专利名称：光源与背光模组的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种应用纳米金属混合物(Nano-metallicCompound)的光源与背光模组，尤其是关于一种用于液晶显示装置的应用纳米金属混合物的光源及背光模组。
背景技术：
因液晶显示装置面板中的液晶本身不发光，为达到显示效果，须给液晶显示装置面板提供一面光源装置，如背光模组，其功能在于向液晶显示装置面板提供亮度充分且分布均匀的平面光，使其能正常显示影像，因而成为液晶显示装置的关键组件之一。
随着液晶显示装置应用领域的不断拓展，特别是数字影像产品的应用，如手机、手机用数字相机、数字摄影机等，对于液晶显示装置的背光模组的出光亮度要求进一步提升。
通常背光模组的导光板仅能将光线均匀化，而不能提高出光的亮度， 因此要提高背光模组的出光亮度，需从提高光源亮度入手。
请参阅图1，是一种现有技术背光模组的示意图，该背光模组1包括一导光板10与一光源19，该导光板10包括一入光面11、一与该入光面11相邻的出光面12、一与该出光面12相对的底面13及侧面14，该光源19相对该入光面11设置，其为发光二极管(Light Emitting Diode，LED)或冷阴极荧光灯(Cold CathodeFluorescent Lamp，CCFL)。光从光源19发出，经入光面11进入导光板10，在导光板10内经散乱反射后从出光面12射出。然而，因发光二极管与冷阴极荧光灯本身的限制，其发光亮度在1,000～5,000cd/m2，已经不能满足背光模组的出光亮度越来越高的要求。
发明内容有鉴于此，提供一种出光亮度高的光源与背光模组实为必需。
一种光源包括一阴极层；一设在该阴极层上的半导体层，其可在电场的作用下发射电子；一设在该半导体层上的绝缘层；一设在该绝缘层上的纳米金属混合物层，其在电子的轰击下可发光，该纳米金属混合物层包含金属络合物分子；一设在该纳米金属混合物层上的阳极层，其与阴极层形成一电场。
一种背光模组，其包括一透光板与一光源，该光源包括一阴极层；一设在该阴极层上的半导体层，其可在电场的作用下发射电子；一设在该半导体层上的绝缘层；一设在该绝缘层上的纳米金属混合物层，其在电子的轰击下可发光，该纳米金属混合物层包含金属络合物分子；一设在该纳米金属混合物层上的阳极层，其与阴极层形成一电场。
相较于现有技术，所述的光源及背光模组通过应用纳米金属混合物发光提供较高的出光亮度，从而较大幅度的提高显示装置的显示亮度。
图1是一种现有技术背光模组的示意图。
图2是本发明光源的结构示意图。
图3是本发明光源中纳米金属混合物层中原子团的结构示意图。
图4是本发明直下式背光模组的结构示意图。
图5是本发明侧光式背光模组的结构示意图。
图6是侧光式背光模组所用导光板的立体示意图。
具体实施方式
请参阅图2与图3，本发明的光源2包括一阴极层21；一设在该阴极层21上的半导体层22，其在电场的作用下发射电子；一设在该半导体层22上的绝缘层23；一设在该绝缘层2 3上的纳米金属混合物层20，其在电子的轰击下可发光，该纳米金属混合物层20包含金属络合物分子；一设在该纳米金属混合物层20上的阳极层26，其与阴极层21形成一电场；一荧光层25，其设置于纳米金属混合物层20与阳极层26之间。
该金属络合物分子的分子式为M(C9H6NO)3，M为金属原子。
该金属原子M可为Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga中任意一种。
在纳米金属混合物层20中掺杂了多个纳米粒子X。
上述纳米粒子X可为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中任意一种或至少两种的组合物。
该阴极层21为金属层，其为Cu、Ag及Au中任意一种或至少两种的组合。
该绝缘层23材料为SiNx，其上印有图案，可供部分电子穿过，其可通过反应溅射、化学气相沉积、离子增强化学气相沉积、离子束溅射、双离子束溅射等制程而得。
该荧光层25材料配合不同需求而为可发出绿光的乙铝石榴石掺杂铽、可发出红光的氧化锡掺杂铕及可发出蓝光的硅酸钇掺杂铈等，其受到光子撞击后发出可见光。
该阳极层26为氧化铟锡、InOx及ZnO中任意一种或至少两种的组合，其中氧化铟锡层可通过在Ar与氧混合气体环境中直流反应溅射、射频反应溅射而得。
上述光源2可进一步包括一保护层27，其设在阳极层26上。该保护层27的材料为SiO2、SiOx中任意一种或两种的组合物，其可通过在Ar与氧混合气体环境中直流反应溅射、射频反应溅射而得。
通过在阳极层26与阴极层21间施加电压，由半导体层22产生电子，电子穿过绝缘层23撞击金属络合物分子，从而激发纳米金属混合物层20发光，荧光层25吸收纳米金属混合物层20所发出光的能量后，被激发而放出可见光，以增强纳米金属混合物层20所发出的光的亮度。光线再穿过透明保护层37，即可达到供应光的功效。
通过于纳米金属络合物层20中掺杂纳米粒子，使得纳米金属络合物层20的发光亮度大为提升，可达10,000～20,000cd/m2，较发光二极管与冷阴极荧光灯有显著提升。
请参阅图4，是本发明直下式背光模组的结构示意图。该直下式背光模组4包括一光源2，多个与该光源2相对设置的扩散板41。一般的直下式背光模组需要多灯管组成的阵列作为光源，体积大、亮度不高，本实施例中的光源采用上述如图2所示的光源2，能大幅度减小直下式背光模组的体积， 同时大幅提高出光亮度。
请一并参阅图5、图6，其分别是本发明侧光式背光模组5的结构示意图及所用导光板50的立体示意图，该侧光式背光模组5包括一导光板50与一光源2，该导光板50包括一入光面51、一与该入光面51相邻的出光面52及与该出光面52相对的底面53及一相对该入光面51设置的侧面54，该光源2相对该入光面51设置。其中，所述导光板50为楔形导光板，其入光面51的宽度大于该侧面54的宽度，该出光面52包括多个连续沟槽55，其密度随其与光源2的距离的增大而增大，以此达到出光均匀的目的；该底面53包括多个非连续沟槽56，该多个非连续沟槽56的宽度随其与光源2的距离的增大而减小。
本实施例中侧光式背光模组发光装置同样采用上述光源2，相较于现有技术的侧光式背光模组中采用的冷阴极荧光灯或发光二极管，光源2可提供更高的出光亮度。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。故，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种光源，其特征在于其包括一阴极层；一设在该阴极层上的半导体层，其可在电场的作用下发射电子；一设在该半导体层上的绝缘层；一设在该绝缘层上的纳米金属混合物层，其在电子的轰击下可发光，该纳米金属混合物层包含金属络合物分子；一设在该纳米金属混合物层上的阳极层。
2.根据权利要求1所述的光源，其特征在于其进一步包括一荧光层，该荧光层设置于纳米金属混合物层与阳极层之间，其在纳米金属混合物层所发出的光线照射下发出可见光。
3.根据权利要求1所述的光源，其特征在于其进一步包括一保护层，其设在该阳极层上。
4.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述金属络合物分子的分子式为M(C9H6NO)3，其中，M为Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga中任意一种。
5.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述纳米金属混合物层中掺杂多个纳米粒子。
6.一种背光模组，其包括一光源及一与其相对的透光板，该光源是权利要求1至5中任意一项所述的光源。
7.根据权利要求6所述的背光模组，其特征在于所述透光板包括一入光面、一与该入光面相邻的出光面及与该出光面相对的底面及一相对该入光面设置的侧面，入光面与该光源相对设置。
8.根据权利要求7所述的背光模组，其特征在于所述底面包括多个非连续沟槽且非连续沟槽宽度随其与光源之距离之增大而减小。
9.根据权利要求7所述的背光模组，其特征在于所述出光面包括多个连续沟槽且连续沟槽密度随其与光源之距离之增大而增大。
全文摘要
本发明提供一种应用纳米金属混合物的光源及背光模组。该光源包括一阴极层；一设在该阴极层上的半导体层，其可在电场的作用下发射电子；一设在该半导体层上的绝缘层；一设在该绝缘层上的纳米金属混合物层，其在电子的轰击下可发光，该纳米金属混合物层包含金属络合物分子；一设在该纳米金属混合物层上的阳极层。本发明所提供的应用该纳米金属混合物的光源及背光模组具有较高出光亮度。
文档编号G02F1/1335GK1955813SQ20051010077
公开日2007年5月2日 申请日期2005年10月27日 优先权日2005年10月27日
发明者陈杰良 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司