漫反射结构及其制造方法以及使用该结构之显示装置的制作方法

专利名称：漫反射结构及其制造方法以及使用该结构之显示装置的制作方法
漫反射结构及其制造方法以及使用该结构之显示装置
发明所属之技术领域
本发明通常系关于一漫反射结构。本发明亦系关于一漫反射结构 及一使用该结构之显示装置之制造方法。本发明尤其系关于一反射结 构，其制造方法及使用该结构之显示装置，其可使漫反射之光具有方 向性。
先前技术
专利文献1揭示一种用于一电光装置之基板，其经设计以防止反 射光在不需要的方向上散射且在需要的方向上增加光强度以便在一视 角方向上改良显示亮度。更具体言之，在反射型及透射型电光装置中， 一第一树脂层具有一使反射光具有方向性所必需之倾斜结构， 一第二 树脂层系安置于该倾斜结构上且一反射面板系安置于该第二树脂层 上。该倾斜结构系使用光微影方法形成，其中使用一半色调光罩作为 一光罩，或者使用椭圆、圆形或水滴形状用于光罩图案。根据此基板， 在该视角方向上之显示亮度之改良系使用该光罩藉由最优化倾斜结构 来实现的。
然而，在此专利文献中描述之技术系基于一分别形成第一树脂层 及第二树脂层之复杂的制造方法，该第一树脂层系用于界定依赖倾斜 结构之反射方向性，该第二树脂层执行一主要光散射功能。另外，在 第一树脂层之倾斜结构上形成相对精细的不平坦体作为第二树脂层导 致稳定性不足以确保所要之漫射性的状况。
另一方面，存在一报导已使用一垂直对齐(VA)液晶(非专利文献 l)发展了 一具有高反射率(42%)及高对比率(80:1)之反射型彩色TFT -LCD。此非专利文献亦报导采用一MVA(多畴垂直对齐)液晶用作VA 液晶且已使用经由一新发展的无光罩方法获得之具皱摺漫反射电极成 功地建构了一低成本、高显示效能反射型彩色TFT-LCD。
如下形成此皱摺折痕漫反射电极。在一TFT基板上形成一感光树 脂层，使用一用于形成接触孔之光罩使其暴露至光下且显影其以形成 接触孔。其次，在不使用任一光罩的情况下用UV光照射剩余的树脂。 在此情况中，藉由调节UV强度及光谱特徵来使收缩百分比之分布在感
光树脂之一单一层中以便下层部分中之收缩百分比大于上层部分中之 收缩百分比。接著，为使具有在厚度方向上的该收缩百分比分布之树 脂收缩，使用烘焙处理在该表面上形成皱紋状粗糙且最后在此皱紋状
粗糙表面上形成具有高光学反射率之金属层(诸如Al)以产生具有类似 铍紋状粗糙表面之漫反射电极。
此非专利文献亦涉及基于皱紋状粗糙之方向之反射特徵的控制。 此特定说明藉由控制皱紋状粗糙之方向可能使入射光仅在一特定方位 上反射。更具体言之，藉由改变感光树脂层与基板间之介面条件来获 得具有方向性之反射特徵以控制皱紋状粗糙之方向，在该方向性中较 高反射率出现在垂直及水平方向上。
然而，皱紋状粗糙之形状主要不仅取决于感光树脂之厚度及UV 辐射能而亦取决于各种其它制造参数且吾人可容易地想象到不能容易 可靠地制成所要之形状。然而，即使得到最优参数并根据此等参数执 行制造，仍然通常存在以下状况在实际制造流程中发生吾人不期望 之参数波动，使得不可能稳定地形成所要之形状且尤其更易于使产物 产生改变。日本专利特许公开申请案第2004 - 37946号(特别参看 申请专利范围，第
至[0034段及图l及图2)。
[非专利文献1Norio Sugiura及三位作者之"Reflective Type Color TFT - LCD using MVA Technique" ， liquid crystal第6巻，第4号,2002 年，Japanese Liquid Crystal Society, 2002年10月25日出版，第383 - 389 页。

发明内容
已鉴于上述情况实施了本发明，且其目标为提供一种可获得一简 易且稳定地展示一所要的反射方向性之漫反射结构之制造方法。本发 明之另一目标为提供一漫反射结构及使用该结构之显示装置，其可以 一简单的制造方法稳定地产生。
为获得上述目标，本发明之第一态样为一漫反射结构之制造方 法，其包含第一步骤在一基础层上沉积一感光材料；第二步骤 使用 一半色调光罩来遮蔽该感光材料，该半色调光罩具有透射区域及 光屏蔽区域中之至少一者且具有一半透射区域；第三步骤藉由经光 罩使该感光材料暴露至光下并显影该材料来在该感光材料层之表面上
形成不平坦以提供光学漫反射特性，该不平坦对应于峰部分及半途部 分，所述峰部分对应于透射区域及光屏蔽区域中之一者而所述半途部
分对应于半透射区域；及第四步骤在形成之不平坦表面上沉积光学 反射材料，其中为以一灰阶透射入射光，该半色调光罩在透射区域及 光屏蔽区域中之一者或二者中及/或在半透射区域中包含一条紋排列部 分，该条紋排列部分具有能够以相对高的第一透射率透射入射光之第 一线性部分及能够以相对低的第二透射率截留入射光之第二线性部分 且所述第一线性部分及所述笫二线性部分系交替地互相平行置放，且 对应于该条紋排列部分之感光材料层之表面具有小型底部部分及小型
峰部分，所述小型底部部分对应于第一及第二线性部分中之一者而所 述小型峰部分对应于另一者。
藉由进行此等步骤，可在感光材料层(其为光学反射材料之基础层) 之表面上形成峰部分及低于峰部分之半途部分，意即，提供光学漫反 射特性之相对大型的不平坦。而且，可能在用于形成大型不平坦之光 微影方法之相同的图案化处理中在峰部分或半途部分上形成对应于半 色调光罩之线性部分之精细的不平坦，且此精细的不平坦可确定反射 之光强度之分布的优势或劣势。因此，可能制造一种简易且稳定地展 示所要之反射方向性之漫反射结构。
在此态样中，感光材料层之表面可亦具有对应于第三步骤中透射 区域及光屏蔽区域中的另一者之底部部分。此允许低于半途部分之底 部部分形成于感光材料层之表面上，使得可实现一较复杂的不平坦图 案且亦向该不平坦表面添加适用于应用之装置的底部部分。在此，该 基础层可包括一形成一电晶体、 一其它主动元件或一讯号传输路径之 层该感光材料可为电绝缘的，该底部部分可形成一用于使该主动元件 或该讯号传输路径之讯号输出电极暴露至外部之通孔及/或该反射结构 之一局部光学透射区域，且该光学反射材料可为导电的。此适用于在 包括一主动元件或讯号传输路径之基础层上形成反射结构或形成局部 透射光之反射结构。
需要该条紋糸夂列部分之线性部分在一方向上延伸，该方向垂直于 一其中应控制该漫反射结构之漫反射之分布的方向。由以此方式获得 之反射结构反射之光在垂直于小型底部部分及峰部分之延伸方向的方 向上具有比在该延伸方向上更高的强度。另外，在该透射区域及该光
屏蔽区域之至少一者中之条紋排列部分的线性部分与在该半透射区域
而延伸。此使得可在一方向上提高方向性或获得各种类型的交叉图的 方向性。
另外，在与上述制造方法一致的情况下，本发明之第二态样为一 漫反射结构，其包含一感光材料之层，其形成为整合于一基础层上且 具有一具有表示峰部分及谷部分之不平坦图案之表面以提供光学漫反 射特性及一沉积于具有该不平坦图案之表面上的光学反射材料之层， 其中峰部分及谷部分之至少一者具有交替地相互平行形成之线性小型
底部部分及小型峰部分。由该漫反射结构提供之优点系如上文所描述
之。同样，可介绍如下 一实施例，其中基础层包括一形成一电晶体、 其它主动元件或讯号传输路径之层该感光材料为电绝缘的，该谷部分 包括一用于使该主动元件或该讯号传输路径之讯号输出电极暴露至外 部之通孔及/或形成反射结构之局部光学透射区域之部分，且该光学反 射材料为导电的； 一实施例，其中小型底部部分及峰部分在一方向上
延伸，该方向垂直于一其中应控制该漫反射结构之漫反射之分布的方
向；及一实施例，其中在峰部分中之小型底部部分及峰部分与在谷部 分中之小型底部部分及峰部分相互平4亍或相互垂直或以预定角度而延 伸。
本发明之另一态样为使用一漫反射结构之显示装置，其中该漫反 射结构起根据待显示于该显示装置中的影像漫反射光之作用。藉由界 定上述小型底部部分及峰部分之延伸方向，可在本发明应用之显示装 置中获得所要之方向性。另外，藉由简化如已描述之漫反射结构之制 造方法，可提供一低成本显示装置。在此，根据本发明应用至之显示 装置，光学反射材料层可充当一列或行电极、共同电极或像素电极。图式简单说明


图1为一漫反射结构之横截面图，其系用于解释根据本发明之一 实施例该结构之制造方法中的第一处理。
图2为一漫反射结构之横截面图，其系用于解释根据本发明之一 实施例该结构之制造方法中的第二处理。
图3为一漫反射结构之横截面图，其系用于解释根据本发明之一 实施例该结构之制造方法中的第三处理。
图4为一平面图，其示意性地展示一用于本发明之一实施例中之 半色调光罩之图案。
图5为一漫反射结构之横截面图，其系用于解释根据本发明之一 实施例该结构之制造方法中的第四处理。
图6为一漫反射结构之横截面图，其系用于解释根据本发明之一 实施例该结构之制造方法中的第五处理。
图7为一漫反射结构之横截面图，其系用于解释根据本发明之一 实施例该结构之制造方法中的第六处理。
图8为一横截面图，其展示一根据本发明之改质之漫反射结构的 组态。
图9为一展示根据一对比实例之漫反射结构之反射分布的图。
图10为一展示根据本发明之一实施例之漫反射结构之反射分布的图。
图11为一用于形成一根据一对比实例之漫反射结构之半色调光罩 的总体平面图。
图12为一用于形成一根据本发明之一实施例之漫反射结构之半色 调光罩的总平面图。
图13为一展示根据本发明之一修改之漫反射结构之反射分布的图。
图14为一用于形成一根据本发明之一修改之漫反射结构之半色调
光罩的总平面图。
图15为一展示根据本发明之另一修改之漫反射结构之反射分布的图。
图16为一用于形成一根据本发明之另 一修改之漫反射结构的半色 调光罩的总体平面图。
图17为一展示根据本发明之进一步修改之漫反射结构之反射分布的图。
实施方式
现参看附图，将由实施例之方式更详细地描述本发明之上述态样 及其它实施例。 [实施例J
图1至图6展示用于根据本发明之一实施例之显示装置的漫反射
结构之制造方法的步骤概括。
图1展示在一漫反射结构之制造处理开始之前片刻一基础层的横
截面结构。此实施例中之基础层系由以下部分建构而成 一玻璃基板 l;形成于玻璃基板1上且其间具有某一间隙之一源电极层11及一漏电 极层12; —桥接于此等电极层之间的半导体层13; —由(例如)无机化 合物制成，充当一所谓之闸极绝缘薄膜且经层压以便覆盖此等层11-13之绝缘层14;及形成于绝缘层14上且与源电极层11与漏电极层12 之间的半导体层l3的区域相对应的闸电极层15。在此实施例中，源电 极层ll、漏电极层12、半导体层13、绝缘层14及闸电极层15组成一 用于驱动像素之薄膜电晶体。虽然为简化说明，图1仅展示一电晶体 结构之选取部分，但是所有像素的相同的结构系形成于漫反射结构之 整个主表面上。下列描述亦将遵循相同的主旨。
其次，经由诸如旋涂之涂覆方法使由(例如)有机化合物制成之感光 材料2系沉积于此基础层之整个表面上。图2展示此情形。感光材料2 充当漫反射结构之底座或基底，且作为材料2之感光且电绝缘之材料 系用于与下方的电晶体绝缘。更具体言之，使用诸如丙烯酸基树脂之 材料。
在施行诸如烘焙之必要处理之后，使用一半色调光罩自正面遮蔽 所沉积的感光材料2。图3展示此情形。所用之半色调光罩3包含一透 射区域31、 一光屏蔽区域32及一半透射区域33作为其主区域。在图3 中，此等区域系分别象徵性地以空白、黑色及条紋表示。
图4展示对应于图3中横截面之各个区域图案之半色调光罩3的 平面结构。图4亦分别以空白、黑色及条紋表示此等部分。如在图4 底部局部放大图中所示，为以一灰阶(例如，以平均透射率50%)透射入 射光，半色调光罩3之透射区域33系由以下部分建构能够以相对高 的第一透射率透射入射光之第一线性部分34及能够以相对低的第二透 射率截留入射光之第二线性部分35,所述第一线性部分34及所述第二 线性部分35系交替地互相平行置放。在此实施例中，第一线性部分34 系由一大体上完全(透射率100%)透射入射光之部分组成而第二线性部 分35系由一大体上完全(透射率0%)截留入射光之部分组成。此等线性 部分34、 35经设计为当使用完成的漫反射结构并自其正面观看时其在 主表面之垂直方向(y方向)上延伸。
应注意半色调光罩3并非基于以下事实以一灰阶透射入射光之类 型藉由中途改变半透射区域中半色调光罩3之厚度及材料来使整个 半透射区域相对于透射及光屏蔽区域显示中间透射率。本发明中之半 色调光罩3具有所谓之绕射类型且其特徵为其条紋排列，其基于具有 如上所述之不同透射率之线性区域的混合排列。
当感光材料2经由该半色调光罩3而暴露至光下时，入射光按其 原来的样子穿过透射区域31,在光屏蔽区域32中入射光大体上完全经 截留而在半透射区域33中入射光以一灰阶透射(意即，其光强度大约减 少了一半)。因此，感光材料2显示分别对应于区域31、 32、 33之光接 收状态。对应于透射区域31之部分变成可溶于将在之后应用之显影 剂，对应于光屏蔽区域32之部分保持对该显影剂之足够的耐溶剂性而 对应于半透射区域33之部分变成半可溶或半耐溶剂性。
暴露至光之后，使用一预定的显影剂使暴露之感光材料2经受一 显影处理。藉此，如整体地展示于在图5中之，获得一具有形成于表 面上之不平坦的感光材料层20。显影之后，使感光材料2经受一烘焙 处理等。
提供半色调光罩3之透射区域31以在基础层(例如漏电极层12)上 形成一用于一电晶体之接触孔，且在图5之阶段中，在接触孔区域中 使绝缘层14暴露至外部作为第一步骤。意即，在此阶段中在除接触孔 区域外之区域中形成感光材料层20以覆盖绝缘层14。在此情形中，使 用(例如)一预定的蚀刻气体来执行蚀刻处理。感光材料层20对蚀刻剂 而言为耐腐蚀的，但是仅暴露区域中之一部分绝缘层14被蚀刻。以此 方式，在蚀刻之后移除感光材料2之所有部分及对应于透射区域31之 绝缘层14且如图6中所示之形成一通孔2H,其中漏电极层12暴露至外部。
提供半色调光罩3之光屏蔽区域32以在感光材料2之表面上形成 一突出部分，且原则上感光材料2大体上不经入射在光屏蔽区域32上 光照射，且因此感光材料2保持其耐溶剂性。然而，由于在光屏蔽区 域32之边界附近发生入射光绕射或光泄漏，因此部分感光材料2经受 与光屏蔽区域32之中心区域相比更大量的照射。因此，形成了一山峰 状突出部分21，其中各个峰部分可如图6中大体上所示之观察到。图6 中所示之突出部分21之形状(类似于一颠倒的碗)仅为一实例且其不排=
除其它形状(包括一形状，其峰部分之横截面如梯形一般相对的扁平)。
提供半色调光罩3之半透射区域33以在感光材料2之表面上形成 凹陷部分。以一灰阶将半透射区域33上之入射光应用于感光材料2且 感光材料2被蚀刻并保持至一对应于该灰阶之水平的程度。因此，形 成了凹陷部分22，其中可在突出部分21之间及突出部分21与通孔2H 之间观察到相对于突出部分21之中间高度的底部或谷部分。图6仅展
示凹陷部分之形状之一实例。当将光学反射材料置于其上时要求凹陷 及突出部分21、 22具有能够漫射并反射入射光之不平坦图案，且形成 半色调光罩3之各个区域图案以便满足此要求。
另外在凹陷部分22中，由上述之半透射区域33中之条紋排列形 成一特定不平坦表面。当与透射区域31对比时，条紋排列中之第一线 性部分34(允许入射光几乎完全穿过其而透射)限于一极度小的区域。 另一方面，当与光屏蔽区域32对比时，第二线性部分35(其几乎完全 截留入射光)限于一极度小的区域。由于透射及光屏蔽区域之该区域限 制，因此形成具有中间平均高度之凹陷部分22且如图6中所示在凹陷 部分22之底部面上形成微凹陷及突出部分23、 24。第一线性部分34 形成凹陷部分24(其中可观察到小型底部或谷部分)，然而第二线性部 分35形成突出部分23(其中可观察到小型峰部分)。
藉由选择界定光微影方法中之特定方式之合适的制造参数可精确 地形成所述微凹陷及突出部分23、 24，所述参数包括半透射区域33中 线性部分34、 35之宽度、曝光光源及时间、显影剂浓度、感光材料2 之类型及更多。
在如图6中所示之感光材料之基础层20完成之后，执行诸如清洗 或烘焙之必要处理且接著将光学反射材料4沉积于其上(图7)。就光学 反射材料4而言，采用诸如铝之导电材料，且材料4不仅黏附或沉积
暴露的表面上。以此方式，光学反射材料4形成与形成于基础层上之 电晶体之漏电极层12的电连接且亦充当一在电晶体上层上之漫反射 板。在此实施例中，光学反射材料4亦充当一像素电极且在之后的处 理中经受图案化为一对应于一像素区域之区域以便成为分割区域。根 据如图7中大体上所示之基础层20表面之各种不平坦，沉积的光学反 射材料4显示不平坦。
可能形成基础层20，其中主区域中之通孔2H、凹陷及突出部分 21、 22及由凹陷部分22占据之子区域中之微凹陷及突出部分23、 24 在光微影中仅经由图案化一个程序整合并形成，且因此可容易地制造 漫反射结构。而且，微凹陷及突出部分23、 24在界定之后描述之漫反 射结构的反射方向性中起到重要作用，且因此其为方便的。
虽然图7中所示之结构系针对提供于其中形成场效型电晶体之基 础层上之漫反射结构，但是该电晶体可由另一类型的主动元件替代， 或者可在其中形成一讯号传输路径而并非主动元件之基础层上提供漫 反射结构。另外，基础层不总是限制于具有一主动元件或讯号传输路 径之形式。此外，光学反射材料之层4不仅充当 一像素电极而亦充当(例 如)一被动型液晶显示面板之列或4亍电极或共同电极。
另夕卜，其亦适用于如M. Kubo等人在"Development of Advanced TFT with Good Legibility under Any Intensity of Ambient Light" (IDW' 99， Proceedings of The Sixth International Display Workshops, AMD3 -4，第183 - 186页，1999年12月1日，由ITE及SID主办)中描述之一 所谓之透射反射型液晶显示面板中像素电极的结构。在此状况中，如 图8中所示之， 一像素电极分成一透射电极4t及一反射电极4r，且可 以与上述通孔2H相同之方式形成用于该透射电极4t之通孔2H'。意 即，使用具有一对应于通孔2H'之透射区域之半色调光罩来同样地执行 曝光、显影及蚀刻。以此方式，4吏一对应于此透射区域之凹陷部分或 一底部部分形成于感光材料2中，且使一导致透射电极4t暴露至外部 之通孔形成于其底面上。接著，使光学反射材料(4r)以仅在透射电极4t 末端连接至其之方式形成于基础层20上，且仅反射电极4r藉此具有漫 反射特性，其归因于与基础层20相比对应于通孔2H'之较低高度之底 部部分(局部光学透射区域)的存在，可使由液晶显示面板处理之反射光 Lr及透射光Lt具有相同的光路径长度。
如上所述构成之漫反射结构之效应将在下文中予以说明。
图9展示漫反射结构之反射光之分布作为一对比实例且图10展示 根据此实施例之漫反射结构之反射光的分布。在此等图中，当恰好自 正面观察漫反射结构之主表面时，x指示水平方向且y指示垂直方向， 且藉由假定主表面之法线(其位于作为原点的恰好自正面观察之目标之 点)且相对于该法线改变观察角度而获得之反射光的强度由三个等高线
表示。两张图均展示出在更接近原点之区域之视角的等高线表示较高 强度之反射光。
在对照实例中之漫反射结构中，以在所有方向上均一地漫射并反
射光之方式形成凹陷及突出部分21、 22且不在凹陷部分21中形成上 述之微凹陷及突出部分23、 24。用于形成该种反射结构之光罩具有如 图11中所示之形式。在图11中所示之光罩之平面结构中，光屏蔽区域 32'系以筛网状形式分布且半透射区域33'以包围此等光屏蔽区域之网 状形式延伸。不同于该实施例，半透射区域33'系以不同于彼等其它区 域之厚度及/或材料形成，此导致入射光以一灰阶透射。应注意图11中 之光罩系以对应于省略的透射区域31之一部分而展示，且如图9中所 示之反射光之分布图系非常示意性地表达的(此将同样适用于下文)。自 图9显而易见的是，在此对照实例之状况中，反射光之分布在所有方 向上为均一的。
与此相反，如图10中所示之具有此实施例之微凹陷及突出部分 23、 24之漫反射结构显示出通常在x方向上的视角处显著的反射光之 分布。此系基于微凹陷及突出部分23、 24之纵向延伸方向为y方向之 事实。此导致在x方向上之视角范围中获得高强度的反射光，且若将 此反射光用于显示器，则观察者在此方向上看见一亮的显示影像。举 例而言，若x方向为漫反射结构之主表面之水平方向，则甚至在恰好 自正面》见察之状态下，当反射结构之主表面在水平方向上摆动时，亦 可获得一相对亮的显示影像。与此相反，漫反射结构之反射光之分布 在y方向上较差，且因此在y方向上之视角范围中获得低强度的反射 光且可使显示影像变暗。此实施例采用图12中所示之光罩图案替代图 11之光罩图案。
当微凹陷及突出部分23、 24之纵向延伸方向变为x方向时，分布 类似于图13。因此，获得一不同于图10中所示者之方向性。若x方向 为漫反射结构之主表面之水平方向，则甚至在恰好自正面观察之状态 下，当反射结构之主表面在垂直方向上摆动时，亦可获得一相对亮的 反射光。对于此等修改实例，采用图14中所示之光罩图案。
图15展示另一方向性。该种方向性系藉由在漫反射结构之主表面 中使其中微凹陷及突出部分23、 24在x方向上延伸之区域及其中微凹 陷及突出部分23、 24在y方向上延伸之区域分开且在整个主表面上分
布并排列此等区域来获得。
或者，藉由不仅在底部部分22中且亦在峰部分21中形成微凹陷 及突出部分23、 24且使底部及峰部分之一者中之微凹陷及突出部分的 延伸方向垂直地交叉底部及峰部分之另一者中之微凹陷及突出部分的 延伸方向来实现方向性。图16展示用于该种状况之半色调光罩之结构 且光屏蔽区域320具有透射线性部分321 ，该透射线性部分321垂直于 半透射区域33之线性部分的延伸方向而延伸且其宽度比半透射区域之 线性部分窄，且此线性部分321及光屏蔽部分(而并非该部分321)导致 基础层之峰部分具有微不平坦。
图17为图15中结构之一修改实例且可藉由使底部部分22之微凹 陷及突出部分之延伸方向与峰部分21之微凹陷及突出部分之延伸方向 在对角线方向上延伸并相互交叉来实现。此实例系藉由使微凹陷及突 出部分分别在垂直于轴p及q之方向上延伸而达成，其中应控制在所 述方向上反射光之分布。自此实例显而易见的是，虽然所述两个延伸 方向不需要总是互相垂直但是可能具有一预定角。
藉由使图16中所示之光罩图案中之线性部分321在与半透射区域 33之线性部分之延伸方向相同的方向上延伸，可获得一分布，其中图 10中反射光之分布的控制得到进一步提高。
如在前述中获得之漫反射结构适用于各种类型的显示装置。举例而 言，其不仅适用于上述半透射型液晶显示面板之反射结构且亦适用于一 具有对应于待在该显示装置中显示的影像漫反射光之功能的组件。
在上述实施例中，虽然使用正型感光材料2，但感光材料2亦可为 负型的。在此状况中，半色调光罩之透射区域及光屏蔽区域系相反地 配置。另外，不需要总是形成通孔，而在最低要求下需要在基础层中 形成峰部分及半途部分。另外，当峰部分、半途部分及底部部分在基 础层中形成为主要不平坦图案时，本发明没必要排除在底部部分形成 精细不平坦之形式。
另外在上述中，虽然第一线性部分34及第二线性部分35之透射 率大体上分别为100 /。及0%，但是亦可使用其它值之组合。
虽然已在上文中描述了本发明之代表实施例及修改实例，但是本 发明不限于其，且熟习此项技术者可在附加之申请专利范围之范畴内 得到各种修改。
主要元件符号说明
1玻璃基板
2感光材料
2H、 2H'通孔
3光罩
4光学反射材料
4r反射电极
4t透射电极
11源电极层
12漏电极层
13半导体层
14绝缘层
15闸电极层
20基础层
21突出部分
22凹陷部分
23微突出部分
24微凹陷部分
31透射区域
32、 320光屏蔽区域
321透射线性部分
33半透射线性部分
34第一线性部分
35第二线性部分
权利要求
1.一种用于一漫反射结构之制造方法，其包含一第一步骤在一基础层上沉积一感光材料；一第二步骤使用一半色调光罩来遮蔽该感光材料，该半色调光罩具有透射区域及光屏蔽区域中之至少一者且具有一半透射区域；一第三步骤藉由经该光罩使该感光材料暴露至光下并显影该材料来在该感光材料的一层之一表面上形成不平坦以提供一光学漫反射特性，该不平坦对应于峰部分及半途部分，所述峰部分对应于该透射区域及该光屏蔽区域中之一者而所述半途部分对应于该半透射区域；及一第四步骤在该所形成之不平坦表面上沉积一光学反射材料，其中为以一灰阶透射入射光，该半色调光罩在该透射区域及该光屏蔽区域中之一者或二者中及/或在该半透射区域中包含一条纹排列部分，该条纹排列部分具有能够以一相对高的第一透射率透射该入射光之第一线性部分及能够以一相对低的第二透射率截留该入射光之第二线性部分，所述第一线性部分及所述第二线性部分系交替地互相平行置放，且对应于该条纹排列部分之该感光材料的一层之一表面具有小型底部部分及小型峰部分，所述小型底部部分对应于所述第一及第二线性部分中之一者而所述小型峰部分对应于另一者。
2. 如权利要求l之制造方法，其中该感光材料的一层之一表面亦 具有一对应于该第三步骤中该透射区域及该光屏蔽区域中的另一者之 底部部分。
3. 如权利要求2之制造方法，其中该基础层包括一形成一电晶 体、 一其它主动元件或一讯号传输路径之层，该感光材料为电绝缘的， 该底部部分形成一用于4吏该主动元件或该讯号传输路径之一讯号输出 电极暴露至外部之通孔及/或该反射结构之一局部光学透射区域，且该 光学反射材料为导电的。
4. 如权利要求l、 2或3之制造方法，其中该条紋排列部分之线性 部分在一方向上延伸，该方向垂直于一其中应控制该漫反射结构的漫 反射之分布的方向。
5. 如权利要求l、 2或3之制造方法，其中在该透射区域及该光屏蔽区域之至少一者中之该条紋排列部分的线性部分与在该半透射区域 延伸/、, " ，" 一 ^ 、
6. —种漫反射结构，其包含一感光材料的一层，其形成为整合于一基础层上且具有一具有表 示峰部分及谷部分之不平坦图案的一表面以提供一光学漫反射特性；及一光学反射材料的一层，其沉积于具有该不平坦图案之表面上， 其中该峰部分及该谷部分之至少一者具有交替地相互平行形成之线性小型底部部分及小型峰部分。
7. 如权利要求6之漫反射结构，其中该基础层包括一形成一电晶 体、 一其它主动元件或一讯号传输路径之层，该感光材料为电绝缘的， 该谷部分包括一用于使该主动元件或该讯号传输路径之一讯号输出电 极暴露至外部之通孔及/或一形成该反射结构的一局部光学透射区域之 部分，且该光学反射材料为导电的。
8. 如权利要求6或7之漫反射结构，其中所述小型底部部分及所 述峰部分在一方向上延伸，该方向垂直于一其中应控制该漫反射结构 的漫反射之分布的方向。
9. 如权利要求6或7之漫反射结构，其中在该峰部分中之所述小 型底部部分及所述峰部分与在该谷部分中之所述小型底部部分及所述 峰部分相互平行或相互垂直或以预定角度而延伸。
10. —种使用一以如权利要求1至5中任一项之方法制造的漫反射 结构或如权利要求6至9中任一项之漫反射结构之显示装置，其中该 漫反射结构根据待显示于该显示装置中的一影像对光起漫反射作用。
11. 一种使用 一以如权利要求1至5中任一项之方法制造的漫反射 结构或如权利要求6至9中任一项之漫反射结构之显示装置，或如权 利要求10之显示装置，其中该光学反射材料层充当一列或行电极、共 同电极或像素电极。
全文摘要
本发明之一目标为获得一简易且稳定地展示一所要之反射方向性之漫反射结构。一漫反射结构之该制造方法包含在一基础层上沉积一感光材料2；使用一半色调光罩3遮蔽该感光材料2，该半色调光罩3具有透射区域31及光屏蔽区域32中之至少一者且具有一半透射区域33；藉由经该光罩3使该感光材料暴露至光下并显影该材料来在该感光材料的一层之一表面上形成不平坦21、22，该不平坦对应于峰部分及半途部分，所述峰部分对应于所述区域31、32中之一者而半途部分对应于该半透射区域；及在该所形成之不平坦表面上沉积一光学反射材料4。为以一灰阶透射该入射光，该光罩3在该透射区域31及该光屏蔽区域32中之一者或其二者中及/或在该半透射区域33中包含一条纹排列部分，该条纹排列部分具有能够以相对高的第一透射率透射入射光之第一线性部分34及能够以相对低的第二透射率截留入射光之第二线性部分35，所述第一线性部分34及所述第二线性部分35系交替地互相平行置放。对应于该条纹排列部分之该感光材料2的一层之一表面具有小型底部部分及小型峰部分，所述小型底部部分对应于所述第一及所述第二线性部分中之一者34而所述小型峰部分对应于另一者35(参看图7)。
文档编号G02F1/1362GK101103302SQ200580035254
公开日2008年1月9日 申请日期2005年12月6日 优先权日2004年12月10日
发明者坪田雄介 申请人:统宝香港控股有限公司