涂敷及显影装置、涂敷及显影方法、和存储介质的制作方法

专利名称：涂敷及显影装置、涂敷及显影方法、和存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基 板)等的基板进行抗蚀液的涂敷处理以及曝光后的显影处理的涂敷及显 影装置、涂敷及显影方法和存储介质。
背景技术：
在作为半导体制造工序的一个的光刻胶工序中，在半导体晶片(以
下也称为晶片)的表面上涂敷抗蚀剂，将该抗蚀剂以规定的图案曝光后 进行显影来形成抗蚀图案。这样的处理一般使用在进行抗蚀剂的涂敷以 及显影的涂敷及显影装置上连接有咏光装置的系统来进行。
作为涂敷及显影装置例如已知有在日本专利申请公开2006-253501 号公报中记述的装置，其包括栽具块(carrierblock)，运入包含多个 半导体晶片(以下称为晶片)的载具；界面块(interface block),在与 爆光装置之间进行晶片的交接；以及处理块，设置在栽具块和界面块之 间。
上述处理块是通过层叠涂敷块和显影块而构成的，其中，该涂敷块 包含对晶片进行抗蚀剂涂敷的涂敷模块(COT),该显影块包含对抗蚀 剂涂敷后的晶片供给显影液来进行显影的显影模块(DEV)，此外涂敷 块及显影块分别包含加热模块及冷却模块，在涂敷处理以及显影处理 前后进行加热以及冷却处理；以及输送臂(transfer arm ),在各才莫块间 进行晶片的输送。
为了谋求生产能力的提高，在涂敷块以及显影块中，分别设置多个 涂敷模块、显影模块、加热模块以及冷却模块等的对晶片进行处理的模 块。依次从栽具送出的晶片，被输送到没有晶片运入的空闲的处理模块 上，在各处理模块并行地进行处理。之后，从处理结束的晶片起顺序地
向空闲的后级处理模块送出。
图13是表示在上迷涂敷及显影装置中的各模块以及各模块间的晶 片输送通路的图。从栽具101运出的晶片通过设置在上述载具块上的栽 具臂(carrier arm ) 102输送到TRS (交接台)103上。之后，晶片以在 处理块中上下移动的交接臂104、 TRS105的顺序输送。
之后，晶片通过涂敷块的输送臂106在该涂敷块中以疏水化处理模 块(ADH) I07A或107B,冷却才莫块108A或108B, COT109A、 109B 或109C,加热模块110A~ 110D的任一个，WEE(边缘曝光模块)111， 以及緩冲模块112的顺序输送。
之后，晶片依次经由上述交接臂104,从载具块侧向界面块侧移动 的穿梭臂(shuttlearm) 112,以及设置在界面块的界面臂U4被输送到 曝光装置113,接受咏光处理。
曝光处理后的晶片，经由界面臂1144皮输送到TRS115A或115B。 接着，晶片通过设置在显影块的输送臂116以加热模块117A~ 117F的 任一个，冷却模块118A或118B， DEV119A~ 119F的任一个，加热模 块120A~ 120F的任一个，TRS121A或121B的顺序被输送之后，返回 到栽具101。
在这样的涂敷以及显影装置中，正在研究使生产能力进一步提高， 例如目标是实现每一小时(3600秒)200枚~300枚左右的生产能力。 为了实现每一小时200枚的生产能力，需要以3600秒/200枚=18秒/枚 的速度进行上述的涂敷以及显影处理，为了实现每一小时300枚的生产 能力，需要以3600秒/300枚=12秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影 处理。
在将一枚晶片从前级的模块向后级模块的输送作为一回输送来计 算的情况下，在涂敷块中，输送臂106将该晶片从TRS105输送到緩沖 模块112为止共计进行6回输送。为了实现上述生产能力，这些模块之 间的每一回的输送时间在生产能力在200枚/小时的情况下设定为18秒 /6=3秒以下，在生产能力是300枚/小时的情况下设定为12秒/6-2秒以 下。
而且，为了以这样的速度进行晶片的输送，需要确保晶片的输送地 以使一个模块的处理结束后，能够立刻进行向下面的模块的输送。因此 正在研究在涂敷块及显影块中较多地设置各模块，增加在同种模块中并
行处理的晶片数(并行处理数)。图14是像这样在涂敷块中分别增加 同种模块数的一个例子。
但是，为了像这样使生产能力提高，当为了能够如上述那样以2秒 以下或3秒以下在模块间输送而提高输送臂106的输送速度时，输送臂 106的负荷变大，存在在晶片输送中晶片从输送臂106落下等的输送错 误发生的风险变大的问题。再有，在上述日本专利申请公开2006-253501 号公报中没有记述解决这样问题的方法。

发明内容
本发明正是为了解决这样的问题而做成的，其目的是提供一种涂敷 及显影装置、涂敷及显影方法和存储介质，能够抑制在对基板进行处理 的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度 的下降。
本发明的涂敷及显影装置，其特征在于，具备载具块，通过栽具 运入基板；处理块，交接被运入到上述栽具块的上述基板，并且对上述 基板形成包含抗蚀剂騰的涂敷膜；以及界面块，将通过上迷处理块形成 了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块具有从上述栽 具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述 载具块側朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有 将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用 输送单元，在上迷界面块上设置有用于将上述基板运入上述膝光装置并 且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的膝光装置 运入用输送单元，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上迷基 板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送，并且上述曝光装置
块输送的:序，-将上述基板从各抗烛剂膜形成块运二Li述咏光装置。'
各抗蚀剂膜形成块以及上述显影处理块相互层叠也可。此外，例如 设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上迷处理块运入用输送单元将来自上迷 栽具的上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述咏光 装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上 迷载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述膝光装置。例 如，设置多个上迷显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述曝
光装置将曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块也可。此外各上述抗蚀剂膜形成块分别具有多个在上述基板上涂敷抗 蚀剂的涂敷模块；多个加热上迷基板的加热模块；以及多个冷却上述基 板的冷却模块也可。
本发明的涂敷及显影方法，使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀 剂，并且对曝光后的上述基板进行显影处理，其特征在于，上述涂敷及 显影装置具备载具块，通过栽具运入基板；处理块，交接被运入上述 栽具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及 界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到膝光装 置，上述处理块具有从上述栽具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多 个抗蚀剂膜形成块；以及从上述栽具块侧朝向上述界面块侧形成的显影 处理块，在上迷栽具块上设置有将来自上述栽具的上述基板向各抗蚀剂 膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将 上述基板运入上述咏光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上 述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述涂敷及显影方法， 包括通过上述处理块运入用输送单元将来自上述栽具的上述基板一枚 一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送的工序，以及通过上述瞩光
形成块输送的顺序Z将上迷基板从各抗烛剂膜形成、块运二i述爆光装置 的工序。
设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自 上述栽具的上述基板一枚一枚交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝 光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从 上述栽具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述膝光装置也 可。此外，进一步含有设置多个上述显影处理块，通过上述爆光装置 运入用输送单元从上述膝光装置将膝光完成的上述基板一枚一枚周期 地输送到各显影处理块的工序也可。
本发明的存储介质，在使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂并且 对曝光后的上述基板进行显影处理的涂敷及显影方法中使用，容纳在计 算机上工作的计算机程序，其特征在于，上述涂敷及显影装置具备栽 具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上述载具块的上述基板， 并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述
处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到咏光装置，上述处理块具
有从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成 块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述 栽具块上设置有将来自上述栽具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送 的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入 上述曝光装置并且从上述咏光装置运出上述基板而向上述显影处理块 传送的曝光装置运入用输送单元，上述涂敷及显影方法，通过上述处理 块运入用输送单元将来自上述栽具的上述基板一枚一枚顺序地周期地 向各抗蚀剂膜形成块输送的工序，以及通过上述爆光装置运入用输送单 元，以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺 序，将上述基板从各抗、蚀剂膜形成块运入上迷曝光装置的工序。
根据本发明，上迷处理块运入用输送单元将来自上述栽具的上述基 板一枚一枚地顺序地周期地输送到各抗蚀剂膜形成块，并且上述膝光装
膜形成块的:'顷序，从各抗蚀剂膜形成块将上述i板输送5ij上述啄光装
置。这样通过在多个抗蚀剂膜形成块并行地形成抗蚀剂膜，依次将形成 了抗蚀剂膜的基板运入咏光装置，与为了实现同等的生产能力而在一个 抗蚀剂膜形成块上设置多个或许多同种模块的情况相比，抗蚀剂膜形成 用输送单元的负荷被抑制，能够抑制在抗蚀剂膜形成块中包含的模块间 的基板输送精度下降。


图1是表示根椐本发明的第 一实施方式的涂敷及显影装置的橫剖平 面图。
图2是表示根椐本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置的立体图。
图3是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置的纵剖平 面图。
图4是表示根椐本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中包含的 COT层的立体图。
图5是在根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中输送的晶 片的输送程序表。
图6是在根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中输送的晶 片的输送程序表。
图7是表示根据本发明的第一实施方式的涂敷及显影装置中包含的 各模块的模式图。
图8是在上述各模块间的晶片的输送图。
图9是表示根据本发明的第二实施方式的涂敷及显影装置中包含的
各模块的模式图。
图10是在根据本发明的第二实施方式的涂敷及显影装置的各模块 间的晶片输送图。
图11是表示根据本发明的第三实施方式的涂敷及显影装置中包含 的各模块的模式图。
图12是在根据本发明的第三实施方式的涂敷及显影装置的各模块 间的晶片输送图。
图13是现有的涂敷及显影装置中的晶片输送图。
图14是表示在现有的涂敷及显影装置中增加涂敷块的模块数量的 情况的 一 个例子的晶片输送图。
具体实施例方式
第一实施方式
参照图1 ~图3对作为第一实施方式的涂敷及显影装置1进行说明。 图l是在涂敷及显影装置1上连接有曝光装置S4的系统的平面图，图2 是同系统的立体图。此外图3是同系统的纵剖面图。
在涂敷及显影装置1具有载具块S1，栽具块S1具有载置台11和交 接臂12。在栽具块S1中，交接臂12以从载置台11上载置的密封型栽 具C取出晶片W,并且将晶片W交接到与栽具块S1邻接的处理块S2 的方式构成(处理块运入用输送单元)。此外交接臂12以从处理块S2 接受处理完成的晶片W,将该处理完成的晶片W返还到载具C的方式 构成(归还用输送单元)。栽具C例如包含25枚晶片W,每个栽具C 的晶片W的批量不同。
上迷处理块S2具有包围全体的箱体13。该处理块12如图2及图3 所示，具有从下方顺序地层叠而构成的三个块，即用于进行显影处理的 第一块(DEV层，显影处理块)Gl，和用于形成包含抗蚀剂膜的涂敷
膜的第二块(COT层，抗蚀剂膜形成块)G2，和用于形成包含抗蚀剂 膜的涂敷膜的第三块(COT层，抗蚀剂膜形成块)G3。该各层通过隔 板14分隔开(参照图3)。
如图l所示，第二块(COT层)G2具有涂敷部件(unit)2,其 包含通过旋镀分别涂敷抗蚀剂并成膜的三个涂敷模块(COT )23A ~ 23C; 加热/冷却类的处理模块组27，用于进行在该涂敷部件2上进行的处理 的前处理及后处理；以及输送臂E2，设置在上述涂敷部件2和处理模块 组27之间，在其间进行晶片的交接。再有，交接晶片的场所称为模块。 此外输送臂E2、 E3是抗蚀剂膜形成用输送单元。
图4是表示第二块(COT层)G2的各模块的立体图。在图4中， 表示有加热/冷却类的处理部件组27A。该上述加热/冷却类的处理部件 组27A例如具有疏水化处理模块(ADH) 21A、 21B，在抗蚀剂涂敷前 进行晶片的疏水化处理；加热模块(HP) 24A~24D，在抗蚀剂涂敷后 加热处理晶片；以及边缘曝光模块(WEE)25,对晶片的边缘进行膝光。
这些才莫块积累成多级，构成棚架部件Ul ~U4。该棚架部件Ul ~U4 沿着从栽具块Sl側朝向界面块S3侧形成的输送臂E2的移动的输送路 径Rl排列。在图4中，棚架部件Ul包含ADH21A、 21B，棚架部件 U2、 U3包含HP24A 24D,棚架部件U4包含WEE25。此外在棚架部 件Ul ~ U4的下部设置有进行输送路径Rl排气的排气部件15。
第三块(COT层)G3与COT层G2同样地构成，具备分别与 ADH21A、 21B， COT23A~23C，加热模块24A ~ 24D，WEE25对应的疏 水化处理模块(ADH) 31A、 31B,涂敷模块(COT) 33A~33C,加热 模块34A ~ 34D，边缘膝光模块(WEE) 35。
关于第一块(DEV层)Gl是与第二、第三块类似的结构。在一个 DEV层G1内，两级层叠有用于进行与上述涂敷部件2对应的晶片的显 影的显影部件。
在这些显影部件中分别包含有用于对晶片供给显影液并进行显影 的三个显影模块(DEV)。即在DEV层G1上，共计包含六个显影模块 (DEV),这些显影模块(DEV)分别为43A， 43B, 43C, 43D， 43E, 43F。而且在该DEV层G1内设置有用于输送晶片W到这些DEV43A ~ 43F的作为显影处理用输送单元的输送臂E1。也就是说对于两级的显影 部件，输送臂E1成为共同化的结构。
此外在DEV层G1上设置有加热曝光后、显影液涂敷前的晶片的加 热模块(HP) 41A ~ 41F,以及加热显影处理后的晶片的加热模块44A ~ 44F。这些加热;溪块与COT层G2的棚架部件Ul ~U4同样地层叠为多 级而构成多个棚架部件。这些DEV层G1的棚架部件以与COT层G2 的棚架部件Ul ~U4同样的布局来排列。然后通过输送臂El在这些模 块间晶片W进行交接。
此外在DEV层G1内的上部设置有用于从栽具块Sl直接输送晶片 W到界面块S3侧的作为专用的输送单元的穿梭臂16。形成了抗蚀剂膜 的晶圆W经由交接臂D1交接到该穿梭臂16，接着通过穿梭臂16放入 界面块S3，交接到界面臂I。再有，在本实施方式中，瞩光装置运入用 输送单元通过界面臂I而构成。
进而在处理块S2中如图1及图3所示设置有棚架部件U5。如图3 所示，在该棚架部件U5中，作为显影完成的基板的交接台的交接台 TRS6、TRS7从下方以该顺序层叠并设置在DEV层G1的对应的位置上。 同样地，交接台TRS1，冷却模块CPL22A，交接台TRS2,冷却模块 CPL22B，緩冲模块BM26从下方以该顺序层叠并设置在COT层G2的 对应的位置上。进而，冷却模块CPL32A，交接台TRS3,冷却模块 CPL32B，緩沖模块BM36从下方以该顺序层叠并设置在COT层G3的 对应的位置上。分别在对应的各层Gl ~G3上设置的输送臂El ~E3能 够访问棚架部件U5包含的这些模块。再有TRS2、TRS3分别构成向COT 层G2、 G3的运入用交接台。
各冷却模块CPL是将在各层Gl ~ G3的加热模块HP中加热了的晶 圆W冷却的模块，緩冲模块BM是使在COT层G2或G3中完成涂敷处 理的多枚晶片W在向曝光装置S4运入前暂时滞留的模块。此外各加热 模块HP24A 24D、 34A~34D、 41A~41F、 44A ~ 44F具备温度变更自 由的热板，加热处理在该热板上栽置的晶片W。
在棚架部件U5的附近设置的升降自由的第一交接臂Dl以能够访 问棚架部件U5的各模块，在这些模块间进行晶片W的输送的方式而构 成。
如图1及图4所示，在处理块S2的界面块S3側设置有棚架部件 U6。在该棚架部件U6中，如图4所示，冷却模块CPL42A、 42B以及 交接台TRS4、TRS5从下方以该顺序层叠并设置在DEV层G1的对应的
位置上。DEV层Gl的输送臂El和界面臂I能够访问这些模块。再有 TRS4以及TRS5分别构成膝光完成基玲反交接台。
另一方面，在处理块S2上经由界面块S3连接有膝光装置S4。界面 块S3具备用于对处理块S2的棚架部件U6的各模块和曝光装置S4进行 晶片W的交接的界面臂I。界面臂I能够交接经由穿梭臂16被运入界面 块S3的晶片W，将其运入爆光装置S4。
接着对控制部IO进行说明。控制部IO例如包括计算机，具有未图 示的程序容纳部。在该程序容纳部中容纳有以进行在后述的作用中说明 的显影处理的方式装入命令的例如由软件构成的程序。该程序通过控制 部10读出，控制部IO能够控制输送臂的工作，在各模块的晶片的处理 温度，向晶片的显影液及抗蚀剂的供给等，如后述那样进行对晶片W的 涂敷及显影处理。该程序例如以收容在硬盘、压缩盘、磁光盘或存储器 卡等的存储介质中的状态容纳在程序容纳部中。
当输送晶片W时，例如在如COT层G2的COT23A ~ 23C那样设 置多个同种模块的情况下，控制部10对处于能够运入状态下的模块进 行晶片W的输送。例如各模块在来自前级模块的晶片能够运入的情况 下，向控制部IO输出表示能接受晶片的就绪(in ready)信号。另一方 面，各模块在晶片的处理结束能够运出晶片的情况下，向控制部10输 出没就绪(outready)信号。控制部10能够根据这些信号判断在当前时 刻能够从哪个模块向哪个模块输送晶片。
此外控制部IO在晶片W从载具C运入显影装置1之前，例如收容 在载具C的晶片W是25枚的话，对该25枚以运入载具块S1的顺序分 配基板号码1~25。此外控制部10决定关于最先的晶片"1"~最后的晶 片"25"分别输送到哪一个模块的程序表。
图5及图6是表示收容在规定的载具C中的多个晶片的输送程序 表。图5表示从载具C送出的多个晶片W被输送到曝光装置S4的程序 表，图6表示从膝光装置S4送出的多个晶片W被返还到载具C的程序 表。
各层G1~G3的输送臂E1~E3能非同步即相互独立地进行各层 Gl ~G3中的晶片W的输送。即在如图5所示的输送程序表中，以点划 线包围的COT层G2的各模块间的输送，COT层G3的各模块间的输送 分别相互独立，并行进行。
接着参照图5~图8对在涂敷及显影装置1中的规定的栽具的晶片 输送进行说明。为了方便将该栽具作为Cl,将在载具C1中包含的晶片 W作为晶片A,晶片A按照图5及图6所示的输送程序表在各模块之间 输送。图7是为了方便而将设置在涂敷及显影装置1的各块中的模块及 输送臂等平面地展开而表示的图，图8是表示晶片的输送路径的图。
步骤1
当栽具C1运入栽具块S1内时，首先晶片Al从栽具Cl以栽具臂 12、交接台TRS1、交接臂D1、交接台TRS2的顺序输送。之后，晶片 Al从交接台TRS2通过COT层G2的输送臂E2被输送到疏水化处理才莫 块ADH21A并接受疏水化处理。接着晶片A2从栽具C1以载具臂12、 交接台TRS1、交接臂Dl、交接台TRS3的顺序输送，从交接台TRS3 通过COT层G3的输送臂E3被输送到疏水化处理模块ADH31A并接受 处理。
步骤2
然后，晶片A3以与晶片Al同样的路径从栽具Cl输送到交接台 TRS2,从交接台TRS2经由输送臂E2输送到疏水化处理模块ADH21B。 接着晶片A4以与晶片A2同样的路径从载具Cl输送到交接台TRS3， 从交接台TRS3经由输送臂E3输送到疏水化处理模块ADH31B。
步骤3
晶片Al的在疏水化处理冲莫块ADH21A的处理结束，该晶片Al以 ADH21A、输送臂E2、冷却模块CPL22A的顺序被输送。另一方面，晶 片A2的在疏水化处理模块ADH31A的处理结束，晶片A2以ADH31A、 输送臂E3、冷却模块CPL32A的顺序被输送。进而另一方面，晶片A5 以与晶片Al同样的路径从栽具C1输送到交接台TRS2,从TRS2经由 输送臂E2输送到疏水化处理模块ADH21A。接着晶片A6以与晶片A2 同样的路径从载具Cl输送到交接台TRS3，从TRS3经由输送臂E3输 送到疏水化处理模块ADH31A。
步骤4
晶片A3的在疏水化处理模块ADH21B的处理结束，晶片A3以 ADH21B、输送臂E2、冷却模块CPL22B的顺序被输送。另一方面，晶 片A4的在疏水化处理对莫块ADH31B的处理结束，晶片A4以ADH31B、 输送臂E3、冷却模块CPL32B的顺序被输送。
步骤5
在冷却模块CPL22A完成了冷却处理的晶片Al经由输送臂E2输送 到涂敷模块COT23A，接受抗蚀剂涂敷处理。另一方面，在冷却模块 CPL32A完成了冷却处理的晶片A2经由输送臂E3输送到涂敷模块 COT33A，接受抗蚀剂涂敷处理。
步骤6
在冷却模块CPL22B完成了处理的晶片A3经由输送臂E2输送到涂 敷模块COT23B，接受抗蚀剂涂敷处理。另一方面，在冷却模块CPL32B 完成了处理的晶片A4经由输送臂E3输送到涂敷模块COT33B,接受抗 蚀剂涂敷处理。
步骤7
在冷却模块CPL22A完成了处理的晶片A5经由输送臂E2输送到涂 敷模块COT23C，接受抗蚀剂涂敷处理。另一方面，在冷却模块CPL32A 完成了处理的晶片A6经由输送臂E3输送到涂敷模块COT33C,接受抗 蚀剂涂敷处理。
步骤8
在涂敷模块COT23A完成了涂敷处理的晶片Al经由输送臂E2输 送到加热模块HP24A。另一方面，在涂敷模块COT33A完成了涂敷处理 的晶片A2经由输送臂E3输送到加热模块HP24A。
步骤9
在涂敷模块COT23B完成了涂敷处理的晶片A3经由输送臂E2输 送到加热模块HP24B。另一方面，在涂敷模块COT33B完成了涂敷处理 的晶片A4经由输送臂E3输送到加热才莫块HP34B。
步骤10
在涂敷模块COT23C完成了涂敷处理的晶片A5经由输送臂E2输 送到加热模块HP24C。另一方面，在涂敷模块COT33C完成了涂敷处理 的晶片A6经由输送臂E3输送到加热冲莫块HP34C。
步骤11
在加热模块HP24A完成了加热处理的晶片Al经由输送臂E2输送 到边缘膝光模块WEE25。另一方面，在加热模块HP34A完成了加热处 理的晶片A2经由输送臂E3输送到边缘曝光模块WEE35。
步骤12
在边缘曝光模块WEE25完成了处理的晶片Al经由输送臂E2输送 到緩沖模块BM26。另一方面，在边缘曝光模块WEE35完成了处理的 晶片A2经由输送臂E3输送到緩冲模块BM36。接着，在加热模块HP24B 完成了加热处理的晶片A3经由输送臂E2输送到边缘曝光模块WEE25。 另一方面，在加热才莫块HP34B完成了加热处理的晶片A4经由输送臂 E3输送到边缘爆光模块WEE35。
步骤13
晶片A1从緩沖模块BM26以交接臂D1、穿梭臂16、界面臂I、曝 光装置S4的顺序输送。接着晶片A2从緩沖模块BM36以交接臂Dl、 穿梭臂16、界面臂I、曝光装置S4的顺序输送。另一方面，在边缘曝光 模块WEE25完成了边缘曝光处理的晶片A3经由输送臂E2输送到緩沖 模块BM26。然后，晶片A5输送到该WEE25。此外在边缘曝光模块 WEE35完成了边缘膝光处理的晶片A4经由输送臂E3输送到緩冲模块 BM36。然后，晶片A6输送到该WEE25。
步骤14
晶片A3以与晶片Al同样的路径输送到膝光装置S4,接着晶片A4 以与晶片A2同样的路径输送到膝光装置S4。另一方面在边缘曝光模块 WEE25完成了边缘曝光处理的晶片A5经由输送臂E2输送到緩沖模块
BM26。并且，在边缘膝光模块WEE35完成了边缘曝光处理的晶片A6 经由输送臂E3输送到緩沖模块BM36。
虽然省略关于晶片A7以后的号码的晶片A的详细的输送路径的说 明，但奇数号码的晶片A从载具C1运入C0T层G2的TRS2后，通过 输送臂E2按照图5的输送程序表在预先由控制部IO决定了的各模块间 输送， 一边接受处理一边输送到緩冲才莫块BM26。另一方面，偶数号码 的晶片A从载具C1运入COT层G3的TRS3后，通过输送臂E3按照上 述输送程序表在各模块间输送， 一边接受处理一边输送到緩沖模块 BM36。这样在COT层G2、 G3分别并行地进行晶片A的处理。
然后输送到緩冲模块BM26、 36的各晶片A以其号码顺序经由交接 臂Dl及穿梭臂16向曝光装置A4运入。即各晶片A以运入各COT层 G2、 G3的顺序交替地从各COT层G2、 G3向咏光装置S4运入。
接着对在曝光装置S4接受曝光处理的各晶片的输送路径进行说明。 晶片Al当曝光处理完成时，经由界面臂I输送到交接台TRS4。然后， 晶片Al通过输送臂El以TRS4、加热模块HP41A、冷却模块CPL42A、 显影模块DEV43A的顺序输送，接受显影处理。此外接着晶片Al，晶 片A2从爆光装置S4送出，晶片A2经由界面臂I输送到TRS5。然后， 通过输送臂El以加热模块HP41B、冷却模块CPL42B、 DEV43B的顺序 输送并接受显影处理。
进而接着晶片A2，晶片A3从膝光装置S4送出，以界面臂I、交接 台TRS4、输送臂E1、加热模块HP41C、输送臂E1、冷却模块CPL42A、 输送臂E1、 DEV43C的顺序输送并接受显影处理。关于以后从曝光装置 S4送出的晶片A虽然省略详细输送路径的说明，但按照图6的输送程 序表在指定的模块间输送并向指定的DEV移动，在那里接受显影处理。
当晶片Al在DEV43A完成显影处理时，以加热模块HP44A、TRS6、 载具臂12的顺序输送，通过载具臂12输送到载具C1。接着当晶片A2 在DEV43B完成显影处理时，以加热模块HP44B、 TRS7、载具臂12的 顺序输送，通过栽具臂12输送到栽具Cl 。进而接着当晶片A3在DEV43C 完成显影处理时，以加热模块HP44C、 TRS6、载具臂12、载具Cl的顺 序输送。关于后续的晶片A也是分别在规定的DEV接受显影处理后， 在预先设定的模块间输送并返还到栽具C1。.
根据上述的涂敷及显影装置1,从载具Cl依次送出的晶片交替地
运入COT层G2、 G3，运入COT层G2的晶片、运入COT层G3的晶 片通过输送臂E2、 E3在分别设置在各层的多个疏水化处理模块ADH、 冷却模块CPL、涂敷模块COT、加热模块HP之间并行地输送，进行涂 敷处理。然后从各层G2、 G3依次完成涂敷处理的晶片从运入COT层G 的晶片起顺序地运入曝光装置S4后，运入DEV层G1，依次接受显影 处理并返还到载具C1。
因此为了实现规定的生产能力，通过在一个COT层上分别设置多 个涂敷模块、加热模块等的同种模块，在该多个同种模块并行地进行处 理，并且在不同模块间并行地进行晶片的输送，能够使在各COT层G2、 G3的模块数减少，能够抑制在各层i殳置的输送臂E2、 E3的移动速度。 因此能够抑制从输送臂E2、E3的晶片落下等输送错误，能够抑制在COT 层G2、 G3中的晶片输送精度的下降。
此外对在上述涂敷及显影装置1中晶片A组的后续批量的输送的一 个例子进行说明。首先，例如上述那4f在从载具Cl向栽具块S1内送出 晶片A时，包含与其他的晶片A不同批量的晶片组(称为晶片B组) 的载具C (称为栽具C2)被输送到栽具块S1的栽置台11。虽然关于晶 片B组也没有图示但在运入栽具块S1内之前预先通过控制部IO设定输 送程序表。然后在作为晶片A组的最后的晶片的晶片A25运入到栽具块 Sl内之后，晶片B组的批量的最先的晶片Bl运入载具块S1内。
然后晶片A25在按照图5的输送程序表输送到COT层G2后，晶片 Bl输送到COT层G3接受抗蚀剂涂敷处理。此外后续的晶片B2~B25 与晶片A组同样地以号码顺序从载具C2送出。晶片B2 B25中，偶数 号码的晶片输送到COT层G2，奇数号码的晶片输送到COT层G3，接 受抗蚀剂涂敷处理。然后晶片B组接着晶片A25,与晶片A组同样地以 号码顺序输送到曝光装置S4，接受曝光处理。
在晶片A组的DEV层Gl中的输送进展，DEV层Gl的加热模块 HP41A~41F完成在该^^莫块处理的晶片A组的最后的晶片的加热处理 时，加热模块HP41A 41F将该热板的温度在晶片B組到达之前变更为 用于处理晶片B組的规定温度。即才艮据输送程序表，在HP41A对晶片 A25、HP41B对晶片A20、HP41C对晶片A21、HP41D对晶片A22、HP41E 对晶片A23、 HP41F对晶片A24分别完成加热处理时，进行热板的温度 变更，晶片B组在该变更了的温度接受加热处理。接受了加热处理的晶
片B组，接着与晶片A组同样地接受显影处理，返还到载具C2。
这样在涂敷及显影装置1中，晶片以运入载具块S1的顺序从各緩 沖模块BM经由穿梭臂16向曝光装置S4运入，以该顺序从瞩光装置S4 向DEV层G1送出。因此在DEV层G1中后续批量不会超过先行批量。 由此，如上述那样在切换对每一批量的晶片的加热模块HP41A ~ 41F的 处理条件的情况下，假设即使先行批量的晶片在装置1内输送，也能够 接着先行批量的晶片输送后续批量的晶片。结果，生产能力的下降被抑 制，是有利的。
再有，在每一批量切换DEV层G1中加热模块以外的模块的处理条 件也可。此外，在COT层G2、 G3的各模块中在晶片A组的处理完成 而晶片B组到达之前变更各模块的处理条件，以该变更了的处理条件处 理晶片B组也可。
第二实施方式
接着参照图9及图IO对第二实施方式进行说明。根据图9及图10 所示的第二实施方式的涂敷及显影装置6和根据上述第一实施方式的涂 敷及显影装置1的差异点，是在COT层G3上层叠有与COT层G2、 G3 同样地构成的COT层G4的点。
如图9、图10所示，COT层G4具有分别与COT层G2的ADH21A、 21B, COT23A~23C，加热模块24A 24D， WEE25，以及输送臂E2对 应的ADH51A、 51B, COT53A 53C，加热模块54A~54D, WEE55, 以及输送臂E4。
此外在棚架部件U5中冷却模块CPL52A、 TRS8、 CPL52B、以及 BM56从下方以该顺序层叠并设置在COT层G4的对应的位置上。这些 模块分别对应于COT层G3的CPL32A、 TRS3、 CPL32B、以及BM36， 交接臂D1能够输送晶片到这些模块。
在该涂敷及显影装置6中，从载具C1以号码顺序输送的晶片A以 COT层G2、 G3、 G4的顺序以该循环反复输送。即，如果例如晶片Al、 A2、 A3分别被输送到COT层G2、 G3、 G4，那么下面的A4、 A5、 A6 分别被输送到COT层G2、 G3、 G4。
然后晶片A在各COT层G2 G4以ADH、 CPL、 COT、 HP、 WEE 的顺序输送并接受处理，当输送到緩沖模块BM时，接着交接臂Dl及
穿梭臂16以从栽具C1送出的顺序，也就是号码顺序依次将晶片A运入 曝光装置S4。然后当运入曝光装置S4的晶片A接受曝光处理时，与涂敷 及显影装置1同样地经由DEV层Gl返还到栽具Cl。即使在像这样构成 涂敷及显影装置的情况下，因为能够抑制在一个COT层中包含的模块的 数量，所以能够得到与涂敷及显影装置1同样的效果。
第三实施方式
接着参照图11及图12对作为第三实施方式的涂敷及显影装置7进 行说明。在根据图11及图12所示的第三实施方式的涂敷及显影装置7 中，在COT层G2和DEV层Gl之间设置有DEV层G5。
DEV层G5与DEV层Gl同样i也构成，具有与上述的HP41A 41F， HP44A ~ HP44F、以及输送臂El分别对应的HP61A ~ 61F, HP64A ~ 64F， 以及输送臂E5。
此外在棚架部件U6中，与DEV层Gl的CPL42A、 CPL42B, TRS4 以及TRS5分别对应的CPL62A， CPL62B, TRS9以及TRS10从下方以 该顺序层叠并设置在DEV层G5中对应的位置上。此外界面臂I能够输 送晶片W到这些模块。此外，在该例子中穿梭臂16设置在DEV层G5上。
与第一实施方式同样地从载具C1送出的在各COT层接受了抗蚀剂 涂敷处理的晶片A,在膝光处理后交替地输送到DEV层Gl或G5。例 如包括晶片Al、 A3、 A5.,.的奇数号码的晶片A输送到DEV层G1的 TRS4或TRS5。此外包括晶片A2、 A4、 A6...的偶数号码的晶片A输送 到DEV层G5的TRS9或TRSIO。
然后输送到DEV层G1的TRS4或TRS5的晶片A与第一实施方式 同样地输送，另一方面输送到DEV层G5的TRS9或TRS10的晶片A 以HP61A~61F的任一个、CPL62A或62B、 DEV63A ~ 63F的任一个、 HP64A 64F任一个、TRS11或TRS12的路径在各模块间输送。各DEV 层Gl 、 G5的输送臂El 、 E5相互独立进行晶片A的输送，输送到TRS6、 TRS7、 TRS11或TRS12的晶片A经由栽具臂12返还到载具C1。
这样在本实施方式中，设置多个DEV层，在各DEV层的模块间并 行地输送晶片。由此，与在一个DEV层上设置多个同种的模块的情况 相比，能够一边抑制生产能力的下降一边抑制在模块间输送的输送臂的
负荷，能够使在这些DEV层中的晶片的输送精度提高。即使在将DEV 层像这样设置多个的情况下，设置多于两个的COT层也可。此外在输 送后续批量的晶片时，与第一实施方式同样，在后续批量的晶片到达之 前变更各模块的处理条件也可。
在上述各实施方式中在对晶片涂敷抗蚀剂前进行疏水化处理，但代 替进行疏水化处理，进行形成反射防止膜的处理也可。
权利要求
1. 一种涂敷及显影装置，其特征在于，具备:载具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块具有:从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送，并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置。
2. 根据权利要求1所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各抗蚀剂 膜形成块以及上述显影处理块相互层叠。
3. 根据权利要求1或2所述的涂敷及显影装置，其特征在于，设置 两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具 的上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置 运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上迷基板，以从上述栽 具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述爆光装置。
4. 根据权利要求1或2所述的涂敷及显影装置，其特征在于，设置 多个上迷显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述膝光装置将 曝光完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块。
5. 根据权利要求1或2所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上 述抗蚀剂膜形成块分别具有多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模 块；多个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
6. 根据权利要求3所述的涂敷及显影装置，其特征在于，设置多个 上述显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光 完成的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块。
7. 根据权利要求3所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗 蚀剂膜形成块分别具有多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多 个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
8. 根据权利要求4所迷的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗 蚀剂膜形成块分别具有多个在上迷基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多 个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
9. 根据权利要求6所述的涂敷及显影装置，其特征在于，各上述抗 蚀剂膜形成块分别具有多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多 个加热上述基板的加热模块；以及多个冷却上述基板的冷却模块。
10. —种涂敷及显影方法，使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂， 并且对曝光后的上述基板进行显影处理，其特征在于，上述涂敷及显影装置具备 载具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上迷载具块的上述基板，并且对上述基板形成 包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到膝 光装置，上述处理块具有从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多 个抗蚀剂膜形成块；以及从上述栽具块侧朝向上述界面块侧形成的显影 处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜 形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从 上述爆光装置运出上述基板而向上迷显影处理块传送的膝光装置运入 用输送单元，上述涂敷及显影方法，包含通过上述处理块运入用输送单元，从 上述载具将上迷基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输 送的工序；以及通过上述曝光装置运入用输送单元，以通过上述处理块 运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀 剂膜形成块运入上迷曝光装置的工序。
11. 根据权利要求IO所述的涂敷及显影方法，其特征在于，设置两个上述抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述栽具的 上述基板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述膝光装置运 入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上述基板，以从上述载具 向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述膝光装置。
12. 根据权利要求10或11所迷的涂敷及显影方法，其特征在于， 设置多个上述显影处理块，上述涂敷及显影方法还包括通过上述咏光 装置运入用输送单元从上述曝光装置将咏光完成的上述基板一枚一枚 地周期地输送到各显影处理块的工序。
13. —种存储介质，在使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂并且 对曝光后的上述基板进行显影处理的涂敷及显影方法中使用，容纳在计 算机上工作的计算机程序，其特征在于，上述涂敷及显影装置具备 栽具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上述栽具块的上述基板，并且对上述基板形成 包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到膝 光装置，上述处理块具有从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多 个抗蚀剂膜形成块；以及从上述栽具块侧朝向上述界面块侧形成的显影 处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜 形成块输送的处理块运入用输送单元，在上迷界面块上设置有用于将上迷基板运入上述膝光装置并且从 上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的膝光装置运入 用输送单元，上述涂敷及显影方法，包含通过上述处理块运入用输送单元，从 上迷栽具将上述基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输 送的工序；以及通过上迷膝光装置运入用输送单元，以通过上迷处理块 运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀 剂膜形成块运入上迷曝光装置的工序。
14. 根据权利要求13所迷的存储介质，其特征在于，设置两个上述 抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述栽具的上述基 板一枚一枚地交替地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输 送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块的上迷基板，以从上迷栽具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置。
15. 根据权利要求13或14所迷的存储介质，其特征在于，设置多 个上述显影处理块，上述涂敷及显影方法还包括通过上述膝光装置运 入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成的上迷基板一枚一枚地周期 地输送到各显影处理块的工序。
全文摘要
本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法和存储介质，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。
文档编号G03F7/00GK101378010SQ200810213699
公开日2009年3月4日 申请日期2008年8月28日 优先权日2007年8月28日
发明者原圭孝, 香月信吾 申请人:东京毅力科创株式会社