薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制作方法

专利名称：薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的 制作方法，且特别是关于一种在显示区边缘采用或是在显示区边缘的液晶 注入口处采用邻接或部分重叠的金属层设计的薄膜晶体管阵列基板及薄 膜晶体管阵列基板的制作方法。
技术背景随着高科技的发展，视讯产品，特别是数字化的视讯或影像装置已经 成为在一般日常生活中所常见的产品。这些数字化的视讯或影像装置中， 显示器是一个重要组件，以显示相关信息。使用者可由显示器读取信息， 或进而控制装置的运作。为了配合现代生活模式，视讯或影像装置的体积日渐趋于薄轻。传统 的阴极层射线显示器，虽然仍有其优点，但是其需占用大体积且耗电。因 此，配合光电技术与半导体制造技术，面板式的显示器已被发展出成为目 前常见的显示器产品，例如薄膜晶体管液晶显示器。薄膜晶体管液晶显示 器由于具有低电压操作、无辐射线散射、重量轻以及体积小等传统阴极射线管(cathode ray tube，简称CRT)所制造的显示器无法达到的优点，与其 它平板式显示器如等离子体显示器及电致发光(electroluminance)显示器， 成为近年来显示器研究的主要课题，更被视为二十一世纪显示器的主流。而公知的薄膜晶体管液晶显示面板如图1所示，通常具有一薄膜晶体 管阵列基板102、 一对向基板104与一液晶层(未绘示)，其中液晶层是位 于基板102与104之间。而在薄膜晶体管阵列基板102上有薄膜晶体管阵 列112，其中包括扫描配线、数据配线以及数个薄膜晶体管等。然后，在 基板102与104之间会有一框胶106，用以封闭基板102与104之间的空 间，使液晶能留在其中，而这个被封闭的区域主要是用以显示图案或色彩， 因此称为显示区(displayregion)。而且，框胶106需预留一液晶注入口(LC injection hole) 108，以利液晶注入。除了上述普通的薄膜晶体管液晶显示面板外，目前更有一种受瞩目的 制作薄膜晶体管液晶显示面板的技术，其特征是在具有薄膜晶体管阵列 112的基板102上直接制作彩色滤光薄膜，而其优点之一是能提高面板开 口率。因此，这种将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列基板上制作的薄 膜晶体管液晶显示面板是目前应用于轻薄、高分辨率的NB面板或是液晶 电视、高阶液晶监视器等产品的液晶显示面板之一。然而，前述将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列基板上制作的薄 膜晶体管液晶显示面板，有以下缺点首先以图1为例， 一般在具有薄膜晶体管阵列112的基板104上直 接制作彩色滤光薄膜之前，无可避免地都需把黑色矩阵(black matrix,简 称BM)先制作出来，因此要如何縮减利用COA技术制作的薄膜晶体管液晶显示面板的制作工艺时间与成本，已成为各方研究的重点之一。而且， 当BM与彩色滤光薄膜是形成于不同一片基板时，则前述两者之对位问 题将会影响到产品的良率。再者，于图1中的显示区边缘(border)110常有漏光从基板102上的线 路间发射出来，而影响薄膜晶体管液晶显示面板的显示品质。此外，显示 区域边缘所预留的液晶注入口 108同样会有漏光问题急需解决。另外，通常在图1的薄膜晶体管阵列112中的每个薄膜晶体管或是薄 膜晶体管阵列112周边的导线都会具有一修补(repair)结构(未绘示)，以于 薄膜晶体管故障或产生线缺陷(linedefect)时进行修补制作工艺。不过，习 知的修补结构却常因为被厚厚的介电层所覆盖，而在进行修补制作工艺时 发生介电层爆裂(bnrst)现象，以致无法完成修补制作工艺，导致需要修补 的薄膜晶体管仍无法使用，线缺陷亦无法修补。除前述各缺点之外，请再次参照图1，薄膜晶体管阵列112中的每个 薄膜晶体管还具有一储存电容器(storage capacitor,又称Cst)，其结构主要是在两层金属层之间夹一绝缘层，而且较上层的金属层需通过与像素电 极相连接，以受薄膜晶体管操控。不过，由于微影制作工艺例如显影或蚀 刻制作工艺的失误，使得储存电容器上的介电层未完全曝光或蚀刻不完 全，而有部分介电层残留，所以会导致金属层与像素电极的接口接触不良 而使液晶电容无法在所要求的时间内维持一定的灰阶，致使面板效能 (performance)变差。 发明内容因此，本发明之目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法，以减少显示区域边缘的漏光。本发明之又一目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方 法，以减少液晶注入口的漏光。根据上述与其它目的，本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括一 显示区与一非显示区，其特征在于数个第一金属层，配置于显示区边缘， 亦即非显示区；以及数个第二金属层，至少邻接第一金属层配置，以防止显示区边缘漏光。本发明又提出一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括于一基材上 形成一第一金属层，基材包括一显示区与一非显示区。然后，图案化第一 金属层，以于显示区内形成数个栅极与数条扫描配线，其中扫描配线延伸 至显示区边缘。接着，于基材上形成一栅极绝缘层，再于栅极上形成一图 案化非晶硅层，以形成数个信道层。之后，于基材上形成一第二金属层， 再图案化第二金属层，以于栅极上形成数个源极、数个漏极，并于基材上 形成数条资料配线以及于显示区边缘形成数条拟金属层，其中数据配线与 扫描配线构成数个像素区域，栅极、信道层、源极以及漏极组成数个薄膜 晶体管，且拟金属层至少邻接于扫描配线，以防止显示区边缘漏光。接着， 于像素区域内的基材上形成数个彩色滤光薄膜，再于显示区内的基材上形 成数个像素电极，这些像素电极与对应之薄膜晶体管电性连接。本发明再提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区与一非显示 区，其中显示区边缘具有一液晶注入口，其特征在于有数个第一金属层， 配置于显示区边缘的液晶注入口所暴露的基材上以及数个第二金属层，至 少邻接第一金属层配置，以防止该显示区边缘的该液晶注入口漏光。本发明再提出一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括于一基材上 形成一第一金属层，其中基材包括一显示区与一非显示区，而显示区边缘 具有一液晶注入口。之后，图案化第一金属层，以形成数个栅极与数条扫 描配线，其中扫描配线延伸至显示区边缘。接着，于基材上形成一栅极绝 缘层，再在栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成数个信道层。之后，于 基材上形成一第二金属层，再图案化第二金属层，以于栅极上形成源极、 漏极、于基材上形成资料配线以及于显示区边缘的液晶注入口所暴露的基 材上形成数条拟金属层，其中数据配线与扫描配线构成数个像素区域，且 拟金属层部分重叠于资料配线，以防止显示区边缘的液晶注入口漏光，且 栅极、信道层、源极以及漏极组成数个薄膜晶体管，且拟金属层部分重叠 于扫描配线。而后，于基材上形成数个彩色滤光薄膜。接着，于像素区域 中的基材上形成数个像素电极，这些像素电极分别与对应的薄膜晶体管电 性连接。本发明接着提出一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括于一基材 上形成一第一金属层，基材包括一显示区与一非显示区，其中显示区边缘 具有一液晶注入口。之后，图案化第一金属层，以于显示区内形成数个栅 极与数条扫描配线以及于显示区边缘的液晶注入口所暴露的基材上形成 数条拟金属层。然后，于基材上形成一栅极绝缘层，再在栅极上形成一图 案化非晶硅层，以形成数个信道层。之后，于基材上形成一第二金属层， 再图案化第二金属层，以于栅极上形成数个源极、数个漏极，并于基材上 形成数条资料配线，这些资料配线延伸至显示区边缘的液晶注入口，其中 数据配线与扫描配线构成数个像素区域，且拟金属层部分重叠于资料配线，以防止显示区边缘的液晶注入口漏光，且栅极、信道层、源极以及漏 极组成数个薄膜晶体管。接着，于像素区域内形成数个彩色滤光薄膜，再 于像素区域中形成数个像素电极，这些像素电极与对应的薄膜晶体管电性 连接。本发明接着再提出一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括提供一 基材，基材包括一显示区与一非显示区，其中非显示区边缘具有一液晶注 入口，其特征在于在显示区边缘形成数个第一金属层，之后于基材上形成 数个第二金属层，这些第二金属层部分重叠第一金属层，以防止显示区边 缘的液晶注入口漏光。本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示区边缘可搭配彩色滤光叠层以 及部分重叠的金属层，所以能获得极佳的遮光效果。另外，本发明在薄膜晶体管阵列基板的显示区边缘的液晶注入口结构 采用部分重叠的金属层并可搭配彩色滤光区块，故可获得极佳的遮光效果 并增加液晶注入口的口径。为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特 举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下


图1所示为公知的薄膜晶体管液晶显示面板示意图； 图2所示依照本发明的薄膜晶体管液晶显示面板的透视示意图； 图3A至图3D依照本发明的第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制 造流程剖面示意图；图4依照本发明的第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视图；图5A至图5C依照本发明的一第二实施例的薄膜晶体管液晶显示面 板的制造流程剖面示意图；图5D依照本发明的第二实施例的薄膜晶体管液晶显示面板的剖面示 意图；图6依照本发明的第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的显示区边缘 的俯视图；图7A至图7B依照本发明的第三实施例的薄膜晶体管液晶显示面板 的制造流程剖面示意图；图8依照本发明的第三实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶注入口 的俯视图；图9A至图9D依照本发明的第四实施例的薄膜晶体管阵列基板的制 造流程剖面示意图；图10依照本发明的第四实施例的薄膜晶体管阵列基板的修补结构的 俯视图；图IIA至图IID依照本发明的第五实施例的薄膜晶体管阵列基板的 储存电容器的制造流程剖面示意图；以及图12依照本发明的第五实施例的薄膜晶体管阵列基板的储存电容器 的俯视图。 标号说明102、 104、 202、 204:基板 106、 522:框胶108、 700:液晶注入口 110:显示区边缘112:薄膜晶体管阵列 200:薄膜晶体管液晶显示面板210:扫描配线212:资料配线214:像素区域216:薄膜晶体管218:像素电极220:彩色滤光叠222:共享电极302:栅极304:绝缘层306:信道层308:源极与漏极314、316、 318:312:保护层322:介电层326:光间隔物340:液晶层400、910、 1103、 1110:开口500:显示区502、506、 902、 906、1102、1106:金属层具体实施方式
本发明于一将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列上(color filter on array,简称COA)制作的薄膜晶体管阵列基板的各个区域作不同的设计， 以符合各项制作工艺或应用上的需求，且可省略黑色矩阵的制作。而为详 细说明本发明的应用，请参考下列各实施例。第一实施例第2图所示依照本发明的薄膜晶体管液晶显示面板的透视示意图。 请参照第2图，本发明的薄膜晶体管液晶显示面板200由一薄膜晶体 管阵列基板202、 一对向基板204与一液晶层(未绘示)所构成，其中液晶 层是位于薄膜晶体管阵列基板202与对向基板204之间。而在薄膜晶体管 阵列基板202上会有数条扫描配线210、数条数据配线212、薄膜晶体管 216、像素电极218、彩色滤光薄膜(未标示)以及数个彩色滤光叠层220。而资料配线212与扫描配线210构成数个像素区域214。再者，于数据配 线212与扫描配线210的交错处配置的是薄膜晶体管216，且其通过数据 配线212与扫描配线210控制。而像素电极218则配置于像素区域214 中，且分别与对应的薄膜晶体管216电性连接。彩色滤光薄膜(未绘示)则 配置于像素区域214上，其中彩色滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光 薄膜以及蓝色滤光薄膜。而彩色滤光叠层220则是配置于薄膜晶体管216 上方的彩色滤光薄膜上，当彩色滤光薄膜是第一色光的彩色滤光薄膜时， 彩色滤光叠层220则例如是互相堆栈的第二色光与第三色光的彩色滤光 薄膜或者是单一层的第二色光或第三色光的彩滤光薄膜。而且，当彩色滤 光叠层220是互相堆栈的第二色光与第三色光的彩色滤光薄膜时，较接近 薄膜晶体管216的那一层彩色滤光薄膜比远离薄膜晶体管216的那一层彩 色滤光薄膜厚。再者，因蓝色滤光薄膜的吸光效率最好，次之为红色滤光 薄膜、绿色滤光薄膜，因此当只选择一层彩色滤光薄膜时，蓝色滤光薄膜 应为较佳的选择。而本实施例的制造流程如下列的图3A至图3D。图3A至图3D依照本发明的第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制 造流程剖面示意图。请同时参照图2与图3A，于一基材202上形成一第 一金属层，再图案化第一金属层，以形成数个栅极302与数条扫描配线(请 见图2的210)。之后，于基材202上形成一栅极绝缘层304与一非晶硅 层，再移除栅极302上方以外的非晶硅层，以形成数个信道层306。随后， 于基材202上形成一第二金属层，再图案化第二金属层，以于栅极302 上形成数个源极与漏极308以及于基材300上形成数条资料配线(请见图 2的212)。其中，资料配线与扫描配线构成数个像素区域(请见图2的214)，且栅极302、信道层306、源极、漏极308组成数个薄膜晶体管216。接着，请同时参照图2与图3B，于薄膜晶体管216上形成一保护层 312，再于像素区域214上形成一第一彩色滤光薄膜314。然后，于薄膜 晶体管216上方的第一彩色滤光薄膜314上形成彩色滤光叠层220，其中 彩色滤光叠层220包括一第二彩色滤光薄膜316与一第三彩色滤光薄膜 318。于图3B右半部的第一彩色滤光薄膜314是薄膜晶体管216所属的 像素中的彩色滤光片(C/F)，而本图左半部的第二彩色滤光薄膜316则是 另一个像素中的C/F，且相邻的两彩色滤光薄膜314与316会在资料配线 212与扫描配线210上部分重叠。之后，请参照图3C，于基材202上形成一介电层322，以覆盖整个 基材202，其中介电层322的材质例如是压克力(acrylic acid)。然后，于 介电层322上形成一像素电极218，其中像素电极218与薄膜晶体管216 的漏极308电性连接。然后，请参照图3D，本图为薄膜晶体管液晶显示面板的组合图，主 要是提供一对向基板204相对前述图3C的基材(薄膜晶体管阵列基板202) 配置，其中对向基板204具有共享电极(commonelectrode)222。之后，于 对向基板204与薄膜晶体管阵列基板202之间形成一液晶层340。此外， 可在形成液晶层340之前于介电层322上形成一光间隔物(photo spacer, 简称PS)326，作为维持晶穴间斷cdlgap)之用。此外，薄膜晶体管阵列基 板202与液晶层340之间可包括一配向膜(未绘示)。而对向基板204与液 晶层340之间可包括另一配向膜(未绘示)。另外，于薄膜晶体管阵列基板 202与对向基板204的外表面均可配置一偏光片(未绘示)。再者，为详细说明本实施例的结构，请同时参考图3D与图4，其中 图4依照本发明的第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。请参照图3D与图4，本发明的彩色滤光叠层220位于薄膜晶体管216 上方，其中的第二与第三彩色滤光薄膜316、 318层层叠在第一彩色滤光 薄膜314上。而第一彩色滤光薄膜314则是作为像素区域214(请见图2) 的彩色滤光片，且其具有一个开口 400暴露出像素电极218与薄膜晶体管 216的漏极308电性连接处。此外，有一层第二或第三彩色滤光薄膜316 或318覆盖另一侧的像素结构，且其边缘可与第一彩色滤光薄膜314重叠， 这层第二或第三彩色滤光薄膜316或318是作为另一像素区域的彩色滤光 片。第二实施例本实施例主要是针对本发明的薄膜晶体管液晶显示面板的显示区边 缘(border)做改良，请参考图2，显示区500是指具有像素区域214可显 示图案、色彩的区域；反之，显示区500以外，亦即显示区边缘的部分就 是「非显示区」。图5A至图5C依照本发明的一第二实施例的薄膜晶体管液晶显示面 板的制造流程剖面示意图，其与第一实施例的不同点如下请先参照图 5A，于基材202上形成并经图案化的第一金属层，除了图3A中的构件外， 还有形成于显示区500边缘的一金属层502。之后，于基材202上形成栅 极绝缘层304，于此仅作为绝缘层之用。随后，于基材202上形成并经图 案化的第二金属层，除了图3A中的构件外，还于显示区500边缘形成另 一金属层506，且金属层502与506相互邻接，较佳为部分重叠(如图5D所示)，以防止显示区500边缘漏光。此外，当金属层502作为外接线路 时，其与扫描配线210相连，且另一金属层506则是作为假线路(dummy line)的拟金属层；反之，当金属层506作为外接线路时，其与资料配线 212相连，且拟金属层则是金属层502。再者，金属层502与金属层506 均可同时作为拟金属层，不与任何扫描配线210与数据配线212连接，而 利用金属层502与金属层506的邻接，甚至进而部分重叠(如图5D所示)， 可遮蔽入射非显示区的光线，防止漏光。接着，请参照图5B，于基材202上形成保护层312。之后，可选择 性地于显示区500边缘的基材202上形成至少一层的彩色滤光薄膜来加强 遮光效果，譬如本图中是以形成如图2形成于薄膜晶体管216上方的第一 彩色滤光薄膜314上的彩色滤光叠层220为例。此外，这层彩色滤光叠层 220还可以是单一层的第二彩色滤光薄膜或是第三彩色滤光薄膜。然后，请参照图5C，于基材202上形成介电层322，覆盖彩色滤光 叠层220。之后，于基材202上形成一框胶522，譬如是具有球间隔物(ball spacer)的框胶。接着，提供对向基板204，并胶合两基板。另外，请特别注意，本实施例虽然于基板202上制作彩色滤光叠层 220与邻接或部分重叠的金属层502、 506，如图5A与图5D所示，但是 其实只要在薄膜电晶阵列基板的显示区500边缘制作出具有遮光效用的 结构即可，所以前述制作工艺可以省略彩色滤光叠层220的制作，而只要 形成邻接或部分重叠的金属层502、 506;抑或是不用制作部分重叠的金 属层502、 506，而只要制作出彩色滤光叠层220即可。再者，为详细说明本实施例的结构，请同时参考图5C与图6，其中图6依照本发明的第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的显示区边缘的俯 视图。请参照图5C与图6，本实施例的彩色滤光叠层220位于显示区500 边缘，金属层502与506则位于彩色滤光叠层220与基材202之间，其中 金属层502、 506相互电性隔绝且邻接或部分重叠，用以防止漏光。此外， 与制作工艺的情形相似，本实施例的结构部分同样可以选择在显示区500 边缘只具有彩色滤光叠层220或是只邻接或具有部分重叠的金属层502、 506。无论是只有彩色滤光叠层220、只有邻接或部分重叠的金属层502、 506或者是两者兼具，都可以达到遮光的效果。第三实施例本实施例主要是针对本发明的薄膜晶体管液晶显示面板的显示区边 缘的液晶注入口(LC injection hole)做改良，请参考图2，液晶注入口 700 的位置在显示区500边缘，可从此处将液晶注入。图7A至图7B依照本发明的第三实施例的薄膜晶体管液晶显示面板 的制造流程剖面示意图，其与第二实施例大致相同，其不同点在于形成邻 接或部分重叠的金属层502、 506之后的步骤。请先参照图7A，为了有助 于液晶的注入，在液晶注入口 700需预留较大的口径，所以此时可于液晶 注入口700所暴露的基材202上形成数个彩色滤光区块，来加强遮光效果， 譬如本图中是在液晶注入口 700的位置形成两两相邻的三种彩色滤光区 块314、 316、 318，其与第二实施例中的彩色滤光叠层314与彩色滤光叠 层220 —并形成。然后，请参照图7B，于基材202上形成介电层322，覆盖彩色滤光区块314、 316、 318。之后的步骤与第二实施例相似。另外，请特别注意， 本实施例虽然于基材202上制作彩色滤光区块314、 316、 318与邻接或部 分重叠的金属层502、 506，但是其实只要具有遮光效用的结构即可。再者，本实施例的结构如图7B与图8所示，其中图8依照本发明的 第三实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶注入口的俯视图。请参照图7B 与图8，本实施例与第二实施例的差别在于因为液晶注入口 700(请见图 2)需要在薄膜晶体管阵列基板202与对向基板204之间保留较大的空间， 以利液晶注入，所以本发明于液晶注入口的结构中将彩色滤光薄膜设计成 两两相邻的区块形式，以降低其高度，使介电层322与基材202之间的距 离符合液晶注入的需求。此外，与制作工艺相似，本实施例的结构部分同样可以选择只具有邻 接或部分重叠的金属层502、 506，而省略彩色滤光薄膜314、 316、 318， 就可达到遮光与防止漏光的功用。 第四实施例本实施例主要是针对本发明的薄膜晶体管阵列基板的修补(repair)结 构做改良。图9A至图9C依照本发明的第四实施例的薄膜晶体管阵列基板的制 造流程剖面示意图，其可与第一实施例的制造流程互相配合。请先参照图 9A，于基材202上形成并图案化的第一金属层，除了图3A中的构件外， 还有数个第一修补金属层902。之后的步骤与第一实施例相同，于基材202 上形成绝缘层304。随后，于基材202上形成并经图案化的第二金属层， 除了图3A中的构件外，还形成数个第二修补金属层906，其中第二修补金属层906与第一修补金属层902互相邻接或重叠配置于像素区域(请见 图2的214)内，以组成修补结构。接着，请参照图9B，于基材202上形成一保护层312，覆盖第二修 补金属层906与绝缘层304。然后，可于第二修补金属层906上方以外的 像素区域内形成彩色滤光薄膜314与其上的彩色滤光叠层220，譬如于第 一实施例中的彩色滤光叠层220形成于薄膜晶体管216上。接着，于基材 202上形成介电层322，覆盖整个基材202随后，请参照图9C，定义介电层322与保护层312，以形成作为修 补结构的焊点(weldingpoint)的开口 910并暴露出第二修补金属层906。之后，请参照图9D，于介电层322上形成一像素电极218，其电性 浮置且配置于开口 910表面，以覆盖暴露出的第二修补金属层906，并作 为第二修补金属层906的保护层。当然除了采用的像素电极218作为保护 层之外，也可以使用其它层取代。由于本发明的修补结构的焊点(即开口 910处)仅有一作为保护层的像素电极218覆盖于其上，所以不会发生公 知因焊点上有介电层322，而在进行修补制作工艺时发生介电层爆裂(burst) 现象。再者，为详细说明本实施例的结构，请同时参考图9D与图10，其中 图10依照本发明的第四实施例的薄膜晶体管阵列基板的修补结构的俯视 图。请参照图9D与图IO，本实施例的结构与第一实施例的差别在于具有 第二修补金属层906与第一修补金属层902的修补结构的焊点(即开口 910 处)上方仅有一作为保护层的像素电极218覆盖于其上。此外，本实施例中的彩色滤光薄膜314与彩色滤光叠层220则避开修补结构的焊点(即开口 910处)配置。第五实施例图IIA至图IIC依照本发明的第五实施例的薄膜晶体管阵列基板的 储存电容器(storage)的制造流程剖面示意图，其与第四实施例相似，不同 点在于形成于基材202上并图案化的第一金属层部分重叠的金属层，除了 图3A中的构件外，还有数个第一储存电容金属层1102，如图11A所示， 其中第一储存电容金属层1102具有数个第一开口 1103，且第一储存电容 金属层1102可以是扫描配线的一部份或是一共享配线(common line)。之 后的步骤与第四实施例相同，于基材202上形成绝缘层304。随后，于基 材202上形成并经图案化的第二金属层，除了图3A中的构件外，还形成 数个第二储存电容金属层1106，其中互相重叠的第二储存电容金属层 1106、第一储存电容金属层1102与绝缘层304组成一储存电容器。接着，请参照图11B，于基材202上形成一保护层312，覆盖第二储 存电容金属层1106与绝缘层304。之后，可于第一开口 1103外的保护层 312上形成一彩色滤光薄膜314、 316或318。之后，于基材202上形成一 介电层322，此处的彩色滤光薄膜314、 316或318为各像素区域的彩色 滤光片。然后，请参照图11C，定义介电层322与保护层312，以形成作为接 触窗的一第二开口 1110，并暴露出第一开口 1103上的第二储存电容金属 层1106。接着，请参照图11D，于介电层322上形成像素电极218，且其通过第二开口 1110而与第二储存电容金属层1106电性连接。而且，在形成像 素电极218之后，可进行一焊接制作工艺，以焊接位于第二开口 lllO的 像素电极218与第二储存电容金属层1106。由于第一储存电容金属层1102 选择避开作为接触窗的一第二开口 1110，所以在像素电极218与第二储 存电容金属层1102因接触不良而需进行焊接制作工艺时，可避免第一与 第二储存电容金属层1002与1006导通的错误发生。再者，为详细说明本实施例的结构，请同时参考图IID与图12，其 中图12依照本发明的第五实施例的薄膜晶体管阵列基板的储存电容器的 俯视图。请参照图IID与图12，本实施例因为采用如第四实施例的修补结构 一般的焊点(即开口 1110处)，故可改善通过新增一焊接制作工艺，焊接 像素电极218与第二储存电容金属层1106，以解决两者接口接触不良的 问题，以加强储存电容器的功效。而且，其中的第一储存电容金属层1102 避开作为接触窗的开口 1110，所以在进行焊接制作工艺时，可避免第一 与第二储存电容金属层1102与1106导通的错误发生。 本发明的特点包括1. 在本发明的薄膜晶体管阵列基板中因为利用堆栈的彩色滤光叠层 取代黑色矩阵，所以可改善因薄膜晶体管阵列基板与对向基板的对位误差 所损失的良率。2. 本发明在薄膜晶体管阵列基板的显示区边缘可搭配彩色滤光叠层 以及邻接或部分重叠的金属层，所以能获得极佳的遮光效果。3. 本发明在薄膜晶体管阵列基板的显示区边缘的液晶注入口结构采用部分邻接或部份重叠的金属层并可搭配彩色滤光区块，故可获得极佳的 遮光效果并增加液晶注入口的口径。4. 本发明仅有一保护层覆盖于薄膜晶体管阵列基板的修补结构的焊 点上，所以不会发生公知因焊点上有介电层，而在进行修补制作工艺时介电层爆裂(burst)现象。5. 本发明的彩色滤光薄膜整合晶体管阵列基板的储存电容器结构因 为采用如修补结构一般的焊点，故可改善金属层与像素电极的接口接触不 良问题，以加强储存电容的功效，而且其中的第一金属层避开作为接触窗 的开口，所以在进行焊接制作工艺时，可避免第一与第二金属层导通的错 误发生。综上所述，本发明因为利用堆栈的的彩色滤光叠层取代黑色矩阵，可 以大幅节省制作工艺时间与成本。而且，本发明还同时因应液晶显示面板 各部位的特殊要求，而在制作工艺及结构上作改良，以达到最省时省力的 功效。
权利要求
1. 一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区与一非显示区，其特征在于若干个第一金属层，配置于该显示区边缘；以及若干个第二金属层，至少邻接该些第一金属层配置，以防止该显示区边缘漏光。
2、 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于还包括 若干条扫描配线，配置在该显示区内；若干条数据配线，配置在该显示区内，其中该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域；若干个薄膜晶体管，配置于该些数据配线与该些扫描配线的交错处， 且通过该些数据配线与该些扫描配线控制；若干个像素电极，配置于该些像素区域中，且分别与对应的该些薄膜 晶体管电性连接；以及若干个彩色滤光薄膜，配置于该些像素电极下方。
3、 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于还包括该 些第二金属层与部分该些第一金属层重叠配置。
4、 如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于该些彩色 滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜以及蓝色滤光薄膜。
5、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 于一基材上形成一第一金属层，该基材包括一显示区与一非显示区；图案化该第一金属层，以于该显示区内形成若干个栅极与若干条扫描 配线，其中该些扫描配线延伸至该显示区边缘； 于该基材上形成一栅极绝缘层；在该些栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成若干个信道层； 于该基材上形成一第二金属层；图案化该第二金属层，以于该些栅极上形成若干个源极、若干个漏极， 并于该基材上形成若干条资料配线以及于该显示区边缘形成若干条拟金 属层，其中该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域，该些栅极、 该些信道层、该些源极以及该些漏极组成若干个薄膜晶体管，且该些拟金 属层至少邻接于该些扫描配线，以防止该显示区边缘漏光；于该些像素区域内的该基材上形成若干个彩色滤光薄膜；以及 于该显示区内的该基材上形成若干个像素电极，该些像素电极与对应 的该些薄膜晶体管电性连接。
6、 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于还包括该些拟金属层 与部分该些扫描配线重叠配置。
7、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 于一基材上形成一第一金属层，该基材包括一显示区与一非显示区； 图案化该第一金属层，以于该显示区内形成若干个栅极与若干条扫描配线以及于该显示区边缘形成若干条拟金属层； 于该基材上形成一栅极绝缘层；在该些栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成若干个信道层； 于该基材上形成一第二金属层；图案化该第二金属层，以于该些栅极上形成若干个源极、若干个漏极， 并于该基材上形成若干条资料配线，其中该些资料配线延伸至该显示区边 缘，且该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域，且该些栅极、 该些信道层、该些源极以及该些漏极组成若干个薄膜晶体管，而该些拟金 属层至少邻接于该些资料配线，以防止该显示区边缘漏光；于该些像素区域内的该基材上形成若干个彩色滤光薄膜；以及 于该显示区内的该基材上形成若干个像素电极，该些像素电极与对应 的该些薄膜晶体管电性连接。
8、 如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在 于还包括该些拟金属层与部分该些资料配线重叠配置。
9、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括提供一基材，该基材 包括一显示区与一非显示区，其特征在于于该显示区边缘形成若干个第一金属层；以及于该基材上形成若干个第二金属层，该些第二金属层至少邻接该些第 一金属层，以防止该显示区边缘漏光。
10、 如权利要求9所述的制作方法，其特征在于还包括该些第一金属 层与部分该些第二金属层重叠配置。
11、 如权利要求9所述的制作方法，其特征在于还包括 于该显示区内形成若干条扫描配线；于该显示区内形成若干条资料配线，其中该些数据配线与该些扫描配 线构成若干个像素区域；于该些数据配线与该些扫描配线的交错处形成若干个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管通过该些数据配线与该些扫描配线控制；于该些像素区域中形成若干个像素电极，该些像素电极分别与对应的该些薄膜晶体管电性连接；以及于该些像素区域上形成若干个彩色滤光薄膜。
12、 一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区与一非显示区，该显示 区边缘具有一液晶注入口，其特征在于若干个第一金属层，配置于该显示区边缘的该液晶注入口所暴露的该 基材上；以及若干个第二金属层，至少邻接该些第一金属层配置，以防止该显示区 边缘的该液晶注入口漏光。
13、 如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于还包括 该些第二金属层与部分该第一金属层重叠配置。
14、 如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括 若干条扫描配线，配置在该显示区内的该基材上；若干条数据配线，配置在该显示区内的该基材上，其中该些数据配线 与该些扫描配线构成若干个像素区域；若干个薄膜晶体管，配置于该些数据配线与该些扫描配线的交错处， 且通过该些数据配线与该些扫描配线控制；若干个像素电极，配置于该些像素区域中，且分别与对应的该些薄膜 晶体管电性连接；以及若干个彩色滤光薄膜，配置于该些像素电极下方。
15、 如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该些彩色滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜以及蓝色滤光薄膜。
16、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 于一基材上形成一第一金属层，该基材包括一显示区与一非显示区，其中该显示区边缘具有一液晶注入口；图案化该第一金属层，以于该显示区内形成若干个栅极与若干条扫描 配线，其中该些扫描配线延伸至该显示区边缘的该液晶注入口；于该基材上形成一栅极绝缘层；在该些栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成若干个信道层； 于该基材上形成一第二金属层；图案化该第二金属层，以于该些栅极上形成若干个源极、若干个漏极， 并于该基材上形成若干条资料配线以及于该显示区边缘的该液晶注入口 所暴露的该基材上形成若干条拟金属层，其中该些数据配线与该些扫描配 线构成若干个像素区域，且该些拟金属层部分重叠于该些扫描配线，以防 止该显示区边缘的该液晶注入口漏光，且该些栅极、该些信道层、该些源 极以及该些漏极组成若干个薄膜晶体管；于该些像素区域内形成若干个彩色滤光薄膜；以及 于该像素区域中形成若干个像素电极，该些像素电极与对应的该些薄 膜晶体管电性连接。
17、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 于一基材上形成一第一金属层，该基材包括一显示区与一非显示区，其中该显示区边缘具有一液晶注入口；图案化该第一金属层，以于该显示区内形成若干个栅极与若干条扫描配线以及于该显示区边缘的该液晶注入口所暴露的该基材上形成若干条 拟金属层；于该基材上形成一栅极绝缘层；在该些栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成若干个信道层； 于该基材上形成一第二金属层；图案化该第二金属层，以于该些栅极上形成若干个源极、若干个漏极， 并于该基材上形成若干条资料配线，该些资料配线延伸至该显示区边缘的 该液晶注入口 ，其中该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域， 且该些拟金属层部分重叠于该些资料配线，以防止该显示区边缘的该液晶 注入口漏光，且该些栅极、该些信道层、该些源极以及该些漏极组成若干 个薄膜晶体管；于该些像素区域内形成若干个彩色滤光薄膜；以及 于该像素区域中形成若干个像素电极，该些像素电极与对应的该些薄 膜晶体管电性连接。
18、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括提供一基材，该基材 包括一显示区与一非显示区，其中该非显示区边缘具有一液晶注入口，其 特征在于于该显示区边缘形成若干个第一金属层；以及于该基材上形成若干个第二金属层，该些第二金属层部分重叠该些第 一金属层，以防止该显示区边缘的该液晶注入口漏光。
19、 如权利要求18所述的制作方法，其特征在于还包括 于该显示区内形成若干条扫描配线；于该显示区内形成若干条资料配线，其中该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域；于该些数据配线与该些扫描配线的交错处形成若干个薄膜晶体管，该 些薄膜晶体管通过该些数据配线与该些扫描配线控制；于该些像素区域中形成若干个像素电极，该些像素电极分别与对应的 该些薄膜晶体管电性连接；以及于该些像素区域上形成若干个彩色滤光薄膜。
全文摘要
一种薄膜晶体管阵列基板，其在显示区边缘采用或是在显示区边缘的液晶注入口处采用邻接或部分重叠的金属层设计，以减少漏光。此外，一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法亦被提出。
文档编号G02F1/1362GK101257031SQ200810089899
公开日2008年9月3日 申请日期2003年7月31日 优先权日2003年7月31日
发明者林丽年 申请人:奇美电子股份有限公司