图案形成方法及电光学装置制造方法以及电子机器制造方法

专利名称：图案形成方法及电光学装置制造方法以及电子机器制造方法
技术领域：
本发明涉及图案形成方法及电光学装置制造方法以及电子机器制造 方法。
背景技术：
在使用液滴喷出法(喷墨方式)形成图案的情况下，通过将液状体的 液滴(墨水)喷出，使之命中基板上的给定位置而形成图案。在像这样将 液滴喷出而命中基板的情况下，有可能因基板表面的特性而使所命中的液 滴过度浸润展开或分离。该情况下，就会产生无法获得所需的配线图案的 问题。所以，专利文献1中，公布有如下的技术，即，对基板的成为图案形 成面的面进行疏液加工，在向该疏液加工面照射穿过了光催化剂的紫外光 激光束的同时，进行亲液图案形成。另外，专利文献2中，公布有如下的技术，即，在要形成图案的基板 上涂布了含有光催化剂的疏水性的基底后，通过夹隔着掩模进行曝光，而 仅将曝光部分亲水化。专利文献1 日本特开2004—200244号公报 专利文献2 日本特开平11一344804号公报 但是，如上所述的以往技术中，存在如下所示的问题。 上述专利文献中所记载的技术由于使用昂贵的曝光机或光掩模、激光 源，因此会造成导致成本升高的问题。另外，由于将仅对非图案面是必需 的疏液材料涂布于基板全面，因此从节省材料的观点考虑也是不够理想 的。发明内容本发明是鉴于如上所述的情况而完成的，其目的在于，提供可以不导 致成本上升地形成优质的图案的图案形成方法及电光学装置制造方法以 及电子机器制造方法。为了达成上述的目的，本发明采用了以下的构成。本发明的图案形成方法是在具有相对于功能液来说的亲液部及疏液 部的基板上涂布上述功能液而形成图案的图案形成方法，其特征是，包括: 向上述具有亲液部的基板上涂布含有疏液材料的液滴而形成上述疏液部 的第一工序，以及向上述疏液部之间的上述亲液部涂布上述功能液的第二 工序，上述疏液材料包含有硅烷化合物、具有氟烷基的化合物、含有氟的 树脂的至少一种。所以，本发明的图案形成方法中，通过涂布包含有硅烷化合物、具有 氟烷基的化合物、含有氟的树脂的至少一种的疏液材料的液滴而进行图案 处理，就可以在所需的区域形成疏液部。此外，本发明中，通过向疏液部 之间的亲液部涂布功能液，就可以利用被疏液部弹开的功能液，在基板上 的给定位置高精度地形成与亲液部的配置对应的图案。另外，本发明中， 由于可以通过在第一工序中涂布含有疏液材料的液滴来图案形成疏液部， 因此就不需要使用昂贵的曝光机或光掩模、激光源等，从而能够防止成本 升咼°可以优选釆用上述疏液材料是在侧链中含有氟的树脂的构成。另外，作为上述硅烷化合物可采用是自组织化膜的构成。另外，作为上述疏液部，也可以采用是在上述基板的表面利用由上述具有氟烷基的化合物构成的自组织化膜来形成的构成。另外，作为上述疏液部，还可以采用是在上述基板的表面利用具有垸基、氢的自组织化膜形成的构成。另外，作为上述功能液，优选采用在极性溶剂中溶解了图案形成材料的液状体。这样，本发明中，在上述疏液材料是硅垸化合物、具有氟垸基的化合 物的情况下，可以对所涂布的功能液有效地显示出疏液部的疏液性。另外，本发明中，还可以优选采用如下的过程，即，在上述第二工序 中，在上述亲液部上涂布上述功能液的液滴。这样，本发明中，就可以将第一工序及第二工序双方利用液滴喷出方 式来进行，从而可以在两个工序中实现设备的共用化，可以降低生产成本。另外，本发明中，还可以优选采用如下的构成，S卩，上述功能液含有 导电性材料。作为该导电性材料，可以采用包括金、银、铜、钯、镍、ITO中的至 少一种的构成。这样，本发明中，就可以不导致成本上升地形成优质的导电性图案。 此外，本发明中，还可以优选采用如下的构成，即，上述功能液含有 镀覆催化剂材料。这样，本发明中，就可以通过对不导致成本上升地形成的镀覆催化剂 实施镀覆处理，来形成致密而优质的图案。另外，本发明的电光学装置制造方法的特征是，具有利用前面所述的 图案形成方法来形成图案的工序。另外，本发明的电子机器制造方法的特征是，具有利用前述的图案形 成方法形成图案的工序。所以，本发明的电光学装置制造方法及电子机器制造方法中，可以不 导致成本上升地制造具有优质的图案的电光学装置及电子机器。另外，还可以优选采用如下的构成，g卩，作为上述电光学装置，是具 有利用导电线形成为网状的网部、利用上述导电线形成于上述网部的周围 的边框部的电磁波屏蔽装置，利用上述图案形成方法来形成上述网部及上 述边框部。这样，本发明中，就可以不导致成本上升地制造具有优质的图案的电 磁波屏蔽装置。另外，本发明中，可以通过调整疏液性液滴的喷出量及喷 出间距，调整疏液部的宽度，即调整网部的线宽，而很容易地调整屏蔽特 性及开口率。


图1是液滴喷出装置的概略性构成图。图2是液滴喷头301的剖面图。图3是表示形成于基板上的疏液部、配线图案的图。图4是表示图案形成工序的图。 图5是表示图案形成工序的图。 图6是表示图案形成工序的图。图7是表示疏液部、亲液部的接触角、反差、描绘结果的关系的图。图8是等离子体型显示装置的分解立体图。图9是表示形成显示电极及总线电极的过程的图。图IO是表示形成显示电极及总线电极的过程的图。图11是表示形成显示电极及总线电极的过程的图。图12是表示电磁波屏蔽装置的图。图13是从对置基板一侧看到的液晶显示装置的俯视图。图14是沿着图13的H—H'线的剖面图。图15是液晶显示装置的等价电路图。图16是相同的液晶显示装置的局部放大剖面图。图17是其他方式的液晶显示装置的局部放大剖面图。图18是非接触型卡片介质的分解立体图。图19是表示电子机器的具体例的图。其中，GB…边框部，H…疏液部，L…液滴，MS…网部，P…基板， Pa…表面(亲液部)，SL…电磁波屏蔽装置(电光学装置)，W…配线图 案(图案)，100…液晶显示装置(电光学装置)，400…非接触型卡片介 质(电子机器)，500…等离子体型显示装置(电光学装置)，600…携带 电话主体(电子机器)，700…信息处理装置(电子机器)，800…钟表主 体(电子机器)具体实施方式
下面将参照图1至图19对本发明的图案形成方法及电光学装置制造 方法以及电子机器制造方法的实施方式进行说明。而且，以下的说明中所用的各图中，为了将各构件设为能够识别的大 小，而将各构件的比例尺适当地变更。 (液滴喷出装置)首先，对本实施方式的图案形成方法中所用的液滴喷出装置进行说明。图1是液滴喷出装置的概略性构成图。液滴喷出装置(喷墨装置)IJ是从液滴喷头向基板P喷出(滴下)液滴的装置，具备液滴喷头301、 X方向驱动轴304、 Y方向导引轴305、 控制装置CONT、载台307、清洁机构308、基台309、加热器315。载台 307是支承利用该液滴喷出装置IJ来设置墨水(液体材料)的基板P的部 分，具备将基板P固定于基准位置的未图示的固定机构。液滴喷头301是具备了多个喷出喷嘴的多喷嘴型的液滴喷头，使长边 方向与X轴方向一致。多个喷出喷嘴被沿X轴方向并排地以一定间隔设 于液滴喷头301的下面。从液滴喷头301的喷出喷嘴中，向由载台307支 承的基板P上喷出上述的含有导电性微粒的墨水。在X方向驱动轴304上，连接有X方向驱动电机302。 X方向驱动电 机302是步进电机等，当被从控制装置CONT供给X方向的驱动信号时， 即旋转X方向驱动轴304。当X方向驱动轴304旋转时，液滴喷头301即 沿X轴方向移动。Y方向导引轴305被相对于基台309不能活动地固定。载台307具备 Y方向驱动电机303。 Y方向驱动电机303是步进电机等，当被从控制装 置CONT供给Y方向的驱动信号时，即将载台307沿Y方向移动。控制装置CONT向液滴喷头301供给液滴的喷出控制用的电压。另外， 向X方向驱动电机302供给控制液滴喷头301的X方向的移动的驱动脉 冲信号，向Y方向驱动电机303供给控制载台307的Y方向的移动的驱 动脉冲信号。清洁机构308是清洁液滴喷头301的机构。在清洁机构308中，具备 未图示的Y方向的驱动电机。利用该Y方向的驱动电机的驱动，清洁机 构沿着Y方向导引轴305移动。清洁机构308的移动也由控制装置CONT 控制。加热器315在这里是利用灯退火对基板P进行热处理的机构，进行涂 布于基板P上的液体材料中所含的溶剂的蒸发及干燥。该加热器315的电 源的接通及切断也由控制装置CONT控制。液滴喷出装置IJ 一边将液滴喷头301和支承基板P的载台307相对地扫描， 一边向基板P喷出液滴。这里，在以下的说明中，将x方向设为非扫描方向，将与X方向正交的Y方向设为扫描方向。所以，液滴喷头301的喷出喷嘴被沿作为非扫描方向的X方向以一定 间隔并排设置。而且，图1中，虽然液滴喷头301是与基板P的行进方向 成直角地配置，然而也可以调整液滴喷头301的角度，使之与基板P的行 进方向交叉。如果如此操作，则可以通过调整液滴喷头301的角度，来调 节喷嘴之间的间距。另外，还可以任意地调节基板P与喷嘴面之间的距离。图2是液滴喷头301的剖面图。液滴喷头301中，与收容液体材料(配线用墨水等)的液体室321相 邻地设有压电元件322。经由包括收容液体材料的材料罐的液体材料供给 系统323向液体室321供给液体材料。压电元件322与驱动电路324连接，通过经由该驱动电路324对压电 元件322施加电压，使压电元件322变形，液体室321就会变形，从喷嘴 325中喷出液体材料。该情况下，通过改变施加电压的值，就可以控制压电元件322的变形 量。另外，通过改变施加电压的频率，就可以控制压电元件322的变形速 度。由于利用压电方式的液滴喷出不对材料加热，因此具有很难对材料的 组成造成影响的优点。而且，作为液滴喷出法的喷出技术，除了上述的电气机械变换式以外， 还可以举出带电控制方式、加压振动方式、电热变换方式、静电抽吸方式 等。带电控制方式是利用带电电极对材料赋予电荷，利用偏转电极控制材 料的飞行方向而从喷嘴中喷出的方式。另外，加压振动方式是对材料施加 例如30kg/cr^左右的超高压而在喷嘴头端侧将材料喷出的方式，在不施加 控制电压的情况下材料直线前进而从喷嘴中喷出，当施加控制电压时，则 会在材料之间引起静电的反作用力，材料飞溅而不会从喷嘴中喷出。另外，电热变换方式是利用设于贮存有材料的空间内的加热器，使材 料急剧地气化而产生气泡(bubble)，利用气泡的压力将空间内的材料喷 出的方式。静电抽吸方式是对贮存有材料的空间内施加微小压力，在喷嘴 中形成材料的弯月面，在该状态下施加静电引力后将材料抽出的方式。另 外，除此以外，还可以应用利用电场所致的流体的粘性变化的方式、利用等技术。液滴喷出法具有如下的优点，即，在材料的 使用中浪费很少，而且可以将所需的量的材料可靠地配置于所需的位置。 而且，利用液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量例如为l 300纳克。接下来，参照图3至图7对使用上述的液滴喷出装置IJ形成图案的方 法进行说明。这里，对如下情况进行说明，即，如图3 (a) 、 (b)所示，在至少表面Pa作为亲液部具有亲液性的基板P上，以条纹状相互拉开间隙地设置多个(这里为3处)疏液部H，在这些疏液部H之间形成导电性的配线图案(图案)W。而且，这里所说的疏液部表示与含有导电性材料的液滴(以下称作图案用液滴)的接触角达到给定值以上的区域，所谓亲液部表 示与含有导电性材料的液滴的接触角达到给定值以下的区域。作为基板，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等 各种材料。另外，也包括在这些各种原材料基板的表面上作为基底层形成 了半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等的材料。本实施方式的图案形成方法是通过将上述的配线图案用的墨水涂布 于基板P上而形成配线用的图案W的方法，大致上由表面处理工序、疏 液部形成工序、材料配置工序及热处理/光处理工序构成。以下将对每个工序进行详细说明。 (表面处理工序)表面处理工序中，通过对基板P的表面Pa进行清洗处理，实施提高 亲液性的处理。例如，在基板P为玻璃基板的情况下，虽然其表面对于配线图案形成 材料(墨水)具有亲液性，然而利用该表面处理将会进一步提高亲液性。具体来说，表面处理工序中，作为清洗处理，实施UV准分子清洗、 低压水银灯清洗、02等离子体清洗、使用了HF或硫酸等的酸清洗、碱清 洗、超声波清洗、兆频超声波清洗、电晕处理、辉光清洗、摩擦清洗、臭 氧清洗、氢水清洗、微泡清洗、氟系清洗等。这里，当表面(亲液部)Pa与图案用液滴的接触角超过25度时，则 很容易产生鼓起(液滴积存)，而如果在20度以下则不会产生鼓起。所以，本实施方式中，通过调整清洗处理条件，将基板表面Pa与图案用液 滴的接触角设为20度以下。具体来说，在清洗处理例如为UV准分子清洗的情况下，可以利用 UV光(紫外光)的照射时间、强度、波长、热处理(加热)之间的组合 等来调整，另外，在清洗处理例如为02等离子体清洗的情况下，可以通 过调整等离子体处理时间来调整亲液性(接触角)。利用该清洗处理，即 使在表面Pa上附着有有机物等异物的情况下，也可以从表面Pa上除去， 维持洁净度及亲液性。 (疏液部形成工序)接下来，在进行了清洗处理(亲液化处理)的基板P的表面Pa的给 定区域(要形成图案W的区域的周围)形成疏液部H。具体来说，使用上述的液滴喷出装置IJ从液滴喷头301中将含有相对 于图案用液滴来说具有疏液性的材料的液状体的液滴(以下称作疏液性液 滴)喷出，涂布于基板P上的给定区域。作为具有疏液性的材料，可以使用硅垸化合物、具有氟烷基的化合物、 氟树脂(含有氟的树脂)及它们的混合物。作为硅垸化合物，可以使用(A)以通式(1)RlSiX!mX (3一m)… (1)(式中，Rl表示有机基，^及X2表示一0R2、 —R2、 一C1， 112表示 碳数为1 4的烷基，m是l到3的整数。)表示的1种或2种以上的硅 烷化合物(成分A)。以通式(1)表示的硅烷化合物是在硅原子上取代有有机基，在剩余 的结合键上取代有烷氧基或烷基或氯基的化合物。作为有机基R1的例子， 例如可以例示出苯基、苄基、苯乙基、羟基苯基、氯苯基、氨基苯基、萘 基、蒽烯(日文7y7k二》)基、芘基、噻嗯基、吡咯基、环己基、环 己烯基、环戊基、环戊烯基、吡啶基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正 丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、十八垸基、正辛基、氯甲基、甲氧基乙 基、羟基乙基、氨基乙基、氰基、巯丙基、乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基 乙基、甲基丙烯酰氧基乙基、环氧丙氧基丙基、乙酰氧基等。X1的烷氧基或氯基是用于形成Si—O—Si键等的官能基，被水水解而作为醇或酸脱离。作为烷氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、 异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。对于R2的碳数，从所脱离的醇的分子量比较小，容易除去，可以抑 制所形成的膜的致密性的降低的观点考虑，优选为1 4的范围。作为以通式(1)表示的硅垸化合物，可以举出二甲基甲氧基硅垸、 二乙基二乙氧基硅烷、l一丙烯基甲基二氯硅垸、丙基二甲基氯硅烷、丙 基甲基二氯硅烷、丙基三氯硅烷、丙基三乙氧基硅垸、丙基三甲氧基硅烷、 苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、十四垸基三氯硅垸、3 —硫代氰酸酯丙基三 乙氧基硅烷、对甲苯基二甲基氯硅垸、对甲苯基甲基二氯硅烷、对甲苯基 三氯硅垸、对甲苯基三甲氧基硅垸、对甲苯基三乙氧基硅烷、二正丙基二 正丙氧基硅垸、二异丙基二异丙氧基硅垸、二正丁基二正丁氧基硅垸、二 仲丁基二仲丁氧基硅烷、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、十八垸基三氯硅垸、 十八烷基甲基二乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅垸、十八垸基三甲氧基 硅烷、十八垸基二甲氧基氯硅烷、十八垸基甲基二氯硅烷、十八烷基甲氧 基二氯硅烷、7 —辛烯基二甲基氯硅烷、7 —辛烯基三氯硅烷、7 —辛烯基 三甲氧基硅垸、辛基甲基二氯硅垸、辛基二甲基氯硅垸、辛基三氯硅垸、 IO—十一烯基二甲基氯硅烷、十一垸基三氯硅垸、乙烯基二甲基氯硅垸、 甲基十八垸基二甲氧基硅烷、甲基十二垸基二乙氧基硅垸、甲基十八垸基 二甲氧基硅垸、甲基十八烷基二乙氧基硅烷、正辛基甲基二甲氧基硅烷、 正辛基甲基二乙氧基硅垸、三十垸基二甲基氯硅垸、三十烷基三氯硅烷、 甲基三甲氧基硅垸、甲基三乙氧基硅垸、甲基三正丙氧基硅烷、甲基异丙 氧基硅烷、甲基正丁氧基硅垸、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅 垸、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅垸、乙基三正丙氧基硅垸、乙基 异丙氧基硅垸、乙基正丁氧基硅烷、乙基三仲丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧 基硅烷、正丙基三甲氧基硅垸、异丁基三甲氧基硅烷、正己基三甲氧基硅 烷、十六烷基三甲氧基硅垸、正辛基三甲氧基硅烷、正十二垸基三甲氧基 硅垸、正十八烷基三甲氧基硅垸、正丙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基 硅烷、正己基三乙氧基硅垸、十六烷基三乙氧基硅垸、正辛基三乙氧基硅 垸、正十二烷基三甲氧基硅烷、正十八烷基三乙氧基硅垸、2—[2— (三氯 甲硅烷基)乙基]吡啶、4一[2— (三氯甲硅烷基)乙基]口比啶、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、1， 3—(三氯甲硅垸基甲基)二十七烷、 二苄基二甲氧基硅垸、二苄基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅浣、苯基甲 基二甲氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙 氧基硅垸、苯基甲基二乙氧基硅垸、苯基二甲基乙氧基硅垸、苄基三乙氧 基硅烷、苄基三甲氧基硅垸、苄基甲基二甲氧基硅垸、苄基二甲基甲氧基 硅烷、苄基二甲氧基硅烷、苄基二乙氧基硅烷、苄基甲基二乙氧基硅垸、 节基二甲基乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、二苄基二甲氧基硅烷、二苄 基二乙氧基硅烷、3 —乙酰氧基丙基三甲氧基硅垸、3 —丙烯酰氧基丙基三 甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅垸、烯丙基三乙氧基硅垸、4一氨基丁基 三乙氧基硅垸、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N— (2—氨 基乙基)一3—氨基丙基甲基三甲氧基硅烷、N— (2—氨基乙基)一3—氨 基丙基三甲氧基硅烷、6— (氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅垸、对氨基 苯基三甲氧基硅烷、对氨基苯基乙氧基硅垸、间氨基苯基三甲氧基硅烷、 间氨基苯基乙氧基硅垸、3 —氨基丙基三甲氧基硅垸、3 —氨基丙基三乙氧 基硅烷、"一氨基十一烷基三甲氧基硅垸、戊基三乙氧基硅垸、苯并氧司 勒频二甲基酯(benzooxasilepin dimethyl ester) 、 5— (二环庚烯基)三乙 氧基硅烷、双(2—羟基乙基)一3 —氨基丙基三乙氧基硅垸、8 —溴辛基 三甲氧基硅烷、溴苯基三甲氧基硅烷、3 —溴丙基三甲氧基硅垸、正丁基 三甲氧基硅烷、2 —氯甲基三乙氧基硅垸、氯甲基甲基二乙氧基硅垸、氯 甲基甲基二异丙氧基硅烷、对(氯甲基)苯基三甲氧基硅垸、氯甲基三乙 氧基硅垸、氯苯基三乙氧基硅垸、3 —氯丙基甲基二甲氧基硅垸、3 —氯丙 基三乙氧基硅垸、3 —氯丙基三甲氧基硅烷、2— (4一氯磺酰基苯基)乙 基三甲氧基硅垸、2—氰基乙基三乙氧基硅烷、2 —氰基乙基三甲氧基硅烷、 氰基甲基苯乙基三乙氧基硅烷、3 —氰基丙基三乙氧基硅垸、2— (3—环 己烯基)乙基三甲氧基硅烷、2— (3 —环己烯基)乙基三乙氧基硅烷、3 一环己烯基三氯硅垸、2— (3 —环己烯基)乙基三氯硅烷、2— (3 —环己 烯基)乙基二甲基氯硅垸、2— (3 —环己烯基)乙基甲基二氯硅烷、环己 基二甲基氯硅垸、环己基乙基二甲氧基硅烷、环己基甲基二氯硅烷、环己 基甲基二甲氧基硅烷、(环己基甲基)三氯硅烷、环己基三氯硅烷、环己 基三甲氧基硅垸、环辛基三氯硅垸、(4一环辛烯基)三氯硅烷、环戊基三氯硅烷、环戊基三甲氧基硅烷、1， l一二乙氧基一1—硅杂环戊一3—烯、 3— (2， 4一二硝基苯基氨基)丙基三乙氧基硅烷、(二甲基氯甲硅垸基) 甲基一7， 7 — 二甲基降蒎烷、(环己基氨基甲基)甲基二乙氧基硅烷、(3 一环戊二烯基丙基)三乙氧基硅烷、N， N—二乙基一3 —氨基丙基)三甲 氧基硅垸、2— (3， 4一环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、2— (3， 4 — 乙氧基环己基)乙基三乙氧基硅烷、(糠基氧基甲基)三乙氧基硅烷、2 一羟基一4一 (3 —三乙氧基丙氧基)二苯基酮、3— (对甲氧基苯基)丙 基甲基二氯硅烷、3— (对甲氧基苯基)丙基三氯硅烷、对(甲基苯乙基) 甲基二氯硅烷、对(甲基苯乙基)三氯硅烷、对(甲基苯乙基)二甲基氯 硅烷、3 —吗啉基丙基三甲氧基硅烷、(3—环氧丙氧基丙基)甲基二乙氧 基硅垸、3 —环氧丙氧基丙基三甲氧基硅垸、1， 2， 3， 4， 7， 7—六氯一6 一甲基二乙氧基甲硅垸基一2 —降冰片烯、1， 2， 3， 4， 7， 7—六氯一6 — 三乙氧基甲硅垸基一2—降冰片烯、3 —碘丙基三甲氧基硅垸、3 —异氰酸 酯丙基三乙氧基硅烷、(巯基甲基)甲基二乙氧基硅垸、3 —巯基丙基甲 基二甲氧基硅烷、3 —巯基丙基二甲氧基硅垸、3 —巯基丙基三乙氧基硅垸、 3 —甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅垸、3 —甲基丙烯酰氧基丙基三甲 氧基硅垸、甲基{2— (3 —三甲氧基甲硅烷基丙基氨基)乙基氨基}—3 — 丙酸酯、7—辛烯基三甲氧基硅垸、R—N—ct —苯乙基一N，一三乙氧基甲 硅垸基丙基脲、S—N— a —苯乙基一N，一三乙氧基甲硅烷基丙基脲、苯乙 基三甲氧基硅烷、苯乙基甲基二甲氧基硅垸、苯乙基二甲基甲氧基硅烷、 苯乙基二甲氧基硅烷、苯乙基二乙氧基硅垸、苯乙基甲基二乙氧基硅烷、 苯乙基二甲基乙氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅垸、(3 —苯基丙基)二甲 基氯硅烷、(3 —苯基丙基)甲基二氯硅垸、N—苯基氨基丙基三甲氧基硅 烷、N— (三乙氧基甲硅烷基丙基)丹酰基甲酰胺、N— (3—三乙氧基甲 硅烷基丙基)一4， 5 —二氢咪唑、2—(三乙氧基甲硅垸基乙基)一5— (氯 乙酰氧基)二环庚垸、(S) —N—三乙氧基甲硅烷基丙基一O—薄荷醇氨 基甲酸酯、3— (三乙氧基甲硅烷基丙基) 一对硝基苯甲酰胺、3— (三乙 氧基甲硅烷基)丙基琥珀酐、N—[5— (三甲氧基甲硅烷基)一2—氮杂一 l一氧杂一戊基]己内酰胺、2— (三甲氧基甲硅烷基乙基)吡啶、N— (三 甲氧基甲硅垸基乙基)节基一N， N， N—三甲基铵氯化物、苯基乙烯基二乙氧基硅烷、3 —硫代氰酸酯丙基三乙氧基硅垸、(十三氟一l， 1， 2， 2 一四氢辛基)三乙氧基硅烷、N—{3—(三乙氧基甲硅烷基)丙基}邻氨甲 酰苯甲酸、(3， 3， 3—三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(3， 3， 3—三氟 丙基)三甲氧基硅垸、l一三甲氧基甲硅垸基一2— (氯甲基)苯基乙垸、2— (三甲氧基甲硅垸基)乙基苯基磺酰胺、e—三甲氧基甲硅烷基乙基一2 —吡啶、三甲氧基甲硅烷基丙基二乙烯三胺、N— (3 —三甲氧基甲硅 烷基丙基)吡咯、N—三甲氧基甲硅垸基丙基一N， N， N—三丁基铵溴化 物、N—三甲氧基甲硅烷基丙基一N， N， N—三丁基铵氯化物、N—三甲 氧基甲硅垸基丙基一N， N， N—三甲基铵氯化物、乙烯基甲基二乙氧基硅 烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅垸、乙烯基甲基二甲氧基硅 烷、乙烯基二甲基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅垸、乙烯基甲基二 氯硅垸、乙烯基苯基二氯硅烷、乙烯基苯基二乙氧基硅垸、乙烯基苯基二 甲基硅烷、乙烯基苯基甲基绿硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、乙烯基三叔丁 氧基硅烷、金刚烷基乙基三氯硅垸、烯丙基苯基三氯硅垸、(氨基乙基氨 基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、3 —氨基苯氧基二甲基乙烯基硅烷、苯基 三氯硅烷、苯基二甲基氯硅烷、苯基甲基二氯硅垸、苄基三氯硅烷、苄基 二甲基氯硅烷、苄基甲基二氯硅垸、苯乙基二异丙基氯硅垸、苯乙基三氯 硅烷、苯乙基二甲基氯硅垸、苯乙基甲基二氯硅烷、5— (二环庚烯基) 三氯硅烷、5— (二环庚烯基)三乙氧基硅烷、2— (二环庚基)二甲基氯 硅垸、2— (二环庚基)三氯硅烷、1， 4一二 (三甲氧基甲硅垸基乙基) 苯、溴苯基三氯硅烷、3 —苯氧基丙基二甲基氯硅烷、3 —苯氧基丙基三氯 硅烷、叔丁基苯基氯硅烷、叔丁基苯基甲氧基硅垸、叔丁基苯基二氯硅垸、 对(叔丁基)苯乙基二甲基氯硅烷、对(叔丁基)苯乙基三氯硅垸、1， 3 (氯二甲基甲硅烷基甲基)二十七垸、((氯甲基)苯基乙基)二甲氯 基硅烷、((氯甲基)苯基乙基)甲基二氯硅垸、((氯甲基)苯基乙基) 三氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三甲氧基硅烷烷、氯苯基三氯硅垸、 2 —氰基乙基三氯硅垸、2 —氰基乙基甲基二氯硅烷、3 —氰基丙基甲基二 乙氧基硅垸、3 —氰基丙基甲基二氯硅垸、3 —氰基丙基甲基二氯硅烷、3 一氰基丙基二甲基乙氧基硅垸、3 —氰基丙基甲基二氯硅烷、3 —氰基丙基三氯娃院等o作为含有氟的硅垸化合物(疏液性硅垸化合物)，可以举出含氟垸基 硅烷化合物。即，是具有与Si结合了的以全氟烷基结构CnF2^表示的结构的化合物，可以例示出以下述通式(2)表示的化合物。式(2)中，n 表示1到18的整数，m表示2到6的整数。Xi及x2表示一OR2、 一R2、 一C1， 乂1及乂2中所含的112表示碳数为1 4的烷基，a是l 3的整数。CnF2n+l (CH2) mSiX aX (3—a)… (2)X1的垸氧基或氯基是用于形成Si—O—Si键等的官能基，被水水解而作为醇或酸脱离。作为烷氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、 异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。对于R2的碳数，从所脱离的醇的分子量比较小，容易除去，可以抑 制所形成的膜的致密性的降低的观点考虑，优选为1 4的范围。由于通过使用含氟烷基硅烷化合物，各化合物就会以使氟垸基位于膜 的表面的方式取向而形成自组织化膜，因此可以对膜的表面赋予均一的疏 液性。更具体来说，可以举出CF3 —CH2CH2—Si (OCH3) 3、 CF3 (CF2) 3 —CH2CH2—Si (OCH3) 3、 CF3 (CF2)广CH2CH2—Si (OCH3) 3、 CF3 (CF2) 5 — CH2CH2—Si (OC2H5) 3、 CF3 (CF2) 7—CH2CH2—Si (OCH3) 3、 CF3 (CF2) —CH2CH2—Si (OC2H5) 3、 CF3 (CF2) 3—CH2CH2—Si (CH3) (OCH3) 2、 CF3 (CF2) 7—CH2CH2—Si (CH3) (OCH3) 2、 CF3 (CF2) 8_CH2CH2 —Si (CH3) (OC2H5)2、 CF3(CF2)8-CH2CH2-Si (C2H5) (OC2H5)2等。另外，在疏液部H的形成中使用氟树脂的情况下，可以使用将给定量 的氟树脂溶解于给定溶剂后的材料。具体来说，可以使用住友3M株式会 社制"EGC1720"(在HFE (氢氟醚)溶剂中溶解了 0.1wt^的氟树脂的 材料)。该情况下，通过在HFE中适当地混合醇系、烃系、酮系、醚系、 酯系的溶剂，就可以调整为能够从液滴喷头301中稳定地喷出。此外，作 为氟树脂，还可以使用旭玻硝子株式会社制"LUMIFLON"(可溶于各种 溶剂)、大金工业株式会社制"OPTOOL"(溶剂PFC、 HFE等)、大 日本油墨化学工业株式会社制"DICGUARD"(溶剂甲苯、水*乙二醇) 等。另外，作为含有氟的树脂，可以使用在侧链中包含F基、一CF3、 一 CF2—、 一CF2CF3、 — (CF2) nCF3、 一CF2CFC1—的树脂。此后，如图4 (a) 、 (b)所示，将含有上述的疏液性材料的疏液性 液滴L从液滴喷头301中向各疏液部H连续地喷出(第一工序)。此时，在各疏液部H中，命中了基板P的表面Pa的疏液性液滴L被 喷出《涂布在相邻的液滴之间会重合的位置。这样，就可以利用液滴喷头 301与基板的一次的扫描来涂布形成各疏液部H。这里，如图3 (a)所示，配线图案W的宽度WA由疏液部H的排列 间距HP与疏液部H的宽度HA的差来设定。由于该排列间距HP是作为 配线图案W的规格决定的，因此配线图案W的宽度WA就会依赖于疏液 部H的宽度HA。该疏液部H的宽度HA在本实施方式中是利用从液滴喷 头301中喷出的疏液性液滴L的喷出量及图4 (a)所示的喷出间距LP来 调节的。具体来说，例如在将液滴L的喷出量设为两种(设为La、 Lb，例如 La=2.5pl、 Lb=4.5pl)，对于各个喷出量La、 Lb将喷出间距LP设为10、 20、 30um而分别喷出 涂布时，将形成于基板P上的疏液部H的宽度 HA作为与喷出量及喷出间距LP对应的表来保持，在以所需的宽度HA形 成疏液部H时，从该表中调出与该宽度HA对应的喷出量及喷出间距LP, 在疏液性液滴的喷出工序中，以该所调出的喷出量及喷出间距LP喷出液 滴L。此后，通过对喷出至基板P的疏液性液滴L进行预干燥，而如图5(a)、 (b)所示，在基板P上相互拉开间隔地以数nm 数十nm的厚度形成直 线状的疏液部H。该疏液部H因使用上述的疏液性材料，而将与图案用液滴的接触角设 为50度以上。所以，亲液部(表面)Pa与疏液部H的反差(接触角的差) 就达到30度以上。(材料配置工序)然后，向基板P的表面Pa的疏液部H之间喷出图案用液滴，形成配 线图案W。作为配线图案形成材料， 一般来说由在分散剂中分散了导电性微粒的分散液构成。本实施方式中，作为导电性微粒，例如除了含有金、银、铜、钯、镍及ITO中的任一种的金属微粒以外，还可以使用它们的氧化物以及导电性聚合物或超导体的微粒等。为了提高分散性，这些导电性微粒在表面涂覆有机物等而使用。 导电性微粒的粒径优选在lnm以上0.1 U m以下。如果大于0.1 y m，则有可能在后述的液体喷头的喷嘴中产生堵塞。另外，如果小于lnm，则涂覆剂相对于导电性微粒的体积比变大，所得的膜中的有机物的比例变得过多。作为分散剂，只要是可以分散上述的导电性微粒的材料，而且是不会 引起凝聚的材料，就没有特别限定。例如，除了水以外，还可以例示出甲 醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类；正庚垸、正辛烷、癸垸、十二烷、十四烷、 甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、均四甲苯、茚、双戊烯、四氢化萘、十氢 化萘、环己基苯等烃系化合物；或乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇 甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲乙醚、1， 2 — 二甲氧基 乙垸、双(2—甲氧基乙基)醚、对二嗨垸等醚系化合物；以及碳酸亚丙 酯、Y—丁内酯、N—甲基一2 —吡咯垸酮、二甲替甲酰胺、二甲亚砜、环 己酮等极性化合物。它们当中，从微粒的分散性与分散液的稳定性以及对 液滴喷出法(喷墨法)的应用的容易度的方面考虑，优选水、醇类、烃系 化合物、醚系化合物，作为更优选的分散剂，可以举出水、烃系化合物。另外，在疏液部H是使用硅烷化合物或具有氟烷基的化合物形成的情 况下(例如在使用十八烷基三乙氧基硅垸ODS的情况下)，为了对图案 用液滴充分地体现出疏液性，作为溶剂(分散剂)优选使用极性溶剂。作 为此种极性溶剂，具体来说可以举出上述的水、甲醇、乙醇等与水具有相 溶性的醇，N， N—二甲替甲酰胺(DMF) 、 N—甲基吡咯烷酮(NMP)、 二甲基咪唑啉(DMI) 、 二甲亚砜(DMSO)等有机溶剂或无机溶剂，也 可以是将这些溶剂适当地混合了 2种以上的溶剂。上述导电性微粒的分散液的表面张力优选在0.02N/m以上0.07N/m以 下的范围内。在利用喷墨法将液体喷出之时，如果表面张力小于0.02N/m， 则由于墨水组合物与喷嘴面的浸润性增大，因此容易产生飞行弯曲，如果 超过0.07N/m，则由于喷嘴头端的弯月面的形状不稳定，因此难以进行喷出量或喷出时刻的控制。为了调整表面张力，可以在上述分散液中，在不 很大地降低与基板的接触角的范围内，添加微量的氟系、硅氧烷系、非离 子系等表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂是起到如下作用的物 质，即，提高液体对基板的浸润性，改良膜的调平性，防止膜产生微细的 凹凸等。上述表面张力调节剂根据需要也可以含有醇、醚、酉旨、酮等有机 化合物。上述分散液的粘度优选在lmPa s以上50mPa s以下。在使用喷墨 法将液体材料作为液滴喷出之时，在粘度小于lmPa s的情况下，喷嘴周 边部容易因墨水的流出而被污染，另外在粘度大于50mPa s的情况下， 喷嘴孔的堵塞频率升高，难以实现顺畅的液滴的喷出。此后，如图6 (a) 、 (b)所示，将含有上述的配线图案形成材料的 图案用液滴WL从液滴喷头301中向疏液部H之间的间隙连续地喷出而涂 布(第二工序)。具体来说， 一边沿着疏液部H (亲液部Pa)的长度方向 (配线图案的形成方向)，将液滴喷头301和基板P相对地移动， 一边以 给定的间距喷出多个图案用液滴WL。这里，基板P的表面Pa由于相对于图案用液滴WL来说接触角在20 度以下，因此所涂布的图案用液滴WL就会不被分离或不产生鼓起地在疏 液部H之间浸润展开。另外，由于疏液部H和表面Pa的与图案用液滴 WL的接触角的差(反差)在30度以上，因此图案用液滴WL就会基于 该浸润性的差从疏液部H中弹开向疏液部H之间的表面Pa导入而积存。 作为该反差，虽然在30度以上就已足够，然而在考虑了后述的实施例的 情况下，更优选在35度以上。而且，上述的疏液部H由于厚度为数nm 数十nm，是很微少的量， 因此不具有作为规定所涂布的图案用液滴WL的位置的隔壁的功能，图案 用液滴WL就会因上述的接触角(浸润性)的差而配置于亲液部Pa中。 (热处理/光处理工序)然后，在热处理/光处理工序中，将配置于基板上的液滴中所含的分散 剂或涂覆剂除去。即，为了使微粒之间的电接触良好，配置于基板上的导 电膜形成用的液体材料需要将分散剂完全地除去。另外，在为了提高分散 性而在导电性微粒的表面涂覆有有机物等涂覆剂的情况下，需要将该涂覆剂也除去。虽然热处理及/或光处理通常在大气中进行，然而根据需要，也可以在 氮气、氩气、氦气等惰性气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度可以 考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或 氧化性等热性质、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等而适当地决定。例如，为了将由有机物构成的涂覆剂除去，需要在大约30(TC下烧成。 另外，在使用塑料等基板的情况下，优选在室温以上IO(TC以下进行。这 里，在25(TC、 60分钟条件下烧成。热处理及/或光处理例如除了使用了加热板、电炉等加热机构的一般性 的加热处理以外，还可以使用灯退火来进行。作为灯退火中所用的光的光 源，没有特别限定，然而可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩气 激光器、二氧化碳气体激光器、XeF、 XeCl、 XeBr、 KrF、 KrCl、 ArF、 ArCl等的准分子激光器等。这些光源一般来说可以使用功率10W以上 5000W以下的范围的，而在本实施方式中100W以上1000W以下就已足 够。利用上述热处理及/或光处理，可以确保微粒之间的电接触，变换为导 电膜。利用以上所说明的一连串的工序，在基板P上形成图3 (a)所示的线 状的配线图案W。 (实施例)在将溶剂一金属设为二醇系一ITO、醚系一ITO、 二醇系一Ni、水系一 Ag、烃系一Ag，使疏液部H的宽度HA-100um、配线图案W的宽度 WA:40um时，将疏液部H、亲液部Pa的接触角、反差、描绘结果的关 系表示于图7中。如该图中所示，如果亲液部的接触角在20。以下，则会产生鼓起，另 外如果疏液部的接触角在50。以上，反差在30。以上(优选在35。以上)， 则可以良好地形成均一的配线图案。如上所述，本实施方式中，由于通过向具有亲液部的表面Pa的基板P 上，涂布包含硅烷化合物或具有氟垸基的化合物、氟树脂等的疏液性液滴 L，来图案形成疏液部H，因此就不需要使用昂贵的曝光机或光掩模、激光源等，从而可以防止成本上升。另外，本实施方式中，通过调整疏液性液滴L的喷出量及喷出间距，就可以很容易地调整疏液部H的宽度HA， 即配线图案W的宽度。特别是，本实施方式中，由于使用表示上述喷出 量及喷出间距与疏液部H的宽度HA的相对关系的表，因此就可以容易并 且迅速地选定与应当形成的配线图案W的宽度WA对应地设定的疏液性 液滴L的喷出量及喷出间距，从而可以有助于生产性的提高。另夕卜，本实施方式中，由于命中基板P上的疏液性液滴是以在相邻的 液滴L之间重合的方式涂布的，因此就可以在液滴喷头301与基板P的扫 描中，利用一次的扫描来形成各疏液部H，从而可以有助于生产性的进一 步的提高。此外，本实施方式中，可以将疏液部形成工序及材料配置工序双方都 利用液滴喷出方式来进行，因此可以在两个工序中实现设备的共用化，从 而可以降低生产成本。 (电光学装置)下面，参照图8至图11，对作为使用上述图案形成方法制造的电光学 装置的一个例子的等离子体型显示装置进行说明。图8表示了本实施方式的等离子体型显示装置(电光学装置)500的 分解立体图。等离子体型显示装置500包括相互对置地配置的玻璃基板501、 502 及形成于它们之间的放电显示部510。在玻璃基板501的上面以给定的间隔条纹状地形成地址电极511，以 将地址电极511和玻璃基板501的上面覆盖的方式形成电介质层519。在 电介质层519上，以位于地址电极511、 511之间并且沿着各地址电极511 的方式形成有隔壁515。另外，在由隔壁515划分的条纹状的区域的内侧 配置有荧光体517。荧光体517是发出红、绿、蓝的任一种荧光的物质， 分别在红色放电室516 (R)的底部及侧面配置有红色荧光体517 (R)， 在绿色放电室516 (G)的底部及侧面配置有绿色荧光体517 (G)，在蓝 色放电室516 (B)的底部及侧面配置有蓝色荧光体517 (B)。另一方面，在玻璃基板502侧，沿与先前的地址电极511正交的方向， 条纹状地以给定的间隔形成多个由透明导电膜构成的显示电极512，并且为了补充电阻高的显示电极512，在显示电极512上形成有总线电极512a。 另外，将它们覆盖地形成电介质层513，进而形成由MgO等构成的保护 膜514。玻璃基板501与玻璃基板502被以上述地址电极511…与显示电极 512…相互正交的方式相面对而相互贴合。放电显示部510是集合了多个放电室516的部分。如下配置，即，多 个放电室516中的红色放电室516 (R)、绿色放电室516 (G)、蓝色放 电室516 (B)这3个放电室516形成一组的部分与由一对显示电极包围 的区域构成l个像素。上述地址电极511和显示电极512与图示略的交流电源连接。通过对 各电极通电，在放电显示部510中荧光体517就会激发发光，从而可以进 行彩色显示。本实施方式中，显示电极512、总线电极512a及地址电极511是使用 先前所示的图案形成方法形成的。而且，对于地址电极511，与上述的配线图案W相同，由于是利用对 玻璃基板501的表面处理工序、疏液部形成工序、材料配置工序及热处理 /光处理工序形成的，因此在这里省略其说明。以下，参照图9至图11，对形成显示电极512及总线电极512a的过 程进行说明。首先，与上述的配线图案W相同，在对玻璃基板502的作为亲液部 及第一图案形成面的表面502a实施了表面处理工序后，如图9 (a) 、 (b) 所示，形成包围形成显示电极512的区域的周围的疏液部500H。该疏液 部500H也是通过将在芳香族烃的混合物中混合了上述的ODS的疏液性液 滴例如以液滴喷出量2.5pl、喷出间距50um喷出"涂布而形成的。此夕卜， 向疏液部500H之间的间隙喷出"凃布含有ITO微粒的图案用液滴，通过 在30(TC、 l小时的条件下烧成，而将显示电极512成膜。另外，通过将 疏液部500H加热，而除去该疏液部500H的疏液性。接下来，向像这样成膜了显示电极512的玻璃基板502上，如图10 (a) 、 (b)所示，通过以将形成总线电极512a的区域包围(夹持)的 方式，与疏液部500H的形成时相同地喷出 涂布在芳香族烃的混合物中混合了上述的ODS的疏液性液滴，来形成疏液部512H。此时，在形成总 线电极512a的区域中，显示电极512的一部分露出。此后，通过向疏液部512H之间的间隙中，与露出的显示电极512的 一部分连接地喷出"凃布含有Ag微粒的图案用液滴，在300'C、 l小时的 条件下烧成，而如图11 (a) 、 (b)所示，形成与显示电极512导通的总 线电极512a。在上述显示电极512、总线电极512a及地址电极511的形成时，也是 通过调整基于预先保持的表的喷出量及喷出间距来确定疏液部的宽度，从 而确定其宽度。如此所述，本实施方式中，可以不使用昂贵的曝光机或光掩模、激光 源等，而形成显示电极512、总线电极512a及地址电极511等的图案，从 而能够防止成本上升，而且可以容易并且迅速地选定与应当形成的图案的 宽度对应地设定的疏液性液滴的喷出量及喷出间距，可以有助于生产性的 提咼。而且，作为形成显示电极512的透明导电膜形成材料，除了上述的ITO 以外，还可以使用透明导电膜形成用金属氧化物的各成分金属(铟、锡、 锑、铝及锌)的至少一种的金属的微粒、由从该成分金属中选择的2种以 上的金属构成的至少一种合金的微粒、这些金属微粒与合金微粒的混合微 粒。(电磁波屏蔽装置)下面，参照图12对作为使用上述图案形成方法制造的电光学装置的 一个例子的电磁波屏蔽装置进行说明。图12 (a)是电磁波屏蔽装置的俯视图，图12 (b)是侧视图。该图所示的电磁波屏蔽装置(电光学装置)SL成为在透明树脂或玻 璃基板等透明基板P上利用导线形成了图案PT的构成。该图案PT由将多条直线配线以相互拉开间隔地交叉形成为网状形 成的网部MS、形成于该网部MS的周围的边框部GB构成。这些网部MS 及边框部GB都是利用上述的金属(Au、 Ag、 Cu、钯、镍、ITO等)形 成的。构成网部MS的配线虽然宽度越大则屏蔽性能就越高，然而由于开 口率会变小，因此要根据作为电磁波屏蔽装置SL要求的规格来适当地设定。本实施方式中，将配线宽度设为30pm以下，将配线间距设为250 400li m。在形成上述的电磁波屏蔽装置SL之时，与上述的配线图案W相同， 利用对玻璃基板P的表面处理工序、疏液部形成工序、材料配置工序及热 处理/光处理工序来形成。该疏液部形成工序中，通过将在芳香族烃的混合 物中混合了上述的ODS的疏液性液滴，以与所要形成的网部MS的线宽 (即所要形成的亲液部的宽度)对应地选择的例如喷出量2.5pl、喷出间距 50" m，向成为网部MS的开口部的区域喷出*涂布，来形成疏液部513H。 此后，通过向在疏液部513H之间的间隙中露出的亲液部(玻璃基板P的 表面)及基板端缘部，将含有上述金属微粒的液滴例如以喷出量2.2pl、喷 出间距30um喷出 涂布，在300'C、 1小时的条件下烧成，就可以形成 具有网部MS及边框部GB的电磁波屏蔽装置SL。通过使用此种电磁波屏蔽装置SL，不仅可以减轻对人体的有害健康 的影响，而且还可以减轻由电子机器产生的高频电磁波噪音影响，减轻画 面的紊乱或扬声器的噪音等。如此所述，本实施方式中，也可以不使用昂贵的曝光机或光掩模、激 光源等，而形成由网部MS及边框部GB构成的图案PT，从而能够防止成 本上升，而且可以容易并且迅速地选定与应当形成的图案的宽度对应地设 定的疏液性液滴的喷出量及喷出间距，可以有助于生产性的提高。 (液晶显示装置)接下来，参照图13至图17，对作为使用上述图案形成方法制造的电 光学装置的一个例子的液晶显示装置进行说明。图13是从与各构成要素一起显示的对置基板侧看到的本发明的液晶 显示装置的俯视图，图14是沿着图1的H—H'线的剖面图。图15是在液 晶显示装置的图像显示区域中以矩阵状形成的多个像素的各种元件、配线 等的等价电路图，图16是液晶显示装置的局部放大剖面图。而且，以下 的说明中所用的各图中，为了将各层或各构件设为在图上可以识别的程度 的大小，使各个层或各个构件的比例尺不同。图13及图14中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100将 构成一对的TFT阵列基板10和对置基板20利用作为光固化性的密封剂的密封材料52贴合，在由该密封材料52划分的区域内封入、保持有液晶50。 密封材料52在基板面内的区域中以封闭了的框状形成，不具备液晶注入 口，成为没有利用密封剂密封了的痕迹的构成。在密封材料52的形成区域的内侧的区域中，形成有由遮光性材料构 成的周边挡条53。在密封材料52的外侧的区域，沿着TFT阵列基板10 的一边形成数据线驱动电路201及安装端子202，沿着与这一边相邻的2 边形成扫描线区域电路204。在TFT阵列基板10的剩余的一边，设有用 于将设于图像显示区域的两侧的扫描线驱动电路204之间连接的多条配线 205。另外，在对置基板20的角部的至少一处，配设有用于在TFT阵列基 板10与对置基板20之间形成电导通的基板间导通材料206。而且，也可以不是将数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204形成 于TFT阵列基板10之上，而是例如将安装有驱动用LSI的TAB (Tape Automated Bonding)基板与形成于TFT阵列基板10的周边部的端子组借 助各向异性导电膜而电气性及机械地连接。而且，在液晶显示装置100中， 根据所使用的液晶50的种类，即，根据TN (Twisted Nematic)模式、STN(Super Twisted Nematic)模式等动作模式、常白模式/常黑模式的区别， 将相位差片、偏振片等沿给定的方向配置，然而在这里省略图示。另外，在将液晶显示装置100作为彩色显示用而构成的情况下，在对 置基板20中，在与TFT阵列基板10的后述的各像素电极相面对的区域， 与其保护膜一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片。在具有此种结构的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图15所 示，多个像素100a以矩阵状构成，并且在这些像素100a中，分别形成有 像素开关用的TFT (开关元件)30，供给像素信号S1、 S2、…、Sn的数 据线6a被与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的像素信号Sl、 S2、、 Sn既可以依次地依照线次序来供给，也可以向相邻的多条数据线6a之间 的每个组供给。另外，在TFT30的栅极电连接有扫描线3a，在给定的时 刻，对扫描线3a脉冲地依次依照线次序施加扫描信号Gl、 G2、…、Gm。像素电极19被与TFT30的漏极电连接，通过将作为开关元件的TFT30 在一定期间内设为接通状态，而将由数据线6a供给的像素信号Sl、S2、…、 Sn在给定时刻写入各像素。像这样经由像素电极19写入了液晶的给定电平的像素信号S1、 S2、…、Sn在与图14所示的对置基板20的对置电极 121之间被保持一定期间。而且，为了防止所保持的像素信号S1、 S2、…、 Sn泄漏，与形成于像素电极19和对置电极121之间的液晶电容并联地附 加存储电容60。例如，像素电极19的电压被存储电容60以比施加了源电 压的时间长3个数量级的时间保持。这样，电荷的保持特性就得到改善， 可以实现对比度高的液晶显示装置100。图16是具有底栅(bottom gate)型TFT30的液晶显示装置100的局 部放大剖面图，在构成TFT阵列基板10的玻璃基板P上，利用上述实施 方式的图案形成方法形成栅配线61。在栅配线61上，夹隔着由SiNx构成的栅绝缘膜层叠有由无定形硅(a 一Si)层构成的半导体层63。与该栅配线部分相面对的半导体层63的部 分被设为通道区域。在半导体层63上，层叠有用于获得电阻接合的例如 由n+型a—Si层构成的接合层64a及64b，在通道区域的中央部的半导体 层63上，形成有用于保护通道的由SiNx构成的绝缘性的抗蚀膜65。而且， 这些栅绝缘膜62、半导体层63及抗蚀膜65通过在蒸镀(CVD)后实施 抗蚀剂涂布、感光*显影、光蚀刻而被如图所示地图案处理。另外，接合层64a、 64b及由ITO构成的像素电极19也是同样地成膜， 并且通过实施光蚀刻而被如图所示地图案处理。此外，在像素电极19、栅 绝缘膜62及抗蚀膜65上分别突设有围堰66…，通过使用上述的液滴喷出 装置IJ向这些围堰66…之间喷出银化合物的液滴，就可以形成源线、漏 线。而且，也可以如图17所示，在栅绝缘膜62中设置凹部，在该凹部内 与栅绝缘膜62的表面大致齐平面地形成半导体层63，在其上形成接合层 64a、 64b、像素电极19、抗蚀膜65。该情况下，通过使围堰66之间的槽 底部与图16相比略平，就可以减少这些层及源线、漏线的弯曲部，形成 提高了平坦性的高特性的TFT。如此所述，本实施方式中，可以获得高质量且能够实现薄型、高集成 化的液晶显示装置100。上述构成的TFT中，由于通过在使用上述的液滴喷出装置U，涂布疏 液性液滴而将疏液部及亲液部图案化后，向亲液部喷出例如银化合物的液滴，就可以不使用昂贵的曝光机或光掩模、激光源等，而形成栅线、源线、 漏线等，因此可以防止成本上升，而且可以容易并且迅速地选定与应当形 成的图案的宽度对应地设定的疏液性液滴的喷出量及喷出间距，可以有助 于生产性的提高。而且，上述实施方式中，虽然采用了将TFT30作为用于液晶显示装置 100的驱动的开关元件使用的构成，然而除了液晶显示装置以外，例如还 可以应用于有机EL (电致发光)显示设备中。有机EL显示设备是如下的 元件，即，具有将包含荧光性的无机及有机化合物的薄膜利用阴极和阳极 夹持的构成，通过向上述薄膜中注入电子及空穴(hole)而使之复合来生 成激子(exiton)，利用该激子失活之时的光的释放(荧光，磷光)来发 光。此外，通过在具有上述的TFT30的基板上，以有机EL显示元件中所 用的荧光性材料中的呈现红色、绿色及蓝色的各发光颜色的材料，即发光 层形成材料；及空穴注入/电子输送层的材料作为墨水，对其分别进行图案 处理，就可以制造自发光全色EL设备。本发明的电光学装置的范围中还包括此种有机EL设备，可以获得能 够实现所需的特性、不会产生短路等故障的高质量的有机EL设备。 (非接触型卡片介质)接下来，对非接触型卡片介质的实施方式进行说明。如图18所示， 本实施方式的非接触型卡片介质(电子机器)400是在由卡片基体402和 卡片外罩418构成的筐体内，内置半导体集成电路芯片408和天线电路 412，利用未图示的外部的收发两用机和电磁波或静电电容耦合的至少一 方进行功率供给或数据收发的至少一方。本实施方式中，上述天线电路412是利用上述实施方式的图案形成方 法形成的。根据本实施方式的非接触型卡片介质制造方法，可以防止成本上升， 另外有助于生产性的提高。而且，作为本发明的电光学装置，除了上述以外，还可以应用于如下 的表面传导型电子发射元件等中，其利用了通过在形成于基板上的小面积 的薄膜中与膜面平行地流过电流来产生电子发射的现象。 (电子机器)接下来，对本发明的电子机器的具体例进行说明。图19 (a)是表示了携带电话的一个例子的立体图。图19 (a)中， 600表示携带电话主体，601表示具备了上述实施方式的液晶显示装置的 液晶显示部。图19 (b)是表示了文字处理器、个人电脑等携带型信息处理装置的 一个例子的立体图。图19 (b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘 等输入部，703表示信息处理主体，702表示具备了上述实施方式的液晶 显示装置的液晶显示部。图19 (a) (c)所示的电子机器由于是具备了上述实施方式的液晶 显示装置的机器，因此可以防止成本上升，另外还可以提高生产性地制造。而且，本实施方式的电子机器虽然设为具备液晶装置的电子机器，但 是也可以设为具备了有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其他 的电光学装置的电子机器。以上在参照附图的同时对本发明的优选的实施方式进行了说明，然而 本发明当然并不限定于该例子。上述的例子中所示的各构成构件的诸多形 状或组合等是一个例子，在不脱离本发明的主旨的范围内可以基于设计要 求等迸行各种变更。例如，在上述实施方式中，虽然作为功能液采用含有导电材料的液状 体而进行了说明，然而所谓功能液是如下的材料，即，将金属或半导体、 陶瓷、有机材料、颜料、光学材料作为功能性液体使用，配置于基板上的 所需的位置，经过烧成工序来获得薄膜。所谓功能可以举出导电性、绝缘 性、半导体特性、聚光性、光选择吸收性、荧光或磷光等发光性、液晶分 子的取向性控制等。另外，上述实施方式中，虽然是以利用功能液来形成配线主体的例子 来进行说明，然而并不限定于此，例如也可以涂布含有钯等镀覆催化剂材 料的液滴来形成镀覆催化剂膜。该情况下，在后续工序中进行镀覆处理之 时，通过进行镀覆处理，就可以容易并且廉价地形成致密性高的配线(Cu) 等。另外，上述实施方式中，虽然是以为了提高亲液性，对基板P作为表 面处理工序实施了清洗处理的例子进行了说明，然而并不限定于此，例如也可以采用如下的构成，即，在表面Pa上涂布对功能液(图案用液滴) 显示亲液性的硅烷偶联剂或钛偶联剂，或涂布氧化钕微粒。
权利要求
1.一种图案形成方法，它是在具有相对于功能液的亲液部及疏液部的基板上涂布所述功能液而形成图案的图案形成方法，其特征在于，包括向具有所述亲液部的基板上涂布含有疏液材料的液滴而形成所述疏液部的第一工序，以及，向所述疏液部之间的所述亲液部涂布所述功能液的第二工序，所述疏液材料包含有硅烷化合物、具有氟烷基的化合物、含氟树脂的至少一种。
2. 根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，所述疏液材 料是在侧链中含有氟的树脂。
3. 根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，所述硅垸化 合物是自组织化膜。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其特征在于， 在所述基板的表面，利用由所述具有氟烷基的化合物构成的自组织化膜来 形成所述疏液部。
5. 根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其特征在于， 在所述基板的表面，利用具有垸基、氢的自组织化膜形成所述疏液部。
6. 根据权利要求1至5中任一项所述的图案形成方法，其特征在于，所述功能液是在极性溶剂中溶解了图案形成材料的液状体。
7. 根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其特征在于， 所述第二工序中，在所述亲液部涂布所述功能液的液滴。
8. 根据权利要求1至7中任一项所述的图案形成方法，其特征在于， 所述功能液含有导电性材料。
9. 根据权利要求8所述的图案形成方法，其特征在于，导电性材料 含有金、银、铜、钯、镍、ITO中的至少一种。
10. 根据权利要求1至9中任一项所述的图案形成方法，其特征在于， 所述功能液含有镀催化剂材料。
11. 一种电光学装置制造方法，其特征在于，具有利用权利要求l至 10中任一项所述的图案形成方法来形成图案的工序。
12. 根据权利要求ll所述的电光学装置制造方法，其特征在于， 所述电光学装置是具有利用导电线形成为网状的网部、利用所述导电线形成于所述网部的周围的边框部的电磁波屏蔽装置， 利用所述图案形成方法形成所述网部及所述边框部。
13. —种电子机器制造方法，其特征在于，具有利用权利要求1至10 中任一项所述的图案形成方法来形成图案的工序。
全文摘要
本发明提供一种可以不导致成本上升地形成优质的图案的图案形成方法。在具有相对于功能液来说的亲液部(Pa)及疏液部(H)的基板(P)上涂布功能液而形成图案(W)。具有向具有亲液部的基板上涂布含有疏液材料的液滴而形成疏液部的第一工序、向疏液部之间的亲液部涂布功能液的第二工序。疏液材料包含硅烷化合物、具有氟烷基的化合物、含有氟的树脂的至少一种。
文档编号G02F1/1362GK101330801SQ20081012851
公开日2008年12月24日 申请日期2008年6月19日 优先权日2007年6月20日
发明者平井利充 申请人:精工爱普生株式会社