专利名称：光刻胶涂覆方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻工艺流程，更涉及一种光刻胶涂覆方法。 背景技木
目前在晶片制作的光刻工艺流程中，如图1所示，会使用光刻胶(photo resist) l涂覆在晶片(wafer)2的特定区域，并进行烘烤定型，在后续工艺中对这一特 定区域进行保护，对没有光刻胶1涂覆的区域进行曝光、刻蚀，从而在晶片2 上形成有效图形窗口或功能图形。
光刻胶1是用涂胶机滴到晶片2上，旋转晶片2使光刻胶1涂布均匀的。 这种工艺用在表面^f艮平坦的晶片2上，基本能满足要求。然而，若是晶片2表 面不平整，即晶片2上有凸点，涂覆光刻胶l之后，如图2所示，晶片2上凸 点3所涂覆的光刻胶1则会较其他部位薄，即使经过烘烤定型，在后续的工艺 中，也有可能不能4艮好地保护位于其下方区域的晶片2，让其遭到曝光和蚀刻损 害，所形成的图形也会造成误差。
发明内容
本发明提出一种光刻胶涂覆方法能够解决上述问题。
为了达到上述目的，本发明提出一种在晶片上光刻胶的涂覆方法，包括以 下步骤
在晶片上涂覆第 一层光刻胶；
对该第 一层光刻胶进行烘烤定型；
在已经烘烤定型的第 一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；
对该第二层光刻胶进行烘烤定型。
可选的，在光刻胶涂覆流程之后，对晶片进行曝光。
利用本发明提供的涂覆方法，能够在光刻胶的厚度不变的前提下，将晶片凸点部分的光刻胶厚度增加，在后续的工艺中，光刻胶能够更好地保护其下方 的镜片部分。
图1所示为平整晶片上涂覆光刻胶的示意图2所示为目前:R术中在具有凸点的晶片上涂覆光刻胶的示意图3所示为本发明较佳实施例中在晶片上涂覆光刻胶的示意具体实施例方式
为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
图2中所示为先前技术中，仅涂覆一层光刻胶的示意图。
晶片2上具有凸点3，在曝光之前，涂覆一层光刻胶l在晶片2上，光刻胶 1具有一定的图案，露出晶片2上待刻蚀部位4，再对光刻胶1进行烘烤定型后， 对整个晶片2进行曝光。图2中所示的光刻胶1在平坦的晶片2上厚度为h，在 这种工艺流程下，凸点3部位的光刻胶厚度为hl。
这种工艺下，凸点3部位的光刻胶1是比较薄的，4艮难在后续的工艺中对 凸点3部位的材料进行保护，让该部位的材料不被刻蚀到。
本实施例所揭露的工艺，如图3所示，首先，在晶片2上涂覆第一层光刻 胶la，这一层光刻胶的厚度不大于预设的光刻胶的厚度h;其次，对这第一层 光刻胶la进行烘烤定型；再次，在已经烘烤定型的第一层光刻胶la上涂覆第二 层光刻胶lb，并对这一层的光刻胶进行烘烤定型，完成光刻胶的涂覆流程。
第一层光刻胶la的厚度不大于预设的光刻胶的厚度h,是为了留出涂覆的 空间给第二层光刻胶lb,让第一层光刻胶la和第二层光刻胶lb的总厚度与预 设的厚度h相同，不影响后续的工艺。
在涂覆第一层光刻胶la、对第一层光刻胶la进行烘烤定型之后，位于凸点 上方的光刻胶的厚度比图2中所示的凸点3上方光刻胶的厚度hl小。
然而，由于第一层光刻胶la的厚度在烘烤之后已经定型，不会在涂覆第二 层光刻胶lb的时候由于重力原因滑移到晶片2的平整部分，因此对第二层光刻 胶lb进行烘烤定型之后，第一层和第二层光刻胶在凸点部分的总厚度h2会大于图2中所示的凸点3部分的光刻胶厚度hl，以在后续的工艺中，能够相较于 先前技术对凸点3部分提供更好的保护作用。
当然，本领域的技术人员，能够在本发明的基础上轻易地想到，若涂覆更 多层的光刻胶，能达到更好的效果。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明 所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各 种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当^!i又利要求书所界定者为准。
权利要求
1.一种在晶片上光刻胶的涂覆方法，其特征是，包括以下步骤在晶片上涂覆第一层光刻胶；对该第一层光刻胶进行烘烤定型；在已经烘烤定型的第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；对该第二层光刻胶进行烘烤定型。
2. 根据权利要求1所述的在晶片上光刻胶的涂覆方法，还包括在涂覆该光 刻胶之后，对该晶片进行曝光。
全文摘要
本发明提出一种在晶片上光刻胶的涂覆方法，包括步骤在晶片上涂覆第一层光刻胶；对该第一层光刻胶进行烘烤定型；在已经烘烤定型的第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；对该第二层光刻胶进行烘烤定型。利用本发明提供的涂覆方法，能够在光刻胶的厚度不变的前提下，将晶片凸点部分的光刻胶厚度增加，在后续的工艺中，光刻胶能够更好地保护其下方的镜片部分。
文档编号G03F7/16GK101592866SQ20091004979
公开日2009年12月2日 申请日期2009年4月22日 优先权日2009年4月22日
发明者于世瑞, 李黎明, 王健鹏, 蕾 陈 申请人:上海宏力半导体制造有限公司