专利名称：计测方法、曝光方法以及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及计测方法及曝光方法，更具体来说，涉及计测与投影光学系统的眩光相关的信息的计测方法、使用该计测方法的曝光方法以及使用该曝光方法的器件制造方法。
背景技术：
在形成半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等电子器件的微细图案时，采用如下的方法，即，将对所要形成的图案以4～5倍左右的比例放大而形成的掩模或母版(reticle，以下总称为“母版”)的图案，使用投影曝光装置缩小转印到晶片等被曝光物体上。
投影曝光装置为了应对伴随着半导体元件(集成电路)的高集成化而产生的电路图案的微细化，使其曝光波长向更短波长侧移动。现在，该波长以KrF准分子激光器的248nm及更短波长的ArF准分子激光器的193nm为主流。
在投影曝光装置中，伴随着曝光波长的短波长化，由残存于构成投影光学系统的光学构件(透镜、反射镜等)的表面的微小研磨残痕或损伤造成的眩光的光量及因透镜材料的不均匀性而产生的眩光的光量就成为了问题。在该眩光中，有在像面上显现于遮光图案的像的边缘附近的局部眩光(local flare)、和向该局部眩光的外侧扩展的全局眩光(global flare)。
特别是，局部眩光因所关注的图案的疏密不同而使其附近的眩光量各异，OPE(光学邻近效应)特性受到影响。
目前，投影曝光装置的投影光学系统的眩光计测是利用被称作“印相法”的方法来进行的，即，使形成于计测用母版上的眩光计测用图案经由该投影光学系统实际转印到晶片上的抗蚀剂层上(例如参照专利文献1)。
在印相法中，已知如下的Eth/E0方式，即，例如将图17所示的一边为d的正方形的遮光标记作为眩光计测标记使用，将该眩光计测标记转印到晶片上的抗蚀剂层而得到抗蚀剂像(在将晶片显影后形成于该晶片表面的抗蚀剂层的标记像)，以该抗蚀剂像达到规定尺寸的最佳曝光量Eth与该抗蚀剂像完全消失的过剩曝光量E0的比作为眩光的指标。在以下说明中，将基于该印相法的比(Eth/E0)称作对比度值C。
在该印相法的Eth/E0方式中，也可以像专利文献1中所公开的那样，使用线图案。此外，作为利用印相法的眩光计测的方法，还已知将规定的计测用标记(例如线和空隙标记等)的抗蚀剂像的线宽作为眩光的指标的线宽计测方式。
然而，在所述的利用印相法的眩光计测中，由于需要经过晶片等被曝光物体的显影工序等，因此该计测需要很多时间，使得眩光计测成为投影曝光装置的一连串处理的处理量降低的一个原因。另外，由于包括抗蚀剂像的计测工序，因此当在抗蚀剂的涂敷工序或显影工序等中存在环境等的波动时，它就会对抗蚀剂像的计测值造成影响，从而有可能难以实现高精度的眩光计测。
专利文献1日本特开2003-318095号公报发明内容本发明就是鉴于所述情况而做出的，根据第一观点，提供一种计测方法，计测与投影光学系统的眩光相关的信息，其包括向配置于所述投影光学系统的物体面侧的遮光图案照射光，检测通过了所述投影光学系统的光的光强度分布的第一工序；根据在所述第一工序中检测出的所述光强度分布，计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息的第二工序。
这样，由于与所述的印相法不同，不需要衬底的显影工序等，因此就可以在比印相法短的时间内进行与眩光相关的信息的计测。另外，由于可以排除所述的抗蚀剂的影响，因此能够实现高精度的与眩光相关的信息的计测。
根据本发明的第二观点，提供如下的第一曝光方法，包括利用本发明的计测方法计测与所述投影光学系统的眩光相关的信息的工序；以及考虑所述计测出的与眩光相关的信息，将形成于掩模的图案转印到衬底的工序。
这样，利用本发明的计测方法可以在短时间内高精度地计测与投影光学系统的眩光相关的信息，可以考虑该计测出的与眩光相关的信息来将形成于掩模上的图案转印到衬底上。由此，能够在降低了眩光的影响的状态下将图案高精度转印到衬底上。
根据本发明的第三观点，提供如下的第二曝光方法，包括利用本发明的计测方法计测与所述投影光学系统的眩光相关的信息的工序；考虑所述计测出的与眩光相关的信息，决定形成于掩模的图案，并在掩模上形成该图案的工序；以及将形成于所述掩模的图案转印到衬底的工序。
这样，利用本发明的计测方法可以在短时间内高精度地计测与投影光学系统的眩光相关的信息，可以考虑该计测出的与眩光相关的信息来决定形成于掩模的图案，在掩模上形成该所决定的图案。此后，将形成于该掩模的图案转印到衬底。这样就能够在衬底上形成所需尺寸的图案的转印像。
另外，在光刻工序中，通过使用本发明的第一、第二曝光方法将形成于掩模的图案转印到衬底上，能够提高高集成度的微型器件的生产性。所以，根据本发明的其他的观点，也可以说是一种使用本发明的曝光方法的器件制造方法。
图1是表示一个实施方式的曝光装置的概略图。
图2是表示图1的空间像计测装置的内部结构的图。
图3是表示在计测空间像时在狭缝板上形成了空间像PMy’的状态的图。
图4是表示在计测空间像时得到的光电转换信号(光强度信号)的一个例子的曲线图。
图5(A)是表示眩光计测中所用的计测用母版的图。
图5(B)是将眩光计测标记组的一个进行放大而表示的图。
图6是将图5(B)的眩光计测标记组的一个进行放大而表示的图。
图7(A)是表示作为发明人所进行的实验的结果的一个例子的空间像强度(与空间像对应的光强度)的图。
图7(B)是表示图7(A)的实验中所用的遮光图案的图。
图8是用于说明使用了眩光计测标记的眩光计测的图，是用于说明眩光计测标记与狭缝的尺寸的图。
图9是将利用一个实施方式的曝光装置执行的进行投影光学系统的眩光计测时的主控制装置的处理算法简化表示的流程图。
图10是表示图9的子程序110的例子的流程图。
图11是表示图9的子程序114的例子的流程图。
图12是表示在计测眩光时得到的光电转换信号(光强度信号)的一个例子的曲线图。
图13是表示利用母版设计系统的要形成于制造对象的工作母版上的母版图案数据的生成处理算法的流程图。
图14是表示遮光图案与狭缝的变形例的图(其一)。
图15是表示遮光图案与狭缝的变形例的图(其二)。
图16是表示遮光图案与狭缝的变形例的图(其三)。
图17是用于说明以往技术的图。
图18是用于说明本发明的器件制造方法的流程图。
图19是表示图18的步骤504的具体例的流程图。
具体实施例方式
下面，基于图1～图12对本发明的一个实施方式进行说明。
图1中，表示了应用本发明的计测方法及曝光方法的一个实施方式的曝光装置10的概略性结构。该曝光装置10是步进扫描方式的扫描型投影曝光装置，即所谓的扫描步进机。
该曝光装置10具备包括光源14及照明光学系统12的照明系统、保持作为掩模的母版R的母版载台RST、投影光学系统PL、保持并可以在XY平面内自由地移动作为衬底的晶片W的晶片载台WST、以及控制它们的控制系统等。另外，虽然省略了图示，但是所述各结构部分当中的光源及控制系统以外的部分，实际上被收容于高精度地维持了内部的温度、压力等环境条件的未图示的环境控制室(environmentalchamber)内。
作为所述光源14，在这里作为一个例子，使用输出KrF准分子激光(波长248nm)或ArF准分子激光(波长193nm)的准分子激光源。光源14由主控制装置50控制其激光发射的开和关、中心波长、光谱半值宽度、重复频率等。
所述照明光学系统12具备光束整形光学系统18、作为光学积分器(均化器)的蝇眼透镜22、照明系统孔径光阑板24、中继光学系统28A、28B、固定母版遮帘30A、可动母版遮帘30B、反射镜M及聚焦透镜32等。而且，作为光学积分器，也可以使用棒型(内面反射型)积分器或者衍射光学元件等。
在所述光束整形光学系统18内，例如可以包含柱形透镜或光束扩展器(都省略了图示)，其用于将由光源14脉冲发射的激光束LB的截面形状整形，使之可以高效地射入设于该激光束LB的光路后方的蝇眼透镜22。
所述蝇眼透镜22配置于从光束整形光学系统18中射出的激光束LB的光路上，为了对母版R以均匀的照度分布进行照明而形成由多个点光源(光源像)构成的面光源，即二次光源。在本说明书中，也将从该二次光源中射出的激光束称作“照明光IL”。
在蝇眼透镜22的射出侧焦点面的附近，配置有由圆板状构件构成的照明系统孔径光阑板24。在该照明系统孔径光阑板24上，以大致相等的角度间隔，例如配置有由通常的圆形开口形成的孔径光阑(通常光阑)，由小圆形开口形成、用于缩小作为相干因子的σ值的孔径光阑(小σ光阑)，环带照明用的环带形孔径光阑(环带光阑)，以及在变形光源法用途中使多个开口偏心配置而形成的变形孔径光阑(例如也被称作SHRINC的四极照明用孔径光阑)等。该照明系统孔径光阑板24由利用主控制装置50控制的电机等驱动装置40使之旋转，由此可以在照明光IL的光路上选择性地设定任意一个孔径光阑。
在从照明系统孔径光阑板24中射出的照明光IL的光路上，配置有反射率小而透过率大的分束器(beam splitter)26，另外在其后方的光路上，隔着固定母版遮帘30A及可动母版遮帘30B配置有中继光学系统(28A、28B)。
固定母版遮帘30A配置于母版R的图案面的共轭面或其附近，形成有矩形开口，该矩形开口规定在母版R上沿X轴方向(图1中的与纸面正交的方向)延伸的细长狭缝状的照明区域IAR。另外，在该固定母版遮帘30A的附近配置有可动母版遮帘30B，该可动母版遮帘30B具有与扫描方向(这里设为作为图1中的纸面内左右方向的Y轴方向)及与之正交的非扫描方向(X轴方向)分别对应的方向的位置及宽度可变的开口部。该可动母版遮帘30B例如具有一对L形叶片，由该一对L形叶片形成所述开口。在扫描曝光的开始时以及结束时，通过该可动母版遮帘30B进一步限制照明区域IAR，由此可以防止不需要的部分的曝光。另外，本实施方式中，可动母版遮帘30B也被用于后述的空间像计测时的照明区域的设定。
另一方面，在照明光学系统12内的由分束器26反射的照明光IL的光路上，配置有聚光透镜44及积分器传感器46，该积分器传感器46由在远紫外区域灵敏度良好、并且为了检测光源14的脉冲发光而具有高响应频率的PIN型发光二极管等受光元件构成。
以下对如此构成的照明系统的作用进行简单说明。从光源14中脉冲发射的激光束LB射入光束整形光学系统18，在这里对其截面形状进行整形，使之可以高效地射入后方的蝇眼透镜22，之后，射入蝇眼透镜22。这样，在蝇眼透镜22的射出侧焦点面(照明光学系统12的光瞳面)上形成了二次光源。从该二次光源中射出的照明光IL在通过了照明系统孔径光阑板24上的任意一个孔径光阑后，到达透过率大而反射率小的分束器26。透过了该分束器26的照明光IL经由第一中继透镜28A而通过固定母版遮帘30A的矩形开口部及可动母版遮帘30B，之后，通过第二中继透镜28B而被反射镜M将其光路垂直向下方折转，然后，经由聚焦透镜32，对保持于母版载台RST上的母版R上的照明区域IAR以均匀的照度分布进行照明。
另一方面，由分束器26反射的照明光IL经由过聚光透镜44由积分器传感器46接收，积分器传感器46的光电转换信号经由具有未图示的峰值保持电路及A/D转换器的信号处理装置80而提供给主控制装置50。
在所述母版载台RST上，例如利用真空吸附(或静电吸附)固定有母版R。在这里，母版载台RST利用包括线性电机等的母版载台驱动机构56R，可以在与后述的投影光学系统PL的光轴AX垂直的XY平面内二维地(在X轴方向、与之正交的Y轴方向和绕着与XY平面正交的Z轴的旋转方向(θZ方向))进行微小移动，并且可以在母版基座RBS上沿Y轴方向以指定了的扫描速度进行驱动。
在母版载台RST上，固定有反射来自母版激光干涉仪(以下称作“母版干涉仪”)54R的激光束的移动镜52R，利用母版干涉仪54R，总是以例如0.5～1nm左右的分辨率检测母版载台RST的XY面内的位置。这里，实际上，在母版载台RST上设有具有与扫描曝光时的扫描方向(Y轴方向)正交的反射面的移动镜和具有与非扫描方向(X轴方向)正交的反射面的移动镜，与这些移动镜对应地设有母版Y干涉仪和母版X干涉仪，然而，在图1中代表性地以移动镜52R、母版干涉仪54R表示它们。而且，例如也可以将母版载台RST的端面进行镜面加工而形成反射面(相当于移动镜52R的反射面)。另外，也可以取代在母版载台RST的扫描方向(本实施方式中为Y轴方向)的位置检测中所使用的在X轴方向延伸的反射面，而使用至少一个隅角立方型反射镜(例如回射器retroreflector等)。这里，母版X干涉仪和母版Y干涉仪的一者，例如母版Y干涉仪为具有2个测长轴的2轴干涉仪，基于该母版Y干涉仪的计测值，除了可以计测母版载台RST的Y位置以外，还可以计测绕Z轴的旋转(θz旋转)。
来自母版干涉仪54R的母版载台RST的位置信息将被发送到载台控制装置70，并经由它发送到主控制装置50。载台控制装置70根据主控制装置50的指示，利用母版载台驱动机构56R控制母版载台RST的移动。
所述投影光学系统PL配置于母版载台RST的图1中的下方，其光轴AX的方向被设为Z轴方向，在这里为两侧远心的缩小系统，使用由沿着光轴AX方向以规定间隔配置的多片透镜元件构成的折射光学系统。该投影光学系统PL的投影倍率例如达到1/4(或1/5)等。由此，当利用来自照明光学系统12的照明光IL对母版R上的狭缝状照明区域IAR照明时，利用通过了该母版R的照明光IL，经由投影光学系统PL，在表面涂敷了抗蚀剂(感光剂)的晶片W上的与所述照明区域IAR共轭的曝光区域IA上，形成该狭缝状照明区域IAR内的母版R的电路图案的缩小像(部分缩小像)。
构成投影光学系统PL的多个透镜元件当中的一部分多片透镜元件(以下称作“可动透镜”。)，可以由未图示的驱动元件(例如压电元件等)沿光轴AX方向及相对于XY面倾斜的方向进行微小驱动。各驱动元件的驱动电压(驱动元件的驱动量)根据来自主控制装置50的指令，由成像特性修正控制器78控制，由此，可以修正投影光学系统PL的成像特性，例如像面弯曲、扭曲、倍率、球面像差、非点像差及慧形像差等。
所述晶片载台WST包括XY载台42、搭载于该XY载台42上的Z倾斜载台38。
所述XY载台42被未图示的空气轴承隔着例如几μm左右的间隙悬浮支承于晶片基座16上表面的上方，可以利用构成晶片载台驱动机构56W的未图示的线性电机等在作为扫描方向的Y轴方向及与之正交的X轴方向对其二维驱动。在该XY载台42上搭载有Z倾斜载台38，在该Z倾斜载台38上放置有晶片夹具25。晶片W由该晶片夹具25利用真空吸附等保持。
虽然未图示，但是Z倾斜载台38由三个Z位置驱动机构以三点支承于XY载台42上。本实施方式中，利用所述三个Z位置驱动机构，在光轴AX方向(Z轴方向)和相对于与光轴正交的面(XY面)倾斜的方向，即、作为绕X轴的旋转方向的θx方向、作为绕Y轴的旋转方向的θy方向驱动Z倾斜载台38。图1中，作为晶片载台驱动机构56W表示包括驱动XY载台42的线性电机等和三个Z位置驱动机构。
在所述Z倾斜载台38上，固定有反射来自晶片激光干涉仪(以下称作“晶片干涉仪”)54W的激光束的移动镜52W，利用配置于外部的晶片干涉仪54W，可以总是以例如0.5～1nm左右的分辨率检测Z倾斜载台38(晶片载台WST)的XY面内的位置。
这里，实际上，在Z倾斜载台38上，设有具有与作为扫描曝光时的扫描方向的Y轴方向正交的反射面的移动镜和具有与作为非扫描方向的X轴方向正交的反射面的移动镜，虽然晶片干涉仪也与之对应地设有X激光干涉仪和Y激光干涉仪，然而，在图1中代表性地以移动镜52W、晶片干涉仪54W表示它们。而且，例如也可以对Z倾斜载台38的端面进行镜面加工而形成反射面(相当于移动镜52W的反射面)。另外，X激光干涉仪及Y激光干涉仪为具有多个测长轴的多轴干涉仪，除了Z倾斜载台38的X、Y位置以外，还可以计测旋转(偏转(作为绕Z轴的旋转的θz旋转)、纵摆(作为绕X轴的旋转的θx旋转)、横摆(作为绕Y轴的旋转的θy旋转)。所以，在以下的说明中，利用晶片干涉仪54W计测Z倾斜载台38的X、Y、θz、θy、θx 5个自由度方向的位置。另外，也可以是多轴干涉仪经由倾斜45°设于Z倾斜载台38上的反射面，向设于放置有投影光学系统PL的支架(未图示)的反射面照射激光束，检测与投影光学系统PL的光轴方向(Z轴方向)相关的相对位置信息。
Z倾斜载台38(晶片载台WST)的位置信息(或速度信息)被提供给载台控制装置70，并经由它提供给主控制装置50。载台控制装置70根据主控制装置50的指示，利用晶片载台驱动机构56W控制Z倾斜载台38(晶片载台WST)在XY面内的位置。
另外，在Z倾斜载台38的内部，配置有构成在投影光学系统PL的光学特性的计测中所用的空间像计测装置59的光学系统的一部分。这里，对该空间像计测装置59的结构进行详细叙述。该空间像计测装置59如图2所示，具备设于Z倾斜载台38的载台侧构成部分，即、作为图案板的狭缝板90、由透镜84、86构成的中继光学系统、光路折转用的反射镜88、送光透镜87；设于晶片载台WST外部的载台外构成部分，即、反射镜96、受光透镜89、由光电转换元件构成的光传感器94等。
下面对其进行进一步详细叙述。如图2所示，上部形成有开口的突设部58设于晶片载台WST的一个端部的上表面，狭缝板90以封堵其开口的状态从上方嵌入。对于该狭缝板90而言，在俯视观察时为长方形的受光玻璃82的上面形成有兼作遮光膜的反射膜83，该反射膜83的一部分通过图案化形成有狭缝状的开口图案(以下称作“狭缝”)29。实际上，虽然狭缝板90如图3所示，以该图3中所示的位置关系(在X轴方向及Y轴方向分开L(L例如为20μm)的位置关系)形成有沿X轴方向延伸的规定宽度D(D例如为100nm)的狭缝29y、和沿Y轴方向延伸的规定宽度D的狭缝29x，然而图2中将这些狭缝29x、29y代表性地表示为狭缝29。狭缝29x、29y的长度都为L。以下说明中，将狭缝29x、29y适当地统称为狭缝29。而且，本实施方式中，对于采用如上所述的狭缝的配置、尺寸的理由将在后面进一步叙述。
这里，狭缝板90也可以兼作基准标记板和基准反射板的至少一者，该基准标记板形成有在后述的对准系统的基线计测中使用的基准标记及其他的基准标记，该基准反射板用于进行后述的多点焦点位置检测系统的传感器间校正。另外，当然也可以与狭缝板90分立地设置基准标记板。另外，在本实施方式中，在反射膜83的表面上，例如利用氧化铬等实施了防反射涂层，其反射率被设定为与抗蚀剂的反射率相同的程度。
在狭缝29下方的Z倾斜载台38内部，隔着反射镜88配置有由透镜84、86构成的中继光学系统(84、86)，该反射镜88将经由狭缝29垂直向下入射的照明光IL的光路折转成水平光路，在该中继光学系统(84、86)的光路后方的晶片载台WST的+Y侧的侧壁上，固定有送光透镜87，该送光透镜87将由中继光学系统(84、86)中继传递了规定光路长度的照明光IL传送到晶片载台WST的外部。
在由送光透镜87送出到晶片载台WST外部的照明光IL的光路上，以45°的倾斜角倾斜设有在X轴方向具有规定长度的反射镜96。利用该反射镜96，将送出到晶片载台WST外部的照明光IL的光路垂直向上方折转90°。在该折转了的光路上配置有直径比送光透镜87大的受光透镜89。在该受光透镜89的上方，配置有光传感器94。这些受光透镜89及光传感器94收纳于外壳92内，并保持规定的位置关系，该外壳92通过安装构件93固定于立设在晶片基座16上面的支柱97的上端部附近。
作为所述光传感器94，可以使用能够高精度地检测出微弱的光的光电转换元件(受光元件)，例如光电倍增管(PMTPhoto Multiplier Tube)等。来自光传感器94的光电转换信号P经由图1的信号处理装置80送到主控制装置50。信号处理装置80例如可以包括放大器、样品夹具、A/D转换器(通常使用16位的分辨率的转换器)等。
而且，虽然如前所述，狭缝29形成于反射膜83上，但是，在以下说明中，为了方便，以在狭缝板90上形成了狭缝29的构造进行说明。
根据上述那样构成的空间像计测装置59，在进行后述的隔着投影光学系统PL对母版上的计测标记的投影像(空间像)的计测时，当利用透过投影光学系统PL的照明光IL照明了构成空间像计测装置59的狭缝板90时，透过了该狭缝板90上的狭缝29的照明光IL经由透镜84、反射镜88及透镜86、送光透镜87而导出到晶片载台WST的外部。此后，该导出到晶片载台WST的外部的照明光IL被反射镜96将光路垂直折转向上方，经由受光透镜89而被光传感器94接收，从该光传感器94经由信号处理装置80向主控制装置50输出与其受光量对应的光电转换信号(光量信号)P。
在本实施方式的情况下，由于计测标记等的投影像(空间像)的计测是利用狭缝扫描方式进行的，因此，在此时，送光透镜87将相对于受光透镜89及光传感器94进行移动。所以，在空间像计测装置59中，将各透镜及反射镜96的大小设定为使得透过了在规定的范围内移动的送光透镜87的光全部射入受光透镜89。
这样，在空间像计测装置59中，由狭缝板90、透镜84、86、反射镜88及送光透镜87，构成将透过了狭缝29的照明光IL向晶片载台WST外导出的光导出部，由受光透镜89及光传感器94构成接收导出到晶片载台WST外的光的受光部。在该情况下，这些光导出部和受光部被机械地分离。此外，仅在计测空间像时，光导出部与受光部才通过反射镜96光学地连接。
即，在空间像计测装置59中，由于将光传感器94设于晶片载台WST外部的规定位置，因此能够在可能的范围内抑制由光传感器94的发热引起的对晶片激光干涉仪54W的计测精度等造成的不良影响。另外，由于不是利用光导管等将晶片载台WST的外部与内部连接起来，因此不会像将晶片载台WST的外部与内部利用光导管连接时那样给晶片载台WST的驱动精度带来不良影响。
当然，在可以忽视或者排除热的影响等的情况下，也可以将光传感器94设于晶片载台WST的内部。对于使用空间像计测装置59进行的空间像计测方法将在后面详细叙述。
回到图1，在投影光学系统PL的侧面，设有检测晶片W上的对准标记(对位标记)的离轴对准系统ALG。本实施方式中，作为该对准系统ALG，可以使用图像处理方式的对准传感器，即、所谓的FIA(FieldImage Alignment)系统。该对准系统ALG的检测信号被提供给主控制装置50。
另外，在本实施方式的曝光装置10中，如图1所示，设有由照射系统60a和受光系统60b构成的斜入射方式的多点焦点位置检测系统，该照射系统60a具有由主控制装置50控制开和关的光源，从相对于光轴AX倾斜的方向向投影光学系统PL的成像面照射用于形成多个针孔或狭缝的像的成像光束；该受光系统60b接收这些成像光束在晶片W表面的反射光束。与本实施方式的多点焦点位置检测系统(60a、60b)相同的多点焦点位置检测系统的详细结构已被例如日本特开平6-283403号公报等所公开。
在主控制装置50中，在后述的扫描曝光等时，基于来自受光系统60b的焦点偏移信号(散焦信号)，例如S曲线信号，利用晶片载台驱动机构56W控制Z倾斜载台38向Z轴方向的移动及二维的倾斜(即θx、0y方向的旋转)，使得焦点偏移变为零，即、基于多点焦点位置检测系统(60a、60b)的输出，利用载台控制装置70及晶片载台驱动机构56W控制Z倾斜载台38，由此执行在与照明区域IAR共轭的曝光区域(照明光IL的照射区域)IA内使投影光学系统PL的成像面与晶片W的表面实质上一致的对焦调平控制。
另外，虽然在图1中省略了图示，但是在本实施方式的曝光装置10中，在母版R的上方，在X轴方向相隔规定距离设有由TTR(ThroughThe Reticle)对准系统构成的一对母版对准检测系统，该TTR对准系统用于隔着投影光学系统PL同时观察母版R上的母版标记和与之对应的基准标记板上的基准标记，使用了曝光波长的光。作为这些母版对准检测系统，例如可以使用结构与日本特开平7-176468号公报及与之对应的美国专利第5,646,413号等所公开的系统相同的系统。只要是由本国际申请所指定的指定国或所选定的选定国的国内法律容许，则引用所述美国专利的公开内容作为本说明书的记载的一部分。
所述控制系统以由工作站(或微机)构成的主控制装置50为中心，包括处于该主控制装置50的控制之下的载台控制装置70等。
下面，对使用了空间像计测装置59的利用水平方向的狭缝扫描(以下适当地称作“水平扫描”)的空间像计测进行说明。
图2中，表示了使用空间像计测装置59正在计测形成于母版R1上的计测标记PMy的空间像的状态。作为该图2中的母版R1，可以使用形成了专用的计测标记的母版等，其是空间像计测专用的测试母版、器件的制造中所用的器件母版。也可以取代这些母版，而使用形成了计测标记的母版基准标记板，其是在母版载台RST上由材质与母版相同的玻璃材料构成的固定标记板。
这里，设定为在母版R1上，在规定的部位形成有以X轴方向为长边方向的计测标记PMy、以Y轴方向为长边方向的计测标记PMx。
这里，计测标记PMy及计测标记PMx可以分别是在X轴方向及Y轴方向具有周期性的标记，也可以是例如占空比为1∶1的线和空隙(L/S)标记。另外，计测标记PMy和计测标记PMx也可以邻近配置。
例如，在计测计测标记PMy的空间像时，利用主控制装置50，通过未图示的遮帘驱动装置驱动图1所示的可动母版遮帘30B，将照明光IL的照明区域限制在包括计测标记PMy部分的规定区域(参照图2)。在该状态下，当利用主控制装置50开始光源14的发光，将照明光IL照射到计测标记PMy时，因计测标记PMy而发生衍射、散射的光(照明光IL)被投影光学系统PL折射，在该投影光学系统PL的像面上形成计测标记PMy的空间像(投影像)。此时，设定为晶片载台WST如图3所示，设定于在狭缝板90上的狭缝29y的+Y侧(或-Y侧)形成了计测标记PMy的空间像PMy’的位置上。
此外，当在主控制装置50的指示下，利用载台控制装置70，如图3中箭头Fy所示那样沿+Y方向驱动晶片载台WST时，狭缝29y相对于空间像PMy’在Y轴方向扫描。在该扫描中，通过狭缝29y的光(照明光IL)经由晶片载台WST内的受光光学系统、晶片载台WST外部的反射镜96及受光透镜89而由光传感器94接收，并将其光电转换信号P提供给图1所示的信号处理装置80。在信号处理装置80中，对该光电转换信号实施规定的处理，将与空间像PMy’对应的光强度信号提供给主控制装置50。此时，在信号处理装置80中，为了抑制由来自光源14的照明光IL的发光强度的不均造成的影响，用图1所示的积分器传感器46的信号将光传感器94的信号通过例如除法处理进行归一化，将该进行了归一化的信号提供给主控制装置50。在主控制装置50中，以规定的取样间隔同时取入在所述扫描驱动中经由信号处理装置80输入的来自光传感器94的输出信号、经由载台控制装置70输入的Z倾斜载台38的Y轴方向的位置(Y位置)信息，由此可以取得投影像(空间像)的强度信号(空间像轮廓)。
图4中，表示了在所述的空间像计测之时得到的光电转换信号(光强度信号)P的一个例子。
在对计测标记PMx的空间像进行计测的情况下，通过将晶片载台WST设定于在狭缝板90上的狭缝29x的+X侧(或-X侧)形成计测标记PMx的空间像的位置，如图4中箭头Fx所示那样在X轴方向驱动晶片载台WST而进行与所述相同的狭缝扫描方式的计测，可以获得与计测标记PMx的空间像对应的光电转换信号(光强度信号)。
下面，对本实施方式的曝光装置10的投影光学系统PL的眩光计测方法进行说明，在此之前，先基于图5(A)及图5(B)对该眩光计测中所用的计测用母版RT的一个例子进行说明。在投影光学系统中产生的眩光，大致分为由在构成投影光学系统的光学构件(透镜等)的表面或在该表面的涂覆膜上在小角度范围内产生的前方散射光引起的眩光，即、由光学构件表面的散射光引起的局部眩光(local flare)；以及由光学构件的涂覆膜的反射引起的眩光，即、由光学构件表面的反射引起的全局眩光。另外，局部眩光在像面上显现于遮光图案的像的边缘附近(例如几μm～100μm的范围)，全局眩光则扩展到局部眩光的外侧(从100μm到整个像面)。
图5(A)中，表示了眩光计测中所用的计测用母版RT的一个例子。该图5(A)是从图案面侧(图1中的下面侧)观察计测用母版RT而得到的俯视图。如该图5(A)所示，计测用母版RT由矩形的玻璃衬底70构成，在其中央形成有图案区域PA。在图案区域PA的内部，设有两个计测标记的形成区域。
即，在图案区域PA的内部，设有位于其中央部的与所述照明区域IAR大致相同大小的矩形的第一标记形成区域(由虚线包围的区域)、位于Y轴方向一侧的端部附近的与所述照明区域IAR大致相同大小的矩形的第二标记形成区域。在第一标记形成区域的内部，以i行j列(图5(A)中表示了2行5列的情况。)的矩阵状配置有由铬等构成的多个眩光计测标记组MPn(MP1～MPN)。
眩光计测标记组MP1～MPN分别如在图5(B)中代表性地取出眩光计测标记组MP1所示的那样，由多个(这里为3个)近似L形的眩光计测标记MPn，1、MPn，2、MPn，3(这里为MP1，1、MP1，2、MP1，3)构成。其中，眩光计测标记MPn，1如图6所示，具有第一部分mpx和第二部分mpy，其中，第一部分mpx由在X轴方向延伸的规定长度M(M在像面上换算为3L，即3×20μm＝60μm)、第一线宽d的线状遮光图案构成；第二部分mpy由在Y轴方向延伸的长度M及第一线宽d的线状遮光图案构成，该线状遮光图案以其长边方向的一端的角部与该第一部分mpx的长边方向的一端的角部点接触的状态配置。
另外，虽然眩光计测标记MPn，2、MPn，3与眩光计测标记MPn，1相同，分别由第一部分mpx和第二部分mpy构成，然而各部分的线宽为第二线宽、第三线宽。这里，第一线宽、第二线宽、第三线宽为相互不同的线宽。
而且，对于眩光计测标记MPn，1、MPn，2、MPn，3而言，相邻的计测标记以在X轴方向及Y轴方向彼此空开例如像面上换算值为100μm的间隔的状态配置(参照图5(B))。这里，使间隔为100μm是考虑到局部眩光的扩展范围最大也就是从图案边缘起100μm左右的结果。
这里，对于将所述的狭缝29x、29y与眩光计测标记组MP1～MPn的各标记设定为如上所述的尺寸的理由进行简单的说明。
图7(A)中，作为发明人所进行的实验的结果的一个例子，将横轴作为水平扫描方向的狭缝中心的位置来表示空间像强度(与空间像对应的光强度)，该空间像强度是使用空间像计测装置59，利用所述的水平扫描来计测如图7(B)所示的横向长度为F的矩形遮光图案的空间像时得到的。根据该图7(A)可知，在从像的边缘部分E起约20μm的区域中，由于局部眩光的影响，空间像强度无法保持恒定，即、从边缘部分起的20μm，受到来自边缘的外侧方向的眩光的影响。
另一方面，本实施方式中，在计测眩光时，如图8中的箭头所示，使用如下的利用水平扫描的空间像计测，即，使狭缝29x、29y相对于例如眩光计测标记MPn，1的像MPn，1’，沿与X轴方向及Y轴方向交叉的方向(本实施方式中，例如成45°的方向)进行相对扫描。所以，在进行该计测之时，为了如图8所示那样，使狭缝29x、29y分别通过从眩光计测标记MPn，1的第一部分mpx的像mpx’、第二部分mpy的像mpy’各自的长边方向的边缘离开20μm的位置，而将所述的狭缝29x、29y和眩光计测标记组MP1～MPn的各标记设定为如上所述的尺寸。
所以，本实施方式中，基于透过狭缝29x的照明光IL的光强度，可以高精度地进行各眩光计测标记的(第一部分mpx的)X轴方向的局部眩光的计测，而不受来自Y轴方向、即来自眩光计测标记mpx的长边方向的端部的局部眩光的影响。同样地，基于透过了狭缝29y的照明光IL的光强度，可以高精度地进行各眩光计测标记的(第二部分mpy的)Y轴方向的局部眩光的计测，而不受来自X轴方向、即来自眩光计测标记mpy的长边方向的端部的局部眩光的影响。
在母版RT的图案区域PA内部的第二图案形成区域中，以与眩光计测标记组MPn对应的配置，形成有聚焦评价标记(以下也称作评价标记)FRM。图5(A)中，形成有2行5列的评价标记FRM1，1、…FRM1，5、FRM2，1、…FRM2，5。作为这些评价标记FRM1，1、…FRM1，5、FRM2，1、…FRM2，5，在这里虽然分别使用了十字标记，但是并不限定于此，例如也可以利用与排列方向正交的2个线和空隙图案来形成。
另外，在相对于通过计测用母版RT上的中心(母版中心)的非扫描方向的直线状母版中心左右对称的位置上，如图5(A)所示，分别形成有一对母版对准标记RM1、RM2。
下面，沿着将主控制装置50内的CPU的处理算法简化表示的图9的流程图，并且适当地使用其他的附图，对由本实施方式的曝光装置10执行的投影光学系统PL的眩光计测进行说明。
在该情况下，在可以利用所述的照明系统孔径光阑板24的切换来设定的M种(本实施方式中M＝4)照明条件下，即，在利用通常光阑设定的通常照明条件(第一照明条件)、利用小σ光阑设定的小σ照明条件(第二照明条件)、利用环带光阑设定的环带照明条件(第三照明条件)、利用SHRINC设定的四极照明条件(第四照明条件)的各个条件下，进行眩光计测。
作为前提，设定为构成多点焦点位置检测系统(60a、60b)的、检测各检测点的面位置信息的多个传感器(光探测器)相互间的输出校正已经结束，各传感器所输出的面位置信息分别是准确的。另外，设定为表示所述4个照明条件的编号的第一计数器的计数值m被初始化为1。
首先，在图9的步骤102中，通过未图示的母版装载器将计测用母版RT装载到母版载台RST上。
在接下来的步骤104中，进行计测用母版RT与投影光学系统PL的对位、母版遮帘的设定等规定的准备作业。具体来说，首先，一边监视晶片干涉仪54W的计测结果，一边利用载台控制装置70及晶片载台驱动机构56W驱动晶片载台WST，使得在设于晶片载台WST上的未图示的基准标记板的表面上形成的一对基准标记的中点与投影光学系统PL的光轴基本上一致。然后，基于母版干涉仪54R的计测值，通过载台控制装置70及母版载台驱动机构56R移动母版载台RST，直至计测用母版RT的中心(母版中心)与投影光学系统PL的光轴基本上一致的位置，利用所述的母版对准检测系统(未图示)，隔着投影光学系统PL分别检测母版对准标记RM1、RM2和与它们分别对应的所述一对基准标记的位置偏移。这样，最终可以在由晶片干涉仪54W的测长轴规定的晶片载台坐标系上，检测出母版载台RST上的计测用母版RT相对于投影光学系统PL的位置。另外，设定为由母版干涉仪54R的测长轴规定的母版载台坐标系和晶片载台坐标系的关系是已知的。如果使用这两个坐标系间的关系，则通过基于母版干涉仪54R的输出来驱动母版载台RST，可以将作为母版R的计测用母版RT的任意区域定位于在投影光学系统PL的视野内的有效区域(静态区域static field)中。另外，调整可动母版遮帘30B的非扫描方向的开口宽度，以使例如照明光IL的照明区域与计测用母版RT的图案区域PA大致一致。
另外，所述的两个坐标系间的关系例如可以在曝光时，作为进行器件用母版的母版对准的结果来获得。
在接下来的步骤106中，参照所述的第一计数器的计数值m，通过所述的照明系统孔径光阑板24设定第m照明条件(该情况下，是作为第一照明条件的通常照明条件)。
在接下来的步骤108中，基于母版干涉仪54R的计测值驱动母版载台RST，将计测用母版RT上的第二标记形成区域定位于投影光学系统PL的视野内的有效区域(与所述的照明区域IAR对应的区域)中。
在接下来的步骤110中，转移到对投影光学系统PL的视野内的有效区域内部的N个(例如10个)评价点计测最佳聚焦位置的子程序。
在该步骤110的子程序中，首先，在图10的步骤202中将第二计数器的计数值n初始化为1(n←1)，该计数值n表示投影光学系统PL的视野内的有效区域内部的评价点的编号。
在接下来的步骤204中，利用载台控制装置70调整Z倾斜载台38的Z位置，使得狭缝板90表面的高度位置，即Z轴方向的位置(以下简称为“Z位置”)达到规定的初始位置。作为该情况下的“初始位置”，例如在调试曝光装置时，或在以前所检测出的最佳聚焦位置因装置的初始化等而被删除等情况下，采用默认设定的Z位置(高度位置)，例如所述编码器的中立位置(原点位置)，在上次所检测出的最佳聚焦位置的检测结果的数据(多点焦点位置检测系统的计测值)未被删除，而被储存于存储器51等中的情况下，可以采用作为该检测结果的数据的最佳聚焦位置。
在接下来的步骤206中，利用与先前针对计测标记PMx所说明的相同的X轴方向的水平扫描，使用空间像计测装置59，计测第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的空间像(投影像)。由此，可获得该第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的投影像(空间像)的轮廓(以横轴作为X位置的强度信号波形)的数据。
在接下来的步骤208中，利用与先前针对计测标记PMy所说明的相同的Y轴方向的水平扫描，使用空间像计测装置59，计测第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的空间像(投影像)。由此，可获得该第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的投影像(空间像)的轮廓(以横轴作为Y位置的强度信号波形)的数据。
在接下来的步骤210中，对于规定数(例如设为15)的步骤，改变狭缝板90的Z位置，判断是否进行了空间像计测。这里，由于只是对狭缝板90的初始位置进行了空间像计测，因此该步骤210的判断是否定的，转移到步骤212，在将狭缝板90的Z位置依照规定的程序进行了变更后，回到步骤206。
这里，所述步骤212中的狭缝板90的Z位置设定及变更是基于该第n个评价点(即，第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1))的像的成像点附近的多点焦点位置检测系统(60a、60b)的检测点的面位置信息进行的。此外，狭缝板90的Z位置的设定及变更的顺序可以是任意的。
其后，反复进行步骤206→208→210→212→206的循环处理，直至步骤210中的判断是肯定的为止。
这样，当步骤210的判断是肯定的时，转移到步骤214，然而此时，关于第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)，对于15个步骤的Z位置的每个Z位置，都获得了利用X轴方向水平扫描得到的空间像的强度信号(空间像轮廓)、利用Y轴方向扫描得到的空间像的强度信号(空间像轮廓)。
在步骤214中，基于针对第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的合计30个空间像的强度信号，如下面的a.～c.所示那样计算该第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的最佳聚焦位置。
a.分别计算按狭缝板90的每个Z位置(光轴方向位置)得到的15个利用X轴方向水平扫描得到的强度信号的对比度值，将这些对比度值利用最小平方法进行函数拟合而得到对比度曲线(对比度与聚焦位置的关系)，基于该对比度曲线的峰值点，计算将第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)作为X标记处理的情况下的最佳聚焦位置Znx(使对比度最大的聚焦位置)。
b.同样地，分别计算按狭缝板90的每个Z位置(光轴方向位置)得到的15个利用Y轴方向水平扫描得到的强度信号的对比度值，将这些对比度值利用最小平方法进行函数拟合而得到对比度曲线，基于该对比度曲线的峰值点，计算将第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)作为Y标记处理的情况下的最佳聚焦位置Zny。
c.然后，将所述的最佳聚焦位置Znx、Zny的平均值(Znx+Zny)/2作为与计测用母版RT上的第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)对应的第n个评价点的最佳聚焦位置(最佳成像面位置)Zbestn。当然，该Zbestn是对检测对象物表面的Z位置进行检测的多点焦点位置检测系统(60a、60b)的传感器的计测值(即距所设定的检测原点的偏离值)，该检测对象物位于该第n个评价标记(这里为第一个评价标记FRM1，1)的像最接近的检测点。
另外，根据使用曝光装置的曝光工序不同，有时长边方向与X轴方向及Y轴方向的任意一个方向平行的图案变得特别重要。所以，在进行用于计算所述最佳聚焦位置Zbestn的、Znx与Zny的所述平均化处理之时，也可以对重要方向的图案的最佳聚焦位置加权来进行平均化处理。
在接下来的步骤214中，通过判断所述第二计数器的计数值n是否在评价点的总数N(本实施方式中，作为一个例子设定为N＝10)以上，对投影光学系统的视野内的N个评价点(对应的N个评价标记)，判断最佳聚焦位置的检测处理是否结束。这里，由于仅是针对第一个评价标记FRM1，1的处理结束，因此这里的判断是否定的，转移到步骤218，在将第二计数器的计数值n加1(n←n+1)后，回到步骤204，以后反复进行所述的步骤204以下的处理，直至步骤216的判断是肯定的为止。
这样，关于第2～第10(第N)个评价标记FRM1，2、FRM1，3、…、FRM1，5、FRM2，5、FRM2，4、…、FRM2，1的各个标记，针对15个阶段的Z位置，进行利用X轴方向水平扫描及Y轴方向水平扫描的空间像计测(投影像(空间像)的强度信号(空间像轮廓)的取得)；以及与各评价标记对应的投影光学系统PL的视野内的第2～第10(第N)个评价点的最佳聚焦位置Zbest2～Zbest10的计算。
此后，当步骤216的判断是肯定的时，结束计测该最佳聚焦位置的子程序的处理而返回图9的主程序的步骤112。
另外，作为最佳聚焦位置的计测方法，并不限于如上所述的方法，也可以一边利用照明光IL对评价标记照明，一边使狭缝板90相对于通过投影光学系统PL形成的评价标记的投影像(空间像)在X轴(或Y轴)方向扫描，在该扫描中隔着狭缝29接收照明光，由此检测评价标记的投影像的X轴(或Y轴)方向的位置信息，并且在基于该检测结果，将狭缝板90在XY面内定位的状态下，一边利用照明光IL对评价标记照明，一边使狭缝板90在Z轴方向扫描，以规定的取样间隔取得位置数据及透过了狭缝的照明光的强度数据，根据这些数据计算投影光学系统PL的最佳聚焦位置。
在步骤112中，基于母版干涉仪54R的计测值移动母版载台RST，将计测用母版RT上的第一标记形成区域定位于投影光学系统PL的视野内的有效区域(与所述的照明区域IAR对应的区域)中。在该步骤112中母版载台RST移动时，计测用母版RT的与投影光学系统PL的光轴方向相关的位移，为小到可以忽视的程度。所以，在移动开始前后，与投影光学系统PL的视野内的同一评价点对应的、计测用母版RT的图案面上的点的Z位置彼此相同，即，移动开始前的状态下的第1～第10(第N)个评价标记FRM1，1、FRM1，2、…、FRM1，5、FRM2，5、FRM2，4、…、FRM2，1各自的Z位置，与移动后的状态下的MP1、MP2、…、MP5、MP10(MPN)、MP9、…、MP6各自的Z位置分别大致一致。
在接下来的步骤114中，转移到对投影光学系统PL的视野内的有效区域内部的N个(例如10个)评价点计测局部眩光的子程序。
在该子程序114中，首先，在图11的步骤302中，将所述第二计数器的计数值初始化为1(n←1)。
在接下来的步骤304中，调整狭缝板90的位置，使之与先前在步骤110中计测出的投影光学系统PL的视野内的有效区域内部的第n个(这里为第1个)评价点的最佳聚焦位置一致。
在接下来的步骤306中，驱动可动母版遮帘30B来限制照明区域，使得仅向位于所述第n个(这里为第1个)评价点的第n个眩光计测标记组MPn(这里为MP1)附近照射照明光IL。
在接下来的步骤308中，对该第n个(这里为第1个)眩光计测标记组MPn(＝MP1)的各标记(MP1，1、MP1，2、MP1，3)的至少一个，执行利用空间像计测法的眩光计测。
例如，在对第n个(这里为第1个)眩光计测标记组MPn(＝MP1)的最宽的眩光计测标记MPn，1(这里由于n＝1，因此是眩光计测标记MP1，1)进行眩光计测的情况下，如下面的A.～C.所示。
A.首先，主控制装置50基于晶片干涉仪54W的计测值，利用载台控制装置70及晶片载台驱动机构56W驱动晶片载台WST，将晶片载台WST移动至该眩光计测标记MPn，1的计测开始位置(图8中狭缝29x、29y位于以虚线表示的位置上的位置)。
B.从该状态开始，主控制装置50在用照明光IL对计测用母版RT上的眩光计测标记MPn，1附近进行了照明的状态下，一边使晶片载台WST在相对于X轴及Y轴倾斜45°的方向上进行扫描，一边使用空间像计测装置59，如图8所示那样，以水平扫描方式计测眩光计测标记MPn，1的通过投影光学系统PL得到的投影像MPn，1。由此，通过投影光学系统PL的照明光IL被光传感器94接收，主控制装置50得到如图12所示的光强度分布。在图12中，横轴是与计测方向(与像mpx’或mpy’的长边方向正交的方向)相关的狭缝29x、29y的位置，纵轴是由光传感器94计测的光强度。
这里，从图8中也可以看到，本实施方式中，与同时进行第一空间像计测(光强度信号的取入)、第二空间像计测(光强度信号的取入)的情况等效的计测，被作为针对眩光计测标记MPn，1的眩光计测来执行，作为该计测结果可以得到像mpx’的光强度信号与像mpy’的光强度信号合起来的光强度信号。所述第一空间像计测是利用狭缝29x对像mpx’的X轴方向水平扫描进行的，所述第二空间像计测是利用狭缝29y对像mpy’的Y轴方向水平扫描进行的。所以，与进行第一空间像计测或第二空间像计测的情况相比，可以获得S/N比良好的光强度信号。
C.然后，主控制装置50基于所得到的光强度信号，使用下式(1)计算对比度值C1，作为眩光的指标。
C1＝I0/I1 …(1)这里，I1为所检测出的光强度的最大值(基准值)，I0为想要得到眩光量的点的光强度的值。例如，线宽d的部分眩光的代表性的指标值(与所述对比度值C对应的值)只要在上式(1)中代入所检测出的光强度的最小值I3，计算出C1＝I3/I1即可。
由于这里所计算出的对比度值C1是与一维方向的眩光相关的对比度值，因此例如也可以通过将该值乘2，计算出作为二维方向的眩光的指标值的对比度值。
该对比度值2×C1可以认为与将如图17所示的一边为d的规定标记转印到晶片时的、由所述印相法得到的对比度值C基本上一致。
另外，在上面的说明中，虽然通过只将对比度值C1乘2，就可以换算为由印相法得到的对比度值C，但是，例如也可以对一边长度d不同的各种正方形图案，预先使用所述印相法分别求得对比度值C，同样地对线宽d不同的各种眩光计测标记，求得对比度值C1，根据与相同的d对应的对比度值C和对比度值C1的关系，算出以下式(2)表示的换算式，该换算式将对比度值C1换算为由印相法得到的对比度值。
由印相法得到的对比度值＝f(C1) ……(2)此外，在求得了对比度值C1之后，也可以使用上式(2)，计算由印相法得到的对比度值。
本实施方式中，由于眩光计测标记组MPn由排列在相对于X、Y轴倾斜45°的方向的多个眩光计测标记MPn，1、MPn，2、MPn，3构成，因此利用一次水平扫描动作，就可以对眩光计测标记MPn，1、MPn，2、MPn，3进行眩光计测，从而可以获得针对各眩光计测标记MPn，1、MPn，2、MPn，3的对比度值C1(或其换算值)。
回到图11，在下面的步骤310中，通过判断第二计数器的计数值n是否在眩光计测标记组(评价点)的总数N以上，而对全部的眩光计测标记组判断眩光计测是否结束。该情况下，由于n＝1，只不过是结束了对最初的眩光计测标记组MP1的眩光计测，因此这里的判断否定的，转移到步骤312，在将第二计数器的计数值加1(n←n+1)后，回到步骤304。以后，反复进行步骤304→306→308→310→312→304的循环处理，直至步骤310的判断是肯定的为止。这样，对于第2～第N(第10)评价点，在将狭缝板设定于其最佳聚焦位置的状态下，对第2～第N(第10)眩光计测标记组MP2～MPN通过所述利用水平扫描的空间像计测的方法进行眩光计测，计算出对比度值C1(或其换算值)。
此后，当针对第N(第10)眩光计测标记组MPN的眩光计测及对比度值C1(或其换算值)的计算结束，步骤310的判断是肯定的时，结束该子程序114的处理，返回图9的主程序的步骤116。
在步骤116中，通过判断所述第一计数器的计数值m是否在可设定的照明条件的总数M(这里为4)以上，来判断所有照明条件下的眩光计测是否结束。该情况下，由于仅最初的照明条件下、即通常照明条件下的眩光计测结束，因此这里的判断是否定的，转移到步骤118，在将第一计数器的计数值m加1(m←m+1)后，反复进行所述步骤106以下的处理，直至步骤116中的判断是肯定的为止。这样，就可以在第2照明条件(由小σ光阑设定的小σ照明条件)、第三照明条件(由环带光阑设定的环带照明条件)、第四照明条件(由SHRINC设定的四极照明条件)的各个条件下，依次进行眩光计测。
像这样，当在第M照明条件下，结束了眩光计测时，则步骤116中的判断是肯定的，结束本程序的一连串的处理。
在以下说明中，将利用所述眩光计测得到的对比度值C1(或其换算值)称作“眩光信息”。
下面，针对考虑了所述眩光信息的、包括母版图案数据中的线宽信息的修正的、要形成于工作母版(曝光装置10中所用的母版R)上的母版图案数据的生成处理，沿着图13的流程图进行说明，该流程图表示构成未图示的母版设计系统的计算机(内部的CPU)的处理算法。
这里，从说明上的方便考虑，设定为母版设计系统通过LAN或互联网等(以下记作“LAN等”)与曝光装置10的主控制装置50连接。
该图13的处理算法开始之时是从未图示的多台设计用终端经由LAN等向构成母版设计系统的计算机，分别输入了信息的时刻，该信息包括要形成于作为制造对象的工作母版上的图案的部分设计数据。
首先，在步骤402中，计算机响应这些信息的输入，生成统一了所有的部分设计数据的一个母版图案的基本设计数据。
在接下来的步骤404中，将所生成的工作母版的图案的基本设计数据经由LAN等发送给曝光装置10的主控制装置50，查询并取得包括曝光装置10的曝光条件(包括目标照明条件、目标曝光量(与抗蚀剂灵敏度对应的恰当曝光量)、投影光学系统的使用NA等信息)的信息；以及投影光学系统的有效视野内的多个评价点的所述眩光信息(针对所述多个照明条件下的线宽不同的各眩光计测标记的眩光信息)等的必要信息。此时，设定为在对象号机(曝光装置)10中，事先预先计测了投影光学系统PL的有效视野内的多个评价点的眩光信息，并已将该计测结果储存于与主控制装置50连接的存储器51内。
这样，多个计测点的眩光信息与对象号机的曝光条件(包括目标照明条件、目标曝光量或投影光学系统的使用NA等信息)的信息一起，从主控制装置50发送给母版设计系统的计算机。
此后，在下面的步骤406以后，基于所取得的信息、以及图案的分布形状(明暗分布的形状)数据、即透过率分布函数，计算构成母版图案的各图案要素的线宽的修正值。该图案的分布形状数据是根据在所述步骤402中生成的设计数据得到的。
具体来说，在步骤406中使用母版图案的设计数据的透过率分布函数和眩光信息，进行规定的运算处理(例如基于眩光信息的加入眩光的点像强度分布函数的计算处理、以及该点像强度分布函数与所述透过率分布函数的二维卷积运算处理等)，计算形成于投影光学系统PL的像面上的加入眩光的光学像的像强度分布(以下称作“光学像”)。
在接下来的步骤408中，将在所述步骤406中计算出的光学像以规定的切片标准(slice level)切片，计算各图案要素的转印像的线宽。
在接下来的步骤410中，判断在所述步骤408中计算出的各图案要素的转印像的线宽相对于设计上的线宽的误差(以下称作“线宽误差”)是否在所有图案要素的容许范围内。在该步骤410中的判断是肯定的时，即在所有图案要素的转印像的线宽误差都处于容许误差范围内的情况下，前进到步骤414，将此时所设定的图案数据决定为最终的母版图案数据，并储存于存储器内，之后，结束本程序的一连串的处理。
另一方面，在所述步骤410的判断是否定的时，即至少一个图案象素的线宽误差在容许范围外的情况下，转移到步骤412，修正(或变更)图案数据，使得处于该容许范围外的各图案要素的转印线宽接近所需的线宽、即设定线宽。
在进行该步骤412的图案数据的修正处理之时，从在步骤408中计算出的修正对象的图案要素的转印像的线宽中减去对应的设计线宽，在该差值为正的情况下，则缩窄该图案要素的设计上的线宽，相反在所述差值为负的情况下，则加粗该图案要素的设计上的线宽。在任意一种情况下，线宽的修正(变更)例如都是通过使母版图案的设计上的图案边缘(数据上的透过部与遮光部的边界)向与该边缘垂直的方向错移规定量(规定网格)而进行的。
在进行了所述图案数据的修正(或变更)后，回到步骤406，以后反复进行步骤406→408→410→412的循环处理，直至步骤410的判断是肯定的为止。这样，针对修正后的图案数据的形状(透过率分布函数)的、加入眩光的光学像的计算，和与该光学像对应的各图案要素的转印像的线宽计算就至少被反复进行一次。在所有图案要素的转印线宽在容许范围内的情况下，前进到步骤414，将此时所设定的图案数据决定为最终的母版图案数据，并储存于存储器内。
其后，如上所述，所生成的母版图案数据被从图案设计系统的计算机经由LAN等发送给未图示的图案形成系统的计算机。此后，图案形成系统的计算机基于该发送来的母版图案设计数据的信息，使用未图示的EB描绘装置，将该母版图案描绘在其涂敷了电子射线抗蚀剂的空白母版上。
这样，描绘了母版图案的空白母版通过C/D分别显影，例如在电子射线抗蚀剂为正型的情况下，不照射电子射线的区域的抗蚀剂图案作为原版图案残留下来。
其后，该显影后的衬底(空白母版)被输送到未图示的蚀刻部，将残留的抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻。继而，通过进行抗蚀剂剥离等处理而完成工作母版的制造。
此后，如上述那样制造的工作母版(以下简称为“母版R”)被装载于曝光装置10的母版载台RST上，其后，依次进行与该母版R对应的照明条件等曝光条件的设定、晶片更换、母版对准以及对准系统ALG的基线的计测、EGA等晶片对准等，之后，进行步进扫描方式的曝光，将母版R的图案分别转印到晶片W上的多个拍摄(shot)区域。另外，所述一连串的曝光工序的处理由于没有与通常的扫描步进装置特别不同的方面，因此省略详细说明。
在本实施方式中，如上所述，母版图案数据由考虑利用眩光计测所计测出的眩光信息将线宽最优化了的图案要素构成，由于使用该母版图案数据制造的母版R是搭载于母版载台RST上进行曝光，因此无论投影光学系统PL的眩光如何，都可以将母版R上的图案高精度地转印到晶片W上的各拍摄区域中。
如上述详细说明的那样，根据利用本实施方式的曝光装置10进行的对与投影光学系统(PL)的眩光相关的信息进行计测的计测方法，向在计测用母版RT上形成的眩光计测标记组MP1～MPN照射照明光IL，该计测用母版RT搭载在位于投影光学系统PL的物体面侧的母版载台RST上，一边使配置于投影光学系统PL的像面侧的狭缝板90(空间像计测装置59的一部分)在与投影光学系统PL的光轴AX垂直的面内移动，一边检测通过投影光学系统PL及形成于狭缝板90上的狭缝29的照明光IL的光强度分布，根据该光强度分布计算与投影光学系统PL的眩光相关的信息。由此，与所述印相法不同，不需要晶片的显影工序等，因此可以在与印相法相比更短的时间内进行与眩光相关的信息的计测。另外，由于可以排除抗蚀剂的影响，因此可以实现高精度的与眩光相关的信息的计测。
另外，根据本实施方式，利用所述计测方法可以以短时间、高精度地计测与投影光学系统PL的眩光相关的信息，考虑该所计测出的与眩光相关的信息，如前所述来决定形成于母版R上的图案，在母版(工作母版)R上形成该所决定了的图案。此后，将该形成于母版R上的图案向晶片W转印。所以，无论投影光学系统PL的眩光如何，都可以在晶片W上形成所需尺寸的图案的转印像。
另外，在所述实施方式中，虽然对使用利用眩光计测得到的眩光信息进行构成母版图案的各图案要素的线宽修正的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，也可以取代该修正，或与该修正一起，例如利用成像特性修正控制器78来移动构成投影光学系统PL的透镜元件，或使之相对于光轴AX倾斜等，进行晶片W的曝光条件的调整。或者，也可以在进行所述眩光计测之时，预先计测出与投影光学系统PL的视野内的有效区域(静态区域)对应的像面内的全局眩光的面内分布，基于该计测结果，对照明光学系统的光学元件(光学积分器等)的位置进行调整等，从而在曝光之前进行减少眩光等的处理。总之，只要考虑与所计测出的眩光相关的信息，进行形成于母版R上的图案的转印即可。
此外，根据在所述实施方式中计测出的各评价点的对比度C1(或其换算值)，可以如下这样求得在母版与晶片之间产生的眩光量(眩光光量)。
即，例如在通过了投影光学系统PL的、与晶片W上的透光部对应的部分的曝光量为Em的情况下，眩光量Ef可以基于下式(3)求得。
Ef＝Em×对比度值C1(或其换算值) …(3)另外，主控制装置50也可以储存眩光计测的结果，在眩光的变动量超过了阈值的阶段，向操作者通知该情况。在该情况下，也可以在操作者接到该通知，检查例如构成投影光学系统PL的最靠近像面侧的透镜的模糊(由来自抗蚀剂的脱出气体、酸的飞散等造成的模糊)的有无，并确认到该透镜模糊的情况下，进行用于除去透镜的模糊等的清扫作业。另外，主控制装置50也可以根据眩光计测的结果，在全局眩光的变动量及局部眩光的变动量的至少一者超过了阈值的阶段，向操作者通知该情况。在该情况下，也可以对全局眩光的变动量、局部眩光的变动量分别设定不同的阈值。
也可以像这样，在眩光的变动量超过了阈值后，将眩光计测用的图案经由投影光学系统向晶片上的抗蚀剂层转印，实际进行眩光对抗蚀剂层的影响的确认。
另外，所述实施方式中所说明的计测用母版RT上的图案配置只是一个例子，本发明当然并不限定于此。例如，也可以在计测用母版RT的图案区域内，仅设置与第一标记形成区域相同的区域，在该区域内与所述N个眩光计测标记组一起，配置1或2个以上在遮光部的内部形成了开口图案的聚焦计测标记，例如在各眩光计测标记组各自的附近配置聚焦计测标记。
另外，作为聚焦计测标记，也可以取代所述实施方式的聚焦计测标记，而使用下面的(1)～(3)所示的标记。
(1)作为聚焦标记，例如使用图14所示的一边长度的像面上换算值为d的正方形的遮光图案MP’。在该情况下，最好使用具备形成了图14所示的针孔开口29的图案板的空间像计测装置来进行眩光计测，而不是使用具备形成了狭缝29x、29y的图案板90。在该情况下，由于可以直接计测二维方向的眩光，因此不需要前面所述的对比度值C1的换算。
(2)作为聚焦计测标记，也可以使用图15所示的由以X轴方向及Y轴方向作为长边方向的遮光图案分别构成的第一部分和第二部分在各自的一个端部附近交叉的遮光图案MP”。在该情况下，也可以与所述实施方式同样地，高精度计测与一维方向相关的眩光。这特别是在空间像计测装置的设计上必须将狭缝29x、29y接近设置的情况下是有效的。而且，图15中的各部的尺寸是像面上换算值。
(3)作为聚焦计测标记，也可以采用图16所示的具有L形形状的遮光图案MP。该图16中的各部的尺寸也是像面上换算值。
另外，由于在所述(2)、(3)的情况下计测的眩光量为在使用所述实施方式所采用的眩光计测标记组MPn的各标记计测的眩光量中包含了误差的状态，因此也可以预先对该误差进行计测，来修正利用眩光计测得到的对比度值。
另外，在所述实施方式中，虽然分别透过了狭缝29x、29y的照明光IL由单一的光传感器94接收，但是并不限定于此，也可以使透过了狭缝29x的照明光IL、透过了狭缝29y的照明光IL用不同的光传感器来接收。在该情况下，在进行眩光计测之时，既可以像所述实施方式那样，使狭缝板90沿倾斜方向(相对于X轴及Y轴倾斜45°的方向)扫描，也可以使狭缝板沿与狭缝29x或29y的长边方向正交的方向扫描。在后者的情况下，在时间上先后地进行X轴方向的计测和Y轴方向的计测。
另外，在所述实施方式中，虽然使用空间像计测装置，检测与经由投影光学系统投影的计测标记的空间像对应的光强度信号，然而并不限定于该结构。例如，也可以取代空间像计测装置，而使用可以对计测标记的整个空间像摄像的摄像元件，来检测光强度信号。在该情况下，可以在使晶片载台WST和母版载台RST静止的状态下检测。
此外，在所述实施方式中，虽然对设于空间像计测装置的图案板上的计测用图案为开口图案(狭缝)29的情况进行了说明，但是计测用图案也可以是反射图案。
另外，在本实施方式中，虽然对在投影光学系统PL的像面侧配置一个晶片载台WST，在该晶片载台WST上配置构成空间像计测装置59的光学系统的一部分的结构进行了说明，但是并不限于该结构。例如，除了晶片载台WST以外，还可以配置一个载台，在该载台上配置构成空间像计测装置59的光学系统的一部分或全部。
此外，所述实施方式的曝光装置的投影光学系统的倍率不仅可以是缩小系统，也可以是等倍或放大系统的任意一种，投影光学系统PL不仅可以是折射系统，也可以是反射系统及反射折射系统的任意一种，其投影像也可以是倒立像及正立像的任意一种。
另外，在所述实施方式中，虽然对作为曝光用照明光使用KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等的情况进行了说明，但是并不限定于此，也可以使用g线(436nm)；i线(365nm)；波长为170nm以下的光，例如F2激光(波长157nm)、Kr2激光(波长146nm)等其他的真空紫外光。
另外，作为真空紫外光并不限于从所述各光源中输出的激光，也可以例如用掺杂了铒(Er)(或铒与镱(Yb)这两者)的光纤放大器，对由DFB半导体激光器或光纤激光器激发的红外区域或可见区域的单一波长激光进行放大，并使用非线性光学晶体将其波长变换为紫外光的高次谐波。
此外，在所述实施方式中，虽然对将本发明应用于步进扫描方式的投影曝光装置中的情况进行了说明，但是并不限定于此，也可以将本发明应用于在使掩模和衬底静止的状态下将掩模的图案转印到衬底上，并且使衬底依次步进移动的步进重复型曝光装置；或步进拼接(step andstitch)方式的曝光装置等中。
另外，在应用本发明的曝光装置中，作为照明光并不限于波长100nm以上的光，当然也可以使用波长小于100nm的光。例如，近年来，为了将70nm以下的图案曝光，进行了如下的EUV曝光装置的开发，即，以SOR或等离子体激光器作为光源，产生软X射线区域(例如5～15nm的波长区域)的EUV(Extreme Ultraviolet)光，并且使用在其曝光波长(例如13.5nm)之下设计的全反射缩小光学系统及反射型掩模。在该装置中也可以理想地应用本发明。另外，例如也可以将本发明理想地应用于例如国际公开WO99/49504号小册子等所公开的在投影光学系统PL与晶片之间充满了液体(例如纯水等)的浸液型曝光装置中。浸液曝光装置既可以是使用反射折射型投影光学系统的扫描曝光方式，也可以是使用投影倍率为1/8的投影光学系统的静止曝光方式。如果是后者的浸液型曝光装置，则为了在晶片等物体上形成大的图案，优选采用所述的步进拼接方式。
另外，本发明并不限于半导体制造用的曝光装置，也可以应用于在包括液晶显示元件等的显示器的制造中所用的、将器件图案向玻璃平板上转印的曝光装置；将在薄膜磁头的制造中所用的器件图案向陶瓷晶片上转印的曝光装置；以及在摄像元件(CCD等)、微型机械、有机EL、DNA芯片等的制造中所用的曝光装置等中。另外，不仅是半导体元件等微型器件，在为了制造在光曝光装置、EUV曝光装置、X射线曝光装置及电子射线曝光装置等中所使用的母版或掩模，而在玻璃衬底或硅晶片等上转印电路图案的曝光装置中，也可以应用本发明。这里，在使用DUV(远紫外)光或VUV(真空紫外)光等的曝光装置中，一般来说使用透过型母版，作为母版衬底使用石英玻璃、掺杂了氟的石英玻璃、萤石、氟化镁或水晶等。另外，如果是接近方式的X射线曝光装置或电子射线曝光装置等，则可以使用透过型掩模(模板掩模、薄膜掩模)，作为掩模衬底可以使用硅晶片等。《器件制造方法》下面，对在光刻工序中使用所述曝光方法的器件制造方法的实施方式进行说明。
图18中，表示了器件(IC或LSI等半导体芯片、液晶面板、CCD、薄膜磁头、微型机械等)的制造例的流程图。如图18所示，首先，在步骤501(设计步骤)中，进行器件的功能、性能设计(例如半导体器件的电路设计等)，进行用于实现其功能的图案设计。在该步骤501中，可以使用本发明的计测方法。接下来，在步骤502(掩模制作步骤)中，制作形成了所设计的电路图案的掩模。另一方面，在步骤503(晶片制造步骤)中，使用硅等材料制造晶片。
然后，在步骤504(晶片处理步骤)中，使用在步骤501～步骤503中所准备的掩模和晶片，如后所述，利用光刻技术等在晶片上形成实际的电路等。然后，在步骤505(器件组装步骤)中，使用在步骤504中进行了处理的晶片来进行器件组装。在该步骤505中，根据需要包括切割工序、接合工序及封装工序(芯片封入)等工序。
最后，在步骤506(检查步骤)中，进行在步骤505中所制成的器件的动作确认测试、耐久测试等检查。经过了这样的工序后即完成器件，可以出厂。
在图19中，表示了半导体器件中的所述步骤504的详细流程例。图19中，在步骤511(氧化步骤)中将晶片的表面氧化。在步骤512(CVD步骤)中在晶片表面形成绝缘膜。在步骤513(电极形成步骤)中在晶片上利用蒸镀形成电极。在步骤514(离子注入步骤)中将离子注入晶片。以上的步骤511～步骤514分别构成晶片处理的各阶段的前处理工序，在各阶段中可以对应于必需的处理，选择性地执行。
在晶片工艺的各阶段中，当所述的前处理工序结束时，则如下所示，执行后处理工序。在该后处理工序中，首先，在步骤515(抗蚀剂形成步骤)中，在晶片上涂敷感光剂。接下来，在步骤516(曝光步骤)中，利用上面所说明的光刻系统(曝光装置)及曝光方法，将掩模的电路图案转印到晶片上。然后，在步骤517(显影步骤)中将曝光了的晶片显影，在步骤518(蚀刻步骤)中，将除了残存有抗蚀剂的部分以外的部分的露出构件利用蚀刻去掉。此后，在步骤519(抗蚀剂除去步骤)中，将完成蚀刻而不需要的抗蚀剂去除。
通过反复进行这些前处理工序和后处理工序，就可以在晶片上多重地形成电路图案。
如果使用以上所说明的本实施方式的器件制造方法，则由于在设计步骤(步骤501)中可以使用所述实施方式的计测方法，在曝光工序(步骤516)中可以使用所述实施方式的曝光方法，因此可以实现高精度的曝光。所以，可以提高形成了微细图案的高集成度的微型器件的生产性。
产业可利用性如上说明所示，本发明的计测方法适于计测与投影光学系统的眩光相关的信息。另外，本发明的曝光方法适于将形成于掩模上的图案转印到衬底上。另外，本发明的器件制造方法适于微型器件的生产。
权利要求
1.一种计测方法，计测与投影光学系统的眩光相关的信息，其特征在于，包括向配置于所述投影光学系统的物体面侧的遮光图案照射光，检测通过了所述投影光学系统的光的光强度分布的第一工序；以及根据在所述第一工序中检测出的所述光强度分布，计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息的第二工序。
2.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，在所述第一工序中，一边使配置于所述投影光学系统的像面侧的空间像计测器的规定的计测用图案在与所述投影光学系统的光轴垂直的面内移动，一边检测通过了所述投影光学系统及所述计测用图案的所述光的光强度分布。
3.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案具有在与所述投影光学系统的光轴正交的面内的第一方向延伸的第一部分。
4.根据权利要求3所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案还具有在与所述投影光学系统的光轴正交的面内，在与所述第一方向正交的第二方向延伸的第二部分。
5.根据权利要求4所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案的所述第一部分和所述第二部分的一部分交叉，形成属于所述第一部分和所述第二部分两者的公共部分。
6.根据权利要求4所述的计测方法，其特征在于，在所述空间像计测器的图案板上，与所述第一、第二部分对应地形成有两个计测用图案。
7.根据权利要求4所述的计测方法，其特征在于，一边使所述空间像计测器的计测用图案在与所述第一、第二方向分别交叉的方向移动，一边检测所述光强度分布。
8.根据权利要求7所述的计测方法，其特征在于，所述空间像计测器与两个计测用图案对应地具有两个传感器。
9.根据权利要求8所述的计测方法，其特征在于，所述计测用图案具有不受来自所述遮光图案的长边方向两端侧的眩光的影响的尺寸。
10.根据权利要求3所述的计测方法，其特征在于，在所述第二工序中，通过将所述计算出的与眩光相关的信息乘2来进行换算。
11.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，在所述第二工序中，基于利用印相法计测的与眩光相关的信息、与根据利用空间像计测器计测的光强度分布计算出的与眩光相关的信息之间的关系，换算所计算出的与眩光相关的信息。
12.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案具有大致正方形的形状，所述空间像计测器具有针孔状的计测用图案，所述针孔状的计测用图案的形状小于通过了所述投影光学系统的所述遮光图案的像的形状。
13.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，在所述第一工序之前，还包括改变照射遮光图案的照射条件，检测在该改变了的照射条件下的最佳聚焦位置的第三工序。
14.根据权利要求13所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案形成于计测用掩模，在该计测用掩模上，形成有在检测所述最佳聚焦位置时所用的评价标记。
15.一种曝光方法，其特征在于，包括利用权利要求1～14中任意一项所述的计测方法计测与所述投影光学系统的眩光相关的信息的工序；以及考虑所述计测出的与眩光相关的信息，将形成于掩模上的图案转印到衬底上的工序。
16.根据权利要求15所述的曝光方法，其特征在于，在进行所述转印的工序中，基于所述计测出的与眩光相关的信息来调整所述投影光学系统，将形成于所述掩模上的图案转印到衬底上。
17.一种曝光方法，其特征在于，包括利用权利要求1～14中任意一项所述的计测方法计测与所述投影光学系统的眩光相关的信息的工序；考虑所述计测出的与眩光相关的信息，决定形成于掩模上的图案，在掩模上形成该图案的工序；以及将形成于所述掩模上的图案转印到衬底的工序。
18.一种包括光刻工序的器件制造方法，其特征在于，在所述光刻工序中，使用权利要求15所述的曝光方法，将形成于掩模上的图案转印到衬底上。
19.一种包括光刻工序的器件制造方法，其特征在于，在所述光刻工序中，使用权利要求17所述的曝光方法，将形成于掩模上的图案转印到衬底上。
全文摘要
本发明由于向配置于投影光学系统(PL)的物体面侧的遮光图案(MP
文档编号G03F1/44GK101031997SQ200580032860
公开日2007年9月5日 申请日期2005年9月30日 优先权日2004年9月30日
发明者萩原恒幸 申请人:株式会社尼康