专利名称：用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，尤其涉及一种具有由有机半导体材料构成的半导体层的阵列基板。
背景技术：
通常，液晶显示器件(LCD)包括第一基板、第二基板和液晶层。第一和第二基板彼此相对并间隔一定距离。在该两者之间插入液晶层。LCD器件利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性显示图像。
由于液晶分子的细长形状使其具有定向排列特性。因此，可以通过对液晶分子施加电场来控制液晶分子的排列方向。具体地，包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的LCD器件，以下将其称为有源矩阵LCD(AM-LCD)器件具有极好的高分辨率和显示运动图像的特性。
图1所示为传统LCD器件的分解透视图。如图1中所示，该LCD器件包括第一基板12和第二基板22，以及液晶层30。第一基板12和第二基板22彼此相对，液晶层30设置于两者之间。该第一基板12包括栅线14、数据线16、薄膜晶体管“T”，以及像素电极18等。栅线14和数据线16彼此交叉使得将栅线14和数据线16之间形成的区域限定为像素区域“P”，在栅线14和数据线16之间的交叉部分处形成TFT“T”，并在像素区域“P”中形成像素电极18，该像素电极18与TFT“T”连接。
第二基板22包括黑矩阵25、滤色片层26和公共电极28。黑矩阵25具有格子形状以覆盖第一基板12的非显示区域，诸如栅线14、数据线16和TFT“T”等。滤色片层26包括第一、第二和第三子滤色片26a、26b和26c。每个子滤色片26a、26b和26c具有红、绿和蓝色“R”、“G”和“B”其中之一并且每个子滤色片对应于每个像素区域“P”。在黑矩阵25和滤色片26上形成公共电极28，该公共电极28覆盖在第二基板22的整个表面上。如上所述，通过位于像素电极18和公共电极28之间的电场控制液晶分子的排列从而改变透光量。从而，LCD器件显示图像。
尽管图1中未示出，为了防止液晶层30漏光，可以沿第一基板1 2和第二基板22的边缘形成密封图案。在第一基板12和液晶层30之间以及在第二基板22和液晶层30之间可以形成第一和第二定向层。可以在第一基板12和第二基板22的至少外表面上形成偏振器。
而且，LCD器件包括位于第一基板12的外表面上的背光组件以向液晶层30提供光。这样，在第一基板12和背光组件之间可以形成偏振器。光经过第一基板12、液晶层30、第二基板22等从而使得LCD器件显示图像。
通常，采用玻璃板作为第一基板12和第二基板22。但是，由于柔性板和玻璃板相比更轻而且更灵活，因此近来采用诸如塑料板的柔性板作为第一基板12和第二基板22。但该方案仍存在一定的问题，由于在高于约200℃的温度下执行阵列基板制造工艺，因此很难用柔性板替代玻璃板。当在低于约200℃的温度由非晶硅层和多晶硅层其中之一形成半导体层时，TFT的特性会变差。为了解决上述问题，提出了一种在低于约200℃的温度下通过在柔性基板上形成由有机半导体材料构成的TFT的阵列基板的制造方法。
可以通过低温沉积和涂敷在柔性基板上形成电极金属材料、绝缘材料和钝化材料。上述方法不会影响TFT的特性。但是，当在低于约200℃的温度下由非晶硅层形成半导体层时，在导电率等方面会存在问题。为了克服这些问题，采用有机半导体材料替代非晶硅材料形成半导体层。
图2所示为根据现有技术LCD器件的阵列基板的截面图。在基板51上形成源极55、漏极57、数据线(未示出)、像素电极60、有机半导体层63和栅绝缘层67。第一基板由塑料板和玻璃板其中之一形成。通过沉积以及构图金属层(未示出)在基板51上形成源极55、漏极57和数据线。源极55、漏极57彼此分离。该金属层可以包括具有高功函数的金(Au)。该源极55延伸自数据线。
在源极55、漏极57上沉积透明导电层(未示出)。构图透明导电层从而在基板51上形成像素电极60。该像素电极60与漏极57连接。
利用遮光板(未示出)由有机半导体材料层(未示出)构成有机半导体层63。通过沉积和涂敷有机半导体层其中之一步骤形成有机半导体层。有机半导体层63与源极55和漏极57接触。在半导体层63和像素电极60上形成栅绝缘层67。
如上所述，由于金具有最高的功函数以及较低的阻抗，因此源极55、漏极57和数据线由金形成。金的功函数约为5.1eV。有机半导体层包括并五苯和聚噻吩的其中之一。在并五苯(或者聚噻吩)构成的有机半导体层和源极(或者漏极)之间的界面中存在能量势垒。但是，众所周知，当源极和漏极由具有较高功函数的金属形成时，该能量势垒会降低。通过形成由具有最高功函数的金构成的源极和漏极降低有机半导体层和源极之间以及有机半导体层和漏极之间的能量势垒，从而可以提高TFT的特性。
但是，当源极和漏极由金形成时，由于金容易扩散因此很难控制源极和漏极的宽度。而且，当在腔室中沉积金时，金会沉积在腔室壁上。在工艺期间位于腔室壁上的金将掉落到基板上，会导致基板质量变差。并且由于采用金也会提高制造成本。
发明内容
因此，本发明用于提供一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其基本消除了由于现有技术中的限制和缺点造成的一个或多个问题。
本发明的目的在于提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，由于源极和漏极由氧化铟锡(ITO)构成，因此在制造工艺和制造成本方面存在优势。
本发明的附加优点和特征将在以下的描述中得以阐明，一部分从说明书中显而易见，或者通过实践本发明来认识它们。本发明的这些优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现上述和其它优点并根据本发明的目的，作为具体而广泛的说明，提供一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括位于基板上的第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；分别位于所述第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极，均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；位于基板上的像素电极，并且所述像素电极与基板上的所述第二漏极接触；位于基板上的有机半导体层；位于基板上的栅绝缘层；以及位于基板上的栅极。
在另一方面，一种制造液晶显示器件阵列基板的方法包括在基板上形成第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；分别在所述第一源极和第一漏极上形成第二源极和第二漏极，均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；在基板上形成与所述第二漏极接触的像素电极；在基板上形成有机半导体层；在基板上形成栅绝缘层；以及在基板上形成栅极。
可以理解，上述概要说明和以下详细说明都是示例性的说明，旨在对本发明的权利要求提供进一步解释。
包含用来提供本发明进一步理解并结合进来组成本申请一部分的附图示出了本发明的实施方式，并和说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1是传统LCD器件的分解透视图；图2是根据现有技术的LCD器件阵列基板的截面图；图3A到图3F是根据本发明的示例性实施方式制造具有有机半导体层的LCD器件的阵列基板的工艺截面图；图4A到图4F是根据本发明的示例性实施方式制造具有有机半导体层的LCD器件的阵列基板的工艺截面图；图5A到图5C是根据本发明的示例性实施方式制造具有有机半导体层的LCD器件的阵列基板的工艺截面图。
具体实施例方式
现在详细参考附图所示的实施例对本发明的优选实施方式进行描述。
图3A到图3F是根据本发明的示例性实施方式制造具有有机半导体层的LCD器件的阵列基板的工艺截面图。在图3A到图3F中示出了包括位于阵列基板上的开关元件的像素区域“P”。将开关区域“TrA”限定为形成作为开关元件的TFT“T”的区域。
首先，尽管未示出，通过在基板上沉积诸如氧化硅的材料形成缓冲层。该氧化硅对于基板具有很好的粘合特性和亲水特性。基板包括诸如玻璃和塑料的透明绝缘材料。形成缓冲层以改进有机半导体层和基板之间的接触特性。而且，由于缓冲层的存在使有机半导体层具有均匀厚度。但是，缓冲层不是必不可少的。
如图3A中所示，在基板101的开关区域“TrA”中通过利用掩模(未示出)沉积和构图第一金属层(未示出)和透明导电材料层(未示出)形成源极105和漏极108。通过在基板101上以低于200℃的温度沉积低阻抗金属形成第一金属层，所述低阻抗金属包括银(Ag)、铝(Al)、铝合金(AlNd)、钼(Mo)、铜(Cu)和铜合金。在第一金属层上通过沉积ITO形成透明导电材料层，其中该ITO具有相对较高的功函数。在透明导电材料上通过涂敷以及构图PR层(未示出)形成光刻胶(PR)图案181。然后利用该PR图案181作为构图掩模构图第一金属层和透明导电材料层从而在基板101上形成源极105和漏极108。该源极105和漏极108具有双层结构。更详细地，源极105包括第一低阻抗金属层105a和第一透明导电材料层105b。漏极108包括第二低阻抗金属层108a和第二透明导电材料层108b。第一低阻抗金属层105a和第二低阻抗金属层108a由第一金属层形成，并且第一透明导电材料层105b和第二透明导电材料层108b由透明导电材料层形成。同时，在基板101上形成数据线(未示出)。源极105从数据线延伸并与漏极108分离。以下，将第一低阻抗金属层105a和第二低阻抗金属层108a称为第一源极105a和第一漏极108a。将第一透明导电材料层105b和第二透明导电材料层108b称为第二源极105b和第二漏极108b。类似地，数据线包括第一和第二数据线。
从第二源极105b和第二漏极108b上去除PR图案181。
接下来，如图3B所示，在基板101的像素区域“P”中通过利用掩模(未示出)沉积和构图透明导电材料形成像素电极113。像素电极113与漏极108相接触。透明导电材料包括ITO和氧化铟锌(IZO)的其中之一。
当像素电极113由IZO形成并且采用蚀刻剂构图像素电极113时，只有形成ITO的第二源极105b和第二漏极108b受到蚀刻剂的影响。当像素电极113由ITO形成时，控制蚀刻时间以在不损伤第二源极105b和第二漏极108b的情况下形成像素电极113。
然后，如图3C所示，对包括源极105、漏极108和像素电极113的基板101执行采用氧气(O2)的等离子体工艺以提高第二源极105b和第二漏极108b中ITO的功函数。由于该等离子体工艺，ITO具有4.8eV到4.9eV之间的功函数。
接下来，尽管未示出，在源极105、漏极108、数据线(未示出)和像素电极113上依次形成有机半导体材料层、栅绝缘层和第二金属层。有机半导体材料层由有机半导体材料形成，其具有相对较好的迁移率以及较低的分子量。有机半导体材料层可以包括并五苯和聚噻吩的其中之一。通过采用喷墨设备、喷嘴涂敷器件、栅涂敷器件、缝涂敷器件、旋转涂敷器件和印刷器件的其中之一涂敷有机半导体材料。栅绝缘层由有机绝缘材料形成。第二金属层由诸如钼(Mo)和铬(Cr)的金属材料形成，其为可干法蚀刻的材料。
如图3D所示，在源极105、漏极108上依次形成有机半导体材料层1 17、栅绝缘层120、栅极125和光敏图案183。在第二金属层上通过涂敷和构图光敏材料层形成光敏图案183。光敏材料层由PR、聚乙烯基乙醚和光敏丙烯酸脂其中之一形成。然后，利用光敏图案183作为构图掩模蚀刻通过光敏图案183曝光的有机半导体层、栅绝缘层和第二金属层从而在源极105和漏极108上形成有机半导体层117、栅绝缘层120和栅极125。去除光敏图案183。
因此，通过有机半导体层117、栅绝缘层120和栅极125暴露数据线(未示出)和像素电极113。有机半导体层117、栅绝缘层120和栅极125在源极105和漏极108上的开关区域“TrA”中具有岛状形状。源极105和漏极108、有机半导体层117、栅绝缘层120和栅极125构成作为开关元件的TFT“T”。
接下来，如图3E所示，在栅极125上通过涂敷和构图有机绝缘材料形成包括栅接触孔133和开口部分“OP”的钝化层130。栅接触孔133和开口部分“OP”分别暴露栅极125和像素电极113。有机绝缘材料可以包括苯环丁烷(BCB)、聚乙烯基乙醚和光敏丙烯酸脂和含氟聚合物。
但是，当光敏图案183(图3D)由聚乙烯基乙醚和光敏丙烯酸脂其中之一形成时，钝化层130可以由在不去除图案183(图3D)的情况下和光敏图案183(图3D)上的光敏图案183(图3D)一样的材料形成。
随后，如图3F所示，在钝化层130上通过沉积和构图第三金属层(未示出)形成栅线135。该第三金属层包括铝、钕化铝、钼、铜和铜合金，并在低于200℃温度下进行沉积。栅线135通过栅接触孔133与栅极125相连接。栅线135与数据线(未示出)交叉从而限定像素区域“P”。尽管未示出，但是在栅线135上可以形成另一钝化层。
如上所述，为了降低阵列基板的成本，采用具有相对较高功函数的ITO替代金。而且，为了提高TFT的阻抗特性，在ITO层下形成具有低阻抗属性的金属层使得源极和漏极具有双层结构。
不利的是，当对低阻抗金属构成的第一源极105a和ITO构成的第二源极105b同时进行蚀刻时，很难达到第一源极105a的端点和第二源极105b的端点。由于通过用于形成第二源极105b的第一蚀刻剂和用于形成像素电极113的第二蚀刻剂两次曝光低阻抗金属，因此在第一源极105a中会产生底切问题，这可能导致TFT发生断路。
以下，将针对解决上述问题的另一种制造阵列基板的方法进行说明。
图4A到图4F是根据本发明的示例性实施方式制造具有有机半导体层的LCD器件的阵列基板的工艺截面图。在图4A到图4F中示出在基板上包括TFT“T”的像素区域P。
首先，尽管未示出，通过在基板上沉积诸如氧化硅的材料形成缓冲层。该氧化硅对于基板具有很好的粘合特性和亲水特性。基板包括诸如玻璃和塑料的透明绝缘材料。形成缓冲层以改进有机半导体层和基板之间的接触特性。而且，由于缓冲层的存在导致有机半导体层具有均匀厚度。但是，缓冲层不是必不可少的。
然后，如图4A所示，在基板201上依次形成第一金属层(未示出)和第一PR层(未示出)。第一金属层由诸如银、铝、钕化铝、钼、铜和铜合金等低阻抗金属以低于200℃的温度沉积形成。在第一金属层上形成第一PR层。
然后，通过构图第一PR层(未示出)在第一金属层上(未示出)形成第一PR图案281。在第一基板201上的开关区域“TrA”利用第一PR图案281作为构图掩模通过第一金属层(未示出)形成第一源极205a和第一漏极208a。第一源极205a和第一漏极208a彼此分离。并且第一源极205a和第一漏极208a分别具有第一宽度“W1”和第二宽度“W2”。同时，第一数据线(未示出)由位于基板201上的第一金属层(未示出)形成。第一源极205a从第一数据线延伸(未示出)。然后，去除第一PR图案281。
接下来，如图4B所示，在第一源极205a、第一漏极208a和第一数据线(未示出)上依次形成透明导电材料层206和第二PR层(未示出)。构图第二PR层(未示出)以形成第二PR图案283。位于第一源极205a上的第二PR图案283具有第三宽度“W3”。第三宽度“W3”大于第一宽度“W1”。位于第一漏极208a上的第二PR图案283具有第四宽度“W4”。第四宽度“W4”大于第二宽度“W2”。
可以利用用于形成第一PR图案281(图4A)的掩模构图第二PR图案283。通过在曝光第二PR层器件控制放大倍率，第二PR图案283具有分别小于第一宽度“W1”和第二宽度“W2”的第三宽度“W3”和第四宽度“W4”。另一方面，通过控制对掩模的聚焦，可以获得第二PR图案283。
然后，如图4C所示，通过利用第二PR图案283作为掩模构图第一透明导电材料层206(图4B)在第一源极205a和第一漏极208a上形成第二源极205b、第二漏极208b。第二源极205b覆盖位于基板201上的第一源极205a的上表面和侧面从而不暴露第一源极205a。类似地，第二漏极208b覆盖位于基板201上的第一漏极208a的上表面和侧面从而不暴露第一漏极208a。换句话说，第二源极205b和第二漏极208b具有包层形状。第一源极205a和第二源极205b构成源极205，并且第一漏极208a和第二漏极208b构成漏极208。同时，在第一数据线(未示出)上形成具有包层形成的第二数据线(未示出)。
这里，当利用蚀刻剂构图第一透明导电材料层206(图4B)以形成第二源极205b、第二漏极208b和第二数据线(未示出)时，由于第二源极205b、第二漏极208b和第二数据线的包层形状使得第一源极205a、第一漏极208a和第一数据线不会存在底切的问题。而且，由于用于形成第一PR图案281的掩模(图4A)可以用于形成第二PR图案283(图4B)，因此不需要花费制造其他掩模的成本。
然后，去除第二PR图案283(图4B)。在基板201上的像素区域“P”通过沉积和构图第二导电材料层(未示出)形成像素电极213，该第二导电材料层包括ITO和IZO其中之一。像素电极213与漏极208相接触。这样，由于第一漏极没有暴露，因此像素电极213与第一漏极208b接触。当像素电极213由和第二源极205b、第二漏极208b一样的材料ITO形成时，控制蚀刻时间从而去除除第二源极205b、第二漏极208b以外的透明导电层。当像素电极213由和第二源极205b、第二漏极208b不同的材料IZO形成时，用于IZO的蚀刻剂不会蚀刻第二源极205b、第二漏极208b。
随后，对于包括源极205、漏极208和像素电极213的基板执行采用氧气的等离子体工艺以提高第二源极205b、第二漏极208b中的ITO的功函数。
接下来，尽管未示出，但是在源极205、漏极208、数据线(未示出)和像素电极213上依次形成有机半导体材料层、栅绝缘材料层和第二金属层。有机半导体材料层由有机半导体材料形成，该材料具有相对很好的迁移率和低分子量。通过利用喷墨设备、喷嘴涂敷器件、栅涂敷器件、缝涂敷器件、旋转涂敷器件和印刷器件其中之一涂敷有机半导体材料。栅绝缘层由诸如含氟聚合物的有机绝缘材料形成。第二金属层由诸如钼(Mo)和铬(Cr)的金属材料形成，其为可干法蚀刻的材料。
如图4D所示，在源极205、漏极208上依次形成有机半导体材料层217、栅绝缘层220、栅极225和光敏图案183(未示出)。首先，在第二金属层上通过涂敷和构图光敏材料层形成光敏图案(未示出)。光敏材料层由PR、聚乙烯基乙醚和光敏丙烯酸脂其中之一形成。然后，利用光敏图案(未示出)作为构图掩模蚀刻通过光敏图案(未示出)曝光的有机半导体层、栅绝缘层和第二金属层从而在源极205和漏极208上形成有机半导体层217、栅绝缘层220和栅极225。去除光敏图案(未示出)。
因此，通过有机半导体层217、栅绝缘层220和栅极225暴露数据线(未示出)和像素电极213。有机半导体层217、栅绝缘层220和栅极225在源极205和漏极208上的开关区域“TrA”中具有岛状形状。源极205和漏极208、有机半导体层217、栅绝缘层220和栅极225构成作为开关元件的TFT“T”。
接下来，如图4E所示，在栅极225上通过涂敷和构图有机绝缘材料形成包括栅接触孔233和开口部分“OP”的钝化层230。栅接触孔233和开口部分“OP”分别暴露栅极225和像素电极213。有机绝缘材料可以包括苯环丁烷(BCB)、聚乙烯基乙醚和光敏丙烯酸脂和含氟聚合物。
但是，当光敏图案(未示出)由聚乙烯基乙醚和光敏丙烯酸脂其中之一形成时，钝化层230可以由在不去除图案(未示出)的情况下和光敏图案(未示出)上的光敏图案(未示出)一样的材料形成。
随后，如图4F所示，在钝化层230上通过沉积和构图第三金属层(未示出)形成栅线235。该第三金属层包括铝、钕化铝、钼、铜和铜合金，并在低于200℃温度下进行沉积。栅线235通过栅接触孔233与栅极225连接。栅线235与数据线(未示出)交叉从而限定像素区域“P”。尽管未示出，但是在栅线235上可以形成另一钝化层。
图5A到图5C是根据本发明的示例性实施方式制造具有有机半导体层的LCD器件的阵列基板的工艺截面图。
如图5A所示，在基板301上通过沉积和构图诸如银(Ag)、铝(Al)、钕化铝(AlNd)、钼(Mo)、铜(Cu)和铜合金的低阻抗金属材料形成第一源极305a、第一漏极308a和第一数据线(未示出)。第一源极305a、第一漏极308a位于像素区域P的开关区域“TrA”中。第一源极305a、第一漏极308a彼此分离并且分别具有第一宽度“W1”和第二宽度“W2”。在包括第一源极305a、第一漏极308a和第一数据线(未示出)的基板301的整个表面上形成透明导电材料层306。透明导电材料层306包括具有相对较高功函数的ITO。
然后，在透明导电材料层306上通过涂敷和构图PR层(未示出)形成第一PR图案383a、第二PR图案383b和第三PR图案383c。第一PR图案383a、第二PR图案383b分别对应于第一源极305a和第一漏极308a，并且第三PR图案383c对应于除开关区域“TrA”以外的像素区域的透明导电材料层306。通过第一PR图案383a、第二PR图案383b暴露位于第一源极305a和第一漏极308a之间的透明导电材料层306。第一PR图案383a、第二PR图案383b分别具有第三宽度“W3”和第四宽度“W4”，第三宽度“W3”和第四宽度“W4”分别大于第一宽度“W1”和第二宽度“W2”。
接下来，如图5B所示，通过利用第一PR图案383a、第二PR图案383b和第三PR图案383c作为构图掩模构图透明导电材料层306在基板301上形成第二源极305b、第二漏极308b和像素电极。第二源极305b完全覆盖第一源极305a，并且第二漏极308b完全覆盖第一漏极308a。换句话说，第二源极305b和第二漏极308b具有包层形状。第二源极305b和第二漏极308b分别位于第一源极305a和第一漏极308a上，从而使得第二源极305b和第二漏极308b彼此分离。第一源极305a和第二源极305b构成源极305，并且第一漏极308a和第二漏极308b构成漏极308。在除开关区域“TrA”以外的像素区域“P”设置从第二漏极308b延伸的像素电极313。同时，第二数据线(未示出)位于第一数据线上(未示出)。换句话说，像素电极313由和第二源极305b、第二漏极308b一样的材料以及以和第二源极305b、第二漏极308b一样的工艺形成。
接下来，如上所述，对于包括源极305、漏极308、数据线(未示出)和像素电极313的基板执行采用氧气的等离子体工艺。然后，在源极305、漏极308上依次形成有机半导体层317、栅绝缘层320和栅极325。在栅极325上形成包括栅接触孔333和开口部分“OP”的钝化层330。栅接触孔333和开口部分“OP”分别暴露栅极325和像素电极313。最后，在钝化层330上形成栅线(未示出)。栅线(未示出)通过栅接触孔333与栅极325相连接。栅极(未示出)与数据线交叉(未示出)从而限定像素区域“P”。在栅线(未示出)上形成另一钝化层(未示出)。
在该实施方式中，尽管利用不同掩模形成第一源极305a和第一漏极308a以及第二源极305b和第二漏极308b，但是并没有提高制造成本。原因在于像素电极在与第二源极305a和第二漏极308b相同的工艺中形成。
权利要求
1.一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括位于基板上的第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；分别位于所述第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极，并且所述第二源极和第二漏极均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；位于基板上的像素电极，并且所述像素电极与基板上的所述第二漏极接触；位于基板上的有机半导体层；位于基板上的栅绝缘层；以及位于基板上的栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括从第一源极延伸的第一数据线，所述数据线和第一源极位于同一层并且由和所述第一源极一样的材料形成；以及从第二源极延伸的第二数据线，所述数据线和第二源极位于同一层并且由和所述第二源极一样的材料形成。
3.根据权利要求2所示的阵列基板，其特征在于，所述第二数据线覆盖所述第一数据线的上表面。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二数据线覆盖第一数据线的侧面。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括包括位于所述栅极上的栅接触孔的第一钝化层，所述栅接触孔暴露所述栅极；以及在所述钝化层上与所述数据线交叉的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层还包括暴露所述像素电极的开口部分。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述栅线上的第二钝化层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料包括氧化铟锡和氧化铟锌的其中之一。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述第二漏极位于同一层并且由和所述第二漏极相同的材料形成。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属材料包括银、铝、铝合金、钼、铜和铜合金其中之一。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层、栅绝缘层和栅极具有彼此一样的形状。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层、栅绝缘层和栅极的端线彼此重合。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于基板和所述有机半导体层之间的缓冲层。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源极覆盖第一源极的侧面并且所述第二漏极覆盖第一漏极的侧面。
15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二源极和漏极上形成所述有机半导体层，并在所述有机半导体层上依次形成栅绝缘层和栅极。
16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极包括钼和铬其中之一。
17.一种制造液晶显示器件阵列基板的方法，其特征在于，包括在基板上形成第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；分别在所述第一源极和第一漏极上形成第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；在基板上形成与第二漏极接触的像素电极；在基板上形成有机半导体层；在基板上形成栅绝缘层；以及在基板上形成栅极。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括形成从所述第一源极延伸并与所述第一源极同时形成的第一数据线；形成从所述第二源极延伸并与所述第二源极同时形成的第二数据线。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二数据线覆盖所述第一数据线的上表面。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第二数据线覆盖第一数据线的侧面。
21.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括形成包括位于所述栅极上的栅接触孔的第一钝化层，所述栅接触孔暴露所述栅极；在所述钝化层上形成与数据线交叉的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与栅极相连接。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一钝化层还包括暴露所述像素电极的开口部分。
23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，还包括位于所述栅线上的第二钝化层。
24.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在形成所述第二漏极时同时形成所述像素电极。
25.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，通过利用同一掩模形成所述有机半导体层、栅绝缘层和栅极。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，所述有机半导体层、栅绝缘层和栅极的端线彼此重合。
27.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括在基板和所述有机半导体层之间形成缓冲层的步骤。
28.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述半导体层之前采用氧气等离子体对包括所述源极和漏极的基板进行处理的步骤。
29.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述第二源极和第二漏极的步骤利用和形成所述第一源极和第一漏极的步骤一样的掩模。
30.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二源极覆盖所述第一源极的侧面并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的侧面。
全文摘要
本发明公开了一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括位于基板上的第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；分别位于所述第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；位于基板上的像素电极，并且所述像素电极与基板上的所述第二漏极接触；位于基板上的有机半导体层；位于基板上的栅绝缘层；以及位于基板上的栅极。
文档编号G02F1/133GK101093325SQ200610161880
公开日2007年12月26日 申请日期2006年12月5日 优先权日2006年6月19日
发明者崔洛奉, 姜镐哲, 金大元 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社