专利名称：光刻装置和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。
背景技术：
光刻装置是一种将所需图案作用于基底的目标部分的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造，平板显示器以及包括精细结构的其他器件。在常规的光刻装置中，构图部件，可替换地称作掩模或中间掩模版，可用于产生对应于IC(或其他器件)一个单独层的电路图案，该图案可以成像具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片或玻璃板)的目标部分(例如包括部分，一个或者多个管芯)上。代替掩模，该构图部件可以包括用于产生电路图案的可单独控制的元件阵列。
一般地，单一的基底将包含依次曝光的相邻目标部分的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将全部图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过投射光束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一目标部分。
在许多情况下，可单独控制的元件在可单独控制的元件阵列中的排列密度可能相对较低(即能够调制辐射光束的每个元件的有效面积(active area)是元件总面积的相对较小的部分)。因此不能调制辐射光束中相当大比例的辐射。换句话说，该辐射或者由可单独控制的元件阵列反射，或者由可单独控制的元件阵列吸收，而不管在该阵列上设置的图案。
以前曾提议在辐射系统中包括微透镜阵列，以提供由许多点组成的投射光束；然后将该光束投射到可单独控制的元件阵列的有效面积上。但是，将这种辐射投射光束投射到可单独控制的元件阵列上，随后将带图案的光束投射到基底上需要复杂并因此昂贵的投影系统。
因此，需要一种只照射可单独控制的元件阵列的有效面积而不需要复杂的投影系统的方法。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种光刻投影装置，包括用于调节辐射投射光束的照射系统，用于给投射光束的横截面赋予图案的可单独控制的元件阵列，以及用于保持基底的基底台。该装置还包括第一和第二聚焦元件阵列以及投影系统。第一阵列中的每个聚焦元件可用于将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射。投影系统可用于将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上。第二阵列可设置为使得从一个可单独控制的元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二阵列中的一个聚焦元件，第二阵列中的该聚焦元件将辐射聚焦到基底上的一点。
本发明的另一个实施方式提供一种用于制造器件的方法。该方法包括至少下面的步骤。利用用于构图的可单独控制的元件阵列对从照射系统接收的投射光束进行构图。利用第一聚焦元件阵列的每一个元件将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射。利用投影系统将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上，以使得从一个可单独控制的元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二阵列中的一个聚焦元件，第二阵列中的该元件又将该辐射聚焦到基底上的一点。
本发明的另一个实施方式提供一种用于制造器件的方法，包括至少下面的步骤。提供一基底。利用照射系统调节辐射的投射光束。利用可单独控制的元件阵列对投射光束进行构图。利用第一聚焦元件阵列，其中的每一个元件都用于将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射。利用投影系统将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上，第二阵列可设置为使得从一个可单独控制元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二降列中的一个聚焦元件，第二阵列中的该元件将辐射聚焦到基底上的一点。
在这些实施方式中，如果可单独控制的元件阵列均匀地曝光并投射到基底上，那么用于将光束投射到第一聚焦元件阵列的投影光学系统和将带图案的光束投射到第二聚焦元件阵列上的投影系统的要求与所用的相同。但是，第一聚焦元件阵列仍然可以将一部分辐射光束聚焦到每个可单独控制的元件上，由此允许对更大比例的辐射光束进行调制。
第一聚焦元件阵列可以邻近可单独控制的元件阵列设置，并被均匀照射。第一聚焦元件阵列可以是微透镜阵列，每个微透镜用于将一部分辐射光束聚焦到一个可单独控制的元件上，特别是聚焦到所述可单独控制的元件的有效部分上。用这种方式，第一聚焦元件阵列是辐射入射到可单独控制的元件阵列上之前辐射路径中的最后一个元件。
每个可单独控制的元件可以是衍射光学微机电(MEMS)器件。这种器件的每个元件可以安排在至少两种设置中在第一设置中，有效面积充当平面反射器，将零级辐射反射回到对应的一个聚焦元件中；在第二设置中，其有效面积形成一个光栅，使第一级辐射衍射以远离对应的一个聚焦元件。
投影系统可以设置为将聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上。例如，投影系统可以设置为经由第一阵列中对应的一个聚焦元件将一个可单独控制的元件所反射的零级辐射投射通过投影系统并投射到第二阵列中对应的一个聚焦元件上。第二阵列中对应的聚焦元件将该辐射聚焦到基底上的一点上。在一个实施方式中，第二聚焦元件阵列可以是微透镜阵列。
可单独控制的元件阵列可以安装在基底的一侧上，第一聚焦元件阵列也可以安装在基底上，从而在可单独控制的元件周围形成气密箱。另外，对辐射投射光束基本上是透射的板可安装在基底上，以便在可单独控制的元件周围形成气密箱。第一聚焦元件阵列也可以安装在气密箱中。
围绕可单独控制的元件的气密箱可以被抽空，或者可以充满基本上干净和纯的气体。如果气密箱充满这种气体，那么装置可包括用于在气密箱和气体源之间连接的进气口，和气密箱的出气口，从而使气体能够吹洗气密箱，除去任何杂质和/或污染物。
可以提供一致动器，用于调整第一聚焦元件阵列相对于可单独控制的元件阵列的位置，以确保辐射适当地聚焦在每个可单独控制的元件上。第一聚焦元件阵列也可以包括多个致动器，用于调整每个聚焦元件相对于彼此的位置，以确保辐射精确聚焦到每个可单独控制的元件的有效部分上。
本发明的其他的实施方式，特征和优点以及本发明各个实施方式的结构和操作在下面参考附图详细地进行描述。
在这里结合并构成说明书一部分的附图用于说明本发明，并且与连同描述一起进一步用于解释本发明的原理，使相关领域的普通技术人员能够实现和使用本发明。
图1表示根据本发明一个实施方式的光刻投影装置。
图2表示用于照射可单独控制的元件阵列并用于将带图案的光束投射到基底上的示意性装置。
图3表示适合于用在本发明中的可单独控制的元件阵列的布置。
图4表示图3中示出的可替代的布置。
图5表示图3和4中示出的另一个可替代的布置。
现在参考附图描述本发明。在附图中，相同的参考数字可表示相同的或功能上相似的元件。另外，参考数字的最左边的数字可以标识其中该参考数字首次出现的附图。
具体实施例方式
综述和术语如这里使用的术语“可单独控制的元件阵列”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，从而将所需图案形成在基底的目标部分上；本文中也使用术语“光阀”和“空间光调制器”(SLM)。这种构图部件的示例包括可编程反射镜阵列。可以包括具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的空间滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光到达基底；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。应该理解，可选地，滤光器可以滤除衍射光，保留非衍射光到达基底。衍射光学MEMS器件阵列也可以按照相应的方式使用。每个衍射光学MEMS器件由多个反射带组成，这些反射带可以相对于彼此发生变形，以形成将入射光反射为衍射光的光栅。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以与未寻址反射镜不同的方向将入射的辐射光束反射；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，可单独控制的元件阵列可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891，US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。
可编程LCD阵列。例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。
应该理解，例如在使用预偏置特性，光学接近修正特性，位相变化技术以及多次曝光技术的地方，可单独控制的元件阵列上“显示”的图案可以基本上不同于最终传递到基底的一层或基底上的一层的图案。类似地，最终在基底上产生的图案可以不与可单独控制的元件阵列上任何一个瞬间所形成的图案一致。这可能是在某种布置下出现的情况，其中基底每一部分上形成的最终图案在给定的时间段或者给定次数的曝光中形成，在这一过程中可单独控制的元件阵列上的图案和/或基底的相对位置会发生变化。
在本申请中，本发明的光刻装置具体用于制造IC，但是应该理解，这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以与更普通的术语“基底”或者“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以利用例如轨迹器(一种通常将抗蚀剂层涂敷于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的工具)或者计量工具或检验工具对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里公开的内容可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有408，355，365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)以及粒子束，如离子束或者电子束。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用浸液或使用真空。这里任何术语“镜头”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
照射系统还可以包括各种类型的光学部件，包括用于引导、整形或者控制辐射投射光束的折射，反射和反折射光学部件，这些部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。
光刻装置可以具有两个(二级)或者多个基底台。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
光刻装置也可以是这样一种类型，其中基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。浸液也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如，可单独控制的元件阵列与投影系统的第一个元件之间。湿浸法在本领域是公知的，用于提高投影系统的数值孔径。
光刻投影装置图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置。该装置包括照射系统(照射器)IL，用于调节辐射投射光束PB(例如UV辐射)；可单独控制的元件阵列PPM(例如可编程反射镜阵列)，用于将图案作用于投射光束；一般来说可单独控制的元件阵列的位置相对于物体PL固定；但是取而代之的是，它也可以连接到用于使其相对于物体PL精确定位的定位装置上；基底台(例如晶片台)WT，用于支撑基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的定位装置PW连接；投影系统(“镜头”)PL，用于将通过可单独控制的元件阵列PPM赋予投射光束PB的图案成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上；投影系统可以将可单独控制的元件阵列成像到基底上；另外，投影系统可以使二次光源成像，可单独控制的元件阵列的多个元件为二次光源充当快门；投影系统还可以包括如微透镜阵列(称为MLA)或菲涅耳透镜阵列的聚焦元件阵列，例如用以形成二次光源并将微点(microspot)成像到基底上。
如这里指出的，该装置属于反射型(即具有可单独控制的元件的反射阵列)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(即具有可单独控制的元件的透射阵列)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源是构成光刻装置的一部分，辐射光束借助于输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要连同光束输送系统BD可被称作辐射系统。
照射器IL包括调节装置AM，用于调整光束的角强度分布。通常至少可以调整照射器光瞳面内强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，照射器IL一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器提供辐射的调节光束，称为投射光束PB，该光束在其横截面具有所需的均匀度和强度分布。
光束PB然后与可单独控制的元件阵列PPM相交。由可单独控制的元件阵列PPM反射后，光束PB通过投影系统PL，该系统将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。在使用时，可单独控制的元件阵列的定位装置可用于精确校正例如在扫描期间可单独控制的元件阵列PPM相对于光束PB的光路的位置。一般地，借助于图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台WT的移动。类似的系统也可以用于定位可单独控制的元件阵列。应该理解，可替换地/另外地，投射光束可以是可移动的，而目标台和/或可单独控制的元件阵列可以具有固定的位置，从而提供所需的相对移动。作为进一步的替换，该系统特别适用于平板显示器的制造中，基底台的位置和投影系统可以是固定的，基底可以设置为相对基底台移动。例如，基底台可以设有以基本上恒定速度扫描基底的系统。
尽管根据这里描述的本发明的光刻装置用于曝光基底上的抗蚀剂，但是应该理解，本发明不限于这种用途，该装置可以用于投射在无抗蚀剂光刻中所用的带图案的投射光束。
所示的装置可以按照四种优选模式使用1.步进模式可单独控制的元件阵列将整个图案赋予投射光束，该图案被一次投射到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，从而曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场(exposure field)的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.扫描模式可单独控制的元件阵列沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如Y方向)以速度v移动，以使投射光束PB扫描可单独控制的元件阵列；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率。在扫描方式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定目标部分的高度(沿扫描方向)。
3.脉冲模式可单独控制的元件阵列基本保持不动，利用脉冲辐射源将整个图案投射到基底的目标部分C上。基底台WT以基本上恒定的速度移动，以使投射光束PB扫描基底W上的一条线。根据需要在辐射系统的脉冲之间改变可单独控制的元件阵列上的图案，设定脉冲的时间，从而在基底的所需位置曝光连续的目标部分C。因此，投射光束可以扫描基底W，从而为基底的一条曝光全部图案。重复该过程，直到一条线一条线地曝光全部基底。
4.连续扫描模式与脉冲模式基本相同，除了使用基本上不变的辐射源，并且当投射光束扫描基底并使其曝光时改变可单独控制的元件阵列上的图案。
可以使用上述模式的组合和/或变化，也可以使用与上述模式完全不同的模式。
用于照射可单独控制的元件阵列以便对辐射投射光束构图的装置示于图2中。来自辐射系统的辐射投射光束10借助于分束器11而投射到聚焦元件阵列12上。应该理解，可以使用可替换的装置来将辐射投射到聚焦元件阵列上。例如，以微小的非远心角(non-telecentricangle)投射辐射。优选地，聚焦元件阵列是微透镜阵列。但是，此外，如果需要可以使用可替换的装置，例如菲涅耳透镜或波带片透镜。聚焦元件阵列12中的每个元件都直接将一部分投射光束10聚焦到可单独控制的元件阵列13中的一个可单独控制的元件上。优选地，聚焦元件阵列12设置为将辐射仅仅聚焦到可单独控制的元件的有效面积上。因此，将所有辐射引导至可用于调制辐射的可单独控制的元件阵列13的各部分上，即使可单独控制的元件13松散地排列在一起(pack)，例如由于对每个可单独控制的元件13提供控制的需要。
继续参考图2，从可单独控制的元件阵列13反射的辐射返回通过聚焦元件阵列12，穿过分束器11然后通过投影透镜14。在该装置中，带图案的光束然后入射到场镜16上。场镜16将带图案的光束引导至第二聚焦元件阵列17上，该阵列将该辐射聚焦到基底18上。按照这种方式，将第一聚焦元件阵列12成像到第二聚焦元件阵列17上。
应该理解，可以使用示出和描述的可替换方式将第一聚焦元件阵列12成像到第二聚焦元件阵列17上。优选地，第二聚焦元件阵列17是微透镜阵列(虽然如前所述，也可以使用达到类似效果的其他器件)。应该知道，第一和第二聚焦元件阵列12和17之间的间距关系将通过使第一阵列成像到第二阵列17上的系统的放大率来确定。
在优选的装置中，图2中示意性示出的，在可单独控制的元件阵列13中的每个可单独控制的元件都具有在聚焦元件阵列12中相关联的聚焦元件。该聚焦元件将来自一部分投射光束10的辐射聚焦到可单独控制的元件的有效部分上，并聚集从那里反射的辐射。该反射的辐射然后由投影系统14和场镜16投射到第二聚焦元件阵列17中对应的一个聚焦元件上。然后，后面的聚焦元件将该部分带图案的光束聚焦到基底18上的一点。如所述，可单独控制的元件阵列13中每个可单独控制的元件与第一和第二聚焦元件阵列12，17中每一个阵列的一个聚焦元件相关联。因此，投射光束可以简单而均匀地照射到第一聚焦元件阵列12上，第一聚焦元件阵列12仅仅需要简单地成像到第二聚焦元件阵列17上。因此，该投影光学系统相对简单。
优选地，可单独控制的元件阵列13由衍射光学MEMS器件组成。每个衍射光学MEMS器件由反射面或者设置在至少两个状态中的多个表面组成。
在第一状态中，衍射光学MEMS器件是一个平面反射器，将通过第一聚焦元件阵列12中的聚焦元件聚焦到其上的辐射简单地反射(即零级反射)。该反射的辐射由聚焦元件阵列12中相关联的聚焦元件聚集，并通过投影透镜14和场镜16投射到第二聚焦元件阵列17中的一个聚焦元件上，如上所述。后面的聚焦元件将该辐射聚焦到基底18上的一点上。
当衍射光学MEMS器件处于第二状态时，其形成一个光栅。这可以通过由多个带状反射器组成的衍射光学MEMS器件来实现，所述反射器可被激励，从而使每个其他带沿着与反射面的表面相垂直的方向移动。另外，该反射面可以是连续的，但是例如从其平面形状变换为正弦曲线。不管其实现的方式，对于通过聚焦元件阵列12的聚焦元件聚焦到衍射光学MEMS器件上的那部分辐射光束来说，在该第二状态中的衍射光学MEMS器件相当于一个光栅。因此，由于衍射，来自衍射光学MEMS器件的辐射是第一级衍射辐射，不会直接反射回到聚焦元件阵列12中相关联的一个聚焦元件中。取而代之的是，该辐射可引导至聚焦元件阵列12中一个邻近的聚焦元件中，因此偏离聚焦元件阵列一个大角度。该辐射被阻挡在投影光学系统的光瞳15处，因此不会到达第二聚焦元件阵列17，并且不会聚焦到基底18上。相反，如上所述，聚焦到第一状态的衍射光学MEMS器件上的辐射以零级反射，并且基本上平行于装置的光轴。因此穿过光瞳15，并通过第二聚焦元件阵列17中的一个聚焦元件聚焦到基底18上。因此，仅仅将与第一状态中的衍射光学MEMS器件相关联的辐射投射到基底18上，由此产生需要的图案。
第一可单独控制的元件阵列13中的可单独控制的元件可以密封在外壳中，以保护它们不受可能对它们造成损坏的气体或者妨碍它们操作的污染物颗粒所引起的污染。图3示出这样一种装置25。
在图3中，可单独控制的元件阵列26由具有可单独控制的元件28的基底27构成，该可单独控制的元件28安装在基底27的一侧。聚焦元件阵列29由支架31中安装的聚焦元件30如微透镜构成。聚焦元件阵列29安装在可单独控制的元件阵列上以形成气密箱32。如图所示，这可借助于安装壁33来实现。但是应该理解，这些元件可以通过从可单独控制的元件阵列的基底27的突起和/或从聚焦元件阵列的支架31的突起来代替。在任何情况下，这些部件都可以借助于共晶结合或其他已知的精密结合技术而结合在一起。按照这种方式，聚焦元件阵列29用作气密箱的一个边。
图4示出这种装置35的可替换布置，其中该气密箱42由基底37(可单独控制的元件阵列36的可单独控制的元件38安装在基底上)，侧壁43和板44的组合而形成，板44的材料对于所用的辐射基本上是透射的。如前所述，由聚焦元件40和支架41构成的聚焦元件阵列39安装在气密箱42中。如前所述，侧壁可以是基底或辐射透射板的一部分。
图5示出图3和图4中所示装置25，35的进一步变形。在这种情况下，使壁53延伸，以使气密箱由壁53和辐射透射板54形成。可单独控制的元件阵列46和聚焦元件阵列49分别安装在气密箱中。
气密箱可以被抽空，优选低于100毫托(mTorr)，或者充满基本上纯的，干净的气体(例如，氮，氩，或者其他惰性气体)。如果需要，气密箱可以用气体吹洗。例如可以存在与气密箱相连的进气口和出气口。然后使进气口连接纯净气体源以便吹洗气密箱，确保即使气密箱不理想，使少量污染物进入，或者如果在气密箱中产生污染物，也能够使污染物水平保持很低。
为了确保聚焦元件30，40，50与对应的可单独控制的元件28，38，48正确对准，可提供多个致动器，以调整聚焦元件阵列29，39，49相对于可单独控制的元件阵列26，36，46的位置。另外或者可替代地，可以为调整聚焦元件30，40，50相对于彼此的位置而提供许多致动器。所用的这些致动器可以是压电致动器，特别是在用于调整聚焦元件30，40，50相对于彼此的位置的致动器的情况下，或者可以是洛伦兹致动器，特别是在调整聚焦元件阵列29，39，49相对于可单独控制的元件阵列26，36，46的位置的情况下。应该理解，也可以使用用于精确控制位置的其他公知的装置，例如热电子的致动或者声学调制。
结论尽管上面已经描述了本发明的各个实施方式，但是应该理解，这些实施方式仅仅以例子而不是限制的方式存在。相关领域的普通技术人员将明白，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以在形式上和细节上做各种改变。因此，本发明的广度和范围不应该受任何上述示范性实施方式的限制，而仅仅应该依照下面的权利要求及其等效方案进行限定。
权利要求
1.一种光刻投影装置，包括用于调节辐射投射光束的照射系统；用于给投射光束的横截面赋予图案的可单独控制的元件阵列；用于保持基底的基底台；第一聚焦元件阵列，每个聚焦元件将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射；投影系统，将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上，第二阵列在操作上设置为使得从一个可单独控制的元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二阵列中的一个聚焦元件，第二阵列中的该聚焦元件将辐射聚焦到基底上的一点上。
2.根据权利要求1的装置，其中将引导至每个可单独控制的元件上的那部分辐射光束聚焦到可控制元件的有效部分上。
3.根据权利要求1的装置，其中第一聚焦元件阵列邻近可单独控制的元件阵列设置，辐射系统基本上均匀地照射聚焦元件阵列。
4.根据权利要求1的装置，其中所述第一聚焦元件阵列包括微透镜阵列，每个微透镜将辐射聚焦到一个可单独控制的元件上。
5.根据权利要求1的装置，其中所述第一聚焦元件阵列设置为在辐射入射到可单独控制的元件阵列之前辐射路径中的最后一个元件。
6.根据权利要求1的装置，其中每个可单独控制的元件是衍射光学微机电器件，由此在第一设置的情况下，所述微机电器件的有效面积充当平面反射器，将零级辐射反射回到第一聚焦元件阵列中对应的一个聚焦元件中，在第二设置的情况下，所述微机电器件的所述有效面积形成一个光栅，该光栅将第一级辐射远离第一聚焦元件阵列中对应的一个聚焦元件衍射。
7.根据权利要求1的装置，其中第二聚焦元件阵列包括微透镜阵列。
8.根据权利要求1的装置，其中可单独控制的元件阵列和第一聚焦元件阵列都安装在气密箱中。
9.根据权利要求8的装置，其中气密箱基本上被抽空。
10.根据权利要求8的装置，其中气密箱抽空为小于大约100毫托。
11.根据权利要求8的装置，其中气密箱充满基本上纯的，干净的气体。
12.根据权利要求11的装置，进一步包括在所述气密箱和所述气体源之间连接的进气口，以及所述气密箱的出气口，允许所述气体吹洗该气密箱。
13.根据权利要求1的装置，其中可单独控制的元件阵列包括一基底，可单独控制的元件安装在基底的一侧；以及第一聚焦元件阵列安装在可单独控制的元件阵列上，从而在可单独控制的元件周围形成气密箱。
14.根据权利要求13的装置，其中气密箱基本上被抽空。
15.根据权利要求13的装置，其中气密箱抽空为小于大约100毫托。
16.根据权利要求13的装置，其中气密箱充满基本上干净和纯的惰性气体。
17.根据权利要求16的装置，进一步包括在所述气密箱和所述气体源之间连接的进气口，和所述气密箱的出气口，允许所述气体吹洗该气密箱。
18.根据权利要求1的装置，其中可单独控制的元件阵列包括一基底，可单独控制的元件安装在基底的一侧；对辐射投射光束基本上是透射的板安装在基底上，以便在可单独控制的元件周围形成气密箱；以及第一聚焦元件阵列安装在该气密箱中。
19.根据权利要求18的装置，其中气密箱基本上被抽空。
20.根据权利要求18的装置，其中气密箱抽空为小于大约100毫托。
21.根据权利要求18的装置，其中气密箱充满基本上干净和纯的惰性气体。
22.根据权利要求21的装置，进一步包括在所述气密箱和所述气体源之间连接的进气口，和所述气密箱的出气口，允许所述气体吹洗该气密箱。
23.根据权利要求1的装置，进一步包括一致动器，该致动器调整第一聚焦元件阵列相对于可单独控制的元件阵列的位置。
24.根据权利要求1的装置，进一步包括多个致动器，用于调整在所述第一阵列中每个聚焦元件相对于彼此的位置。
25.一种用于制造器件的方法，包括提供一基底；利用照射系统调节辐射的投射光束；利用可单独控制的元件阵列对投射光束进行构图；利用第一聚焦元件阵列，每一个第一聚焦元件都用于将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射；利用投影系统将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上，第二阵列可设置为使得从一个可单独控制的元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二阵列中的一个聚焦元件，第二阵列中的该元件将辐射聚焦到基底上的一点上。
26.一种用于对基底构图的方法，包括利用用于构图的可单独控制的元件阵列对从照射系统接收的投射光束进行构图；利用第一聚焦元件阵列的每一个第一聚焦元件将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射；利用投影系统将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上，从而使得从一个可单独控制的元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二阵列中的一个聚焦元件，第二阵列中的该元件将该辐射聚焦到基底上的一点上。
全文摘要
利用一种系统和方法对基底构图。利用可单独控制的元件阵列对从辐射系统接收的投射光束进行构图。利用第一聚焦元件阵列的每个元件将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射。利用投影系统将第一聚焦元件阵列的像投射到第二聚焦元件阵列上，以使得从一个可单独控制的元件反射的辐射经由第一聚焦元件阵列中的一个聚焦元件和投影系统投射到第二阵列中的一个聚焦元件上，第二阵列中的该元件将该辐射聚焦到基底上的一点。
文档编号G03F7/20GK1637605SQ20041001146
公开日2005年7月13日 申请日期2004年12月21日 优先权日2003年12月22日
发明者P·W·H·德贾格 申请人:Asml荷兰有限公司