专利名称：光刻掩膜板的制造方法
技术领域：
本发明涉及在形成在带薄膜基板上的抗蚀性膜中，可以去除形成在基板周缘部上的不要部分的光刻掩膜板的制造方法。
背景技术：
在光刻掩膜板用的基板上形成抗蚀涂层等的涂敷膜时，现有的一般使用一面旋转基板、一面涂敷抗蚀性液的旋转涂敷方法。(例如，参照特公平4-29215号公报(第2-3页、图2))。
该公报所示的旋转涂敷方法具有均匀化处理工序和预备干燥处理工序，均匀化处理工序是将抗蚀性液滴在基板的薄膜表面上，使基板以规定的转数进行规定时间的旋转，使抗蚀性液的膜厚均匀化，预备干燥处理工序是在均匀化处理工序后，使基板以规定的转数进行规定时间的旋转，使抗蚀性液的膜预备干燥，经过这些工序，在基板上形成抗蚀性膜。根据这样的旋转涂敷方法可以将抗蚀性膜的面内膜厚均匀性(基板内面上的膜厚最大值和膜厚最小值的差)抑制在50以下。
但是，使用上述的旋转涂敷方法将抗蚀性液涂敷在基板上时，由于抗蚀性液积存在基板表面的周缘部，抗蚀性液不仅有可能在基板的侧面，而且有可能蔓延到基板的背面。在对基板进行处理时，在这样的区域上形成的抗蚀性膜容易产生剥离、脱落等，因此不仅成为产品缺陷的原因，而且在后续工序中成为支撑基板时的障碍。因此，提出了以下方案，即在形成在基板上的抗蚀性膜中，去除形成在基板周缘部上的不要部分的方法(例如参照特开2001-259502号公报(第5页、图1))。
该公报中所示的不要膜去除方法是用在周缘部形成许多细微孔的外罩部件覆盖形成抗蚀性膜的基板的同时，从该外罩部件的上方供给溶剂，一面使基板和外罩部件一体地旋转，一面通过上述细微孔向基板的周缘部供给溶剂。以此溶解去除抗蚀性膜的不要部分。
另外，在上述不要膜去除方法中，为了抑制来自外罩部件的导热产生的抗蚀性膜的感度不均，利用不容易导热的材料(例如树脂材料、玻璃材料等)形成外罩部件的同时，将外罩部件的内壁与基板表面的间隔设定成可以抑制从外罩部件向基板导热的尺寸。
但是，在制造液晶基板等的大型基板时，在进行不要膜去除处理前要进行减压干燥处理(例如，参照专利第3309079号公报(第2页、图2))。
通常，大型基板在密封型的涂敷装置内进行抗蚀性液的涂敷，在涂敷装置内不可能对抗蚀性液进行充分的预备干燥。因此，需要通过减压干燥使抗蚀性膜干燥到一定程度，在其后的基板输送处理中抑制抗蚀性膜的流动。即如果将大型基板的制造工序中的减压干燥比作光刻掩膜板等小型基板的制造工序，相当于旋转涂敷工序的预备干燥处理。
近年来，随着复制图案的细微化，对光刻掩膜板上的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的要求越来越严。具体是为了抑制CD标准离差(临界尺寸标准离差)，要求抗蚀性膜的面内膜厚均匀性小于等于50。
但是，即使可以将旋转涂敷后的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性抑制在50以下，在不要膜去除工序中也会有膜厚的均匀性恶化，产生面内膜厚均匀性超过100的问题。可能该问题的原因如下。
在上述特开2001-259502号公报中所述的不要膜去除方法中，溶剂被向覆盖基板的外罩部件上供给。因此，产生以下的温度分布，即外罩部件的中央部温度比较高，越向外罩部件的周缘部温度越低，被向基板的抗蚀性膜上导热。这样的导热虽然可以通过选择外罩部件的材料或设定外罩部件与基板的间隔进行抑制，但完全排除是很困难的。
另外，形成在基板上的抗蚀性膜在旋转涂敷工序中被预备干燥、在不要膜去除处理的阶段含有许多溶剂。因此，一旦一面旋转基板一面去除不要膜，则由于温度分布和离心力的影响，抗蚀性膜从温度比较高的基板中央向着温度比较低的基板边缘部流动，由于随之形成的局部的膜厚的变化，面内膜厚均匀性可能恶化。
因此，本发明的目的是提供一种光刻掩膜板的制造方法，在溶解去除抗蚀性膜的不要部分时，可以抑制由于不要膜去除处理中的温度分布以及离心力的影响、抗蚀性膜的膜厚局部变化，抑制抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
另外，本发明的其他目的是提供在形成复制图案的区域上的抗蚀性膜是均匀的膜厚的光刻掩膜板。
发明内容
为了实现上述目的，本发明是一种光刻掩膜板的制造方法，在形成有作为复制图案的薄膜的带薄膜的基板上，通过旋转涂敷处理形成抗蚀性液的膜后，用外罩部件覆盖上述基板的表面，从该外罩部件的上方供给溶剂，一面使上述基板和上述外罩部件一体地旋转、一面将上述溶剂向上述基板的周缘部供给，以此溶解去除上述抗蚀性膜的不要部分，在溶解去除上述抗蚀性膜的不要部分的不要膜去除处理之前，对在上述旋转涂敷处理中形成的上述抗蚀性膜进行减压干燥处理，该减压干燥处理是为了抑制在上述不要膜去除处理中、上述抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
根据这样的方法，图案形成区域的抗蚀性膜通过进行不要膜去除处理前的减压干燥处理，被干燥到在不要膜去除处理中的温度分布或离心力的影响下不流动的程度。因此，可以抑制不要膜去除处理中的抗蚀性膜的局部的膜厚变化，可以抑制抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
该减压干燥处理中的真空度、时间、气体介质温度等的处理条件根据抗蚀性膜材料或膜厚进行适当调整。此时，真空度小于等于10kPa，最好小于等于5kPa，小于等于2kPa更好。
另外，减压干燥处理最好在抗蚀性膜的周缘部干燥到一定程度，在图案形成区域的抗蚀性膜稳定的状态下进行。这样，进行减压干燥处理后，可以提高抗蚀性膜上的图案形成区域的平坦度。
另外，在本发明的光刻掩膜板的制造方法中，上述旋转涂敷处理是在上方开放的盖筒内进行的处理，将抗蚀性液滴在上述基板的表面上，使上述基板以规定的转数进行规定时间的旋转，使上述抗蚀性液的膜厚均匀化后，使上述基板以规定的转数进行规定时间的旋转，使上述抗蚀性液的膜预备干燥。
根据这样的方法，通过在上方开放的盖筒内进行抗蚀性液的旋转涂敷处理，可以促进旋转涂敷工序中的抗蚀性膜的预备干燥。因此，不仅可以抑制之后的基板输送处理中的抗蚀性膜的流动，而且可以缩短减压干燥处理的处理时间。
另外，在本发明的光刻掩膜板的制造方法中，在上述旋转涂敷处理中，为了预备干燥上述抗蚀性液的膜的基板转数被设定成低于为了使上述抗蚀性液的膜厚均匀化的基板转数的转数。
根据这样的方法，可以一面保持被均匀化的膜厚，一面使抗蚀性液的膜预备干燥。而且，在四角形(正方形或矩形)的基板上也可以形成膜厚均匀的抗蚀性膜。
另外，在本发明的光刻掩膜板的制造方法中，在上述旋转涂敷处理中，通过在上述盖筒的下方进行排气，从上述盖筒的上方向着上述基板产生气流。
根据这样的方法，通过从盖筒的上方向着上述基板产生气流，可以促进旋转涂敷处理中的膜厚的均匀化，进而促进旋转产生的抗蚀性膜的预备干燥。
另外，在本发明的光刻掩膜板的制造方法中，在上述减压干燥处理中，使基板收容空间的真空度阶段性变化。
根据这样的方法，可以一面避免急速的压力变化，一面均匀地干燥抗蚀性膜中含有的溶剂。因此，可以提高抗蚀性膜上的膜厚的均匀性。
例如，最好阶段性地降低真空度，保持在一定的真空度后，使真空度相反地阶段性上升，恢复到大气压。
本发明提供一种光刻掩膜板的制造方法，通过旋转涂敷、对滴在带薄膜的基板上的抗蚀性液进行成膜，通过旋转干燥处理对该成膜的抗蚀性液的膜进行干燥，形成抗蚀性膜，通过减压干燥处理干燥该抗蚀性膜，向形成抗蚀性膜的光刻掩膜板的周缘部供给溶解抗蚀性膜的溶剂，通过旋转光刻掩膜板去除上述周缘部的抗蚀性膜。
在利用溶剂去除抗蚀性膜周缘部之前，将抗蚀性膜暴露在减压环境中。这样，可以促进抗蚀性液中含有的溶剂的蒸发，促进干燥。另外，进行该减压干燥处理后，向抗蚀性膜周缘部供给溶剂，进行旋转去除处理。因此，在该去除处理中，可以防止抗蚀性膜从基板的中央部向着基板的周缘部流动。因此，可以防止光刻掩膜板的中央部分的抗蚀性膜形成凹陷状。
另外，在上述去除处理后，可以将光刻掩膜板上的复制图案形成区域上的抗蚀性膜形成均匀的膜厚。其结果，在该区域上，可以使膜厚最厚的位置上的抗蚀性膜的膜厚与膜厚最薄位置上的抗蚀性膜的膜厚的差(面内膜厚均匀性)小于等于50埃。另外，将光刻掩膜板上的复制图案形成区域称为有效区域。
在本发明中，可以在静止的基板上进行减压干燥处理。这样，通过进行减压干燥处理促进本发明的作用。
在本发明中，在减压干燥处理前，最好进行旋转干燥处理。
在减压干燥处理之前进行的旋转干燥处理中的基板转数可以形成低于将抗蚀性液的膜进行成膜的旋转涂敷中的基板转数的转数。这样，通过事先进行旋转干燥，可以使供给减压干燥的光刻掩膜板上的抗蚀性膜的膜厚均匀。而且，对诸如四角形、正方形或矩形等方形的基板，也可以形成膜厚均匀的抗蚀性膜。
在本发明中，供给减压干燥的光刻掩膜板上的抗蚀性膜的膜厚在上述有效区域最好是使膜厚最厚的位置上的抗蚀性膜的膜厚与膜厚最薄位置上的抗蚀性膜的膜厚的差(面内膜厚均匀性)小于等于50埃。
在本发明中，周缘部的抗蚀性膜被去除后，最好对光刻掩膜板进行热处理，通过干燥抗蚀性膜，使干燥可靠。
根据本发明，可以制造在带薄膜基板上形成抗蚀性膜的光刻掩膜板。尤其是ArF准分子激光器曝光式掩模、F2准分子激光器曝光式掩模、EUV(extreme ultraviolet rays)曝光式掩模等复制掩模用光刻掩膜板可以适当地利用。
图1是表示光刻掩膜板的制造工序的流程图。
图2是表示旋转涂敷装置的基本结构的概略图。
图3是表示减压干燥装置的基本结构的概略图。
图4是表示不要膜去除装置的基本结构的概略图。
具体实施例方式
以下参照附图，就本发明的实施方式进行说明。
图1是表示光刻掩膜板的制造工序的流程图。
如图1所示，光刻掩膜板的制造工序具有薄膜形成工序(P-1)、旋转涂敷工序(P-2)、减压干燥工序(P-3)、不要膜去除工序(P-4)和加热、冷却工序(P-5)，薄膜形成工序(P-1)是在光刻掩膜板用基板的表面形成作为复制图案的薄膜，旋转涂敷工序(P-2)是在形成薄膜的基板1的表面通过旋转涂敷形成抗蚀性膜，减压干燥工序(P-3)是为了抑制在不要膜去除工序中抗蚀性膜膜厚的变化，不要膜去除工序(P-4)去除形成在基板的周缘部的不要的抗蚀性膜，加热、冷却工序(P-5)加热、冷却抗蚀性膜、使其干燥。
本发明的特征主要在于减压干燥工序(P-3)和不要膜去除工序(P-4)。另外通过用规定的条件实施旋转涂敷工序(P-2)，可以进一步抑制抗蚀性膜的膜厚的标准离差。以下就各工序(P-1～P-5)进行说明。
作为复制图案的薄膜通过阴极溅镀法、真空镀敷法、CVD法等进行成膜。作为复制图案的薄膜材料根据光刻掩膜板的种类适当选定。
光刻掩膜板可以分类为穿透型光刻掩膜板和反射型光刻掩膜板。
在穿透型光刻掩膜板中，基板使用玻璃基板等透光性基板。另外，作为复制图案的薄膜使用对复制到复制体时曝光的光产生光学变化的薄膜。在此，对曝光的光产生光学变化的薄膜是指截断曝光的光的遮光膜或使曝光的光的相位差发生变化的相位移动膜等。
因此，本发明中所说的光刻掩膜板不仅是作为具有遮光功能的薄膜、形成遮光膜的通常的光刻掩膜板，而是包括作为具有遮光功能的薄膜、形成中间色调膜的相位移动光刻掩膜板(中间色调型相位移动光刻掩膜板)、形成相位移动膜的相位移动光刻掩膜板等。
另一方面，反射型光刻掩膜板使用低膨胀基板作为基板，在该基板上具有光反射多层膜和作为复制图案的光吸收体膜。
另外，在光刻掩膜板上除了上述薄膜以外，也可以形成抗蚀性底层反射防止膜(BARCBottom Anti-Reflective Coating)、抗蚀涂层上层反射防止膜(TARLToP Anti-Reflective Layer)、抗蚀涂层上层保护膜、导电性膜等膜。
在旋转涂敷工序中，使用后述的旋转涂敷装置，将抗蚀性膜均匀地涂敷在带薄膜基板的表面上。由于光刻掩膜板用的基板通常是四角形等的正方形，因此，旋转涂敷工序至少包括以下两种处理。
即包括均匀化处理和预备干燥处理，均匀化处理是将抗蚀性液滴在基板上，使基板以规定的转数(主转数)进行规定时间(主旋转时间)的旋转，主要使抗蚀性液的膜厚均匀化，预备干燥处理是在均匀化处理后，使基板以规定的转数(干燥转数)进行规定时间(干燥旋转时间)的旋转，主要使被均匀化的抗蚀性液的膜干燥。
这些主转数、主旋转时间、干燥转数以及干燥旋转时间根据抗蚀涂层的种类进行适当设定，使抗蚀性液可以均匀地涂敷。
具体是，在以下的条件范围内进行设定，使被旋转涂敷的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性小于等于50。
主转数R1750～1800rpm主旋转时间T11～30sec干燥转数R250～1500rpm干燥旋转时间T210sec以上图2是表示旋转涂敷装置的基本结构的概略图。
如该图所示，旋转涂敷装置10具有固定形成薄膜的基板1的卡盘11、滴下抗蚀性液的喷嘴12、旋转卡盘11的马达13、防止滴下的抗蚀性液因旋转向周边飞散的盖筒14和从盖筒14的上方向着基板1产生气流、在盖筒14的下方进行排气的排气装置15。
在旋转涂敷装置10上，将抗蚀性液涂敷在带薄膜的基板1上的情况下，首先，将基板1放置固定在卡盘11上。然后，从喷嘴12将抗蚀性液滴下后，使基板1以事先设定的主转数R1旋转主旋转时间T1，将滴下的抗蚀性液均匀地扩散在基板1上。
经过了主旋转时间T1后，以干燥转数R2为转数使抗蚀性液干燥，在经过了干燥旋转时间T2后结束处理。在该预备干燥处理中，被涂敷在基板1上的抗蚀性膜没有被完全干燥，干燥到形成在基板1的周缘部的抗蚀性膜不具有流动性的程度。这样，图案形成区域的抗蚀性膜成为稳定状态。
另外，滴下抗蚀性液，基板1开始旋转到旋转停止，在盖筒14的下方排气装置15进行排气，使气流从盖筒14的上方碰撞基板1。气流的风速虽然根据排气装置15的排气条件而定，但是为了使抗蚀性膜均匀化，风速最好大于等于1m/sec。
图3是表示减压干燥装置的基本结构的概略图。
如该图所示，减压干燥装置20具有腔21、基板保持装置22以及排气装置23，腔21可以将内部的基板收容空间保持在减压气体中，基板保持装置22被设置在该腔21内，为了放置保持基板1，排气装置23在腔21的下部进行排气，将基板收容空间保持在减压状态。
在旋转涂敷工序中，利用减压干燥装置20将涂敷在基板1上的抗蚀性膜进行减压干燥的情况下，将该基板1安装在基板保持装置22上，以规定的处理条件进行腔21内的减压。该减压干燥工序不是使涂敷在基板1上的抗蚀性膜完全干燥，而是使抗蚀性膜干燥到在以下进行的不要膜去除工序中、可以抑制图案形成区域的抗蚀性膜由于温度分布以及离心力进行流动的程度。
另外，也可以在减压干燥装置20上设置加热基板1的加热装置，一面加热基板1一面进行减压干燥。
在减压干燥工序中最好使基板收容空间的真空度进行阶段性变化。例如，最好阶段性地提高真空度、保持在一定的真空度后，相反阶段性地降低真空度，恢复到大气压。这样，通过一面避免急速的压力变化、一面蒸发抗蚀性膜中含有的溶剂，可以抑制抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
另外，如果在抗蚀性膜的周缘部分干燥到一定程度，图案形成区域的抗蚀性膜稳定的状态下进行减压干燥，则可以进一步提高图案形成区域的面内膜厚均匀性。
图4是表示不要膜去除装置的基本结构的概略图。
如该图所示，不要膜去除装置30具有旋转台31、外罩部件32和喷嘴33，旋转台31保持基板1、将其进行旋转，外罩部件32从上方覆盖保持在旋转台31上的基板1，与旋转台31同时进行旋转，喷嘴33向外罩部件32上供给溶剂。
在不要膜去除工序中，用外罩部件32覆盖形成在基板1上的抗蚀性膜，从该外罩部件32的上方供给溶剂，一面使基板1和外罩部件32一体旋转，一面向基板1的周缘部供给溶剂。这样溶解去除抗蚀性膜的不要部分。
外罩部件32从上方覆盖基板1，其整个上面是平坦的，但在周缘部形成环状的槽部32a。从喷嘴33供给的溶剂从外罩部件32的上面中央部32b经过倾斜部32c、到达槽部32a，积存在该处。
在槽部32a的底面部形成许多作为贯通孔的溶剂供给孔32d。溶剂通过该溶剂供给孔32d向基板1的周缘部供给。
在溶剂供给孔32d中，在适当的几处，穿通抗溶剂性的线32e。该线32e介于外罩部件32的天花板面周缘部(不要膜相对部)与基板1的表面(周缘部)之间，对这些的间隔d1进行设定。该线32e通过溶剂供给孔32d后、通过外罩部件32的天花板面周缘部与基板1的表面之间的同时，通过外罩部件32的内侧面与基板1的侧面之间，进而通过外罩部件32的外周部形成环形。
线32e的粗细决定外罩部件32的天花板面周缘部与基板1的表面的间隙d1，向该间隙供给溶剂时，将溶剂的扩散范围按照弯液面作用所规定的进行设定。例如，将间隙d1设定为0.05～3mm。
另外，在外罩部件32的天花板面中，周缘部以外的部分与基板1的图案形成区域相对，在该区域上，将外罩部件32的天花板面与基板1的表面之间的间隙d2设定成大于天花板面周缘部与基板1的表面的间隙d1。即间隙d2避免外罩部件32的温度分布向基板1的抗蚀性膜导热，并且，该间隙的数值最好是可以产生气体的对流、避免在基板1的抗蚀性膜上产生温度分布。例如将间隙d2设定在0.05～20mm的范围。
被外罩部件32覆盖的基板1被一面与旋转台31一起旋转一面处理。在附图中进行了省略，旋转台31具有4根支撑臂和一对保持台座，4根支撑臂被安装在旋转轴31a上、向水平方向放射状地延伸，一对保持台座被设置在各支撑臂的顶端部，将基板1的四角设置在保持台座上保持。另外，旋转轴31a被与无图示的旋转驱动装置结合，被以规定的转数旋转。
另外，在基板1的下方也设置溶剂供给用的下部喷嘴(无图示)，通过从该下部喷嘴供给溶剂，确实去除不要膜。
利用上述的不要膜去除装置30、如下所述地去除形成在基板1的周缘部的不要的抗蚀性膜。
首先，将基板1安装在旋转台31上、盖上外罩部件32，一面调整供给量一面从喷嘴33供给溶剂。同时使旋转台31以100～1000rpm的转数旋转1～60秒。这样，将溶剂通过溶剂供给孔32d向不要膜部分浸透，溶解去除该部分。而且，在接近处理结束时，将溶剂从下部喷嘴喷出，确实进行溶解去除。
不要膜去除工序结束后，将基板1输送到以下的热处理装置上、进行加热·冷却处理，使抗蚀性膜完全干燥，得到去除了周缘部不要的抗蚀性膜的光刻掩膜板。
热处理装置具有多个邻接设置的加热板、冷却板和输送基板1的输送装置。加热·冷却处理是通过使用一对可自由开关的输送装置把持基板1、依次向多个加热板输送，在各加热板上进行加热处理后输送到冷却板，对在前工序被加热的基板1进行冷却。
加热板的加热温度以及加热时间、冷却板的冷却温度以及冷却时间根据抗蚀涂层的种类适当调整。
在基板尺寸为152.4mm×152.4mm×6.25mm的合成石英玻璃基板上用喷溅法依次层压铬膜和氧化铬膜，得到形成遮光膜和反射防止膜的光刻掩膜板。
然后利用上述旋转涂敷装置10，将正类型化学增强型电子线描绘用抗蚀涂层的FEP171(富士胶卷ア一チ公司生产)用以下的涂敷条件旋转涂敷，形成平均膜厚为4000的抗蚀性膜。
FEP171(浓度6.2％)主转数1500rpm主旋转时间2sec干燥转数300rpm干燥旋转时间120sec冲撞基板的气流的风速1m/sec其结果，抗蚀性膜的面内膜厚均匀性为40。面内膜厚均匀性是在均匀设置在整个基板中央的有效区域132mm×132mm内的11×11＝121的点上，利用分光反射型膜厚计(ナノメトリツクス日本公司制造AFT6100M)进行膜厚测定，求出面内膜厚分布(各测定点上的膜厚数据)。从该面内膜厚分布数据来定义(膜厚的最大值)-(膜厚的最小值)＝(面内膜厚均匀性)。
另外，风速通过风速表进行测定。
然后，将带抗蚀性膜的基板设置在上述减压干燥装置20上，在以下的减压干燥条件下进行减压干燥处理。
第一阶段真空度10kPa、时间1～10sec第二阶段真空度1kPa、时间10～20sec第三阶段真空度20kPa、时间1～10sec然后，输送到上述不要膜去除装置30，去除形成在基板的周缘部的不要抗蚀性膜。去除宽度是从基板侧面起1.5mm。另外，使用的溶剂只要是可以溶解FEP171的溶剂都可以，但在本实施方式中，使用作为FEP171的溶剂(稀薄剂)的PGMEA(丙二醇一甲基醚乙酸盐)和PGME(丙二醇一甲基醚)的混合液。
然后，输送到上述热处理装置，进行抗蚀性膜的加热·冷却，得到去除了周缘部的不要抗蚀性膜的光刻掩膜板。
测定得到的光刻掩膜板的面内膜厚均匀性的结果为50，与抗蚀涂层涂敷后的面内膜厚均匀性几乎没有变化，为良好。
在上述实施例1中不进行减压干燥处理、制造光刻掩膜板。其他条件与实施例相同。
在经过加热·冷却后得到的光刻掩膜板上测定抗蚀性膜的面内膜厚均匀性，结果为110，比抗蚀涂层涂敷后的面内膜厚均匀性恶化70。
在上述实施例1中，制作抗蚀涂层为ZEP7000(日本ゼオン公司生产)的光刻掩膜板。另外，在不要膜去除工序中的溶剂(稀薄剂)使用Diglyme(二甘醇二甲醚)旋转涂敷条件为主转数1500rpm主旋转时间10sec干燥转数200rpm干燥旋转时间120sec碰撞基板的气流的风速1m/sec
其结果，抗蚀性膜的面内膜厚均匀性为20，去除了不要膜、经过加热·冷却后得到的光刻掩膜板上的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性为30，非常好。
在上述实施例2中不进行减压干燥处理、制造光刻掩膜板。其他条件与实施例2相同。
其结果，在经过加热·冷却后得到的光刻掩膜板上测定抗蚀性膜的面内膜厚均匀性为150，比抗蚀涂层涂敷后的面内膜厚均匀性恶化120。
实施例1与比较例1、实施例2与比较例2中的面内膜厚均匀性的恶化程度不同，可能由于抗蚀涂层种类的不同(粘度等)。
总结上述结果，在实施例1、2中，可以抑制不要膜去除工序中的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化，得到抗蚀性膜的面内膜厚均匀性为50以下的光刻掩膜板。另一方面，在比较例1、2中，不要膜去除工序上的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性恶化，抗蚀性膜的面内膜厚均匀性超过100。
根据本发明，通过旋转涂敷在基板上形成抗蚀性液的膜后，用外罩部件覆盖基板的表面，从该外罩部件的上方供给溶剂，一面使基板和外罩部件一体地旋转，一面向基板的周缘部供给溶剂，溶解去除抗蚀性膜的不要部分。此时，可以抑制由于不要膜去除处理中的温度分布和离心力的影响、抗蚀性膜的膜厚局部发生的变化，可以抑制抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
权利要求
1.一种光刻掩膜板的制造方法，在形成着作为复制图案的薄膜的带薄膜的基板上，通过旋转涂敷处理形成抗蚀性液的膜后，用外罩部件覆盖上述基板的表面，从该外罩部件的上方供给溶剂，一面使上述基板和上述外罩部件一体地旋转、一面将上述溶剂向上述基板的周缘部供给，以此溶解去除上述抗蚀性膜的不要部分，其特征在于，在溶解去除上述抗蚀性膜的不要部分的不要膜去除处理之前，对在上述旋转涂敷处理中形成的上述抗蚀性膜进行减压干燥处理，该减压干燥处理是为了抑制在上述不要膜去除处理中、上述抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
2.如权利要求1所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，上述旋转涂敷处理是在上方开放的盖筒内进行，将抗蚀性液滴在上述基板的表面上，使上述基板以规定的转数进行规定时间的旋转，使上述抗蚀性液的膜厚均匀化后，使上述基板以规定的转数进行规定时间的旋转，使上述抗蚀性液的膜预备干燥。
3.如权利要求2所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，在上述旋转涂敷处理中，为了预备干燥上述抗蚀性液的膜的基板转数被设定成低于为了使上述抗蚀性液的膜厚均匀化的基板转数的转数。
4.如权利要求2或3所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，在上述旋转涂敷处理中，通过在上述盖筒的下方进行排气，从上述盖筒的上方向着上述基板产生气流。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，在上述减压干燥处理中，使基板收容空间的真空度阶段性变化。
6.一种光刻掩膜板的制造方法，通过旋转涂敷、对滴在带薄膜的基板上的抗蚀性液进行成膜，通过旋转干燥处理对该成膜的抗蚀性液的膜进行干燥，形成抗蚀性膜，通过减压干燥处理使该抗蚀性膜干燥，向形成抗蚀性膜的光刻掩膜板的周缘部供给溶解抗蚀性膜的溶剂，通过旋转光刻掩膜板去除上述周缘部的抗蚀性膜。
7.如权利要求1至6中任一项所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，在上述周缘部的抗蚀性膜被去除后的、形成复制图案区域上的抗蚀性膜上，使膜厚最厚的位置上的抗蚀性膜的膜厚与膜厚最薄位置上的抗蚀性膜的膜厚的差小于等于50埃。
8.如权利要求1至7中任一项所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，在上述周缘部的抗蚀性膜被去除后的、形成复制图案区域上的抗蚀性膜上，光刻掩膜板的中央部分的抗蚀性膜与周缘附近的抗蚀性膜相比，没有形成凹状。
9.如权利要求1至8中任一项所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，在静止的基板上进行上述减压干燥处理。
10.如权利要求6至9中任一项所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，上述旋转干燥处理中的基板转数低于将抗蚀性液的膜进行成膜的旋转涂敷中的基板转数的转数。
11.如权利要求6至10中任一项所述的光刻掩膜板的制造方法，其特征在于，上述周缘部的抗蚀性膜被去除后，对上述光刻掩膜板进行热处理，使抗蚀性膜干燥。
全文摘要
一种光刻掩膜板的制造方法，在形成作为复制图案的薄膜的基板上通过旋转涂敷处理形成抗蚀性液的膜后，用外罩部件覆盖基板的表面，从该外罩部件的上方供给溶剂，一面使基板和外罩部件一体地旋转，一面向基板的周缘部供给溶剂，溶解去除抗蚀性膜的不要部分。在进行溶解去除抗蚀性膜的不要部分的不要膜去除处理之前，对通过旋转涂敷处理形成的抗蚀性膜进行为了抑制不要膜去除处理中的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化的减压干燥处理。
文档编号G03F1/68GK1761913SQ20048000704
公开日2006年4月19日 申请日期2004年3月26日 优先权日2003年3月28日
发明者畑光明 申请人:Hoya株式会社