专利名称：反射型光调制装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及反射型光调制装置。
背景技术：
作为反射型光调制装置，公知有反射型液晶(LCoS(注册商标)=Liquid crystal on silicon)装置。反射型液晶装置具备二维排列的多个像素电极；导电性光透过层；以 及配置于多个像素电极和导电性光透过层之间的液晶层(光调制层)，经由导电性光透过 层将入射的光反射并在任意的像素电极和导电性光透过层之间形成电场而使液晶层产生 调制作用，从而得到所期望的光像。而且，为了提高光的反射率而得到更高亮度的光像，在 液晶层和多个像素电极之间设置有电介质多层膜。例如非专利文献1，2中，公开了具备反射型液晶构造的液晶光阀(LCLV =Liquid Crystal Light Valve) 0非专利文献1中所记载的电介质多层膜由具有λ/4( λ :入射光 的波长)的光学膜厚的多个Si层以及SiO2层交替地层叠而成。另外，非专利文献2中所 记载的电介质多层膜由具有λ /4的光学膜厚的多个TiO2层以及S^2层交替地层叠而成。非专禾Ij 文献 1 :U. Efron et al. ,"Silicon liquid crystal light valves status and issues，，，Optical Engineering, November, December 1983, Vol. 22, No. 6, pp. 682-686(1983)非专利文献 2 :A. Jacobson et al. , "A real-time optical data processing device”，Information Display, Vol. 12，September 1975，PP.17—22(1975)
发明内容
根据本发明者的知识见解，以往的反射型液晶装置中，采用在玻璃基板等的表面 上层叠有电介质多层膜的装置。而且，通过使其层叠数增多，可以得到超99%的高反射率。 例如，为了在玻璃基板上的电介质多层膜中得到99%以上的反射率，有必要设置Ti02/Si& 为13层、Hf02/Si02* 19层，为了得到99.8%以上的反射率，有必要设置1102/5丨02为17 层、Hf02/Si02 为 25 层。然而，由于电介质多层膜在液晶层和像素电极之间配置，因而在像素电极和导电 性光透过层之间形成的电场不仅在液晶层中被施加，而且在电介质多层膜中也被施加。若 电介质多层膜的层叠数增多，则电介质多层膜的厚度(物理膜厚)增加，施加于电介质多层 膜的电场的比例变大，所以向液晶层的电场施加效率降低。本发明有鉴于上述问题而完成，其目的在于提供具备能够抑制向光调制层的电场 施加效率的降低并能够实现高反射率的电介质多层膜的反射型光调制装置。解决问题的技术手段为了解决上述问题，本发明的反射型光调制装置的特征在于，为将从前方入射的 光反射并在二维排列的多个像素的每一个中将光调制从而向前方输出光像的反射型光调 制装置，具备导电性光透过层，包含透过光的导电性材料；金属制的多个像素电极，沿着导电性光透过层二维排列；光调制层，配置于多个像素电极和导电性光透过层之间，对应于 由各像素电极以及导电性光透过层形成的电场而将光进行调制；以及电介质多层膜，形成 于多个像素电极上，其中，电介质多层膜包含与像素电极接触的第1层和折射率比第1层高 且与第1层接触的第2层。如以上所述，以往的一般的反射型光调制装置中，利用在玻璃基板上形成的电介 质多层膜。与此不同，本发明的反射型光调制装置中，电介质多层膜形成在金属制的多个像 素电极上。由此，能够利用金属表面的高反射率。另外，本发明者发现了，在金属表面上形 成电介质多层膜的情况下，首先将低折射率层(第1层)形成在金属表面上，其次通过在其 上面层叠高折射率层(第2层)，从而与从高折射率层开始层叠的情况相比，能够以极少的 层叠数得到充分的反射率。因此，根据上述的反射型光调制装置，能够使电介质多层膜的物 理膜厚比以往的更薄且抑制向光调制层的电场施加效率的降低，并且，能够实现充分高的 反射率并提高光的取出效率。或者，本发明的反射型光调制装置的特征在于，为将从前方入射的光反射并在二 维排列的多个像素的每一个中将光调制从而向前方输出光像的反射型光调制装置，具备 导电性光透过层，包含透过光的导电性材料；金属制的多个像素电极，沿着导电性光透过层 二维排列；光调制层，配置于多个像素电极和导电性光透过层之间，对应于由各像素电极以 及导电性光透过层形成的电场而将光进行调制；以及电介质多层膜，形成于多个像素电极 上，其中，电介质多层膜具备与像素电极接触的第3层；折射率低于第3层且与第3层接触 的第1层；以及折射率高于第1层且与第1层接触的第2层，第3层的光学膜厚实质上等于 (λ/2)Χη(η为奇数)，其中，λ为光的波长。这样，即使在金属表面上形成高折射率层(第3层)的情况下，通过使该第3层的 光学膜厚实质上等于(λ/2) X η (η为奇数)，从而能够使对反射率的影响极其小。因此，通 过在第3层上从低折射率层(第1层)开始形成电介质多层膜，从而能够实现实质上与上 述的反射型光调制装置相同的反射特性。发明的效果根据本发明的反射型光调制装置，能够抑制向光调制层的电场施加效率的降低并 提高光的取出效率。
图1为表示作为本发明所涉及的反射型光调制装置的一个实施方式的反射型液 晶装置的结构的平面图。图2为图1所示的反射型液晶装置的沿着II-II线的侧面截面图。图3为扩大表示电介质多层膜的结构的侧面截面图。图4为表示电介质多层膜的变形例的结构的侧面截面图。图5(a)为表示与铝基板接触的第1层为低折射率膜(SiO2)的方式的图、以及图 5(b)为表示与铝基板接触的第1层为高折射率膜(TiO2)的方式的图。图6为表示在铝基板的表面上不设置电介质多层膜的情况下的分光反射率的图 表。图7为表示图5(a)所示的方式中电介质多层膜的层叠数为2层、4层、6层、以及10层的各情况下的分光反射率的图表。图8为表示图5 (a)所示的方式中电介质多层膜的层叠数为4层、6层、10层、以及 14层的各情况下的分光反射率的图表。图9为表示图5 (b)所示的方式中电介质多层膜的层叠数为3层、5层、7层、以及 9层的各情况下的分光反射率的图表。图10为表示图5 (b)所示的方式中层叠数为5层、9层、15层、以及21层的各情况 下的分光反射率的图表。图11为表示在铝基板的表面上以各种各样的光学膜厚nd (50 [nm]、150 [nm]、以及 250 [nm])设置SW2膜的情况下的分光反射率特性的图表。图12(a)为表示与保护膜接触的层为低折射率膜(SiO2)的方式的图、以及图 12(b)为表示与保护膜接触的层为高折射率膜(TiO2)的方式的图。图13为表示保护膜的光学膜厚为150 [nm]、设置有图12(a)所示的方式中6层的 电介质多层膜的情况下的分光反射率的图表。图14为表示保护膜的光学膜厚为150 [nm]、设置有图12(b)所示的方式中5层的 电介质多层膜的情况下的分光反射率的图表。图15为表示图12 (a)所示的方式中保护膜的光学膜厚为50 [nm]，其上层的光学膜 厚为150 [nm]的情况(即作为第1层的低折射率层的光学膜厚为200 [nm]的情况)下的分 光反射率的图表。图16为表示图12(b)所示的方式中保护膜的光学膜厚为50[nm]的情况(即作为 第1层的低折射率层的光学膜厚为50[nm]的情况)下的分光反射率的图表。图17为表示图12(a)所示的方式中保护膜的光学膜厚为250 [nm]，其上层的光学 膜厚为150 [nm]的情况(即作为第1层的低折射率层的光学膜厚为400 [nm]的情况)下的 分光反射率的图表。图18为表示图12(b)所示的方式中保护膜的光学膜厚为250[nm]的情况(即作 为第1层的低折射率层的光学膜厚为250[nm]的情况)下的分光反射率的图表。图19 (a)为表示与保护膜(MgF2)接触的层为低折射率膜(SiO2)的方式的图、以及 图19(b)为表示与保护膜接触的层为高折射率膜(TiO2)的方式的图。图20为表示光L从相对于电介质多层膜倾斜的方向入射的情况的图。图21为表示相对于P偏振光成分以及S偏振光成分的电介质多层膜的反射率的 例子的图表，表示在铝基板上配置有作为第1层的低折射率层(SiO2)的情况。图22为表示相对于P偏振光成分以及S偏振光成分的电介质多层膜的反射率的 例子的图表，表示在铝基板上配置有作为第1层的高折射率层(TiO2)的情况。图23为表示Nb205/Si&电介质多层膜中的分光反射特性的图表，表示在铝基板上 配置有作为第1层的低折射率层(SiO2、光学膜厚150[nm])的情况。图M为表示Nb205/Si&电介质多层膜中的分光反射特性的图表，表示在铝基板上 配置有作为第1层的高折射率层(Nb2O5、光学膜厚150[nm])的情况。图25为表示铝镜的分光反射率的测定结果的图表。图沈为表示配置有作为与铝镜接触的第1层的低折射率层(SiO2)的情况下，铝 镜上形成的电介质多层膜的反射率的测定结果(实线)以及该电介质多层膜的反射率的计算结果(虚线)的图表。图27为表示配置有作为与铝镜接触的第1层的高折射率层(TiO2)的情况下，铝 镜上形成的电介质多层膜的反射率的测定结果(实线)以及该电介质多层膜的反射率的计 算结果(虚线)的图表。符号的说明1…反射型液晶装置、4…像素、12…硅基板、14···驱动电路层、16…像素电极、18， 28，52…电介质多层膜、18a 18d，28a 28cl···低折射率层、18e 18h，28e 28h…高折 射率层、20…液晶层、22···透明导电膜、24···透明基板、30···铝基板、36，46…保护膜、281… 下层、282…上层。
具体实施例方式以下，参照附图，详细地说明本发明的反射型光调制装置的实施方式。此外，在附 图说明中，对相同要素标以相同符号，省略重复的说明。(实施方式)图1为表示作为本发明所涉及的反射型光调制装置的一个实施方式的反射型液 晶装置的结构的平面图。另外，图2为图1所示的反射型液晶装置的沿着II-II线的侧面 截面图。此外，图1和图2中为了便于说明，显示有CTZ直角坐标系。如图1所示，本实施 方式的反射型液晶装置1具备沿着互相垂直的2轴(X轴以及Y轴)二维排列的多个像素 4。反射型液晶装置1为将从前方(Z轴正方向)入射的光反射并在各像素4的每一个中将 入射光调制从而将任意的光像向前方输出的装置。参照图2，反射型液晶装置1具备硅基板12、驱动电路层14、多个像素电极16、电 介质多层膜18、液晶层20、透明导电膜22、以及透明基板对。透明基板M具有沿着XY平面的表面Ma，该表面2 构成反射型液晶装置1的表 面10a。透明基板2 主要包含例如玻璃等的光透过性材料，将从反射型液晶装置1的表面 IOa入射的规定波长的光L，向反射型液晶装置1的内部透过。另外，透明导电膜22为本实 施方式中的导电性光透过层。透明导电膜22被构成为，在透明基板M的背面24b上形成， 且主要包含透过光L的导电性材料(例如ΙΤ0)。多个像素电极16按照图1所示的多个像素4的排列而二维状地排列，沿着透明导 电膜22而在硅基板12上排列。各像素电极16由例如铝等的金属材料构成，其表面16a被 加工成平坦且光滑。多个像素电极16由驱动电路层14上所设置的有源矩阵电路驱动。有 源矩阵电路被设置于多个像素电极16和硅基板12之间，且对应于从反射型液晶装置1将 要输出的光像而控制向各像素电极16的施加电压。这样的有源矩阵电路具有例如控制在 X轴方向上并列的各像素列的施加电压的第1驱动电路和控制在Y轴方向上并列的各像素 列的施加电压的第2驱动电路，并成为由两个驱动电路对指定的像素4的像素电极16施加 规定电压的结构。液晶层20为本实施方式中的光调制层。液晶层20配置于多个像素电极16和透 明导电膜22之间，对应于由各像素电极16和透明导电膜22形成的电场而对光L进行调 制。即，若由有源矩阵电路对某一像素电极16施加电压，则在透明导电膜22和该像素电极 16之间形成电场。该电场按照对应于各自的厚度的比例而被分别施加于电介质多层膜18以及液晶层20。而且，对应于施加于液晶层20的电场的大小，液晶分子20a的排列方向发 生变化。若光L透过透明基板M以及透明导电膜22而入射至液晶层20a，则该光L在通过 液晶层20的期间由液晶分子20a调制，在电介质多层膜18中反射后，再次由液晶层20调 制后而被取出。电介质多层膜18配置于多个像素电极16和液晶层20之间。特别地，本实施方式 的电介质多层膜18在多个像素电极16的表面16a上直接形成。电介质多层膜18与像素 电极16的表面16a所具有的光反射作用协同，将光L以例如超过99%的高反射率反射。此处，图3为扩大表示电介质多层膜的结构的侧面截面图。如图3所示，电介质 多层膜18被构成为，包括包含与像素电极16接触的层18a(第1层)的多个低折射率层 18a 18d、以及包含折射率高于低折射率层18a且与低折射率层18a接触的层18e (第2 层)的多个高折射率层18e 18h。低折射率层18a 18d和高折射率层18e 1 在 像素电极16上交替地层叠。作为低折射率层18a 18d的构成材料，例如可以例示Si02、 MgF2,特别优选为主要包含Si02。另外，作为高折射率层18e 18h的构成材料，例如可以 例示Ti02、Nb205、Τει205、Hf02、等，优选为包含这些材料中的至少一种材料。此外，本实施方式中表示了电介质多层膜18的层叠数为8层(低折射率层18a 18d和高折射率层18e 1 各4层)的情况，电介质多层膜18的层叠数优选为2层以上 (即低折射率层和高折射率层各1层以上)、10层以下(即低折射率层和高折射率层各5层 以下)。此外，电介质多层膜的层叠数并不限定为偶数，也可以为奇数。在该情况下，电介质 多层膜18中位于最靠近液晶层20的一侧的电介质膜为低折射率层。以下的实施方式中， 不论电介质多层膜18的层叠数为偶数或者为奇数，位于最靠近液晶层20的一侧的电介质 膜优选为高折射率层。另外，低折射率层18a的光学膜厚(=nXd，η为低折射率层18a的折射率，d为 低折射率层18a的物理膜厚)优选为设定在(λ/4) 士30%的范围内，其中，λ为光L的波 长。或者，也可以设定为低折射率层18a的光学膜厚实质上等于(λ/4)Χη(η为奇数)。另 外，在光L从相对于电介质多层膜18倾斜的方向入射的情况下，低折射率层18a的光学膜 厚优选为设定在(A/4COS0) 士 30%的范围内，其中，θ为低折射率层18a的内部中的光L 的入射角(即光L进入低折射率层18a中的方向和层厚方向的相对角度)。或者，也可以设 定为低折射率层18a的光学膜厚实质上等于(X/4c0Se)Xn(n为奇数)。此外，关于低折 射率层18a的光学膜厚的优选值，在后面叙述的实施例中进行详细描述。以上所说明的本实施方式的反射型液晶装置1具有如下的效果。反射型液晶装置 1中，由于电介质多层膜18在金属制的多个像素电极16上形成，因而能够利用金属表面的 高反射率而提高相对于光L的反射率。另外，如后面叙述的实施例中所示，在金属表面上形 成电介质多层膜18的情况下，通过首先将低折射率层(第1层)18a形成于金属表面上，其 次在其上面层叠高折射率层(第2层)18e，从而与从高折射率层开始层叠的情况相比，能够 以极其少的层叠数而得到充分的反射率。因此，根据本实施方式的反射型液晶装置1，能够 使电介质多层膜18的物理膜厚比以往的更薄且抑制向液晶层20的电场施加效率的降低， 并且，能够实现充分高的反射率并提高光的取出效率。(变形例)图4为表示作为上述实施方式的变形例的电介质多层膜观的结构的侧面截面图。上述实施方式所涉及的反射型液晶装置1可以具备图4所示的电介质多层膜观取代图3 所示的电介质多层膜18。参照图4，电介质多层膜观由包含与像素电极16接触的层^a (第1层)的多个 低折射率层28a 28d和包含折射率高于低折射率层28a且与低折射率层28a接触的层 ^e(第2层)的多个高折射率层28e 2 交替地层叠而成。此外，除了低折射率层^a 的低折射率层28b ^cU以及高折射率层^e ^h的各构成材料，与图3所示的低折射 率层18a 18d和高折射率层18e 1 相同。本变形例的低折射率层28a具有与像素电极16接触的下层281和被下层281和 高折射率层28e夹持的上层观2。下层以及上层282可以由相同的材料构成，也可以由 不同的材料构成。作为下层的构成材料，例如可以例示Si02、MgF2，并包含其中的至少 一种材料。上层观2的构成材料与图3所示的低折射率层18a 18d相同，特别优选为主 要包含Si02。如本变形例的电介质多层膜观那样的结构可以应用于例如像素电极16的表面 16a上形成有绝缘性的保护膜的情况。即在由铝等的金属构成的部件(本实施例中为像素 电极16)的表面上施以保护膜的情况。这样的保护膜在大部分的情况下，由作为低折射率 物质的SW2或者MgF2构成。因此，在制造电介质多层膜28时，在像素电极16的表面16a 上残留这样的保护膜而作为下层观1，在其上面形成SW2等的低折射率物质的膜而作为上 层观2，从而可以适宜地得到本变形例所涉及的低折射率层^a。这样，也可以将形成于像 素电极16的表面16a上的保护膜作为低折射率层^a的一部分(下层观1)而利用。即使 在这样的结构中，也能够适当地得到与上述实施方式的反射型液晶装置1相同的效果。此外，本变形例中，电介质多层膜观的层叠数优选为2层以上10层以下，其中，低 折射率层28a算作1层。另外，低折射率层28a的光学膜厚(即下层281的光学膜厚和上层 观2的光学膜厚之和)优选为设定在(λ/4) 士 30%的范围内，其中，λ为光L的波长，也可 以设置为实质上等于(λ/4)Χη(η为奇数)。在光L从相对于电介质多层膜观倾斜的方向 入射的情况下，低折射率层^a的光学膜厚优选为设定在(λ /4cos θ ) 士30%的范围内，其 中，θ为低折射率层^a中的光L的入射角，也可以设定为实质上等于(X/4C0Se)Xn(n 为奇数)。(实施例1)<铝上的电介质多层膜的反射率>对在铝基板上形成电介质多层膜的情况下的分光反射率进行了调查。电介质多层 膜的构成材料为，使低折射率层为SiO2，使高折射率层为Ti02。而且，将入射光的波长假定 为λ = 600[nm]，使各层的光学膜厚为150[nm](即λ/4)。作为电介质多层膜的层叠方 式，具有图5(a)所示的与铝基板30接触的第1层32为低折射率膜(SiO2)的方式Α、以及 图5 (b)所示的与铝基板30接触的第1层42为高折射率膜(TiO2)的方式B。图6为表示铝基板的表面上不设置电介质多层膜的情况下的分光反射率的图表。 图7为表示图5 (a)所示的方式A中电介质多层膜的层叠数为2层、4层、6层、以及10层的 各情况下的分光反射率的图表。图8为表示方式A中层叠数为4层、6层、10层、以及14层 的各情况下的分光反射率的图表。图9为表示图5(b)所示的方式B中电介质多层膜的层 叠数为3层、5层、7层、以及9层的各情况下的分光反射率的图表。图10为表示方式B中层叠数为5层、9层、15层、以及21层的各情况下的分光反射率的图表。图5(a)所示的方式A中，如图7所示，可知层叠数为2层(即S^2低折射率层以 及TiA高折射率层各1层)的情况下，波长600 [nm]下的反射率超过95 %，大于铝基板(参 照图6)的反射率。而且，如图7和图8所示，层叠数为6层(SiOJS折射率层以及TiO2高 折射率层各3层)的情况下，波长600 [nm]下的反射率超过99 %，层叠数为10层(SiO2低 折射率层以及TW2高折射率层各5层)的情况下为99. 8%。与此相对，图5(b)所示的方式B中，如图9和图10所示，出现了入射光的波长 600[nm]附近的波长下的反射率降低的现象。该反射率的下降程度，在层叠数为21层以上 的情况下减轻，但是在未满10层的较少层叠数的情况下，不能够充分地得到所期望的波长 下的反射率。另外，下表1为汇总方式A、B的各自中的电介质多层膜的层叠数、反射率以及厚度 (物理膜厚)的表。此外，表1中的粗体字表示反射型液晶装置中的优选的数值。如表1所 示，若方式B中的层叠数为11层以上，则反射率为99%以上，若为15层以上，则反射率为 99. 8%以上。这样，可知方式B中若层叠数增多，则在反射型液晶装置中可以得到充分的反 射率。但是，若层叠数为11层以上，则厚度会超过0.9[μπι]，若层叠数为15层以上，则厚 度会超过1.2[μπι]。这样的电介质多层膜变厚时，则如上所述使向液晶层(光调制层)的 电场施加效率降低，所以不优选。与此相对，方式A中层叠数仅有6层的情况下，反射率为 99%以上，10层时的反射率为99. 8以上。在该情况下，层叠数为6层时厚度约为0. 5 [ μ m]， 10层时厚度约为0. 8[ μ m]，可知与方式B相比较，能够极其薄地构成电介质多层膜。[表 1]
权利要求
1.一种反射型光调制装置，其特征在于，其为将从前方入射的光反射并在二维排列的多个像素的每一个中将所述光进行调制 从而向前方输出光像的反射型光调制装置， 具备导电性光透过层，包含透过所述光的导电性材料； 金属制的多个像素电极，沿着所述导电性光透过层二维排列； 光调制层，配置于所述多个像素电极和所述导电性光透过层之间，对应于由各像素电 极以及导电性光透过层形成的电场而将所述光进行调制；以及 电介质多层膜，形成于所述多个像素电极上， 所述电介质多层膜包含 与所述像素电极接触的第1层；以及 折射率高于所述第1层且与所述第1层接触的第2层。
2.如权利要求1所述的反射型光调制装置，其特征在于，所述第1层的光学膜厚在(λ/4) 士30%的范围内，其中，λ为所述光的波长。
3.如权利要求1所述的反射型光调制装置，其特征在于，所述第1层的光学膜厚实质上等于(λ/4)Χη，其中，η为奇数、λ为所述光的波长。
4.如权利要求1所述的反射型光调制装置，其特征在于，所述第1层的光学膜厚在(X/4cOS0) 士 30%的范围内，其中，θ为所述第1层的内部 中的所述光的入射角、λ为所述光的波长。
5.如权利要求1所述的反射型光调制装置，其特征在于，所述第1层的光学膜厚实质上等于(λ /4cos θ ) Xn，其中，η为奇数、θ为所述第1层 的内部中的所述光的入射角、λ为所述光的波长。
6.如权利要求1 5中任意一项所述的反射型光调制装置，其特征在于，所述电介质多层膜由包含所述第1层的多个低折射率层和包含所述第2层且折射率高 于所述多个低折射率层的多个高折射率层互相交替地层叠而成，所述多个低折射率层的层数和所述多个高折射率层的层数之和为10层以下。
7.如权利要求1 6中任意一项所述的反射型光调制装置，其特征在于，所述第1层包含SiO2,所述第2层包含Ti02、Nb205、Tii205以及HfO2中的至少一种材料。
8.如权利要求1 7中任意一项所述的反射型光调制装置，其特征在于， 所述第1层具有与所述像素电极接触的下层；和 被所述下层和所述第2层夹持的上层， 所述上层包含SiO2,所述下层包含S^2以及MgF2中的至少一种材料。
9.一种反射型光调制装置，其特征在于，其为将从前方入射的光反射并在二维排列的多个像素的每一个中将所述光进行调制 从而向前方输出光像的反射型光调制装置， 具备导电性光透过层，包含透过所述光的导电性材料；金属制的多个像素电极，沿着所述导电性光透过层二维排列； 光调制层，配置于所述多个像素电极和所述导电性光透过层之间，对应于由各像素电 极以及导电性光透过层形成的电场而将所述光进行调制；以及 电介质多层膜，形成于所述多个像素电极上， 所述电介质多层膜具备 与所述像素电极接触的第3层；折射率低于所述第3层且与所述第3层接触的第1层；以及 折射率高于所述第1层且与所述第1层接触的第2层，所述第3层的光学膜厚实质上等于(λ/2)Χη，其中，η为奇数、λ为所述光的波长。
全文摘要
本发明涉及反射型光调制装置。反射型液晶装置(反射型光调制装置)(1)具备包含透过光(L)的导电性材料的透明导电膜(22)；沿着透明导电膜(22)二维排列的金属制的多个像素电极(16)；配置于多个像素电极(16)和透明导电膜(22)之间并对应于由各像素电极(16)以及透明导电膜(22)形成的电场而将光(L)进行调制的液晶层(20)；以及形成于多个像素电极(16)上的电介质多层膜(18)。电介质多层膜(18)包含与像素电极(16)接触的第1层和折射率高于第1层且与第1层接触的第2层。由此，实现了具备能够抑制向光调制层的电场施加效率的降低并能够实现高反射率的电介质多层膜的反射型光调制装置。
文档编号G02F1/1335GK102067019SQ20088012993
公开日2011年5月18日 申请日期2008年6月19日 优先权日2008年6月19日
发明者大林宁 申请人:浜松光子学株式会社