一种microLED的画素电路与驱动方法与流程

本发明属于led电路技术领域，特别是涉及一种microled的画素电路与驱动方法。

背景技术：

led是面向电子医疗显示和液晶电视研发的显示画质技术处理引擎，采用多分区独立背光控制和画境引擎技术，在画面亮度、画面对比度、画面层次感、暗场细节、色彩精准还原和画面流畅度以及响应速度方面较传统led显示具有大幅提升，变电压式调变电流画素，以电压调控led画素驱动电流，以产生led不同灰阶亮度，画素部：逐级开启扫描线sl，使数据信号线dl之电压准位存于c，藉由t1晶体管的i-v特性转换出不同的驱动电流使led像素有不同灰阶亮度，然而现有的led电路在使用时还存在一定的不足之处，低灰阶的控制电压由于t1晶体管接近截止区，其控制须非常精细，达1mv之准位，使低灰阶的误差严重，由于led的特性，不同的驱动电流会使led发光有色度偏差，使变电压调控下不同灰阶下画素有不同色度，影响显示效果。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种microled的画素电路与驱动方法，以解决了现有的问题：低灰阶的控制电压由于t1晶体管接近截止区，其控制须非常精细，达1mv之准位，使低灰阶的误差严重，由于led的特性，不同的驱动电流会使led发光有色度偏差，使变电压调控下不同灰阶下画素有不同色度，影响显示效果。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明为一种microled的画素电路与驱动方法，包括第一晶体管，所述第一晶体管的一端闸级电性连接有定偏压讯号vb，所述第一晶体管的另一端通过线速闸级电性连接有第三晶体管，所述第三晶体管的一端通过线束源级电性连接有led灯。

进一步地，所述第三晶体管的另一端通过线束源级电性连接有储存电容，所述储存电容的一端闸级电性连接有扫描电压线swp。

进一步地，所述储存电容的另一端闸级电性连接有第二晶体管，所述第二晶体管的一端通过线束源级电性连接有数据信号线dl。

进一步地，所述数据信号线dl透过第二晶体管储存电压讯号于p节点，与所述储存电容与第三晶体管源级电性连接。

进一步地，所述第二晶体管的另一端通过线束闸级电性连接有扫描线sl。

进一步地，所述第一晶体管为定电压定电流驱动。

进一步地，所述p节点的电压会因储存电容耦合随扫描电压线swp台升。

进一步地，所述led灯与第三晶体管通过线束串联。

本发明具有以下有益效果：

1.本发明通过设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电容和电压储存器可以使led发光电流固定，解决不同电流下有色度偏移的问题，便于调控下不同灰阶下画素的不同色度，提高显示效果。

2.本发明通过设置扫描电压线可以由swp补偿，swp电压可以补偿其漏电流，藉由调整swp的渐变程度补偿漏电流，解决小间距led漏电流问题，进而可以提高led的显示效果。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明中画素部电路图；

图2为本发明驱动时序图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、第一晶体管；2、第二晶体管；3、第三晶体管；4、储存电容；5、数据信号线dl；6、扫描线sl；7、扫描电压线swp；8、led灯；9、p节点。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-2所示，本发明为一种microled的画素电路与驱动方法，包括第一晶体管1，第一晶体管1的一端闸级电性连接有定偏压讯号vb，第一晶体管1的另一端通过线速闸级电性连接有第三晶体管3，第三晶体管3的一端通过线束源级电性连接有led灯8，将第一晶体管1以定偏压讯号vb偏压产生固定电流并逐级开启扫描线sl6，第一晶体管1、第二晶体管2和第三晶体管3可为厰校晶体管cmos、薄膜晶体管和tft。

第三晶体管3的另一端通过线束源级电性连接有储存电容4，储存电容4的一端闸级电性连接有扫描电压线swp7，p节点9在储存电容4的作用下p节点9内的电压是数据信号线dl5处的电压与扫描电压线swp7的电压之和。

储存电容4的另一端闸级电性连接有第二晶体管2，第二晶体管2的一端通过线束源级电性连接有数据信号线dl5，数据信号线dl5透过第二晶体管2储存电压讯号于p节点9，与储存电容4与第三晶体管3源级电性连接，第二晶体管2的另一端通过线束闸级电性连接有扫描线sl6，第一晶体管1为定电压定电流驱动，p节点9的电压会因储存电容4耦合随扫描电压线swp7台升，led灯8与第三晶体管3通过线束串联，当数据信号线dl5处的电压与扫描电压线swp7的电压之和超过第三晶体管3的截止电压v_cutoff时，第三晶体管3关闭，led灯8也关闭不会发光，第二晶体管2的另一端通过线束电性连接有扫描线sl6，串联可以使第三晶体管3可以更好的控制led灯8的开关。

本实施例的一个具体应用为：将第一晶体管1以定电压vb偏压产生固定电流，逐级开启扫描线sl6，使数据信号线dl5的电压v准位存于p节点9，在一个帧内渐变拉高扫描电压线swp7，使p节点9的电压被储存电容4耦合为v+dswp，当v+dswp超过第三晶体管3的截止电压v_cutoff时，第三晶体管3关起，led灯8也关闭不会发光，以此机制调整数据电压v使p节点9在一帧内到达v_cutoff的时间不同，使其有不同发光时间，达到变电压调变发光时间的效果。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

技术特征：

1.一种microled的画素电路与驱动方法，包括第一晶体管（1），其特征在于：所述第一晶体管（1）的一端闸级电性连接有定偏压讯号vb，所述第一晶体管（1）的另一端通过线速闸级电性连接有第三晶体管（3），所述第三晶体管（3）的一端通过线束源级电性连接有led灯（8）。

2.根据权利要求1所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述第三晶体管（3）的另一端通过线束源级电性连接有储存电容（4），所述储存电容（4）的一端闸级电性连接有扫描电压线swp（7）。

3.根据权利要求2所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述储存电容（4）的另一端闸级电性连接有第二晶体管（2），所述第二晶体管（2）的一端通过线束源级电性连接有数据信号线dl（5）。

4.根据权利要求3所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述数据信号线dl(5)透过第二晶体管(2)储存电压讯号于p节点(9)，与所述储存电容（4）与第三晶体管（3）源级电性连接。

5.根据权利要求4所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述第二晶体管（2）的另一端通过线束闸级电性连接有扫描线sl（6）。

6.根据权利要求1所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述第一晶体管（1）为定电压定电流驱动。

7.根据权利要求4所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述p节点（9）的电压会因储存电容(4)耦合随扫描电压线swp(7)台升。

8.根据权利要求1所述的一种microled的画素电路与驱动方法，其特征在于：所述led灯（8）与第三晶体管（3）通过线束串联。

技术总结
本发明公开了一种micro LED的画素电路与驱动方法涉及LED电路技术领域。本发明包括第一晶体管，第一晶体管的一端闸级电性连接有定偏压讯号VB，第一晶体管的另一端通过线速闸级电性连接有第三晶体管，第三晶体管的一端通过线束源级电性连接有LED灯，第三晶体管的另一端通过线束源级电性连接有储存电容，储存电容的一端闸级电性连接有扫描电压线SWP，储存电容的另一端闸级电性连接有第二晶体管。本发明通过设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电容和电压储存器可以使LED的ｐ节点电压转换为发光时间，使发光电流固定，解决不同电流下有色度偏移的问题，便于调控下不同灰阶下画素的不同色度，提高显示效果。

技术研发人员：陈廷仰;廖志洋
受保护的技术使用者：禹创半导体(深圳)有限公司
技术研发日：2020.09.22
技术公布日：2020.12.11