专利名称：具备书写板功能的液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具备书写板功能的液晶显示装置，例如，涉及在像素电极和开关元件配置成矩阵状的基板上设置了用于接收来自光笔等的出射光而检测被指示输入了的坐标位置的多个受光元件的具备书写板功能的液晶显示装置。
背景技术：
以前，称为书写板PC(Personal Computer)的在液晶面板的表面上积层了检出压力而使得位置输入成为可能的书写板的信息处理装置已经普及。
在此书写板PC上，作为位置检出用书写板而组装了使形成了2枚透明电极的透明基板保持规定的间隔而相对配置了两透明基板的透明电极的构造的装置，由检出电路来检出由于被按压而互相接触了的透明电极的位置，把位置信息发送到控制部。
这样的书写板PC在液晶显示面板上面积层了位置检出用的书写板，因而显示画面看上去深了，难以观看(深窗效应)，且又厚又重，这是存在的问题。
为此，提出了在构成液晶显示面板的TFT(Thin Film Transistor)基板上，与开关元件一起形成受光元件，由受光元件接收从光笔等照射的光，使得位置检出成为可能的液晶显示装置(例如，参照专利文献1)。
此处，作为驱动用的开关元件，例如，可以采用横向npn构造的TFT，作为受光元件，可以采用pnp构造或npn构造的光电晶体管、p形或n形单极性半导体。
在上述开关元件中，在透明绝缘基板上面形成了的栅极电极由栅极绝缘膜覆盖，在栅极绝缘膜上面形成了半导体层与半导体层接触而形成了漏极电极和源极电极。半导体层由在栅极电极的上方形成了的p形区域和在p形区域的两侧的n形区域组成。
上述半导体层是在栅极绝缘膜形成后，使掺杂了P(磷)的n形非晶硅层形成图形，做成源极及漏极，再积层掺杂了B(硼)的p形非晶硅层而形成的。
此处，在源极及漏极的边缘附近，只需要对上层侧的p形非晶硅层进行蚀刻。即，把p形非晶硅层全部除去，n形非晶硅层需要留下规定厚度的量。因此，必须在作为相同的材料的p形及n形非晶硅层上按选择比进行蚀刻。
上述受光元件也在与开关元件的形成工序同样的工序中同时形成。
还提出了在用单极性的半导体作为受光元件的情况下，在把此受光元件连接到被供给向对应像素电极给予的显示信号的数据线和被供给扫描信号的扫描线连接时，与向像素的写入用的开关元件分开，通过读出用的开关元件把该受光元件连接到扫描线侧的技术。
读出用的开关元件，与写入用的开关元件一样，由TFT组成，其栅极连接到数据线，其漏极及源极分别连接到受光元件及扫描线。
此处，把扫描线置于截止状态的截止电位通常为-10V的程度。此截止电位，在用非晶硅作为半导体层的构成材料的情况下，截止状态下的漏泄电流设定为，到-5V的程度为止，随逆偏置的栅极电压而变小，从而防止小的来自像素电极的漏泄。还有，用于把扫描线置于导通状态的导通电位通常为+20V的程度。还有，供给信号线的向像素的写入电压为数V。
专利文献1特开昭56-085792号公报(图8，图12，图14)发明内容本发明打算解决的问题点是在上述现有技术中受光元件误成为导通状态这一点。
在用光电晶体管作为受光元件的情况下，即使没有来自光笔等的光照射，例如，有时也会由于来自背照光的漏泄光而误成为导通状态。
即，在用双极光电晶体管作为受光元件的情况下，由于采用了基极悬浮的pnp构造或npn构造，因而在两端(发射极·集电极间)的电位差大的情况下，有时也会由于寄生元件的影响而误成为导通状态。
还有，在用单极性的半导体作为受光元件，在受光元件上连接作为读出用的开关元件的TFT，进行光输入检出的情况下，有时也会引起包括不需要的动作的误动作。
例如，在规定的像素的次段的行的扫描线被选择而置于导通状态的情况下，沿着上述规定的像素的TFT基板的表面，向正下方的同列的像素供给显示信号，因而在相同的信号线上连接了其栅极的上述规定的像素所对应的读出用的开关元件被置于导通状态，引起不需要的动作。
对于上述规定的像素以外的同列的未被选择的像素也同样，对应的读出用的开关元件被置于导通状态。在此情况下，读出用的开关元件不完成本来的功能而无用地增加了消费电流。
这样，由于偏置电压的设定的方式，与未被选择的受光元件对应的读出用的开关元件被置于导通状态，引起误动作。
本发明是针对上述情况提出的，其目的在于提供一种能确实防止光输入检出时的误动作的具备书写板功能的液晶显示装置。
为了解决上述课题，技术方案1记载的发明涉及具备书写板功能的液晶显示装置，具备被供给扫描信号的多个扫描线；被供给显示信号的多个信号线；配置成矩阵状，用于向液晶层施加电压的多个像素电极；设置在上述扫描线和上述信号线的交叉部近旁，由用于根据扫描信号来切换向对应的上述像素电极给予的显示信号的场效应晶体管组成的多个开关元件；以及与上述多个上述像素电极中的至少多个规定的上述像素电极对应而设置，接收从用于把光对准显示画面而指示坐标位置的位置指示装置出射的光的话，就输出用于表示由上述位置指示装置指示的坐标位置的坐标位置检出信号的多个坐标位置检出元件，上述各坐标位置检出元件由场效应晶体管组成。
还有，技术方案2记载的发明涉及技术方案1记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述坐标位置检出元件具有栅极电极、漏极电极和源极电极，并且上述栅极电极与自身的漏极电极或源极电极连接。
还有，技术方案3记载的发明涉及技术方案1记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述各坐标位置检出元件具有互相串联连接的1对上述场效应晶体管。
还有，技术方案4记载的发明涉及技术方案1记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述开关元件和上述坐标位置检出元件具有大致相同的层状构造。
还有，技术方案5记载的发明涉及技术方案1记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，具备受取上述坐标位置检出信号，测量由上述坐标位置检出元件产生的光电流的光电流测量装置。
还有，技术方案6记载的发明涉及技术方案2记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，具备与上述坐标位置检出元件连接，用于读出从上述坐标位置检出元件输出的上述坐标位置检出信号的第1布线及第2布线，上述坐标位置检出元件设置在上述第1布线和上述第2布线的交叉部近旁，上述坐标位置检出元件的上述漏极电极或上述源极电极与上述第1布线或上述第2布线连接。
还有，技术方案7记载的发明涉及技术方案6记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，具备进行用于光输入的有无的检测的上述坐标位置检出元件的选择，把上述光电流测量装置通过上述第1布线及上述第2布线而连接到被选择了的上述坐标位置检出元件上的驱动控制装置；以及基于获得了上述坐标位置检出信号的上述坐标位置检出元件的配置位置，给定由上述位置指示装置指示输入了的坐标位置的坐标位置给定装置。
还有，技术方案8记载的发明涉及技术方案6记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述扫描线或上述信号线兼作上述第1布线和上述第2布线中的至少一方。
还有，技术方案9记载的发明涉及技术方案8记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述坐标位置检出元件与兼作上述第1布线的上述扫描线和兼作上述第2布线的上述信号线连接。
还有，技术方案10记载的发明涉及技术方案7记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述驱动控制装置在上述开关元件被置于截止状态的写入休止期间，选择与上述开关元件对应的上述坐标位置检出元件作为坐标位置检出信号读出对象的坐标位置检出元件。
还有，技术方案11记载的发明涉及技术方案1记载的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，上述坐标位置检出元件由具有未掺杂杂质的第1非晶硅层和在上述第1非晶硅层上形成，掺杂了n形或p形杂质的第2非晶硅层的半导体层构成。
根据本发明的具备书写板功能的液晶显示装置的构成，至少与一部分像素电极对应而设置的坐标位置检出元件接收从用于通过光来指示输入坐标位置的位置指示装置出射的光的话，就输出用于表示由位置指示装置指示输入了的坐标位置的坐标位置检出信号，此坐标位置检出元件由场效应晶体管组成，因而能确实防止光输入检出时的误动作。
图1是表示作为本发明的第1实施例的液晶显示面板的电构成的等效电路图。
图2是示意地表示同液晶显示面板的构成的透视图。
图3是示意地表示同液晶显示面板的构成的剖视图。
图4是示意地表示采用了同液晶显示面板的液晶显示装置的电构成的框图。
图5是表示同液晶显示面板的TFT基板的构成的平面图。
图6是沿着图5的A-A线的剖视图。
图7是表示作为本发明的第2实施例的液晶显示面板的电构成的等效电路图。
图8是表示同液晶显示面板的TFT基板的构成的平面图。
图9是沿着图8的B-B线的剖视图。
图10是表示作为本发明的第3实施例的液晶显示面板的电构成的等效电路图。
具体实施例方式
至少与一部分像素电极对应而设置的坐标位置检出元件接收从用于通过光来指示输入坐标位置的位置指示装置出射的光的话，就输出用于表示由位置指示装置指示输入了的坐标位置的坐标位置检出信号，此坐标位置检出元件由场效应晶体管组成，从而实现了确实防止光输入检出时的误动作这样的目的。
实施例1图1是表示本发明的第1实施例所涉及的液晶显示面板的电构成的等效电路图，图2是示意地表示同液晶显示面板的构成的透视图，图3是示意地表示同液晶显示面板的构成的剖视图，图4是示意地表示采用了同液晶显示面板的液晶显示装置的电构成的框图，图5是表示同液晶显示面板的TFT基板的构成的平面图，还有，图6是沿着图5的A-A线的剖视图。
此例的液晶显示装置1例如用作书写板PC的输入装置及显示装置，如图2至图4所示，具备液晶显示面板2、驱动液晶显示面板2的LCD(Liquid Crystal Display)驱动电路部3和用于向液晶显示面板2给予照明光的背照光装置4，与显示功能一起，例如，具有采用了作为位置指示装置(pointing device)的光笔R的坐标位置信息的输入功能。
液晶显示面板2例如是TFT构造的透过式的液晶显示面板，如图1至图3所示，具有形成了多个驱动用TFT6mn(m、n自然数)、由互相串联连接的一对受光用TFT7amn、7bmn组成的受光部7mn及透明像素电极8mn的TFT基板9；与TFT基板9有数[μm]的间隙而相对着被固定，形成了着色层(滤色片)11的相对基板12；在上述间隙中被封入了的液晶层13；配设在TFT基板9、相对基板12的外侧的一对偏振片14、15。
另外，驱动用TFT6mn等中有附加字m、n，m表示行数，n表示列数，例如，驱动用TFT6mn表示配置在m行n列的位置，与第m扫描线Gm和第n信号线Dn连接的驱动用TFT。
在TFT基板9上，多个透明像素电极811、812、…配置成矩阵状，在透明像素电极811、812、…的周围互相正交地设置了用于供给扫描信号的各扫描线Gm和用于供给显示信号的各信号线Dn。上述扫描信号及显示信号分别从与外部电路连接的外部输入端子部输入。
驱动用TFT6mn及受光用TFT7amn、7bmn配置在扫描线Gm和信号线Dn的各交叉部位近旁，驱动用TFT6mn，其源极电极与透明像素电极8mn连接，用作向对应的液晶元施加信号电荷的开关元件，受光用TFT7amn、7bmn用作接收从光笔R出射的光的坐标位置检出元件(受光元件)。
驱动用TFT6mn在与扫描线Gm连接的栅极电极，通过扫描线Gm而被输入扫描信号，在与信号线Dn连接的漏极电极被输入显示信号(数据信号)，从而受到驱动控制。
还有，驱动用TFT6mn的源极电极通过接触孔而与透明像素电极8mn连接。还有，驱动用TFT6mn根据需要而实施对来自的上方的光的遮光。
此例中，受光部7mn由互相连接的一对受光用TFT7amn、7bmn构成。
即，受光用TFT7amn的栅极电极与自身的漏极电极及信号线Dn连接，其源极电极与受光用TFT7bmn的漏极电极连接。还有，受光用TFT7bmn的栅极电极与自身的源极电极及扫描线Gm连接，其漏极电极与受光用TFT7amn的源极电极连接。
这样，受光用TFT7amn的栅极电极与自身的漏极电极连接，且受光用TFT7bmn的栅极电极与自身的源极电极连接，因而无论偏置如何，都能确实保持截止状态。
此例中，驱动用TFT6mn和受光用TFT7amn、7bmn具有大致相同的构造，经过相同的工序同时形成，特别是，半导体层由作为未掺杂的第1非晶硅层的非晶硅(以下称为a-Si)层和作为掺杂作为n形杂质的P(磷)而成为n+形的第2非晶硅层的非晶硅(以下称为n+形a-Si)层组成。
TFT基板9具有在透明绝缘基板(面板基板)17上面积层了各电极和绝缘膜等的构造。即，如图5及图6所示，在透明绝缘基板17上面形成栅极电极18，栅极电极18由栅极绝缘膜19覆盖，在栅极电极18的上方的栅极绝缘膜19上面形成半导体层21，在栅极绝缘膜19上面与半导体层21接触而形成漏极电极22和源极电极23，栅极绝缘膜19、半导体层21、漏极电极22和源极电极23由钝化膜24覆盖。钝化膜24的规定的区域由ITO膜25覆盖。
另外，在图5中，Ha是漏极电极或源极电极侧的接触孔，Hb是栅极电极侧的接触孔。此处，扫描线Gm与栅极电极18在同层形成。
还有，在受光用TFT7amn、7bmn的配置区域形成的栅极电极18遮挡来自背照光装置4的照明光，兼有防止向受光用TFT7amn、7bmn照射无用的光的功能。
这样，驱动用TFT6mn和受光用TFT7amn、7bmn在透明绝缘基板17上面形成。另外，ITO膜25的规定的区域作为透明像素电极8mn。
还有，在透明像素电极层8mn(ITO膜25)上面覆盖透明像素电极层8mn而形成了液晶配向膜26。
还有，相对基板12是覆盖透明绝缘基板28而马赛克状地排列了例如红色、绿色、蓝色的着色层11，覆盖着色层11而形成了相对电极29而成的。并且，覆盖相对电极29而形成了液晶配向膜31。
TFT基板9和相对基板12配置成液晶配向膜26和液晶配向膜31对着，在液品配向膜26和液晶配向膜31之间夹持液晶层13。
LCD驱动电路部3，例如具有具有CPU(中央处理器)而控制构成各部的控制部35；由ROM、RAM等半导体存储器等组成，用于存储控制部35执行的处理程序、光输入所涉及的图形、文字图形等各种数据等的存储部36；向各信号线D供给显示信号(数据信号)的数据电极驱动电路37；向各扫描线Gm供给扫描信号的扫描电极驱动电路38；以及用于测量流过各受光部7mn的光电流，检出来自光笔R的光输入的光输入检出部39。
控制部35控制数据电极驱动电路37及扫描电极驱动电路38，为了选择进行向各像素的写入并且不向对应的像素进行写入的受光部7mn(即，与截止期间的像素对应的受光部7mn)，检测光输入的有无而控制光输入检出部39、数据电极驱动电路37和扫描电极驱动电路38，使得由与被选择了的受光部7mn对应的扫描线Gm及信号线Dn和光输入检出部39的对应的电流测量电路形成闭合电路。
控制部35可选择除去与向对应的像素进行写入的受光部7mn所连接的扫描线Gm及信号线Dn连接的受光部7mn之外的受光部7mn(向对应的像素进行写入的受光部7mn所属的行及列以外的全部的受光部7mn)作为光输入检测对象。
此处，向作为光输入检测对象而被选择了的受光部7mn所连接的扫描线Gm及信号线Dn的扫描信号及显示信号的供给被休止。
此例中，控制部35在向与受光部711对应的像素进行写入的情况下，选择未与扫描线G1及信号线D1连接的受光部722、723、…、732、733。
例如，控制部35从m＝1起选择扫描线Gm，交替执行写入处理和光输入检出处理。即，选择扫描线G1，向与扫描线G1连接的像素的写入处理后，选择与扫描线G1连接的受光部71n，对于此行的全部的受光部71n大致同时进行光输入检出处理，其次，选择扫描线G2，写入处理后执行光输入检出处理，以后，一一改变行m而执行写入处理和光输入检出处理。
控制部35基于从光输入检出部39送来的测量信号，给定由光笔R指定了的位置(坐标)。
光输入检出部39，例如具有多个(信号线数n的)电流测量电路，各电流测量电路切换流过与相同的信号线Dn连接的多个(扫描线数m的)受光部7mn的电流，以列单位进行测量。此例中，大致同时测量流过与相同的扫描线Gm连接的受光部7mn的电流。
各电流测量电路在光照射时测量流过对应的受光部7mn的光电流(通常为光非照射时的暗电流的1000倍以上)。
背照光装置4，例如具有由多个LED组成的光源单元以及包括接收从光源单元出射的光而向着液晶显示面板2出射面状的照明光的导光板、用于补正亮度的偏差的扩散片及对从导光板侧入射的照明光进行聚光的棱镜片的光学部件群，向液晶显示面板2从背面侧照射照明光，使观察者观看透过了液晶显示面板2的光。
其次，参照图6对于此例的TFT基板9的制造方法进行说明。
首先，如同图所示，在通过超声波清洗等而清洗了的玻璃制的透明绝缘基板17上面，采用溅射法使作为栅极电极形成材料的例如铬以200nm的程度的成膜，采用光刻技术形成图形，形成栅极电极18。例如，驱动用TFT6mn和受光用TFT7bmn的栅极电极18可以兼用。
其次，采用化学气相生长法(以下称为CVD(Chemical VaporDeposition)法)、溅射法，在全面上以400nm的程度使氮化硅膜或氧化硅膜成膜，形成栅极绝缘膜19。
其次，使用未掺杂的a-Si和掺杂磷而成为n+形的n+形a-Si，采用CVD法，分别以250nm、50nm的程度成膜，采用光刻技术和反应性离子蚀刻法(RIEReactive Ion Etching)，使它们形成图形，形成半导体层21，在为了驱动用TFT6mn和受光用TFT7amn、7bmn的形成所必要的区域留下a-Si层及n+形a-Si层。
其次，在半导体层21上面，使作为漏极·源极电极形成材料的例如铬通过溅射法而以200nm的程度的成膜，使此铬膜通过光刻技术和例如使用了硝酸铈系蚀刻液的蚀刻法而形成图形，形成源极电极23和漏极电极22。
其次，采用使用了含六氟化硫(SF6)和氯化氢(HCL)的蚀刻气体的PE(等离子蚀刻)，进行100nm的程度的蚀刻，以便把沟道部的n+形a-Si全部除去。
其次，采用CVD法使氮化硅膜以150nm的程度的成膜而作为钝化膜24，采用光刻技术和例如使用了氟酸系蚀刻液的蚀刻法，对此氮化硅膜形成接触孔Ha、Hb。
其次，在钝化膜24上面采用溅射法使ITO膜25成膜，采用光刻技术和例如使用了汪水系蚀刻液的蚀刻法，形成图形，形成透明像素电极8mn。
其次，参照图3及图4，对于此例的液晶显示装置1的动作进行说明。
控制部35控制数据电极驱动电路37及扫描电极驱动电路38，为了选择向各像素进行写入并且不向对应的像素进行写入的受光部7mn(即，与截止期间的像素对应的受光部7mn)，检测光输入的有无而控制光输入检出部39、数据电极驱动电路37和扫描电极驱动电路38，使得由与被选择了的受光部7mn对应的扫描线Gm及信号线D和与光输入检出部39对应的电流测量电路形成闭合电路。
控制部35可选择除去与向对应的像素进行写入的受光部7mn所连接的扫描线Gm及信号线Dn连接的受光部7mn之外的受光部7mn(向对应的像素进行写入的受光部7mn所属的行及列以外的全部的受光部7mn)。
此处，向作为光输入检测对象而被选择了的受光部7mn所连接的扫描线Gm及信号线Dn的扫描信号及显示信号的供给被休止。
此例中，控制部35在向与受光部711对应的像素进行写入的情况下，选择未与扫描线G1及信号线D1连接的受光部722、723、…、732、733。
例如，控制部35从m＝1起选择扫描线Gm，交替执行写入处理和光输入检出处理。即，选择扫描线G1，向与扫描线G1连接的像素的写入处理后，选择与扫描线G1连接的受光部71n，对于此行的全部的受光部71n大致同时进行光输入检出处理，其次，选择扫描线G2，写入处理后执行光输入检出处理，以后，一一改变行m而执行写入处理和光输入检出处理。
光输入检出部39的各电流测量电路切换流过与相同的信号线Dn连接的多个(扫描线数m的)受光部7mn的电流，以列单位进行测量。此例中，大致同时测量流过与相同的扫描线Gm连接的受光部7mn的电流。
各电流测量电路在光笔所涉及的光照射时测量流过对应的受光部7mn的光电流(通常为光非照射时的暗电流的1000倍以上)。
此处，在光非照射时，受光用TFT因为其栅极电极与自身的源极电极或漏极电极连接，所以与偏置的设定无关，能确实地保持截止状态。
控制部35基于从光输入检出部39送来的测量信号，给定由光笔R指定了的位置(坐标)。
这样，根据此例的构成，采用与驱动用的开关元件大致相同构造的TFT作为受光用元件，特别是，其半导体层由未掺杂的a-Si层和掺杂为n+形的n+形a-Si层组成，因而不会像现有技术中例如采用了双极光电晶体管的情况那样，误成为导通状态(寄生接通)。
还有，各受光用TFT7amn、7bmn因为其栅极电极与自身的源极电极或漏极电极连接，所以与偏置的设定无关，能确实地保持截止状态。因而能确实防止误动作。
还有，通过检出由受光用元件7amn、7bmn产生的光电流，就能确实且准确地给定光输入位置。
还有，在受光用TFT7amn、7bmn中，至少其栅极电极遮挡来自背照光装置4的照明光，因而能确实防止照明光所涉及的误动作。
实施例2图7是表示作为本发明的第2实施例的液晶显示面板的电构成的等效电路图，图8是表示同液晶显示面板的TFT基板的构成的平面图，还有，图9是沿着图8的B-B线的剖视图。
此例与上述第1实施例有很大不同的地方在于，由栅极电极彼此连接的一对受光用TFT构成受光部这一点。
此外的构成与上述第1实施例的构成大致相同，简化其说明。
在此例中，在TFT基板上，多个透明像素电极4211、4212、…配置成矩阵状，在透明像素电极4211、4212、…的周围互相正交地设置了用于供给扫描信号的各扫描线Gm、用于供给显示信号的各信号线Dn。
驱动用TFT43mn及受光用TFT44amn、44bmn配置在扫描线Gm和信号线Dn的各交叉部位近旁，驱动用TFT43mn，其源极电极与透明像素电极42mn连接，用作向对应的液晶元施加信号电荷的开关元件，受光用TFT44amn、44bmn用作接收从光笔R出射的光的受光元件。
驱动用TFT43mn在与扫描线Gm连接的栅极电极，通过扫描线Gm而被输入扫描信号，并且在与信号线Dn连接的漏极电极被输入显示信号(数据信号)，从而受到驱动控制。
还有，驱动用TFT43mn的源极电极通过接触孔而与透明像素电极42mn连接。
此例中，受光部44mn由互相连接的一对受光用TFT44amn、44bmn构成。
即，受光用TFT44amn的栅极电极与自身的源极电极和受光用TFT44bmn的栅极电极及漏极电极接，其漏极电极与信号线Dn连接，其源极电极与自身的栅极电极和受光用TFT44bmn的栅极电极及漏极电极连接。
还有，受光用TFT44bmn的栅极电极与自身的漏极电极和受光用TFT44amn的栅极电极及源极电极连接，其漏极电极与自身的栅极电极和受光用TFT44amn的栅极电极及源极电极连接，其源极电极与扫描线Gm连接。
TFT基板41，如图8及图9所示，在透明绝缘基板46上面形成栅极电极4，栅极电极47由栅极绝缘膜48覆盖，在栅极电极47的上方的栅极绝缘膜48上面形成了半导体层49，在栅极绝缘膜48上面与半导体层4接触而形成了漏极·源极电极51，栅极绝缘膜48、半导体层49和漏极·源极电极51由钝化膜54覆盖。钝化膜54的规定的区域由ITO膜55覆盖。
另外，在图8中，Hc是漏极电极或源极电极侧的接触孔，Hd是栅极电极侧的接触孔。此处，扫描线Gm与栅极电极55在同层形成。
还有，在受光用TFT44amn、44bmn的配置区域形成了的栅极电极55遮挡来自背照光装置4的照明光，兼有防止向受光用TFT44amn、44bmn照射无用的光的功能。
这样，根据此例的构成，能获得与上述第1实施例大致同样的效果。
实施例3图10是表示本发明的第3实施例所涉及的液晶显示面板的电构成的等效电路图。
此例与上述第1实施例有很大不同的地方在于，由单一的受光用TFT构成受光部，受光用TFT与信号线和代替扫描线而与扫描线平行设置的光检出用布线连接这一点。
此外的构成与上述第1实施例的构成大致相同，因而简化其说明。
如图10所示，在此例的TFT基板上，多个透明像素电极6111、6112、…配置成矩阵状，在透明像素电极6111、6112、…的周围互相正交地设置了用于供给扫描信号的各扫描线Gm、用于供给显示信号的各信号线Dn和用于检出光输入的光检出用布线Pm。
驱动用TFT62mn及受光用TFT63amn配置在扫描线Gm(光检出用布线Gm)和信号线Dn的各交叉部位近旁，驱动用TFT62mn，其源极电极与透明像素电极61mn连接，用作向对应的液晶元施加信号电荷的开关元件，受光用TFT63amn用作接收从光笔R出射的光的受光元件。
驱动用TFT62mn在与扫描线Gm连接的栅极电极，通过扫描线Gm而被输入扫描信号，并且在与信号线Dn连接的漏极电极被输入显示信号(数据信号)，从而受到驱动控制。
还有，驱动用TFT62mn的源极电极通过接触孔而与透明像素电极61mn连接。
此例中，受光部由单一的受光用TFT63amn构成。受光用TFTamn的栅极电极与自身的源极电极和光检出用布线Pm连接，其漏极电极与信号线Dn连接，其源极电极与自身的栅极电极和光检出用布线Pm连接。
此例中，检出用布线Pm保持在高电位，信号线Dn保持在低电位。
控制部35为了选择向各像素进行写入并且不向对应的像素进行写入的受光部(即，与截止期间的像素对应的受光部)，检测光输入的有无，使得由与被选择了的受光部对应的光检出用布线Pm及信号线Dn和光输入检出部的对应的电流测量电路形成闭合电路。
这样，根据此例的构成，能获得与上述第1实施例大致同样的效果。
此外，因为独立设置了光检出用布线Pm，所以能独立于(例如同时)向像素的数据写入而进行来自受光用TFT63amn的光电流读出。
以上，参照附图详述了本发明的实施例，不过，具体构成不限于此实施例，不超出本发明的要旨的范围的设计的变更等也包括在本发明中。
例如，在上述的实施例中，叙述了用铬构成栅极电极的情况，不过，也可以代替铬而用铝、钽、钼等金属来构成栅极电极。
还有，可以代替未掺杂的a-Si层而使用形成了掺杂为n-形的n-形a-Si层的半导体层。
还有，在TFT基板的周缘形成的外部输入端子部，也可以根据需要，例如，形成扫描线与信号线同电位的构造。
还有，采用透明部件作为声音输出部，能适用于设置了具有兼作保护液晶显示面板的屏幕部件的振动片和具有压电元件而使振动片振动而发出声波的作动器组件的平面板扬声器(FPS)的情况。
还有，作为背照光装置的光源单元，不限于LED，例如，也可以采用孔形荧光灯等。还有，作为LED，可以是白色LED，也可以是此外的单色LED。还有，作为点状光源，除了LED以外也可以使用白炽灯。
还有，在第1实施例中，叙述了光输入检出部对于与写入部位连接的扫描线及信号线的部位以外的部位，以列单位或行单位同时进行测量、进行切换扫描的情况，不过，不限于列单位和行单位，也可以按每个规定的小组同时进行切换、测量，也可以按1个单位进行切换、测量，也可以对于可测量的部位全部同时进行测量。
还有，驱动用TFTL和受光用TFT也可以不是1对1地对应，两者也可以互相独立地配置。
还有，叙述了各电流测量电路对流过与相同的信号线Dn连接的多个(扫描线数m的)受光部7mn的电流进行切换，以列单位进行测量的情况，不过，也可以以行单位进行测量。
还有，也可以从m＝1起选择扫描线Gm，在光输入检出处理后进行写入处理。
还有，也可以对于全部的扫描线Gm，在执行写入处理之后，一边改变行一边对于全部的受光部7mn进行光输入检出处理缘。
还有，作为CVD法，例如，可以选择常压CVD法或减压CVD法、等离子增速CVD(PECVDPlasma Enhanced Chemical VaporDeposition)法等。
工业实用性能适用于用非晶硅形成半导体层的情况，以及用多硅形成半导体层的情况。
权利要求
1.一种具备书写板功能的液晶显示装置，具备被供给扫描信号的多个扫描线；被供给显示信号的多个信号线；配置成矩阵状，用于向液晶层施加电压的多个像素电极；设置在所述扫描线和所述信号线的交叉部近旁，由用于根据扫描信号来切换向对应的所述像素电极给予的显示信号的场效应晶体管组成的多个开关元件；以及与所述多个所述像素电极中的至少多个规定的所述像素电极对应而设置，接收从用于把光对准显示画面而指示坐标位置的位置指示装置出射的光的话，就输出用于表示由所述位置指示装置指示的坐标位置的坐标位置检出信号的多个坐标位置检出元件，所述各坐标位置检出元件由场效应晶体管组成。
2.根据权利要求1所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述坐标位置检出元件具有栅极电极、漏极电极和源极电极，并且所述栅极电极与自身的漏极电极或源极电极连接。
3.根据权利要求1所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述各坐标位置检出元件具有互相串联连接的1对所述场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述开关元件和所述坐标位置检出元件具有大致相同的层状构造。
5.根据权利要求1所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，具备受取所述坐标位置检出信号，测量由所述坐标位置检出元件产生的光电流的光电流测量装置。
6.根据权利要求2所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，具备与所述坐标位置检出元件连接，用于读出从所述坐标位置检出元件输出的所述坐标位置检出信号的第1布线及第2布线，所述坐标位置检出元件设置在所述第1布线和所述第2布线的交叉部近旁，所述坐标位置检出元件的所述漏极电极或所述源极电极与所述第1布线或所述第2布线连接。
7.根据权利要求6所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，具备进行用于光输入的有无的检测的所述坐标位置检出元件的选择，把所述光电流测量装置通过所述第1布线及所述第2布线而连接到被选择了的所述坐标位置检出元件上的驱动控制装置；以及基于获得了所述坐标位置检出信号的所述坐标位置检出元件的配置位置，给定由所述位置指示装置指示输入了的坐标位置的坐标位置给定装置。
8.根据权利要求6所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述扫描线或所述信号线兼作所述第1布线和所述第2布线中的至少一方。
9.根据权利要求8所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述坐标位置检出元件与兼作所述第1布线的所述扫描线和兼作所述第2布线的所述信号线连接。
10.权利要求7所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述驱动控制装置在所述开关元件被置于截止状态的写入休止期间，选择与所述开关元件对应的所述坐标位置检出元件作为坐标位置检出信号读出对象的坐标位置检出元件。
11.权利要求1所述的具备书写板功能的液晶显示装置，其特征在于，所述坐标位置检出元件由具有未掺杂杂质的第1非晶硅层和在所述第1非晶硅层上形成，掺杂了n形或p形杂质的第2非晶硅层的半导体层构成。
全文摘要
一种具备书写板功能的液晶显示装置，能确实防止误动作。采用与驱动用的开关元件大致相同构造的TFT作为受光用元件，特别是，其半导体层由未掺杂的a－Si层和掺杂为n
文档编号G02F1/133GK1873764SQ20061008997
公开日2006年12月6日 申请日期2006年5月30日 优先权日2005年5月30日
发明者高桥美朝 申请人:Nec液晶技术株式会社