) 一种器件，其包括基板；金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。(2)如(I)所述的器件，其中所述沟槽由形成在所述第一绝缘膜上的第三绝缘膜填充。(3)如⑴或⑵所述的器件，其中所述金属层的侧面被第一绝缘膜覆盖。(4)如(1)-(3)中任一一项所述的器件，其中所述沟槽沿所述第一绝缘膜的层叠方向穿透所述第一绝缘膜。(5)如(2)-(4)中任一一项所述的器件，还包括第二绝缘膜，其被设置在所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜之间，其中，所述沟槽由所述第二绝缘膜填充或由所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜两者填充。(6)如(1)-(5)中任一一项所述的器件，其中所述金属层由薄膜晶体管或电容元件的配线或电极构成。(7)如(1)-(6)中任一一项所述的器件，其中所述基板具有柔性。(8) —种显示单元,包括器件；以及显示层，所述器件和所述显示层设置在基板上，其中所述器件包括金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。(9)如(8)所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的电泳层。(10)如(8)所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的液晶层。(11)如⑶所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的有机EL层。(12)如(8)所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的无机EL层。本申请包含于2011年5月19日在日本专利局递交的日本在先专利申请JP2011-112315中公开的内容相关的主题，上述日本在先专利申请的全部内容通过引用插入本文。本领域技术人员应当认识到，在所附权利要求书或其等同物的范围内可以根据设·计需要和其它因素进行各种修改、组合、亚组合和变化。
权利要求
1.一种器件，其包括 基板； 金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及 第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。
2.如权利要求I所述的器件，其中所述沟槽由形成在所述第一绝缘膜上的第三绝缘膜填充。
3.如权利要求I所述的器件，其中所述金属层的侧面被第一绝缘膜覆盖。
4.如权利要求I所述的器件，其中所述沟槽沿所述第一绝缘膜的层叠方向穿透所述第一绝缘膜。
5.如权利要求2所述的器件，还包括 第二绝缘膜，其被设置在所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜之间， 其中，所述沟槽由所述第二绝缘膜填充或由所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜两者填充。
6.如权利要求I所述的器件，其中所述金属层由薄膜晶体管或电容元件的配线或电极构成。
7.如权利要求I所述的器件，其中所述基板具有柔性。
8.—种显示单元,包括 器件；以及 显示层，所述器件和所述显示层设置在基板上，其中所述器件包括 金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及 第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。
9.如权利要求8所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的电泳层。
10.如权利要求8所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的液晶层。
11.如权利要求8所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的有机EL层。
12.如权利要求8所述的显示单元，其中所述显示层包括电极对之间的无机EL层。
全文摘要
本发明涉及器件和显示单元。所述器件包括基板；金属层，其被形成在所述基板的一部分上的区域中；以及第一绝缘膜，其被设置在所述基板和所述金属层上，并包含设置在对应于没有设置所述金属层的区域的一部分或全部的位置上的沟槽。
文档编号G09F9/37GK102790094SQ20121015223
公开日2012年11月21日 申请日期2012年5月14日 优先权日2011年5月19日
发明者加藤祐一, 增田健太, 赤松圭一 申请人:索尼公司