薄层金属膜材料及其制造方法

专利名称：：薄层金属膜材料及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种薄层金属膜材料及其制造方法，更具体地说，本发明涉及一种适用于遮光材料、尤其是适用于光掩模的薄层金属膜材料及其制造方法。
背景技术：
：近年来，在基材上的所期望的区域中形成有薄层金属膜的金属膜材料在涉及金属配线、电极、磁性材料等多个领域中得到应用。此外，上述金属膜材料也可以用作光掩模。所谓光掩模，是指采用光刻技术将在平板上形成的图案转印到其他的平板上时所用的原版。以往的光掩模，采用的是铬白板或玻璃干版(该玻璃干版是在玻璃支承物上涂覆卤化银乳剂得到照片感光材料而形成的)。铬白板是通过将玻璃研磨之后，采用喷溅法在其上形成金属薄膜，进一步采用旋转器来涂覆感光性抗蚀剂而制造的(例如参照日本特开平1-154060号公报)。由于上述研磨和喷溅需要成本，因此铬白板的价格昂贵。此外，该方法存在下列问题对铬进行蚀刻处理的工序繁杂，而且由于需要使用有害的铬，这在环境上不令人满意。另外，玻璃干版的膜强度差，这也是一个问题(例如参照日本特开平5-53253号公报)。此外，已知有这样的制造金属膜材料的方法，该方法为使具有聚合引发部位(该聚合引发部位可以通过光裂解而引发自由基聚合反应)和基材结合部位的化合物与基材结合，并在此与可以发生自由基聚合反应的不饱和化合物接触后，进行图像状曝光，形成接枝聚合物生成区域，将加入到该接枝聚合物生成区域内的金属离子或金属盐中的金属离子还原，以使金属析出，从而制得存在有图像状的金属膜的金属膜材料(例如参照日本特开2005-275173号公报)。采用该方法，可以得到精细的并且分辨率和导电性高的图像状的金属膜(金属图案)。但是，在该技术中，对于以更低的能量来形成存在有更高密度的金属颗粒的金属膜，没有进行研究。如上所述，为了得到在基材上的所期望的区域中形成有薄层金属膜的金属膜材料，人们期望这样一种技术，该技术能够以更低的能量形成存在有高密度的金属颗粒的、而且粘附性优异的金属膜，然而到目前为止尚未有人提供这样的技术。
发明内容发明要解决的问题本发明考虑到上述传统技术中存在的问题，并以实现下述目的作为课题。艮口，本发明的目的在于提供一种具有图像状的金属膜的薄层金属膜材料，其中在该图像状的金属膜中存在有高密度的金属颗粒，而且该金属膜对于支承物具有优异的粘附性。此外，本发明的另一目的在于提供一种薄层金属膜材料的制造方法，该制造方法能够容易地以低能量制造具有图像状的金属膜的薄层金属膜材料，其中在该图像状的金属膜中存在有高密度的金属颗粒，而且该金属膜对于支承物具有优异的粘附性。解决问题的手段上述课题是通过以下的薄层金属膜材料及其制造方法而解决的。艮P，本发明的第一种薄层金属膜材料，其特征在于，含有支承物；在该支承物上通过采用具有聚合性基团的偶联剂而形成的中间层；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过将含有具有交联性基团的化合物的组合物与所述中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在该中间层表面上的聚合物构成的；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。本发明的第一种薄层金属膜材料，优选通过后述的本发明的薄层金属膜材料的第一种或第二种制造方法制造。本发明的第二种薄层金属膜材料，其特征在于，含有支承物；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过在所述支承物上，将含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物的组合物与该支承物接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在上述支承物表面上的聚合物构成的；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。本发明的第二种薄层金属膜材料，优选通过后述的本发明的薄层金属膜材料的第三种或第四种制造方法制造。本发明的薄层金属膜材料的第一种制造方法，其特征在于，具有以下的工序形成中间层的工序，在该工序中采用具有聚合性基团的偶联剂在支承物上形成中间层；形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在所述中间层上，将含有具有交联性基团的化合物的组合物与该中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过向所述聚合物层中加入金属离子并将该金属离子还原以析出金属颗粒。此外，本发明的薄层金属膜材料的第二种制造方法，其特征在于，具有以下的工序形成中间层的工序，在该工序中通过采用具有聚合性基团的偶联剂而在支承物上形成中间层；形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在该中间层上，将含有具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物与所述中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过将所述聚合物层中含有的金属离子还原以析出金属颗粒。本发明的薄层金属膜材料的第三种制造方法，其特征在于，具有以下的工序形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在支承物上，将含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物的组合物与所述支承物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在所述支承物表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过向所述聚合物层中加入金属离子并将该金属离子还原以析出金属颗粒。本发明的薄层金属膜材料的第四种制造方法，其特征在于，具有以下的工序形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在支承物上，将含有具有聚合性基团的偶联剂、具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物与所述支承物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该支承物表面上的聚合物，迸而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过将所述聚合物层中含有的金属离子还原以析出金属颗粒。在本发明中，所述含有具有交联性基团的化合物的组合物中优选还含有光裂解型自由基聚合引发剂。此外，所述具有聚合性基团的偶联剂中的聚合性基团与所述具有交联性基团的化合物中的交联性基团优选为相同的官能团。还有，在本发明中，所述具有聚合性基团的偶联剂优选具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基。另外，所述具有交联性基团的化合物优选具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基，或者优选具有乙烯基或环氧基。在本发明中，所述金属颗粒优选对365nm以上的波长范围内的光具有吸收。此外，所述聚合物层的膜厚优选在200nm以上、2000nm以下的范围内。在本说明书中，所谓"图像状"是指，由存在聚合物层的区域和不存在聚合物层的区域所构成的二维形态。例如，在本发明的薄层金属膜材料用作光掩模的情况中，存在聚合物层的区域作为遮光部，而不存在聚合物层的区域作为非遮光部。此处，遮光部主要是必须使300nm400nm的光不透过。此外，非遮光部最好能使300nm400nm的光的透过率达到卯％以上。还有，虽然作为遮光部和非遮光部的细条的粗细要根据光掩模的用途而变化，但是最好为150nmlpm。本发明的作用虽然不明确，但是可以根据以下情况推定。本发明的聚合物层可以通过如下方法形成例如，将支承物与具有聚合性基团的偶联剂结合，由此形成中间层，将该中间层与具有交联性基团的化合物接触，并向该组合物施加能量。更具体地说，通过向该组合物施加能量，可以使组合物中的具有交联性基团的化合物之间相互反应，同时，也使该组合物中的具有交联性基团的化合物与具有聚合性基团的偶联剂进行反应。还有，具有聚合性基团的偶联剂在被加入到支承物上时就开始反应，并与支承物结合。由此，使所形成的聚合物层与支承物具有优异的粘附性。在设置有含有光聚合引发部位的层作为中间层的情况中，充分曝光后，如果光聚合引发剂部位不产生自由基或阳离子的话，中间层就不会粘附在支承物上，所以，如果该光聚合引发剂部位的活性低的话，需要长时间的曝光，从而延迟了中间层与支承物的粘附。另一方面，在本发明中，不需要通过施加能量以在中间层产生自由基或阳离子，只要在含有具有交联性基团的化合物的组合物中产生自由基或阳离子，该交联性基团与该中间层的聚合性基团会迅速地通过共聚而结合，从而能够形成膜厚度大的聚合物层。另外，通过以图像状施加能量，能够形成与支承物具有优异粘附性的图像状的聚合物层。此外，如上所述，如果形成膜厚度大的聚合物层，那么该聚合物层中含有的金属离子的量也随之增加，因此能够得到含有更高密度的金属颗粒的聚合物层。发明效果根据本发明，能够提供一种具有图像状的金属膜的薄层金属膜材料，其中在该金属膜中存在有高密度的金属颗粒，而且该金属膜对于支承物具有优异的粘附性。此外，根据本发明，能够提供一种薄层金属膜材料的制造方法，通过该方法，能够容易地以低能量制造上述薄层金属膜材料。本发明的最佳实施方式以下对本发明进行详细说明。本发明的第一种薄层金属膜材料(以下，作为"本发明的薄层金属膜材料(1)"进行说明)，其特征在于，含有支承物；中间层，该中间层是在所述支承物上采用具有聚合性基团的偶联剂而形成的；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过将所述中间层与含有具有交联性基团的化合物的组合物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在该中间层表面上的聚合物构成；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。本发明的薄层金属膜材料(1)，优选根据后述的本发明的薄层金属膜材料的第一种或第二种制造方法制造。此外，本发明的第二种薄层金属膜材料(以下，作为"本发明的薄层金属膜材料(2)"进行说明)，其特征在于，含有支承物；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过在该支承物上，将该支承物与含有具有聚合性基团的偶联剂及具有交联性基团的化合物的组合物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在该支承物表面上的聚合物构成的；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。本发明的薄层金属膜材料(2)，优选根据后述的本发明的薄层金属膜材料的第三种或第四种制造方法制造。本发明的薄层金属膜材料的第一种制造方法(以下，作为"本发明的薄层金属膜材料的制造方法(1)"进行说明)，其特征在于，包括以下工序(a)在支承物上采用具有聚合性基团的偶联剂形成中间层的工序(以下，称为"(a)中间层形成工序")；(bl)在该中间层上，将该中间层与含有具有交联性基团的化合物的组合物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层的工序(以下，称为"(bl)聚合物层形成工序")；以及，(cl)向该聚合物层中加入金属离子后，将该金属离子还原以析出金属颗粒的工序(以下，称为"(cl)金属颗粒析出工序")。此外，本发明的薄层金属膜材料的第二种制造方法(以下，作为"本发明的薄层金属膜材料的制造方法(2)"进行说明)，其特征在于，包括以下工序(a)在支承物上采用具有聚合性基团的偶联剂形成中间层的工序((a)中间层形成工序)；(b2)在该中间层上，将该中间层与含有具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层的工序(以下，称为"(b2)聚合物层形成工序")；以及，(C2)将该聚合物层中含有的金属离子还原以析出金属颗粒的工序(以下，称为"(C2)金属颗粒析出工序")。另外，本发明的薄层金属膜材料的第三种制造方法(以下，作为"本发明的薄层金属膜材料的制造方法(3)"进行说明)，其特征在于，包括以下工序(b3)在支承物上，将该支承物与含有具有聚合性基团的偶联剂及具有交联性基团的化合物的组合物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在所述支承物表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层的工序(以下，称为"(b3)聚合物层形成工序")；以及，向该聚合物层中加入金属离子后，将该金属离子还原以析出金属颗粒的工序(以下，适当地称为"(c3)金属颗粒析出工序")。此外，本发明的薄层金属膜材料的第四种制造方法(以下，作为"本发明的薄层金属膜材料的制造方法(4)"进行说明)，其特征在于，包括以下工序(b4)在支承物上，将该支承物与含有具有聚合性基团的偶联剂、具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在所述支承物表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层的工序(以下，称为"(b4)聚合物层形成工序")；以及，将该聚合物层中含有的金属离子还原以析出金属颗粒的工序(以下，适当地称为"(c4)金属颗粒析出工序")。以下，通过本发明的薄层金属膜材料的制造方法(1)(4)中的各个工序对本发明的薄层金属膜材料(1)和(2)进行详细说明。如下所示，本发明的薄层金属膜材料的制造方法(1)和(2)包括(a)中间层形成工序。在本工序中，在支承物上采用具有聚合性基团的偶联剂形成中间层。首先，对于本工序中采用的具有聚合性基团的偶联剂进行说明。所谓的具有聚合性基团的偶联剂是指有具有聚合性基团和取代基(该取代基可以与支承物形成化学键)的化合物。对于能够与支承物形成化学键的取代基没有特别的限定，只要该取代基可以通过共价键、离子键和氢键与支承物形成化学键即可，但是从键强度的角度考虑，优选能够形成共价键的取代基。其中，作为能够与支承物形成化学键的取代基，优选为选自Si、Ti、Zr、Al中的元素的烷氧基，或卤化物基团。以下，作为具有聚合性基团的偶联剂，以具有聚合性基团和硅垸偶联基团的化合物为例进行说明。对于具有聚合性基团和硅烷偶联基团的化合物没有特别的限定，只要其是通常使用的硅垸偶联剂、并且其分子内具有聚合性基团即可，例如优选以下述通式(1)所表示的化合物。通式(1)，1X—Y—Si—R2I3在上述通式(1)中，R1、R"和R各自独立地表示羟基、垸氧基、酰氧基、酰氨基、或卤素原子。作为上述垸氧基，可以列举甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、节氧基、环己基氧基、金刚烷氧基、2,4-二甲基-3-戊氧基、苯氧基等。作为上述酰氧基中的酰基，可以列举甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、新戊酰基、己酰基、月桂酰基、苯甲酰基、甲氧芳酰基、丙二酰基、环己基羰基等。作为上述酰氨基，可以列举乙酰氨基、甲酰氨基、苯甲酰氨基等。作为上述卤素原子，可以列举氯、溴、碘等。此外，通式(1)中的X表示聚合性基团。作为该聚合性基团，可以列举自由基聚合性基团、阳离子聚合性基团等，但是从保存性、感光度等方面考虑，优选为自由基聚合性基团。作为上述自由基聚合性基团，优选为丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氨基、甲基丙烯酰氨基。作为上述阳离子聚合性基团，可以列举环醚基(环氧基、氧杂环丁基等)、乙烯基、内酯基、氮丙啶基等，其中，优选为乙烯基或者环氧基。通式(1)中的Y表示将聚合性基团与硅垸偶联基团连接起来的连结基团，对其没有特别的限定，只要是不妨碍聚合或硅烷偶联的官能团即可，例如可以为亚烷基、亚芳基、亚烯基、亚炔基等。作为上述通式(1)所表示的化合物的具体例子，可以列举甲基丙烯酸三甲氧基硅基丙酯、丙烯酸三甲氧基硅基丙酯、甲基丙烯酸三氯硅基丙酯、丙烯酸三氯硅基丙酯、甲基丙烯酸三甲氧基硅基己酯、甲基丙烯酸三溴硅基己酯等。其中，从与支承物进行反应时的面内均一性等方面考虑，优选为甲基丙烯酸三甲氧基硅基丙酯或者丙烯酸三甲氧基硅基丙酯。在本工序中，将具有上述聚合性基团的偶联剂与合适的溶剂配制成液状组合物，采用涂覆等方法将该组合物接触到支承物上、并进行分配，通过除去溶剂而形成膜状中间层。在该成膜过程中，通过发生偶联反应，使具有聚合性基团的偶联剂通过偶联基团而结合在支承物的表面上，从而形成中间层。其结果是，通过本发明，能够得到具有聚合性基团的中间层。对于在配制上述液状组合物时所采用的溶剂没有特别的限定，只要其沸点在15(TC以下即可，可以列举水、丙酮、甲乙酮、环己垸、乙酸乙酯、四氢呋喃、甲苯、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、乙酰丙酮、环己酮、甲醇、乙醇、l-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基丙醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、乙酸3-甲氧基丙酯等。此时，液状组合物中的具有聚合性基团的偶联剂的浓度，优选为0.01质量°/。30质量％，特别优选为0.1质暈％15质量％。从防止聚合性基团的反应以及需要维持成膜性以防止膜剥落等方面考虑，使具有聚合性基团的偶联剂与支承物进行偶联时的液状组合物的涂覆量，以干燥后的质量计，优选为0.120g/m2，更优选为0.515g/m2。此外，在使液状组合物与支承物接触时，液状组合物的液温优选为0"C10(TC。接触时间优选为1秒50小时，更优选为10秒10小时。本发明的中间层是通过除去液状组合物中的溶剂后而成膜的，此时，优选进行加热以使膜固化。加热温度和时间可以根据能够使涂覆的溶剂充分干燥的条件来选择，但是从适合制造的角度考虑，温度优选为IO(TC以下，干燥时间优选为30分钟以内，更优选的是，加热条件选择为干燥温度为4080°C、干燥时间为IO分钟以内。尤其是，本发明中的支承物，不论其采用任何形状、材质，只要适用于用途即可。更具体地说，作为所述支承物，优选为尺寸稳定的板状物，例如，可以包括玻璃基板、纸、塑料(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等)层压后形成的纸、金属板(例如，铝、锌、铜等)、塑料薄膜(例如，二乙酸纤维素、三乙酸纤维素、丙酸纤维素、丁酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、硝酸纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯醇縮醛、聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺树脂、聚苯醚、液晶聚合物、聚四氟乙烯等)、以及如上所述的金属层压或蒸镀后形成的纸或者塑料薄膜等。作为本发明中使用的支承物，优选为环氧树脂或聚酰亚胺树脂。此外，在本发明的薄层金属膜材料用作光掩模的情况中，该支承物优选选用玻璃基板。而且，所述玻璃基板的厚度优选为0.1mm20mm。[(bl)和(b2)聚合物层形成工序]在本发明中，在(bl)聚合物层形成工序的情况中，使用的是含有具有交联性基团的化合物的组合物，以形成聚合物层；此外，在(b2)聚合物层形成工序的情况中，使用的是含有具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物，以形成聚合物层。具体地说，在本工序中，在中间层上，将上述组合物中的任意一种与该中间层接触，然后向该组合物按照图像状施加能量，使中间层中的聚合性基团与具有所述交联性基团的化合物反应，以生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层。以下，将(bl)工序中所采用的含有具有交联性基团的化合物的组合物，以及(b2)工序中所采用的含有具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物统称为"反应性组合物"，并对其进行详细说明。首先，对具有交联性基团的化合物(以下，简称为"交联性化合物")进行说明。作为本发明中使用的交联性化合物，只要其中的交联性基团具有自由基聚合性基团或阳离子聚合性基团，不论其是单体、低聚物，还是聚合物均可。其中，优选采用对金属离子具有高亲和性的化合物，或者优选具有交联性基团和金属离子吸附基团的化合物(以下，适当地称为"特定交联性化合物")。作为上述交联性化合物中所含有的交联性基团，如上所述，可以列举自由基聚合性基团或阳离子聚合性基团等，但最好选择与上述的o)工序中所形成的中间层中的聚合性基团具有充分的共聚性的基团。特别是，优选所述具有聚合性基团的偶联剂中的聚合性基团与上述具有交联性基团的化合物中的交联性基团为相同的官能团。作为上述自由基聚合性基团，优选为丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氨基、甲基丙烯酰氨基。此外，作为上述阳离子聚合性基团，例如，可以列举环醚基(环氧基、氧杂环丁基等)、乙烯基、内酯基、氮丙啶基等，其中优选为乙浠基或者环氧基。在本发明中，从保存性、感光度等方面考虑，优选采用具有自由基聚合性基团的化合物。作为具有阳离子聚合性基团的化合物之一的乙烯基化合物，其具体的例子可以列举苯乙烯化合物、烷基乙烯基醚化合物、烯基乙烯基醚化合物、芳基乙烯基醚化合物、多官能乙烯基化合物、丙烯基化合物、异丙烯基化合物、阳离子聚合性含氮化合物等。此外，作为具有阳离子聚合性基团的化合物之一的环氧基化合物，其具体的例子可以列举各种縮水甘油醚型环氧化合物、脂环式环氧化合物、环氧化乙烯基化合物等。此外，作为本发明的交联性化合物中的金属离子吸附基团，可以列举诸如氰基、异氰基、氨基、亚氨基、肼、咪唑基、亚胺基、脲基、吡啶基、铵基、吡咯烷酮基、氰酰基、异氰酰基、硫氰酰基、异硫氰酰基、酰胺基、三嗪环结构、氨基甲酰基、肼基羰基、含有异氰脲结构的基团、氨基甲酸酯基、硝基、亚硝基、偶氮基、重氮基、脒基、叠氮基、氰酸酯基(R-O-CN)等的含氮官能团；诸如羟基(也包括苯酚)、醚基、羰基、羧基、过氧羧基、酯基、含N-氧化物结构的基团、含S-氧化物结构的基团、含N-羟基结构的基团等的含氧官能团；诸如巯基、硫醚基、硫脲基、硫代羰基(f才一9)、亚砜基、砜基、亚硫酸酯基、含硫酰亚胺基(sulfoximine)结构的基团、含氧化锍(sulfoxonium)盐结构的基团、硫代羧基、二硫代羧基、次硫酸酯基、亚磺酸基、亚磺酰基(sulfeno)、氧基羰基(oxycarbonyl)、含磺酸酯结构的基团等的含硫官能团；诸如膦(phosphine)基、膦基(phosphino)、膦酰基、羟基磷酰基等含磷官能团；诸如羧酸基、磺酸基、磷酸基等酸基；含有氯、溴、氟等卤素原子的基团；以及烯烃、炔烃、苯环等不饱和烃基等。其中，由于羧基或其碱金属盐与金属离子的吸附性高，所以优选羧基或其碱金属盐。对于所述交联性化合物的分子量没有特别的限定，只要该分子量可以使得在涂覆时该化合物能溶解于一般的溶剂中，并且能够通过过滤除去不需要的固体即可。作为本发明中使用的特定交联性化合物的单体，具体地说，可以列举例如(甲基)丙烯酸或其碱金属盐及胺盐、衣康酸或其碱金属盐及胺盐、苯乙烯磺酸或其碱金属盐及胺盐、(甲基)丙烯酸2-磺基乙酯或其碱金属盐及胺盐、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其碱金属盐及胺盐、磷酰氧基聚氧乙烯二醇单(甲基)丙烯酸酯或其碱金属盐及胺盐、聚氧乙烯二醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酰胺、N-单羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-二羟甲基(甲基)丙烯酰胺、烯丙基胺或其卤化氢酸盐、N-乙烯基吡咯烷酮、乙烯基咪唑、乙烯基吡啶、乙烯基噻吩、苯乙烯、诸如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等具有碳原子数为124的垸基的(甲基)丙烯酸酯等。此外，作为本发明中可使用的特定交联性化合物的大分子单体，可以采用公知的方法由上述单体制得。作为本实施方案中使用的大分子单体的制造方法，例如在1989年9月20日7<^—^一出版社发行的"t夕口f乂7—0化学t工業"(编辑者山下雄也)的第2章"7夕o乇/7—co合成，，中提出了各种制造方法。有用的这种大分子单体的重均分子量为50050万，特别优选为10005万。作为本发明中可使用的特定交联性化合物的聚合物，优选在该聚合物中引入金属离子吸附基团、以及乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酰基等烯烃加成聚合性不饱和基团(聚合性基团)。该聚合物至少在末端或在侧链上具有烯烃加成聚合性不饱和基团，进一步优选在侧链上具有烯烃加成聚合性不饱和基团，更优选在末端及在侧链上均具有烯烃加成聚合性不饱和基团。有用的这种高分子化合物的重均分子量为50050万，特别优选为10005万。作为具有金属离子吸附基团和聚合性基团的高分子化合物的合成方法，可以列举下述方法i)将具有金属离子吸附基团的单体与具有2个以上聚合性基团的单体共聚的方法；ii)将具有金属离子吸附基团的单体与具有聚合性基团前体的单体共聚，然后通过碱等的处理以引入双键的方法；iii)使具有金属离子吸附基团的聚合物与具有聚合性基团的单体反应，以引入聚合性基团的方法。从适于合成的角度考虑，优选的合成方法为ii)将具有金属离子吸附基团的单体与具有聚合性基团前体的单体共聚，然后通过碱等<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>的处理以引入聚合性基团的方法；iii)使具有金属离子吸附基团的聚合物与具有聚合性基团的单体反应，以引入聚合性基团的方法。作为在上述i)及ii)的合成方法中所采用的具有金属离子吸附基团的单体，可以列举例如(甲基)丙烯酸或其碱金属盐及胺盐、衣康酸或其碱金属盐及胺盐，更具体地说，可以列举例如，(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酰胺、N-单羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-二羟甲基(甲基)丙烯酰胺、烯丙基胺或其卤化氢酸盐、3-乙烯基丙酸或其碱金属盐及胺盐、乙烯基磺酸或其碱金属盐及胺盐、(甲基)丙烯酸2-磺基乙酯、聚氧乙烯二醇单(甲基)丙烯酸酯、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、磷酰氧基聚氧乙烯二醇单(甲基)丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮(下文所示的结构)、苯乙烯磺酸钠、乙烯基安息香酸等。一般来说，可以使用具有羧基、磺酸基、磷酸基、氨基或其盐、羟基、酰胺基、膦基、咪唑基、吡啶基、或它们的盐、以及醚基等官能团的单体。特别是，由于具有羧基或其碱金属盐的单体与金属离子的吸附性高，所以优选使用具有羧基或其碱金属盐的单体。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>在上述i)的合成方法中，作为可以与上述具有金属离子吸附基团的单体共聚的具有2个以上聚合性基团的单体，可以列举(甲基)丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸2-烯丙基氧基乙酯。此外，作为在上述ii)的合成方法中所采用的具有聚合性基团前体的单体，可以使用甲基丙烯酸2-(3-氯-l-羰基丙氧基)乙酯或日本特开2003-335814号公报中记载的化合物(i-li-60)，其中，特别优选下述化合物(i-l)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>化合物(i-l)此外，利用与上述iii)的合成方法中所采用的具有金属离子吸附基团的聚合物中的羧基、氨基或其盐、羟基、及环氧基等官能团的反应以引入聚合性基团时，作为所采用的具有聚合性基团的单体，可以列举(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油基醚、(甲基)丙烯酸2-异氰酰基乙酯等。在上述ii)的合成方法中，使具有金属离子吸附基团的单体与具有聚合性基团前体的单体发生共聚后，通过碱等的处理以引入聚合性基团的方法例如可以采用日本特开2003-335814号公报中记载的方法。在本发明中，作为特定交联性化合物，优选使用具有羧酸基(羧基)、磺酸基、磷酸基等酸基、其碱金属盐、或氨基作为金属离子吸附基团的聚合物(以下称作"含有极性基团的交联性聚合物")。特别是，作为含有极性基团的交联性聚合物，优选的是，那些含有具有羧酸基(羧基)、磺酸基、磷酸基、它们的碱金属盐、或氨基的单元以及后述的通式(1)所示单元的共聚物。另外，该共聚物也可以是还含有其它单元的三元共聚物。作为具有羧酸基(羧基)、磺酸基、磷酸基、它们的碱金属盐、或氨基的单元，只要是具有这些官能团的单体所形成的单元(重复单元)即可，具体来说，可以列举上述的在O和ii)合成方法中所使用的具有金属离子吸附基团的单体等所形成的单元。另外，关于构成含有极性基团的交联性聚合物的由通式(l)所示的单元，与构成后述的含有氰基的交联性聚合物的由通式(l)所示的单元同义，其优选例子也相同。此处，在含有极性基团的交联性聚合物中，相对于全体共聚成分，具有羧酸基(羧基)、磺酸基、磷酸基、或氨基的单元以及通式(1)所表示的单元所占的比例分别优选在下述的范围内。艮P，从与金属离子的吸附性方面考虑，具有羧酸基(羧基)、磺酸基、磷酸基、它们的碱金属盐、或氨基的单元优选占全体共聚成分的10摩尔％至95摩尔％，更优选占30摩尔％至70摩尔％。另外，从反应性(固化性、聚合性)和容易合成的角度考虑，通式(1)所表示的单元优选占全体共聚成分的2摩尔％至20摩尔％，更优选占5摩尔％至10摩尔％。本发明中的含有极性基团的交联性聚合物的分子量(Mw)优选为5000至50000，更优选为7000至25000。下面虽然示出了本发明中的含有极性基团的交联性聚合物的具体例子[示例化合物(1)(21)]，但本发明并不局限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>(16〉此外，本发明中，作为所述特定交联性化合物，也可以采用具有以氰基作为金属离子吸附基团的聚合物(以下，称为"含有氰基的交联聚合物")。本发明中的含有氰基的交联聚合物，例如优选为含有如下述式(1)所示单元及下述式(2)所示单元的共聚物。式(l)式(2)在上述式(1)及式(2)中，R^RS各自独立地表示氢原子，或者取代或未取代的垸基；X、Y及Z各自独立地表示单键，取代或未取代的二价有机基团，酯基，酰胺基，或者醚基；iJ及I^各自独立地表示取代或未取代的二价有机基团。在WRS为取代或未取代的垸基的情况中，作为未取代的烷基，可以列举甲基、乙基、丙基、丁基；此外，作为取代的烷基，可以列举被甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基o还有，作为R1，优选为氢原子、甲基、或者被羟基或溴原子取代的甲基。作为R2，优选为氢原子、甲基、或者被羟基或溴原子取代的甲基。作为R3，优选为氢原子。作为R4，优选为氢原子。作为R5，优选为氢原子、甲基。在X、Y及Z为取代或未取代的二价有机基团的情况中，作为该二价有机基团，可以列举取代或未取代的脂肪烃基、取代或未取代的芳香烃基。作为取代或未取代的脂肪烃基，优选为亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基，或者被甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氟原子等取代的这些基团。作为取代或未取代的芳香烃基，优选为未取代的苯基，或者被甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氟原子等取代的苯基。其中，优选为-(CH2)n-(n为13的整数)，更优选为-CH2-。L1优选为具有氨基甲酸酯基或者脲基的二价有机基团，其中，优选其总碳原子数为19。另外，此处，所谓的W的总碳原子数是指！^所表示的取代或未取代的二价有机基团中含有的总碳原子数。Li的结构，更具体地说，优选为下述式(l-l)或者式(l-2)所表示的结构。上述式(l-l)及式(l-2)中，W及Rb各自独立地表示取代或未取代的亚甲基、亚乙基、亚丙基、或亚丁基。此外，LM尤选为直链的、支链的、或者环状的亚烷基、芳香基，或者这些基团组合后形成的基团。另外，还可以通过醚基、酯基、酰胺基、氨基甲酸酯基、脲基这样的基团将该亚烷基与芳香基组合。其中，L^的总碳原子数优选为115，并且1^特别优选为未取代的上述基团。另外，此处，所谓的L^的总碳原子数是指I^所表示的取代或未取代的二价有机基团中含有的总碳原子数。具体地说，可以列举亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚苯基，以及被甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氟原子等取代的这些基团，还有这些基团组合后形成的基团。在作为本发明中的含有氰基的交联聚合物中，上述式(l)所表示的单元优选为下述式(3)所表示的单元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula式(i-i)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>上述式(3)中，W及W各自独立地表示氢原子，或者取代或未取代的垸基；Z表示单键、取代或未取代的二价有机基团、酯基、酰胺基、或者醚基；W表示氮原子或者氧原子；1^表示取代或未取代的二价有机基团。式(3)中的W及R与上述式(l)中的W及R意义相同，其优选例子也相同。式(3)中的Z与上述式(l)中的Z意义相同，其优选例子也相同。另外，式(3)中的Li与上述式(l)中的U意义相同，其优选例子也相同。在作为本发明中的含有氰基的交联聚合物中，上述式(3)所表示的单元优选为下述式(4)所表示的单元。式(4)中，W及I^各自独立地表示氢原子，或者取代或未取代的烷基；V及W各自独立地表示氮原子或者氧原子；1^表示取代或未取代的二价有机基团。式(4)中的W及W与上述式(l)中的W及W意义相同，其优选例子也相同。式(4)中的1^与上述式(1)中的Li意义相同，其优选例子也相同。上述式(3)及式(4)中，W优选为氧原子。此外，上述式(3)及式(4)中，LM尤选为未取代的亚烷基，或者具式(4)有氨基甲酸酯基或者脲基的二价有机基团，其中，特别优选总碳原子数为19。此外，在作为本发明中的含有氰基的交联聚合物中，上述式(2)所表示的单元优选为下述式(5)所表示的单元。R2式(5)上述式(5)中，112表示氢原子，或者取代或未取代的烷基；U表示氮原子或者氧原子；1^2表示取代或未取代的二价有机基团。式(5)中的W与上述式(1)中的I^及I^意义相同，优选为氢原子。此外，式(5)中的1^与上述式(2)中的1^2意义相同，优选为直链的、支链的、或者环状的亚垸基、芳香基，或者这些基团组合构成的基团。特别是，在式(5)中，在与氰基相连接的部位上，1^优选为具有直链的、支链的、或者环状的亚烷基的二价有机基团，其中，该二价有机基团的总碳原子数优选为110。此外，作为其它的优选实施方案，在与氰基连接的部位上，式(5)中的1^2优选为具有芳香基的二价有机基团，其中，该二价有机基团的总碳原子数优选为615。本发明中的含有氰基的交联聚合物是由上述式(1)式(5)所表示的单元构成的、在其侧链上具有聚合性基团和氰基的聚合物。该含有氰基的交联聚合物，例如可以采用以下的方法合成。聚合反应的种类可以列举自由基聚合、阳离子聚合、阴离子聚合。从反应控制的角度考虑，优选采用自由基聚合、阳离子聚合。本发明的含有氰基的交联聚合物，在l)形成聚合物主链的聚合方式与向侧链上引入聚合性基团的聚合方式不同的情况中，以及在2)形成聚合物主链的聚合方式与向侧链上引入聚合性基团的聚合方式相同的情况中，两者采用的合成方法是不同的。l)形成聚合物主链的聚合方式与向侧链上引入聚合性基团的聚合方式不同的情况形成聚合物主链的聚合方式与向侧链上引入聚合性基团的聚合方式不同的情况存在以下两种实施方案1-1)通过阳离子聚合来形成聚合物主链，而向侧链上引入聚合性基团的聚合方式为自由基聚合的实施方案；1-2)通过自由基聚合来形成聚合物主链，而向侧链上引入聚合性基团的聚合方式为阳离子聚合的实施方案。1-1)通过阳离子聚合来形成聚合物的主链，而向侧链上引入聚合性基团的聚合方式为自由基聚合的实施方案本发明中，在通过阳离子聚合来形成聚合物主链，而向侧链上引入聚合性基团的聚合方式为自由基聚合的实施方案中，所采用的单体可以列举以下的化合物。用于形成含有聚合性基团的单元的单体在本实施方案中所使用的用于形成含有聚合性基团的单元的单体，可以列举(甲基)丙烯酸乙烯基酯、(甲基)丙烯酸烯丙酯、4-(甲基)丙烯酰基丁基乙烯基醚、2-(甲基)丙烯酰基乙基乙烯基醚、3-(甲基)丙烯酰基丙基乙烯基醚、(甲基)丙烯酰氧基二乙二醇乙烯基醚、(甲基)丙烯酰氧基三乙二醇乙烯基醚、(甲基)丙烯酰基(X-砲品醇、l-(甲基)丙烯酰氧基-2-甲基-2-丙烯、l-(甲基)丙烯酰氧基-3-甲基-3-丁烯、3-亚甲基-2-(甲基)丙烯酰氧基-降冰片烷、4，4'-亚乙基二苯酚二(甲基)丙烯酸酯、异丁烯醛二(甲基)丙烯酰基縮醛、对-((甲基)丙烯酰基甲基)苯乙烯、(甲基)丙烯酸烯丙酯、2-(溴甲基)丙烯酸乙烯酯、2-(羟甲基)丙烯酸烯丙酯等。-用于形成含有氰基的单元的单体在本实施方案中所用的用于形成含有氰基的单元的单体，可以列举2-氰基乙基乙烯基醚、氰基甲基乙烯基醚、3-氰基丙基乙烯基醚、4-氰基丁基乙烯基醚、l-(对-氰基苯氧基)-2-乙烯氧基乙垸、l-(邻-氰基苯氧基)-2-乙烯氧基乙烷、l-(间-氰基苯氧基)-2-乙烯氧基乙烷、l-(对-氰基苯氧基)-3-乙烯氧基丙垸、l-(对-氰基苯氧基)-4-乙烯氧基丁垸、邻-氰基苄基乙烯基醚、间-氰基苄基乙烯基醚、对-氰基苄基乙烯基醚、烯丙基氰化物、烯丙基氰基乙酸和以下所示的化合物等,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>聚合方法可使用实验化学讲座"高分子化学"第2章一4(p74)中记载的方法和"高分子合成o実験方法"(大津隆行著)第7章(pl95)中记载的一般的阳离子聚合方法。此外，在阳离子聚合中，可采用质子酸、金属卣化物、有机金属化合物、有机盐、金属氧化物、固体酸及卤素作为引发剂，其中，作为具有高活性的、可以合成高分子量聚合物的引发剂，优选使用金属卤化物和有机金属化合物。具体地说，可以列举三氟化硼、三氯化硼、三氯化铝、三溴化铝、四氯化钛、四氯化锡、溴化锡、五氟化磷、氯化锑、氯化钼、氯化钨、氯化铁、二氯乙基铝、一氯二乙基铝、二氯甲基铝、一氯二甲基铝、三甲基铝、三甲基锌、甲基格氏试剂。1-2)通过自由基聚合来形成聚合物主链，而向侧链上引入聚合性基团的聚合方式为阳离子聚合的实施方案本发明中，在通过自由基聚合来形成聚合物主链，而向侧链上引入聚合性基团的聚合方式为阳离子聚合的实施方案中，所采用的单体可以列举以下化合物。用于形成含有聚合性基团的单元的单体可以采用与上述l-l)的实施方案中所列举的用于形成含有聚合性基团的单元的单体相同的单体。用于形成含有氰基的单元的单体在本实施方案中使用的用于形成含有氰基的单元的单体，可以列举(甲基)丙烯酸氰基甲酯、(甲基)丙烯酸2-氰基乙酯、(甲基)丙烯酸3-氰基丙酯、(甲基)丙烯酸2-氰基丙酯、(甲基)丙烯酸l-氰基乙酯、(甲基)丙烯酸4-氰基丁酯、(甲基)丙烯酸5-氰基戊酯、(甲基)丙烯酸6-氰基己酯、(甲基)丙烯酸7-氰基庚酯、(甲基)丙烯酸8-氰基辛酯、3-(溴甲基)丙烯酸2-氰基乙酯、3-(羟甲基)丙烯酸2-氰基乙酯、(甲基)丙烯酸对-氰基苯酯、(甲基)丙烯酸邻-氰基苯酯、(甲基)丙烯酸间-氰基苯酯、5-(甲基)丙烯酰基-2-腈基-降冰片烯、6-(甲基)丙烯酰基-2-腈基-降冰片烯、l-氰基-l-(甲基)丙烯酰基环己烷、l,l-二甲基-l-氰基-(甲基)丙烯酸酯、l-甲基-l-乙基-l-氰基-(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸邻-氰基苄酯、(甲基)丙烯酸间-氰基苄酯、(甲基)丙烯酸对-氰基节酯、丙烯酸1-氰基环庚基酯、丙烯酸2-氰基苯酯、丙烯酸3-氰基苯酯、氰基乙酸乙烯酯、l-氰基-l-环丙烷羧酸乙烯酯、氰基乙酸烯丙酯、1_氰基_1_环丙垸羧酸烯丙酯、N,N-二氰基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-氰基苯基(甲基)丙烯酰胺、烯丙基氰基甲基醚、烯丙基-邻-氰基苄基醚、烯丙基-间-氰基节基醚、烯丙基-对-氰基苄基醚等。此外，也可以使用具有在上述单体中的一部分氢被羟基、垸氧基、卤素、氰基等取代后而形成的结构的单体。聚合方法可使用实验化学讲座"高分子化学"第2章-2(p34)中记载的方法和"高分子合成o実験方法"(大津隆行著)第5章(pl25)中记载的一般的自由基聚合方法。此外，对于自由基聚合的引发剂，己知有必须加热至IO(TC以上才可以引发聚合的高温引发剂、加热至4010(TC可以引发聚合的普通引发剂、在极低温度下可以引发聚合的氧化还原引发剂等，但是从引发剂的稳定性、聚合反应的处理方便程度的角度考虑，优选使用普通引发剂。作为普通引发剂，可以列举过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化二硫酸盐、偶氮二异丁腈、偶氮双-2,4-二甲基戊腈。2)形成聚合物主链的聚合方式与向侧链上引入聚合性基团的聚合方式相同的情况形成聚合物主链的聚合方式与向侧链上引入聚合性基团的聚合方式相同的情况存在以下两种实施方案2-l)两者均为阳离子聚合的实施方案；2-2)两者均为自由基聚合的实施方案。2-l)两者均为阳离子聚合的实施方案在两者均为阳离子聚合的实施方案中，作为具有氰基的单体，可以采用与上述l-l)的实施方案中所列举的用于形成含有氰基的单元的单体相同的单体。此外，从防止聚合过程中发生凝胶化的角度考虑，优选采用的是，预先合成具有氰基的聚合物，然后将该聚合物与具有聚合性基团的化合物(以下，适当地称为"反应性化合物")反应，以引入聚合性基团的方法。此外，为了与反应性化合物进行反应，所述具有氰基的聚合物优选具有如下所示的反应性基团。此外，对具有氰基的聚合物和反应性化合物优选进行适当地选择，以使得它们具有以下的官能团的组合。具体地说，作为所述的组合，可以列举(聚合物的反应性基团、反应性化合物的官能团)=(羧基、羧基)、(羧基、环氧基)、(羧基、异氰酸酯基)、(羧基、卤代苄基)、(羟基、羧基)、(羟基、环氧基)、(羟基、异氰酸酯基)、(羟基、卤代苄基)、(异氰酸酯基、羟基)、(异氰酸酯基、羧基)等。此处，作为反应性化合物，具体地说，可以采用如下所示的化合物。艮P，烯丙基醇、4-羟基丁基乙烯基醚、2-羟基乙基乙烯基醚、3-羟基丙基乙烯基醚、羟基三乙二醇乙烯基醚、a-萜品醇、2-甲基-2-丙醇、3-甲基-3-丁醇、3-亚甲基-2-羟基降冰片烷、对-(氯甲基)苯乙烯。2-2)两者均为自由基聚合的实施方案在两者均为自由基聚合的实施方案中，作为合成方法，有下述方法i)将具有氰基的单体与具有聚合性基团的单体共聚的方法；ii)使具有氰基的单体与具有双键前体的单体共聚，然后通过碱等的处理以引入双键的方法；iii)使具有氰基的聚合物与具有聚合性基团的单体反应，以引入双键(引入聚合性基团)的方法。从适用于合成的角度考虑，优选的是ii)使具有氰基的单体与具有双键前体的单体共聚，然后通过碱等的处理以引入双键的方法；iii)使具有氰基的聚合物与具有聚合性基团的单体反应，以引入聚合性基团的方法。在上述i)的合成方法中所采用的具有聚合性基团的单体，可以列举(甲基)丙烯酸烯丙酯及以下所示的化合物等。作为在上述ii)的合成方法中所采用的具有双键前体的单体，可以列举下述式(a)所表示的化合物等。上述式(a)中，A表示具有聚合性基团的有机原子基团；R1113各自独立地表示氢原子，或者一价有机基团；B及C表示可通过消除反应而被除去的离去基团，此处，所谓消除反应是指在碱的作用下，脱去C，并使B离去的反应。优选B以阴离子的形式、C以阳离子的形式被脱去。式(a)所表示的化合物，具体可以列举以下的化合物。式(a)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>此外，在上述ii)的合成方法中，在将双键前体转换为双键时，可以采用如下所示的通过消除反应将B、C所表示的离去基团除去的方法，S卩，在碱的作用下，脱去C，并使B离去的反应。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>作为在上述消除反应中所采用的碱，作为优选的例子，可以列举碱金属的氢化物、氢氧化物或者碳酸盐；有机胺类化合物；金属烷氧化合物。碱金属的氢化物、氢氧化物或者碳酸盐的优选例子可以列举氢化钠、氢化钙、氢化钾、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钾、碳酸氢钠等。有机胺类化合物的优选例子可以列举三甲基胺、三乙基胺、二乙基甲基胺、三丁基胺、三异丁基胺、三己基胺、三辛基胺、N,N-二甲基环己胺、N,N-二乙基环己胺、N-甲基二环己胺、N-乙基二环己胺、吡咯烷、1-甲基吡咯垸、2,5-二甲基吡咯烷、哌啶、l-甲基哌啶、2，2,6,6-四甲基哌啶、哌嗪、1，4-二甲基哌嗪、喹宁环定、1,4-二氮杂双环[2,2,2]-辛烷、环六亚甲基四胺、吗啉、4-甲基吗啉、吡啶、甲基吡啶、4-二甲基氨基吡啶、二甲基吡啶、1,8-二氮杂双环[5,4,0]-7-H^—烯(DBU)、N,N，-二环己基碳二酰亚胺(DCC)、二异丙基乙基胺、Schiff碱等。金属垸氧化合物的优选例子可以列举甲醇钠、乙醇钠、叔丁醇钾等。这些碱可以单独使用，也可以两种以上混合使用。此外，在上述消除反应中，作为给予(添加)碱时所采用的溶剂，可以列举例如二氯乙烷、环己酮、甲乙酮、丙酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙酸2-甲氧基乙酯、l-甲氧基-2-丙醇、乙酸l-甲氧基-2-丙酯、N，N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、甲苯、乙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、水等等。这些溶剂可以单独使用，也可以两种以上混合使用。相对于化合物中的特定官能团(B、C所表示的离去基团)的量，碱的用量可以是在当量以下，也可以是当量以上。此外，在使用过量的碱的情况中，为了除去消除反应后剩余的碱，优选添加酸等。在上述iii)的合成方法中，作为与具有氰基的聚合物反应的具有聚合性基团的单体，根据具有氰基的聚合物中的反应性基团的种类的不同而不同，可以使用具有以下组合的官能团的单体。艮P，(聚合物的反应性基团、单体的官能团)=(羧基、羧基)、(羧基、环氧基)、(羧基、异氰酸酯基)、(羧基、卤代苄基)、(羟基、羧基)、(羟基、环氧基)、(羟基、异氰酸酯基)、(羟基、卤代苄基)、(异氰酸酯基、羟基)、(异氰酸酯基、羧基)等。具体地说，可以使用以下的单体。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>在采用以上方法所合成的本发明的含有氰基的交联聚合物中，相对于全体共聚成分，含有聚合性基团的单元的比率及含有氰基的单元的比率优选在以下的范围内。艮P，相对于全体共聚成分，含有聚合性基团的单元的比率优选在5摩尔％50摩尔％的范围内，更优选在5摩尔％40摩尔％的范围内。如果比率为5摩尔％以下，则反应性(硬化性、聚合性)会降低；如果比率为50摩尔％以上，则合成时容易发生凝胶化从而难以合成。此外，相对于全体共聚成分，含有氰基的单元的比率优选在1摩尔％95摩尔％的范围内，更优选在10摩尔％95摩尔％的范围内。还有，本发明中的含有氰基的交联聚合物，除了具有含有氰基的单元和含有聚合性基团的单元以外，还可以具有其他的单元。作为用于形成其他单元的单体，只要不损害本发明的效果，可以使用任何单体。但是，在如前所述使聚合性基团与聚合物反应以引入这些聚合性基团的情况中，在难以100%引入时，会残留少量的反应性部分，这些部分也有可能成为第3种单元。具体地说，在通过自由基聚合来形成聚合物主链的情况中，可以使用(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等未取代的(甲基)丙烯酸酯类，(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸3，3，3-三氟丙酯、(甲基)丙烯酸2-氯乙酯等卤素取代的(甲基)丙烯酸酯类，2-(甲基)丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵等铵基取代的(甲基)丙烯酸酯类，丁基(甲基)丙烯酰胺、异丙基(甲基)丙烯酰胺、辛基(甲基)丙烯酰胺、二甲基(甲基)丙烯酰胺等(甲基)丙烯酰胺类，苯乙烯、乙烯基安息香酸、对-乙烯基苄基氯化铵等苯乙烯类，N-乙烯基咔唑、乙酸乙烯基酯、N-乙烯基乙酰胺、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基化合物类，以及其他的(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙硫基-乙酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯等。此外，也可以使用由上述单体而得到的大分子单体。在通过阳离子聚合来形成聚合物主链的情况中，可以使用乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、乙二醇乙烯基醚、二(乙二醇)乙烯基醚、1,4-丁二醇乙烯基醚、2-氯乙基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、乙酸乙烯基酯、2-乙烯基氧基四氢吡喃、苯甲酸乙烯基酯、丁酸乙烯基酯等乙烯基醚类，苯乙烯、对-氯苯乙烯、对-甲氧基苯乙烯等苯乙烯类，烯丙基醇、4-羟基-l-丁烯等末端为乙烯基的化合物等。本发明中的含有氰基的交联聚合物的分子量(Mw)优选为300020万，更优选为400010万。以下示出了本发明中的含有氰基的交联聚合物的具体例子，但并不局限于此。还有，这些具体例子的重均分子量均在3000100000的范围内。l-l)的实施方案中得到的聚合物1-1-121-1-131+14l-2)的实施方案中得到的聚合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>2-l)的实施方案中得到的聚合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>2-2)的实施方案中得到的聚合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>2-2)的实施方案中得到的聚合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>此处，例如，上述具体例的化合物2-2-11是采用如下方法合成的将丙烯酸和丙烯酸2-氰基乙酯溶解在(例如)N-甲基吡咯烷酮中，采用(例如)偶氮二异丁腈(AIBN))作为聚合引发剂进行自由基聚合，然后采用苄基三乙基氯化铵之类的催化剂，并在加入叔丁基对苯二酚之类的聚合终止剂的状态下，对甲基丙烯酸缩水甘油酯进行加成反应而合成得到化合物2-2-11。此处，例如，上述具体例的化合物2-2-19是采用如下方法合成的将以下所示的单体和丙烯酸对-氰基苄酯溶解在N,N-二甲基丙烯酰胺之类的溶剂中，采用偶氮二异丁酸二甲酯之类的聚合引发剂进行自由基聚合，然后采用三乙胺之类的碱除去盐酸而合成得到。另外，在本发明中，也可以使用预先已在分子内引入有金属离子的交联性化合物，以形成聚合物层。另外，作为被引入到该交联性化合物中的金属离子，可以列举银离子、铜(I)离子、铜(II)离子、钯(II)离子、钯(IV)离子、铝离子、镍离子、铁(II)离子、铁(III)离子、钌离子、铑离子、锡离子等。其中，从易于还原的角度考虑，优选银离子、钯离子。作为分子内引入有金属离子的交联性化合物，可以列举丙烯酸银、丙烯酸铜(I)、丙烯酸铜(II)、丙烯酸钯(II)、3-丙烯酰氧基丙酸银等。此外，作为分子内引入有金属离子的交联性化合物，也可以采用如下所示的聚合物[示例化合物(Ml)和(M2)]等。(Ml〉^T^50^Y^50(M2)^7^0""^T^0在本工序所采用的反应性组合物中，本发明中的交联性化合物优选占30质量％99质量％，更优选占40质量％70质量％。此外，这些交联性化合物可以一种单独使用，也可以两种以上合用。在(b2)聚合物层形成工序中，需要使用除了含有上述具有交联性基团的化合物之外，还含有金属离子的反应性组合物，以形成聚合物层。作为此处可以采用的金属离子，可以列举银离子、铜(I)离子、铜(n)离子、钯(n)离子、钯(iv)离子、铝离子、镍离子、铁(ii)离子、铁(ni)离子、钌离子、铑离子、锡离子等。其中，从易于还原的角度考虑，优选为银离子、钯离子。另外，在所述交联性化合物具有金属离子吸附基团的情况中，可以通过盐交换，将金属离子引入到该化合物中。在本工序中所采用的反应性组合物中，本发明中的金属离子的含量优选为1质量°/。30质量％，更优选为2质量％10质量％。此外，这些金属离子可以一种单独使用，也可以两种以上合用。在本工序中所采用的反应性组合物中，除了上述的成分以外，根据需要，还可以添加聚合引发剂、增敏剂、链转移剂、聚合终止剂等。此外，在通过施加能量使本工序中所采用的反应性组合物进行聚合的情况中，可以不用聚合引发剂，而采用与该反应性组合物中所含有的交联性化合物的吸收波长相对应的光进行照射以引发聚合。例如，在采用具有以丙烯酰氧基作为交联性基团的交联性化合物的情况中，最好采用254nm的光。以下，对在聚合物层形成时所采用的、添加到反应性组合物中的各种成分进行说明。本发明中所采用的聚合引发剂，可以根据目的，从通过施加一定的能量(例如，活性光线的照射、加热、电子射线的照射等)而可以实现聚合引发能力的公知的热聚合引发剂、光聚合引发剂等中适当选择。其中，从在制造适用性方面很适合利用光聚合的角度考虑，优选采用光聚合引发剂。换言之，本发明中的反应性组合物为采用光聚合引发剂而形成的光聚合性组合物。作为本发明中的光聚合引发剂，可以采用夺氢型的自由基聚合引发剂、光裂解型的自由基聚合引发剂等。作为夺氢型的自由基聚合引发剂，例如，可以采用苯乙酮类、二苯甲酮类、米歇勒酮(Michler，sketone)、苯甲酰基苯甲酸酯、苯偶姻类、a-酰肟基酯、一硫化四甲基秋兰姆、三氯甲基三嗪及噻吨酮等公知的自由基产生剂。此外，通常用作光酸产生剂的硫鎗盐和碘鑰盐等在光照射下也可以起到自由基产生剂的作用，因此，它们也可以用于本发明。此外，光裂解型的自由基聚合引发剂中具有在光的作用下发生断裂的单键这样的结构。作为在光的作用下发生断裂的单键，可以列举可以利用羰基的a裂解反应、(3裂解反应、光自由移转反应、苯甲酰甲酯的裂解反应、磺酰亚胺的裂解反应、磺酰酯的裂解反应、N-羟基磺酰酯的裂解反应、苄基酰亚胺的裂解反应、活性卤化物的裂解反应等而断裂的单键。通过这些反应，能够将在光的作用下可断裂的单键断开。作为可断裂的单键，可以列举C-C键、C-O键、S-N键、C-N键、N-0键及C-C1键等。作为具有在光的作用下可断开的单键、而且还可以产生自由基的聚合引发剂，可以列举含有下述基团的聚合引发剂。艮卩，可以列举例如芳香族酮基、苯甲酰甲酯基、磺酰亚胺基、磺酰酯基、N-羟基磺酰酯基、苄基酰亚胺基、三氯甲基、氯代苄基、月亏酯基等。此外，在本发明中，也可以采用阳离子热聚合引发剂。作为该阳离子热聚合引发剂，可以使用任何具有阳离子热聚合引发作用的物质(例如包括旭电化工业株式会社生产的CP-66、CP-77等已经公知的物质)，例如可以使用硫鑰盐、铵盐、磷鏺盐等的鑰盐、硅醇-铝络合物等。作为硫鎿盐类热聚合引发剂，可以使用例如旭电化工业(株)生产的CP-66、CP-77等。此外，对采用上述阳离子热聚合所进行的形成交联的反应中的反应温度没有特别的限定，可以适当设定，只要可以形成交联即可。对于本工序中所采用的聚合引发剂没有特别的限定，可以根据所施加的能量进行相应的选择，也可以与下述的增敏剂配合使用。此外，作为本工序中所用的聚合引发剂，优选使用的是，对用于反应性组合物中的交联性化合物所含有的聚合性基团，能够显现出聚合引发能力的聚合引发剂。在本工序所采用的反应性组合物中，本发明的光聚合引发剂优选占0.01质量％20质量％，更优选占0.1质量％10质量％。此外，这些聚合引发剂可以一种单独使用，也可以两种以上合用。对于本发明中使用的增敏剂没有特别的限定，根据被施加的能量(尤其是曝光波长)，可以从公知的增敏剂中适当的选择。具体地说，可以列举例如公知的多环芳香族类(例如，芘、茈、苯并菲)、口占吨类(例如，荧光素、曙红、赤藓红、罗丹明B、孟加拉玫瑰红)、菁类(例如，吲哚碳菁、硫碳菁、氧碳菁)、份菁类(例如，份菁、碳份菁)、噻嗪类(例如，硫堇、亚甲基蓝、甲苯胺蓝)、吖啶类(例如，吖啶橙、氯黄素、吖啶黄)、蒽醌类(例如，蒽醌)、方鎿类(例如，方鑰)、吖啶酮类(例如，吖啶酮、氯吖啶酮、N-甲基吖啶酮、N-丁基吖啶酮、N-丁基-氯吖啶酮等)、香豆素类(例如，3-(2-苯并呋喃甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(2-苯并呋喃甲酰基)-7-(l-吡咯垸基)香豆素、3-苯甲酰基-7-二乙基氨基香豆素、3-(2-甲氧基苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(4-二甲基氨基苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3，3'-羰基双(5,7-二正丙氧基香豆素)、3,3'-羰基双(7-二乙基氨基香豆素)、3-苯甲酰基-7-甲氧基香豆素、3-(2-呋喃甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(4-二乙基氨基肉桂酰基)-7-二乙基氨基香豆素、7-甲氧基-3-(3-吡啶基羰基)香豆素、3-苯甲酰基-5,7-二丙氧基香豆素，以及其他诸如日本特开平5-19475号公报、日本特开平7-271028号公报、日本特开2002-363206号公报、日本特开2002-363207号公报、日本特开2002-363208号公报、日本特开2002-363209号公报等中记载的香豆素化合物等)。作为光聚合引发剂和增敏剂的组合，可以列举例如日本特开2001-305734号公报中记载的电子转移型引发体系[(l)供电子型引发剂及増敏色素、(2)受电子型引发剂及增敏色素、。)供电子型引发剂、增敏色素及受电子型引发剂(三元引发体系)]等组合。在本工序中所用的反应性组合物中增敏剂的添加量，相对于聚合引发剂优选为10质量％500质量％，更优选为50质量％200质量％。此外，这些增敏剂可以一种单独使用，也可以两种以上合用。[热聚合终止剂]在本工序所用的反应性组合物中也可以添加热聚合终止剂。添加热聚合终止剂是为了防止反应性组合物发生热聚合或随时间流逝而发生聚合，通过添加热聚合终止剂，可以提高在配制反应性组合物时的化学稳定性，或者提高在使用前进行储存时的化学稳定性。作为热聚合终止剂，可以列举对-甲氧基苯酚、对苯二酚、苯醌、邻-甲苯醌、对-甲苯醌、叔丁基邻苯二酚、连苯三酚、2-羟基二苯甲酮、4-甲氧基2-羟基二苯甲酮、氯化亚铜、酚噻嗪、氟醌(7口，二A)、氯醌、萘胺、吡啶、对-甲基苯胺、(3-萘酚、2,6-二叔丁基-对-甲酚、硝基苯、二硝基苯、苦味酸、N-亚硝基苯基羟胺的铝盐或铵盐、亚甲基蓝有机铜、水杨酸甲酯、芳基磷酸酯等。从热稳定性及感光度的角度考虑，相对于反应性组合物的固形物，热聚合终止剂的优选添加量为0.001质量％10质量％，更优选为0.01质量％3质量％。为了使其更易于与支承物或中间层接触，含有上述各成分的反应性组合物优选为液状组合物。为了配制该液状组合物，优选使用合适的溶剂。对于此处所用的溶剂没有特别的限定，只要其能够将作为主要成分的交联性化合物溶解或者分散即可，但优选为水、水溶性溶剂等水性溶剂，或者是它们的混合物。作为可以使用的溶剂，可以列举例如水，诸如甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、甘油、丙二醇单甲醚等的醇类溶剂，诸如乙酸等的酸，诸如丙酮、甲乙酮、环己酮等的酮类溶剂，诸如甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯垸酮等的酰胺类溶剂，诸如乙腈、丙腈等的腈类溶剂，诸如乙酸甲基、乙酸乙酯等的酯类溶剂等。其中，在采用含有氰基的交联聚合物来形成组合物的情况中，所述溶剂优选为酰胺类溶剂、酮类溶剂、腈类溶剂，具体地说，优选为丙酮、二甲基乙酰胺、甲乙酮、环己酮、乙腈、丙腈、N-甲基吡咯烷酮。此外，在涂覆含有具有氰基的交联聚合物的组合物时，从便于处理的角度考虑，优选沸点为5015(TC的溶剂。另外，这些溶剂可以一种单独使用，也可以两种以上混合使用。此外，根据需要，可以向该液状组合物中添加表面活性剂，只要该表面活性剂能够溶解在溶剂中即可。作为此类表面活性剂，例如可以列举诸如正十二烷基苯磺酸钠的阴离子型表面活性剂，诸如正十二烷基三甲基氯化铵的阳离子型表面活性剂，诸如壬基酚聚氧乙烯醚(作为市售品，例如有花王株式会社生产的二^ay>910等)、聚氧乙烯失水山梨醇单月桂酸酯(作为市售品，例如有商品名"吐温20"等)、聚氧乙烯月桂基醚的非离子型表面活性剂等。(组合物与中间层接触的实施方案)在本工序中，作为至少使上述的含有交联性化合物的反应性组合物与中间层接触的方法，可以采用任意的方法，具体地说，可以列举将形成有中间层的支承物浸渍在液态的反应性组合物中的方法，或将液态的反应性组合物涂覆在中间层上的方法。此外，从易处理性和制造效率的角度考虑，优选的是，将液态的反应性组合物涂覆在中间层上，干燥，以形成聚合性层这样的实施方案。在形成聚合性层时，该聚合性层的涂覆量，按换算成固形物计，优选为0.110g/m2，特别优选为0.55g/m2。(能量的施加)在本工序中，为了使中间层中的聚合性基团与具有交联性基团的化合物反应以得到直接结合在中间层表面的聚合物，需要进行能量的施加。作为此处可以采用的施加能量的手段，可以列举例如活性光线照射、加热、电子射线照射等手段。其中，为了能够容易地并且高精度地图像状地施加能量，优选采用图案曝光法作为施加能量的方法。-图案曝光-进行图案曝光只要能够使中间层中的聚合性基团与具有交联性基团的化合物反应即可，具体地说，优选采用360nm700nm波长的激光进行图案曝光。另外，需要的曝光量取决于具有聚合性基团的偶联剂、具有交联性基团的化合物、光聚合引发剂以及増敏色素，但优选为25mJ/cm2400mJ/cm2。作为图案曝光，例如可以采用利用阴极射线(CRT)进行的扫描曝光。在该曝光中使用的阴极射线管中，可以使用在根据需要的光谱区域中能够发光的各种发光体。例如，可以使用红色发光体、绿色发光体、蓝色发光体的任意一种或两种以上混合使用。光谱区域不仅限于上述的红色、绿色及蓝色，也可以使用发出黄色、橙色、紫色光的荧光体。此外，在本工序中，可以使用各种激光束进行图案曝光。例如优选采用使用单色高密度光(气体激光、发光二极管、半导体激光等激光，半导体激光、或者以半导体激光为激励光源的固体激光与非线性光学晶体组合而成的二次谐波发光光源(SHG)等)的扫描曝光方式。此外，也可以使用KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光等。由本发明所形成的图像状的聚合物层的分辨率受曝光条件的制约。换言之，在形成聚合物层的图案曝光过程中，通过施加高精度的图案曝光，能够形成与曝光相对应的高精度的图案。作为形成髙精度的图案的曝光方法，可以列举采用光学系统的光束扫描曝光、采用掩模的曝光等。根据所希望获得的图案的分辨率来选择相应的曝光方法。作为高精度的图案曝光，具体地说，可以列举采用i线步进器(只X、乂A)、g线步进器、KrF步进器、ArF步进器之类的步进器的曝光等。根据以上对(M)或者(b2)聚合物层形成工序进行的说明，能够在中间层上形成由直接结合在该中间层表面上的聚合物所形成的图像状的聚合物层。此外，在采用(b2)聚合物层形成工序的情况中，能够形成含有金属离子的聚合物层。在本发明中，与(bl)及(b2)聚合物层形成工序不同，也可以直接在支承物上形成图像状的聚合物层。以下，对(b3)及(b4)聚合物层形成工序进行说明。在本发明中，在进行(b3)聚合物层形成工序的情况中，使用含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物的组合物，在支承物上与该支承物接触后，向该组合物按照图像状施加能量，以使支承物将该组合物与具有聚合性基团的偶联剂发生反应，并同时使具有聚合性基团的偶联剂与具有交联性基团的化合物也发生反应，进而形成图像状的聚合物层。此时，根据需要，可采用加热等方法进行处理，可以形成直接结合在该支承物表面上的图像状的聚合物层。此外，在进行(b4)聚合物层形成工序的情况中，使用含有具有聚合性基团的偶联剂、具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物，在支承物上将该组合物与该支承物接触后，向该组合物按照图像状施加能量，以使支承物与具有聚合性基团的偶联剂发生反应，并同时使具有聚合性基团的偶联剂与具有交联性基团的化合物也发生反应，进而形成图像状的聚合物层。此时，根据需要，可采用加热等方法进行处理，可以形成直接结合在该支承物表面上的图像状的聚合物层。在(b3)聚合物层形成工序中所用的具有聚合性基团的偶联剂，与在上述的(a)工序中所采用的具有聚合性基团的偶联剂相同；此外，在(b3)聚合物层形成工序中所用的具有交联性基团的化合物，与在上述的(bl)及(b2)工序中所采用的具有交联性基团的化合物相同。此外，在(b4)聚合物层形成工序中所用的具有聚合性基团的偶联剂，与在上述的(a)工序中所用的具有聚合性基团的偶联剂相同；此外，在(b4)聚合物层形成工序中所用的具有交联性基团的化合物及金属离子，与在上述的(bl)及(b2)工序中所用的具有交联性基团的化合物及金属离子相同。其优选例子也相同。此外，当在本工序所采用的组合物中同时含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物时，在反应性组合物中，具有聚合性基团的偶联剂的浓度优选为0.1质量％50质量％，特别优选为5质量％20质量％。此外，当在本工序所采用的组合物中同时含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物时，在反应性组合物中，具有交联性基团的化合物(交联性化合物)的浓度优选为20质量％90质量%，特别优选为50质量％80质量％。此外，在本工序所采用的反应性组合物中，也可以添加构成上述(bl)及(b2)工序中所用的反应性组合物的各种任意成分(聚合引发剂、增敏剂、链转移剂、聚合终止剂等)。此外，这些任意成分的优选的添加量也与前述相同。作为使本工序中所用的反应性组合物与支承物相接触的实施方案，可以采用任意的方法，具体地说，可以列举将支承物浸渍在液态的反应性组合物中的方法，或将液态的反应性组合物涂覆在支承物上的方法，还可以采用将液态的反应性组合物涂覆在支承物上，并干燥，形成聚合性层的方法。此外，该聚合性层的优选的涂覆量与在上述(bl)及(b2)工序中形成聚合性层时的涂覆量相同。此外，在采用反应性组合物来形成聚合性层时，也可以将来自具有聚合性基团的偶联剂的偶联基与支承物结合。在本工序中，在支承物上使上述反应性组合物与该支承物接触后，向该组合物施加能量。施加能量的方法与在上述(bl)及(b2)工序中所采用的施加能量方法相同，其优选的实施方案也相同。根据以上对(b3)或者(b4)聚合物层形成工序进行的说明，能够在支承物上形成由直接结合在该支承物表面上的聚合物所形成的图像状的聚合物层。此外，在采用(b4)聚合物层形成工序的情况中，能够形成含有金属离子的聚合物层。此外，在(bl)(b4)聚合物层形成工序中，向上述的反应性组合物施加能量之后，为了促进支承物与具有聚合性基团的偶联剂的结合，根据需要，可进行加热处理。对于聚合物层来说，该加热处理可以在后述的显影之前进行，也可以在后述的显影之后进行。但是，在形成图像状的聚合物层的情况中，从图像的精细化的角度考虑，优选在显影之后进行加热处理。加热温度优选为40°C150°C，更优选为60°C80°C。在本发明中，对具有由以上方法所形成的聚合物层的支承物，进行溶剂浸渍或溶剂清洗等处理，以除去未反应的反应性组合物或没有结合在支承物或者中间层上的均聚物等(该处理也称为显影处理)。在进行该处理时，具体地说，可以釆用水、丙酮、氢氧化钠水溶液、碳酸氢钠水溶液、盐酸、甲乙酮、丙酮、乙醇。此外，在进行溶剂浸渍或溶剂清洗等处理之后，优选进行干燥处理。此外，在进行该处理时，也可以采用Bemcot等工业用擦拭纸。另外，从除去均聚物的角度考虑，也可以采用超声波等手段。经过这些处理之后，未反应的反应性组合物以及没有结合在支承物或者中间层上的均聚物被除去，只剩下牢固结合在支承物或中间层上的聚合物。所形成的聚合物层的膜厚，优选为200nm2000nm，更优选为500nm1500nm，进一步优选为600nm1000nm。聚合物层的厚度在此范围内时，该聚合物层中能够含有更多的金属微粒，所以优选。特别是，在本发明的薄层金属膜材料用于光掩模的情况中，可以含有能够实现充分的遮光性的金属颗粒，因此聚合物层的厚度优选在上述的范围内。另外，当聚合物层的厚度不足200nm时，所含有的金属颗粒的量不充分，因此有时候不能获得充分的遮光性。此外，53当聚合物层的厚度超过2000nm时，使用所制作的光掩模进行曝光时，图像的分辨率降低。在本发明中，使至少含有交联性化合物的组合物与中间层接触之后，可通过控制向其施加的能量的量(图案曝光时的曝光量)来对聚合物层的厚度进行调整。聚合物层的厚度可以通过AFM(NPXIOOMOOI、七<-—^>^7^乂>7株式会社制造)来测定。在本发明的(cl)或者(c3)工序中，向通过上述的(bl)或者(b3)工序所形成的聚合物层中加入金属离子之后，将该金属离子还原以析出金属颗粒。此外，在(c2)或者(c4)工序中，由于通过上述的(b2)或者(b4)工序在聚合物层中已经含有金属离子，将该金属离子还原以析出金属颗粒。在该薄层金属膜用于光掩模的情况中，从遮光能力的角度考虑，优选的是，所析出的金属颗粒对所使用的曝光波长范围内的光具有吸收，特别优选对365nm以上波长的光具有吸收。作为在上述(cl)及(c3)工序中所采用的加入金属离子的方法，可以采用将含有金属离子的溶液涂覆在通过上述的(bl)或者(b3)工序所形成的聚合物层上的方法，也可以采用将形成有聚合物层的支承物浸渍在该溶液中的方法。此处所用的金属离子，与在上述的(b2)工序中所用的反应性组合物中的金属离子相同。其优选例也相同。此外，含有金属离子的溶液中金属离子的浓度优选为0.1质量%10质量％。还有，对于该溶液中使用的溶剂没有特别的限制，只要该溶剂能够溶解作为金属离子源的金属化合物即可，最好使用水、甲醇、乙醇、丙醇、四氢呋喃、吡啶、氨水等。上述含有金属离子的溶液与聚合物层相接触的时间，可以根据聚合物层的组成、金属离子的浓度、用途等进行适当地决定，通常优选在10秒10分钟之间。此外，通过该接触，在聚合物层中含有具有金属离子吸附基团的聚合物的情况中，由于盐交换，可以将金属离子引入该聚合物中。通过上述的方法，在将金属离子引入聚合物层中之后，通过将该聚合物层中的金属离子还原，即可析出金属颗粒。在还原金属离子时，可以采用还原剂。对于该还原剂没有特别的限制，只要其具有足够的还原能力能够将聚合物层中的金属离子还原即可，可以采用一般的还原剂。例如，可以采用甲醛、乙醛、肼等有机还原剂，以及NaBHpLiAlH4、硼烷等金属、半金属还原剂。此外，作为金属离子的还原方法，有将形成有聚合物层的支承物浸渍在含有上述还原剂的溶液中的方法，该方法简便，适于使用。作为还原剂的溶液中使用的溶剂，需要考虑到所釆用的还原剂的反应性、危险性等，可以采用水、甲醇、丙酮、甲苯、四氢呋喃等常用溶剂。浸渍时间可以根据聚合物层中的金属离子浓度、溶液中的还原剂的含量进行适当地决定。通常优选为1秒600秒。本发明中的(cl)(c4)工序，分别可以在上述的显影处理之前进行，也可以在显影之后进行。然而从容易进行显影处理的角度考虑，最好在显影之后进行。通过以上方法，能够得到含有金属颗粒的图像状的聚合物层。由本发明所得到的薄层金属膜材料(本发明的薄层金属膜材料)，只在形成有聚合物层的区域中存在金属颗粒。因此，除了以含有金属颗粒的聚合物层为遮光部而用作光掩模这一有代表性的应用外，本发明的薄层金属膜材料还可以用作电气线路基板、光反射材料、装饰材料、金属颗粒转印用材料、滤色器。对于本发明的薄层金属膜材料适用的光掩模没有特别的限定，只要其遮光性高并且耐久性优良即可，例如，可以适用于LSI、LCD、PWB、PDP、组件等的光掩模。以下，通过实施例、对比例对本发明进行说明，但本发明并不局限于这些实施例。(合成例1:具有聚合性基团及金属离子吸附基团的聚合物PI(前述示例化合物(l))的合成)将聚丙烯酸(平均分子量7,200)18g溶于DMAc(二甲基乙酰胺)300g中，向其中添加对苯二酚0.41g、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯29.3g和二丁基二月桂酸锡0.25g，在65'C下反应4小时。然后，将反应液加入到乙酸乙酯中以使聚合物沉淀，将其充分洗净，得到具有聚合性基团及金属离子吸附基团的聚合物Pl(前述示例化合物(l))。所得到的聚合物P1的酸值为10.50meq/g。(合成例2:分子内被引入金属离子的具有聚合性基团的聚合物P2(前述示例化合物(M2))的合成)将聚丙烯酸(平均分子量7,200)18g溶于DMAc(二甲基乙酰胺)300g中，向其中添加对苯二酚0.41g、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯29.3g和二丁基二月桂酸锡0.25g，在65'C下反应4小时。此时所得到的聚合物的酸值为10.50meq/g。然后，采用l摩尔/升的氢氧化钠水溶液将羧基中和，再添加1摩尔/升的硝酸银，然后将该混合液加入到己烷中以使聚合物沉淀，将其充分洗净，得到分子内被引入金属离子的具有聚合性基团的聚合物P2(前述示例化合物(M2))。将膜厚2mm的玻璃基板用丙酮、蒸馏水洗净之后，采用紫外线臭氧清洁机(UV42型、日本^一廿'一电子株式会社制造)进行5分钟的紫外线臭氧处理。然后，将丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸溶于甲乙酮中，配制成10.0质量％的溶液。将该溶液旋涂在上述玻璃基板上。旋涂器首先以300rpm的速度旋转5秒，然后以1000rpm的速度旋转20秒。旋涂后，在IO(TC下加热1小时，并用甲乙酮洗净其表面。由此得到具有中间层的玻璃基板，作为基板A1。将0.25g的合成例l所得到的具有聚合性基团及金属离子吸附基团的聚合物Pl、2.5mg的Irgacure(R)369溶于二甲基乙酰胺(DMAc)2.0g和乙腈l.Og的混合溶剂中，配制成液态的反应性组合物。将该液态的反应性组合物旋涂在基板Al的中间层表面上。旋涂器首先以300rpm的速度旋转5秒，然后以1000rpm的速度旋转20秒。之后，将基板A1在8(TC下干燥5分钟，得到聚合性层。(曝光)采用具有405nm发射波长的激光曝光机，按照预定的图案，以120mJ/cn^的强度将形成有聚合性层的基板Al进行曝光。曝光后，边用擦拭纸(Bemcot、小津产业株式会社制造)轻轻擦拭聚合性层表面，边用丙酮进行清洗，再用氮气进行擦拭。通过以上方法，得到了在其上形成有由直接结合在中间层表面上的聚合物构成的图像状的聚合物层的玻璃基板。该具有图像状的聚合物层的玻璃基板作为基板B1。采用AFM(于乂匕°夕^1000,七<-—4>^7a乂>、7社制造，使用AFM悬臂)观察所得到的基板B1的图案。结果可以确认在玻璃基板的表面上形成了宽l(Him的细条与宽10pm的空隙交替存在的图案。此外，图像状的聚合物层的膜厚为1000nm。[金属颗粒析出工序]将得到的基板Bl在硝酸银(和光纯药株式会社制造)的0.in/。水溶液中浸渍5分钟后，再在福尔马林中浸渍10分钟。之后，用50mL水分多次进行洗涤，将其洗净，得到具有含有金属颗粒的聚合物层的基板。由此得到实施例1的薄层金属膜材料。<评价>通过测定形成聚合物层的区域及没有形成聚合物层的区域的吸光度，以及聚合物层(薄层金属膜)的铅笔强度，对所得到的薄层金属膜材料进行评价。通过下述测定方法测定所得到的薄层金属膜材料的聚合物层(薄层金属膜)在365nm时的吸光度，其结果为3.5。此外，通过下述测定方法测定其在400nm时的吸光度，其结果为3.4。此外，没有形成聚合物层的区域在365nm时的吸光度为0.2以下，在400nm时的吸光度为0.1以下。-吸光度的测定方法-采用可见光近红外分光光度计(UV-3600、島津製作所)对所得到的薄层金属膜材料的吸光度进行测定。在365nm时的吸光度为3.5以上，是实用上没有问题的薄层金属膜材料(光掩模)的标准。采用与实施例1同样的方法，得到具有图像状的聚合物层的玻璃基板，不同之处在于用分子内被引入金属离子的具有聚合性基团的聚合物P3来代替实施例1中所用的由合成例1得到的具有金属离子吸附基团的聚合物P1。将该具有图像状的聚合物层的玻璃基板作为基板B2。此外，图像状的聚合物层的膜厚是960nm。将所得到的基板B2在福尔马林中浸渍IO分钟。之后，用50mL的水分多次进行清洗，将其洗净，得到具有含有金属颗粒的聚合物层的基板。由此得到实施例2的薄层金属膜材料。<评价>通过下述测定方法测定所得到的薄层金属膜材料的聚合物层(薄层金属膜)在365nm时的吸光度，其结果是3.1。此外，通过所述测定方法测定其在400nm时的吸光度，其结果是3.0。此外，没有形成聚合物层的区域在365nm时的吸光度为0.1以下，在400nm时的吸光度为0.1以下。将膜厚2mm的玻璃基板用丙酮、蒸馏水洗净之后，用紫外线臭氧清洁机(UV42型、日本^一平一电子株式会社制造)进行5分钟的紫外线臭氧处理。然后，将0.25g的由合成例1所得到的具有聚合性基团及金属离子吸附基团的聚合物Pl、2.5mg的Irgacure(R)369及丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷0.05g溶于二甲基乙酰胺(DMAc)2.0g及乙腈l.Og的混合溶剂中，配制成液态的反应性组合物。将该液态的反应性组合物旋涂在上述的臭氧处理过的玻璃基板表面上。旋涂器首先以300rpm的速度旋转5秒，然后以lOOOrpm的速度旋转20秒。之后，将基板在8(TC下干燥5分钟，得到聚合性层。(曝光)将形成有聚合性层的基板采用与实施例1同样的方法进行曝光，得到具有图像状的聚合物层的玻璃基板。将该具有图像状的聚合物层的玻璃基板作为基板B3。图像状的聚合物层的膜厚是800nm。将所得到的基板B3通过与实施例1同样的方法使金属颗粒析出，得到具有含有金属颗粒的聚合物层的基板。<评价>通过下述测定方法测定所得到的薄层金属膜材料的聚合物层(薄层金属膜)在365nm时的吸光度，其结果是2.7。此外，通过下述测定方法测定其在400nm时的吸光度，其结果是2.6。此外，没有形成聚合物层的区域在365nm时的吸光度是0.1以下，在400nm时的吸光度是0.1以下。采用与实施例1同样的方法制作基板A2，不同之处在于用辛基三甲氧基硅烷来代替在实施例1中制作具有中间层的基板Al时所采用的丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。采用与实施例1同样的方法，使用所得到的基板A2，进行聚合物层形成工序。此处，用AFM观察所得到的聚合物层的膜厚，结果显示由所得到的聚合物层形成的图像中存在很多缺陷，而且聚合物层的膜厚为10nm以下。接着，采用与实施例1同样的方法进行金属颗粒析出工序。对于通过以上的方法所得到的材料，采用与实施例1同样的方法进行吸光度的测定。结果如表1所示。[对比例2]将膜厚2mm的玻璃基板用丙酮、蒸馏水洗净之后，采用紫外线臭氧清洁机(UV42型、日本^一廿'一电子株式会社制造)进行5分钟的紫外线臭氧处理。然后，将如下所示的具有聚合引发部位和基板结合部位的化合物溶于无水甲苯中，配制成1.0质量％的溶液。将该溶液旋涂在上述玻璃基板上。旋涂器首先以300rpm的速度旋转5秒，然后以1000rpm的速度旋转20秒。旋涂后，在100°C下加热60秒，并用甲苯及丙酮清洗其表面。旋涂器再先以300rpm的速度旋转5秒，然后以1000rpm的速度旋转20秒。然后，将玻璃基板在IO(TC下干燥10分钟，依次用甲苯、丙酮、水清洗其表面，然后用气枪干燥。由此得到结合有下述结构的化合物的玻璃基板，作为基板A3。CCI3采用与实施例1同样的方法，使用所得到的基板A3进行聚合物层形成工序。此处，用AFM观察所得到的聚合物层的膜厚，其结果为80nm。接着，采用与实施例1同样的方法进行金属颗粒析出工序。采用与实施例1同样的方法测定由以上的方法所得到的材料的吸光度。结果如表1所示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>由表l可以看出，通过实施例得到的聚合物层(薄层金属膜)，膜厚度大且吸光度高。这样，由实施例与对比例的比较可知，即使施加相同量的能量，在实施例中所形成的聚合物层的膜厚度显著地增大。因此可知，根据本发明，在将具有聚合性基团的偶联剂与具有交联性基团的化合物合用的情况中，可以形成对反应的灵敏度高，而且即使施加低能量也可以形成膜厚度大的聚合物层。结果可以得到存在有高密度的金属颗粒的金属膜，并可以获得优良的吸光度。权利要求1.一种薄层金属膜材料，其含有支承物；在该支承物上采用具有聚合性基团的偶联剂而形成的中间层；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过将含有具有交联性基团的化合物的组合物与所述中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在该中间层表面上的聚合物构成的；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。2.—种薄层金属膜材料，其含有支承物；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过在所述支承物上，将含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物的组合物与该支承物接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在上述支承物表面上的聚合物构成的；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。3.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其中所述含有具有交联性基团的化合物的组合物还含有光裂解型自由基聚合引发剂。4.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其中所述具有聚合性基团的偶联剂中的聚合性基团与所述具有交联性基团的化合物中的交联性基团为相同的官能团。5.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其中所述具有聚合性基团的偶联剂具有丙烯酰基或者甲基丙烯酰基。6.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其中所述具有交联性基团的化合物具有丙烯酰基或者甲基丙烯酰基。7.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其中所述具有交联性基团的化合物具有乙烯基或者环氧基。8.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其中所述金属颗粒对365nm以上的波长范围内的光具有吸收。9.权利要求1或2所述的薄层金属膜材料，其特征在于，所述聚合物层的膜厚度为200nm以上且2000nm以下。10.—种薄层金属膜材料的制造方法，其包括以下工序形成中间层的工序，在该工序中采用具有聚合性基团的偶联剂在支承物上形成中间层；形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在所述中间层上，将含有具有交联性基团的化合物的组合物与该中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过向所述聚合物层中加入金属离子并将该金属离子还原以析出金属颗粒。11.一种薄层金属膜材料的制造方法，其包括以下工序形成中间层的工序，在该工序中通过采用具有聚合性基团的偶联剂而在支承物上形成中间层；形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在该中间层上，将含有具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物与所述中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该中间层表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过将所述聚合物层中含有的金属离子还原以析出金属颗粒。12.—种薄层金属膜材料的制造方法，其包括以下工序形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在支承物上，将含有具有聚合性基团的偶联剂和具有交联性基团的化合物的组合物与所述支承物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在所述支承物表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过向所述聚合物层中加入金属离子并将该金属离子还原以析出金属颗粒。13.—种薄层金属膜材料的制造方法，其包括以下工序形成图像状的聚合物层的工序，在该工序中通过在支承物上，将含有具有聚合性基团的偶联剂、具有交联性基团的化合物及金属离子的组合物与所述支承物相接触后，向该组合物按照图像状施加能量，生成直接结合在该支承物表面上的聚合物，进而形成图像状的聚合物层；以及，析出金属颗粒的工序，在该工序中通过将所述聚合物层中含有的金属离子还原以析出金属颗粒。14.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述含有具有交联性基团的化合物的组合物还含有光裂解型自由基聚合引发剂。15.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述具有聚合性基团的偶联剂中的聚合性基团与所述具有交联性基团的化合物中的交联性基团为相同的官能团。16.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述具有聚合性基团的偶联剂具有丙烯酰基或者甲基丙烯酰基。17.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述具有交联性基团的化合物具有丙烯酰基或者甲基丙烯酰基。18.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述具有交联性基团的化合物具有乙烯基或者环氧基。19.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述金属颗粒对365nm以上的波长范围内的光具有吸收。20.权利要求1013中任意一项所述的薄层金属膜材料的制造方法，其中所述聚合物层的膜厚度为200nm以上且2000nm以下。全文摘要本发明提供一种薄层金属膜材料及其制造方法，其中所述薄层金属膜材料含有支承物；在该支承物上采用具有聚合性基团的偶联剂而形成的中间层；图像状的聚合物层，该聚合物层是由通过将含有具有交联性基团的化合物的组合物与所述中间层相接触后，向该组合物按照图像状施加能量从而生成的直接结合在该中间层表面上的聚合物构成的；以及，包含在该图像状的聚合物层中的金属颗粒。根据本发明，可以提供一种具有图像状的金属膜的薄层金属膜材料，其中在该图像状的金属膜中存在有高密度的金属颗粒，而且该金属膜对于支承物具有优异的粘附性。文档编号G03F7/11GK101319314SQ20081011060公开日2008年12月10日申请日期2008年6月6日优先权日2007年6月6日发明者松本洋介申请人:富士胶片株式会社