专利名称：基于互补mos晶体管的lcos像素单元电路的制作方法
技术领域：
本发明属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域；具体地说属于硅基液晶显示 器像素单元电路领域。
背景技术：
基于单晶硅平面器件制造技术与液晶显示(LCD， Liquid Crystal Display)技术相融 合，产生出硅基液晶显示器，简称硅基液晶(LCOS， Liquid Crystal on Silicon)显示技 术，该显示技术制造出一种新型的反射式LCD显示器件，它首先在单晶硅片上运用金 属氧化物半导体(MOS， Metal Oxide Semiconductor)工艺制作LCOS驱动硅基板，然 后镀上表面光洁的金属层当作反射镜，最后将LCOS驱动硅基板与含有透明电极之上玻 璃基板贴合，并灌入液晶材料形成反射式液晶屏，通过调制LCOS驱动硅基板上每个像 素电极对入射光的反射程度实现(灰度)图像显示。(Chris Chinnock."Microdisplays and Manufacturing Infrastructure Mature at SID2000"《Information Display》，2000年9， P18)。 通常，LCOS像素单元电路由1个N型沟道金属氧化物半导体(NMOS， N-channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管和1个电容器串联构成(R.Ishii, S.Katayama， H.Oka， S.yamazaki， S.lino "U. Efron, I. David, V. Sineln汰ov， B. Apter "A CMOS/LCOS Image Transceiver Chip for Smart Goggle Applications"《IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR VIDEO TECHNOLOGY》，14巻，第2期，2004年2 月，P269)，其中NMOS晶体管的栅极连接行扫描器寻址信号输出端。但是，单个NMOS 晶体管在传输高电平时不仅存在阈值电压损失，而且传输过程的瞬态特性也不理想(陈 贵灿等编著，《CMOS集成电路设计》，西安交通大学出版社，1999.9， PllO)。因此如 何减小晶体管的开态电阻，增大存贮电容器的单位电容值，是目前LCOS显示技术的 重要研究课题。
发明内容
本实用新型提供一种新的LCOS像素单元电路结构，由互补MOS晶体管组成开态 电阻较小的开关控制功能部件，实现对平板型存贮电容器的低损耗传输电荷。 本实用新型发明的目的是这样实现的
基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，主要由1个NMOS晶体管(1)、 1个PMOS晶体管(2)、 1个平板电容器(3)组成；其中，PMOS晶体管(1)、 NMOS 晶体管(2)形成电学并联，再与平板电容器(3)形成电学串联。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型把1个NMOS管和1个P 型沟道金属氧化物半导体(PMOS， P-channel Metal Oxide Semiconductor)管并联地组 合起来，充分利用了 NMOS管和.PMOS管互补的电学特性，可以得到一种开态电阻能 够保持较低值的输入信号控制开关，这种控制开关具备CMOS传输门的结构特征及其 电学信号传输完整性的优势，其开关控制部分具有较小的开态电阻。
图l是LCOS像素单元电路原理图；其中1: PMOS晶体管，2: NMOS晶体管， 3:平板电容器，4: PMOS晶体的源极，5: PMOS晶体管的漏极，6: PMOS晶体管的 栅极，7: PMOS晶体管的背电极，8:平板电容器的上电极，9:平板电容器的下电极，
10: NMOS晶体管的漏极，11: NMOS晶体管的栅极，12: NMOS晶体管的源极，13: NMOS晶体管的背电极。
具体实施方式
以下结合附图1对本实用新型技术作进一步具体的说明
基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，主要由1个NMOS晶体管(1)、 1 个PMOS晶体管(2)、 1个平板电容器(3)组成；其中，PMOS晶体管(1)、 NMOS 晶体管(2)形成电学并联，再与平板电容器(3)形成电学串联。
所述的LCOS像素电路中，NMOS晶体管的栅极(ll)接行扫描器寻址信号输出端。 所述的LCOS像素电路中，PMOS晶体管的栅极(6)接行扫描器寻址信号的反相 信号输出端。
所述的LCOS像素电路中，PMOS晶体管的漏极(5)与NMOS晶体管的漏极(10) 相连接。
所述的LCOS像素电路中，PMOS晶体管的源极(4)、 NMOS晶体管的源极(12)、 平板电容器的上电极(8)互相连接。
所述的LCOS像素电路中，平板电容器的下电极(9)接地。 所述的LCOS像素电路中，PMOS晶体管的背电极(7)接高电位。 所述的ICOS像素电路中，NMOS晶体管的背电极(13)接地。
权利要求1.基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在于主要由1个NMOS晶体管(1)、1个PMOS晶体管(2)、1个平板电容器(3)组成；其中，PMOS晶体管(1)、NMOS晶体管(2)形成电学并联，再与平板电容器(3)形成电学串联。
2. 根据权利要求l所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在 于所述的NMOS晶体管的栅极(11)接行扫描器寻址信号输出端。
3. 根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在 于所述的PMOS晶体管的栅极(6)接行扫描器寻址信号的反相信号输出端。
4. 根据权利要求l所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在 于所述的PMOS晶体管的漏极(5)与NMOS晶体管的漏极(10)相连接。
5. 根据权利萝求l所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在 于所述的PMOS晶体管的源极(4)、 NMOS晶体管的源极(12)、平板电容器的上电 极(8)互相连接。
6. 根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在 于所述的平板电容器的下电极(9)接地。
7. 根据权利要求l所述的LCOS像素电路，其特征在于所述的PMOS晶体管的 背电极(7)接高电位。
8. 根据权利要求1所述的基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，其特征在 于所述的NMOS晶体管的背电极(13)接地。
专利摘要本实用新型属于硅基液晶显示器像素单元电路领域。基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路，主要由1个NMOS晶体管(1)、1个PMOS晶体管(2)、1个平板电容器(3)组成；其中，PMOS晶体管(1)、NMOS晶体管(2)形成电学并联，再与平板电容器(3)形成电学串联。本实用新型充分利用了NMOS管和PMOS管互补的电学特性，可以得到1种开态电阻能够保持较低值的输入信号控制开关，这种控制开关具备CMOS传输门的结构特征及其电学信号传输完整性的优势。
文档编号G02F1/1362GK201159815SQ20082007404
公开日2008年12月3日 申请日期2008年3月13日 优先权日2008年3月13日
发明者代永平, 义 范, 伟 范 申请人:天津力伟创科技有限公司