半透射半反射式液晶显示器结构的制作方法

专利名称：半透射半反射式液晶显示器结构的制作方法
半透射半反射式液晶显示器结构发明领域本发明涉及一种液晶显示器结构，尤其涉及一种半透射式与半反 射式的液晶显示器结构。技术背景一般液晶显示器的显示方式大体可分为透射式(Tmnsmissive)、 反射式(Reflective)与半透射半反射式(Transflective)。其中，透射 式的液晶显示器需依靠背光源，当光源透射面板才能使面板产生亮 度，因此在太阳光的强光照射下，会有屏幕看不清楚的情况发生。而 反射式(Reflective)技术是在面板的下层玻璃上镀反射膜，通过外界 光源达到发光的目的。不过，若环境光源微弱会造成显示品质并不佳。因此，需要开发一种半透射半反射液晶显示器技术，由于其同时 具有透射式与反射式的特性，当环境光较强时，使得外界环境光得以 透射面板反射而发光，此时半透射半反射式与反射式一样；而当在环 境光较弱时，面板则利用背光源来达到发光的目的，此举可避免面板 亮度不佳的情形。然而，由于半透射半反射式液晶显示器技术为了使得光学路径的 一致，需要制作不同的反射区与透射区上下玻璃基板间的间隙(Cell Gap)结构，工艺难度高。此外，反射区的间隙需为透射区的一半， 因此面板均匀性控制难度高，容易造成成品率降低与画质不均匀的现 象。因此，需要有一种可解决上述问题又具有半透射半反射式液晶显 示器优点的架构。发明内容因此，本发明的主要目的就是提供一种具有单一间隙的半透射半 反射式液晶显示器架构。本发明的另一目的是提供用于液晶显示器的像素单元，每个像素 单元具有两个不同的珈玛特性曲线，分别对应透射与反射区域，可使 两区域的光电效应一致。本发明的另一目的是提供一种具有两个子像素的像素单元，这两 个子像素分别对应透射与反射区域，且可分别形成不同的像素电压使 两区域的光电效应一致。本发明的另一目的是提供一种驱动方法，以便驱动具有两个独立 子像素的像素单元。本发明的另一目的是提供一种驱动方法，以便使得像素单元中分 别对应透射与反射区域的两个子像素可分别形成不同的像素电压，以 使两区域的光电效应一致。根据本发明的上述目的，提出了一种液晶显示器结构，该结构包 括多条平行排列的数据线；多条平行排列且交叉横跨这些数据线的 扫描线；多条公共电极与所述多条扫描线交错排列，其中相邻的数据 线与扫描线定义出一个像素单元，而每个像素单元包括第一子像素以 及第二子像素，分别位于该像素单元的反射区与透射区。每个子像素 具有一个晶体管与一个连接至此晶体管的储存电容，其中两个子像素 的储存电容分别为各自的像素电极连接至第一与第二电压源，以调节 像素电极电压，使得该像素单元的反射区与透射区具有不同的像素电 压。根据本发明的一个实施例，其中第一电压源为扫描线，而第二电 压源为公共电极。根据本发明的一个实施例，其中第一个子像素以及第二个子像素 位于定义该像素单元的数据线的两侧。根据本发明的一个实施例，其中第一个子像素以及第二个子像素 位于定义该像素单元的数据线的同一侧。根据本发明的上述目的，提出了一种液晶显示器结构，该结构包 括多条平行排列的数据线；多条平行排列且交叉横跨这些数据线的 扫描线；多条公共电极与所述多条扫描线交错排列，其中相邻的数据
线与扫描线定义出一个像素单元，而每个像素单元包括第一子像素以 及第二子像素，分别位于该像素单元的反射区与透射区。每个子像素 具有一个晶体管、电连接至此晶体管的像素电极与连接至此像素电极 的储存电容，其中两个子像素的储存电容具有不同大小的电容值，并 连接至同一电压源来调节像素电极电压，使得该像素单元的反射区与 透射区具有不同的像素电压。根据本发明的一个实施例，其中电压源为扫描线。根据本发明的一个实施例，其中第一个子像素以及第二个子像素 位于定义该像素单元数据线的两侧。根据本发明的一个实施例，其中第一个子像素以及第二个子像素 位于定义该像素单元数据线的同一侧。根据本发明的另一目的，本发明提出一种液晶显示器驱动方法， 用于驱动由第一与第二扫描线围出的具第一与第二子像素的像素单 元，其中第一个子像素包括第一晶体管和第一储存电容，第二个子像素包括第二晶体管和第二储存电容，第一个子像素位于该像素单元的 反射区，而第二个子像素位于该像素单元的透射区，此方法包括提 供高电平电压给该第二扫描线，以便导通第一晶体管与第二晶体管， 使得将灰度信号写入第一像素电极电压以形成第一储存电容，以及写 入第二像素电极电压以形成第二储存电容；以及，提供低电平电压给 该第二扫描线，以便截止第一晶体管与第二晶体管，并切换第一扫描 线电压以便通过第一储存电容改变第一像素电极电压电容结构。根据一个实施例，其中高电平电压为第一电压，低电平电压为第 二电压，而切换第一扫描线电压指从第三电压切换成该第二电压，其 中第一电压大于第二电压，而第二电压大于第三电压。根据一个实施例，其中高电平电压为第一电压，低电平电压为第 三电压，而切换第一扫描线电压指从第二电压切换成第三电压，其中 第一电压大于第二电压，且第二电压大于第三电压。根据一个实施例，其中高电平电压为第一电压，低电平电压为第 二电压，而切换第一扫描线电压指从第四电压切换成该第三电压，其 中第一电压大于第二电压，第二电压大于第三电压且第三电压大于第
四电压。根据一个实施例，其中高电平电压为第一电压，低电平电压为第 四电压，而切换第一扫描线电压指从第二电压切换成第三电压，其中 第一电压大于第二电压，第二电压大于第三电压且第三电压大于第四 电压。根据一个实施例，其中第二储存电容连接至特定的电压。 根据一个实施例，其中第二储存电容连接至第一扫描线。 本发明通过将一个像素单元分隔成两个子像素分别位于像素单 元的反射区与透射区，由此两个子像素所形成的两个不同珈玛特性曲 线分别对应透射与反射区域，可使得两区域的光电效应一致。在液晶显示器的结构上并不需形成不同的间隙(cell gap)，制造工艺较容易。


为使本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例更加明显易 懂，附图的简要说明如下-图1示出了依照本发明第一优选具体实施例的像素单元；图2示出了依照本发明第二优选具体实施例的像素单元；图3示出了依照本发明第三优选具体实施例的像素单元；图4示出了依照本发明第四优选具体实施例的像素单元；图5示出了依照本发明第五优选具体实施例的像素单元；图6示出了三阶驱动波形与子像素间的相对应电压；图7示出了四阶驱动波形与子像素间的相对应电压；图8示出了两步四阶驱动波形与子像素间的相对应电压；图9示出了三阶驱动波形与子像素间的相对应电压；图IO示出了四阶驱动波形与子像素间的相对应电压；图11示出了两步四阶驱动波形与子像素间的相对应电压；以及图12示出了驱动波形与子像素间的相对应电压。
具体实施方式
本发明将一个像素单元分隔成两个子像素，而每个子
像素中具有独立的薄膜晶体管、液晶电容与储存电容，以 便形成两个不同的珈玛特性曲线，分别对应透射与反射区 域。以下将通过多个实施例来描述本发明的应用。请参阅图1，其示出了依照本发明第一优选具体实施 例的一个像素单元。该具体实施例包括上基板(彩色滤光 片)(未显示)及下基板(未显示)，液晶层介于上、下基板间，其中上基板包括多个彩色滤层(color filter layer)及 一 个公 共电极；下基板包括多条扫描线及多条数据线，这些扫描 线及数据线互相垂直，其中两条相邻的扫描线以及两条相 邻的数据线定义出一个像素单元300，该像素单元300包 括两个子像素302和304，其中子像素302位于像素单元 300的反射区，子像素304位于像素单元300的透射区。子像素302包括一个薄膜晶体管3010，其栅极连接 于扫描线3006、漏极电连接于对应的数据线3008、源极 电连接于像素电极3022，其中像素电极3022和扫描线 3002构成储存电容3014，其中像素电极3022部分重叠于 扫描线3002上，像素电极3022和公共电极(未显示在图 中)构成液晶电容3018。薄膜晶体管3010的源极和栅极间 有寄生电容3026。子像素304包括一个薄膜晶体管3012， 其栅极连接于扫描线3006、漏极电连接于对应的数据线 3008、源极电连接于像素电极3024，其中像素电极3024 和公共电极线3004构成储存电容3016,其中像素电极 3024部分重叠于公共电极线3004上，像素电极3024和公 共电极(未显示在图中)构成液晶电容3020。薄膜晶体管 3012的源极和栅极间有寄生电容3028。薄膜晶体管3010 及3012栅极均连接至扫描线3006，漏极均连接至对应数 据线3008，故为薄膜晶体管并联结构。像素电极3022、 3024因为两薄膜电晶体3010及3022的连接，而没有浮 接，不会造成电荷累积、电压偏移的现象，且仅需扫描线 3002及扫描线3006、数据线3008、公共电极线3004，以 及公共电极与电压源连接，不需要增加额外的电源或扫描线。此外相对应于子像素302的液晶层厚度与位于子像素 304的液晶层具有基本相同的厚度。请参照图2，其示出了依照本发明第二优选具体实施 例的像素单元。像素单元400包括两个子像素402和404。 其中子像素404位于像素单元400的反射区，子像素402 位于像素单元400的透射区。子像素402包括一个薄膜晶体管4010,其栅极连接 于扫描线4006、漏极电连接于对应的数据线4008、源极 电连接于像素电极4016，其中像素电极4016和公共电极 线4004构成储存电容4014，像素电极4016和公共电极(未 显示在图中)构成液晶电容4020。薄膜晶体管4010的源极 和薄膜晶体管4022的漏极电连接，其电连接处和薄膜晶 体管4010与薄膜电晶体4022的栅极间具有寄生电容 4018。子像素404包括薄膜晶体管4022，其栅极连接于 扫描线4006，其漏极电连接于薄膜晶体管4010的源极， 4022的源极电连接于像素电极4028,其中像素电极4028 和扫描线4002构成储存电容4026，像素电极4028和公 共电极(未显示在图中)构成液晶电容4032。薄膜晶体管 4022的源极和栅极间有寄生电容4030。因为薄膜晶体管 4010的源极端连接至薄膜晶体管4022的漏极，故为两薄 膜晶体管4010、 4022串联电路。像素电极4016、 4028因 为两薄膜电晶体4010及4022的连接，而没有浮接，不会 造成电荷累积、电压偏移的现象，而且仅需扫描线4002、 4006、数据线4008及公共电极线4004，以及公共电极与 电源作连接，不需要增加额外的数据线或扫描线。此外相 对应于子像素402的液晶层厚度与位于子像素404的液晶 层具有基本上相同的厚度。请参阅图3，其示出了依照本 发明第三优选具体实施例的像素单元。其中像素单元500
包括两个子像素502和504。其中子像素502位于像素单 元500的反射区，子像素504位于像素单元500的透射区。子像素502包括薄膜晶体管5010，其栅极连接于扫 描线5006、漏极电连接于对应的数据线5008，而源极电 连接于像素电极5022，其中像素电极5022和扫描线5002 构成储存电容5014，像素电极5022和公共电极(未显示在 图中)构成液晶电容5018。薄膜晶体管5010的第二源/漏 极和栅极间具有寄生电容5026。子像素504包括薄膜晶 体管5012，其栅极连接于扫描线5006、漏极电连接于对 应的数据线5008，而源极电连接于像素电极5024，其中 像素电极5024和扫描线5002构成储存电容5016，像素 电极5024和公共电极(未显示在图中)构成液晶电容5020。 薄膜晶体管5012的源极和栅极间有寄生电容5028。薄膜 晶体管5010及5012栅极均连接至扫描线5006，漏极均 连接至对应数据线5008，故为薄膜晶体管并联结构。像 素电极5022及5024因为两薄膜电晶体5010及5022的连 接，而没有浮接，不会造成电荷累积、电压偏移的现象， 而且仅需扫描线5002及扫描线5006、数据线5008，不需 要增加额外的数据线或扫描线。由于第三实施例的像素电极5022及5024与扫描线 5002共同构成储存电容5014及5016，故可通过调整储存 电容5014及5016电容值以将像素电极5022及5024电压 分开使得这两区域的光学特性达成一致。且通过栅极驱动 波形并通过储存电容5014及5016的耦合效应，可降低数 据线的电压输出范围，而达到降低功率的效果。此外相对 应于子像素502的液晶层厚度与位于子像素504的液晶层 具有基本相同的厚度。请参照图4，其示出了依照本发明第四优选实施例的 像素单元。其中像素单元600包括两个子像素602和604。
其中子像素602位于像素单元600的透射区，子像素604 位于像素单元600的反射区。子像素602包括薄膜晶体管6010，其栅极连接于扫 描线6006、漏极电连接于对应的数据线6008，而源极电 连接于像素电极6016，其中像素电极6016和扫描线6002 构成储存电容6014，像素电极6016和公共电极(未显示在 图中)构成液晶电容6020。薄膜晶体管6010的源极与薄膜 晶体管6022的漏极电连接，其电连接处和薄膜晶体管 6010与薄膜电晶体6022的栅极间有寄生电容6018。子像 素604包括薄膜晶体管6022，其栅极连接于扫描线6006， 漏极电连接于薄膜晶体管6010的源极，而薄膜晶体管 6022的源极电连接于像素电极6028，其中像素电极6028 和扫描线6002构成储存电容6026，像素电极6028和上 基板导电电极(未显示在图中)构成液晶电容6032。薄膜晶 体管6022的源极和栅极间有寄生电容6030。因为薄膜晶 体管6010的源极端连接至薄膜晶体管60225的漏极，故 为两薄膜晶体管6010、 6022串联电路。像素电极6016与 6028因为两薄膜电晶体6010及6022的连接，而没有浮 接，不会造成电荷累积、电压偏移的现象，而且仅需扫描 线6002、 6006以及数据线6008，不需要增加额外的数据 线或扫描线。由于第四实施例的像素电极6016及6028与扫描线 6002分别构成储存电容6014及6026，故可通过调整储存 电容6014及6026电容值以将像素电极6016及6028电压 分开使得这两区域的光学特性达到一致。且通过栅极驱动 波形并通过储存电容6014及6026的耦合效应，可降低数 据线的电压输出范围，而达到降低功率的效果。此外相对 应于子像素602的液晶层厚度与位于子像素604的液晶层具有基本相同的厚度。
请参照图5，其示出了依照本发明第五优选具体实施 例的像素单元。其中像素单元700，包括两个子像素702 和704。其中子像素702位于像素单元700的透射区，子 像素704位于像素单元700的反射区。子像素702包括薄膜晶体管7010，其栅极连接于扫 描线7006、漏极电连接于对应的数据线7008、源极电连 接于像素电极7016，其中像素电极7016和偏压线7002 构成储存电容7014，像素电极7016和公共电极(未显示在 图中)构成液晶电容7020。薄膜晶体管7010的源极和栅极 间有寄生电容7018。子像素704包括薄膜晶体管7022， 其栅极连接于扫描线7006、漏极电连接于对应的数据线 7008，而源极电连接于像素电极7028，其中像素电极7028 和偏压线7002构成储存电容7026，像素电极7028和公 共电极(未显示在图中)构成液晶电容7032。薄膜晶体管 7022的源极和栅极间具有寄生电容7030。根据本发明的 结构，像素电极7016、 7028因为两薄膜电晶体7010及 7022的连接，而没有浮接，不会造成电荷累积、电压偏移 的现象。此外相对应于子像素702的液晶层厚度与位于子 像素704的液晶层具有基本相同的厚度。参阅图6，其示出了栅极驱动波形及子像素的对应电 压，请同吋参阅图1所示的第一个实施例的像素单元300。其中扫描线为三阶的电压变化具有三个电压，其中 V1>V2>V3。图6左半部为偶数帧，右半部为奇数帧。首 先看到偶数帧部分，进入时段T 1时扫描线3006被选择， 此时数据线3008写入负极性数据，薄膜晶体管3010及 3012栅极电压上升至VI，薄膜晶体管3010及3012被打 开，数据线电压经由薄膜晶体管3010及3012写入像素电
极3022及3024。在Tl时间快结束时，像素电极3022及 3024电压约略相等。当进入时段T2时，扫描线3006电 压下降至电压V2，薄膜晶体管3010及3012关闭，则像 素电极3022及3024绝缘。由于扫描线3006分别通过寄 生电容3026及3028连接至像素电极3022及3024，故时 段T2吋像素电极3022及3024电压均会受到扫描线3006 的电压变化(V1-V2)的影响。除此之外，由于扫描线3002 通过储存电容3014连接至像素电极3022，故像素电极 3022的电压亦会受到扫描线3002电压变化的影响，由于 在时段T2中扫描线3002的电压由V3拉回至V2，此减少 的电压变化(V2-V3)连接至像素电极3022，造成像素电极 3022电压变化绝对值减少，使得像素电极3022及3024 电压分开，所以造成不同的珈玛曲线。故可通过适当选择 储存电容3014及3016来调整像素电极3022及3024的电 压差，以便使得像素单元300的透射区与反射区域的光电效应一致o其中像素电极3024在时段T2的电压变化A V(3024) 如下△ V(3024)=Cg"3028)(Vl-V2)、 CV(3024)、而Cr(3024)=C,c(3020)+C,,(3016)+C^(3028)， Cr(3024) 为像素电极3024所见的总电容值，C,J3020)为液晶电容 3020电容值，CJ3016)为储存电容3016电容值，CJ3028) 为寄生电容3028电容值。像素电极3022在时段T2的电压变化A V(3022)如下△ V(3022)叫C"3026) (v i — V2)- C"3014) (V2-V3)i、,1Cr(3022) 、 Cr(3022) 门
其中 C r (3022)=C fc (3018)+C rf (3014)+C gI (3026)， Cr(3022)为像素电极3022所见的总电容值，CJ3018)为 液晶电容3018电容值，05,(3014)为储存电容3014电容值， CJ3026)为寄生电容3026电容值。而I^I(V2-V3)为扫描线3002电压变化连接至像素电极3022所产生的。参阅图6右半部奇数帧部分，此时数据线3008写入 正极性数据，请同时参阅图l。原理与偶数帧大致相同， 其不同的处在于偶数帧时段Tl时，扫描线3002的三阶驱 动波形会先拉至最低电压V3，当进入时段T2时，扫描线 3002才将电压拉回至V2。这会使像素电极3022的电压变 化绝对值减少。而在奇数帧时，扫描线3002的三阶驱动 波形不同，进入时段T3时，扫描线3002的电压会先拉低 至V2，待进入时段T4时扫描线3006的电压拉低至V3 将薄膜晶体管3010及3012关闭时，扫描线3002电压才 会再继续拉至V3，这会造成像素电极3022的电压变化绝 对值增加。像素电极3024在时段T4的电压变化△ V(3024) 如下△ V(3024)="3028)(V1_V3) 、 Cr(3024)、其中 C r (3024)=C fc (3020)+C ,, (3016)+C gs (3028)， C,(3024)为像素电极3024所见的总电容，CJ3020)为液 晶电容3020电容值，CJ3016)为储存电容3016电容值， CJ3028)为寄生电容3028电容值。像素电极3022在时段T4的电压变化A V(3022)如下△ V(3022)=Cg"3026)(Vl-V3)+C"3014)(V2-V3) 'Cr(3022)、 ' Cr(3022)、 '其中 C r (3022)=C ,c (3018)+C ,, (3014)+C g, (3026)， CJ3022)为像素电极3022所见的总电容，C,e(3018)为液 晶电容3018电容值，CJ3014)为储存电容3014电容值， CJ3026)为寄生电容3026电容值。因此像素电极3022及 3024电压分开，造成不同的珈玛曲线，以便使得像素单 元300的透射区与反射区域的光电效应一致。上述是以图1所示第一个实施例的像素单元300为 例，来说明图6所示驱动波形的实施，但值得注意的是， 此驱动波形亦可应用于图2所示的第二实施例的像素单 元400中、图3所示的第三实施例的像素单元500中以及 图4所示的第四实施例的像素单元600中。参阅图7，其示出了栅极驱动波形及子像素的对应电 压，请同时参阅图1。扫描线为四阶的电压变化具有四个 电压，S卩VI及V2及V3及V4，较三阶驱动波形多了一 个电压V4，其中V1>V2>V3>V4，其基本工作原理与三阶 驱动波形相同。在图7偶数帧部分，此时数据线3008写入负极性数 据。在时段T1中，扫描线3006被选择，因此扫描线3006 电压被上拉至V1，薄膜晶体管3010、 3012打开。在时段 Tl快结束时，像素电极3022及3024电压大致相等，此 时扫描线3002则会先下拉至电压V4。待进入时段T2， 扫描线3006电压拉至V2将薄膜晶体管3010、 3012关闭， 与此同吋扫描线3002电压由V4向上拉回至V3，由于扫 描线3006分别通过寄生电容3026及3028连接于像素电 极3022及3024，故时段T2时像素电极3022及3024电 压均会受到扫描线3006的电压变化(V1-V2)的影响。除此 之外，扫描线3002通过储存电容3014连接至像素电极 3022，故像素电极3022的电压会受到扫描线3002的影P向， 由于在偶数帧时段T2中扫描线3002的电压由V4拉回至 V3,此减少的电压变化(V3-V4)连接至像素电极3022，造 成像素电极3022的电压变化绝对值减少，使得电压与像 素电极3024分开，所以造成不同的珈玛曲线，像素电极 3022及3024电压分开，所以造成不同的珈玛曲线，以便 使得像素单元300的透射区与反射区域的光电效应一致。 像素电极3024在时段T2的电压变化A V(3024)如下△ V(3024)=Cg"3028)(Vl-V2)其中 C r (3024)=C /c (3020)+C ,, (3016)+C s, (3028)， CJ3024)为像素电极3024所见的总电容值，CJ3020)为 液晶电容3020电容值，CJ3016)为储存电容3016电容值， CJ3028)为寄生电容3028电容值。像素电极3022在时段T2的电压变化A V(3022)如下△ V(3022)叫Cg"3026)(Vi_V2)-C"3014)(V3-V4)|、,1Cr(3022) 、 , Cr(3022)、 "其中 C r(3022)=C /C(3018)+C ,, (3014)+C g, (3026)， CJ3022)为像素电极3022所见的总电容值，C,。(3018)为 液晶电容3018电容值，C J3014)为储存电容3014电容值， CJ3026)为寄生电容3026电容值。而^3^)(V3-V4)是扫描线3002电压变化连接至像素电极3022所产生的。参 段T3快结束时，像素电极3022与像素电极3024电压约 略相等，此时扫描线3002只下拉至电压V2。待进入时段 T4，扫描线3006下拉至电压V4将薄膜晶体管3010、 3012 关闭，此时扫描线3002继续下拉至电压V3，下拉的电压 变化(V2-V3)通过储存电容3014连接至像素电极3022，造 成像素电极3022的电压变化绝对值增加，像素电极3022 电压与像素电极3024分开，所以造成不同的珈玛曲线， 以便使得像素单元300的透射区与反射区域的光电效应 一致。使用四阶波形的好处在于能够用来调节的参数更 多，使像素电极3022与3024间的电压差有更多不同的变 化，液晶显示器色彩表现更为均匀。像素电极3024在吋 段T4电压变化A V(3024)如下△ V(3 024)=Cg"3028)(Vl-V4)、,Cr(3024)、 ,其中 C r (3024)=C ,c (3020)+C ,, (3016)+C g, (3028)， CJ3024)为像素电极3024所见的总电容，C,。(3020)为液 晶电容3020电容值，CJ3016)为储存电容3016电容值， C"3028)为寄生电容3028电容值。像素电极3022在时段 T4的电压变化A V(3022)如下△ V(3022)=Cg"3026)(Vl-V4)+C"3014)(V2-V3)、^ Cr(3022) 、 ^ Cr(3022)、 ,其中 C r (3022)=C /c (3018)+C ,, (3014)+C g, (3026)， CJ3022)为像素电极3022所见的总电容，C,。(3018)为液 晶电容3018电容值，CJ3014)为储存电容3014电容值， C^(3026)为寄生电容3026电容值。上述是以图1所示第一个实施例的像素单元300为 例，来说明图7所示出了驱动波形的实施，但值得注意的 是，此驱动波形亦可应用于图2所示的第二实施例像素单 元400中、图3所示的第三实施例像素单元500中以及图 4所示的第四实施例像素单元600中。参阅图8，其示出了栅极驱动波形以及子像素的对应 电压，请同时参阅图1。其中两步四阶驱动波形有四个电 压VI及V2及V3及V4，其中V1>V2>V3>V4，与图7 不同的处在于图8的两步四阶驱动波形，电压变化时均会 先拉至电压V3，再到目的电压。如此可避免因时间延迟 造成驱动波形不均匀的问题。至于像素电极3022、 3024 电压变化，则与一步四阶驱动波形一样。在图8偶数帧时，此时数据线3008写入负极性数据。 于时段T1中，扫描线3006电压上拉至VI，薄膜晶体管 3010、 3012打开。在时段Tl快结束时，像素电极3022 及3024电压大致相等，此时扫描线3002则会先下拉至电 压V3再至电压V4。待进入时段T2，扫描线3006电压拉 至V3再拉至V2将薄膜晶体管3010、 3012关闭，由于扫 描线3006分别通过寄生电容3026及3028连接于像素电 极3022及3024，故时段T2时像素电极3022及3024电 压均会受到扫描线3006的电压变化(V1-V2)的影响，此时 像素电极3022及3024电压仍然大致相等。待进入时段 T3，扫描线3002电压由V4向上拉回至V3,由于扫描线 3002通过储存电容3014连接至像素电极3022，故像素电 极3022的电压会受到扫描线3002的影响，此减少的电压 变化(V3-V4)连接至像素电极3022，造成像素电极3022 的电压变化绝对值减少，使得电压与像素电极3024分开， 所以造成不同的珈玛曲线，以便使得像素单元300的透射 区与反射区域的光电效应一致。像素电极3024在时段T3 的电压变化A V(3024)如下<formula>formula see original document page 22</formula>其中 C r(3024)=C ,C(3020)+C ,,(3016)+C gJ (3028)， CJ3024)为像素电极3024所见的总电容值，CJ3016)为 储存电容3016电容值，CJ3020)为液晶电容3020电容值， C^(3028)为寄生电容3028电容值。像素电极3022在时段T3的电压变化A V(3022)如下<formula>formula see original document page 22</formula>其中 C r (3022)=C /c (3018)+C (3014)+C gs (3026)， CJ3022)为像素电极3022所见的总电容值，CJ3018)为 液晶电容3018电容值，CJ3014)为储存电容3014电容值， CJ3026)为寄生电容3026电容值。而^^(V3-V4)是扫描线3002电压变化连接至像r 、J U力力J素电极3022所产生的。参阅图8奇数帧，电压变化顺序与图8偶数帧有所不 同。此时数据线3008写入正极性数据，请同时参阅图l。 于时段T4时，扫描线3006电压上拉至电压VI将薄膜晶 体管3010、 3012打开，像素电极3022与像素电极3024 电压约略相等，此时扫描线3002先下拉至电压V3再停留 于电压V2。进入时段T5时扫描线3006拉至电压V3再拉 至电压V4将薄膜晶体管3010、 3012关闭，像素电极3022 与像素电极3024绝缘但电压依然约略相等。待进入时段 T6，此时扫描线3002继续下拉至电压V3,造成像素电极 3022的电压变化绝对值增加，像素电极3022电压与像素 电极3024分开，所以造成不同的珈玛曲线，使得像素单 元300的透射区与反射区域的光电效应一致。使用四阶波 形的好处在于能够用来调节的参数更多，使像素电极3022
阻膜和上ITO电阻膜的同方向上的侧边。 上接触电极用银(Ag)制造。如图5所示，接触电极可以形成为FOG的形式，其中接触电极的上终 端和下终端都形成在下ITO电阻膜305上。然后，间隙物350和密封构件370定位并粘接到上ITO电阻膜325和下 ITO电阻膜305 (S300)。然后，利用黏合剂15将下偏光器12粘接到下基板110的下部分。通过沿母基板的切割线划片(scribing)来分离每个液晶单元，从而完成 具有触摸屏功能的LCD。传感器的构造可以多种构成。如上所述，当用液晶滴注法大规模生产LCD而制造具有触摸屏功能的 LCD时，利用遮挡掩模形成传感器的ITO电阻膜可以使产量和产品的可靠 性都得到提高。虽然结合上述具体实施方式
描述了本发明，还要指出，本发明并不局限 于上述实施方式，相反，本发明还涵盖了包含在权利要求所限定的精神和范 围中的改变或同等的安排。5010及5012被打开，数据线电压经由薄膜晶体管5010 及5012写入像素电极5022及5024，在此时扫描线5022的 电压为V2。在时段T1快结束时，此时像素电极5022及 5024电压约略相等。当进入时段T2时，扫描线5006电 压下降至电压V3，薄膜晶体管5010及5012关闭，像素 电极5022及5024绝缘。由于扫描线5006分别通过寄生 电容5026及5028连接于像素电极5022及5024，故时段 T2时像素电极5022及5024电压均会受到扫描线5006的 电压变化(V1-V3)的影响。除此的外扫描线5002的电压为 V2下拉至V3，由于扫描线5002分别通过储存电容5014 及5016连接至像素电极5022及5024，故像素电极5022 及5024的电压亦受到扫描线5002的电压变化V2-V3的 影响，通过调整储存电容5014及5016不同的电容值将像 素电极5022及5024电压分开，具有不同的珈玛曲线，使 得像素单元500的透射区与反射区域的光电效应一致。且 可利用扫描线的耦合来降低数据线的电压输出范围，达到 低功率效果。像素电极5024在时段T2的电压变化A V(5024)如下△ V(5024)= ^i^(Vl画V3)+^^(V2-V3) 、, Cr(5024)、 Cr(5024)、其中 C r (5024)=C /c (5020)+C " (5016)+C砂(5028)， CJ5024)为像素电极5024所见的总电容值，CJ5020)为 液晶电容5020电容值，CJ5016)为储存电容5016电容值， CJ5028)为寄生电容5028电容值。而^i^ (V2-V3)是扫描线5002电压变化连接至像素电极5024所产生的。像素电极5022在时段T2的电压变化A V(5022)如下
△ V(5022)= C"腦)(V1 -V3)+ C"5014) (V2-V3)、 , Cr(5022) 、 , Cr(5022)、 ,其中 C r (5022)=C /c (5018)+C i( (5014)+C gv (5026)， CJ5022)为像素电极5022所见的总电容值，CJ5018)为 液晶电容5018电容值，CJ5014)为储存电容5014电容值， CJ5026)为寄生电容5026电容值。而。e5014) V3)是扫描线5002电压变化连接至像 Cr(5022)素电极5022所产生的。参阅图9右半部奇数帧部分，此时数据线5008写入 正极性数据，共同参阅图3，原理与偶数帧大致相同，其 不同的.处在于在偶数帧时段T2时，扫描线5002电压由 V2拉低至V3。使得像素电极5022及5024电压变化绝对 值增加。奇数帧时扫描5002的三阶驱动波形则不同，时 段T4扫描线5006电压由VI下拉至V2将薄膜晶体管5010 及5012关闭，扫描线5002的—电压则由V3控回至V2，这 会造成由扫描线5006电压变化Vl-V2所造成的像素电极 5022及5024的电压变化绝对值增加。像素电极5024在 时段T4的电压变化A V(5024)如下△ V(5024)= I ^ ^(V1-V2) +^^(V2-V3) I其中 C r (5024)=C ,c (5020)+C ,, (5016)+C g, (5028)， CJ5024)为像素电极5024所见的总电容，C,c(5020)为液 晶电容5020电容值，C,((5016)为储存电容5016电容值， C"5028)为寄生电容5028电容值。像素电极5022在时段T4的电压变化A V(5022)如下△ V(5022)= I C"5026)(V1-V2)+C"(5014)(V2-V3) IV 乂 Cr(5022) 、 , Cr(5022)、 ,
其中 C r (5022)=C /c (5018)+C ,, (5014)+C欲(5026)， CJ5022)为像素电极5022所见的总电容，CJ5018)为液 晶电容5018电容值，C^(5014)为储存电容5014电容值， C，5026)为寄生电容5026电容值。上述是以图3所示第三实施例的像素单元500为例， 来说明图9所示出了驱动波形的实施，但值得注意的是， 此驱动波形亦可应用于图4所示的第四实施例像素单元 600中。参阅图10，其示出了栅极驱动波形以及子像素对应 电压，请同时参阅图3。其中栅极驱动波形为四阶波形， 四阶波形具有四个电压，艮卩VI及V2及V3及V4，其中 V1>V2>V3>V4。当图10的四阶波形应用于图3所示第三 实施例的像素单元时，利用扫描线5002的耦合可以抬升 或降低像素电压，如此就可以减少数据线的电压输出范 围，达到低功率效果。如图10偶数帧所示。此时数据线5008写入负极性数 据。在时段T1中，扫描线5006电压上拉至VI，薄膜晶 体管5010、 5012打开。在时段Tl快结束时，像素电极 5022及5024电压大致相等，此时扫描线5002则会先下 拉至电压V2。待进入时段T2，扫描线5006电压拉至V4 将薄膜晶体管5010、 5012关闭，与此同时扫描线5002电 压由V2向下拉至V3，由于扫描线5006分别通过寄生电 容5026及5028连接于像素电极5022及5024，故时段T2 时像素电极5022及5024电压均会受到扫描线5006的电 压变化(V1-V4)的影响。除此的外，扫描线5002通过储存 电容5014及5016连接至像素电极5022及5024，故像素 电极5022及5024的电压尚且受到扫描线5002的影响， 借着调整不同的储存电容5014及5016电容值可使像素电 极5022与像素电极5024电压分开，造成不同的珈玛曲线，
以便使得像素单元500的透射区与反射区域的光电效应 一致。像素电极5024在时段T2的电压变化A V(5024) 如下<formula>formula see original document page 27</formula>其中 C r (5024)=C /c (5020)+C (5016)+C织(5028)， C,(5024)为像素电极5024所见的总电容值，C,。(5020)为 液晶电容5020电容值，Cw(5016)为储存电容5016电容值， Cg,(5028)为寄生电容5028电容值。像素电极5022在时段T2的电压变化A V(5022)如下<formula>formula see original document page 27</formula>其中 C r (5022)=C ,c (5018)+C ri (5014)+C辟(5026)， C,(5022)为像素电极5022所见的总电容值，C,c(5018)为 液晶电容5018电容值，CJ5014)为储存电容5014电容值， CJ5026)为寄生电容5026电容值。参阅图IO奇数帧，电压变化顺序则有所不同，且此 时数据线5008写入正极性数据。在时段T3中，扫描线 5006电压上拉至电压VI将薄膜晶体管5010、 5012打开。 在时段T3快结束时，像素电极5022与像素电极5024电 压约略相等，此时扫描线5002下拉至电压V4。时段T4 扫描线5006下拉至电压V2将薄膜晶体管5010、 5012关 闭，此时扫描线5002上拉至电压V3，此减少的电压变化 (V3-V4)借着储存电容5014及5016连接至像素电极5022 与5024使像素电极5022与5024电压变化。调整不同的 储存电容5014及5016电容值可使像素电极5022与像素 电极5024电压分开，造成不同的珈玛曲线，以便使得像 素单元500的透射区与反射区域的光电效应一致。使用四 阶波形的好处在于降低数据线驱动的驱动电压范围，减少 了功率消耗。像素电极5024在时段T4的电压变化A V(5024)如下△ V(5024)=|Cg"028)(Vl-V2)- C"5016)(V3-V4)|1 CV(5024) 、 Cr(5024)、 "其中 C r (5024)=C fc (5020)+C ,, (5016)+C SI (5028)， CJ5024)为像素电极5024所见的总电容，C^(5020)为液 晶电容5020电容值，CJ5016)为储存电容5016电容值， Cp(5028)为寄生电容5028电容值。像素电极5022的电压 变化A V(5022)如下△ V(5022)=|C"5026)(V1-V2)-C"5014)(V3-V4)|1 Cr(5022) Cr(5022)、 "其中 C r (5022)=C /c (5018)+C w (5014)+C g, (5026)， CJ5022)为像素电极5022所见的总电容，C,。(5018)为液 晶电容5018电容值，(:. (5014)为储存电容5014电容值， CJ5026)为寄生电容5026电容值。上述是以图3所示第三实施例的像素单元500为例， 来说明图IO所示出了驱动波形的实施，但值得注意的是， 此驱动波形亦可应用于图4所示的第四实施例像素单元 600中。参阅图11，其示出了栅极驱动电压与子像素对应电 压。其中栅极驱动电压为两步四阶波形，原理与图10的 一步四阶驱动波形大致相同，均是利用扫描线的耦合来抬 升或降低像素电压，以减少数据线的电压输出范围，达到 低功率效果。此波形也有四个电压VI及V2及V3及V4， 其中V1>V2>V3>V4，不同的处在于图ll的两步四阶驱动 波形，电压变化时均会先拉至电压V3，再到目的电压。 如此可解决时间延迟，避免数据写入错误，以及波形不均 匀的问题。至于像素电极5022、 5024电压变化规则与使 用一步四阶驱动波形所产生的像素电极电压变化一样。当图11所示的驱动波形应用于图3所示第三实施例 的像素单元，在偶数帧时，数据线5008写入负极性数据。 在时段T1时，扫描线5006电压上拉至VI，薄膜晶体管 5010、 5012打开，此时扫描线5002则会先下拉至电压V3 再上拉至V2。待进入时段T2，扫描线5006电压先拉至 V3再拉至V4,将薄膜晶体管5010、 5012关闭。由于扫 描线5006分别通过寄生电容5026及5028连接于像素电 极5022及5024，故时段T2时像素电极5022及5024电 压均会受到扫描线5006的电压变化(V1-V4)的影响。待进 入时段T3，扫描线5002电压由V2向下拉至V3，由于扫 描线5002分别通过储存电容5014及5016连接至像素电 极5022及5024，故像素电极5022与5024的电压尚且受 到扫描线5002电压变化V2-V3的影响，使得像素电极 5022与5024的电压变化绝对值增加。借着调整储存电容 5014及5016可将像素电极5022及5024电压分开，以便 使得像素单元500的透射区与反射区域的光电效应一致。 像素电极5024在时段T3的电压变化A V(5024)如下△ V(5024)= S^(V1画V4)十^i^(V2-V3) 、7 Cr(5024)、 Cr(5024)、其中C r (5024)=C /c (5020)+C ,, (5016)+C gs (5028)， C,(5024)为像素电极5024所见的总电容值，CJ5020)为 液晶电容5020电容值，CJ5016)为储存电容5016电容值， Cg,(5028)为寄生电容5028电容值。像素电极5022的电压变化A V(5022)如下 △ V(5022)= "5026)(V1-V4)+"5014)(V2-V3) Cr(5022) 、 Cr(5022)、 ,其中 C r (5022)=C fc (5018)+C ,, (5014)+C gs (5026)， CJ5022)为像素电极5022所见的总电容值，CJ5018)为 液晶电容5018电容值，C,乂5014)为储存电容5014电容值， C"5026)为寄生电容5026电容值。参阅图11奇数帧，电压变化顺序则有所不同，且数 据线5008写入正极性数据。时段T4扫描线5006电压上 拉至电压VI将薄膜晶体管5010、 5012打开，此时扫描线 5002先下拉至电压V3再至电压V4。时段T5扫描线5006 先下拉至电压V3再上拉至电压V2将薄膜晶体管5010、 5012关闭，像素电极5022与像素电极5024绝缘，并产 生扫描线5006的电压变化(Vl-V2)。待进入时段T6，此 时扫描线5002上拉至电压V3产生电压变化(V3-V4)，造 成像素电极5022及5024的电压变化绝对值增加，借着调 整储存电容5014与5016可使像素电极5022与像素电极 5024电压分开，以便使得像素单元500的透射区与反射 区域的光电效应一致。使用四阶波形的好处在于能够用来 调节的参数更多，使像素电极5022与5024间的电压差有 更多不同的变化，液晶显示器色彩表现更为均匀。像素电 极5024电压变化A V(5024)如下A ，剩徵阔-微阔l其中 C r (5024)=C fc (5020)+C ,, (5016)+C g, (5028)， C,(5024)为像素电极5024所见的总电容，CJ5020)为液 晶电容5020电容值，CJ5016)为储存电容5016电容值， CJ5028)为寄生电容5028电容值。像素电极5022的电压 变化A V(5022)如下
△ V(5022)= I C"5026)(V1-V2)-C"(5014)(V3-V4)|其中 C r (5022)=C /c (5018)+C , (5014)+C伊(5026)， C^(5022)为像素电极5022所见的总电容，C^(5018)为液 晶电容5018电容值，C^(5014)为储存电容5014电容值， CJ5026)为寄生电容5026电容值。上述是以图3所示第三实施例的像素单元500为例， 来说明图11所示出了驱动波形的实施，但值得注意的是， 此驱动波形亦可应用于图4所示的第四实施例像素单元 600中。参阅图12，其示出了用以驱动第五实施例像素单元 700所使用的驱动波形。其中第五实施例的像素单元与第 一个实施例至第四实施例像素单元最大的不同处在于，第 五实施例的两个储存电容7014和7026连接至偏压线 7002，通过偏压线7002的偏压信号将像素电极7016与 7028的电压分开，造成不同的珈玛曲线，以便使得像素 单元700的透射区与反射区域的光电效应一致。在写入正极性数据的奇数帧中，在时段T1开始时， 扫描线7006电压上升至高电平状态，薄膜晶体管7010及 7022被打开，数据线电压分别由薄膜晶体管7010及7022 被写入至像素电极7016及7022。在时段Tl终了时间， 扫描线7006电压下降成低电平状态，薄膜晶体管7010及 7022被截止，此时像素电极7016及7028上的电压保持 在数据线所传入的电压电平VDatal。在时段T2终了时间， 偏压线7002电压上升至高电平状态，由于偏压线7002分 别通过储存电容7014及7026连接至像素电极7016及 7028，故像素电极7016及7028的电压受到偏压线7002 电压变化的影响，由于在本实施例中，储存电容7014及
7026的电容值彼此不同，因此因偏压线7002电压变化所 产生的耦合效应，对像素电极7016及7028电压的影响并 不相同，分别为A V(7028)和A V(7016)。换言之，通过 改变储存电容7014及7026的电容值，可进一步分离像素 电极7016与7028电压，造成不同的珈玛曲线，使得像素 单元700的透射区与反射区域的光电效应一致。在写入负极性数据的偶数帧中，在时段T3开始时， 扫描线7006电压上升至高电平状态，薄膜晶体管7010及 7022被打开，数据线电压分别由薄膜晶体管7010及7022 被写入至像素电极7016及7028。在时段T3终了时间， 扫描线7006电压下降成低电平状态，薄膜晶体管7010及 7022被截止，此时像素电极7016及7028上的电压保持 在数据线所传入的电压电平VData2。在时段T4终了时间， 偏压线7002电压下降至低电平状态，由于偏压线7002分 别通过储存电容7014及7026连接至像素电极7016及 7028，故像素电极7016及7028的电压受到偏压线7002 电压变化的影响，由于在本实施例中，储存电容7014及 7026的电容值彼此不同，因此偏压线7002电压变化所产 生的耦合效应，对像素电极7016及7028电压的影响并不 相同，分别为A V(7028)和A V(7016)。换言之，通过改 变储存电容7014及7026的电容值，可进一步分离像素电 极7016与7028电压，造成不同的珈玛曲线，使得像素单 元700的透射区与反射区域的光电效应一致。综合上述所言，本发明通过将一个像素单元分隔成两 个子像素，而每个子像素中具有独立的薄膜晶体管、液晶 电容与储存电容，由此两个子像素所形成的不同种像素电 压，造成不同的珈玛曲线，使得像素单元的透射区与反射 区域的光电效应一致。在液晶显示器的结构上由于并不需 形成不同的间隙，因此制造工艺较容易。虽然本发明己以优选实施例公布如上，但其并非用以 限定本发明，本领域普通技术人员在不脱离本发明的精神 和保护范围的前提下，可作出各种修改与变通，因此本发 明的保护范围以后附的权利要求为准。
权利要求
1、一种半透射式半反射式液晶显示器结构，形成于基板上，包括多条扫描线，排列于该基板上，并以互相平行方式排列在第一方向上；多条数据线，以互相平行方式排列于第二方向，并与所述多条扫描线互相交叉，其中两条相邻的第一与第二扫描线以及两条相邻的第一数据线与第二数据线定义出一个像素单元，该像素单元包括位于反射区的第一像素电极以及位于透射区的第二像素电极，该像素单元至少包括第一晶体管，电连接于该第一像素电极；以及第二晶体管，电连接于该第二像素电极，其中该第一像素电极经由第一电容连接至第一电压源，该第二像素电极经由第二电容连接至第二电压源，且该第二扫描线可控制该第一晶体管与该第二晶体管的开启，以使得该第一数据线上的数据经由该第一晶体管与该第二晶体管传送至该第一电容与该第二电容。
2、 如权利要求1所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，还进一步包括彩色滤光片。
3、 如权利要求2所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，还进一步包括液晶层，该液晶层介于该基板及该彩色滤光片之间。
4、 如权利要求3所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中对应于该透射区的液晶层厚度与对应于该反射区的液晶层厚度基 本上是相同的。
5、 如权利要求1所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中该第一及第二晶体管分别具有第一、二栅极端及第一、二源极端及 第一、二漏极端。
6、 如权利要求5所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中该第一、二源极端分别电连接于该第一及第二像素电极。
7、 如权利要求6所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中该第一、二栅极端连接至第二扫描线。
8、 如权利要求7所述的液晶显示器的电容结构，其中该像素电 极位于该电压源的重叠区域上。
9、 如权利要求8所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中该第一漏极及第二漏极分别电连接于该第一数据线。
10、 如权利要求9所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中该第一电压源为该第一扫描线。
11、 如权利要求10所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中该第二电压源为该第一扫描线。
12、 如权利要求10所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中每个像素单元还包括公共电极线。
13、 如权利要求12所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中该第二电压源为该公共电极线。
14、 如权利要求8所述的半透射式半反射式液晶显示器结构，其 中其中该第一漏极电连接于该第一数据线，该第二漏极端电连接该 第一源极端。
15、 如权利要求14所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中该第二电压源为该第一扫描线。
16、 如权利要求15所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中该第一电压源为该第一扫描线。
17、 如权利要求15所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中每个像素单元还包括公共电极线。
18、 如权利要求17所述的半透射式半反射式液晶显示器结构， 其中该第一电压源为该公共电极线。
19、 一种驱动方法，用于驱动由第一与第二扫描线围出的具有第 一与第二子像素的像素单元，其中第一子像素包括第一晶体管、第一 像素电极和第一储存电容区，第二子像素包括第二晶体管、第二像素 电极和第二储存电容区，第一子像素位于该像素单元的反射区，而第 二子像素位于该像素单元的透射区，该方法包括提供高电平电压给该第二扫描线，以便导通第一晶体管与第二晶 体管，使得将灰度信号写入第一储存电容以形成第一像素电极电压， 以及写入第二储存电容以形成第二像素电极电压；以及提供低电平电压给该第二扫描线，以便截止第一晶体管与第二晶 体管，并切换第一扫描线电压以便通过第一储存电容改变第一像素电 极电压，使得该像素单元的透射区与反射区的像素电极电压不同。
20、 如权利要求19所述的驱动方法，其中第二储存电容连接至 特定的电压源。
21、 如权利要求19所述的驱动方法，其中第二储存电容连接至 第一扫描线。
22、 如权利要求19所述的驱动方法，其中通过该第一晶体管和 该第二晶体管向该第二储存电容写入第二像素电极电压。
23、 如权利要求19所述的驱动方法，其中通过该第二晶体管向 该第二储存电容写入第二像素电极电压。
24、 如权利要求19所述的驱动方法，其中高电平电压为第一电 压，低电平电压为第二电压，而切换第一扫描线电压指从第三电压切 换成该第二电压，其中第一电压大于第二电压，而第二电压大于第三 电压。
25、 如权利要求19所述的驱动方法，其中高电平电压为第一电 压，低电平电压为第三电压，而切换第一扫描线电压指从第二电压切 换成第三电压，其中第一电压大于第二电压，且第二电压大于第三电 压。
26、 如权利要求19所述的驱动方法，其中高电平电压为第一电 压，低电平电压为第二电压，而切换第一扫描线电压指从第四电压切 换成该第三电压，其中第一电压大于第二电压，第二电压大于第三电 压且第三电压大于第四电压。
27、 如权利要求19所述的驱动方法，其中高电平电压为第一电 压，低电平电压为第四电压，而切换第一扫描线电压指从第二电压切 换成第三电压，其中第一电压大于第二电压，第二电压大于第三电压 且第三电压大于第四电压。
28、 一种驱动方法，用于驱动由扫描线和偏压线围出的具第一与 第二子像素的像素单元，其中第一子像素包括第一晶体管、第一像素 电极和第一储存电容，第二子像素包括第二晶体管、第二像素电极和 第二储存电容，第一子像素位于该像素单元的反射区，而第二子像素 位于该像素单元的透射区，此方法包括提供高电平电压给该扫描线，以便导通第一晶体管与第二晶体 管，使得灰度信号写入第一储存电容以形成第一像素电极电压，以及 写入第二储存电容以形成第二像素电极电压，其中该第一储存电容和该第二储存电容具有不同的电容值；以及提供低电平电压给该扫描线，以便截止第一晶体管与第二晶体 管，并切换该偏压线电压以便通过第一储存电容改变第一像素电极电 压，使得该像素单元的透射区与反射区域的像素电极电压不同。
29、 如权利要求28所述的驱动方法，其中切换该偏压线电压指 从第一电压切换成该第二电压，其中第一电压大于第二电压。
30、 如权利要求28所述的驱动方法，其中切换该偏压线电压指 从第一电压切换成该第二电压，其中第二电压大于第一电压。
31、 如权利要求28所述的驱动方法，其中第二储存电容连接至 偏压线。
全文摘要
本发明提出一种液晶显示器结构，该结构至少包括多个由相邻扫描线与数据线定义出的像素单元，每个像素单元包括两个子像素，每个子像素具有一个储存电容，所述电容分别连接至不同的电压源且分别对应透射与反射区域，用于调节像素电极电压，以使两区域的光电效应一致。
文档编号G02F1/13GK101153999SQ200610141530
公开日2008年4月2日 申请日期2006年9月29日 优先权日2006年9月29日
发明者施博盛, 陈柏仰 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司