专利名称：液晶面板的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种液晶面板，特别是关于一种用于液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)的液晶面板。
背景技术：
液晶显示装置具轻、薄、耗电小等优点，广泛应用于现代化信息设备中。
液晶显示装置按照其驱动方式主要分为主动矩阵液晶显示装置与被动矩阵液晶显示装置两种。被动矩阵液晶显示装置为早期液晶显示装置的主要类型，至今仍广泛应用于较低价位的产品中。此类型液晶显示装置在亮度及可视角方面受到较大的限制，反应速度亦较慢，但由于成本低廉的因素，市场上仍有部分的显示器采用被动矩阵式液晶显示装置。主动矩阵或称薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)液晶显示装置是在画面中的每个像素内设置薄膜晶体管，可使亮度更明亮、色彩更丰富，并获得更宽广的可视角，其被大部分的液晶显示装置制造厂所采用。其中，薄膜晶体管为其重要元件，其可控制液晶显示装置每个像素的显示状态。
请参考图1，是一种现有技术的薄膜晶体管液晶显示装置的结构示意图。该液晶显示装置1包括层迭的液晶面板2及背光模块3。
请一起参考图2，是图1中该液晶面板2的结构示意图。该液晶面板2包括相对设置的第一基板10及第二基板20，一设置在该两基板10、20之间的液晶层30。一薄膜晶体管40、一钝化层50及一像素电极60设置在该第一基板10靠近液晶层30的一侧，一公共电极21设置在第二基板20与液晶层30之间。
该薄膜晶体管40包括栅极41、源极42、漏极43及主动层(activelayer)45。该栅极41设置在该第一基板10上，一栅极绝缘层44设置在该栅极41及该第一基板10上；该主动层45对应该栅极41设置在该栅极绝缘层44上；该源极42及该漏极43设置在该主动层45上，且该源极42及该漏极43分别设置在该主动层45的两侧；该主动层45与源极42之间设有一源极接触层(contact layer)46，该主动层45与漏极43之间设有一漏极接触层47。该主动层45的材料为无定形硅(Amorphous Si)，该接触层46、47的材料为掺杂半导体材料。
该钝化层50设置该设置在该源极42、漏极43、主动层45及该栅极绝缘层44的上，并在漏极43处设有一接触孔(contact hole)48。该像素电极60设置在该钝化层50上，并通过该接触孔48与漏极43之间电性连接。
请一起参考图3、4，图3是图2中圈III部分放大的结构示意图。通常该漏极43的材料为钼、铬或铝，该栅极绝缘层44的材料为氮化硅(SiN)，因此在形成该漏极43的蚀刻过程中，该漏极43底部的栅极绝缘层44往往也会被蚀刻，形成内切(Undercut)现象，因此该像素电极60与该漏极43之间容易形成接触不良或断开的缺陷。
请一起参考图4，图4是图2中沿线IV-IV的截面放大示意图。该钝化层50部分设置在该漏极43上，由于该漏极43两侧均具有一内弧倒角，因此该钝化层50设置在该内弧倒角上时会形成一弧形爬坡结构。该像素电极60位于该钝化层50弧形爬坡结构的坡底部分容易形成接触不良或断开的缺陷，使该液晶面板2的显示效果不良。
发明内容为了解决现有技术中液晶面板显示效果不良的问题，有必要提供一种显示效果良好的液晶面板。
一种液晶面板，其包括一第一基板及一第二基板、一液晶层、一薄膜晶体管、一隔离层、一钝化层及一像素电极，该两基板相对设置，该液晶层夹于该两基板之间，该薄膜晶体管设置在该第一基板，其包括栅极、源极及漏极，该隔离层对应该薄膜晶体管的漏极设置，该钝化层设置在该薄膜晶体管，并设置一接触孔对应于该隔离层处，该像素电极设置在钝化层并通过该接触孔与漏极电性连接。
与现有技术相比，在形成该漏极的蚀刻过程中，在该连接孔处，该隔离层被轻微蚀刻或不会被蚀刻，防止了现有技术的内切现象及接触不良或断开的缺陷，因此该像素电极与该漏极之间可有效连接，使该液晶面板的显示效果良好。
图1是一种现有技术的薄膜晶体管液晶显示装置的结构示意图。
图2是图1中液晶面板的结构示意图。
图3是图2中圈III部分放大的结构示意图。
图4是图2中沿线IV-IV的截面放大示意图。
图5是本发明液晶面板的结构示意图。
图6是图5中圈VI部分放大的结构示意图。
图7是图5中沿线VII-VII的截面放大示意图。
具体实施方式
请参考图5，是本发明液晶面板的结构示意图。该液晶面板100包括相对设置的第一基板110及第二基板120，一设置在该两基板110、120之间的液晶层130。一薄膜晶体管140、一钝化层150及一像素电极160设置在该第一基板110靠近液晶层130的一侧，一公共电极121设置在第二基板120与液晶层130之间。
该薄膜晶体管140包括栅极141、源极142、漏极143及主动层145。该栅极141设置在该第一基板110上，一栅极绝缘层144设置在该栅极141及该第一基板110上；该主动层145对应该栅极141设置在该栅极绝缘层144上，并在该栅极141的一侧设置一隔离层170在该栅极绝缘层144上；该源极142及该漏极143设置在该主动层145上，且该源极142及该漏极143分别设置在该主动层145的两侧，同时漏极143的一部分设置在隔离层170上；该主动层145与源极142之间设有一源极接触层146，该主动层145与漏极143之间设有一漏极接触层147。该主动层145及隔离层170的材料均为无定形硅，该接触层146、147的材料为掺杂半导体材料。
该钝化层150设置该设置在该源极142、漏极143、主动层145及该栅极绝缘层144的上，并在该隔离层170处设有一接触孔148。该像素电极160设置在该钝化层150上，并通过该接触孔148与漏极143之间电性连接。
请一起参考图6，图6是图5中圈VI部分放大的结构示意图。通常该漏极143的材料为钼、铬或铝，该隔离层170材料为无定形硅，因此在形成该漏极143的蚀刻过程中，在该连接孔148处，该隔离层170被轻微蚀刻或不会被蚀刻，防止现有技术的内切现象，因此该像素电极160与该漏极143之间可有效连接。
请一起参考图7，图7是图5中沿线VII-VII的截面放大示意图。该像素电极160及隔离层170的两侧均形成平缓坡形结构，防止现有技术的接触不良或断开的缺陷，因此该像素电极160与该漏极143之间可有效连接，使该液晶面板100的显示效果良好。
该隔离层170可以在形成该主动层145与接触层146时一起形成，因此无需增加该液晶面板100的制程。
权利要求
1.一种液晶面板，其包括一第一基板及一第二基板、一液晶层、一薄膜晶体管、一钝化层及一像素电极，该两基板相对设置，该液晶层夹于该两基板之间，该薄膜晶体管设置在该第一基板，其包括栅极、源极及漏极，该钝化层设置在该薄膜晶体管与第一基板，其特征在于还包括一隔离层，该隔离层对应该薄膜晶体管的漏极设置，该像素电极设置在钝化层并通过一接触孔与漏极电性连接，该接触孔对应于该隔离层处设置。
2.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于隔离层的材料为无定形硅。
3.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于还包括一栅极绝缘层，设置在该栅极及第一基板上。
4.如权利要求3所述的液晶面板，其特征在于薄膜晶体管还包括主动层，该主动层设置在该栅极绝缘层与栅极及漏极之间。
5.如权利要求4所述的液晶面板，其特征在于薄膜晶体管还包括源极接触层及漏极接触层，该源极接触层设置在该主动层与源极之间，该漏极接触层设置在该主动层与漏极之间。
6.如权利要求5所述的液晶面板，其特征在于该隔离层是形成该主动层与接触层时一起形成的。
全文摘要
本发明涉及一种液晶面板，其包括一第一基板及一第二基板、一液晶层、一薄膜晶体管、一隔离层、一钝化层及一像素电极，该两基板相对设置，该液晶层夹于该两基板之间，该薄膜晶体管设置在该第一基板，其包括栅极、源极及漏极，该隔离层对应该薄膜晶体管的漏极设置，该钝化层设置在该薄膜晶体管，并设置一接触孔对应于该隔离层处，该像素电极设置在钝化层并通过该接触孔与漏极电性连接。
文档编号G02F1/133GK1987619SQ200510121210
公开日2007年6月27日 申请日期2005年12月23日 优先权日2005年12月23日
发明者傅健忠 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司