一种microLED的发光驱动电路与驱动方法与流程

文档序号:23265504发布日期:2020-12-11 18:55阅读:226来源:国知局
一种micro LED的发光驱动电路与驱动方法与流程

本发明属于发光驱动电路与驱动方法技术领域,特别是涉及一种microled的发光驱动电路与驱动方法。



背景技术:

microled即微米级led,,microled在色彩的丰富度,和观看的疲劳度等方面,要远远好于oled,传统oled的发光驱动电路是以移位暂存器逐条平移非发光时间,使其在扫描线开启时”关闭”以避免资料线写入时有不可预期的闪烁情形,或者藉由调整关闭时间作亮度调节的效果。然而在小间距microled常有储存电容c不足,漏电流大之问题,传统发光驱动电路使用关闭时间控制会使microled在漏电较大的时间区间发光,microled亮度过高,一般应用发光时间会使用在30%以下,若发光驱动电路以关闭时间控制,其关闭时间需延伸到前一帧的70%时间,此架构会使得驱动发光驱动电路需要有额外前一帧之控制时间。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种microled的发光驱动电路与驱动方法,以解决了现有的问题:小间距microled常有储存电容c不足,漏电流大之问题,传统发光驱动电路使用关闭时间控制会使microled在漏电较大的时间区间发光,microled亮度过高,一般应用发光时间会使用在30%以下,若发光驱动电路以关闭时间控制,其关闭时间需延伸到前一帧的70%时间,此架构会使得驱动发光驱动电路需要有额外前一帧之控制时间。

为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:

本发明为一种microled的发光驱动电路与驱动方法,包括microled和em驱动电路、开启时间,所述em驱动电路包括有数个sfr、ls、buf,所述sfr的输出连接有ls,所述ls的输出连接有buf,所述buf的输出连接有microled。

进一步地,所述sfr的输入端连接有stv和clk,所述sfr的输出端连接有下级sfr的stv。

进一步地,所述ls的输出em,所述em的on时间宽度占全部通断时间的70%以上。

进一步地,所述em驱动电路的各个上升沿处为scan的驱动波形的下降沿处。

进一步地,所述em驱动电路的on时宽度间为移位暂存器的开启时间。

进一步地,所述em驱动电路的起始信号的高电平时间占时钟信号的六个周期。

进一步地,所述em驱动电路的起始信号的高电平时间与em的高电平时间相同。

进一步地,所述em驱动电路的起始信号的高电平时间与初始em的高电平时间在波形图中相差一个时钟信号的周期。

进一步地,所述buf的起始信号的时间宽度即能控制microled像素的发光时间。

进一步地,所述开启时间作buf逐条平移发光时间。

本发明具有以下有益效果:

1、本发明通过设置发光驱动电路以开启时间控制取代以关闭时间控制,使得microled发光期间在漏电较小的区间,降低画素资料误差。

2、本发明通过调整起始信号宽度及控制microled像素发光时间,直接控制画素发光的时间,避免需在前一帧驱动发光驱动电路。

当然,实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的发光驱动电路的范例图;

图2为本发明的scan与em的驱动波形图;

图3为本发明的em驱动电路之起始信号(em_stv)与时钟信号(em_clk)波形图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-3所示,本发明为一种microled的发光驱动电路与驱动方法,包括microled和em驱动电路、开启时间,em驱动电路包括有数个sfr、ls、buf,sfr的输出连接有ls,ls的输出连接有buf,buf的输出连接有microled。

sfr的输入端连接有stv和clk,sfr的输出端连接有下级sfr的stv,以便上级sfr接收信号后,下级sfr才可接收信号。

ls的输出em,em的on时间宽度占全部通断时间的70%以上,以便通过开启时间控制。

em驱动电路的各个上升沿处为scan的驱动波形的下降沿处,以便显示触发信号。

em驱动电路的on时宽度间为buf的开启时间,以便控制buf的开启时间。

em驱动电路的起始信号的高电平时间占时钟信号的六个周期,以便加长microled的控制时间。

em驱动电路的起始信号的高电平时间与em的高电平时间相同,以便控制em的高电平时间。

em驱动电路的起始信号的高电平时间与初始em的高电平时间在波形图中相差一个时钟信号的周期,以便em互不干扰。

buf的起始信号的时间宽度即能控制microled像素的发光时间,以便控制microled像素的发光时间。

开启时间作buf逐条平移发光时间,可以控制buf逐条平移发光时间。

本实施例的一个具体应用为:当em驱动电路的时钟信号以周期信号发送时,em驱动电路的起始信号接收信号,当时钟信号经过六个周期后,em驱动电路的起始信号高电平时间结束,在em驱动电路的起始信号为高电平时,时钟信号经过一个周期后,下级em驱动电路的为高电平接收信号,之后电路同理,各级em驱动电路的输出端将信号传送至各级ls电路输入端,ls电路的输出端将信号传送至buf的输入端,buf的输出端将信号传送至microled。

在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。



技术特征:

1.一种microled的发光驱动电路与驱动方法,包括发光驱动电路、开启时间,其特征在于:所述发光驱动电路包括有数个sfr、ls、buf,所述sfr的输出连接有ls,所述ls的输出连接有buf,所述buf的输出连接microled之画素部。

2.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述sfr的输入端连接有起始信号(stv)和时钟信号(clk),所述sfr的输出端连接有下级sfr的stv。

3.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述buf的输出之发光控制讯号(em),所述em的on时间宽度占全部通断时间的70%以下。

4.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述发光驱动电路产生的发光控制讯号(em)的各个上升沿处为扫描线讯号(scan)的驱动波形的下降沿处。

5.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述发光控制讯号(em)的on时宽度间为移位暂存器的开启时间。

6.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述发光驱动电路的起始信号(stv)的高电平时间占时钟信号周期之整数倍。

7.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述发光驱动电路的起始信号(stv)的高电平时间与所产生的发光控制讯号(em)的高电平时间相同。

8.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述发光驱动电路的起始信号的高电平时间与初始em的高电平时间在波形图中相差一个时钟信号的周期。

9.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述发光控制讯号(em)时间宽度即能控制microled像素部的发光时间。

10.根据权利要求1所述的一种microled的发光驱动电路与驱动方法,其特征在于,所述em开启时间作逐条平移发光时间。


技术总结
本发明公开了一种micro LED的发光驱动电路与驱动方法,涉及发光驱动电路与驱动方法技术领域。本发明包括micro LED之发光驱动电路、开启时间,发光驱动电路部包括有数个移位暂存器(Shift register,SFR)、电平移位器(Level shifter,LS)、缓冲器(Buffer,BUF),SFR的输出连接有LS,LS的输出连接有BUF,BUF的输出连接micro LED之画素部。本发明通过设置发光驱动电路以开启时间控制取代以关闭时间控制,使得micro LED发光期间在漏电较小的区间,降低画素资料误差,本发明通过调整起始信号宽度及控制micro LED像素发光时间,直接控制画素发光的时间,避免需在前一帧驱动发光驱动电路。

技术研发人员:陈廷仰;廖志洋
受保护的技术使用者:禹创半导体(深圳)有限公司
技术研发日:2020.09.22
技术公布日:2020.12.11
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