专利名称：显像装置的环境控制装置及其环境控制方法
技术领域：
本发明涉及用于平版印刷工序的显像装置的环境控制装置及其环境控制方法。
另外，为了实现抗蚀剂图案的进一步微细化，必须防止以往成为问题的微细图案的缺陷或异物的发生。
晶片或在晶片上形成的被处理膜上如果存在异物，则产生下述问题。即，如果被处理膜上存在异物，由于对被处理膜进行蚀刻时，异物变成了掩模，因而引起在被处理膜的应该蚀刻的区域形成残渣的问题。另外，如果在晶片上存在异物，对晶片进行离子注入时，异物变成了掩模，因而引起在离子注入的晶片上产生注入不均的问题。如果引起这样的问题，则导致半导体装置的特性劣化以及成品率下降。
因此，过去在向洁净室供给空气的空气供给装置中设置了化学过滤器。
下面参照图5说明以往的显像装置的环境控制装置的例子。
如图5所示，在洁净室1内，设置有例如显像装置A、涂布装置B和洗涤装置C。在洁净室1的顶部设置了从外部向洁净室1供给空气的洁净室用空气供给装置2，在此洁净室用空气供给装置2中，设有洁净室用加压送风机3和化学过滤器4。由此，从外部取来的空气5以除去了化学污染物质的状态供给洁净室1。
在显像装置A的晶片处理室10的顶部设置了显像装置用空气供给装置11，在此显像装置用空气供给装置11中设有显像装置用加压送风机12、具有温湿度控制系统19a和HEPA过滤器19b的过滤器单元19。由此，将从外部即洁净室1内收集的空气14以调整了温度和湿度且具有超过给定尺寸粒径的粒子被除去的状态供给晶片处理室10。
另外，如下面说明的那样，为了除去成为微细图案缺陷或异物发生原因的化学污染物质，已经提出了在洁净室内设置各种过滤器的技术。
例如，在实开平2-131143号公报中记载了下面的内容。也就是说，由于从洁净室排出的空气被洁净化后，再次供给洁净室内，因而若在洁净室产生毒性气体泄漏的场合，出现此毒性气体循环再次进入洁净室内的问题。另外，如果大气中存在有污染物质，如H2S、SOx或NOx等，这些污染物质即使是极微量的，也通过循环而被浓缩，因此会给在洁净室内的操作人员以及制造装置带来恶劣影响。因此，为了防止微细图案的缺陷或异物的发生，提出在洁净室内安装除去含SOx和NOx的化学污染物质的化学过滤器的技术。
另外，在日立设施技法1992，Vol.13，4～8页中记载了如下内容。即，随着LSI微细化的进展，进行LSI制造过程的高洁净化，除粒子状物质之外，气体状物质也被视作污染物质。作为气体状物质，有从外面空气侵入洁净室内的SOx和NOx等气体、从洁净室内制造装置发生的氢氟酸及盐酸等微量酸性气体。这些污染物质认为在LSI的制造过程中对半导体层的表面或界面产生恶劣影响。对于从外面空气侵入的微量酸性气体，有必要实施在设置于洁净室内的空调机中设置气体除去过滤器等对策。
还有，在第11届空气清洁与污染控制研究大会的预备稿集的第165～168项中记载了如下内容。即，由于用HEPA过滤器或ULPA过滤器等微粒用过滤器不能除去在大气中微量含有的SOx和NOx等污染物质，因而在侵入洁净室内之后，吸附于晶片表面，对产品的特性及成品率等产生恶劣影响。认为这种情况伴随LSI的集成度提高而成为更大的问题。为了排除这些污染物质，在洁净室的外部气体处理系统中设置污染物质除去过滤器的例子日益增多。另一方面，对在洁净室内发生的氨气和酸性气体，尝试在循环系统中设置污染气体除去过滤器来除去。
另外，在日立评论Vol.73，NO.9(1991-9)第83～90页中记载有下述内容。即，半微米时代的LSI必须对硅层表面或界面上的原子顺序进行控制。在LSI加工环境中，不仅不允许存在粉尘，而且也不允许SO2、HCl和HF等化学物质的存在。然而，这些化学物质在通过HEPA过滤器，或洁净室内的药液洗涤装置处理时在加工环境中微量漏出，附着在硅层的表面。这次开发的化学过滤器对除去这些化学物质极有效。
可是，为了防止微细图案的缺陷或异物的发生，已经讲了上述各种对策，即在洁净室设置化学过滤器和污染气体除去过滤器的对策，但本发明人面临还不能确实防止微细图案的缺陷或异物发生的事实。
所以，本发明人提出为了除去抗蚀剂膜的溶解残留成分或杂质，在显像处理后使用例如热板进行热处理，用热使杂质挥发而除去的方法，但是，即使进行该热处理，异物并没有完全被除去。
另外，已提出反复进行显像工序的方法，但由于抗蚀剂图案变化，因而这并不是有效的方法。
为了达到前述目的，本发明人对平版印刷工艺中产生异物的原因进行了种种探讨，结果发现异物在对图案曝光了的抗蚀剂膜进行的显像工序中产生。
下面具体说明这一点。也就是说，显像工序中使用的显像液四甲基氢氧化铵(以下称为TMAH)水溶液与环境中的硫氧化物(以下称为SOx)反应，作为反应产物生成盐。本发明人发现此盐是异物的正体，通过拉曼分光的分析，此盐的主要成分是(CH3)3NSO3。
另外，通过拉曼分光的分析特定为盐的主要成分是(CH3)3NSO3的根据是因为套用在拉曼分光分析结果的图谱中已登记的物质。
然而，认为(CH3)3NSO3作为盐不稳定，因而通过下述反应式生成由((CH3)4N)2SO3构成的盐。
首先，如下面的反应式所示，TMAH分解生成分解产物。
另外，如下面的反应式所示，环境中的硫氧化物溶于水溶液中生成硫化物离子。
然后，如下面的反应式所示，分解产物与硫化离子反应生成盐。
由于通过此反应生成的盐起到掩模的作用，因而在对被处理膜进行干蚀刻时，产生由被处理膜构成的残渣，在对晶片进行离子注入时，发生注入不均。
另外，反应产物在使用与化学放大型抗蚀剂不同的通常抗蚀剂的场合也被确认，因此，可以认为在化学放大型抗蚀剂的氧产生剂等中所含的硫成分对环境中的SOx的影响很大。
而且还发现由于反应生成物主要由环境中的SOx与TMAH反应生成，因而通过显像装置内的SOx浓度与TMAH浓度的组合，使作为反应生成物的异物的发生数目受到很大影响。
本发明是基于前述发现提出的，具体地说，通过以下构成实现。
本发明的显像装置的环境控制装置将在晶片处理室内对已经曝光了的抗蚀剂膜使用显像液进行显像的显像装置的环境控制装置作为对象，备有将从外部取来的空气供给晶片处理室的空气供给装置，以及在空气供给装置中设置的把化学污染物质从空气中除去的化学污染物质除去装置。
如果采用本发明的显像装置的环境控制装置，由于在将外部的空气供给晶片处理室的空气供给装置中设置了除去化学污染物质的化学污染物质除去装置，因而减低了供给晶片处理室的空气中所含的化学污染物质，因此，在对抗蚀剂膜进行显像时，存在于晶片或被处理膜上的异物数显著减低。
因此，由于成为掩模的异物减少，因而在对被处理膜选择性进行干蚀刻时在被处理膜的应该蚀刻的区域中形成残渣，在对晶片进行离子注入时产生注入不均的情况可以得到抑制。
本发明的显像装置的环境控制装置在化学污染物质为含硫的杂质时有效。
含硫杂质与用于抗蚀剂膜显像的显像液中所含成分反应生成异物，但通过除去含硫杂质，可以防止异物的产生。
本发明的显像装置的环境控制装置在化学污染物质为含硫杂质，显像液为碱性水溶液时有效。
本发明的显像装置的环境控制装置在化学污染物质为含硫杂质，显像液为四甲基氢氧化铵水溶液时特别有效。
含硫杂质与四甲基氢氧化铵水溶液中所含的成分反应，产生((CH3)4N)2SO3表示的盐，但通过除去含硫杂质，可以防止((CH3)4N)2SO3表示的盐构成的异物的产生。
此时，优选四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在2.38重量％以下，化学污染物质除去装置除去含硫杂质，使空气中的含硫杂质的浓度为0.5μg/m3以下。
这样，能够确实防止异物的产生。
还有，此时，优选除去含硫杂质，使空气中的含硫杂质的浓度为0.4μg/m3以下。
这样，即使四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在通常使用的2.38重量％以上，也可以确实防止异物的产生。
本发明的显像装置的环境控制装置中，化学污染物质除去装置优选具有控制空气中含硫杂质浓度的装置。作为控制含硫杂质浓度的装置，例如控制具有活性炭的化学过滤器的质量的装置，由此，可以控制杂质的浓度。
为了达到前述目的，本发明的环境控制方法以在晶片处理室内对已经曝光了的抗蚀剂膜使用显像液进行显像的显像装置的环境控制方法为对象，备有将从外部取来的空气供给晶片处理室的空气供给工序和把化学污染物质从空气中除去的化学污染物质除去工序。
如果采用本发明的显像装置的环境控制方法，在把外部的空气供给晶片处理室时，由于将化学污染物质从该空气中除去，供给晶片处理室的空气中所含的化学污染物质减少，因此对抗蚀剂膜进行显像时，存在于晶片或被处理膜上的异物数显著降低。
因此，由于成为掩模的异物减少，因而对被处理膜选择性进行干蚀刻时在被处理膜的应该蚀刻区域中形成残渣，或者对晶片进行离子注入时产生注入不均的情况可以得到抑制。
本发明的显像装置的环境控制方法在化学污染物质为含硫的杂质时有效。
含硫杂质与用于抗蚀剂膜显像的显像液中所含成分反应生成异物，但通过除去含硫杂质，可以防止异物的产生。
本发明的显像装置的环境控制方法在化学污染物质为含硫杂质，显像液为碱性水溶液时有效。
本发明的显像装置的环境控制方法在化学污染物质为含硫杂质，显像液为四甲基氢氧化铵水溶液时特别有效。
含硫杂质与四甲基氢氧化铵水溶液中所含的成分反应，产生((CH3)4N)2SO3表示的盐，但通过除去含硫杂质，可以防止((CH3)4N)2SO3表示的盐构成的异物的产生。
此时，优选四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在2.38重量％以下，化学污染物质除去工序包括除去含硫杂质，使空气中的含硫杂质的浓度为0.5μg/m3以下的工序。
这样，能够确实防止异物的产生。
还有，此时，优选除去含硫杂质，使空气中的含硫杂质的浓度为0.4μg/m3以下。
这样，即使四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在通常使用的2.38重量％以上，也可以确实防止异物的产生。
本发明的显像装置的环境控制方法中，化学污染物质除去工序优选包括控制空气中含硫杂质浓度的工序。作为控制含硫杂质浓度的方法，例如控制具有活性炭的化学过滤器的质量的方法，由此，可以控制杂质的浓度。
图2是表示本发明第1实施方式的显像装置的环境控制装置的剖面图。
图3是表示使用设置了本发明第1实施方式的环境显像装置的显像装置，对抗蚀剂膜用TMAH水溶液进行显像处理时，晶片处理室内的SOx浓度和TMAH水溶液浓度与有没有产生异物的关系的图。
图4是表示本发明第2实施方式的显像装置的环境控制装置的剖面图。
图5是配置了以往的显像装置的环境控制装置的洁净室的总体结构示意图。
图1示出了本发明第1实施方式的显像装置的环境控制装置的概略总体结构。如图1所示，在洁净室1内部，设置有例如显像装置A、涂布装置B和洗涤装置C。在洁净室1的顶部设置有从外部向洁净室1供给空气的洁净室用空气供给装置2，在此洁净室用空气供给装置2中，设置有洁净室用加压送风机3和化学过滤器4。由此，从外部取来的空气5以除去了化学污染物质的状态供给洁净室1。
在显像装置A的晶片处理室10的顶部设置了显像装置用空气供给装置11，在此显像装置用空气供给装置11中设置有显像装置用加压送风机12和过滤器单元13A，将从外部，即洁净室1的内部收集的空气14由显像装置用加压送风机12通过过滤器单元13A而供给晶片处理室10。
如图2所示，在显像装置A的晶片处理室10的底部设置有样品台15，在此样品台15上所载的晶片16上形成抗蚀剂膜17。
在晶片处理室10内部的与晶片16对峙的位置上设置了显像液供给装置18，从该显像液供给装置18供给的显像液18a浸透到抗蚀剂膜17中，因此抗蚀剂膜17显像，形成抗蚀剂图案。
过滤器单元13A具有从洁净室侧(晶片处理室10的对侧)依次配置的用于除去胺类杂质的第1化学过滤器13a、用于除去硫类杂质的第2化学过滤器13b、温湿度控制系统13c和HEPA过滤器13d。
第1化学过滤器13a在抗蚀剂膜17由化学放大型抗蚀剂材料构成的场合，是为了从由外部取来的空气14中除去妨害由化学放大型抗蚀剂材料产生的酸的反应的胺类杂质而设置的，作为除去胺类杂质的吸附剂，可以使用在活性炭中添加了还原剂的化学吸附剂。
第2化学过滤器13b是为了从由外部取来的空气14中除去环境中的硫氧化物或化学放大型抗蚀剂的氧产生剂中所含的硫成分(以下把硫氧化物和硫成分统称为硫类杂质)而设置的，作为除去硫类杂质的吸附剂，可以使用在活性炭中添加了碳酸钾的化学吸附剂。
在第2化学过滤器13b中，在考虑到从外部取来的空气14的流速、温度和湿度等条件的基础上，调整化学吸附剂的量，使此空气14中的硫类杂质浓度为0.4μm/m3以下。
温湿度控制系统13c是为了调整从外部取来的空气14的温度和湿度而设置的。
HEPA过滤器13d是为了从由外部取来的空气14中除去具有超过给定尺寸粒径的粒子而设置的。
下面参照图3说明将导入晶片处理室10内部的空气14中的硫类杂质的浓度控制在0.4μm/m3以下的理由。
图3示出了对在晶片处理室10内部配置的，由化学放大型抗蚀剂构成的进行了图案曝光的抗蚀剂膜17使用由TMAH水溶液构成的显像液18a进行显像处理时，晶片处理室10内的SOx浓度和TMAH水溶液浓度与有没有异物产生的关系。实验如下进行。
首先，在晶片16上涂布阳型化学放大型抗蚀剂，形成抗蚀剂膜17。此时，化学放大型抗蚀剂作为聚合物具有聚羟基苯乙烯衍生物，作为保护基具有缩醛基，作为氧产生剂具有重氮甲烷化合物。其后，使抗蚀剂膜17通过热板进行在90℃的温度下加热的预烘焙90秒之后，用KrF激元激光器逐次移动式曝光装置进行图案曝光。
接着，在可以由过滤器单元13A调整供给晶片处理室10的空气14中的SOx浓度的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜17通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，改变TMAH水溶液的浓度，同时进行显像，形成抗蚀剂图案。
接着，用自动晶片缺陷检查装置(KLA-Tencor公司制造的KLA2139)对抗蚀剂图案上存在的具有0.1μm以上直径的异物的数目进行计数。
在图3中，空心圆表示实质上未产生异物的场合(晶片上的异物数不到60的场合)，实心圆表示异物大量产生的场合(晶片上的异物数在60以上的场合)。
由图3可知，(1)TMAH水溶液浓度越低，另外SOx浓度越低，异物的产生减少；(2)TMAH水溶液的浓度在通常使用的2.38重量％以下时，如果SOx的浓度在0.50μg/m3以下，则不产生异物；以及(3)如果SOx的浓度在0.40μg/m3以下，即使TMAH水溶液的浓度高于2.38重量％，也不产生异物。
因此，在TMAH水溶液的浓度为2.38重量％以下时，把SOx的浓度控制在0.50μg/m3以下，则不产生异物，另外，把SOx的浓度控制在0.40μg/m3以下，即使TMAH水溶液的浓度高于2.38重量％，也不产生异物。
这样，在第1实施方式中，由于在显像装置用空气供给装置11中设置了具有第1化学过滤器13a和第2化学过滤器13b的过滤器单元13A，因而可以有效防止异物的产生。
具体地说，把化学过滤器4设置在洁净室1中时，由各半导体制造装置，例如显像装置A、涂布装置B或洗涤装置C进行的各工序中，不能个别控制与各工序产生的课题相对应的杂质的种类以及浓度。
然而，如果采用第1实施方式，对防止显像装置A中产生异物的特有课题能够个别对应。
而且，与用化学过滤器4控制整个洁净室1的场合相比较，能够用低得多的成本解决防止异物产生的课题。
另外，在第1实施方式中，过滤器单元13A相对于显像装置用加压送风机12设置在晶片处理室10的反侧，但也可以把它变更，相对于显像装置用加压送风机12设置在与晶片处理室10相同的一侧。
还有，在第1实施方式中，过滤器单元13A从洁净室1开始按第1化学过滤器13a、第2化学过滤器13b、温湿度控制系统13c和HEPA过滤器13d的顺序进行配置，但对该配置并没有特别限定。
还有，在第1实施方式中，除去胺类杂质的第1化学过滤器13a和除去硫类杂质的第2化学过滤器13b是不同的个体，但也可以把它变更，使用两者构成一体的化学过滤器。
(实施例1和比较例1)下面说明将第1实施方式具体化的实施例1和为评价实施例1而进行的比较例1。
实施例1和比较例1的共同点是在晶片16上涂布阳型化学放大型抗蚀剂形成抗蚀剂膜17。此时，化学放大型抗蚀剂作为聚合物具有聚羟基苯乙烯衍生物，作为保护基具有缩醛基，作为氧产生剂具有重氮甲烷化合物。其后，使抗蚀剂膜17通过热板进行在90℃的温度下加热的预烘焙90秒后，用KrF激元激光器逐次移动式曝光装置进行图案曝光。
接着，作为实施例1，在把供给的空气14中的SOx浓度由过滤器单元13A控制在0.50μg/m3以下的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜17通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，用2.38重量％的TMAH水溶液进行显像，形成抗蚀剂图案。
另一方面，作为比较例1，在图5所示的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，用2.38重量％的TMAH水溶液进行显像，形成抗蚀剂图案。
表1
表1示出了实施例1和比较例1中晶片处理室10的硫类杂质浓度以及在由实施例1和比较例1得到的抗蚀剂图案上存在的异物数。还有，此实验通过使用自动晶片缺陷检查装置(KLA-Tencor公司制造的KLA2139)对具有0.1μm以上直径的异物的数目计数而进行。
由表1可知，相对于比较例1的异物数3000个，实施例1的异物数是50个，可以确认异物数大大减少。
(实施例2和比较例2)下面说明将第1实施方式具体化的实施例2和为评价实施例2而进行的比较例2。
首先，实施例2和比较例2的共同点是在晶片16上涂布阳型化学放大型抗蚀剂形成抗蚀剂膜17。此时，化学放大型抗蚀剂作为聚合物具有聚羟基苯乙烯衍生物，作为保护基具有缩醛基，作为氧产生剂具有翁盐。其后，使抗蚀剂膜17通过热板进行在90℃的温度下加热的预烘焙90秒后，用KrF激元激光器逐次移动式曝光装置进行图案曝光。
接着，作为实施例2，在把供给的空气14中的SOx浓度由过滤器单元13A控制在0.50μg/m3以下的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜17通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，用2.38重量％的TMAH水溶液进行显像，形成抗蚀剂图案。
另一方面，作为比较例2，在图5所示的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，用2.38重量％的TMAH水溶液进行显像，形成抗蚀剂图案。
表2
表2示出了实施例2和比较例2中晶片处理室10的硫类杂质浓度以及在由实施例2和比较例2得到的抗蚀剂图案上存在的异物数。还有，此实验通过使用自动晶片缺陷检查装置(KLA-Tencor公司制造的KLA2139)对具有0.1μm以上直径的异物的数目计数而进行。
由表2可知，相对于比较例2的异物数1000个，实施例2的异物数是35个，可以确认异物数大大减少。
(第2实施方式)下面参照图4说明本发明第2实施方式的显像装置的环境控制装置和显像装置的控制方法。
第2实施方式的显像装置的环境控制装置的概略总体结构与参照图1说明的第1实施方式相同，因而这里省略说明。
如图4所示，在显像装置A的晶片处理室10的底部设置有样品台15，在此样品台15上载置的晶片16上形成抗蚀剂膜17。
在晶片处理室10内部的与晶片16对峙的位置上设置显像液供给装置18，由此显像液供给装置18供给的显像液18a浸透抗蚀剂膜17，因此抗蚀剂膜17显像，形成抗蚀剂图案。
过滤器单元13B具有从洁净室侧(晶片处理室10的对侧)依次设置的用于除去硫类杂质的第2化学过滤器13b、温湿度控制系统13c和HEPA过滤器13d。
第2化学过滤器13b是为了由从外部取来的空气14中除去环境中的硫氧化物或化学放大型抗蚀剂的氧产生剂中所含的硫成分(以下把硫氧化物和硫成分统称为硫类杂质)而设置的，作为除去硫类杂质的吸附剂，可以使用在活性炭中添加了碳酸钾的化学吸附剂。
在第2化学过滤器13b中，在考虑到从外部取来的空气14的流速、温度和湿度等条件的基础上，调整化学吸附剂的量，使此空气14中的硫类杂质的浓度为0.4μm/m3以下。
温湿度控制系统13c是为了调整从外部取来的空气14的温度和湿度而设置的。
HEPA过滤器13d是为了从由外部取来的空气14中除去具有超过给定尺寸粒径的粒子而设置的。
另外，在不使用化学放大型抗蚀剂作为抗蚀剂膜17的场合，或虽然使用化学放大型抗蚀剂，但曝光工序、曝光后的烘焙工序以及显像工序在时间上连续进行的场合，如第2实施方式那样，也可以不设置除去胺类杂质的第1化学过滤器11a(参照图2)。
(实施例3和比较例3)
下面说明将第2实施方式具体化的实施例3和为评价实施例3而进行的比较例3。
首先，实施例3和比较例3的共同点是在晶片16上涂布含有酚醛清漆树脂作为聚合物的抗蚀剂形成抗蚀剂膜17，其后，使抗蚀剂膜17通过热板进行在90℃的温度下加热的预烘焙90秒，然后，用i线逐次移动式曝光装置进行图案曝光。
接着，作为实施例3，在把供给的空气14中的SOx浓度由过滤器单元13B控制在0.50μg/m3以下的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜17通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，用2.38重量％的TMAH水溶液进行显像，形成抗蚀剂图案。
另一方面，作为比较例3，在图5所示的晶片处理室10中，使进行了图案曝光的抗蚀剂膜通过热板进行在120℃温度下加热的后烘焙90秒之后，用2.38重量％的TMAH水溶液进行显像，形成抗蚀剂图案。
表3
表3示出了实施例3和比较例3中晶片处理室10的硫类杂质浓度以及在由实施例3和比较例3得到的抗蚀剂图案上存在的异物数。还有，此实验通过使用自动晶片缺陷检查装置(KLA-Tencor公司制造的KLA2139)对具有0.1μm以上直径的异物的数目计数而进行。
由表3可知，相对于比较例3的异物数500个，实施例3的异物数是20个，可以确认异物数大大减少。
另外，在第1实施方式和第2实施方式中，都使用阳型抗蚀剂。然而，可以知道由于显像工序中的异物通过TMAH与SOx反应产生，因而即使是用阴型抗蚀剂的场合，也同样可以得到防止异物产生的效果。
权利要求
1.一种显像装置的环境控制装置，是在晶片处理室中对曝光了的抗蚀剂膜使用显像液进行显像的显像装置的环境控制装置，其备有把从外部取来的空气供给所述晶片处理室的空气供给装置，以及在所述空气供给装置中设置的从所述空气中除去化学污染物质的化学污染物质除去装置。
2.如权利要求1所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质是含硫的杂质。
3.如权利要求1所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是碱性水溶液。
4.如权利要求1所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是四甲基氢氧化铵水溶液。
5.如权利要求4所述的显像装置的环境控制装置，所述四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在2.38重量％以下，所述化学污染物质除去装置把所述含硫杂质除去，使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.5μg/m3以下。
6.如权利要求4所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质除去装置把所述含硫杂质除去，使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.4μg/m3以下。
7.如权利要求4所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质除去装置具有控制所述空气中的所述含硫杂质浓度的装置。
8.一种显像装置的环境控制方法，是在晶片处理室中对曝光了的抗蚀剂膜使用显像液进行显像的显像装置的环境控制方法，其备有把从外部取来的空气供给所述晶片处理室的空气供给工序，以及从所述空气中除去化学污染物质的化学污染物质除去工序。
9.如权利要求8所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质是含硫的杂质。
10.如权利要求8所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是碱性水溶液。
11.如权利要求8所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是四甲基氢氧化铵水溶液。
12.如权利要求11所述的显像装置的环境控制方法，所述四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在2.38重量％以下，所述化学污染物质除去工序包括把所述含硫杂质除去使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.5μg/m3以下的工序。
13.如权利要求11所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质除去工序包括把所述含硫杂质除去使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.4μg/m3以下的工序。
14.如权利要求11所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质除去工序包括控制所述空气中的所述含硫杂质浓度的工序。
全文摘要
显像装置的环境控制装置在晶片处理室中,对曝光了的抗蚀剂膜用显像液进行显像。空气供给装置将从外部取来的空气供给晶片处理室。在空气供给装置中备有从由外部取来的空气中除去化学污染物质的化学污染物质除去装置。
文档编号G03F7/30GK1389903SQ0212182
公开日2003年1月8日 申请日期2002年6月6日 优先权日2001年6月6日
发明者片冈雅雄 申请人:松下电器产业株式会社