芯片模块的制造方法

文档序号:2644967阅读:277来源:国知局
专利名称:芯片模块的制造方法
技术领域
本发明涉及芯片模块的制造方法,尤其是用于按照权利要求1和4的前序部分所述的芯片卡的芯片模块的制造方法。
芯片卡以信用卡,电话卡等的形式为人们所熟悉,并具有附带可以储存数据、信息等的集成电路的芯片。芯片一般在其装入芯片卡内之前首先固定在芯片载体上,确切地说固定在芯片载体固定部位上,该固定部位是借助隙缝与芯片载体接触部位分离的,该接触部位显示出大面积连接接触。在芯片的金属丝引线与相应的芯片载体接触部位电连接之后,带有金属丝引线的芯片浇注在芯片载体上。由芯片载体,芯片和浇注材料(球顶)组成的单元称为芯片模块。
已经知道在芯片模块制造时需应用尤其由金属带(引线框)制成的冲压出的芯片载体,这时应用紫外固化或热固化的覆盖料或铸模材料作为浇注材料。可是在这时难以解决的是在浇注料浇注时,这些浇注料穿过芯片载体的隙缝并且以不希望的方式到达芯片载体的背面。这个问题虽然可以按照已知方式通过以下办法解决,即把芯片载体置入一模具内,该模具把芯片载体的背面堵塞,但是这种制法是开销大而昂贵的。此外,通过冲压可制造的隙缝宽度一般至少约为0.13mm。然而这种宽度还是过大,以至于不能可靠地阻止稀液状的浇注料的穿透。
因此,本发明的任务是创造一种在本文开始所述类型的方法,以此方法芯片模块能以特别简单和低成本的方式制造。
根据本发明这个任务通过权利要求1和4的特征解决。本发明有益的实施结构在其它权利要求内描绘。
在根据权利要求1的本发明方法中,在芯片载体冲压出之后,在芯片载体固定部位和芯片载体接触部位之间的间距通过至少在紧邻隙缝的区域实施的挤压过程减少用来防止浇注料流动的尺寸。
通过挤压过程(压/锻过程)可以达到过小的隙缝宽度,以致使浇注料不能穿透。在挤压之后隙缝具有例如4-7μm的宽度,即这种宽度通过前述冲压过程是不可能达到的。这样一种通过冲压过程和挤压过程制造的芯片载体能以极低成本的方式以及用极低循环时间制造,这显著降低了制造整个芯片模块的成本。此外通过挤压过程在隙缝旁的侧面在芯片载体内产生额外的凹部,因此进一步改进浇注料在芯片载体上的粘着。
芯片载体的材料厚度通过挤压过程合适地降低到原来材料厚度的50%。
此外,本任务通过一种方法解决,其中在芯片载体冲压之后借助挤压过程在面对芯片的芯片载体相对的面上与隙缝紧邻的区域上产生一个凹部,其中该凹部对穿过隙缝的浇注料形成一个容纳空间。
的确在这里芯片载体也通过冲压过程和挤压过程的组合制造,这使显著降低成本以及极快制造成为可能。然而在这种情况下当少量浇注料通过隙缝到达芯片载体的背面时是无害的,因为在那里产生的凹部对这浇注料形成一个收集空间,并因此减少了浇注料凸出到背面的主平面之上的危险。
本发明依靠附图示范地详细说明如下,在这里

图1示出为说明本发明方法的第1实施例用的、通过芯片模块的图示剖面,以及图2示出为说明本发明方法的第2实施例用的、通过芯片模块的图示剖面。
图1示出的芯片模块主要由一个芯片载体1,一个安排在芯片载体1上、带有金属丝引线3并与芯片载体接触部位4电连接的芯片2,以及覆盖在芯片载体1上侧、完全复盖芯片2以及金属丝引线3并且固定在芯片载体1上的浇注料5(球顶)组成。
芯片载体1由一条薄金属带制成,该金属带通过冲压划分为芯片载体接触部位4以及在其间带有间距安置的、支撑芯片2的芯片载体固定部位6。在冲压过程之后立即在芯片载体接触部位4和芯片载体固定部位6之间的芯片载体1产生隙缝7,隙缝之间彼此相隔间距a。图1用点线表示在隙缝7区内冲压过程之后芯片载体的形状。间距a例如处于0.15和0.20mm之间,因此似乎不能阻止相应的稀液浇注料5穿过隙缝7到达芯片载体1的背面。
为了阻止(稍后覆盖的)浇注料5的穿过,在下一步骤是从芯片载体1的上侧面在隙缝7的区域进行挤压步骤。由此在隙缝7的区域挤压出一个凹部8,该凹部促使隙缝7挤压到例如约0.05mm很小的尺寸b。这变窄的隙缝在图1内配以符号9。在芯片载体固定部位6和芯片载体接触部位4之间的间距在挤压过程之后一方面是足够大,以便使芯片载体接触部位4与芯片载体固定部位6电绝缘,而另一方面又是足够小,以便可靠地防止浇注料5的穿透。隙缝9的宽度根据浇注料5的粘度调整。
在挤压过程之后芯片2以一般方式固定在芯片载体固定部位6上,接着把金属丝引线3连接到芯片载体接触部位4上并在其上固定。作为芯片模块制造的最后步骤,浇注料5按照图1所示方式覆盖在整个装置上,以致芯片2和金属丝引线3完全被浇注,在浇注料5内得到保护和固定。
在图2所示另一种可供选择的芯片模块的实施例,首先,芯片载体1′还是借助冲压过程制造,其中在芯片载体固定部位6和芯片载体接触部位4之间的隙缝7制成具有宽度a(参看点线)。
与图1的实施例相比,在图2的实施例不是从芯片载体1′的上侧面,而是从背面借助挤压过程在隙缝7的区域产生具有宽度c的凹部8。在所示的实施例中凹部8的深度约为芯片载体1′厚度的50%。通过挤压过程隙缝7还是变窄到尺寸b,在这种情况下它仍然可以是如此之大,以致在稍后沉积的浇注料5可以通过变窄的隙缝9到达芯片载体1′的背面。在这种情况下,凹部8对这浇注料5穿过部分起着容纳空间的作用,因此浇注料5凸出到芯片载体1′背面之上的危险显著减小了。
快速固化的覆盖料例如紫外光固化和热固化的覆盖料可以合适地用作浇注料5。
在图1和图2所示的两种实施例上存在优点通过冲压和挤压步骤的组合,芯片载体1,1′可以快速且低成本方式制成。
权利要求
1.主要用于芯片卡的芯片模块的制造方法,其中电子芯片(2)安置在由金属冲压的芯片载体(1)的芯片载体固定部位(6)上,并且将芯片(2)的金属丝引线(3)引到在芯片载体接触部位(4)上,该芯片载体接触部位借助隙缝(7)与芯片载体固定部位(6)间隔安排,在其上芯片(2)与金属丝引线(3)借助浇注料(5)密封在芯片载体(1)上,其特征为,在芯片载体(1)冲压之后,在芯片载体固定部位(6)和芯片载体接触部位(4)之间的间距,通过至少在紧邻隙缝的区域内实施的挤压过程降低到可防止浇注料(5)穿过的尺寸。
2.根据权利要求1的方法,其特征为芯片载体(1)的材料厚度通过挤压过程降低到原来材料厚度的30-70%,特别是50%。
3.根据权利要求1或2的方法,其特征为,通过挤压过程隙缝(7)变窄到4-7μm的宽度,特别是5μm。
4.主要用于芯片卡的芯片模块的制造方法,其中电子芯片(2)安置在由金属冲压的芯片载体(1′)的芯片载体固定部位(6)上,并且将芯片(2)的金属丝引线(3)引到芯片载体接触部位(4)上,该芯片载体接触部位借助隙缝(7)与芯片载体固定部位(6)间隔安排,在其上芯片(2)与金属丝引线(3)借助浇注料(5)密封在芯片载体(1′)上,其特征为,在芯片载体(1′)冲压之后借助挤压过程在面对芯片(2)的芯片载体(1′)的另一侧面上与隙缝紧邻的区域上产生一凹部(8),其中凹部(8)对通过隙缝的浇注料(5)形成一个容纳空间。
全文摘要
在芯片模块的制造方法中,在芯片载体(1)冲压成形后,芯片载体固定部件(6)和芯片载体接触部位(4)之间的间距(a)通过至少在紧邻隙缝的区域内实施的挤压过程减少到防止浇注材料(5)流动的尺寸。
文档编号B42D15/10GK1265759SQ98807754
公开日2000年9月6日 申请日期1998年7月21日 优先权日1997年7月30日
发明者F·皮施纳, J·菲舍尔, E·海因曼 申请人:因芬尼昂技术股份公司
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