衬底、曝露衬底的方法和机器可读媒体的制作方法

专利名称：：衬底、曝露衬底的方法和机器可读媒体的制作方法
技术领域：
：本发明总地涉及光刻和与曝露半导体衬底相关的方法和设备。更具体地，本发明涉及在衬底上形成抗蚀剂材料的密集特征(densefeature)的图案的方法。
背景技术：
：光刻曝露设备可以用在例如集成电路(IC)的制造中。在这样的情况中，构图装置可以产生与IC的单独层对应的电路图案。在光刻中，辐射束通过使射束穿过构图装置而构图，并且辐射束通过光刻设备的投影系统而投影到已涂覆有光激活的抗蚀剂(例如光致抗蚀剂)材料层的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)，以使得在抗蚀剂中对所希望的图案成像。总的来说，单个晶片将包含通过投影系统、被一次一个地接连辐照的相邻目标部分的整个网络。在半导体工业中，对于在晶片衬底上具有更小图案和特征的更小半导体器件的持续需求，正在推动(push)能够通过曝露设备达到的光学分辨率的限制。通常，能够被光刻曝露设备光学地分辨的、晶片衬底上曝露的图案的可重复特征的最小尺寸(例如，“半节距(half-pitch)”)取决于投影系统和辐射的(已构图)投影束的属性。特别地，半节距特征尺寸的光学分辨率可以通过使用瑞利分辨率等式的简化形式而导出p0.5＝k1·λ/NA，有k1≥0.25(1)其中，p0.5代表以纳米计的可重复特征尺寸(例如“半节距”)；NA代表投影系统的数值孔径；代表投影束的波长，以纳米计；以及k1是代表对于半节距特征尺寸可达到的光学分辨率极限的一个因数。如上所指出的，对于k1的理论上的光学分辨率半节距的下限是0.25。在试图逼近k1＝0.25的障碍时，相当大的努力已被导向来研发那些能使用更短波长和/或更高数值孔径的昂贵技术，由此使得可以生产更小的特征而不违反k1≥0.25的限制。但是，这些技术并不允许避开k1＝0.25的障碍来达到k1的有效值，使得k1＜0.25。为了印刷有密集线和间隔的图案(即，提供用作蚀刻停止和从要被蚀刻的目标层表面凸出的硬掩膜材料的线，在其间有间隔)、其中线在节距p处出现，众所周知的是，通过应用双曝露光刻工艺可以避开k1＝0.25的障碍，由此将被印刷的密集线和间隔的期望图案被分解成(以节距2p安排的)槽(trench)的两个组成子图案，其能够由光刻系统光学地分辨。硅晶片涂覆有用作硬掩膜的SiO2膜，而SiO2膜涂覆有负性(negtivetone)光致抗蚀剂材料层。通过曝露于一图像、其中槽在亮背景下表现为以节距2p排列的暗线，以及随后显影该抗蚀剂材料，在SiO2膜上提供包括节距2p处的槽的第一抗蚀剂掩膜。通过随后蚀刻SiO2膜和剥离抗蚀剂，槽的第一子图案被转印到SiO2膜上。接下来，利用槽的第二子图案重复涂敷负性抗蚀剂材料、曝露、显影和蚀刻的过程，该第二子图案可以偏移半节距距离地与槽的第一子图案对应，由此在先前定义的槽之间交织新槽。结果，第一和第二子图案图像被组合，以在目标层上的SiO2膜中产生所需图案，由此这些槽是线之间的间隔。这里，相对于单次曝露工艺而言，除非提供花费额外成本的额外蚀刻能力，否则需要两个蚀刻步骤来把最终所希望的图案转印到硬掩模会减小光刻工艺的产量。
发明内容本发明的实施例可以用于改进光刻多重曝露工艺。如这里体现和广泛描述的那样，一种符合本发明原理的方法提供了在光刻系统中的图像分辨率的提高。提供了一种被构造和设置以使用光刻工艺构图的衬底，其中该衬底被曝露于辐射，包括至少部分地覆盖该衬底的第一正性抗蚀剂的第一层，和第二正性可显影材料的第二层，其具有预先选定的对辐射的吸收率并至少部分地覆盖该第一层，其中该吸收率被安排为在第二层曝露于辐射期间防止将第二正性可显影材料下面的至少部分的第一正性抗蚀剂曝露于一曝露剂量，而该曝露剂量超出与第一层关联的清除能量(energy-to-clear)曝露剂量的一小部分，并提供该第二层的基本完全的光活化(photoactivation)。根据本发明的一方面，提供一种在衬底上形成抗蚀剂材料的密集特征的图案的方法，包括将衬底曝露于穿过构图装置的辐射，所述衬底包括至少部分地覆盖该衬底的第一正性抗蚀剂的第一层，该方法包括给第一层提供第二正性可显影材料的第二层，其具有的吸收率高于第一层的吸收率，在该图案中标识两个交错的半密集特征的图案，将该图案分割到具有关联的各自第一和第二辐射图案的相应的第一和第二图案中，其中该半密集特征与在亮背景中的暗特征对应，把第二层曝露于第一辐射图案，显影第二正性可显影材料，以提供从第一层突出的、由未覆盖第一抗蚀剂材料的区域分隔开的特征的图案，把未被覆盖的第一抗蚀剂层和凸出特征曝露于第二辐射图案，由此，暗特征相对于突起特征以交错关系定位，以及显影第一抗蚀剂材料以提供密集特征的图案。根据本发明的另一方面，上述方法包括安排第二层的吸收率，以防止在曝露期间，将第二正性可显影材料下面的至少一部分第一正性抗蚀剂曝露于一曝露剂量、而该曝露剂量超出与第一层关联的清除能量曝露剂量的一小部分，并提供第二层的基本完全的光活化。根据本发明的另一方面，提供一种用机器可执行指令编码的机器可读媒介，用于根据一种曝露方法来构图衬底，该曝露方法使用已构图的辐射且包括把衬底提供给旋涂装置，该衬底具有目标层，该目标层被构造和设置为利用希望的图案来光刻构图，该所希望的图案包括第一子图案和第二子图案，以及使正性抗蚀剂材料的第一层至少部分地覆盖该目标层，得到用于确定要被布置在第一层上的正性可显影材料的第二层的吸收率的数据，以所述数据为基础且根据该吸收率来确定第二层的厚度，防止遭受高于在该正性可显影材料的已曝露部分下面的正性抗蚀剂材料至少一部分的清除能量曝露剂量的曝露，以所确定的厚度为基础来确定旋涂装置的设置，应用该设置且把第二层提供给第一层，根据该第一子图案而将衬底曝露于该辐射的第一图案，显影该正性可显影材料，根据该第二子图案而将衬底曝露于该辐射的第二图案，和显影该正性抗蚀剂。根据本发明的另一方面，提供了一种光刻系统，该光刻系统包括光刻曝露设备、能够为衬底提供一层可显影材料的旋涂装置，以及控制光刻曝露设备和旋涂装置的控制装置，由此该控制装置被安排来执行本发明的方法。现在将仅通过示例、参考所附的示意性附图来描述本发明的实施例，其中在附图中相应的附图标记表示相应的部分，且其中图1说明了准备供本方法使用的衬底，其配备有一个目标层和两个抗蚀剂层；图2说明了把超出光刻分辨率的密集线图案分解成两个半密集线图案，每个图案都在光刻分辨率之内。图3说明了根据本发明的、表示半密集暗线和亮间隔的第一辐射图案的第一次曝露；图4说明了抗蚀剂第一次曝露和随后显影的效果；图5说明了根据本发明的、第二次曝露于辐射图案，该辐射图案代表相对于第一辐射图案处于交错位置的半密集暗线和亮间隔；图6示出了按照本发明的、依照想要的线和间隔的密集图案的抗蚀剂掩膜；图7示出了根据本发明的光刻簇(lithographiccluster)；图8说明了根据本发明的实施例的光刻设备；以及图9示出了根据本发明的双曝露方法的流程图。具体实施例方式如上所述，存在一个持续的达到更精细的光学分辨率的需求，以及使用双曝露工艺绕过了印刷线的理论半节距的0.25的下限k1，由此，避免在两次曝露之间使用中间的蚀刻步骤将提供重要的优势。如下面更详细描述的，本发明通过实施双曝露技术、借此利用特别设计的夹层光致抗蚀剂结构来得到低于半节距下限的分辨率，半节距p0.5＝k1·λ/NA，由此k1≥0.25，因此绕开k1＝0.25的障碍，该夹层光致抗蚀剂结构包括用于构图和随后用作蚀刻掩膜的第一抗蚀剂层，以及充分地吸收曝露辐射且所具有的厚度小于用作蚀刻掩膜所需厚度的第二抗蚀剂层。并且，本发明使得能够单独使用正性抗蚀剂来印刷那些特征，借此，使用正性抗蚀剂比使用负性抗蚀剂更优选。这样的特征的例子是密集、半密集和隔离线。在集成电路(IC)的制造中，使用光刻曝露设备，在这种情况下一个构图装置例如掩膜(“标线片(reticle)”)产生与IC的单独层对应的电路图案。在光刻中，辐射束在穿越标线片后通过一掩膜图案来构图，该掩膜图案被具体化为例如在该标线片的透明表面上的光吸收图案特征(例如铬层)。随后，已构图的辐射束通过光刻设备的投影系统投影在已涂覆有光致抗蚀剂材料层的衬底(诸如，举例而言硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或更多管芯)。掩膜图案的图像由投影系统形成，且抗蚀剂材料被曝露于所述图像。在显影该已曝露的抗蚀剂后，得到抗蚀剂特征的所需图案，其转而可用作将想要的图案转印到抗蚀剂层下面的目标层的蚀刻掩膜。通常，单个晶片会包含通过投影系统一次一个地接连辐照的相邻目标部分的整个网络。掩膜图案的投影图像在晶片级别提供亮的、被曝露的区域和暗的、理想地未曝露但实际上是基本上未曝露的区域的图案。面对曝露辐射的抗蚀剂材料层被曝露到这样一个辐射图案，以及在亮区域中且由于曝露于辐射，抗蚀剂中的光激活的化合物正改变在抗蚀剂的显影剂中(通常抗蚀剂显影剂是基本的水溶液)的溶解度。在曝露剂量的阈值处、在正性抗蚀剂层的整个厚度上，出现了正性抗蚀剂中溶解度由不可溶到可溶(以及在负性抗蚀剂中溶解度由可溶到不可溶)的改变，其中曝露剂量的阈值是所谓的清除能量，在下文中用Eo表示。为了减少密集特征的可印刷半节距，用于曝露的辐射波长(根据等式1)被选择为尽可能的小。通常用于投影光刻的辐射源是发射i-线(i-line)辐射的汞弧灯、KrF激基激光器和ArF激基激光器，它们提供分别在波长365nm、248nm和193nm处具有谱峰值的辐射。随同以更短波长工作的辐射源的引入，不得不为这些辐射波长开发在要用于曝露的辐射波长上基本是不吸收的抗蚀剂，因为在一个抗蚀剂材料层中对曝露辐射的任何实际吸收将会阻止该辐射去在该抗蚀剂材料层的整个厚度上激活抗蚀剂材料的光激活化合物。在传统的光刻中，抗蚀剂层厚度应超出所要求的抗蚀能力(etchresistance)所需的最小厚度。但是，当例如使用正性抗蚀剂材料时，对曝露辐射的过高吸收率则可以引起被曝露区域的不完全显影，从而在抗蚀剂显影后在这个区域中留下残余的未曝露的抗蚀剂材料。因此，对于要用作蚀刻掩膜的抗蚀剂层的过高吸收率的问题可以通过仅仅减小抗蚀剂材料层的厚度来解决。因此，为了供这样的光刻工艺使用，即该光刻工艺是基于使用汞弧灯的i-线辐射，或分别地，使用KrF激基激光器和ArF激基激光器的深紫外(DUV)辐射来将抗蚀剂曝露于图案图像，开发了相应的基本不吸收的抗蚀剂。对于i-线光刻，通常使用重氮萘醌(diazonaphthoquinone)基抗蚀剂材料。因为这些抗蚀剂在具有用于抗蚀刻的足够厚度的重氮萘醌基抗蚀剂材料层中强烈吸收248nm波长的辐射，所以这些抗蚀剂不能供KrF光刻使用。随着转向KrF光刻、由此而在248nm波长下使用光刻设备，开始使用化学增幅(chemicallyamplified)抗蚀剂材料。化学增幅抗蚀剂材料的特征是对于248nm的辐射具有足够低的吸收率。通常，供传统KrF光刻使用的化学增幅抗蚀剂是多羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)基抗蚀剂。化学增幅抗蚀剂材料的关键组分是作为光活化成分的光酸发生剂(photoacidgenerator)(例如PAG)。PAG在辐照后产生酸。但是，为了对193nm波长的辐射实现充分的透射(以使得化学增幅抗蚀剂材料能够供ArF光刻使用)，新的PAG，诸如举例而言离子PAG被引入，并且其仍在开发中以进一步降低相应的抗蚀剂层在193nm辐射波长处的吸收率。供传统的ArF光刻使用的抗蚀剂是丙烯酸酯(acrylate)和/或甲基丙烯酸酯(methacrylate)基抗蚀剂。此后，常规的供特定辐射源使用的抗蚀剂类型，以及如上所述的那些，将通过特定的辐射源来引用因此，在本文本和权利要求中，可引用i-线抗蚀剂、KrF抗蚀剂和ArF抗蚀剂。应当理解，对于一个以比所述特定辐射源(上面给出了它们的例子)更短的波长工作的辐射源，这些抗蚀剂类型的每一种在使用(在用作蚀刻掩模所要求的层厚度处，该层厚度可能通常是在200和300nm之间)时都具有超出容限的吸收率。根据本发明第一实施例，且如图1所示，提供了衬底W，该衬底可以承载先前处理的IC层，且按照以下顺序被提供给目标层TL；包括第一抗蚀剂材料R1的第一抗蚀剂材料层L1，其具有清除能量Eo并且覆盖该目标层TL；和包括第二抗蚀剂材料R2并且覆盖在第一抗蚀剂层L1上的第二抗蚀剂材料层L2。根据本发明、提供抗蚀剂材料层可以包括施加预曝露工艺，诸如，举例而言清洗(cleaning)、涂底漆(priming)和软烘焙(soft-bake)工艺。为减少曝露期间曝露辐射的背反射，第二抗蚀剂材料层L2可以进一步包括可显影的底部抗反射涂层以减少曝露辐射的背反射，而第一抗蚀剂材料层L1可以进一步包括底部抗反射涂层或可显影的底部抗反射涂层。两个抗蚀剂层L1和L2均由单一类型的辐射源的辐射曝露。在本实施例中，使用包括ArF激基激光器作为辐射源的光刻曝露设备进行双曝露工艺，第一抗蚀剂材料R1是ArF抗蚀剂，而第二抗蚀剂材料，作为ArF激基激光器辐射的高吸收材料，是KrF抗蚀剂。应当理解本发明不局限于提供和使用ArF和KrF抗蚀剂层的堆叠。例如，ArF抗蚀剂层可以被i-线抗蚀剂层覆盖(代替KrF抗蚀剂层)；i-线抗蚀剂对ArF激基激光器辐射也具有高吸收率。第一抗蚀剂层L1的厚度是使得在曝露(于投影在抗蚀剂层L1上的辐射图案)和显影后，它可以用作一个蚀刻掩膜，用于通过干蚀刻而将已显影的抗蚀剂层中的图案转印到目标层TL上。根据本发明的一方面，仅仅选择第二抗蚀剂材料层L2的厚度TH2，以使得它在被曝露区域中贯穿其厚度而被光活化，同时阻止第一抗蚀剂R1曝露于大于与第一抗蚀剂层L1相关的清除能量Eol的曝露剂量。优化地，选择第二抗蚀剂材料层L2的厚度TH2，使得它只允许第一抗蚀剂R1曝露于高达该清除能量Eol的一小部分的曝露剂量。该小部分可以优选为小于0.5的数。然后，在第一抗蚀剂层显影后，仍为用作蚀刻掩膜的层L1的一部分提供足够的抗蚀能力。应当理解，不要求抗蚀剂材料层L2应作为蚀刻掩膜。在本实施例中，抗蚀剂材料R2是KrF抗蚀剂，在曝露后将出现ArF激基激光器辐射的强烈吸收，使得在缺少作为被构图的抗蚀剂层的传统蚀刻掩膜的情况下，典型地厚度TH2可以选择为小于抗蚀剂材料层L1的厚度。根据本发明的一方面，以及考虑到对于本发明，不需要已构图的抗蚀剂材料层L2应作为蚀刻掩膜，层L2的材料可以是给层L2提供所需吸收率的任何适当的正性可显影材料。如图2所示，要使用光刻曝露设备印刷的所需图案包括一组密集线DL。通常，承载相应密集线图案的掩膜在覆盖衬底的抗蚀剂层上以4或5倍的缩减成像。根据本发明，线DL被分解成两个组成子图案，包括相应的能够由光刻设备光学分辨的半密集线的掩膜图案SDL1和SDL2。可以理解，在载有图案的标线片表面上，线可以被具体化为例如玻璃掩膜上的铬的铬层的线，或者是衰减的相移掩膜的Mo-Si层的线，或者作为交替相移掩膜的透明的、180度相移边缘，或者作为两个或更多的这样的相移边缘(以小于光刻设备的分辨率极限的距离分开)。应当理解本发明不局限于使用以4或5倍缩小率工作的投影系统；为简化起见，以下假设(且图被设立为好象)线印刷工艺是以单位缩小率运行的。根据本发明的一方面，如下面更详细地描述的那样，在晶片表面上，通过在相对彼此交错的位置上来接连地对该图案成像，把依照子图案SDL1和SDL2的抗蚀剂层材料的线提供给目标层TL(且由此从该目标层表面突出)。在把衬底提供给光刻投影设备后，衬底经受第一次光刻过程，由此如图3所示的，第二抗蚀剂材料层L2被曝露于子图案SDL1的图像310。图像310包括曝露的亮区300，由此箭头301的长度示意性地表示了施加到这些区域中的第二抗蚀剂材料层L2上的曝露剂量Ein的大小。图像强度图案310进一步包括对应于第一子图案SDL1的线的暗区302，其中层L2保持未曝露。由于第二抗蚀剂材料层L2中的曝露辐射的吸收，基本上避免了第一抗蚀剂R1的曝露；尤其避免了曝露于高于清除能量Eol的曝露剂量。曝露区域300下的抗蚀剂层L1将原则上被曝露于在曝露期间通过吸收的第二抗蚀剂材料层L2泄漏的曝露剂量。此曝露剂量被称为泄漏剂量，且由Eout表示。曝露剂量的泄漏由图3中的箭头303表示；箭头303的长度示意性地表示了泄漏剂量Eout的大小。通过层L2泄漏的泄漏剂量Eout与第一次曝露的曝露剂量Ein按照下式相关Eout＝Ein·10-A，(2)其中A是第二层L2的吸收率。为了避免曝露的曝露剂量大于清除能量Eol，选择第二层的厚度，使得A＞Ao，其中Ao是Eout＝Eol处的层L2的吸收率，因此这里满足等式Eol＝Ein·10-Ao，或Ao＝-log(Eol/Ein)(3)优选地(为了在下述的随后的工艺步骤中保持在显影那个层后该第一抗蚀剂材料层的足够厚度)，通过选择第二层的厚度TH2使得A＞Ax，而将泄漏剂量Eout设置为是清除能量Eol的分数x，其中Ax是Eout＝x·Eol处层L2的吸收率，有x＜0.5满足Ax＝-log(x·Eol/Ein)(4)第二抗蚀剂层L2的吸收率A与厚度TH2很好地近似线性地成比例。例如，吸收率可以按下式来建模A＝εTH2c(5)其中ε是PAG的摩尔(molar)吸收率，而c是PAG的浓度。并且，选择第二抗蚀剂材料层L2的厚度TH2以使得它在曝露区域中贯穿其厚度而光活化。在本实施例中，在第一次曝露后，通过第一次抗蚀剂显影过程而除去已曝露的抗蚀剂材料R2。如图4示意性地所示，未曝露的抗蚀剂材料R2残留，且由此在抗蚀剂材料层L1上得到了对应于第一子图案SDL1的线的抗蚀剂材料R2的线形特征400的掩膜。线形特征从抗蚀剂材料层L1突出。在施加第一次曝露之后和施加第一次抗蚀剂显影过程之前，衬底(取决于抗蚀剂材料R2的材料特性)可以经受或可以不经受曝露后工艺，诸如举例而言，曝露后烘焙(PEB)和硬烘焙(hardbake)。如果衬底经受例如曝露后烘焙(PEB)和/或硬烘焙，则这些步骤在抗蚀剂材料R1上的效果可以通过调整第二次曝露(下文描述的)的曝露剂量来补偿。未曝露的抗蚀剂材料R2的半密集线400之间的间隔限定了抗蚀剂材料层L1中的区域401，其中抗蚀剂材料R1被曝露于泄漏剂量Eout(优选地充分低于清除能量Eol的曝露剂量)。区域401的低于清除能量的曝露在图4中由区域401的灰色填充表示。因此，在第一次曝露之后，抗蚀剂材料R1或者被低于清除能量Eol地曝露，或者它尚未被曝露(与图像310的暗区一致，以及忽略任何非实际的曝露，例如曝露于杂散辐射)。根据本实施例，和如图5中所述，在第二次曝露过程期间，根据包括有在曝露的亮背景区500中嵌入的暗半密集线502的第二子图案SDL2，把第一抗蚀剂材料层L1和未曝露的抗蚀剂材料R2的线形特征400曝露于ArF激基激光器辐射的图案510。图案510是掩模线图案SDL2的图像，在下文中也称作第二图像，且相对于线400定位以使得图像510的亮区被定位于相对线400交错的位置。因此，图案SDL2的线位于先前得到的线特征400之间。在与第二图像510的暗线502之间的亮间隔500对应的区域中，KrF抗蚀剂特征400的吸收率阻止了将这些特征下面的抗蚀剂材料R1曝露于高于清除能量Eol的剂量。其中，由于先前的曝露，选择(如上所述的)第二抗蚀剂材料层L2的厚度TH2，以使得它允许将第一抗蚀剂R1曝露于高达仅仅清除能量Eol的分数0.5或更少的曝露剂量，在这个曝露中KrF抗蚀剂特征400的吸收率也以相同的方式和基本在相同的物理环境下阻止在这些特征下面的抗蚀剂材料R1的过高曝露。曝露剂量通过KrF抗蚀剂材料特征400泄漏的过程与在第一次曝露期间的曝露剂量泄漏的过程相同，即，其由基本相同的物理条件，例如等式1-5所控制。这在图5中通过更大和更小的垂直箭头示意性地表示，与图3中的箭头301和303对应。因此，在特征400下面的抗蚀剂材料R1的得到的曝露基本与低于清除能量地曝露于辐射相同，该低于清除能量地曝露是在暗区502中第二次曝露开始之前已经发生的。与区域401类似，这由图5中的灰色填充区域401’(与暗线502对应)和504(在特征400下面)表示。抗蚀剂层材料R1在区域401’和504之间的区域505中完全曝露于曝露剂量Ein。在本实施例中，在第二次曝露之后，通过施加第二次抗蚀剂显影过程而除去抗蚀剂材料特征400和在区域505中的已曝露的抗蚀剂材料R1。如上所述，剩余了未曝露的抗蚀剂材料R1和/或低于清除能量Eo地曝露的抗蚀剂材料R1，且由此，如图6中所示，在目标层TL上得到了抗蚀剂材料R1的线形特征的蚀刻掩膜，其与所希望的图案DL的线相对应且从该目标层的表面600凸出。在第二次曝露后，衬底可再一次经受曝露后工艺，例如曝露后烘焙(PEB)和硬烘焙。也可以使用抗蚀剂材料特征的图案作为蚀刻掩膜，以使用例如传统的反应离子蚀刻来把所希望的图案DL转印到目标层。这样的图案到目标层TL的最后转印可以例如包括一种使用适于反应离子蚀刻的干蚀刻室的蚀刻。也称作REI的反应离子蚀刻的优点是它是非各向同性的、定向选择性的蚀刻工艺，而湿蚀刻是各向同性的蚀刻工艺(导致特征的底切)(undercut)。如图6中通过类似的灰色填充区域401’和504进一步说明的，假如用于第一和第二曝露过程的曝露剂量Ein基本相同，那么抗蚀剂特征600的曝露于辐射(低于清除能量)对于两个子图案的线便是相同的。因此，就曝露到这样一个低于清除能量的曝露剂量对于例如抗蚀能力或蚀刻偏置(etching-bias)的影响而言，这一影响在掩膜图案的线上均匀地分布，由此提供工艺的一致性。根据本发明的一个方面，泄漏剂量Eout是清除能量Eol的分数x，其中在该情况下，在本实施例的第一和第二次曝露中，泄漏剂量Eout等于阈值剂量，由此仅仅层L1的抗蚀剂材料的层形部分，该面对曝露辐射的层形部分，变得可溶。因此，在两次曝露期间，第一抗蚀剂材料层L1的那个层形部分(或“上部段”)被高于显影阈值地曝露且将在施加相应的第一和第二显影过程期间被显影除去(developaway)。由于在ArF抗蚀剂层L1中对曝露辐射的残余吸收，高于阈值剂量地曝露的影响仍被限于到所述层形的上部段，以使得吸收率A仍防止在曝露第二层L2期间在被曝露区域下面的及在曝露第一层和所述特征400期间在所述特征400之下的第一抗蚀剂材料R1的至少一部分曝露于高于所述阈值剂量。由于在两次曝露期间，在所述层形上部段和在该上部段下面的抗蚀剂材料层L1的部分中的曝露又是基本由相同的物理条件控制，所以对抗蚀能力或对蚀刻偏置的任何影响都均匀地分布在掩膜图案的线上，由此保持上述工艺的均匀性。本发明的一个方面是该方法适于印刷密集和半密集线(或者优选地在临界尺寸的、基本线形的特征或细长的特征)，因为该方法包括为该第一和第二次曝露使用正性抗蚀剂。当对照亮背景对暗线成像时用于印刷线的成像工艺具有最佳质量。利用本发明，可通过对用于印刷在抗蚀剂材料层L2和L1中形成的抗蚀剂掩膜的线特征的光刻工艺使用正性抗蚀剂而得到最佳质量。用于印刷线的光刻曝露设备通常包括被构造来支撑构图装置(例如掩膜)的支撑结构，和被构造来支持衬底W的衬底台(substratetable)(例如晶片台)。光刻曝露设备可以是具有两个(双级(dualstage))或更多衬底台(和/或两个或更多掩膜台)的类型。在这样的“多级”机器中，附加台可以并行地使用，或可以在一个或多个台上进行预备步骤，而同时一个或多个其它台被用于曝露。可以监控在用于图案SDL1和SDL2的掩膜的e束写入期间残留的放置误差，并且在双级光刻投影系统中，可以在该双级设备被用于一种操作模式、由此扫描仪“记住”用于第一次曝露的晶片卡盘(waferchuck)和承诺将相同的晶片卡盘用于第二次曝露时，补偿这些残留误差。在下文中这一工作模式将被称作卡盘专用模式。结果，在卡盘专用模式中，对于第一和第二次曝露，晶片步进栅格和晶片台卡盘引起的畸变指纹(distrotionfingerprint)将是相同的。这减小了在这两次曝露之间的非可校正(non-correctable)的更高阶重叠误差。另外，通过使用用于晶片级和标线片级的适当的对准补偿，可以在扫描仪中补偿两个掩膜之间的低阶e束掩膜写入器的图案放置误差，例如线性偏移和放大误差。在卡盘专用模式中，对于现有双曝露工艺而言，重叠性能可比于、甚至好于掩膜写入器的放置精度。本发明的一个方面是所印刷的是线而不是间隔。在两次曝露之间的对准误差不会影响所得的印刷线宽度，而是仅仅影响线之间的间隔，其通常对于例如晶体管性能是不太重要的。在子图案SDL1和SDL2之间的放置误差，即在双曝露工艺的两次曝露之间的覆盖一致性，对于所得线的印刷临界尺寸没有影响。这个放置误差由于是在掩膜写入过程期间产生的，所以可以是放置误差的量级。通过对用于印刷图案SDL1和SDL2的线的光刻工艺使用正性抗蚀剂，图案SDL1和SDL2的任何重叠误差，且由此是所得的图案DL，相对于以前在衬底W上形成的图案，与通过单个曝露工艺得到的图案是相同的。换句话说，相对于在衬底W上的参考，在目标层TL中的图案DL的所得对准精度直接与利用单曝露工艺可得到的对准精度对应。由于光致抗蚀剂层对于显影和/或曝露的响应的任何非线性，与子图案SDL1对应的特征400的抗蚀剂掩膜的空间傅立叶变换，包含比子图案SDL1的图像的强度图案的空间傅立叶变换更高的空间频率。抗蚀剂R2的第一次曝露和显影固定了在第二抗蚀剂材料层L2中的第一子图案图像，而抗蚀剂材料R2的特征400在第二次曝露期间用作接触掩膜(contactmask)，由此防止了与图案SDL1和SDL2对应的两个子图案图像的串扰或合并。因此，如转印到目标层(使用特征600作为蚀刻掩膜)的组合图案DL的空间傅立叶变换也包含比对应于半节距p0.5＝k1·λ/NA的倒数的更高的空间频率，由此k1≥0.25，这使得能够避开k1＝0.25的障碍。根据本发明的一个方面，目标层TL可以是IC层(诸如举例而言，掺杂多晶硅的层)或用作蚀刻掩膜的硬掩膜层。根据本发明，在两次曝露之间既不需要沉积硬掩膜层也不需要蚀刻硬掩膜层。取而代之，本曝露和线印刷方法原则上仅使用传统的水显影步骤，一个在两次曝露之间，一个在第二次曝露之后。因此，本方法可以很容易地在包括光刻装置和典型地与光刻装置相连接的涂覆/显影轨到的光刻系统中实施。适合供传统的双曝露工艺使用的光刻系统通常包括多个抗蚀剂显影装置和衬底涂覆装置，例如用于涂敷抗蚀剂层到衬底上的旋涂装置。根据本发明的一个方面，以及如图7中所示，光刻系统70除了光刻曝露设备71外包括能够把抗蚀剂材料层L2提供给衬底的旋涂装置72，以及控制该光刻曝露设备和旋涂装置的控制装置73。可以设置旋涂装置以把有预先选择的厚度的抗蚀剂层提供给衬底，由此这个工艺是完全自动的且在计算机控制下运行。由旋涂装置涂敷的抗蚀剂层的厚度被许多参数控制，该参数包括例如用于旋涂的旋转速度、抗蚀剂材料的温度、在旋涂期间涂敷到衬底W的抗蚀剂材料的量，和抗蚀剂材料的粘度。可以使用一个或多个旋涂装置以分别涂敷第一和第二抗蚀剂材料层L1和L2。在图8中示意性地描述了根据本发明实施例的光刻曝露设备。该设备包括-被配置以调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射，诸如举例而言，由以193nm或157nm的波长工作的激基激光器产生，或是EUV辐射，由以13,6nm工作的激光烧结的等离子体源产生)的照明系统(照明器)IL。-被构造以支撑构图装置(例如掩膜)MA和连接到被配置以根据某些参数精确定位该构图装置的第一定位器PM的支撑结构(例如掩膜台)MT；-被构造以支持衬底(例如抗蚀剂涂覆的晶片)W和连接到被配置以根据某些参数精确地定位该衬底的第二定位器PW的衬底台(例如晶片台)WT；以及-被配置以通过构图装置MA把给予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如反射式投影透镜系统)PS。照明系统可以包括用于导向、整形或控制辐射的多种类型的光学元件，例如折射、反射、磁性、电磁、静电或其它类型的光学元件，或它们的任意组合。支撑结构可以是一个框架或一个台，例如，它可以按要求而是固定或可移动的。支撑结构可以确保构图装置例如相对于投影系统而处在所希望的位置。这里对术语“标线片”或“掩膜”的任何使用都可以被认为是与更通用的术语“构图装置”具有相同含义。这里使用的术语“构图装置”应被广义地解释为指可以用来在辐射束的截面上给予它图案以在衬底的目标部分上产生图案的任何器件。应当注意，给予辐射束的图案可能不是精确地与衬底上的目标部分中的所希望图案对应，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征时。通常，给予辐射束的图案将与在目标部分中创建的、一个装置中的特殊功能层对应，例如集成电路。构图装置可以是透射性或反射性的。这里使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、和反折射光学系统，或它们的任何组合，如对所使用的曝露辐射合适的，或对其它因素，例如使用浸液或使用真空合适的。这里术语“投影透镜”的任何使用可以被认为是与更通用的术语“投影系统”有相同含义的。如这里所述，该设备是透射型的(即，采用透射掩膜)。可选择地，该设备可以是反射型的(例如采用反射掩膜)。该光刻设备可以是具有两个(双级)或更多衬底台(和/或两个或更多掩膜台)的类型。在这样的“多级”机器中，附加台可以并行使用，或者可在一个或多个台上进行预备步骤，而同时将一个或多个其他台用于曝露。光刻设备也可以是至少衬底的一部分被具有相对高折射率的液体例如水覆盖，以填充在投影系统和衬底之间的间隔的类型。浸液也可以被应用在光刻设备的其它间隔中，例如在掩膜和投影系统之间。沉浸技术在本领域中公知用于增加投影系统的数值孔径。这里使用的术语“沉浸”并不意味着例如衬底的结构必须被浸没在液体中，而仅仅意味着在曝露期间液体位于投影系统和衬底之间。参考图8，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。源和光刻设备可以是分开的实体，例如当源是激基激光器时。在这样的情况下，不认为源形成了光刻设备的一部分，且辐射束借助于包括例如适当的导向镜和/或束扩张器的束传输系统BD从源SO传到照明器IL。在其它情况下，源可以是光刻设备的集成部分，例如当源是汞灯的情况下。源SO和照明器IL，如果需要连同束传送系统BD一起，可以被称作辐射系统。照明器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器AD。通常地，至少可以调节在照明器的光瞳平面(pupilplane)内强度分布的外径和/或内径范围(通常分别称作σ-外和σ-内)。另外，照明器IL可以包括多种其它组件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器可以用于调节辐射束以在其截面中具有所希望的均匀度和强度分布。辐射束B入射到构图装置(例如掩膜MA)上，该构图装置被支持在支撑结构(例如掩膜台MT)上，并且通过构图装置来构图该辐射束。已经穿过掩膜MA后，辐射束B传过投影系统PS，该投影系统把该束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被精确地移动，以例如在辐射束B的路径上定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩膜库进行机器检索后或在扫描期间，第一定位器PM和另一定位传感器(其在图8中没有明显描述)可以被用来相对于辐射束B的路径而精确地定位该掩膜MA。通常，掩膜台MT的移动可以借助于长冲程(long-stroke)模块(粗糙定位)和短冲程(short-stroke)模块(精细定位)来实现，其形成了第一定位器PM的一部分。类似地，可以使用长冲程模块和短冲程模块实现衬底台WT的移动，其形成了第二定位器PW的一部分。在步进器模式下(与扫描仪模式相反)，掩膜台MT可以仅仅连接到短冲程致动器或者可被固定。可以使用掩膜对准标记M1、M2和衬底对准标记P1和P2来对准掩膜MA和衬底W。虽然如所述的衬底对准标记占用了专用的目标部分，但它们也可以位于目标部分之间的间隔中(这些被称为是划线道(scribe-lane)对准标记)。类似地，在掩膜MA上提供多于一个管芯的情况下，掩膜对准标记可以位于管芯之间。所述设备可以用以下模式的至少一种来使用1.在步进模式，掩膜台MT和衬底台WT被保持为基本静止，而被给予辐射束的整个图案一次地(即单静态曝露)投影到目标部分C上。衬底台WT然后在X和/或Y方向上移位，以使得可曝露不同的目标部分C。在步进模式中，曝露场的最大尺寸限制了在单静止曝露中成像的目标部分C的尺寸。2、在扫描模式中，掩膜台MT和衬底台WT可以被同步地扫描，而同时将被给予辐射束的图案投影到目标部分C(即单个动态曝露)。衬底台WT相对于掩膜台MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大(缩小)率和图像反转特性确定。在扫描模式中，曝露场的最大尺寸限制了在单个动态曝露中目标部分的宽度(在非扫描方向)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。在另一模式中，掩膜台MT基本保持静止，支持一个可编程构图装置，且衬底台WT被移动和扫描，同时将被给予辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲化的辐射源，且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间在相继的辐射脉冲之间按需要来更新该可编程构图装置。这个工作模式可以容易地应用到使用可编程构图装置的非掩膜光刻中，例如上述类型的可编程镜阵列。也可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。根据本发明的一个方面，如光刻曝露设备一样，光刻系统也包括光刻干涉设备。在这样的设备中，抗蚀剂层被曝露于在多射束干涉设备中得到的边纹图案(fringepattern)。例如，UV或DUV辐射的两个准直射束彼此以一定角度交叉以产生线性干涉条纹。具有光敏层的晶片被定位在可移动台上。该台被安排为旋转和分别在两维内平移(translation)。由任何合适的已知的源提供的、两个基本准直的相干光束以从与晶片相关的法线方向的可变角度指向彼此且指向光致抗蚀剂层，以在光敏层上形成干涉图案。相干辐射的干涉辐射束可以由例如使用束分离元件的ArF激基激光器产生，并且可以以任何适当的已知方式提供，以使得它们来自相同的源且在晶片处强度基本相同，这保证了高对比的曝露。在抗蚀剂层上产生的干涉图案可以例如通过旋转晶片和/或平移晶片来产生。根据本发明的控制装置73，参见图7，可以包括一个可以存储数据的存储器，该数据涉及子图案SDL1和SDL2且在被需要以产生组合的图案DL的两次曝露的每次曝露期间被用于控制光刻曝露设备71(诸如，举例而言涉及各级MT和WT的定位的设置，和/或涉及照明模式的设置)。相同的存储器可以用于存储涉及旋涂装置72的设置的数据，该旋涂装置被用于根据本发明把第二抗蚀剂材料层L2提供给衬底W。可能作为控制装置一部分的计算机被编程和安排为在存储器中存储的数据的基础上执行根据本发明的任何方法步骤。图9说明了根据本发明的方法步骤900。步骤的执行包括在所述计算机上运行计算机程序，所述计算机程序包含描述上述方法的机器可读指令的一个或多个序列。计算机包含其中存储有这样的计算机程序的机器可读媒体(例如半导体存储器、磁或光盘)根据本发明的一个方面，利用用于根据步骤900构图一个衬底的机器可执行指令对机器可读媒体编码。配备有目标层TL和第一抗蚀剂材料层L1的衬底W被提供(步骤902)给旋涂装置，其可以包含把衬底从光刻曝露设备71传输到旋涂装置72的衬底操纵装置(handler)。然后，在步骤906，确定第二抗蚀剂层L2的需要的厚度TH2，以使得吸收率A防止在曝露第二层L2期间在已曝露区域301下面的(以及在曝露载有所述特征400的第一层L1期间在特征400下面的)第一抗蚀剂R1的至少一部分曝露于高于清除能量Eo的曝露剂量。为了这个目的，获得了数据904，包括涉及到抗蚀剂材料R1和R2的数据，涉及各自吸收率，诸如举例而言参数ε(PAG的摩尔吸收率)和c(PAG的浓度)的数据，和涉及第一和第二曝露的数据。后面的数据可能牵涉到图案SDL1和SDL2的属性，诸如举例而言，掩膜的类型和临界尺寸偏置，以及要施加的曝露剂量。在步骤906中确定厚度TH2可以例如包括计算吸收率和应用等式1-4。该确定可以包括在例如第二抗蚀剂材料的预先给定的吸收率基础上计算用于TH2的最小厚度值，由此保证第一抗蚀剂R1曝露到高达清除能量Eol的一小部分的曝露剂量。该小部分优选地是小于0.5的数。该确定可以进一步包括基于例如第二抗蚀剂材料的预先给定的吸收率来计算TH2的最大厚度值，由此实现贯穿其厚度在已曝露区域中光激活第二抗蚀剂材料层L2的要求。可选择地，可以使用吸收率值的查询表。在步骤908中，在确定步骤906的结果的基础上确定用于旋涂器的设置，在步骤910中这些设置被应用到旋涂器，以使得抗蚀剂材料层能够根据本发明适当地涂覆以抗蚀剂材料层L2。接着，将衬底传输到光刻设备71(步骤912)，这再一次可以包括使用衬底操纵装置和传输装置。在步骤914中，执行根据本实施例的第一次曝露，且在步骤916中应用第一抗蚀剂显影工艺。类似地，在步骤918和920中，执行第二次曝露和第二次抗蚀剂显影工艺。数据904可以进一步包括子图案重叠数据和定位数据分别用于对图案SDL1和SDL2的标线片。因此，这些数据应该被得到并在步骤914和918中使用，使得在第二次曝露期间，第二子图案SDL2相对于第一子图案SDL1(根据例如图2)在并列的登记处(juxtaposedregistry)曝露以提供根据在图6中所述的图案来构图的抗蚀剂掩膜。在执行步骤920后，得到了这个抗蚀剂图案600。本发明的第二实施例与上述的本发明的第一实施例相同，对于选择抗蚀剂材料R2是安全的。在这个实施例中，抗蚀剂材料R2是i-线抗蚀剂，其正如KrF抗蚀剂那样吸收193nm波长的辐射。可选择地，抗蚀剂材料L2包括与i线抗蚀剂或者KrF抗蚀剂不同的正性抗蚀剂且对于193nm辐射具有足够的吸收率，以根据本发明和如第一实施例中描述的那样去提供对层L2的吸收。本发明的第三实施例与上述本发明的第一实施例相同，对于辐射源和对组合地选择抗蚀剂材料R2和R1是安全的。在这个实施例中，第一抗蚀剂材料R1是KrF抗蚀剂，而源SO是KrF激基激光器。抗蚀剂材料R2可以例如是i-线抗蚀剂。可选择地，抗蚀剂材料L2包括与i线抗蚀剂不同且对248nm辐射具有足够吸收率的正性抗蚀剂，以类似于第一实施例，提供根据本发明的对层L2的吸收率。类似地，在本发明的第四实施例中辐射源SO是i线汞弧，而第一抗蚀剂材料R1是i线抗蚀剂。在本实施例中的抗蚀剂材料R2是具有对i线辐射的足够吸收率的正性抗蚀剂，以类似于第一实施例，提供根据本发明的对层L2的吸收率。虽然在本文本中特别引用了在IC的制造中使用光刻设备，但是应该理解这里所述的光刻设备可以具有其它应用，例如集成光学系统的制造，用于磁畴存储器的导向和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会理解在这样的可选择的应用的环境下，这里任何对术语“晶片”或“管芯”的使用都可以被认为是分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义的。在曝露之前或之后可以例如在轨道(一种典型地涂敷抗蚀剂层到衬底上或显影被曝露的抗蚀剂的工具)、在计量工具和/或检验工具中处理这里所指的衬底。在可应用的处，这里的公开内容可以被应用于这样的和其它的衬底处理工具。而且，例如为了产生多层IC，可以不止一次地处理该衬底，以使得这里使用的术语衬底也可以指已经包含多个被处理层的衬底。这里使用的术语“辐射”和“射束”包括多种类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极端紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。术语“透镜”，在上下文允许处，可以指多种类型的光学元件的任何一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学元件。尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，将会理解本发明还可以以除描述之外的另外的方式实践。上面的说明书仅仅是打算作为说明性的，而不是限制。因此，本领域技术人员将会理解在不脱离下面陈述的权利要求的范围的情况下可以对所描述的本发明作出修改。权利要求1.一种被构造和安排以使用光刻工艺构图的衬底，其中该衬底被曝露于辐射，包括至少部分地覆盖该衬底的第一正性抗蚀剂的第一层；和第二正性可显影材料的第二层，其具有对该辐射的预先选择的吸收率且至少部分地覆盖该第一层，其中吸收率被安排为，在该第二层曝露于辐射期间-防止在该第二正性可显影材料下面的第一正性抗蚀剂的至少一部分曝露于超出与第一层相关的清除能量曝露剂量的一小部分的曝露剂量，和-提供该第二层的基本完全的光活化。2.根据权利要求1的衬底，其中第二正性可显影材料是正性抗蚀剂材料。3.根据权利要求1或2的衬底，其中第一正性抗蚀剂是ArF抗蚀剂或丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯基抗蚀剂。4.根据权利要求1或2的衬底，其中第一正性抗蚀剂是ArF抗蚀剂或丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯基抗蚀剂，和其中第二正性可显影材料是KrF抗蚀剂或多羟基苯乙烯基抗蚀剂。5.根据权利要求1或2的衬底，其中第一正性抗蚀剂是KrF抗蚀剂或多羟基苯乙烯基抗蚀剂，和其中第二正性可显影材料是i线抗蚀剂或重氮萘醌基抗蚀剂。6.根据权利要求1-5的其中任意一项的衬底，其中与第一层相关的清除能量曝露剂量的一小部分小于0.5。7.一种在衬底上形成抗蚀剂材料的密集特征的图案的方法，包括把衬底曝露于穿过构图装置的辐射，所述衬底包括-至少部分地覆盖该衬底的第一正性抗蚀剂的第一层，该方法包括-给该第一层提供第二正性可显影材料的第二层，其具有比第一层吸收率更高的吸收率；-在该图案中识别两个交错的半密集特征的图案；-把该图案分成具有各自相关的第一和第二辐射图案的相应的第一和第二图案，其中半密集特征与在亮背景中的暗特征对应；-使第二层曝露到第一辐射图案；-显影该第二正性可显影材料，以提供从第一层凸出的、由未被覆盖的第一抗蚀剂材料的区域分隔开的特征图案；-将未被覆盖的第一抗蚀剂层和凸出特征曝露于第二辐射图案，由此该暗特征相对于该凸出特征而以交错的关系定位，和-显影该第一抗蚀剂材料以提供密集特征的图案。8.根据权利要求7的方法，其中安排第二层的吸收率以防止在曝露期间，在第二正性可显影材料下面的第一正性抗蚀剂的至少一部分曝露于超出与第一层相关的清除能量曝露剂量的一小部分的曝露剂量，且提供该第二层的基本完全的光活化。9.根据权利要求8的方法，其中与第一层相关的清除能量曝露剂量的一小部分小于0.5。10.根据权利要求7-9的任意一项的方法，其中第二正性可显影材料是与第一正性抗蚀剂不同的第二正性抗蚀剂。11.根据权利要求7-9的任意一项的方法，其中辐射是ArF激基激光器辐射，且该第一抗蚀剂是ArF抗蚀剂或丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯基抗蚀剂。12.根据权利要求10的方法，其中辐射是ArF激基激光器辐射，且第一抗蚀剂是ArF抗蚀剂或丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯基抗蚀剂，且其中第二抗蚀剂是i线抗蚀剂或重氮萘醌基抗蚀剂或KrF抗蚀剂或多羟基苯乙烯基抗蚀剂。13.根据权利要求10的方法，其中辐射是KrF激基激光器辐射，且该第一抗蚀剂是KrF抗蚀剂材料或多羟基苯乙烯基抗蚀剂，其中第二抗蚀剂是i线抗蚀剂或重氮萘醌基抗蚀剂。14.根据权利要求7-13的任意一项的方法，其中密集特征是密集线形特征。15.一种用机器可执行指令编码的机器可读媒体，用于按照一曝露方法使用构图辐射来构图一个衬底，且包括把衬底提供给旋涂装置，该衬底具有一个目标层和具有一个至少部分覆盖该目标层的正性抗蚀剂的第一层，该目标层被构造和安排以利用所希望的图案来以光刻方式构图，该所希望的图案包括第一子图案和第二子图案；得到数据以用于确定要被布置在该第一层上的正性可显影材料的第二层的吸收率；在所述数据的基础上和根据该吸收率来确定该第二层的厚度，防止在第二可显影材料曝露于辐射期间在该正性可显影材料的已曝露部分下面的正性抗蚀剂材料的至少一部分曝露；在已确定的厚度的基础上确定该旋涂装置的设置，应用该设置并把该第二层提供给该第一层；根据该第一子图案而把该衬底曝露于该辐射的第一图案；显影该正性可显影材料；根据该第二子图案把该衬底曝露于该辐射的第二图案；和显影该正性抗蚀剂。16.根据权利要求15的媒体，由此该正性可显影材料是与该第一层的正性抗蚀剂材料不同的第二正性抗蚀剂。17.一种光刻系统，包括光刻曝露设备，能够把一层可显影材料提供给衬底的旋涂装置，和用于控制光刻曝露设备和旋涂装置的控制装置，其中该控制装置包括根据权利要求15的机器可读媒体。18.根据权利要求17的系统，其中光刻曝露设备是光刻投影设备和光刻干涉设备中的一种。全文摘要这里给出了一种用于在光刻系统中提高图像分辨率的双曝露方法。本发明包括把要印刷在衬底上的所希望的图案分解成至少两个能够被光刻系统光学地分辨的组成子图案，利用在目标层之上的第一正性抗蚀剂层和相对薄的第二正性抗蚀剂层涂覆衬底，该目标层要用所希望的密集线图案构图。在第一构图曝露期间和在显影后、在第二构图曝露期间，第二抗蚀剂材料吸收曝露辐射，以防止在第二抗蚀剂材料层的已曝露部分下面的、该第一抗蚀剂材料的至少一部分曝露于高于与第一抗蚀剂层相关的清除能量曝露剂量的一小部分的曝露剂量。文档编号G03F7/039GK1952790SQ20061016274公开日2007年4月25日申请日期2006年9月25日优先权日2005年9月26日发明者A·C·-H·陈申请人:Asml荷兰有限公司