专利名称：光刻投影组件、用于处理基底的处理装置和处理基底的方法
技术领域：
本发明涉及一种包括基底处理器和光刻投影装置的光刻投影组件，其中，基底处理器包括处理室，光刻投影装置包括投影室，投影室与处理室相通，用于将要处理的基底从处理室调换到投影室并且将已处理的基底从处理室调换到投影室。
光刻投影装置通常包括-用于提供辐射投影光束的辐射系统；-用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据理想的图案对投影光束进行构图；-用于保持基底的基底台；-用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。
背景技术：
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也可使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
-程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施方案利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地相对一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
-可程控LCD阵列，例如由美国专利US5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或者步进重复装置。另一种装置(通常称作步进扫描装置)通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割等技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导线加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、成形或者控制辐射投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
在典型的光刻装置中，基底通过基底轨道和基底处理器传输到光刻投影装置的基底台。在基底轨道中，进行基底表面的预处理。基底的预处理通常包括至少部分地用辐射敏感材料(抗蚀剂)涂覆基底。另外，在成像步骤之前，基底可以经过各种其它预处理程序，例如，打底和弱烘烤。在基底预处理之后，通过基底处理器将基底从基底轨道传输到基底台。
基底处理器通常适于在基底台上准确地定位基底并且还可以控制基底的温度。
对于某种光刻投影装置，例如，采用极远紫外辐射(短EUV辐射)的装置，必需在真空中进行对基底的投影。因此，基底处理器应当适于将已预处理的基底传送到真空中。通常意味着至少在基底轨道中基底的预处理之后，基底的处理和温度控制必须在真空中完成。
另一种类型的光刻投影装置，例如，在N2环境中采用157nm辐射运转的装置，必需保持特定的气体环境，例如N2环境。因此，基底处理器应当适于将预处理的基底传送到特定气体环境中。通常意味着至少在基底轨道中基底的预处理之后，基底的处理和温度控制必须在特定气体环境中完成。
发明内容
第一方面本发明的目的是提供一种光刻投影组件，该光刻投影组件具有能够采用有限数量的传输装置，以便在第一环境，如基底轨道，与通常包括基底台的投影室之间有效传送基底的设计。
根据本发明的光刻投影组件可以实现该目的和其它目的，该光刻投影组件包括●至少两个装载锁闭装置(load locks)，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的气压；●基底处理器，包括处于第二环境的处理室；●光刻投影装置，包括投影室；处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移到处理室。在这方面，应当注意，装载位置和卸载位置可以是同一位置，也可以是不同位置；处理室设有●预处理装置，例如，用于基底预处理的预对准装置和/或热处理装置；和●传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。
装载锁闭装置使基底能够从第一环境，例如大气压状态，进入具有比第一环境更低的气压的第二环境，第二环境为例如真空或者近真空。在处理室中主要处于第二环境。处理室包括传输装置，用于将基底从装载锁闭装置传送到投影室并且反过来也是一样。处理室还包括预处理装置，例如预对准装置，用于精确定位基底，使得随后在投影室中可以非常精确地处理基底；和/或热处理装置，用于基底的热处理，以使其达到预定的温度和/或使整个基底的温度均匀和/或调节基底的温度。预处理装置通常包括用于相对某个参考点确定和/或校正基底位置的装置。通过设置至少两个装载锁闭装置，增加了要在投影装置中处理的基底以及已在投影装置中处理的基底的产量，反过来，需要增加传输装置的数量，例如机械手的数量，或者提高传输装置的处理速度。
根据一个实施例，投影室为真空室，并且光刻投影装置包括真空装置，以在真空室中形成或保持真空。这种光刻投影装置特别适于需要在真空中处理基底的EUV辐射的应用。真空理解为绝对气压低于0.1bar。
根据一个实施例，传输装置包括一个，特别是仅有一个具有夹持器的操纵器，并且，光刻投影组件包括控制装置，该控制装置适于控制操纵器进行如下动作●从一个装载锁闭装置拾取基底，并将所述基底传送至预处理装置；●从预处理装置拾取基底，并将所述基底传送至装载位置；和●从卸载位置拾取基底，并将所述基底传送至一个装载锁闭装置。
该实施例使采用最少数量的操纵器成为可能，进而节省了空间和成本。
根据另一个实施例，光刻投影组件的特征在于传输装置包括具有第一夹持器的第一操纵器和具有第二夹持器的第二操纵器，并且，光刻投影组件包括控制装置，该控制装置适于控制第一和第二操纵器进行如下动作●用第一夹持器从一个装载锁闭装置拾取基底，并将所述基底传送至预处理装置；●用第二夹持器从预处理装置拾取基底，并将所述基底传送至装载位置；和●用第一夹持器从卸载位置拾取基底，并将所述基底传送至一个装载锁闭装置。
通过提供第一和第二操纵器和相应的控制装置，实现了第二操纵器仅将要处理的基底传送至投影室。
也就是说，在预处理装置中预处理之后，基底由第二夹持器非常精确地进行处理，同时，使得第一夹持器可以以较低的精确度运转，反过来，对第一夹持器和操纵器提出较低的要求。可任选地，预处理装置可以包括预对准装置，该预对准装置预对准基底以提高基底的位置精度。第一夹持器只是向装载锁闭装置传送已处理的基底，并且将要处理的基底从装载锁闭装置移开。因此，通过使用一个操纵器将基底向装载锁闭装置传送和从装载锁闭装置移开，在基底运输繁忙的区域中实现了节省空间配置。此外，通过使用第二操纵器将基底运送至投影室并且通过使用第一操纵器将基底从投影室移开，提高了基底在投影室和处理室之间的交换速度。
为了提高产量，根据本发明的一个实施例，第一和/或第二夹持器具有热处理装置是有利的，该热处理装置用于使基底达到预定的温度和/或使整个基底的温度均匀，和/或调节基底的温度。通过这样做，用于基底传送的时间同时用于基底的热处理。基底温度的调节将使所述基底的失调最小化。
为了使所需操纵器的数量最少，根据本发明的一个实施例，当至少两个装载锁闭装置包括第一和第二装载锁闭装置时，设置单个操纵器或者第一操纵器，使其与所述第一和所述第二装载锁闭装置相配合是有利的。这样，从基底处理器一侧，两个装载锁闭装置都提供给一个并且是同一个操纵器。此外，该配置提高了基底的产量。当采用用于各装载锁闭装置的操纵器，以将基底放置在第一装载锁闭装置内或者将基底从第一装载锁闭装置取回时，第二装载锁闭装置可同时用于在第一环境和第二环境之间传送基底。
根据本发明的又一个实施例，至少一个装载锁闭装置，例如第一装载锁闭装置和/或第二装载锁闭装置，具有第一和第二基底支撑位置。这样，增加了至少一个装载锁闭装置的使用灵活性。例如，当一个装载锁闭装置向基底处理器提供要处理的基底时，操纵器可以首先将已处理的基底运送至装载锁闭装置的一个空闲支撑位置，然后将提供的要处理的基底取走。减少了由操纵器进行的移动次数。
根据本发明的又一个实施例，第一和第二装载锁闭装置连接到基底轨道，用于将基底提供给第一和第二装载锁闭装置以及将基底从第一和第二装载锁闭装置移开。
根据本发明的又一个实施例，光刻投影装置还包括第三装载锁闭装置，用于将物体例如基底从第三环境传送至第二环境，第三装载锁闭装置在面向第三环境的一侧可以自由进入。这种可以自由进入的第三装载锁闭装置在一方面能够将特殊物体插入光刻投影装置，例如替换的部件、工具等等因为某种原因需要插入光刻投影装置的物体。这样，通过第三装载锁闭装置可以保持处理室和/或投影室内的真空或者近真空条件。为了能够用第三装载锁闭装置作为临时缓冲器或者存储位置，根据本发明的一个实施例这样做是有利的，当控制装置适于用所述传输装置将基底放置在第三装载锁闭装置内时，当所述放置的基底在第三装载锁闭装置中时保持第三装载锁闭装置外部的门关闭，并且在用所述传输装置传送其它基底之后，用同一传输装置夹持器拾取和传送所述放置的基底。
为了提高光刻投影装置的灵活性，根据本发明的一个实施例，使控制装置适于彼此独立地控制各装载锁闭装置是有利的。也就是说，装载锁闭装置并不彼比相互相位耦合，除非控制装置在各装载锁闭装置上强加某个相位差。实际上，装载锁闭装置可以由事件驱动，并且该事件在控制装置的控制下。
根据本发明的又一个实施例，所述至少两个装载锁闭装置中的一个或者多个包括一个附加门，用于将物体例如基底从第四环境传送至第二环境，附加门面向第四环境，并且可以自由进入。这种可以自由进入的附加门能够将特殊物体插入光刻投影装置，例如替换的部件、工具等等因为某种原因需要插入光刻投影装置的物体。这样，当在装载锁闭装置的第一环境一侧位置保持不变而没有与装载锁闭装置断开时，通过附加门可以保持处理室和/或投影室内的第二环境真空。此处，可以自由进入意味着无需移动硬件的大部分，可由操作者操作出入，装载锁闭装置或者其附加门还可任选地用盖子密封。
根据本发明的又一个实施例，预处理装置包括热处理装置，用于使基底达到预定的温度和/或使整个基底的温度均匀。通过提供具有热处理装置的预处理装置，在装载锁闭装置中可以无须热处理或者在装载锁闭装置中仅存在适度热处理。这样，提高了装载锁闭装置的流通量，该流通量是总体上光刻投影装置的总产量的决定因素之一。另一个优点是，当预处理装置还包括预对准装置时，由于预对准任务花费相当长的时间，热处理装置与预对准装置的结合导致热处理与预对准同时有效进行。
根据本发明的又一个实施例，基底为半导体晶片。
根据本发明现在第一方面的一个子方面，本发明还涉及一种用于处理基底的处理装置，包括根据本发明的组件，但是没有投影装置。这种处理装置称为基底处理装置，可以更清楚地限定为包括●至少两个装载锁闭装置，用于将基底从第一环境传送至第二环境，第二环境具有比第一环境更低的压力；●基底处理器，包括主要处于第二环境的处理室；处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入下一个位置，另一方面，卸载位置用于将基底从下一个位置移到处理室。
处理室设有●预处理装置，用于基底的处理；和●传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。
对于作为根据本发明的光刻投影组件的处理装置和基底处理装置，还包括轨道是有利的，其中，至少两个装载锁闭装置设置在轨道和基底处理器之间。
根据本发明第一方面的一个子方面，还提供了一种用于处理基底的方法，包括以下步骤a)通过所述至少两个装载锁闭装置中的一个的外部门，将基底从第一环境传送到所述装载锁闭装置内；b)关闭所述外部门并将所述装载锁闭装置内抽空；c)打开所述装载锁闭装置的内部门；d)用第一操纵器从所述装载锁闭装置拾取基底，并且用所述第一操纵器将基底传送至预处理装置；e)用预处理装置处理基底；f)用所述第一操纵器或第二操纵器从预处理装置拾取基底；g)用所述第一操纵器或第二操纵器将从预处理装置拾取的基底传送至装载位置；h)处理基底并将基底运送至卸载位置；i)用所述第一操纵器从卸载位置拾取基底并将基底通过内部门传送至所述装载锁闭装置或者通过内部门传送至另一个装载锁闭装置；j)关闭相应的内部门并使相应装载锁闭装置通气；和k)打开相应的装载锁闭装置，并将基底从所述相应装载锁闭装置移开。
该方法可以用最少的操纵器在时间上有效地进行。更多的优点在公开的前述部分清楚地描述。
为了使要在投影室中处理的基底达到某个温度，在步骤c)之前，在步骤b)的抽空步骤期间和/或之后，热处理基底是有益的。这时，可以例如利用抽空所需的时间，对基底进行至少一部分它所需经历的热处理。
根据又一个实施例，可以在基底在预处理装置中时对基底进行热处理。这时，可以有利地利用预对准所需的时间，该时间相当长，对基底进行部分或全部所需的热处理。
为了提高第一环境和第二环境之间的交换速度，根据本发明的一个实施例，在对于一个装载锁闭装置进行步骤d)时，同时在另一个装载锁闭装置中进行步骤a)和/或b)和/或c)和/或j)和/或k)是有益的。
根据本发明的又一个实施例，基底为半导体晶片。
根据这个方面的又一个子方面，本发明提供一种根据本发明的第一方面的光刻投影装置的运行方法，包括启动模式、正常运行模式和空转模式，所述至少两个装载锁闭装置每个具有抽气周期和通气周期，其中，在抽气周期各装载锁闭装置内的压力降低，在通气周期各装载锁闭装置内的气压升高，其中，在启动模式中，在没有基底存在于相应的装载锁闭装置内时，所述至少两个装载锁闭装置中的至少一个进行通气周期，同时，在基底存在于相应的装载锁闭装置时，相应的装载锁闭装置进行抽气周期；其中，在正常运行模式中，在基底存在于相应的装载锁闭装置时，所述至少两个装载锁闭装置中的至少一个进行抽气周期和通气周期；其中，在空转模式中，在没有基底存在于相应的装载锁闭装置内时，所述至少两个装载锁闭装置中的至少一个进行抽气周期，同时，在基底存在于相应的装载锁闭装置时，相应的装载锁闭装置进行通气周期。
该方法有效利用所述至少两个装载锁闭装置或者至少一个装载锁闭装置(参见下面一些段落中这方面论述)，以及传输装置，用于例如连续运转几天，使根据本发明的光刻投影组件具有相当高的产量。在例如在光刻投影组件中或者在将要处理的基底送入装载锁闭装置的过程中发生基底停滞的情况下，控制装置将从正常运转模式切换到空转模式。根据情况，空转模式可以运转很长时间或者很短时间，例如仅一个装载锁闭装置的一个通气周期。当停滞解决时，控制装置可以根据情况直接切换到正常运转模式或者切换到启动模式，很可能稍后切换到正常运转模式，尽管也可能根据情况退回切换到空转模式。这样，启动模式和空转模式不仅仅发生在基底制作的开始或者基底制作的结束，也可能在制作过程中发生。因此，根据一个优选实施例，可以根据在光刻投影装置中基底的处理过程中发生的情况，以任意顺序重复一个或多个启动模式、正常运转模式和空转模式。
根据本发明的该方法，在仅有一个单个的装载锁闭装置并且该装载锁闭装置具有第一和第二基底支撑位置的情况下，可以获得高效率。当然，也可以应用于不止一个装载锁闭装置，有利地全部或仅有一些装载锁闭装置具有第一和第二基底支撑位置。但是，在具有两个或者更多的装载锁闭装置的情况下，所有装载锁闭装置或者某些装载锁闭装置仅具有一个基底支撑位置时效率也很高。
根据本发明第一方面的光刻投影组件还可以在仅具有一个装载锁闭装置的情况下运转，即可以用“至少一个装载锁闭装置”替换权利要求中的用语“至少两个装载锁闭装置”。替换后将失去“至少两个装载锁闭装置”的某些优点，但是，还有许多其它的优点适用“一个装载锁闭装置”的情况。
此外，可以理解，根据本发明的第一方面，操纵器，例如单个操纵器和/或第一操纵器和/或第二操纵器，不但可以仅设有一个夹持器(优选的)而且可以设有两个或更多的夹持器。
第二方面第二方面是关于用于光刻投影装置的装载锁闭装置。“装载锁闭装置”是用于将物体例如基底从第一环境传送至第二环境的装置，其中一个环境的压力低于另一个环境的压力。
根据现有技术，装载锁闭装置设有一个支撑位置。该支撑位置用于将来自第一环境要传送的物体传送至第二环境，也可以将来自第二环境要传送的物体传送至第一环境。
在物体从第一环境至第二环境的传送过程中，抽空装载锁闭装置的内部。抽空将花费一定的时间。为了增加要从第一环境传送至第二环境的物体的数量，可以提高抽空处理的速度。但是，根据现有技术，装载锁闭装置的抽空仍旧需要少量时间。
本发明第二方面的目的在于提高光刻投影装置的产量，其中，容纳光刻投影装置元件所需的空间相当小。
根据本发明的第二方面提供一种光刻投影装置可以实现该目的和其它目的，该光刻投影装置包括●至少一个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送物体，例如基底，第二环境具有比第一环境更低的压力；●物体处理器，包括主要处于第二环境的处理室；●光刻投影装置，包括投影室；处理室和投影室相通，用于交换物体；其中，装载锁闭装置包括●装载锁闭装置室；●抽空装置，用于抽空装载锁闭装置室；●门装置，用于在抽空过程中封闭装载锁闭装置室，以及打开装载锁闭装置室以使物体进入装载锁闭装置室或者从装载锁闭装置室移出；其中，装载锁闭装置室设有至少两个物体支撑位置。
在装载锁闭装置内设置至少两个物体支撑位置例如第一和第二支撑位置的优点在于，在一个装载锁闭装置周期中，可以将第一物体放置在第一物体支撑位置，并且将第二物体从另一个支撑位置移开。例如，当打开装载锁闭装置将装载锁闭装置的内部与第二环境相连接时，可以首先将已处理的基底放置在一个物体支撑位置上，然后将已经放置在另一个物体支撑位置的要处理的基底移开。随后，在关闭装载锁闭装置并将装载锁闭装置与第一环境通气之后，装载锁闭装置的内部与第一环境相连接，并且可以将已处理的基底移开，插入一片新的要处理的基底。然后，可以抽空装载锁闭装置，可以重复前面的过程。该过程能够时间有效地在第一和第二环境之间传送物体，例如基底。另外，可以保持移动装置例如操纵器如机械臂所需时间，以及夹持和操纵物体例如基底在第一环境和第二环境之间传送所需时间最小。
当抽空装载锁闭装置内部时，压力差将影响装载锁闭装置室内的温度。此时，在装载锁闭装置室内的物体例如基底的温度也将受到影响。对于要在光刻投影装置中处理的物体，物体的温度是需要受到控制的因素之一。特别适用于当物体自身在光刻投影装置中时，但是，这还意味着在向光刻投影装置的传送过程中，应当注意基底的温度。
为了改善在传送物体通过装载锁闭装置的过程中的温度控制，根据本发明的一个实施例，装载锁闭装置包括体积减小装置，用于减小与放置在所述至少一个物体支撑位置上的物体表面相邻的气体体积。由于采取了这种措施，与物体表面相邻的气体的体积将最小。也就是说，在物体传送过程中由压力差引起的温度差将保持最小。
根据本发明第二方面的一个实施例，所述至少一个物体支撑位置包括一个支撑板，其尺寸大约等于或者大于被支撑的物体；一个顶板，设置在所述至少一个物体支撑位置上方，该顶板的尺寸大约等于或者大于物体；和体积降低装置，包括升降装置，用于●在装载锁闭装置室抽空之前和/或过程中，减小所述至少一个物体支撑位置的支撑板和顶板之间的距离；和●在物体从所述至少一个物体支撑位置移开或者运送至所述至少一个物体支撑位置之前，增大支撑板和顶板之间的距离。
支撑板的尺寸大约等于或大于被支撑物体的含意为在物体为基底的情况下，防止基底的支撑侧与邻接基底的气体体积接触，或者，如现有技术所公知的，当支撑板为有小突起的板时，支撑侧具有与存在于基底支撑侧、支撑板和支撑板的小突起之间的气体体积的有限接触。顶板可以是设置在装载锁闭装置室中以及装载锁闭装置室壁上的单独板元件，或者任何存在于装载锁闭装置室内的元件的平坦表面，同样需要具有大约等于或者大于基底的尺寸，以使与基底上表面相邻的气体体积最小。
根据本发明第二方面的又一个实施例，当相应的顶板优选以固定的方式设置在装载锁闭装置室内时，装置的位置适于起支撑板的作用。这种设置的优点在于，减少了基底从夹持器到基底支撑位置、或者反过来基底从基底支撑位置到夹持器的全部处理所需的时间。
根据本发明第二方面的又一个实施例，定位装置设置在装载锁闭装置室的侧面和/或装载锁闭装置室的顶部和/或装载锁闭装置室的底部。这种设置使装载锁闭装置可以从前面以及背面自由进入。
为了补偿在通过装载锁闭装置室传送过程中和/或物体在最初阶段进行温度处理时作用在物体上的温度影响，根据本发明的实施例，优选装载锁闭装置的所述至少两个支撑位置中的一个或多个包括热处理装置，用于使物体达到预定的温度和/或使整个物体的温度均匀。
在第二方面，根据本发明的一个实施例，支撑板的所述至少两个支撑位置中的一个或多个设有热处理装置。这种热处理装置可以例如以管路的形式，如管或槽，设置在相应的支撑板的内部，通过该管路抽吸流体以控制支撑板的温度并且通过支撑板控制物体的温度。
根据本发明第二方面的又一个实施例，所述至少两个支撑位置中的两个被设置为一个放置在另一个上面。在这种情形下，热处理装置放置在所述两个支撑位置之间是有利的。如前面所描述的，热处理装置可以例如是具有内部管路的板，通过该管路抽吸液体。这种配置的优点在于，通过提供可以用于在所述热处理装置上面的支撑位置和在所述热处理装置下面的支撑位置的热处理的热处理装置，节省空间和元件。在使用一个和同一个装载锁闭装置以使在光刻投影装置中处理的物体和在光刻投影装置中已处理的物体进行传送的情况下，应当注意，通常，热处理对于还要处理的物体特别重要，而对于已经处理的物体不太重要，但是根据后处理过程，仍旧具有一定的重要性。也就是说，设置在两个支撑位置之间的热处理装置无需对于两个支撑位置等效，至少假定支撑位置中的一个是用于还要处理的物体并且另一个支撑位置是用于已经处理的物体。
如已经指出的，根据本发明的一个实施例，当热处理装置包括管路，例如管或槽，和用于通过所述管路抽吸液体的液体抽吸系统是有利的，其中，所述管路设置在支撑板和/或装载锁闭装置室的一个或多个壁的内部。
根据本发明第二方面的又一个优选实施例，装载锁闭装置室包括一个顶壁和一个底壁，其中，抽空装置包括设置在负载室底壁的抽气孔，并且，其中，装载锁闭装置包括设置在装载锁闭装置室顶壁的通气孔。通过从底壁抽气并且从顶壁通气，装置中的气流将从顶部到底部流动。也就是说，如果存在微粒，将通过气体从装载锁闭装置的上部到底部传输。微粒将沉积在装载锁闭装置室的底部或者从装载锁闭装置室中除去。在这个方面，优选通气孔和抽气孔相对于支撑位置居中设置，并且支撑位置一个设置在另一个上面。这就提供了利用在抽气和/或通气过程中在装载锁闭装置室内产生的气流、去除可能置于或可能粘附于放置在装载锁闭装置室内的基底上的微粒的可能性。顶壁和/或底壁可以固定，但不必需固定，为了维修的目的，顶壁和/或底壁可以移动是有利的。
根据第二方面的又一个实施例，投影室为真空室，并且光刻投影装置包括用于形成和保持真空室中的真空的真空装置。真空意为绝对气压约0.1bar或更低。
根据本发明第二方面的又一个实施例，投影装置包括-用于提供辐射投影光束的辐射系统；-用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；-用于保持基底的基底台；-用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。
根据本发明第二方面的又一个实施例，物体为半导体晶片。
根据本发明第二方面的又一个实施例，门装置包括朝向第一环境的第一门和朝向第二环境的第二门。具有两个门，每个门朝向一个环境，这避免了必须操纵装载锁闭装置室。装载锁闭装置室可以安装在固定的位置。这增加了装载锁闭装置输入的速度。
为了提高根据本发明的一个实施例的光刻投影组件的产量，光刻投影组件包括两个或更多个装载锁闭装置是有利的。装载锁闭装置流通量的限制因素为通气和抽空所需的时间。通过设置两个或更多个装载锁闭装置，在一个时间段中可以向第二环境提供更多的物体。例如，一个装载锁闭装置可以朝向第二环境打开，同时，另一个装载锁闭装置已经装有其后要传送到第二环境中的物体。
根据本发明的第二方面，本发明还涉及如上所述的装载锁闭装置。换句话说，本发明还涉及一种用于将物体，例如基底在第一环境和第二环境之间传送的装载锁闭装置，第二环境具有比第一环境更低的压力；其中，装载锁闭装置包括●装载锁闭装置室；●抽空装置，用于抽空装载锁闭装置室；●门装置，用于在抽空过程中封闭装载锁闭装置室，以及打开装载锁闭装置室以使物体进入装载锁闭装置室或者从装载锁闭装置室移出；其中，装载锁闭装置室设有至少两个物体支撑位置。
也可以将有关光刻投影组件的从属权利要求看作根据该装载锁闭装置权利要求的权利要求，以形成装载锁闭装置的优选实施例。
根据本发明的第二方面，本发明还涉及一种根据本发明的装载锁闭装置装置和一种晶片轨道系统，其中，门装置面向第一环境，向晶片轨道系统开口。
根据第二方面，本发明还涉及一种用于在第一环境和第二环境之间传送物体，例如基底的方法，该方法使用一种装载锁闭装置，优选上述装载锁闭装置，所述装载锁闭装置具有装载锁闭装置室，该方法包括-将第一物体放置在装载锁闭装置室内的第一物体支撑位置上，-关闭所述装载锁闭装置以封闭物体，-用抽空装置抽空装载锁闭装置，-打开所述装载锁闭装置，以将装载锁闭装置连接至第二环境；-将第二物体放置在装载锁闭装置室内的第二物体支撑位置上，并且将第一物体从第一物体支撑位置上移开。该方法的优点可以从前面关于光刻投影装置的描述中清楚地看出。
根据本发明第二方面的方法的实施例，当该方法此后包括以下步骤时是有利的关闭装载锁闭装置以封闭第二物体，使装载锁闭装置通气，打开装载锁闭装置，以将装载锁闭装置连接至第一环境，和从装载锁闭装置移去第二物体。
当第一物体移开之前进行第二物体的定位时，以及当用同一个夹持器进行所述定位和移开时，可以提高根据本发明的实施例的方法的产量。
因为前面说明的原因，根据本发明的一个实施例的方法有利地包括在抽空装载锁闭装置之前，减小邻接位于第一物体支撑位置上的第一物体的气体的体积。
一般性说明在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“中间掩模版”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和极远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
可以清楚地看出，本发明包括多个方面。每个方面都独立于其它方面，但是，一个或多个方面，或各个方面的各部分可以根据本发明有利地彼此组合。
本发明的实施例将参照附图，仅仅通过实例方式进行描述，在附图中相应附图标记和数字表示相同的部分，其中图1示意地描述根据本发明的一个实施例的光刻投影装置。
图2示意地描述根据本发明的一个实施例的光刻投影组件的分离模块的整体布局。
图3描述根据本发明的第一实施例的光刻投影组件。
图4描述根据本发明的第二实施例的光刻投影组件。
图5描述根据本发明的一个实施例的装载锁闭装置的横截面。
图6描述根据本发明的一个实施例的装载锁闭装置与图5(沿线VI-VI)正交的横截面。
在下面的描述中，所有附图相同的附图标记或数字表示相同的部件。
具体实施例方式
图1示意地描述根据本发明的一个具体实施方案的光刻投影装置(LP)。该附图的描述旨在表示光刻投影装置的各部分。该装置的包括-辐射系统Ex，IL，用于提供一种辐射投影光束PB(例如EUV辐射)，在这种具体例子中，该辐射系统还包括一辐射源LA；-第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如中间掩模版)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；-第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；-投影系统(“镜头”)PL(例如反射镜组)，用于将掩模MA的受辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯(die))上。
如这里指出的，该装置属于反射型(即具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图装置，如上述涉及的程控反射镜阵列型。
辐射源LA(例如等离子体辐射源)产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex等调节装置后，再馈送到照射系统(照射器)IL中。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它组件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与步进扫描装置相对)，掩模台MT可与短行程致动装置连接，或者固定。可以用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2而使掩模MA和基底W对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投影(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投影光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
图2示意性描述根据本发明的一个实施例的光刻投影组件LPA各个分离模块的整体布局。该附图旨在表示用于本发明的模块。
整体布局包括-两个装载锁闭装置LL，用于在第一环境和第二环境之间传送基底。在模块HC和LP中主要处于具有比第一环境更低的压力的第二环境；-处理室HC，该处理室HC设有预处理装置，例如预调整装置和/或热处理装置，用于对基底进行预处理；和传送装置，用于将基底从装载锁闭装置LL传送到预处理装置，并且又从预处理装置传送到光刻投影装置LP中的装载位置，以及以相反方向将基底从光刻投影装置LP的卸载位置传送到装载锁闭装置LL。
-光刻投影装置，如上面所更详细地描述的。
装载锁闭装置和处理室HC通常用基底处理器SH表示或者如果正在处理的是晶片时用晶片处理器表示。
光刻投影装置包括一个投影室，该投影室包括在其中的基底台WT以及附图1中的第二定位装置PW和用于抽空投影室的抽空装置。在下面将详细地描述装载锁闭装置和控制室的作用。
图3和图4分别描述根据本发明的第一和第二实施例的光刻投影组件的。在这两张附图中都具有下述模块-两个装载锁闭装置LL-处理室HC，该处理室与用基底处理器SH或晶片处理器表示的两个装载锁闭装置LL相结合。
-光刻投影装置LP，包括一个投影室。
在后面的模块LP中，设置虽然没有详细地示出，但是可以从图1和图2的实例中理解。
在处理室HC对面与装载锁闭装置相邻的另外一个模块表示为基底轨道装置ST(见图2)，它用于将基底提供给装载锁闭装置LL或从装载锁闭装置LL移开。
每个装载锁闭装置LL都有门10、11，该门用于使基底可以在第一环境和装载锁闭装置LL之间传送。在它们的对面，每个装载锁闭装置LL设有门12、13，用于使基底可以在装载锁闭装置LL和处理室HC之间传送。在投影处理中，处理室HC和光刻投影装置LP主要处于第二环境。每个门10、11、12、13设置成以气密方式密封相应的装载锁闭装置的内部。
每个装载锁闭装置具有一个基底支撑位置14a、15a，用来支撑基底或晶片。图4中未示出第二个基底支撑位置14b、15b。第一和第二基底支撑位置在图5和图6中示出，因此在后面将作出解释。
第二环境具有比第一环境的更低的压力。当光刻投影装置LP例如使用极远紫外辐射(EUV)时，第二环境为真空环境。在这种情况下，投影室是一个真空室。为形成真空环境，两个实施例的光刻投影装置都设有真空装置，以形成和保持真空(未示出)。
或者，第二环境也可以是一种特殊气体环境，例如氮气环境。
为了在第一环境和具有更低的压力的第二环境之间传送基底，而不会由于失控的剧烈气流损坏重要部件，一次只打开装载锁闭装置的一个门。在基底从基底支撑位置14a、15a传送到第一环境之后，在各个门10、11打开之前首先使装载锁闭装置LL通气，而在基底从基底支撑位置14b，15b传送到第二环境之后，在各个门12，13打开之前首先从装载锁闭装置抽气至所需的真空水平。
在处理室HC中有一个预处理位置16，预校准装置和热处理装置设置在该位置(未示出)。为了达到基底在晶片台WT上定位所需的精度水平，在预处理位置16的预校准很重要。在光刻投影装置中下一个位置是装载位置17。在这个位置，基底放置到图1的基底台WT上。如果正在处理的是晶片时，认为该台是晶片台。为保持整个基底的控制温度，在位置16使用热处理装置是有利的。
在图4描述的本发明的第二个实施例中，光刻投影装置LP中设置了一个附加卸载位置18。这与图3的第一实施例中两个位置17、18相重合形成对比。
当基底在处理室PC与光刻投影装置之间或者反过来传送时，基底通过入口23或24。与前一段中的差异相对照，在图3的第一实施例中，入口在处理室和装载与卸载位置23、24重合。
图3的第一实施例与图4的第二个实施例的另一个差异涉及传送装置。图3的第一实施例包括一个具有夹持器20的操纵器19，但图4中描述的第二实施例还包括邻近第一操纵器的第二操纵器，第二操纵器也具有夹持器22。这两个操纵器在这些实施例中是机械手，SCARA机械手，但是其它机械手或其它操纵器也是可以想到的。
机械手用来完成如下操作1.从装载锁闭装置LL中的一个之中拾取基底，并将所述基底传送到预处理装置16和/或；2.从预处理装置16拾取基底，并将所述基底传送到装载位置17；和/或3.从卸载位置18拾取基底，并将所述基底传送到装载锁闭装置LL中的一个的基底传输位置14、15。
在装载锁闭装置LL中的一个通气或抽空之前，通过组合上述的三个操作中的两个或更多，可以达到第一实施例中提高的基底产量。
容易理解，用两个机械手代替一个机械手，上述操作组合的可能性显著提高，如第二实施例中的情况。
当然其它有利的组合也是可以的。
传送操作最合理的顺序将取决于光刻投影组件LPA运行的模式。
-启动阶段，在该阶段，不必有基底从卸载位置18到装载锁闭装置LL的传送，并且一个或更多的基底已经传送到处理室和光刻投影装置。
-稳定状态运转；分别均匀地传送至装载位置17和卸载位置18以及从装载位置17和卸载位置18传送走。
-空转阶段，在该阶段，没有从装载锁闭装置LL到预处理位置16或到装载位置的传送发生，并且一个或更多的基底传送到处理室和光刻投影装置外。
根据本发明的一个实施例，每个装载锁闭装置LL都具有第一基底支撑位置14a、15a和第二基底支撑位置14b、15b(在图3和图4中未示出，但示于图5和图6中)。因为第二位置可以作为一种缓冲器而引入和输出基底，附加支撑位置提高了所提到的三个传送操作组合的可能性。
在第一和第二两个实施例中，装载锁闭装置和相应的机械手一起形成所谓的双向装载锁闭装置，意思是通过在处理室的机械手和来自例如基底轨道的机械手可以进入每个装载锁闭装置，以这种方式，基底可以从两个方向通过门10、11、12、13而传送。这在图3和图4中用带箭头的线D、E、F、G表示。这种结构能够提高基底的产量。根据本发明的光刻投影组件的实施例，其中一个装载锁闭装置用于引入基底，并且另一个装载锁闭装置用于输出基底也是可行的。这种实施例减少了三个传送操作的组合的灵活性，但同时减少了对于每个机械手操作的要求。
在这两个实施例中，基底处理器SH可选择地具有第三装载锁闭装置，该装载锁闭装置用于在第三环境与第二环境之间传送基底。在第三装载锁闭装置25的相对的两个侧面有两个门27、28。门27连接第三装载锁闭装置内部和处理室。外部门28连接第三装置锁闭装置门内部和基底处理器外部的环境。
第三装载锁闭装置设置在处理室一侧，可以自由进入，并且可以提高光刻投影组件LPA的灵活性与应用的可能性，例如，在基底要移开或者第一和第二装载锁闭装置的两个基底支撑位置14a、15a、14b、15b都已经使用的情况下，把第三装载锁闭装置作为一个缓冲器使用。此外，通过它可以用于简化处理室HC和/或光刻投影装置LP的维修与维护。应当注意，第三环境可以与第一环境相同，但是也可以与第一环境不同。
在图3和图4中，装载锁闭装置LL中的一个包括一个设置在自由进入侧的可选择的外部门26。该门26用于将基底或其它物体直接从第三环境(可以与第一环境相同)传送到装载锁闭装置。此外，它可以用于相应装载锁闭装置的修理与维护。还可以为两个装载锁闭装置都提供一个外部门26或者将外部门26设置在另一个装载锁闭装置LL。
图5描述根据本发明的一个实施例的装载锁闭装置的横截面。
图5中的几个部件可以从前面两个附图中看出-用于与第一环境连接的装载锁闭装置的门10、11-用于与第二环境连接的装载锁闭装置的门12、13-在装载锁闭装置上部的第一基底支撑位置14a、15a-在装载锁闭装置下部的第二基底支撑位置14b、15b-处理室HC中的机械手的夹持器在左侧，示出用于在装载锁闭装置和例如在基底轨道系统中的第一环境之间传送基底的夹持器30。该夹持器30与夹持器20一样，可以从不同基底支撑位置拾取和运送基底。在图5中，基底31刚好用夹持器放置到第一支撑位置14a，而第二基底32由第二基底支撑位置14b、15b支撑。
两个基底支撑位置14a、14b、15a、15b都包括支撑板33、35和推顶杆34、36。推顶杆34、36便于基底和支撑板33、35之间的移动，这样，无论是将基底运送到基底支撑位置，还是从基底支撑位置移开基底，夹持器的一部分都可以插入基底与支撑板之间。在夹持器将基底31移开并且它本身移到装载锁闭装置外之后，推顶杆34、36和/或支撑板33、35之间移动，以使支撑板支撑基底，处在如图5中较低的基底32的位置。类似地，推顶杆34、36和/或支撑板33、35之间可以移动，以使夹持器30、20的一部分插入基底和支撑板之间，这样，夹持器可以将基底拾取和传送到装载锁闭装置外。
在图5中，每个支撑板只描述了一个推顶杆34、36，但是在更多情况下，支撑板将具有三个或更多的推顶杆。
在支撑板33、35之间设置了一个中间板55，其作用将在后面描述。
通过图5很容易解释两个基底支撑位置的优点。当第二基底支撑位置14b、15b支撑来自处理室HC并且因而在装载锁闭装置通气之前已经存在的第二基底时，使装载锁闭装置LL通气到第一环境，并且第一基底31刚好被运送到第一基底支撑位置14a、15a。从这种情形开始进行以下的操作-将夹持器30移到装载锁闭装置外；-使支撑板33和/或推顶杆34之间运动，以使支撑板完全支撑基底31；-使支撑板35和/或推顶杆36之间运动，以从支撑板35抬起第二基底32；-将夹持器30或者可能第二夹持器(未示出)移动至第二基底32，并随后用夹持器夹持第二基底32；-将带有第二基底32的夹持器30或者可能第二夹持器(未示出)移至装载锁闭装置外(第一环境)；-关闭门10、11并且抽空装载锁闭装置。
其优点在于，在两次连续的通气与抽空操作之间，基底都可以传送至装载锁闭装置或者从装载锁闭装置传送。
容易理解，为了使用夹持器20在处理室HC和装载锁闭装置LL之间传送两个基底，类似的操作顺序也是可以的。
此外，在图5中，一侧设有包括通气孔37的顶壁38，另一侧设有包括一个抽气孔39的底壁40。孔37、39用于通过通气和抽空装置提供和排出气体。通气孔和抽气孔的这种配置的优点是装载锁闭装置内的气流永远是从顶部到底部，这有助于防止空气悬浮粒子落在基底的非支撑面上。
未详细地示于图5中，但是，本发明的另一个方面是可任选地与一个或多个支撑板集成的用以稳定基底温度的温度控制装置。以实例的形式，该装置包括设置在支撑板内部的管线60、61，例如槽，管道或者管，和用于抽吸通过该管线的温度控制流体的抽吸系统。支撑板33、35可以经历不同温度的处理。
或者，将温度控制装置设置在一个或更多的壁中，例如装载锁闭装置室内的壁38、40、50、51和/或门10、11、12、13，虽然在稳定基底温度方面不是很有效，但它提供一种相对较简单的结构。
图6描述了根据本发明的一个实施例的装载锁闭装置按照图5中的线VI-VI的横截面图。在这个横截面图中描述的是侧壁50、51，而不是装载锁闭装置的门。这两个侧壁与底壁40和顶壁38共同限定了装载锁闭装置室52。除了推顶杆34、36，支撑板33、35和通气与排气孔37、39之外，该实施例还包括提升装置53和/或54。波纹管56、57用作密封件。
该提升装置首先用于在装载锁闭装置室抽空之前，减少距离A和距离B，其中，距离A为基底31与顶壁38之间的距离，距离B为基底32与中间板55之间的距离。其次，该提升装置用于在运送或拾取基底之前，增加支撑板33与顶壁38之间的距离以及支撑板35与中间板55之间的距离。
如前面所论述的，减少距离A和B的有利效果在于减小基底周围存在气体的体积。随着气体体积的减小，在装载锁闭装置室52抽空过程中的绝热效应和基底的温度效应减小。
为避免基底与顶壁或中间板之间的任何接触，距离A和距离B大于100μm。另外一个原因是避免抽空时间的增加，当装载锁闭装置室内存在太小的间隙时，抽空时间可能增加。
在抽空装载锁闭装置室52并且打开门12、13之后，增加距离A和B以为夹持器20拾取或运送基底提供足够的空间。
代替向固定的顶壁38/中间板55移动支撑板33、35/基底31、32，可以选择使用向固定的或可移动的支撑板移动的可移动(顶板)板(未示出)。对于带有基底31的第一支撑板33，这种顶板设置在顶壁38，其中，可以设置合适的移动装置，而对于带有基底32的第二支撑板35，中间板55起到顶板的作用。对于后者，合适的移动装置可以设置在例如侧壁50。
图6中，基底支撑位置14a、14b、15a、15b都是可移动的。
两个基底支撑位置中仅有一个可以移动的实施例也是可行的。当一个基底支撑位置(对于较大的部分)为输出的晶片保留时，这样的实施例是特别有利的，对于该实施例，精密的温度控制不是很严格。根据在这一方面的一个优选实施例，上面的基底支撑位置14a、15a是可移动的，而下面的基底支撑位置14b、15b是固定的(即，例如，波纹管56是多余的并且升降装置54可以用一个固定杆代替)。当然，上面的基底支撑位置14a、15a是固定的，而下面的基底支撑位置14b、15b是移动的也是可行的。
在又一个实施例中，将升降装置53、54集成在壁50、51内也是可行的。
在图6的实施例中，抽气孔39集成在升降装置54的结构中。
由于污染粒子将阻碍投影光到达基底W的辐射敏感面上，在光刻投影装置LP中污染应当最小化，这是本领域技术人员所公知的。同样，在基底W的后侧表面或基底台WT的基底支撑面上的污染粒子也可能导致投影到基底W上的图案的未对准。因此，采用对污染粒子具有吸引力的材料，例如有机材料，来制造装载锁闭装置LL中的一个或多个表面，特别是装载锁闭装置LL中与基底W接触的表面是有利的。这将导致污染粒子附着在装载锁闭装置LL的表面上，而不是附着在基底W上。采用静电力也可以完成对污染粒子的收集。例如，装载锁闭装置LL的一个或多个表面具有电荷，而污染粒子具有相反的电荷，这样，污染粒子被吸引到一个或多个表面上。
装载锁闭装置LL可以设有盖子，以能清洁地到达吸引粒子的表面，并且该表面，特别是接触表面可以以这种方式设置，使得它们可以容易地从装载锁闭装置移开，以易于清洗。
在装载锁闭装置LL中污染粒子的收集使得从第一环境到第二环境或者反过来，从第二环境到第一环境的污染粒子的传送最小化，例如，使处理室HC中的污染物最小化。此外，通过收集装载锁闭装置LL中的大量粒子，可以减少到达光刻投影装置LP中的基底台WT的有害污染粒子。
此外，装载锁闭装置LL的清洗比基底台WT或处理室HC的清洗更容易并且更节省时间。通过收集装载锁闭装置LL中粒子，可以减少对打开处理室HC或光刻投影装置的需要以及因此对真空的扰乱。因此，由于该清洗过程，花费更少的时间，因为重新形成真空是耗时的。还降低了由清洗过程导致污染的危险(比如手印)，因为处理室和/或光刻投影装置为清洗打开的次数减少。
装载锁闭装置LL还可以将所谓的粘性晶片传输到处理室HC和/或光刻投影装置LP中。这些粘性晶片是具有收集污染粒子特性的晶片状的物体(例如抗蚀剂的残留)。一个或多个粘性晶片通过光刻投影装置LP、处理室HC和/或装载锁闭装置LL循环以收集污染粒子。这种粘性晶片的表面比光刻投影装置LP、处理室HC和/或装载锁闭装置LL中的接触表面对污染粒子吸引具有更大的吸引力。收集了粒子的粘性晶片可以传输到设备外，清洗后重新插入到设备内进行又一个循环。
粘性晶片的收集特性可以基于多种机理。例如，一种机理是静电力。粘性晶片可以静电充电以吸引污染粒子。在循环传送晶片时，松散的电荷粒子(包括偶极子)被吸引到粘性晶片上，并且被移出到设备外，例如，通过粘性晶片传输到设备外。磁力也可用于粘性晶片，成为收集污染粒子合适的方法。
另一个收集机理的实例是粘附力和/或内聚力。粘附力晶片对污染粒子(比如抗蚀剂粒子)具有巨大的吸引力。污染粒子将具有粘附到粘性晶片的趋势。如果是内聚力粘性晶片，粘结到粘性晶片上的粒子往往保留在粘性晶片上，而不是其它表面，例如夹紧表面。有利地，粘性晶片将提供强的粘附力和内聚力。应用不同水平的粘附力和/或内聚力以适于应用。这种粘附力和/或内聚力可以通过，例如晶片上具有特殊粘附力和/或内聚力的涂层或用具有粘附力和/或内聚力的材料制成晶片本身来提供。
作为清洗设备使用的粘性晶片至少有几个优点。例如，粘性晶片比普通晶片更有效。此外，当粘性晶片通过设备循环时，处理室HC和/或光刻投影装置LP内的真空可以保持不被扰乱。重新形成真空需要耗时。另外，可以减少由于手工清洗本身的污染的危险，因为只需要较少的处理室HC和/或光刻投影装置LP的手工清洗。
以上已描述本发明的具体实施例，可以理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施，本说明不作为本发明的限定。
权利要求
1.一种光刻投影组件，包括●至少两个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的压力；●基底处理器，包括主要处于第二环境的处理室；●光刻投影装置，包括投影室；处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移除到处理室；处理室设有●预处理装置，用于预处理基底；和●传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。
2.根据权利要求1的光刻投影组件，其中，投影室为真空室，并且光刻投影装置包括真空装置以在真空室中形成或保持真空。
3.根据权利要求1或2的光刻投影组件，其中，预处理装置包括预对准装置用于基底的预对准。
4.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，传输装置包括一个设有第一夹持器的操纵器，并且，光刻投影组件包括控制装置，该控制装置适于控制夹持器进行如下操作●从一个装载锁闭装置拾取基底，并将所述基底传送至预处理装置；●从预处理装置拾取基底，并将所述基底传送至装载位置；和●从卸载位置拾取基底，并将所述基底传送至一个装载锁闭装置。
5.根据权利要求1～3中任何一项的光刻投影组件，传输装置包括具有第一夹持器的第一操纵器和具有第二夹持器的第二操纵器，并且，光刻投影组件包括控制装置，该控制装置适于控制第一和第二操纵器进行如下操作●用第一夹持器从一个装载锁闭装置拾取基底，并将所述基底传送至预处理装置；●用第二夹持器从预处理装置拾取基底，并将所述基底传送至装载位置；和●用第一夹持器从卸载位置拾取基底，并将所述基底传送至一个装载锁闭装置。
6.根据权利要求4或5的光刻投影组件，其中，第一和/或第二夹持器设有热处理装置，该热处理装置用于使基底达到预定的温度和/或使整个基底上的温度均匀，和/或调节基底的温度。
7.根据权利要求4～6中任何一项的光刻投影组件，其中，所述至少两个装载锁闭装置包括第一和第二装载锁闭装置，设置单个操纵器或者第一操纵器，使其与所述第一和所述第二装载锁闭装置相配合。
8.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，第一和第二装载锁闭装置中的每一个都以双向式装载锁闭装置的形式形成。
9.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，第一和第二装载锁闭装置中的每一个都具有第一和第二基底支撑位置。
10.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，第一和第二装载锁闭装置连接到基底轨道，用于将基底提供给第一和第二装载锁闭装置以及将基底从第一和第二装载锁闭装置移开。
11.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，光刻投影装置还包括第三装载锁闭装置，用于将物体例如基底从第三环境传送至第二环境，第三装载锁闭装置在面向第三环境的一侧可以自由进入。
12.根据权利要求11的光刻投影组件，其中，控制装置适于用所述传输装置将基底放置在第三装载锁闭装置内，当所述放置的基底在第三装载锁闭装置中时保持第三装载锁闭装置的外部门关闭，并且在用所述传输装置传送其它基底之后，用该传输装置夹持器拾取和传送所述放置的基底。
13.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，所述至少两个装载锁闭装置中的一个或者多个包括一侧门，用于将物体例如基底从第四环境传送至第二环境，侧门面向第四环境并且可以自由进入。
14.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，控制装置适于彼此独立地控制各装载锁闭装置。
15.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，预处理装置设有热处理装置，用于使基底达到预定的温度和/或使整个基底上的温度均匀。
16.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，光刻投影装置包括●用于提供辐射投影光束的辐射系统；●用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据理想的图案对投影光束进行构图；●用于保持基底的基底台；●用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。
17.根据前面任何一项权利要求的光刻投影组件，其中，基底为半导体晶片。
18.用于处理基底的处理装置，包括根据前面的一项权利要求的组件，不包括投影装置。
19.基底处理器组件，包括●至少两个装载锁闭装置，用于将基底从第一环境传送至第二环境，第二环境具有比第一环境更低的压力；●基底处理器，包括主要处于第二环境的处理室；处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入下一个位置，另一方面，卸载位置用于将基底从下一个位置移到处理室；处理室设有●预处理装置，用于基底的处理；和●传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。
20.根据权利要求19的基底处理器组件，包括轨道，其中，至少两个装载锁闭装置设置在轨道和基底处理器之间。
21.用于处理基底的方法，包括以下步骤a)通过至少两个装载锁闭装置中的一个的外部门，将基底从第一环境传送到所述装载锁闭装置内；b)关闭所述外部门并抽空所述装载锁闭装置；c)打开所述装载锁闭装置的内部门；d)用第一操纵器从所述装载锁闭装置拾取基底，并且用所述第一操纵器将基底传送至预处理装置；e)用预处理装置处理基底；f)用所述第一操纵器或第二操纵器从预处理装置拾取基底；g)用所述第一操纵器或第二操纵器将从预处理装置拾取的基底传送至装载位置；h)处理基底并将基底送至卸载位置；i)用所述第一操纵器从卸载位置拾取基底并将基底通过内部门传送至所述装载锁闭装置或者通过内部门传送至另一个装载锁闭装置；j)关闭相应的内部门并使相应装载锁闭装置通气；和k)打开相应的装载锁闭装置，并将基底从所述相应装载锁闭装置移开。
22.根据权利要求21的方法，包括在步骤c)之前、在步骤b)的抽空步骤期间和/或之后的热处理基底。
23.根据权利要求21或22的方法，其中，步骤e)包括热处理基底和预对准基底中的至少一个步骤。
24.根据权利要求21～23中任何一项的方法，其中，在对于一个装载锁闭装置进行步骤d)时，同时在另一个装载锁闭装置中进行步骤a)和/或b)和/或c)和/或j)和/或k)。
25.根据权利要求21～24中任何一项的方法，其中，基底为半导体晶片。
26.一种操作包括具有一个或多个装载锁闭装置的基底处理器的光刻投影组件的方法，该方法包括 启动模式、正常运行模式和空转模式，所述至少两个装载锁闭装置每个具有抽气周期和通气周期，其中，在抽气周期各转载锁闭装置内的压力降低，在通气周期各装载锁闭装置内的气压升高，其中，在启动模式中，在没有基底存在于相应的装载锁闭装置内时，所述至少两个装载锁闭装置中的至少一个进行通气周期，同时，在基底存在于相应的装载锁闭装置时，相应的装载锁闭装置进行抽气周期；其中，在正常运行模式中，在基底存在于相应的装载锁闭装置时，所述至少两个装载锁闭装置中的至少一个进行抽气周期和通气周期；其中，在空转模式中，在没有基底存在于相应的装载锁闭装置内时，所述至少两个装载锁闭装置中的至少一个进行抽气周期，同时，在基底存在于相应的装载锁闭装置时，相应的装载锁闭装置进行通气周期。
27.根据权利要求26的方法，其中，可以根据在光刻投影组件中基底的处理过程中发生的情况，以任意顺序重复启动模式、正常运转模式和空转模式中的一个或多个。
28.根据权利要求26或27的方法，其中，单个装载锁闭装置具有第一和第二基底支撑位置。
29.根据权利要求26或27的方法，其中，一个或多个装载锁闭装置包含两个装载锁闭装置，每个装载锁闭装置具有一个或两个或多个基底支撑位置。
30.光刻投影组件，包括●至少一个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的压力，其中，所述至少一个装载锁闭装置中的一个或多个各设有第一和第二基底支撑位置；●基底处理器，包括主要处于第二环境的处理室；●光刻投影装置，包括投影室；处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移到处理室；处理室设有●预处理装置，用于预处理基底；和●传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。
全文摘要
本发明涉及一种光刻投影组件，包括至少两个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的压力；基底处理器包括主要处于第二环境的处理室；光刻投影装置，包括投影室。处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移到处理室。处理室设有预处理装置，用于预处理基底；和传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。
文档编号G03F7/20GK1540443SQ200410035209
公开日2004年10月27日 申请日期2004年3月10日 优先权日2003年3月11日
发明者P·J·M·范格鲁斯, P·R·M·肯努斯, J·F·胡格坎姆, A·J·H·科洛普, J·安里, R·维斯塞, H 科洛普, M 肯努斯, P J M 范格鲁斯, 胡格坎姆, 谷 申请人:Asml荷兰有限公司