具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜、投射曝光设备、投射曝光方法以及镜的制作方法

专利名称：：具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜、投射曝光设备、投射曝光方法以及镜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及包括将放置于投射物镜物面中的图案成像到投射物镜像面上的排列的多个光学元件的折反射投射物镜。本发明进一步涉及投射曝光设备、采用这样的投射物镜的投射曝光方法以及镜。
背景技术：
：微光刻(microlithographic)工艺通常用于诸如集成电路(IC)液晶元件、微构图构件和微机械部件的半导体元件的制造中。用于光刻的投射曝光设备一般包括配置为将来自光源的原始光变形为照明光的照明系统以及投射物镜。来自照明系统的光照明具有给定图案的掩模母版(或掩模)，而投射物镜将图案的像传送到置于投射物镜像面中的感光基底的区域上。通常以缩小的比例执行具有高分辨力的投射，以在基底上产生掩模母版图案的缩小像。在光学光刻技术中，必须对于相对较大且几乎平坦的像场(imagefield)实现高分辨力以及对色差和其他像差的良好校正状态。凹面镜已经用了一段时间用以帮助解决色差校正和像平整化的问题。凹面镜具有正的屈光力，像正透镜一样，但具有匹兹伐场曲的符号相反。另外，凹面镜不引入色差。因此，由折射和反射元件组合(具体地，由透镜和至少一个凹面镜组合)的折反射系统常常被用于构造高分辨力的投射物镜，用于使用紫外光的微光刻。不幸地是，由于凹面镜使光沿其来的方向返回，所以凹面镜难以集成到光学设计中。人们期望实现集成凹面镜的智能设计。一些允许高像方数值孔径NA和良好校正状态的折反射投射物镜包括两个或多个级联式(或串联式)成像物镜部分以及一个或多个中间像。设计用于使用离轴视场获得无渐暈且无模糊的一类串联式系统使用位于或光学上接近折反物镜部分的光瞳面处的单个凹面镜，以及一个或多个置于凹面镜前面以校正轴上色差(CHL)和匹兹伐和的负透镜。典型地，这样的投射物镜具有相对于光轴倾斜的第一偏转镜，该镜用于将来自物面的光偏转到凹面镜6或者将由凹面镜反射的光偏转到下游的物镜部分。可以提供相对于第一偏转镜成直角放置的第二偏转镜，用以使得物平面和像平面平行。在例如US2006/0077366Al、US2003/0234912Al、US2005/0248856Al、个凹面镜的折叠式折反射投射物镜的代表性示例。为了保证偏转镜具有高反射率，它们通常被镀以反射涂层，该反射涂层常常被设计为多层介电层(介电多层叠层)或设计为金属层和介电层的组合。如果介电层在高入射角工作，则对于入射到这样的镜上的以及由这样的镜反射的光的反射率通常以依赖于偏振的方式被影响。此外，随着投射物镜像方数值孔径NA增加，入射到偏转镜上的光的入射角的范围(也表示为入射角的谱)可以增加。'例如，在设计用于NAM的浸没光刻技术的投射物镜中，在相对于光轴倾斜45。的偏转镜上给出的入射角可以覆盖大约30。到大约60°的范围。期望偏转镜涂覆有具有高反射率(例如，90%或以上)的反射涂层，该反射率本质上对于发生在偏转镜上的所有入射角是常数并且反射率的偏振依赖可忽略。在这种折反射系统中，利用这种"理想的"反射涂层能够消除偏转镜对投射光束当中的光的强度分布以及偏振分布的消极影响。然而，这种"理想的"反射涂层当前是不能得到的。已经发现，在一定成像条件下，在这种折反射系统中，包括在要被成像的图案中的具有不同方向的结构线以不同的效率被投射。这些对于多种结构方向的方向依赖的差别也被称为H-V差别(水平-垂直差别)或临界尺寸中的变化(CD变化)，并且能够通过光致抗蚀剂材料中不同结构方向的线宽差异被观察到。人们已经提出了多种设想以避免这种方向依赖的差别。由申请人申请的公布为WO2004/025370的国际专利申请(对应于US专利申请序列号11/066,923)公开了具有凹面镜和光束偏转装置的折反射投射物镜，该光束偏转装置具有相对于光轴倾斜第一倾斜角的第一偏转镜以及相对于光轴倾斜第二倾斜角的第二偏转镜，其中两者倾斜角可以是45。或接近45°。在包括分配给偏转镜的倾斜角的入射角的范围中，针对s偏振光的所述偏转镜的反射率&与针对p偏振光的所述偏转镜的反射率Rp之间的比值Rsp对于偏转镜中的一者大于1而对于偏转镜中的另一者小于1。这种安排允许使用第二偏转镜处的反射，以至少部分地补偿被第一偏转镜所影响的s及p偏振的反射光强的比值中的变化。因此，偏转镜的反射涂层的设计确保偏转镜对偏转镜处所反射的光的偏振依赖的影响保持相对的小。在公布为WO2005/124420Al的国际专利申请中公开了利用两个偏转镜以及意在影响通过偏转镜的光的偏振状态的反射涂层的其它的折反射投射物镜。在某些微光刻技术中，利用来自有效光源的光来照明掩模的图案，所述有效光源由对应于特定照明才莫式的照明系统的光瞳面处的光强分布所形成。照明模式包括具有不同相干度(例如由参数CJ定义的)的传统照明模式以及施加离轴照明的非传统照明模式。当期望用于特定光刻技术的临界尺寸变得非常接近曝光系统的理论分辨率极限时，可以优选离轴照明模式。使用离轴照明，提供图案的掩模以倾斜(非垂直)角被照明，其可以提高分辨力，特别是通过增加焦深(DOF)和/或对比度来提高处理的范围。一种已知的离轴照明模式是环形的，其中光轴上传统的零级光斑被改变为环状强度分布。另一种模式是多极照明，其中用以形成有效光源的照明系统光瞳面处的强度分布是由一些不在光轴上(离轴)的极来表征的。常常将偶极照明用于具有一个主要周期方向的印刷图案。使用四个离轴照明极的四极照明可以用于其中图案包括沿相互垂直方向的正交线(有时，表示为水平和垂直线)的子图案的情况。通过控制照明光的偏振状态可以获得进一步的改进。
发明内容本发明的一个目的在于提供具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜，其允许对包括沿各种方向取向的子图案的图案成像，使得可以大大避免由于子图案的取向差别而造成的线宽变化。本发明的另一个目的在于提供具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜，其允许对包括沿各种方向取向的子图案的图案成像，使得可以大大避免由于子图案的取向差别而造成的对比度变化。本发明的再一目的在于提供具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜，该偏转镜对投射物镜的光瞳面中照明极的强度分布基本上没有消极影响。所述折反射投射物镜可以用于在利用来自深紫外(DUV)或极深紫外(VUV)范围的紫外光的投射曝光装置中实现微光刻工艺。依照一种设计，作为实现上述以及其它的目的的技术方案，本发明提供一种折反射投射物镜，其包括沿光轴放置的多个光学元件，用以将置于投射物镜物面中的图案成像到才殳射物镜的像面上，所述光学元件包括凹面镜；绕第一倾斜轴相对于光轴倾斜第一倾斜角^的第一偏转镜，用以将来自物面的光偏转到凹面镜或将来自凹面镜的光偏转到像面；绕第二倾斜轴相对于光轴倾斜第二倾斜角t2的第二偏转镜；所述第一偏转镜具有第一反射涂层，对于以依照U厂Aod)《ot"(t!+△ai)的第一入射角范围中的第一入射角oc,入射到所述第一偏转镜上的s偏振光，该第一反射涂层具有反射率Rs'(oc,),而对于以依照(t厂Aa)《ai<(t,+A0d)的第一入射角范围中的第一入射角Od入射到所述第一偏转镜上的p偏振光，该第一反射涂层具有反射率Rp乂a,);所述第二偏转镜具有第二反射涂层，对于以在依照(t厂Aa2)<ot2《(t2+△oc2)的第二入射角范围中的第二入射角a2入射到所述第二偏转镜上的s偏振光，该第二反射涂层具有反射率R(a2),而对于以在依照(t2-Aw)<a2<(t2+Aa2)的第二入射角范围中的第二入射角(x2入射到所述第二偏转镜上的p偏振光，该第二反射涂层具有反射率Rp2(a2);其中，两极边缘光线的s偏振光的在所述第一和第二偏转镜上反射后所累积的第一反射率总和R/E基本上等于赤道边缘光线的p偏振光的在所述第一和第二偏转镜上反射后所累积的第二反射率总和RpE。通常，第一和第二偏转镜中的每一个的反射率R依赖于入射到那个镜上的光分量的偏振方向(例如，s偏振或p偏振)且依赖于入射到镜上的光线的入射角(a)。这些依赖性是由参数Rs1(a)、Rs2(a)、Rp1(a)以及Rp2(a)分别给出的，其中，标志1和2表示各个偏转镜。当入射光束具有有限的开放角(由各个偏转镜的位置处光束的数值孔径所确定)时，落在偏转镜上的入射角的谱基本上以与对应偏转镜的倾斜角相对应的入射角为中心。各个偏转镜上入射角的范围在与中心值(a"顷斜角t)相差一角度差Aa的最小入射角(0CMIN)与最大入射角(OCMAX)之间分布，角度差Aoc的值通常依照Aa二asin(cj*NA0B;/(3x)而依赖于投射物镜的物方数值孔径NA0Bj、投射物镜的物面与接近各个偏转镜的视场平面(fieldplane)之间的放大率Px以及由各个照明模式定义的参数a。在偏转镜定位成光学上接近物面的情况下，px=l。同样地，在偏转镜接近由具有大约1:1放大率的中继系统所形成的中间像的情况下，Px接近或等于1。参数值cr(常常称为相关因数)通常用来表示传统设置中照明强度圆盘的半径与照明系统的光瞳半径的比值，因此取0与l之间的值。通常，cj的为1或接近1的值对应于处于照明系统光瞳边缘或非常接近该边缘的光瞳位置。在光刻过程中，可以采用对应于那些接近光瞳边缘的区域的倾斜照明方向，以获得高的分辨力和对比度。在本申请中，来源于接近光瞳边缘的窄区域的光线被表示为"光瞳边缘光线"。根据各个偏转镜的取向以及光瞳边缘光线的始点相对于倾斜偏转镜的倾斜轴方向的位置，"光瞳边缘光线口可以以接近最大或最小入射角的入射角入射到各个偏转镜上。具体地，在光瞳边缘光线从以与偏转镜的倾斜轴相垂直的方向为中心的位置发出的情况下，可出现高入射角。在本申请中，那些从以与偏转镜的倾斜轴相垂直的方向为中心的位置发出的光瞳边缘光线被表示为"两极边缘光线"。相反地，从沿平行于偏转镜的倾斜轴的方向延伸并包括光轴的光瞳窄区域发出的光线可以以相应的倾斜角或接近该倾斜角的入射角入射到偏转镜上。在本申请中，沿平行于偏转镜倾斜轴的方向延伸的光瞳窄区域被表示为"赤道地带"。在本申请中，从赤道地带发出的光线被表示为"赤道光线"。例如，当倾^f角为45。时，赤道光线可以具有例如45。±5°或45°±3°范围中的入射角。在本申请中，从赤道地带发出的光瞳边缘光线被表示为"赤道边缘光线"。在本申请中，从位于或接近光轴的光瞳位置处的赤道地带发出的光线被表示为"光瞳中心光线"。那些光瞳中心光线通常从具有例如cj〈0.2以A/或ct<0.3的小ci值的中心区域发出。术语"偏转镜"表示设计用于偏转预定义角度或一角度范围左右的辐射的反射光学元件。"偏转镜，，可以是平面镜，在该情况中偏转镜有效地折叠光轴而不对经反射的光线引入其它的影响。平面偏转镜不具有屈光力。偏转镜可以具有显著偏离平面的面型。例如，偏转4竟的表面可以以^求面的或非^求面的方式弯曲，以尽力校正对经反射的光线的影响。当依照本发明的这个方面调整偏转镜的反射率时，可以通过偏转镜的反射涂层的结构和反射率特性，确保光束在第一和第二偏转镜处的相继反射不10会导致源自光瞳的两极边缘区域的光线(两极边缘光线)与仅以相应倾斜角或接近该倾斜角(例如，以45°或接近45°)的入射角入射到偏转镜上的光线(例如，源自赤道地带的光线)之间的显著的强度差别。第一反射率总和RSPE代表在偏转镜上由具有最大和最小入射角的光线分别遭受的反射损失。那样的光束在双光束干涉情况下^皮用来获得高的对比度和分辨力。此外，通常采用仅偏离极值一较小量如5°或4°或3°或2°或更小的光线，以获得用于图像处理的足够强度。那些光线可以包括在11严的计算中。第二反射率总和RpE代表以相应倾斜角或接近该倾斜角的入射角入射到偏转镜上的光线所遭受的反射损失。通常，那些光线包括沿由光轴和各个偏转镜的倾斜轴定义的平面传播或相对于该平面成小角度的光线。例如，偏离可以小于5°或4°或3°或2。。那些光线可以包括赤道边缘光线，并且可以包括沿光轴传#"或相对于光轴成小角度的光线。如果那些选中的光线组的反射率如上所述本质上相平衡，则可以将偏转镜光学下游的那些光线的强度不均匀性消除到各个光刻工艺所需要的程度。在该上下文中，术语"基本上相等的"说明这样的事实通常考虑相对窄的角度范围的平均值，并且一般不需要第一和第二反射率总和精确相同。反射率总和之间的可允许偏差量通常将依赖于与光瞳中的强度不均匀性相关的各个光刻过程的敏感性，因此可以容许3%或更小等级的反射率总和之间的偏差。一般，在本申请中，符号"％"被理解为"百分点"。例如，反射率11=90%和尺=91%差1个百分点，即1%。尽管相对差别大，但对反射率11=50%和11=51%仍具有相同的含义。在一个实施例中，有效反射率分裂(splitting)厶R依照AR-R/E-R/、定义为第一反射率总和R/E与第二反射率总和RpE之差，其小于2%。这里<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>以及<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>在一些实施例中，有效反射率分裂AR可以是1.5%或更小以及/或1%或更小。一般，在多数情况中存在有限量的反射率分离。如果仅考虑光线的窄频谱，则可以获得接近AR-O的小值。例如，可以设计反射涂层以使得关于与图案的最临界周期相对应的一对入射角a應和a曲的反射率分离AR=0，对于该图案的最临界周期，衍射级次位于投射物镜光瞳边缘的紧邻附近，例如，(J>0.98处。已经发现，如果考虑极值(分别地，OCmax和OCmin)与接近中心值或中心值处(例如，a=t)之间的入射角的全部范围，对于图案中的较大的周期频谱，可以避免由那些不均匀的强度分布所引起的强度椭圓性(intensityellipticity)以及对应的CD变化。依照一个实施例，可以实现如下情况，即在第一和第二偏转镜中至少一者上具有入射角a的s偏振光的反射率的变化Rs(a)基本上关于与偏转镜的倾斜角相对应的入射角处的反射率值Rs(t)成点对称，从而对入射到各个偏转镜上的入射角范围中的全部入射角a，满足条件Rs(t+5a)+Rs(t-5a)=Rs(t)±0.5%(3)其中Sa是倾斜角t与各个入射角a之间的差。数学意义上可接受的对点对称的偏离会更小，例如±4%和/或±0.3%和/或±0.2%(符号口％口表示百分点反射率)。由等式(1)至(3)所表示的条件可以被认为是用以确保光瞳边缘或接近光瞳边^彖的区域中，例如在0.7<a《1的区域中，对应于切向偏振的照明模式的出众性能的最小需要。如果期望利用基本上非偏振的光来操作曝光设备，则除等式(1)和(2)的条件外，还应当满足条件(Rp(t+5a)+Rp(t-5a))/2=Rs(t)±2%(4)如果服从这些条件，则对于切向偏振以及径向偏振(沿光瞳径向方向的优选偏振方向)和使用非偏振光(本质上没有优选偏振方向的光)的情况，强度椭圆率都可以避免。如果偏转镜的反射率特性满足条件(Rs(t-Aa)+Rs(t+Aot))/2=Rp(t)±0.5%(5)则可以使用单个镜作为以倾斜角t倾斜的偏转镜，而在使用偏振光时不引入所述反射率不均匀性。这样的镜可以被表示为"平衡"镜。可以使用具有两个涂覆有同样涂层结构的"平衡"偏转镜的偏转装置。如果期望使用非偏振光(本质上没有优选偏振方向的光)用于曝光过程，则除期望满足平衡镜的条件(5)之外，还应当满足与正交偏振方向相关的条件(Rp(t-△ot)+Rp(t+△a))/2=Rs(t)±0.5%(6)12因此，满足条件(5)和(6)将允许使用切向或径向偏振或去偏振光。涂层在条件(5)外满足条件Rp(t)=Rs(t)±0.5%(7)将允许在光瞳边缘处使用切向偏振而在靠近光瞳中心处(接近光轴)使用非偏振光。因此，本发明还涉及具有镜基底以及涂覆于基底之上的反射涂层的镜，其中，反射涂层的反射率特性符合等式(5)或等式(5)和(6)或等式(5)和(7)。镜可以是适合被用作无屈光力的偏转镜的平面镜，以折叠光轴。在考虑用于所期望的一系列光刻工艺的预设条件的情况下，上述条件可以用作设计及优化要被用于偏转镜的反射涂层的结构的目标函数。例如，反射涂层的设置可以结合诸如切向偏振的特定优选偏振条件、针对诸如偶极照明或四极照明的照明模式的限制设置来优化。当使用其它的照明设置时，在偏转镜的下游中可发生强度分布的预定的偏离。如果是期望的，则那些偏离可以用另外的方法来补偿。在一些实施例中，有目的地影响照明系统当中有效光源的强度分布，以提供适合于偏振镜上的反射率非均匀效应的非均匀分布，从而，在组合作用下，可以在偏转镜的下游中获得基本上没有强度椭圓性的相对均匀的强度分布。以局部解决方式调整照明系统的光瞳中的强度分布的适当手段可以包括在照明系统的光瞳面的区域中使用可变透射滤波器、利用为照明光瞳的不同区域提供不同衍射效率的书f射光学元件、利用诸如在US2005/0152046Al中所示之类的多平面反射面配置、或其它具有相似性能的方法，以有目的地定义照明系统的光瞳面中的非均匀空间强度分布。依照另一方面，本发明涉及利用折反射投射物镜制作半导体器件以及其它类型的微器件的方法，该方法包括使用具有预定波长的紫外光照明掩模；利用以上或以下所述的折反射投射物镜将图案的像投射到光敏基底上。可以获得在掩模上原始结构和基底上成像结构之间具有高重现度(highfidelity)的微结构器件。本发明还涉及投射曝光设备，该设备包括产生原始光的光源；照明系统，使原始光成形以产生入射到载有图案的掩模上的照明光；以及投射物镜，将图案的像投射到光敏基底之上，投射物镜本质上如上或如下所配置。优选，可以采用在260nm与100nm之间范围中诸如193nm或157nm的紫外原始光。可以想到，本发明可以应用于NA〈1的用于干法光刻的投射物镜，也可以应用于用于浸没光刻的投射透镜，特别是NA^1的投射物镜。实施例可以具有例如NA20.80和/或NA^0.卯和/或NA^1.0。本发明的上述以及其它特点不仅在权利要求书中可以看到，在说明书和附图中也可以看到，其中，个体的特征可以单独使用或者在依照本发明的实施例的子组合中以及其它的领域中使用，并且其可以个体地表示有利的和可专利的实施例。图1A示出具有照明系统和投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备的一实施例的示意图，图1B和1C示出在照明系统的光瞳面中依照四极照明模式的具有切向偏振的有效光源的强度分布，以及图1D示出在光轴上或其附近具有其它的非偏振强度的图1B、1C的照明模式。图2示出折反射投射物镜的一部分的具体示意图，所述折反射投射物镜具有单个凹面镜和两个将光朝向凹面镜及从凹面镜引导的偏转镜。图3是示出在涂覆有传统反射涂层的偏转镜处，分别对s偏振和p偏振光的反射率&和Rp对入射角a的依赖性的图。图4是示出在涂覆有依照反射涂层的第一实施例的反射涂层的偏转镜处，分别对s偏振和p偏振光的反射率K和Rp对入射角a的依赖性的图。图5在5A中示出由参考系统REF所产生的与由使用5B中示意性描述的测试图案的本发明第一实施例EMB1所产生的不同线周期(节距)下的关于H-V差别的成^^莫拟结果的比较图。图6是示出在涂覆有依照反射涂层的第二实施例的反射涂层的偏转镜处，分别对s偏振和p偏振光的反射率Rs和Rp对入射角a的依赖性的图。图7示出包括根据本发明实施例的偏转镜的折反射投射物镜的第一实施例的示意图；以及图8示出包括根据本发明实施例的偏转镜的折反射投射物镜的第二实施例的示意图。具体实施例方式在下面优选实施例的描述中，涉及的物是载有集成电路的层的图案或例如光栅图案的其它图案的掩模(掩模母版)。物的像被投射到担当基底的晶片上，该晶片涂覆有光致抗蚀剂材料层，但是其它类型的基底，诸如液晶显示器部件或用于光学光栅的基底的也是可行的。在图中，对应的特征用相似或相同的参考符号来指明，以便理解。图1示意性地示出晶片扫描仪WS形式的微光刻投射曝光设备，该设备用于以步进-扫描模式制造大尺寸的集成半导体部件。投射曝光装置包括作为光源的具有大约193nm的工作波长的ArF受激准分子激光器L。诸如248nm或157nm的其它的工作波长在其它的实施例中也是可行的。下游照明系统ILL在其出射面ES处产生大的、清晰界定、均匀照明的照明场，其适应于下游折反射投射物镜PO的远心要求。照明系统ILL具有用于选择照明模式的装置，并且在本例中，能够在具有不定相干度(a)的传统轴上照明与离轴照明特别是环形照明(在照明系统的光瞳面中具有环状的照明区域)和偶极或四极照明之间变化。设置在照明系统下游的是装置RS(掩才莫母版台)，用于保持及操纵掩才莫M,使得形成在掩模上的图案位于与投射物镜PO的物面OS相一致的照明系统出射面ES中，并且该图案能够在该平面内移动用于在与照明系统与投射物镜的公共光轴AX(即，Z方向)相垂直的扫描方向(Y方向)中的扫描操作。设计缩版投射物镜PO,用以在像方数值孔径NA〉1下将由掩模所提供的图案的像用4:1的缩小比例(放大率|(3|=0.25)成像到涂覆有光致抗蚀剂材料层的晶片W上。担当光敏基底的晶片W以这样的方式放置具有光致抗蚀剂材料层的平面基底表面SS基本上与投射物镜的平面像面IS相重合。由装置WS(晶片台)保持晶片，装置WS包括扫描驱动器，以便平行于掩模而与掩模M同步地移动晶片。装置WS还包括操纵器，以便在平行于光轴的Z方向和垂直于所述光轴的X和Y方向上移动晶片。具有至少一个垂直于光轴延伸的倾斜轴的倾斜装置被集成于其中。投射物镜PO具有平凸形的最末透镜LL作为最靠近像面IS的最末光学元件，所述最末透镜的平面出射面是投射物镜PO的最后的光学面(出射面)。投射设备配置成用于在NA>1情况下实现浸没光刻，该投射设备包括浸没介质引导系统(未示出)，以将透明的、高折射率的浸没液体IL,诸如纯水或具有添加物的水，引导进入才殳射物镜的出射面和基底之间的小间隙中，从而使得浸没液体至少在曝光的区域中完全地覆盖晶片的基底面SS,并使得当正确地设置有限像方工作距离时，投射物镜的出射方末端区域浸没到浸没液体中。整个系统由中央计算^LCOMP控制。照明系统ILL包括光瞳整形单元PSU，光瞳整形单元PSU配置为建立由照明系统的光瞳面P^处的预定义强度分布所形成的有效光源^FF。光瞳面PlLL对于掩模M所处的投射物镜PO物面是傅立叶变换面。因此，有效光源EFF的光强的空间分布确定入射到掩模M上的照明光的角分布。提供聚光器系统CS，用以执行傅立叶变换。投射物镜PO的出射方光瞳面Ppo与照明系统的光瞳面Pnx光学共轭。从而，当不存在掩模时，在投射物镜的光瞳面Ppo中可以形成等同于有效光源EFF处的强度分布的空间强度分布。当载有图案的掩模插入到照明系统与投射物镜之间时，投射物镜的光瞳面Ppo中的强度分布也包括对应于掩模图案特性的衍射信息。在图l所示的情况中，光瞳整形单元PSU的可变光学元件#1调整，以使得有效光源EFF的预定义的强度分布是以四个离轴极PX1、PX2、PY1、PY2为特征的四极照明模式，每一个极具有环的一端的形状且靠近光瞳边缘(参看图1B至1D)。如这里所使用的，术语"极"指被较小光强或无光强的区域所包围的且具有相对高的光强的给定形状和尺寸的区域。极在接近1的外C7值C7。和内CJ值CTi之间的CT变动范围A(7中在径向方向上延伸。值(7i和C7。是极的内半径和外半径与光瞳的半径的比值。例如，在适于充分利用投射系统的全部分辨力的照明模式中，(7典型地在大约(^=0.7和€7。=0.98之间的范围内变化。在本实施例中，极以大约30。至40。的方位角(环向)的方向延展，例如，大约35°。来源于靠近光瞳边缘的窄区域(cj值为l或接近l，例如d>0.7和/或a>0.8)的光线被表示为"光瞳边缘光线"。根据各个偏转镜的取向和光瞳边缘光线相对于倾斜偏转镜的倾斜轴方向的原点位置，"光瞳边缘光线"可以以接近最大或最小入射角的入射角被入射到各个偏转镜上。在本申请中，源自16以垂直于偏转镜的倾斜轴的方向(y方向)为中心的位置的光线被表示为"两极边缘光线"。从而，y极PYl和PY2对应于两极边缘光线。因此，这些极也被表示为"两极极(polarpole)"。相反，源自光瞳的平行于偏转镜的倾斜轴的方向(即，平行于x-方向)延伸且包括光轴AX的"赤道地带，，EZ的光线，可以相应倾斜角或接近相应倾斜角的入射角入射到偏转镜上。源自赤道地带EZ的光线被表示为"赤道光线"。源自赤道地带的光瞳边缘光线(例如，a>0.7和/或(1>0.8)被表示为"赤道边缘光线"。因此，x极PXl和PX2对应于赤道边缘光线。从而，这些才及也可以表示为"赤道极(equatorialpole)"。在本申请中，源自光轴处或接近光轴处_的光瞳位置处的赤道地带的光线净皮表示为"光瞳中心光线"(参照，例如图1D中的光瞳中心光线)。那些光瞳中心光线通常源自具有例如cj〈0.2和/或cj〈0.3的小cr值的中心区域。发生自大致沿x方向放置的极PXl,PX2(也表示为"x极"或"赤道极，，)的光主要对大致沿y方向延伸的掩模的子图案的成像有效。这些图案有时被表示为"垂直线，，，而对应的x极为"垂直极"。发生自沿y-方向放置的极PY1和PY2(也表示为"y极"或"水平极"或"两极极")的光主要对在x方向具有主要特征的子图案(有时表示为"水平线，，)的成像有效。照明系统具有偏振影响布置，以允许调整有效光源EFF中光的偏振状态。在实施例中，调整偏振状态以获得"切向偏振"，其中，电场矢量的优选振荡方向通常在切线方向(垂直于径向方向)中，如双箭头所示。当使用切向偏振时，优选的偏振方向一般垂直于由光轴和源自离轴极的光的传播方向所限定的平面，由此特定地在高像方NA处，如浸没操作中可获得的NA>1处，获得有效的干涉。在图1B中示出产生自极PY1的外边缘的第一光瞳边缘光线PER1和产生自极PY2的外边缘的第二光瞳边缘光线PER2的位置。在期望用双光束干涉获得图案临界结构(criticalstructure)的像的情况下，其中所述临界结构即具有需要以投射物镜的分辨率极限进行光刻的最小周期性长度的结构，光瞳边缘光线PERI和PER2是光刻工艺中所使用的照明方向的代表。图2示出具有位于投射物镜的光瞳面处的单个凹面镜CM的折反射投射物镜的一部分的示意性细节。绕平行于x方向的第一倾斜轴相对于光轴AX倾斜第一倾斜角t尸45。的第一平面偏转镜Ml被提供用来将来自物面的光朝向凹面镜偏转。绕平行于第一倾斜轴(即，平行于X方向)的第二倾斜轴相对于光轴倾斜第二倾斜角t尸45。的第二偏转镜被提供用于将来自凹面镜的光朝向像面偏转。镜的平面反射面彼此垂直放置，从而物面和像面彼此平行。在这里，偏转镜的"倾斜角"定义为偏转镜处的光轴与平的镜面的面的法线之间的角。入射角定义为入射到偏转镜上的光的方向与面的法线之间的角。因此，对于平行于光轴入射的光，入射角对应于偏转镜的倾斜角。对于具有s偏振的光，电场矢量垂直于入射平面振荡，该入射平面包括入射方向和偏转镜的面法线，而对于p偏振的光，电场矢量平行于该入射平面振荡。来自偏转镜的上游的物面和/或中间像IMI1的光，在由偏转镜的区域中围中入射到偏转镜M1、M2中的每一个。每一情况中的最大和最小入射角对应于源自照明光瞳的边缘处或临近该边缘处的区域中的有效光源EFF的最外边缘的光线。如图2中明显所示，以虚线画出的光瞳边缘光线PER1以小于倾斜角的相对小的入射角aMw1，例如大约31。，入射到第一镜M1上。当在第一偏转镜M1和凹面镜处反射后，光线PER1以相对大的入射角otMAx2入射到第二偏转镜M2上，入射角otMAx2大于倾斜角，例如可以是大约59。。源自光瞳相对位置的光瞳边缘光线PER2首先以例如59。的相对大的入射角(cxmax1〉h)入射到第一偏转镜Ml上，而第二偏转镜M2处的对应入射角a薩2小于第二倾斜角t2(例如，大约31。)。另一方面，源自x极PX1和PX2的光线(即，赤道边缘光线)以在偏转镜的倾斜角左右的相对小范围的入射角入射到偏转镜的两者上。在实施例中，这些光线的入射角的范围可以是例如45°±5。和/或45°±4。和/或45。±3。和/或45。±2。。来自极的光的处于切线偏振的优选偏振方向(图1B)使得光瞳边缘光线PER1和PER2的电场的振荡方向垂直于入射平面，例如，当在偏转镜上反射时，光是s偏振光。相反，当在偏转镜上反射时，来自x极PXl，PX2(赤道极)的光具有p偏振光的效果，因为电场矢量基本上在入射平面中振荡。现在考虑当在第一和第二偏转镜上相继反射时，各个光线的累积的全部反射损失。对于每一光线，累积的反射损失是该光线在第一和第二偏转镜上的相应反射率的和确定的。为了说明反射损失的影响，图3示出现有技术系18统(参看WO2005/124420Al)的偏振依赖的反射率随入射角的变化的典型示例。在那些传统反射涂层中，s偏振的反射率Rs—^:基本上大于p偏振的反射率。通常，p偏振的反射率Rp随着入射角的增加而减少并在布鲁斯特角处获得局部最小值，布鲁斯特角通常出现50。与60。之间的入射角的区域中。假设两个偏转镜上的反射涂层具有相似的反射特性，则两光瞳边缘光线将以本质上相同的方式被衰减，因为反射的次序对在相继的反射上所遭受的全部衰减具有很小的影响或没有影响。光瞳边缘光线的反射损失可以如结合图2所解释根据下式RSPE=Rs乂t广△ai)+Rs1(t,+△Rs2(t2-△ct2)+Rs2(t2+△oc2)由第一反射率总和R/E来描述。光瞳边缘光线PER1、PER2的反射或者发生在接近最小值的入射角区域中(例如，31°与29°之间)或者发生在最大的入射角区域中(例如，57°与59°之间)。在30。〈(x〈35。的区域中，平均反射率Rs大约为92.50/。。在57。〈a〈59。的区域中，平均反射率Rs大约为90%。因此，依照上面的定义，第一反射率总和的四分之一大约为91%,在图3中其由阴影区域所表示。另一方面，由于t尸t尸45。而Rp(45。一87。/。，所以依照下式Rpc=2*(V(t,)十Rp2(t2))所定义的第二反射率总和R/的四分之一大约为87%。结果，图3所示的现有技术的系统中，有效反射率分裂AR二R/E-RpC大约为4个百分点。对于从图1B的四个极发出的不同光线的累积光损失，会出现下面的情况。从y极PYl、PY2(两极极)发出的光将根据相对大入射角(接近大约60。)和相对小入射角(接近大约30。)的区域中的反射率来累积反射率损失。累积光损失由第一反射率总和R/E来表达。从赤道地带中以x方向为中心的x极PXl，PX2(赤道极)发出的光线的光损失显著不同，因为光损失一般由大约45。的p偏振光的折射率的值Rp(45。)来确定。结果，投射物镜中的光瞳面Ppo(其与照明系统的光瞳面Pux光学共轭)处的强度分布在位于y方向附近的极中与位于x方向附近的极中具有不同的强度，其中x方向的极由于在偏振镜上相继反射时光损失较大而表现出较小的平均强度。x极(垂直极、x方向中的极、赤道极)与y极(水平极、y方向中的极、两极极)之间的强度差别在下面被表示为"强度椭圆性"。强度椭圓性与水平极在大约45。处的反射率Rp中的差别以及在y方向中对应于光瞳位置的入射角的反射率的平均值相关。如果不同极之间的强度差大于可接受的阈值，该可接受的阈值可取决于具体的光刻工艺，则强度椭圓性将导致或贡献于方向依赖(direction-dependent)的线宽差(也表示为CD变化)。通过提供具有反射涂层的偏转镜，其中所述反射涂层的反射率具有可解决上述影响的角度相关性，则可以避免在偏转镜上由非均匀反射损失所导致的强度椭圓性。现在，将结合图4，解释可在第一和第二偏转镜两者上使用的反射涂层的实施例的反射特性。在下表l中给出多层反射涂层的结构。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>在表l中，第一列表示从基底侧(层0)朝向反射层(23)的自由面的反射涂层各个层的编号。其它的列示出层的几何厚度d[nm]、相应的材料以及定义材料的复数折射率N=n-ik的参数n和k，其中n是复数折射率的实部而k是复数折射率的虚部。无量纲的吸收系数k(其有时也被称作消光系数)通过关系kKa入)/47i与空间吸收系数a相关联，其中入代表对应的光波长。形成多层反射涂层的基底侧的层的铝材料兼有相对高的反射率与足以对抗高能量紫外光的劣化影响的稳定性。其他的金属也是可行的，例如镁、铱、锡、铍或钌，或其合金。层1至23形成具有低折射率材料(这里，为锥冰晶石(Chiolkh))和高折射率材料(这里，为A1203)的交替层的电介质多层叠层。可以使用其它的材料或材料的组合，例如，包括氟化镁(MgF2)、氟化铝(A1F3)、锥冰晶石(chiolite)、水晶石、氟化钆(GdF3)、二氧化硅(Si02)、氟化镧(LaF3)或氟化铒(ErF3)。s偏振光的反射率RJ逸入射角的变化基本上相对于(^45。(即与偏转镜的倾斜角t相对应的入射角)处的反射率值Rs成点对称，这里Rs(45。)-93%。随着入射角从倾斜角的值朝向更高入射角偏离，反射率大约线性地降低，直到约a二54。处Rf91.5。/。，在该处出现反射率的局部最小值。反射率Rs在局部最小值之上略微增加，直到在00=60°处达到大约91.5%。相反，随着入射角从45°处的值向较小值偏离，反射率Rs,并近似线性地增加至(1=34°处的大约94.3°/。，在这里出现s偏振光的局部最大反射率。一般，对于0。至15。的5oc，满足条件Rs(t+Soc)+Rs(t-5ot)=Rs(t)±0.5%在大约01=45°的区域中，p偏振光的反射率Rp对应于s偏振光的反射率Rs,具有大约93。/。的典型值Rp(45。)。随着入射角越来越偏离倾斜角的值，Rp的值快速地向最小入射角(a=3)。)的大约为91%的相对小的值以及高达60°的较大入射角处的低于90%的基本上更小的值降低。(注意，在这里所讨论的离轴照明设置中，因为最高或最低入射角处不使用p偏振光，可以容许这些小值。这使得涂层设计能够具有额外的自由度，并^更于调整R"a)的优化性能)。这些反射率特性使得实践中能够避免由偏转镜上相继的反射所导致的强度椭圆性。如上所解释的，第一反射率总和R/E确定从y方向附近的y极PY1、PY2发出的光所遭受的累积强度损失。对29°与31°之间的最低入射角的平均反射率大约为94%,而在大约57。至59°的角谱的高角度端上的反射率大约为92%。一般地说，第一反射率总和R/E的四分之一大约为93%，如图4中的阴影区域所表示的。在两个偏转镜上，对于从赤道地带中x方向附近的x极PXl、PX2发出的光，发生相同量的反射率损失。因此，这里事实上不存在有效反射率分裂，即AR-0。在这些条件之下，如果照明系统光瞳Pnx中的对应的极具有相等的强度且不存在其它的影响强度分布的效应，则投射物镜光瞳面Ppo中的光强的极具有相等的强度。结果，偏转镜不导致强度椭圆性。图4中所示的具有一般特性的反射涂层也可以与其它的照明模式一起使用，而不导致强度椭圓性。因为s偏振的反射率R的特性基本上相对于偏转镜的倾斜角t=45°成点对称，所以在y方向上对于光轴(a=45°)与光瞳边缘之间的所有cj值，获得反射率损失的补偿(参看等式(3)中的条件)。此外，图4的反射涂层在a-45。处，RS=RS。因而，该反射涂层也可以与非偏振光一起使用而不导致强度椭圆性。可以与结合图4所讨论的反射涂层一起结合使用的另一种照明模式是这样一种照明模式，其中使用了具有切向偏振的四个极的、大致依照图1B或1C的四极设置，并且其中有效光源在光轴周围，即光瞳的中心区域(参见图ID)还具有非偏振光的显著强度。由于满足条件Rp(45。)=RS(45°),光轴周围的强度不导致显著的椭圓性。该照明模式可用于打印这样的图案，该图案中除了以小周期密集隔开的多条线以外还存在单独的线(例如，在芯片设计中用于外周导管(peripheralconduit))。现在结合图5给出，设置有涂覆着具有结合图4所示的反射率特性的反射涂层的两个偏转镜的光学系统的性能提高的证据。将参考系统REF的光学性能与第一实施例EMB1的光学性能相比较，其中参考系统REF带有取自在EP1767978A1(对应于WO2005/124420Al)的图12中被公开的现有22技术系统中的两个平面偏转镜，第一实施例EMB1具有与现有技术相同的系统光学设计，其不同之处仅在于两个平面偏转镜的反射涂层的结构。参考系统REF的偏转镜使用具有如在EP1767978A1的图12以及对应的说明书中所公开的层结构Al/MgF2/LaF3/MgF2的反射涂层，而第一实施例EMB1中的偏转镜使用具有如上表l中所公开的多层结构且具有如结合图4所公开的反射率特性的反射涂层。Y吏用由美国力口州芒廷维尤市的Synopsys公司(Synopsys,Inc.,Mountain化的商业成像模拟软件SOLIDE^进行成像模拟。具体细节参看例如http:〃www.synnopsys.com/products/tcad/acqnr/sgmc/solide.html。SOLIDE^是基于Windows的软件包，用于对在光学微光刻中所涉及的所有工艺和技术进行模拟和建模。该软件包能够模拟微光刻工艺的多个阶段中的集成电路器件中的3维形貌特征的发展。使用具有在相互垂直的方向(x方向和y方向)上延伸的平行线LI的子图案的测试图案。在所有模拟中，所有测试图案使用线宽LW-45nm。模拟掩模是在线Ll之间具有完全透过率(100%)的而在线中具有6%的残余透过率的衰减相移掩模(attenuatedphaseshiftmask)。为了定量地估计各种结构方向的方位依赖的差别(也表示为H-V差)，模拟各种图案的印刷，每一个图案的线宽(45nm)相同而节距不同，节距表示周期子图案中相应结构的周期长度(参看图5B)。使用不同的节距值115nm、125nm、130nm、140nm、150nm、180nm、270nm、315nm和1000nm,以量化H-V差。这里，H-V差△HV[nm]是沿相互垂直的方向的相同周期长度的线之间的印刷线宽差别。通过以一次沿着x方向而下一次沿着y方向的平行线对给定结构(图案)的成像过程进行模拟，计算AHV的值。对于所有模拟使用相同的照明量，各个线宽可以通过在给定光敏材料(例如，抗蚀剂(resist))中施以相同强度阈值的空间像(aerialimage)来确定。如果x方向上印刷线宽是LWX而y方向上印刷线宽是LWy,则AHV=LWx-LWy。使用环形设置(在照明系统的光瞳面中具有环状有效光源)来模拟照明，环状有效光源的内边缘和外边缘的相对径向位置由ar0.82和cr。-0.97来表征(a值的定义对比例如图1B或1C)。不同于图IB中所示的四重设置，模拟23的环形设置不被细分为四个段，而表征为方位角的方向中不中断的完全封闭的环状照明。投射物镜的像方数值孔径NA设置为NA=1.3。照明辐射的偏振特性对应于"xy偏振态"来设置，"xy偏振态"由以下事实表征照明光瞳被细分为分别以x和y轴为中心的四个90。楔形扇区，从而相邻扇区之间的边界在x和y轴之间对称地在45。处延伸。在每一个扇区中，辐射被才莫拟为具有电场矢量垂直于各个扇区的中轴振荡的线偏振，用以提供与图1C中所示相似的类型的基本上切向的偏振。图5A在图中示出模拟结果，该图在x轴上具有子图案的节距[nm]而在y轴上具有对应的水平-垂直差AHV[nm]，其中虚曲线REF对应于参考系统的值而实曲线EMB1对应于第一实施例的值(反射涂层如图4中所示)。将两曲线归一化以在100nm的节距获得AHV-0。明显的是，AHV随节距表现出显著的变化，特别是在例如由大约100nm和200至400nm之间的小节距值所表征的临界精细结构的区域中。例如，在100nm至200nm之间，AHV的变化的绝对值大约为1.2nm。这样相对大的值导致显著的线宽差，特别是在利用主要是来自照明光瞳的外边缘的照明来印刷的精细间隔的图案中。当使用图4所示的依照表1的实施例的反射涂层时，AHV显著改善。因为AHV随节距的变化在小节距值的区域中相对较小，例如，在大约10nm节距和400nm节距之间AHV仅变化大约0.2nm,表示在本发明的实施例中，密集隔开的线在x和y方向两者中具有非常相似的线宽。一^:地，在约100nm和1000nm之间的节距范围中，AHV的变化可以是1.2nm或更小(或1nm或更小、或0.8nm或更小、0.5nm或更小)。现在，将结合下表2和图6描述可在光学系统的一个或多个偏转镜上使用的平纟軒反射涂层的第二实施例。在表2中给出多层反射涂层的该实施例的结构，其中层号#、厚度d、材料和定义复数折射率N-n-ik的参数n和k的含意与表1中相同。该实施例是由具有低折射率材料(这里，锥冰晶石(Chiolith))和高折射率材料(这里，A1203)的交替层的介电多层叠层构成的具有53层的纯电介质多层系统。直接形成于基底表面上的第一层1是低折射率层，邻近环境的外层53也是低折射的锥冰晶石。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>如图6中所示，s偏振光的反射率Rs随入射角的变化基本上相对于对应于偏转镜的倾斜角t的o^45。处的反射率值Rs成点对称。这里，Rs(45。)《89%。随着入射角从倾斜角朝向更小值偏离，反射率粗略地线性增加直到a=40°及更小的角，反之，反射率减少大约相同的量，直至大约01=50。处的大约83%,在约00=51°处有局部最小值。一般地，对于从大约0°到大约10°的Soc,满足条件Rs(t+5a)+Rs(t-Sa)=Rs(t)±0.5%值得注意的是，p偏振光的反射率Rp具有基本上相反的点对称特性，而在06=45°处Rp-Rs。随着入射角朝向较小值减少，在a-40。处Rp降低到大约83%。另一方面，Rp约线性地增加到o^50。处的大约Rp92%。对于从大约0°到大约10。的5a，满足条件Rp(t+5a)+Rp(t-5a)=Rp(t)±0.5%。因此，该反射涂层的反射率特性不但对于s偏振光关于反射率值Rs(th45。基本成点对称，而且对于p偏振光也是。具体地，除服从等式l至3和5中所表示的条件外，至少对于大约40°与大约50。之间(对于t=45。，△oc=5°或更大)的入射角还满足等式4、6和7中表示的条件，即(Rp(t+5a)+Rp(t-Soc))/2=Rs(t)±2%(4)(Rp(t-△a)+Rp(t+△a))/2=Rs(t)±0.5%(6)Rp(t)=Rs(t)士0.5%(7)结果，这种类型的涂层可以同切向偏振以及径向偏振一起使用或同非偏振光一起使用，而对于任一种上述偏振情况基本上不引入强度椭圓性。可以在多种类型的折反射投射物镜中使用偏转镜的实施例。图7和图8示意性地示出R-C-R类型的投射物镜的第一和第二实施例，用于利用三个级联的(或串联的)成像物镜部分以及恰好两个中间像而将图案从物面OS成像到光学共轭的像面IS上。第一折射物镜部分(缩写"R")产生图案的第一实的中间像IMIl。包括凹面镜的第二折反射物镜部分(缩写"C")从第一中间像中产生实的第二中间像IMI2。第三折射物镜部分(缩写"R")将第二中间像成像到像面上。通常，第一折射物镜部分具有接近1:1的放大率并用作"中继"系统，以限定适于相继的成像步骤的中间像的尺寸、位置和校正状态。利用离轴视场用以获得无渐晕和无模糊的图像的两个实施例都使用了位于或光学上接近第二物镜部分的光瞳面的单个凹面镜CM,并结合了一个或多个布置在凹面镜前面用以校正轴上色差(CHL)和匹兹伐和的负透镜。第三物镜部分一般被优化作为具有密集布置的透镜的聚焦组，以获得缩倍和期望的像方NA的主要部分。在图7的投射物镜500中，布置第一平面偏转镜Ml,以将来自物面OS和第一中间像IMI1的光朝向凹面镜偏转，而第二平面偏转镜M2布置成光学上接近第二中间像IMI2，其将从凹面镜反射的光引导到像面。该一般构造的示例可在例如WO2005/111689A2、WO2005/124420Al或WO2005/124420Al中找到。在图8的投射物镜600中，经由第一中间像IMIl来自物面的光在落到平面的第一偏转镜M1之前，入射到凹面镜上，第一偏转镜M1将来自凹面镜的光朝向像面偏转。位于第二中间像的光学下游且垂直于第一偏转镜而取向的第二平面偏转镜M2使得像面IS能够平行于物面取向。在例如US2004/0233405Al中公开了该一般构造的实施例。依照本发明不同实施例的投射物镜也可以仅具有一个中间像，如在WO2004/025370Al或US2006/0077366Al中所示，或者可以具有多于两个中间像,例如在WO2005/040890A2或US2005/0185269中所公开的。通过示例的方式，已经给出优选实施例的上述描述。从所给的公开中，本领域的技术人员将不仅理解本发明及其带来的优点，还将发现所公开的结构和方法的多种变化和修改。因此，本公开意在覆盖落在本发明的精神和范围之中的全部变化和修改及其等价物。所有权利要求的内容通过引用成为本说明书的一部分。权利要求1、一种折反射投射物镜，包括沿光轴布置的多个光学元件，用于将位于所述投射物镜物面中的图案成像到所述投射物镜的像面上，所述光学元件包括凹面镜；第一偏转镜，其绕第一倾斜轴相对于所述光轴倾斜第一倾斜角t1，以将来自所述物面的光朝向所述凹面镜偏转或将来自所述凹面镜的光朝向所述像面偏转；第二偏转镜，其绕第二倾斜轴相对于所述光轴倾斜第二倾斜角t2；所述第一偏转镜具有第一反射涂层，对于以依照(t1-Δα1)≤α1≤(t1+Δα1)的第一入射角范围中的第一入射角α1入射到所述第一偏转镜上的s偏振光，该第一反射涂层具有反射率Rs1(α1)，而对于以依照(t1-Δα1)≤α1≤(t1+Δα1)的第一入射角范围中的第一入射角α1入射到所述第一偏转镜上的p偏振光，该第一反射涂层具有反射率Rp1(α1)；所述第二偏转镜具有第二反射涂层，对于以在依照(t2-Δα2)≤α2≤(t2+Δα2)的第二入射角范围中的第二入射角α2入射到所述第二偏转镜上的s偏振光，该第二反射涂层具有反射率Rs2(α2)，而对于以在依照(t2-Δα2)≤α2≤(t2+Δα2)的第二入射角范围中的第二入射角α2入射到所述第二偏转镜上的p偏振光，该第二反射涂层具有反射率Rp2(α2)；其中，两极边缘光线的s偏振光的在所述第一和第二偏转镜上反射后所累积的第一反射率总和RsPE基本上等于赤道边缘光线的p偏振光的在所述第一和第二偏转镜上反射后所累积的第二反射率总和RpE。2、根据权利要求1所述的投射物镜，其中，依照AE^R/E-RpE、定义为第一反射率总和R严与第二反射率总和RpE之间的差的有效反射率分裂AR小于2%,其中R/e:Rs1",-A(xJ+Rs)(t,+Aa!)+RS2(t2-A(X2)+Rs2(t2+Aa2)以及RpE=2*(Rp'(t,)十Rp2(t2))。3、根据权利要求1或2所述的投射物镜，其中，以入射角a入射到所述第一和第二偏转镜中至少一者上的s偏振光的反射率变化R"a)关于对应于所述偏转镜的倾斜角的入射角处的反射率值Rs(t)基本上成点对称，从而对于入射到所述各个偏转镜上的入射角范围中的全部入射角a，满足条件Rs(t+Sa)+Rs(t-5a)=Rs(t)±0.5%,Sa是所述倾斜角t与各个入射角a之间的差。4、根据权利要求2或3所述的投射物镜，其中，另外还满足条件(Rp(t+5a)十Rp(t-5a))/2=Rs(t)±2%。5、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述第一和第二偏转镜的反射率特性满足条件(Rs(t-△a)+Rs(t+△a》/2=Rp(t)±0.5%。6、根据权利要求5所述的投射物镜，其中，所述第一和第二偏转镜的反射率特性满足条件(Rp(t-△a)+Rp(t+△a))/2=Rs(t)±0.5%。7、根据权利要求5或6所述的投射物镜，其中，所述第一和第二偏转镜的反射率特性满足条件Rp(t)=Rs(t)±0.5%。8、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中40°《t，《50。以及40。《t2《50°,并且其中所述物面平行于所述像面。9、根据权利要求8所述的投射物镜，其中t产45。以及12=45°。10、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述第一反射涂层和所述第二反射涂层具有相同的涂层结构。11、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述第一反射涂层和所述第二反射涂层对于在260nm与100nm之间的波长范围中的紫外光有效。12、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述投射物镜包括两个或多个的级联的成像物镜部分以及一个或多个中间像。13、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述投射物镜包括位于或光学上接近折反射物镜部分的光瞳面的单个凹面镜以及置于所述凹面镜前面的一个或多个负透镜。14、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述投射物镜包括第一折射物镜部分，产生所述图案的实的第一中间像；包括凹面镜的第二折反射物镜部分，根据所述第一中间像产生实的第二中间像；以及第三折射物镜部分，将所述第二中间像成像到所述像面上。15、根据权利要求14所述投射物镜，其中，所述第一偏转镜布置成光学上接近所述第一中间像，以将来自所述物面的光朝向所述凹面镜偏转；并且所述第二偏转镜布置成光学上接近所述第二中间像，以将来所述凹面镜反射的光朝向所述像面偏转。16、根据权利要求14或15所述的投射物镜，其中，来自所述物面并经由所述第一中间像的光在落到所述第一偏转镜之前，入射到所述凹面镜上，所述第一偏转镜将来自所述凹面镜的光朝向所述像面偏转；以及其中，所述第二偏转镜光学上置于所述第二中间像的下游且垂直于所述第一偏转镜取向，使得所述像面平行于所述物面取向。17、根据前述权利要求之一所述的投射物镜，其中，所述投射物镜是浸没投射物镜，并配置为在像方数值孔径NA〉1的情况下工作。18、一种镜，包括镜基底；涂覆在所述基底上的反射涂层；对于以依照(t-Aoc)<oc《(t+Aa)的入射角范围中的入射角a入射到所述镜上的s偏振光，所述反射涂层具有反射率Rs(a)，而对于以依照(t-△a)《a<(t+Aa)的入射角范围中的入射角a入射到所述^:上的p偏振光，所述反射涂层具有反射率Rp(a),从而满足条件(Rs(t-△a)+Rs(t+△a))/2=Rp(t)±0.5%。19、根据权利要求18所述的镜，其中满足条件(Rp(t-△ct)+Rp(t+△a))/2=Rs(t)±0.5%。20、根据权利要求18或19所述的镜，其中满足条件Rp(t)=Rs(t)±0.5%。21、根据权利要求18至20之一所述的镜，其中，40。^t^50。且△a>10°。22、根据权利要求18至21之一所述的镜，其中，所述反射涂层对于在260nm与100nm之间的波长范围中的紫外光有效。23、根据权利要求18至22之一所述的镜，其中，所述镜是具有平面反射面的平面镜。24、一种利用折反射投射物镜制作半导体器件以及其它类型的微器件的方法，所述方法包4舌使用具有预定波长的紫外照明光照明掩模；利用依照前述权利要求之一所述的折反射投射物镜，将图案的像投射到光敏基底上。25、根据权利要求24所述的方法，其中，使用来自有效光源的照明光照明所述掩模的图案，该有效光源是由对应于包括四个离轴照明极的离轴照明模式的、照明系统的光瞳面处的强度分布形成的。26、根据权利要求25所述的方法，其中，所述照明光在所述照明极中具有切向偏振。27、根据权利要求26所述的方法，其中，所述照明系统的光瞳面处的所述强度分布包括位于光轴上的中心极，其中所述中心极中的照明光基本上是非偏振的。28、一种投射曝光设备，包括光源，产生原始光；照明系统，使所述原始光成形以产生入射到载有图案的掩模上的照明光；以及投射物镜，将所述图案的像投射到光敏基底上，所述投射物镜依照前述权利要求之一来配置。全文摘要一种折反射投射物镜具有沿光轴布置以将投射物镜物面中的图案成像到投射物镜的像面上的多个光学元件。所述光学元件包括凹面镜；绕第一倾斜轴相对光轴倾斜第一倾斜角t₁的第一偏转镜，用于将来自物面的光朝向凹面镜偏转或将来自凹面镜的光朝向像面偏转；及绕第二倾斜轴相对光轴倾斜第二倾斜角t₂的第二偏转镜。第一偏转镜有第一反射涂层，当光以第一入射角范围(t₁-Δα₁)≤α₁≤(t₁+Δα₁)中的第一入射角α₁入射到第一偏转镜上时，第一反射涂层对s偏振光具有反射率R_s¹(α₁)，对p偏振光具有反射率R_p¹(α₁)。第二偏转镜有第二反射涂层，当光以第二入射角范围(t₂-Δα₂)≤α₂≤(t₂+Δα₂)中的第二入射角α₂入射到第二偏转镜上时，第二反射涂层对s偏振光具有反射率R_s²(α₂)，而对p偏振光具有反射率R_p²(α₂)。两极边缘光线的s偏振光在第一和第二偏转镜上反射后累积的第一反射率总和R_s^PE基本上等于赤道边缘光线的p偏振光在第一和第二偏转镜上反射后累积的第二反射率总和R_p^E。文档编号G02B17/08GK101578542SQ200780048810公开日2009年11月11日申请日期2007年12月13日优先权日2006年12月28日发明者拉尔夫·米勒,沃尔夫冈·辛格,阿克塞尔·戈纳迈耶申请人:卡尔蔡司Smt股份公司