发光元件与显示装置制造方法

发光元件与显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了发光元件与显示装置，该发光元件包括发光单元和被配置为驱动发光单元的驱动电路。驱动电路包括驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及电容器单元。驱动电路连接至均在第一方向上延伸的电流供应线和扫描线并且连接至在第二方向上延伸的数据线。电流供应线和扫描线形成在第一层间绝缘层上，并且第一层间绝缘层、电流供应线以及扫描线覆盖有第二层间绝缘层。数据线形成在第二层间绝缘层上。在第一方向上延伸的遮蔽壁设置在一个发光元件与在第二方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间的第二层间绝缘层上。
【专利说明】发光元件与显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年11月19日提交的日本优先专利申请JP2012-253015的权
益，将其全部内容结合于此以供参考。
【技术领域】
[0003]本公开涉及一种发光元件和显示装置。
【背景技术】
[0004]近年来，人们对采用有机电致发光元件(也简称为“有机EL元件”)的有机电致发光显示装置(下文中，也简称为“有机EL显示装置”)的关注逐渐增加。有机EL显示装置属于自发光类型，并且具有消耗功率低的特性。有机EL显示装置被认为具有对于非常鲜明的高速视频信号足够的敏感性，并且其发展和商业化已经朝向实际应用迈进。
[0005]有机EL显示装置包括多个发光元件(包括发光单元ELP和被配置为驱动发光单元ELP的驱动电路)。具体地，多个发光兀件被布置成在第一方向上N列并且在不同于第一方向上的第二方向上M行的二维矩阵形状。图1中示出了有机EL显示装置的电路图，并且图2中示出了包括例如被配置为两个晶体管和一个电容器单元的驱动电路的发光元件的等效电路图。在此，驱动电路被配置为驱动晶体管TR1、图像信号写入晶体管TR2以及电容器单元C0,并且连接至电流供应线CSL、扫描信号(线)SCL以及信号线DTL。组成位于有机EL显示装置奇数行上的驱动电路的晶 体管TR1和TR2以及组成位于偶数行上的驱动电路的晶体管TR1和TR2均对称地设置成在第一方向上延伸的轴线(被布置成关于在第一方向上延伸的轴线对称)。即，驱动电路上下交替地设置在奇数行和偶数行。采用这种布局能够降低整体实现的驱动电路的面积。
实用新型内容
[0006]如上所述，如图35所示，使用根据现有技术的驱动电路，在驱动电路上下交替地布置在奇数行和偶数行的情况下，可能存在下面描述的问题。具体地，在第二方向上邻近的像素之间的寄生电容在奇数行与偶数行之间不同。例如，假如“m”是奇数，并且由于组成位于第(m-Ι)’行的驱动电路的驱动晶体管TR1 μ的栅电极与组成位于第m行的驱动电路的电容器单元Ctl m之间的耦合引起的寄生电容是PCm。此外，假定由于组成位于第m行的驱动电路的驱动晶体管TR1的栅电极与组成位于第(m+1) ’行的驱动电路的电容器单元Ctl _之间的耦合引起的寄生电容是PCm+1。在该布置中，寄生电容PC1J^值与寄生电容PCm+1的值不同。具体地，保持寄生电容PCm+1>寄生电容PCm。
[0007]如果在有机EL显示装置上显示图像，在驱动晶体管TR1的自举现象被应用于根据将被显示的亮度将电流发送至发光单元ELP。如果在有机EL显示装置上从上至下执行图像显示(即，如果在m值增加的方向上执行图像显示)，驱动晶体管TR1的栅电极的电位增量依据寄生电容而变动。具体地，例如，当在包括第(m-Ι)行的驱动电路位置的像素上、在包括在第m行的驱动电路位置的像素上以及在包括在第(m+1)行的驱动电路位置的像素上显示具有相同亮度的图像时，由于寄生电容PCm %PCm+1不同，即使亮度相同，组成位于第(m-1)行的驱动电路的驱动晶体管TR1 —的栅电极的电位增量与组成位于第m行的驱动电路的驱动晶体管TRl m的栅电极的电位增量不同。结果，对于显示装置，奇数行与偶数行的亮度不同，并且在视觉上可以识别条形斑点或可以观察到看起来仅具有一半分辨率的图像。
[0008]即使当设置驱动电路从而使奇数行与偶数行之间不垂直反向时，由于经过来自邻近像素的耦合，像素可能发射不理想的亮度或均匀度可能恶化，在某些情况下，由于经过来自邻近信号线DTL的耦合，均匀度可能恶化。
[0009]日本待审查专利申请公开第2006-030635号公开了其中设置了用作关于扫描线和信号线的电场遮蔽的金属图案的显示装置，但是通过该金属图案难以充分地解决上述问题。
[0010]期望提供具有不易被邻近像素影响的配置与结构的发光元件，以及包括该类发光元件的显示装置。
[0011]根据实施方式的发光元件包括:发光单元；以及驱动电路，被配置为驱动发光单元，驱动电路被配置为至少具有(A)包括两个源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极的驱动晶体管，(B)包括两个源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极的图像信号写入晶体管，以及(C)电容器单元；对于驱动晶体管，(A-1) 一个源极/漏极区连接至在第一方向上延伸的电流供应线，(A-2)另一源极/漏极区连接至发光单元，并且还连接至电容器单元的一端，并且(A-3)栅电极连接至图像信号写入晶体管的一个源极/漏极区，并且还连接至电容器单元的另一端；对于图像信号写入晶体管，(B-1) —个源极/漏极区连接至在不同于第一方向的第二方向上延伸的数据线，并且(B-2)栅电极连接至在第一方向上延伸的扫描线；驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及电容器单元均覆盖有第一层间绝缘层；电流供应线和扫描线形成在第一层间绝缘层上；第一层间绝缘层、电流供应线以及扫描线均覆盖有第二层间绝缘层；数据线形成在第二层间绝缘层上；并且在第一方向延伸的遮蔽壁设置在介于一个发光元件与邻近该一个发光元件的发光元件之间的第二层间绝缘层上。应注意，如后面将要描述的，如果第二层间绝缘层具有第二层间绝缘层的下层与第二层间绝缘层的上层的层压配置，则遮蔽壁可以设置在第二层间绝缘层的下层或可以设置在第二层间绝缘层的上层或可以在第二方向上设置在第二层间绝缘层的下层和第二层间绝缘层的上层。
[0012]对于根据上述配置的发光元件，在第一方向上延伸的遮蔽壁(在下文中，为方便起见，称之为“第一遮蔽壁”)设置在介于一个发光兀件与在第二方向上邻近该一个发光兀件的发光元件之间的第二层间绝缘层上。
[0013]根据本公开的实施方式的发光元件包括:发光单元；以及驱动电路，被配置为驱动发光单元，遮蔽壁设置在一个发光元件与邻近所述一个发光元件的发光元件之间；遮蔽壁由间隔布置的多个柱形导体部构成；当从导体部的轴线方向观看遮蔽壁时，多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0014]对于根据上述配置的发光元件，第一遮蔽壁设置在一个发光元件与邻近所述一个发光元件的发光元件之间，第一遮蔽壁由间隔布置的多个柱形导体部(在下文中，为方便起见，称之为“第一导体部”)构成，并且当从第一导体部的轴线方向观看第一遮蔽壁时，多个柱形第一导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。[0015]根据本公开的实施方式的发光元件包括:发光单元；以及驱动电路，被配置为驱动发光单元，驱动电路至少包括驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及电容器单元；电容器单元被设置在相比于驱动晶体管与图像信号写入晶体管被设置在水平高度(level，水平面)更高的水平高度；并且遮蔽壁的水平高度被设置为等于或低于设置电容器的水平高度并且高于设置驱动晶体管和图像信号写入晶体管的水平高度，遮蔽壁设置在一个发光元件与邻近所述一个发光元件的发光元件之间。
[0016]此外，根据本公开的第三实施方式的发光元件，电容器单元的水平高度被设置为高于设置驱动晶体管和图像信号写入晶体管的水平高度，并且第一遮蔽壁的水平高度被设置为等于或低于设置电容器单元的水平高度并且高于设置驱动晶体管和图像信号写入晶体管的水平高度，第一遮蔽壁被设置在一个发光元件与邻近该一个发光元件的发光元件之间。
[0017]显示装置由多个根据上述配置的发光元件构成，多个发光元件以二维矩阵形状被布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向上。此外，根据本公开的电子装置包括根据本公开的显示装置。
[0018]根据上述配置，发光元件被设置成不易受到来自邻近像素的电场影响的配置/结构。即，可以抑制组成一个发光元件的驱动电路的驱动晶体管的栅电极的电位增量由于邻近所述一个发光元件的发光元件而变动的现象。结果，可以显示没有可视觉识别的条纹斑点的具有高均匀度的图像，并且不会发生观察的图像出现仅具有其一半分辨率的现象，并且像素不会发出具有不理想的亮度的光。
【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1是组成包含在根据第一实施方式的显示装置或电子装置内的显示装置的电路的不意图；
[0020]图2是根据第一实施方式的2Tr/lC驱动电路的等效电路；
[0021]图3是根据第一实施方式的发光元件的示意性部分截面图；
[0022]图4是示意性示出根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0023]图5是沿着图4中的箭头V-V截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0024]图6是沿着图4中的箭头V1-VI截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0025]图7是沿着图4中的箭头VI1-VII截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0026]图8A和图8B分别是沿着图4中的箭头VIIIA-VIIIA和箭头VIIIB-VIIIB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0027]图9A和图9B分别是沿着图4中的箭头IXA-1XA和箭头IXB-1XB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0028]图1OA和图1OB分别是沿着图4中的箭头XA-XA和箭头XB-XB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；[0029]图1IA和图1lB分别是沿着图4中的箭头XIA-XIA和箭头XIB-XIB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0030]图12是示意性示出在基板表面的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0031]图13是示意性示出在第一层间绝缘层的表面的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0032]图14是示意性示出在第二层间绝缘层的下层的表面的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0033]图15是示意性示出在第二层间绝缘层的上层的表面的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0034]图16是以与沿着图4中的箭头XV1-XVI截取方式相同的方式截取的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0035]图17是以与沿着图4中的箭头XVI1-XVII截取方式相同的方式截取的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0036]图18是以与沿着图4中的箭头XVII1-XVIII截取方式相同的方式截取的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0037]图19A和图19B分别是以与沿着图4中的箭头XIXA-XIXA和箭头XIXB-XIXB截取方式相同的方式截取的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0038]图20是示意性示出在第一层间绝缘层的表面的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0039]图21是示意性示出在第二层间绝缘层的下层的表面的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0040]图22是示意性示出在第二层间绝缘层的上层的表面的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0041]图23是示意性示出根据第三实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态的示图；
[0042]图24A和图24B分别是以与沿着图23中的箭头XXIVA-XXIVA和箭头XXIVB-XXIVB截取方式相同的方式截取的根据第三实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0043]图25A和图25B分别是以与沿着图23中的箭头XXVA-XXVA和箭头XXVB-XXVB截取方式相同的方式截取的根据第三实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0044]图26A和图26B分别是以与沿着图23中的箭头XXVIA-XXVIA和箭头XXVIB-XXVIB截取方式相同的方式截取的根据第三实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图；
[0045]图27是示意性示出根据第一实施方式至第三实施方式的2Tr/lC驱动电路的驱动时序图的不图；
[0046]图28A、图28B、图28C、图28D、图28E和图28F是示意性示出组成根据第一实施方式至第三实施方式的2Tr/lC驱动电路的各个晶体管的导通/截止状态的示图；
[0047]图29是3Tr/lC驱动电路的等效电路图；[0048]图30是示意性示出3Tr/lC驱动电路的驱动时序图的示图；
[0049]图31是4Tr/lC驱动电路的等效电路图；
[0050]图32是示意性示出4Tr/lC驱动电路的驱动时序图的示图；
[0051]图33是5Tr/lC驱动电路的等效电路图；
[0052]图34是示意性示出5Tr/lC驱动电路的驱动时序图的示图；以及
[0053]图35是根据现有技术的驱动电路的等效电路图。
【具体实施方式】
[0054]在下文中，将基于参照附图的实施方式描述本公开，但是本公开并不限制于实施方式，并且实施方式中的各种数值和材料均是示例。应注意，将按照下列顺序进行描述。
[0055]1.关于根据本公开的第一形式至第三形式的发光元件、显示装置以及电子装置的描述
[0056]2.第一实施方式(根据本公开的第一形式至第三形式的发光元件、显示装置以及电子装置)
[0057]3.第二实施方式(第一实施方式的变形)
[0058]4.第三实施方式(第一实施方式或第二实施方式的变形)
[0059]5.第四实施方式(根据第一实施方式至第三实施方式的发光元件的操作描述)
[0060]其他
[0061]关于根据本公开的第一形式至第三形式的发光元件、显示装置以及电子装置的描述。
[0062]下面将描述的根据本公开的第一形式至第三形式的发光元件的各种形式可以应用于包含在根据本公开的显示装置和电子装置内的发光元件。根据本公开的第一形式至第三形式的发光元件、根据本公开的第一形式至第三形式的包含在本公开的显示装置内的发光元件以及根据本公开的第一形式至第三形式的包含在本公开的电子装置内的发光元件可以统称为“根据本公开的第一形式的发光元件等”、“根据本公开的第二形式的发光元件等”以及“根据本公开的第三形式的发光元件等”。
[0063]对于根据本公开的第一形式或者第三形式的发光元件等，优选的形式为:第一遮蔽壁由间隔布置的多个柱形第一导体部构成，并且当从第一导体部的轴线方向观看第一遮蔽壁时(B卩，当从上方观看第一遮蔽壁时)，多个第一柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。根据本公开的第一形式的发光元件等包括该优选形式，第一遮蔽壁具有连接至形成在第二层间绝缘层上的遮蔽配线部的形式，根据本公开的第三形式的发光元件等或根据本公开的第二形式的发光元件等包括该优选形式，第一遮蔽壁具有第一遮蔽壁连接至遮蔽配线部的形式。应注意，遮蔽配线部形成在第二层间绝缘层上或形成在第二层间绝缘层内。
[0064]此外，根据本公开的第一形式的发光元件等包括上述各种优选形式，在布置在第二方向上的发光元件中，当假定m是奇数时，第m发光元件和第(m+1)发光元件被设置为关于第m发光元件与第(m+1)发光元件之间的在第一方向上延伸的边界线而线对称，并且第一遮蔽壁可具有第一遮蔽壁至少被设置在第m个发光元件与第(m+1)个发光元件之间的形式。此外，对于根据本公开的第三实施方式的包括上述各种优选形式的发光元件等、根据本公开的第二形式的发光元件等以及驱动电路均连接至在第一方向上延伸的电流供应线、在第一方向上延伸的扫描线以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的数据线，并且在布置于第二方向上的发光元件中，当假定m是奇数时，第m发光元件和第(m+1)发光元件被设置为关于在第m个发光元件与第(m+1)个发光元件之间的第一方向上延伸的边界线而线对称，并且第一遮蔽壁可具有第一遮蔽壁至少被设置在第m发光兀件与第(m+Ι)发光兀件之间的形式。应注意，为方便起见，在根据本公开的第一形式至第三形式的发光元件等中的这种形式将被称为“对称布置的发光元件”。应注意，优选的形式为第一遮蔽壁形成在边界线上。
[0065]对于这种“对称布置的发光元件”，在布置在第二方向上的发光元件中，可采用在第一方向上延伸的第二遮蔽壁被设置在第(m-1)发光元件与第m发光元件之间的形式。应注意，为方便起见，“对称布置的发光元件”的这种形式将被称为“包括第二遮蔽壁的发光元件”。在“包括第二遮蔽壁的发光元件”中，优选的形式为第二遮蔽壁进一步由间隔布置的多个第二柱形导体部构成，并且当从第二导体部的轴线方向观看第二遮蔽壁时(即，当从上方观看第二遮蔽壁时)，多个第二柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。在此，期望第二遮蔽壁连接至形成在第二层间绝缘层内的遮蔽配线部，或期望第二遮蔽壁连接至遮蔽配线部。应注意，遮蔽配线部可以形成在如上所述的第二层间绝缘层上，或形成在第二层间绝缘层内。此外，如接下来即将描述的，如果第二层间绝缘层具有第二层间绝缘层的上层与第二层间绝缘层的下层的层压结构，第二遮蔽壁可以被设置在第二层间绝缘层的下层内，或可以被设置在第二层间绝缘层的上层内，或可以被设置在第二层间绝缘层的下层内和第二层间绝缘层的上层内。
[0066]此外，对于“包括第二遮蔽壁的发光元件”，诸如根据本公开的第一形式的包括上述优选形式的发光元件，可以提供其中第二层间绝缘层包括第二层间绝缘层的下层和第二层间绝缘层的上层的层压配置的形式，第一遮蔽壁被设置在第二层间绝缘层的下层，并且具有与第一遮蔽壁相同配置的在第一方向上延伸的第三遮蔽壁被设置在位于第一遮蔽壁上方的第二层间绝缘层的上，并且第三遮蔽壁连接至遮蔽配线部。此外，对于“包括第二遮蔽壁的发光元件”，诸如根据本公开的第一形式的包括这种形式的发光元件，可以提供其中第二层间绝缘层包括第二层间绝缘层的下层和第二层间绝缘层的上层的层压配置的形式，第二遮蔽壁被设置在第二层间绝缘层的下层，并且具有与第二遮蔽壁相同配置的在第一方向上延伸的第四遮蔽壁被设置在位于第二遮蔽壁上方的第二层间绝缘层的上层，并且第四遮蔽壁连接至遮蔽配线部。
[0067]此外，对于“对称布置的发光元件”，诸如根据本公开的第一形式的发光元件，可以提供其中第二层间绝缘层包括第二层间绝缘层的下层和第二层间绝缘层的上层的层压配置的形式，第一遮蔽壁被设置在第二层间绝缘层的下层，并且具有与第一遮蔽壁相同配置的在第一方向上延伸的第三遮蔽壁被设置在位于第一遮蔽壁上方的第二层间绝缘层的上层，并且第三遮蔽壁连接至遮蔽配线部。
[0068]此外，对于根据本公开的第一形式的包括上述各种优选形式的发光元件，可以提供其中在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被设置在一个发光元件与在第一方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间的第二层间绝缘层的形式。应注意，如果第二层间绝缘层具有如上所述的第二层间绝缘层的下层和第二层间绝缘层的上层的层压配置，则第二方向遮蔽壁可以被设置在第二层间绝缘层的下层内，或可以被设置在第二层间绝缘层的上层内，或可以被设置在第二层间绝缘层的下层内和第二层间绝缘层的上层内。此外，对于“对称布置的发光元件”，诸如根据本公开的第二至第三形式的包括上述各种优选形式的发光元件，可以提供其中在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被设置在一个元件与在第一方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间的形式。
[0069]对于根据本公开的第二和第三形式的包括上述各种优选形式的发光元件，驱动电路更具体地被配置为至少包括:(A)驱动晶体管，包括两个源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极，(B)图像信号写入晶体管，包括两个源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极，以及
(C)电容器单元；对于驱动晶体管，(A-1) —个源极/漏极区连接至电流供应线，(A-2)另一个源极/漏极区连接至发光单元，并且还连接至电容器单元的一端，并且(A-3)栅电极连接至图像信号写入晶体管的另一源极/漏极区，并且还连接至电容器单元的另一端；对于图像信号写入晶体管，(B-1) —个源极/漏极区连接至数据线，并且(B-2)栅电极连接至扫描线。
[0070]第一层间绝缘层和第二层间绝缘层(第二层间绝缘层的下层和第二层间绝缘层的上层)的部件材料的实例包括诸如二氧化硅(Si02 )、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、砷硅玻璃(AsSG)、铅硅玻璃(PbSG)、氮氧化硅(SiON)、SOG (旋涂玻璃)、低熔点玻璃以及玻璃糊剂的二氧化硅材料，氮化硅材料，氧化铝以及诸如诺活拉克树脂、丙烯酸树脂、聚苯并唑树脂、多羟苯乙烯树脂等的感光聚酰亚胺树脂或者绝缘树脂。根据现有技术(诸如各种CVD方法、各种PVD方法(包括溅射)、各种涂敷法、各种印刷方法等)的工艺可用于形成层间绝缘层。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层可被配置为相同的材料或可被配置为不同的材料。此外，第二层间绝缘层的下层与第二层间绝缘层的上层可被配置为相同的材料或可被配置为不同的材料。
[0071]在下文中，组成第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁的导体部可以分别被称为“第三导体部”、“第四导体部”以及“第二方向遮蔽壁的导体部”，并且第一导体部、第二导体部、第三导体部以及第四导体部可以统一简称为“第一导体部等”。此处，优选形式为第三遮蔽壁和第四遮蔽壁由间隔离布置的多个第三柱形导体部和第四柱形导体部构成，并且当从第三导体部和第四导体部的轴线方向观看第三遮蔽壁和第四遮蔽壁时(即，当从上方观看第三遮蔽壁和第四遮蔽壁时)，第三导体部和第四导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。当在包括第一导体部等的轴线的实际水平高度(实际垂直面)上突出第一导体部时，第一导体部被布置成重叠状态或被布置成非重叠状态。如果是后者，对于突出的图像，在第一导体部等与第一导体部等之间可能存在或不存在间隙。第二方向遮蔽壁被配置为间隔布置的多个柱形导体部(第二方向遮蔽壁的导体部)，但是当从第二方向遮蔽壁的导体部的轴线方向观看第二方向遮蔽壁时(即，当从上方观看第二方向遮蔽壁)时，第二方向遮蔽壁的多个柱形导体部可以被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案，或可以被布置成一列。在第一导体部与第一导体部之间，或在第二方向遮蔽壁的导体部与第二方向遮蔽壁的导体部之间填充有环绕这些遮蔽壁的层间绝缘层的延伸部。
[0072]根据现有技术的用作组成第一导体部等以及第二方向遮蔽壁的导体部的材料的导电材料的实例包括铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)、钛(Ti)、钌(Ru)、钥(Mo)、钨(W)、镍(Ni)。它们的合金也可以是示例。导电性糊料也可用作导电材料。对于第一导体部和第二方向遮蔽壁的导体部，基于根据现有技术的方法，可以在层间绝缘层内形成开口部，并且该开口部可以填入导电材料。在某些情况下，可替代地，第一遮蔽壁、第二遮蔽壁、第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁可以通过在层间绝缘层内形成凹部或凹槽部并且在该凹部或者凹槽部填入导电材料而形成。
[0073]第一遮蔽壁、第二遮蔽壁、第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁经由遮蔽配线部连接至预定的固定电位，诸如，电源Vss或电源\c和Vdd。
[0074]对于根据本公开的第一形式至第三形式的包括上述各种优选形式的发光元件、包括根据本公开的第一形式至第三形式的这种发光元件的显示装置或包括这种显示装置的电子装置(在下文中，这些统称为“本公开的发光元件等”)，发光单元和驱动电路被设置在第一基板上。另一方面，第二基板被设置在发光单元上或发光单元上方。例如，发光单元可以具体地被配置为有机电致发光发光单元(有机EL发光单元)。更具体地，例如，发光单元由第一电极(例如，阳极电极)、包括发光层的有机层以及第二电极(例如，阴极电极)构成。组成驱动电路的晶体管形成在第一基板上。此外，电容器单元由一个电极、另一个电极以及由这些电极夹置的电介质层(绝缘层)，并且例如分布在第二层间绝缘层内。发光单元经由层间绝缘层(具体地，第一层间绝缘层、第二层间绝缘层等)形成在组成驱动电路的晶体管的上方。驱动晶体管的另一源极/漏极区经由接触孔连接至设置到发光单元的第一电极。
[0075]可以制成其中经由第二基板向外部发射来自每个发光元件的光的形式。应注意，这种显示装置可被称为“顶面发射型显示装置”。可替代地，可以制成其中经由第一基板向外部发射来自每个发光元件的光的形式。应注意，这种显示装置可被称为“底面发射型显示
盤晋”
目.ο
[0076]有机层包括发光层(例如，由有机发射材料制成的发光层)，但是可具体地由例如孔传输层与发光层以及电子传输层之间的层压配置、孔传输层与也用作电子传输层的发光层之间的层压配置、以及孔注射层、孔传输层、发光层、电子传输层、电子注射层等的层压配置。此外，如果这些层压配置等被视为“串联单元”，有机层具有层压第一串联单元、连接层、以及第二串联单元的两阶串联配置，并且还可以具有层压三个或多个串联单元的三阶或多阶串联配置，并且在这些情况下，可以获得有机层，其中，位于每个串联单元的发射颜色被区分为红色、绿色、以及蓝色，从而作为整体发射出白色。有机层形成方法的实例包括物理汽相沉积法(PVD方法)，诸如真空蒸发方法等；印刷方法，诸如丝网印法或者喷墨式印刷方法；激光转移法，其中，激光照射在形成在用于传输的基板上的激光吸收层与有机层的层压配置上，从而在激光吸收层上分离出有机层以传输有机层；以及各种涂敷法。如果基于真空蒸发方法形成有机层，通过使用所谓的金属掩膜并且对穿过设置在该金属掩膜的开口的材料进行沉积可以获得有机层，或有机层可以形成在没有图案的整个表面上。
[0077]作为组成在顶面发射型显示装置中的第一电极或组成在底面发射型显示装置中的第二电极(为方便起见，这些电极将被称为“光发射电极”)的材料(反光材料)，如果使光发射电极用作阳极电极，该材料的实例包括具有高工作性能值的金属，诸如钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钴(Co)、钽(Ta)、钛(Ti)、铝(Al)、钌(Ru)、钥(Mo)、锌(Zn)、锡(Sn)以及锆(Zr)以及合金(例如，将银作为主要成分并且包括质量百分比为0.3:1的钯(Pd)以及质量百分比为0.3:1的铜(Cu)的银-钯-铜合金，以及诸如铝-钕合金或者铝-铈合金的铝合金)。此外，如果采用具有小工作性能值并且还具有诸如铝(Al)或包括铝的合金等高光反射系数的导电材料，通过提供合适的孔注射层提高其孔注射特性，这种导电材料也可用作阳极电极。光发射电极的厚度的实例包括0.1yn^lJIum0可替代地，可以形成其中孔注射特性良好的透明导电材料(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)层压在具有高光反射系数的反射膜(诸如电介质多层或铝(Al)等)上的配置。另一方面，如果使光发射电极用作阴极电极，期望光发射电极被配置为具有小工作性能值并且还具有高光反射系数的导电材料，但是通过将合适的电子注射层提供给用作阳极电极的具有高光反射系数的导电材料以改进电子注射优先权，光发射电极可以被用作阴极电极。另一方面，作为组成在顶面发射型显示装置中的第二电极或组成在底面发射型显示装置中的第一电极(为方便起见，这些电极被称为“半光透过电极”)的材料(半光透过材料或光透过材料)，如果使半光透过电极用作阴极电极，期望半光透过材料被配置为具有高工作性能值的导电材料以透过发射光并且还有效地将电子注射到有机层，并且这种材料的实例包括具有小工作性能的金属或合金，诸如，铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、银(Sr)、铜(Cu)、碱金属或碱土金属以及银(Ag)(例如，镁(Mg)和银(Ag)合金(Mg-Ag合金))、镁和钙(Mg-Ca合金)、招和锂合金(Al-Li合金)等,并且在这些之中，Mg-Ag合金比较理想，并且Mg: Ag=5:1到30:1可以示例为镁与银之间的体积比ο可替代地，Mg: Ca=2:1到10:1示列为镁与钙之间的体积比。作为半光透过电极的厚度，为4nm到50nm,优选地为4nm到20nm，更优选地，可以示例为6nm到12nm。可替代地，半光透过电极还可以被配置为透明导电氧化物，更具体地，氧化锌材料，例如包括，氧化锌(ZnO)、掺杂氧化铝的氧化锌(ΑΖ0)、掺杂镓的氧化锌(GZ0)、内氧化镓锌(IGZ0)、铟锌复合氧化物(IZO)以及掺杂氟的氧化锌(FZO);氧化铟材料，包括氧化铟(In2O3)、掺杂锡的氧化铟(ΙΤ0)以及掺杂氟的氧化锡(FTO);或氧化锡材料，包括氧化锡(SnO2)、掺杂锑的氧化锡(ΑΤ0)，以及掺杂氟的氧化锡(FT0)。可替代地，半光透过电极还可具有由上面的导电材料制成的第一层(从有机层一侧)与由上面的透明导电氧化物制成的第二层(例如，3 X 10_8m到lX10_6m的厚度)的层压配置。如果是层压结构，第一层的厚度降低为Inm至4nm。此外，半光透过电极也可以被配置为单独的透明电极。可替代地，由低阻抗材料(诸如，铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、金、金合金等)制成的汇流电极(辅助电极)可被设置在半光透过电极以实现作为整个半光透过电极的低阻抗。另一方面，如果使半光透过电极用作阳极电极，期望半光透过电极被配置为传输发射光并且还具有极大工作性能值的导电材料。
[0078] 用于形成第一电极或第二电极的方法的实例包括:蒸发法，包括:电子束蒸发法、热灯丝蒸发法、以及真空蒸发法、`溅射法、化学汽相成长法(CVD方法)或MOCVD方法，离子电镀法和蚀刻法的结合；各种印刷方法，诸如丝网印法、墨喷式印刷法、以及金属掩模印刷法、电镀法(电镀法和无电镀沉积法)；消散法；激光切除法；溶胶-凝胶法等。根据各种印刷法或电镀法，可以直接形成具有期望形状(图案)的第一电极和第二电极。应注意，如果在形成有机层之后形成第一电极和第二电极，特别期望从用于抑制有机层发生损坏的观点来基于其中薄膜形成颗粒具有小能量的薄膜形成方法(诸如真空蒸发法)或诸如MOCVD方法的薄膜形成方法形成第一电极和第二电极。有机层发生损坏可能导致由于发生漏电流引起的称为“黑斑点”的非发射元素(或者非发射子像素)。此外，期望从抑制由于空气中的湿气导致的有机层恶化的观点，以在不暴露在空气中的情况下，执行从有机层的形成到这些电极的形成。在某些情况下，可以省去关于第一电极和第二电极中的一个或另一个的图案化。[0079]为了抑制湿气接触有机层，可以在有机层的上面设置绝缘或导电保护膜。如果显示装置是顶面发射型的，期望保护膜被配置为传输在有机层产生80%以上的光的材料，并且更具体地，例如，具有关于下列材料的无机不定形性质的绝缘材料可以作为示例。具有无机不定形性质的这种绝缘材料不产生任何颗粒，从而组成具有低水分渗透性的合适的保护膜。具体地，期望采用紧密的(其是透明的从而使光在发光层发出并且不传输任何湿气)材料作为组成保护膜的材料。更具体地，这种材料的实例包括非晶硅(a-Si)、不定形碳化硅(a-SiC)、不定形氮化娃(a-SihNj、不定形氧化娃(a-SipyOy)、不定形碳(a_C)、不定形氮氧化硅(a-SiON)以及氧化铝。应注意，如果保护膜被配置为导电材料，则保护膜可以被配置为上面的诸如ITO或IZO等的透明导电材料。
[0080]硅半导体基板或绝缘膜形成在表面上的硅半导体基板可以用作第一基板，并且在这种情况下，组成驱动电路的晶体管可以被配置为场效应晶体管。可替代地，第一基板的实例包括石英玻璃基板、高畸变点玻璃基板、钠玻璃(Na2O -CaO-SiO2)基板、磷酸盐玻璃基板、硼硅玻璃(Na2O -B2O3 -SiO2)基板、镁橄榄石(2Mg0-SiO2)基板、铅玻璃(Na2O -PbO -SiO2)基板、绝缘膜形成在表面上的各种玻璃基板、石英基板、绝缘膜形成在表面上的石英基板、聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯石炭酸(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚乙烯萘钛酸酯(PEN)、聚醋酸纤维素、二醋酸纤维素、聚苯硫、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚偏二氟乙烯、溴化苯氧聚酰胺、聚苯乙烯、多芳基化合物、诸如聚酯砜的聚砜、示例为聚烯烃的的有机聚合物(具有被配置为聚合物材料并且具有弹性的诸如塑料膜、塑料薄片或塑料基板等的聚合物材料形式)。如果第一基板被配置为这些材料，则组成驱动电路的晶体管可被配置为薄膜晶体管。薄膜晶体管可以是底部栅极/顶部接触型，或可以是底部栅极/底部接触型，或可以是顶部栅极/顶部接触型，或可以是顶部栅极/底部接触型。第二基板还可以被配置为描述为组成第一基板的材料的上述材料。组成第一基板和第二基板的材料可以相同或可以不同。第一基板和第二基板具有单层配置或具有层压配置。
[0081]对于根据本公开的显示装置或包含在电子装置中的根据本公开的显示装置，各种电路(诸如电流供应单元、图像信号输出电路、扫描电路等)以及各种配线(诸如电流供应线、数据线、扫描线等)的配置和结构可以是根据现有技术的配置和结构。
[0082]对于根据本公开的发光元件，驱动电路可以被配置为由两个晶体管(驱动晶体管和图像信号写入晶体管)与一个电容器单元(称之为“2Tr/lC驱动电路”)组成的驱动电路、由三个晶体管(驱动晶体管和图像信号写入晶体管以及一个晶体管)与一个电容器单元(称之为“3Tr/lC驱动电路”)组成的驱动电路、由四个晶体管(驱动晶体管和图像信号写入晶体管以及两个晶体管)与一个电容器单元(称之为“4Tr/lC驱动电路”)组成的驱动电路或由五个晶体管(驱动晶体管和图像信号写入晶体管以及三个晶体管)与一个电容器单元(称之为“5Tr/lC驱动电路”)组成的驱动电路。
[0083]根据本公开的显示装置或包含在电子装置中的根据本公开的显示装置可具有所谓的单色显示器的配置或可具有彩色显示器的配置。如果是后者，可以具有其中一个像素被配置为多个子像素的形式，并且具体地，一个像素被配置为配置成发射红色的红色发光子像素、配置成发射绿色的绿色发光子像素以及被配置成发射蓝色的蓝色发光子像素的三个子像素。在这种情况下，如果组成显示装置的发光元件的数量是NXM，则像素的数量是(NXM)/3。此外，一个像素被配置为其中一种或多种子像素(例如，被配置为发射白光以提升亮度的子像素被添加到一组，被配置为发射补充色以扩大色彩再生范围的子像素被添加到一组，被配置为发射黄色以扩大色彩再生范围的子像素被添加到一组，或者被配置为发射黄色和蓝绿色以扩大色彩再生范围的子像素被添加到一组)被添加到这三种子像素中的一组。可替代地，顶面发射型显示装置可被配置成使第二基板具有滤色器，发光元件被配置为发射白光，并且色彩发光子像素被配置为配置成发射白光的发光元件与滤色器的结合。第二基板可被配置为包括遮光膜(黑底)。同样，底面发射型显示装置被配置成使得第一基板配置成包括滤色器和遮光膜(黑底)。
[0084]如上所述，显示装置可被配置为有机EL显示装置。有机EL显示装置可以用作组成个人计算机、摄影机或数字式静物摄影机的监控装置，或用作嵌入在电视接收器、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)或游戏机的监控装置。可替代地，有机EL显示装置可被应用到电子取景器(EVF)或头戴式显示器(HMD)。此外，有机EL显示装置可被应用于包括用于液晶显示装置的背后照明装置以及表面光源装置的照明设备中。
[0085]在根据本公开的显示装置或包含在电子装置中的根据本公开的显示装置中，对于其中一个像素(或子像素)被配置为一个发光元件的形式，尽管不局限于此，像素阵列(或子像素)的实例可包括条纹阵列、对角阵列、三角阵列以及矩形阵列。此外，对于其中一个像素(或者子像素)被配置为多个被分组的发光元件的形式，尽管不局限于此，像素阵列(或子像素)的实例可包括条纹阵列。
[0086]第一实施方式
[0087]第一实施方式涉及根据本公开的第一形式、第二形式以及第三形式的发光元件、包括该发光元件的显示装置以及包括该显示装置的电子装置。
[0088]图1示出了根据第一实施方式的组成显示装置的电路的示意图，图2示出了根据第一实施方式的包括显示装置中的驱动电路的发光元件的等效电路图(其中驱动电路是被配置成两个晶体管TR1和TR2以及一个电容器单元Ctl的驱动电路(2Tr/lC驱动电路)的实例)，并且图3示出了发光元件的示意性部分截面图。此外，图4示意性示出了根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态。此外，图5示出了沿着图4中的箭头V-V截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，图6示出了沿着图4中的箭头V1-VI截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，并且图7示出了沿着图4中的箭头VI1-VII截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图。此外，图8A和图8B分别示出了沿着图4中的箭头VIIIA-VIIIA和箭头VIIIB-VIIIB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，图9A和图9B分别示出了沿着图中的箭头IXA-1XA和箭头IXB-1XB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，图1OA和图1OB分别示出了沿着图4中的箭头XA-XA和箭头XB-XB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，并且图1lA和图1lB分别示出了沿着图4中的箭头XIA-XIA和箭头XIB-XIB截取的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图。此外，图12示意性地示出了在基板表面的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态，图13示意性地示出了在第一层间绝缘层的表面的根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态，图14示意性地示出了根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件在第二层间绝缘层的下层的表面的布局状态，并且图15示意性地示出了根据第一实施方式的显示装置或发光元件的部件在第二层间绝缘层的上层的表面的布局状态。
[0089]根据第一实施方式的显示装置包括电流供应单元100、扫描电路101、图像信号输出电路102、连接至电流供应单元100并且在第一方向延伸的M条电流供应线CSL、连接至扫描电路101并且在第一方向延伸的M条扫描线SCL，连接至图像信号输出电路102并且在第二方向延伸的N条数据线DTL、以在第一方向上N个并且在不同于第一方向的第二方向上M个的二维矩阵形状的NXM个发光元件，每个发光元件包括发光单元(具体地，有机EL发光单元)ELP和被配置为驱动发光单元ELP的驱动电路。组成每个发光元件I的驱动电路连接至电流供应线CSL、扫描线SCL以及数据线DTL。应注意，图1示出了 4X3个发光元件I，但这仅是一个实例。扫描电路101可被布置在扫描线SCL的一端或可被布置在两端。
[0090]如上所述，根据第一实施方式以及后面描述的第二实施方式至第四实施方式的显示装置由布置成NXM的二维矩阵的像素构成，并且一个像素由三个子像素(配置成发射红色的红色发光子像素、配置成发射绿色的绿色发光子像素以及配置成发射蓝色的蓝色发光子像素)构成。此外，子像素由发光元件构成。
[0091]现在，将参照根据本公开的第一形式的发光元件进行描述。根据第一实施方式和后面描述的第二实施方式至第四实施方式的发光元件I包括发光单元ELP和驱动发光单元ELP的驱动电路，并且驱动电路被配置为至少包括(A)晶体管TR1，包括源极/漏极区SD11和SD12、沟道形成区Ch1以及栅电极G1, (B)图像信号写入晶体管TR2，包括源极/漏极区SD21和SD22、沟道形成区Ch2以及栅电极G2,以及(C)电容器单元Ctlt5参考标号G11和G12表示栅极绝缘层。
[0092]换言之，根据第一实施方式的显示装置包括多个发光元件，其中，每个发光元件均包括发光单元ELP和被配置为驱动发光单元ELP的驱动电路，并且驱动电路被配置为至少包括:电容器单元Ctl、保持在电容器Ctl处的驱动信号(亮度信号)Vsig的图像信号写入晶体管TR2以及基于在电容器Ctl处保持的驱动信号(亮度信号)Vsig驱动发光单元ELP的驱动晶体管 TR115
[0093]现在，在驱动晶体管TR1, (A-1) —个源极/漏极区SDll连接至在第一方向上延伸的电流供应线CSL，(A-2)另一源极/漏极区SD12连接至发光单元ELP并且还连接至组成第二节点ND2的电容器单元Ctl的一端Cchb,并且(A-3)栅电极G1连接至图像信号写入晶体管TR2的一个源极/漏极区SD22并且还连接至组成第一节点ND1的电容器Ctl的另一端CQ_A。
[0094]另一方面，在图像信号写入晶体管TR2, (B-1) 一个源极/漏极区SD21连接至在不同于第一方向的第二方向上延伸的数据线DTL，并且(B-2)栅电极G2连接至在第一方向上延伸的扫描线SCL。
[0095]驱动晶体管TR1和图像信号写入晶体管TR2以及还有后面描述的发光控制晶体管 、第一节点初始化晶体管Tndi以及第二节点初始化晶体管Tnd2被配置为η-沟道型MOS
FET，每个晶体管均包括源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极，并且每个晶体管形成在由硅半导体基板制成的第一基板20中。此外，这些晶体管通过设置在第一基板20的元件分离区20Α相互分离。应注意，驱动晶体管TR1可形成为P-沟道型MOS FET，此外，图像信号写入晶体管TR2、发光控制晶体管Ta。、第一节点初始化晶体管Tnm以及第二节点初始化晶体管Tnd2可形成为P-沟道型MOS FET0[0096]驱动晶体管TRp图像信号写入晶体管TR2以及电容器单元C。覆盖有第一层间绝缘层21，电流供应线CSL和扫描线SCL形成在第一层间绝缘层21上，第一层间绝缘层21、电流供应线CSL以及扫描线SCL覆盖有第二层间绝缘层，并且数据线DTL形成在第二层间绝缘层上。
[0097]此处，第二层间绝缘层包括第二层间绝缘层的下层22和第二层间绝缘层的上层23的层压配置。第一层间绝缘层21、第二层间绝缘层的下层22以及第二层间绝缘层的上层23由二氧化硅制成。
[0098]在第一方向上延伸的遮蔽壁(第一遮蔽壁41)设置在(在第一实施方式中，具体地，第二层间绝缘层的下层22)介于一个发光元件与在第二方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间的第二层间绝缘层上。
[0099]可替代地，将参照根据本公开的第二形式的发光元件进行描述。根据第一实施方式和后面描述的第二实施方式至第四实施方式的发光元件I包括发光单元ELP和被配置为驱动发光单元ELP的驱动电路，第一遮蔽壁41被设置在一个发光元件与邻近该一个发光元件的发光元件之间，第一遮蔽壁41被配置为间隔布置的多个柱形导体部(第一导体部43)，并且当从第一导体部43的轴线方向观看第一遮蔽壁41时，多个柱形第一导体部43被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0100]可替代地，将参照根据本公开的第三形式的发光元件进行描述。根据第一实施方式和后面描述的第二实施方式至第四实施方式的发光元件I包括发光单元ELP和被配置为驱动发光单元ELP的驱动电路，驱动电路至少包括:驱动晶体管TR1、图像信号写入晶体管TR2以及电容器单元Ctl，如图6所示，电容器单元Ctl被设置在相比驱动晶体管TR1和图像信号写入晶体管TR2被设置在的水平高度(第一实施方式中的O水平高度)更高的水平高度，第一遮蔽壁41被设置在一个发光兀件与邻近该一个发光兀件的发光兀件之间，第一遮蔽壁41被设置在的水平高度(第一实施方式中的第二水平高度)高于驱动晶体管TR1和图像信号写入晶体管TR2被设置在的水平高度(O水平高度)并且等于或低于电容器单元Ctl被设置在的水平高度(第三水平高度)。
[0101]此外，根据第一实施方式的显不装置被配置为布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向的二维矩阵形状的根据第一实施方式的多个发光元件I。根据第一实施方式的电子装置包括根据第一实施方式的显示装置。
[0102]对于布置在第二方向上的发光元件，当假定m是奇数时，第m个发光元件与第(m+Ι)个发光兀件关于在第m个发光兀件与第(m+Ι)发光兀件之间的在第一方向上延伸的边界线线对称地布置。此外，第一遮蔽壁41被设置在第m个发光元件与第(m+Ι)个发光元件之间。即，发光元件是“对称布置的发光元件”。具体地，组成第m个发光元件的图像信号写入晶体管TR2的一个源极/漏极区SD21与组成第(m+Ι)个发光元件的图像信号写入晶体管TR2的一个源极/漏极区SD21共享。相应地，在第一方向上延伸的边界线经过图像信号写入晶体管TR2的这个共享的一个源极/漏极区SD21。图4中的箭头VIIIA-VIIIA等效于该边界线，并且图8A是当在包括边界线的实际垂直水平高度处切割发光元件I时的示意性部分截面图。
[0103]第一遮蔽壁41形成在该边界线上。第一遮蔽壁41被配置为间隔布置的多个柱形第一导体部43。当从第一导体部43的轴线方向观看第一遮蔽壁41时(B卩，当从上方观看第一遮蔽壁41时)，多个柱形第一导体部43被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。第一遮蔽壁41连接至遮蔽配线部SDL。具体地，对于第一实施方式，第一遮蔽壁41连接至形成在第二层间绝缘层内的遮蔽配线部SDL。更具体地，第一遮蔽壁41连接至形成在第二层间绝缘层的上层23上的遮蔽配线部SDL。
[0104]此外，对于根据第一实施方式的“对称设置的发光元件”，尽管并非必要地，但是在第一方向上延伸的第二遮蔽壁45被设置在布置在第二方向上的发光兀件的第(m -1)发光元件与第m发光元件之间。即，发光元件是“包括第二遮蔽壁的发光元件”。此处，第二遮蔽壁45以与第一遮蔽壁41的相同方式由间隔布置的多个柱形第二导体部47构成。应注意，当从第二导体部47的轴线方向观看第二遮蔽壁45时(即，当从上方观看第二遮蔽壁45时)，多个第二柱形导体部47以与第一遮蔽壁41的相同方式被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。第二遮蔽壁45被设置在第二层间绝缘层的下层22。对于第一实施方式，第二遮蔽壁45连接至形成在第二层间绝缘层的上层23上的遮蔽配线部SDL。
[0105]当在包括第一导体部43和第二导体部47的轴线的实际水平高度(实际垂直水平高度)上凸出第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45时，多个柱形第一导体部43和第二导体部47被布置成非重叠状态。具体地，对于突出图像，第一导体部43和43之间不存在间隙，并且第二导体部47和47之间不存在间隙。当在垂直于第一导体部43和第二导体部47的轴线方向的实际水平高度(实际水平高度水平高度)上切开柱形第一导体部43和第二导体47时，第一导体部43和第二导体部47的截面形状是圆形。此外，第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45经由接触孔44和48连接至遮蔽配线部SDL。具体地，第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45连接至形成在第二层间绝缘层上(具体地，形成在第一实施方式中的第二层间绝缘层的上层23上)的遮蔽配线部SDL。应注意，导电材料层41A设置在第一遮蔽壁41的底部，并且导电材料层41B设置在第一遮蔽壁41的顶部。此外，导电材料层45A设置在第二遮蔽壁45的底部，并且导电材料层45B设置在第二遮蔽壁45的顶部。此处，第一导体部43、第二导体部47以及导电材料层41A、41B、45A和45B由铝或铝合金制成。在第一导体部43与43之间以及第二导体部47与47之间填充有环绕第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45的第二层间绝缘层的下层22的延伸部42和46。基于根据现有技术的方法，通过基于照相平板印刷技术或蚀刻技术在第二层间绝缘层的下层22内形成开口部并且将该开口部填充导电材料可以形成第一导体部43和第二遮蔽壁45。第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45经由遮蔽配线部SDL连接至预定的固定电位(例如，电源Vss)。应注意，将在后面的第二实施方式中描述的第三遮蔽壁和第四遮蔽壁也具有与第一遮蔽壁和第二遮蔽壁的相同的配置和结构。
[0106]如上所述，驱动晶体管TR1由设置在由硅半导体基板制成的第一基板20上的栅电极G1、栅极绝缘层GI1、源极/漏极区SD11和SD12以及在源极/漏极区SD11与SD12之间的第一基板的部分所对应的沟道形成区Ch1构成。此外，图像信号配线晶体管TR2由设置在第一基板20上的栅电极G2、栅极绝缘层GI2、源极/漏极区SD21和SD22以及在源极/漏极区SD21和SD22之间的第一基板20的部分所对应的沟道形成区Ch2构成。另一方面，电容器单元C。由另一电极Cchb (等效于第一节点ND1),配置成第二层间绝缘层的上层23的电介质层以及一个电极Ccha (等效于第二节点ND2)构成。电容器单元Ctl形成在第二层间绝缘层内，具体地形成在第二层间绝缘层的上层内。
[0107]驱动晶体管TR1的一个源极/漏极区SD11经由接触孔86连接至电流供应线CSL。此外，另一源极/漏极区SD12经由接触孔85、接触片84、接触孔83、配线82、接触孔88、接触片89以及接触孔90连接至发光单元ELP，并且还经由接触孔85、接触片84、接触孔83、配线82以及接触孔81连接至电容器单元C。的一端CQ_A。此外，栅电极G1经由接触孔87、配线72、接触孔71连接至图像信号配线晶体管TR2的另一源极/漏极区SD22,并且还经由接触孔87、配线72、接触孔73、接触片74、接触孔75、配线76、接触孔77连接至电容器单元C0的另一端Cchb。
[0108]另一方面，图像信号写入晶体管TR2的一个源极/漏极区SD21经由接触孔65、接触片64、接触孔63、接触片62以及接触孔61连接至数据线DTL。此外，栅电极G2经由接触孔66连接至扫描线SCL。
[0109]第二层间绝缘层的上层23覆盖有第四层间绝缘层24。被配置为第一电极(阳极电极)11、有机层12 (例如，被配置为孔传输层、发光层以及电子传输层)以及第二电极(阴极电极)13的发光单元ELP被设置在第四层间绝缘层24上。应注意，在附图中，有机层12显示为一层。绝缘层25设置在第四层间绝缘层24上的没有设置发光单元ELP的部分，保护膜26形成在绝缘层25和第二电极13上，并且此外，透明的第二基板27设置在保护膜26上。在发光层发出的光穿过第二基板27并且从在外表发射。应注意，在图3中，为方便起见，位于第二层间绝缘层的上层23以及相比第二层间绝缘层的上层23的下层内的所有发光元件I的部件均示出为使用参考标号10的一层。
[0110]可以充分地基于根据现有技术的方法进行上述发光元件I的制造，并且此外，可以采用根据现有技术的材料用作用于制造发光元件I的各种材料。此外，将在第四实施方式中详细地描述根据第一实施方式的驱动电路的操作。
[0111]对于根据第一实施方式的发光兀件，在第一方向上延伸的第一遮蔽壁设置在介于一个发光元件与在第二方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间的第二层间绝缘层上。此外，第一遮蔽壁设置在一个发光元件与邻近该一个发光元件的发光元件之间，并且第一遮蔽壁被配置为间隔布置的多个柱形第一导体部，并且当从第一导体部的轴线方向观看第一遮蔽壁时，多个柱形第一导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。此外，电容器单元被设置在相比驱动晶体管和图像信号写入晶体管被设置在的水平高度更高的水平高度，并且第一遮蔽壁被设置在的水平高度高于驱动晶体管和图像信号写入晶体管被设置在的水平高度并且等于或低于电容器单元被设置在的水平高度，第一遮蔽壁被设置在一个发光元件与邻近该一个发光元件的发光元件之间。因此，发光元件的驱动电路与邻近的发光元件的驱动电路之间不会轻易发生耦合，并且不会轻易产生来自邻近像素的电场的影响的配置和结构可以应用于发光元件。具体地，可以抑制由于与邻近一个发光元件的发光元件的耦合引起的组成一个发光元件的驱动电路的驱动晶体管的栅电极的电位增量变动的现象。结果，可以显示没有可视觉识别的条纹斑点的具有高均匀度的图像，并且不会发生观察到的图像出现仅具有其一半分辨率的现象，并且像素不会发出具有不理想的亮度的光。
[0112]第二实施方式
[0113]第二实施方式是第一实施方式的变形。
[0114]图16示出了以与沿着图4中的箭头XV1-XVI截取的相同方式的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，图17示出了以与沿着图4中的箭头XVI1-XVII截取的相同方式的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，并且图18示出了以与沿着图4中的箭头XVII1-XVIII截取的相同方式的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图。此外，图19A和图19B分别示出以与了沿着图4中的箭头XIXA-XIXA和箭头XIXB-XIXB截取的相同方式的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图。图20示意性地示出了在第一层间绝缘层的表面的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态，图21示意性地示出了在第二层间绝缘层的下层的表面的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态，并且图22示意性地示出了在第二层间绝缘层的上层的表面的根据第二实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态。
[0115]对于根据第二实施方式的发光兀件，第一遮蔽壁41以与第一实施方式相同的方式被设置在第二层间绝缘层的下层22内，并且在第一方向上延伸的具有与第一遮蔽壁41相同配置的第三遮蔽壁51被设置在位于第一遮蔽壁41上方的第二层间绝缘层的上层23部，并且第三遮蔽壁51连接至遮蔽配线部SDL。此外，尽管并非必要地，第二遮蔽壁45以与第一实施方式相同的方式被设置在第二层间绝缘层的下层22内，在第一方向上延伸的具有与第二遮蔽壁45的相同配置的第四遮蔽壁55被设置在位于第二遮蔽壁45上方的第二层间绝缘层的上层23部，并且第四遮蔽壁55连接至遮蔽配线部SDL。第三遮蔽壁51形成在位于导电材料层41B上方的第二层间绝缘层的上层23内，并且经由配线51B连接至遮蔽配线部SDL。此外，第四遮蔽壁55形成在位于导电材料层45B上方的第二层间绝缘层的上层23内，并且经由配线55B连接至遮蔽配线部SDL。第三导体部53之间与第四导体部57之间填充有环绕第三遮蔽壁51和第四遮蔽壁55的第二层间绝缘层的上层23的延伸部52和56。
[0116]除了上述的配置与结构外，根据第二实施方式的发光元件具有与第一实施方式相同的配置和结构，并且相应地，将省去详细的描述。
[0117]第三实施方式
[0118]第三实施方式是第一实施方式或第二实施方式的变形。
[0119]图23示意性示出了根据第三实施方式的显示装置或发光元件的部件的布局状态，图24A和图24B分别示出了以与沿着图23中的箭头XXIVA-XXIVA和箭头XXIVB-XXIVB截取的相同方式的根据第三实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，图25A和图25B分别示出了以与沿着图23中的箭头XXVA-XXVA和箭头XXVB-XXVB截取的相同方式的根据第三实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图，并且图26A和图26B分别示出了以与沿着图23中的箭头XXVIA-XXVIA和箭头XXVIB-XXVIB截取的相同方式的根据第三实施方式的显示装置或发光元件的示意性部分截面图。
[0120]对于第三实施方式，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁91被设置在一个发光元件与在第一方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间。即，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁91被设置在介于一个发光兀件与在第一方向上邻近该一个发光兀件的发光兀件之间的第二层间绝缘层(对于第三实施方式，具体地，第二层间绝缘层的下层22)内。
[0121]对于第三实施方式，第二方向遮蔽壁91被配置为间隔布置的第二方向遮蔽壁的多个柱形导体部93。此处，当从第二方向遮蔽壁的导体部93的轴线方向观看第二方向遮蔽壁91时(B卩，当从上方观看第二方向遮蔽壁91时)，第二方向遮蔽壁的多个柱形导体部被布置成一列。第二方向遮蔽壁的导体部93之间填充有环绕第二方向遮蔽壁91的第二层间绝缘层的下层22的延伸部92。当在垂直于第二方向遮蔽壁的导体部93的轴线方向的实际水平高度(实际水平高度水平高度)切开柱形的第二方向遮蔽壁91时，第二方向遮蔽壁的导体部93的截面形状为圆形。此外，第二方向遮蔽壁91经由接触孔94连接至遮蔽配线部SDL0应注意，导电材料层91A设置在第二方向遮蔽壁91的底部，并且导电材料层91B设置在第二方向遮蔽壁91的顶部。此处，第二方向遮蔽壁的导体部93以及导电材料层91A和91B由与第一导体43相同的材料制成。基于现有技术，通过基于照相平板印刷技术或蚀刻技术在第二层间绝缘层的下层22内形成开口部，并且将该开口部填充导电材料，可以形成第二方向遮蔽壁的导体部93。
[0122]除了上述的配置与结构外，根据第三实施方式的发光元件具有与第一实施方式和第二实施方式的相同配置和结构，并且相应地，将省去详细的描述。
[0123]第四实施方式
[0124]对于第四实施方式,将描述在第一至第三实施方式中描述的2Tr/lC驱动电路的操作。图27中示意性示出了根据第四实施方式的2Tr/lC驱动电路的驱动时序图，并且图28A、图28B、图28C、图28D、图28E和图28F示意地示出了每个晶体管的导通/截止状态。在下文中，将展开2Tr/lC驱动电路的操作描述。
[0125]用于控制发光单元ELP的发射的电压Vcmi以及用于控制驱动晶体管TR1的源区的电位的电压从电流供应单元100供应至驱动晶体管TR115此处，作为电压V^h和的值，尽管V_=20V，Vn=-1OV可以为示例，但是值并不局限于这些。
[0126]周期-TP(2)_!(见图 27 和图 28A)
[0127]例如，周期-TP (2)_i是上一显示帧的操作，并且是在完成最后各种类型处理之后第(n，m)个发光单元ELP处于发射状态的周期。具体地，基于后面描述的表达式(B)的漏极电流I’ds流入组成第(n，m)个子像素的发光单元ELP，组成第(n，m)个子像素的发光单元ELP的亮度是对应该漏极电流I’ds的值。此处，驱动晶体管TR1处于开启状态。第(n，m)个发光单元ELP的发射状态继续，直至立即布置在第(m+m’)行的发光单元ELP的水平高度扫描周期的开始之前。
[0128]图27中示出的周期-TP (2)0至周期-TP (2)2是从完成最后各种类型处理之后的发射状态到立即执行下一图像信号写入处理之前的操作周期。具体地，例如，周期-TP (2)。至周期-TP (2) 2是从前一显示帧的第(m+m’)行的水平高度扫描周期开始至当前显示帧的第(m-Ι)行的水平高度扫描周期终止的特定时间长度的周期。应注意，周期-TP (2八至周期-TP (2)2可被配置为包含在当前显示帧的第m行水平高度扫描周期内。对于周期-TP(2\至周期-TP (2)2，第(n，m)发光单元ELP处于非发射状态。应注意，如图27所示，除周期TP (2)3之外，周期-TP (2\至周期-TP (2)2也包含在第m行水平高度扫描周期内，为便于描述，将假定周期-TP (2、的开始与周期-TP (2) 3的终止分别与第m行水平高度扫描周期的开始和终止一致来进行描述。
[0129]在下文中，将描述周期-TP (2\至周期-TP (2)4中的每个周期。应注意，根据显示装置的设计可以适当地对周期-TP (2) i至周期-TP (2) 3中的每个周期的长度进行设置。
[0130]周期-TP(2)。(见图 28B)
[0131]例如，这个周期_1?(2)(|是在前一显示帧到当前显示帧的操作。具体地，周期-TP(2)^是从前一显示帧的第(m+m’ )行的水平高度扫描周期到当前显示帧的第(m-Ι)行的水平高度扫描周期的周期。对于周期-TP (2\，第(n，m)个发光单元ELP处于非发射状态。此处，从电流供应单元100供应的电压在从周期-TP (2)_!到周期-TP (2)0进行时从VCC_H变化至结果，第二节点ND2的电位(驱动晶体管TR1的源区或发光单元ELP的阳极电极)降到V。。+并且发光单元ELP进入非发射状态。此外，与第二节点ND2的电位下降一致，浮置状态下的第一节点ND1的电位(驱动晶体管TR1的栅电极)也下降。
[0132]周期-TP(2八(见图 28C)
[0133]接下来，在当前显示帧的第m行的水平高度扫描周期开始。在周期_TP(2)i开始时，通过基于扫描电路101的操作将扫描线SCL设定至高电平将图像信号写入晶体管TR2S置为开启状态。结果，第一节点ND1的电位变为Vws (例如，0V)。第二节点ND2的电位保持Vcc-L (例如，-ι?ν)。
[0134]根据上述处理，驱动晶体管TR1的栅电极与源区之间的电位差变为Vth或更高，并且驱动晶体管TR1变为开启状态。
[0135]周期-TP(2)2(见图 28D)[0136]接下来，执行阈值电压取消处理。具体地，在保持图像信号写入晶体管TR2的开启状态的同时，从电流供应单元100供应的电压从V。。+切换至Vee_H，。结果，尽管第一节点NDi的电位不变(保持VQfs=0V)，但是处于浮置状态的第二节点ND2的电位增加，并且第一节点ND1与第二节点ND2之间的电位差接近驱动晶体管TR1的阀值电压Vth。当驱动晶体管TR1的栅电极与源区之间的电位差达到Vth时，驱动晶体管TR1进入关闭状态。具体地，处于浮置状态的第二节点ND2的电位接近(VWs-Vth=-3V)，并且最终变为(VMs-Vth)。此处，如果确保下列表达式(A)，换言之，如果选择并确定电位使其满足表达式(A)，则发光单元ELP不会发光。应注意，定量地，对于阀值电压取消处理，第一节点ND1与第二节点ND2之间的电位差(换言之，驱动晶体管TR1的栅电极与源区之间的电位差)接近驱动晶体管TR1的阀值Vth的程度取决于阀电压取消处理的时间。因此，例如，如果确保阀值电压取消处理的时间足够长，第一节点ND1与第二节点ND2之间的电位差达到驱动晶体管TR1的阀电压Vth，并且驱动晶体管TR1进入关闭状态。另一方面，例如，如果将阀值电压取消处理的时间设置为短的，第一节点ND1与第二节点ND2之间的电位差大于驱动晶体管TR1的阀值电压Vth，并且驱动晶体管TR1可能不会进入关闭状态。即，由于阀值电压取消处理的结果，驱动晶体管TR1不必进入关闭状态。应注意，参考标号Vthi是发光单兀ELP的阀值电压,参考标号Veath是被施加到发光单元ELP的第二电极的电压，并且参考标号CEL表示发光单元ELP的寄生电容。
[0137](V0fs-Vth) <(Vth_EL+VCath)(A)
[0138]对于周期-TP (2)2，第二节点ND2的电位最终变为(VQfs_Vth)。具体地，只依据用于初始化驱动晶体管TR1的阀值电压Vth和驱动晶体管TR1的栅电极的电压VQfs确定第二节点ND2的电位，电压Vws与发光单元ELP的阀值电压Vthi无关。
[0139]周期-TP(2)3(见图 28E)
[0140]接下来，执行关于驱动晶体管TR1的图像信号写入处理以及基于驱动晶体管TR1的迁移率m的大小的驱动晶体管TR1的源区(第二节点ND2)的电位校正(迁移率校正处理)。具体地，一旦图像信号写入晶体管TR2设置为关闭状态，则数据线DTL的电位改变为用于控制发光单元ELP的亮度的驱动信号(亮度信号)Vsig,并且通过将扫描线SCL设定为高电平图像信号写入晶体管TR2被设置为开启状态，从而将驱动晶体管TR1设置为开启状态。
[0141]电位Vrc_H从电流供应单元100施加到驱动晶体管TR1的漏极区，并且因此，驱动晶体管TR1的源区的电位增加。在预定的时间Utl)过去之后，扫描线SCL被设置为低电平，从而将图像信号写入晶体管TR2设置为关闭状态，并且将第一节点ND1 (驱动晶体管TR1的栅电极)设置为浮置状态。应注意，在设计显示装置时，可以将该周期-TP (2)3的全部时间h预先确定为设计值，从而使第二节点ND2的电位变为(Vws-Vth+ Δ V)。
[0142]对于周期-TP (2) 3，如果驱动晶体管TR1的迁移率m的值很大，则驱动晶体管TRi的源区中的电位的增量AV (电位校正值)增加，并且如果驱动晶体管迁移率m的值很小，则驱动晶体管TR1的源区中的电位的增量AV (电位校正值)降低。
[0143]周期-TP(2)4 (见图 28F)[0144]根据上述操作，完成阀值电压取消处理、图像信号写入处理以及迁移率校正处理。基于扫描电路101的操作，由于扫描线SCL变为低电平，所以图像信号写入晶体管TR2进入关闭状态，第一节点ND1，即，驱动晶体管TR1的栅电极G1变为浮置状态。此处，驱动晶体管TR1保持开启状态并且处于连接至电流供应单元100 (电压Vrc_H，例如，20V)的状态。因此，作为上述的结果，第二节点ND2的电位增加并且超过(Vthi+VCath)，并且因此，发光单元ELP开始发射。驱动晶体管TR1的栅电极G1处于浮置状态，并且此外，并且因此电容器单元Ctl存在与发生在驱动晶体管TR1的栅电极G1上的所谓的自举电路相同的现象，并且第一节点ND1的电位也增加。结果，驱动晶体管TR1的栅电极与源区之间的电位差Vgs保持在下列表达式(B)的值。通过表达式(C)可以获得流入发光单元ELP的电流，并且因此，流入发光单元ELP的电流Ids (英文中是Ids)既不取决于发光单元ELP的阀值电压Vthi，也不取决于驱动晶体管TR1的阀值电压Vth。即，发光单元ELP的发射量(亮度)既不受到发光单元ELP的阀值电压Vthi的影响，也不受到驱动晶体管TR1的阀值电压Vth的影响。此外，可以抑制由于驱动晶体管TR1的迁移率m的不规则性而导致的漏极电流Ids的不规则性的出现。
[0145]Vgs^Vsig-(V0fs-Vth)-AV (B)
[0146]Ids=k.μ * (Vsig-V0fs-AV)2 (C)
[0147]在此
[0148]Μ:有效迁移率
[0149]L:沟道长度
[0150]W:沟道宽度
[0151]Vgs:栅电极与源区之间的电位差
[0152]Vth:阀值电压
[0153]Cox:(栅极绝缘层的相对介电常数)X (真空介电常数)/ (栅极绝缘层的厚度)=k = (1/2).(W/L).Cox
[0154]发光单元ELP的发射状态继续直至第(m+m’ _1)行水平高度扫描周期。该时间点相当于周期-TP (2)_!的结束。
[0155]因此，完成发光单元ELP的第(n，m)个子像素的发射操作。
[0156]尽管已经基于优选的实施方式描述了根据本公开的发光元件、显示装置以及电子装置，但是根据本公开的发光元件、显示装置以及电子装置并不局限于这些实施方式。在实施方式中描述的发光元件、显示装置以及驱动电路的配置和结构为实例，并且可以适当地变形，并且驱动方法也是实例，并且可以适当地变形。对于实施方式，各种晶体管被配置为MOS FET，但是也可替代地配置为TFT。对于实施方式，各种晶体管被描述为η-沟道型，但是在某些情况下，部分或所有驱动电路也可被配置为P-沟道型晶体管。
[0157]此外，对于实施方式，已经描述了其中电流供应线CSL和扫描线SCL形成在第一层间绝缘层上以及数据线DTL形成在第二层间绝缘层上的形式，但是在某些情况下，也可采用其中电流供应线CSL和扫描线SCL形成在第二层间绝缘层上以及数据线DTL形成在第一层间绝缘层上的形式。可以通过在层间绝缘层内形成凹部或凹槽部并且将该凹部或凹槽部填充导电材料来形成第一遮蔽壁、第二遮蔽壁、第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁。
[0158]根据本公开的显示装置可应用于组成电视接收器或数字照相机的监控装置，组成摄影机的监控装置，组成个人计算机的监控装置，PDA (个人数字助理)、蜂窝电话、智能电话、便携式音乐播放器、游戏机、电子书、以及电子词典、电子取景器(EVF)以及头戴式显示器(HMD)中的各种显示单元。即，根据本公开的电子装置包括电视接收器、数字照相机、摄影机、个人计算机、PDA、蜂窝电话、智能电话、便携式音乐播放器、游戏机、电子书、电子词典、电子取景器以及头戴式显示器，并且根据本公开的显示装置包含在这些电子装置中。对于实施方式，已经进行了假定显示单元主要被配置为有机电致发光发光单元的描述，但是发光单元也可被配置为自发光的发光单元，诸如液晶发光单元、无机电致发光发光单元、LED发光单元、半导体激光发光单元等。
[0159]驱动电路不局限于2Tr/lC驱动电路。如图29中的等效电路图所示出的，并且如图30中的时序图示意性示出的，驱动电路被配置为配置了三个晶体管(驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及一个晶体管)与一个电容器单元的3Tr/lC驱动电路，或如图31中的等效电路图所示出的，并且如图32中的时序图示意性示出的，驱动电路被配置为配置了四个晶体管(驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及两个晶体管)与一个电容器单元的4Tr/lC驱动电路，或如图33中的等效电路图所示出的，并且如图34中的时序图示意性示出的，驱动电路被配置为配置了五个晶体管(驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及三个晶体管)与一个电容器单元的5Tr/lC驱动电路。
[0160]注意，本公开也可具有下列配置。
[0161][I], 一种发光元件(第一形式)包括:发光单元以及被配置为驱动发光单元的驱动电路，
[0162]其中，驱动电路被配置为至少包括:
[0163](A)驱动晶体管，包括:
[0164]两个源极/漏极区；
[0165]沟道形成区；以及
[0166]栅电极；
[0167](B)图像信号写入晶体管，包括:
[0168]两个源极/漏极区；
[0169]沟道形成区；以及
[0170]栅电极；以及
[0171](C)电容器单元；[0172]其中对于驱动晶体管；
[0173](A-1) —个源极/漏极区连接至在第一方向上延伸的电流供应线；
[0174](A-2)另一源极/漏极区连接至发光单元，并且还连接至电容器单元的一端；并且
[0175](A-3)栅电极连接至图像信号写入晶体管的另一源极/漏极区，并且还连接至电容器单元的另一端；
[0176]并且其中，对于图像信号写入晶体管；
[0177](B-1) —个源极/漏极区连接至在不同于第一方向上的第二方向上延伸的数据线；并且
[0178](B-2)栅电极连接至在第一方向上延伸的扫描线；
[0179]并且其中，驱动晶体管、图像信号写入晶体管以及电容器单元覆盖有第一层间绝缘层；
[0180]并且其中，电流供应线和扫描线形成在第一层间绝缘层上；
[0181]并且其中，第一层间绝缘层、电流供应线和扫描线覆盖有第二层间绝缘层；
[0182]并且其中，数据线形成在第二层间绝缘层上；
[0183]并且其中，在第一方向上延伸的遮蔽壁设置在介于一个发光兀件与在第二方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间的第二层间绝缘层上。
[0184][2],根据[I]所述的发光二元件，其中，遮蔽壁被配置为间隔布置的多个柱形导体部；
[0185]并且其中，当从导体部的轴线方向观看遮蔽壁时，多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0186][3],根据[I]或[2]所述的发光元件，其中，遮蔽壁连接至形成在第二层间绝缘层内的遮蔽配线部。
[0187][4],根据[I]至[3]中任一项所述的发光元件，其中，对于布置在第二方向上的发光元件，当假定m是奇数时，第m个发光元件和第(m+1)个发光元件关于在第m个发光元件与第(m+1)个发光元件之间的在第一方向上延伸的边界线而线对称。
[0188]并且其中，遮蔽壁设置成至少在第m个发光元件与第(m+1)个发光元件之间。
[0189][5],根据[4]所述的发光元件，其中，遮蔽壁被设置在边界线上方。
[0190][6],根据[4]或[5]所述的发光元件，其中，对与布置在第二方向上的发光元件，在第一方向上延伸的第二遮蔽壁被设置在第(m-Ι)个发光元件与第m个发光元件之间。
[0191][7],根据[6]所述的发光二元件，其中，遮蔽壁被配置为间隔布置的多个第二柱形导体部；
[0192]并且其中，当从第二导体部的轴线方向上观看遮蔽壁时，多个第二柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0193][8],根据[6]或[7]所述的发光元件，其中，第二遮蔽壁连接至形成在第二层间绝缘层内的遮蔽配线部。
[0194][9],根据[6]至[8]中任一项所述的发光元件，其中，第二层间绝缘层具有第二层间绝缘层的下层与第二层间绝缘层的上层的层压配置。
[0195]并且其中，遮蔽壁设置在第二层间绝缘层的下层；
[0196]并且其中，与遮蔽壁具有相同配置并且在第一方向上延伸的第三遮蔽壁设置在定位在遮蔽壁上方的所述第二层间绝缘层的上层，并且第三遮蔽壁连接至所述遮蔽配线部。
[0197][10].根据[6]至[8]中任一项所述的发光元件，其中，第二层间绝缘层具有第二层间绝缘层的下层与第二层间绝缘层的上层的层压配置。
[0198]并且其中，第二遮蔽壁设置在第二层间绝缘层的下层；
[0199]并且其中，具有与第二遮蔽壁相同配置并且在第一方向上延伸的第四遮蔽壁被设置在位于第二遮蔽壁上方的第二层间绝缘层的上层，并且第四遮蔽壁连接至遮蔽配线部。
[0200][11].根据[I]至[5]中任一项所述的发光元件，其中，第二层间绝缘层具有第二层间绝缘层的下层与第二层间绝缘层的上层的层压配置。
[0201]并且其中，遮蔽壁设置在第二层间绝缘层的下层；
[0202]并且其中，具有与遮蔽壁相同的配置并且在第一方向上延伸的第三遮蔽壁被设置在位于遮蔽壁上方的第二层间绝缘层的上层，并且第三遮蔽壁连接至遮蔽配线部。
[0203][12].根据[I]至[11]中任一项所述的发光元件，其中，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被设置在介于一个发光兀件与在第一方向上邻近该一个发光兀件的发光兀件之间的第二层间绝缘层上。
[0204][13].—种发光元件(第二形式)包括:发光单元以及被配置为驱动发光单元的驱动电路，
[0205]其中，遮蔽壁被设置在一个发光元件与邻近该一个发光元件的发光元件之间；
[0206]并且其中，遮蔽壁被配置为间隔布置的多个柱形导体部；
[0207]并且其中，当从导体部的轴线方向上观看遮蔽壁时，多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0208][14].一种发光元件(第三形式)包括:发光单元以及被配置为驱动发射元件的驱动电路，
[0209]其中，所述驱动电路包括至少:
[0210]驱动晶体管；
[0211]图像信号写入晶体管；以及
[0212]电容器单元；
[0213]并且其中，电容器单元被设置在比驱动晶体管和图像信号写入晶体管被设置在的水平高度更高的水平高度；
[0214]并且其中，遮蔽壁被设置在的水平高度等于或低于电容器被设置在的水平高度并且高于驱动晶体管和图像信号写入晶体管被设置在的水平高度。
[0215][15].根据[14]所述的发光二元件，其中，遮蔽壁被配置为间隔布置的多个柱形导体部；
[0216]并且其中，当从导体部的轴线方向上观看遮蔽壁时，多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0217][16].根据[13]或[15]所述的发光元件，其中，遮蔽壁连接至遮蔽配线部。
[0218][17].根据[13]至[16]中任一项所述的发光元件，其中，驱动电路连接至在第一方向上延伸的电流供应线、在第一方向上延伸的扫描线以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的数据线；
[0219]并且其中，对于布置在第二方向上的发光元件，当假定m是奇数时，第m个发光元件和第(m+1)个发光元件在关于在第m个发光元件与第(m+1)个发光元件之间的在第一方向上延伸的边界线而线对称。
[0220]并且其中，遮蔽壁被设置成至少在第m个发光元件与第(m+Ι)个发光元件之间。
[0221][18].根据[17]所述的发光元件，其中，遮蔽壁被设置在边界线上方。
[0222][19].根据[17]或[18]所述的发光元件，其中，对于布置在第二方向上的发光元件，在第一方向上延伸的第二遮蔽壁被设置在第(m-Ι)个发光元件与第m个发光元件之间。
[0223][20].根据[19]所述的发光二元件，其中，遮蔽壁被配置为间隔布置的多个第二柱形导体部；
[0224]并且其中，当从第二导体部的轴线方向上观看遮蔽壁时，多个第二柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
[0225][21].根据[19]或[20]所述的发光元件，其中，遮蔽壁连接至遮蔽配线部。
[0226][22].根据[17]至[21]中任一项所述的发光元件，其中，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被设置在一个发光元件与在第一方向上邻近该一个发光元件的发光元件之间。
[0227][23].—种显示装置，被配置为多个根据[I]至[22]中任一项所述的发光元件，多个发光兀件以二维矩阵形状布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向上。
[0228]本领域中的技术人员应理解，根据设计需求以及其他因素可以出现各种变形、组合、子组合和变更，只要它们在所附权利要求或其等价物范围内。
【权利要求】
1.一种发光兀件，包括: 发光单元；以及 驱动电路，被配置为驱动所述发光单元； 其中，所述驱动电路至少由以下项组成: (A)驱动晶体管,包括: 两个源极/漏极区， 沟道形成区，以及 栅电极， (B)图像信号写入晶体管，包括: 两个源极/漏极区， 沟道形成区，以及 栅电极，以及 (C)电容器单元； 并且其中，对于所述驱动晶体管， (A-1) —个所述源极/漏极区连接至在第一方向上延伸的电流供应线， (A-2)另一所述源极/漏极区连接至所述发光单元，并且还连接至所述电容器单元的一端,并且 (A-3)所述栅电极连接至所述图像信号写入晶体管的一个源极/漏极区，并且还连接至所述电容器单元的另一端； 并且其中，对于所述图像信号写入晶体管， (B-1)—个所述源极/漏极区连接至在不同于所述第一方向上的第二方向上延伸的数据线，并且 (B-2)所述栅电极连接至在所述第一方向上延伸的扫描线； 并且其中，所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管以及所述电容器单元均覆盖有第一层间绝缘层； 并且其中，所述电流供应线和所述扫描线均形成在所述第一层间绝缘层上； 并且其中，所述第一层间绝缘层、所述电流供应线和所述扫描线均覆盖有第二层间绝缘层； 并且其中，所述数据线形成在所述第二层间绝缘层上； 并且其中，在所述第一方向上延伸的遮蔽壁被设置到一个发光元件与在所述第二方向上邻近所述一个发光元件的发光元件之间的所述第二层间绝缘层。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述遮蔽壁由间隔布置的多个柱形导体部构成； 并且其中，当从所述导体部的轴线方向观看所述遮蔽壁时，所述多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述遮蔽壁连接至形成在所述第二层间绝缘层中的遮蔽配线部。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，对于在所述第二方向上布置的发光元件，当假定m是奇数时，第m个发光元件和第(m+1)个发光元件被设置为关于在所述第m个发光元件与所述第(m+1)个发光元件之间的在所述第一方向上延伸的边界线而线对称；并且其中，所述遮蔽壁被设置为至少在所述第m发光元件与所述第(m+1)发光元件之间。
5.根据权利要求4所述的发光兀件,其中，对于在所述第二方向上布置的发光兀件,在所述第一方向上延伸的第二遮蔽壁被设置在第(m -1)发光元件与所述第m发光元件之间。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述第二遮蔽壁由间隔布置的多个柱形第二导体部构成； 并且其中，当从所述第二导体部的轴线方向观看所述第二遮蔽壁时，所述多个柱形第二导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
7.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述第二遮蔽壁连接至形成在所述第二层间绝缘层中的遮蔽配线部。
8.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述第二层间绝缘层具有所述第二层间绝缘层的下层和所述第二层间绝缘层的上层的层压配置； 并且其中，所述遮蔽壁被设置到所述第二层间绝缘层的所述下层； 并且其中，具有与所述遮蔽壁相同配置并且在所述第一方向上延伸的第三遮蔽壁被设置到位于所述遮蔽壁上方的所述第二层间绝缘层的所述上层，并且所述第三遮蔽壁连接至所述遮蔽配线部。
9.根据权利要求 5所述的发光元件，其中，所述第二层间绝缘层具有所述第二层间绝缘层的下层和所述第二层间绝缘层的上层的层压配置； 并且其中，所述第二遮蔽壁被设置到所述第二层间绝缘层的所述下层； 并且其中，具有与所述第二遮蔽壁相同配置并且在所述第一方向上延伸的第四遮蔽壁被设置到位于所述第二遮蔽壁上方的所述第二层间绝缘层的所述上层，并且所述第四遮蔽壁连接至所述遮蔽配线部。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二层间绝缘层具有所述第二层间绝缘层的下层和所述第二层间绝缘层的上层的层压配置。 并且其中，所述遮蔽壁被设置到所述第二层间绝缘层的所述下层； 并且其中，具有与所述遮蔽壁相同配置并且在所述第一方向上延伸的第三遮蔽壁被设置到所述第二层间绝缘层的位于所述遮蔽壁上方的所述上层，并且所述第三遮蔽壁连接至所述遮蔽配线部。
11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在所述第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被设置到一个发光元件与在所述第一方向上邻近所述一个发光元件的发光元件之间的所述第二层间绝缘层。
12.根据权利要求1所述的发光元件，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层由SiO2制成。
13.—种发光兀件,包括: 发光单元；以及 驱动电路，被配置为驱动所述发光单元， 其中，在一个发光元件与邻近所述一个发光元件的发光元件之间设置有遮蔽壁； 并且其中，所述遮蔽壁由间隔布置的多个柱形导体部构成；并且其中，当从所述导体部的轴线方向观看所述遮蔽壁时，所述多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
14.根据权利要求13所述的发光元件，其中，所述遮蔽壁连接至所述遮蔽配线部。
15.根据权利要求13所述的发光元件，其中，所述驱动电路连接至在第一方向上延伸的电流供应线、在所述第一方向上延伸的扫描线以及在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的数据线； 并且其中，对于布置在所述第二方向上的发光元件，当假定m是奇数时，第m个发光元件和第(m+1)发光元件被设置为关于在所述第m发光元件与所述第(m+1)发光元件之间的在所述第一方向上延伸的边界线而线对称。 并且其中，所述遮蔽壁被设置为至少在所述第m发光元件与所述第(m+1)发光元件之间。
16.根据权利要求15所述的发光兀件,其中，对于布置在所述第二方向上的发光兀件，在所述第一方向上延伸的第二遮蔽壁被设置为在第(m -1)发光兀件与所述第m发光兀件之间。
17.根据权利要求16所述的发光元件，其中，所述第二遮蔽壁由间隔布置的多个柱形第二导体部构成； 并且其中，当从所述第二导体部的轴线方向观看所述第二遮蔽壁时，所述多个柱形第二导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
18.根据权利要求15所述的发光元件，其中，在所述第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被设置在一个发光元件与在`所述第一方向上邻近所述一个发光元件的发光元件之间。
19.一种发光兀件,包括: 发光单元；以及 驱动电路，被配置为驱动所述发光单元， 其中，所述驱动电路至少包括: 驱动晶体管， 图像信号写入晶体管，以及 电容器单元； 并且其中，所述电容器单元的水平高度被设置为高于设置所述驱动晶体管和所述图像信号写入晶体管的水平高度； 并且其中，在一个发光元件与邻近所述一个发光元件的发光元件之间，遮蔽壁的水平高度被设置为等于或低于设置所述电容器的水平高度并高于设置所述驱动晶体管和所述图像信号写入晶体管的水平高度。
20.根据权利要求19所述的发光元件，其中，所述遮蔽壁由间隔布置的多个柱形导体部构成； 并且其中，当从所述导体部的轴线方向观看所述遮蔽壁时，所述多个柱形导体部被布置成两列并且还被布置成锯齿形图案。
21.—种显不装置，由在所述第一方向上和在不同于所述第一方向的第二方向上以二维矩阵形状布置的根据权利要求1所述的所述多个发光元件构成。
【文档编号】G09G3/32GK203659396SQ201320711771
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年11月12日 优先权日:2012年11月19日
【发明者】三并徹雄, 山下淳一 申请人:索尼公司