显示基板及具有该显示基板的显示装置的制作方法

专利名称：显示基板及具有该显示基板的显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示基板及具有该显示基板的显示装置。更具体地，本
发明的实施例涉及用于液晶显示(LCD)装置的显示基板及具有该显示基板 的显示装置。
背景4支术
通常，液晶显示(LCD)面板包括显示基板、面对该显示基板的相对基 板(opposite substrate )以及插设在显示基板和相对基板之间的液晶层，该显 示基板具有薄膜晶体管(TFT)作为开关元件从而驱动像素。图像根据液晶 材料的透光率而在LCD面板上显示，液晶材料的透光率根据施加到LCD面 板的电压而改变。
显示基板包括TFT、连接到TFT的信号线、存储线、有机层和像素电 极。有机层形成在具有信号线、TFT和存储线的绝缘基板上。像素电极形成 在有机层上。存储电容器(Cst)由存储线、像素电极和有机层限定，该有 机层插设在存储线和像素电极之间。存储线和像素电极用作彼此间隔开的电 极，有机层用作电介质材料。
存储电容器的电容与存储线和像素电极之间的重叠面积成比例，并与有 机层的厚度成反比。因此，为了增大像素的电容，可以加宽(widen)重叠 面积和/或减小厚度。然而，加宽重叠面积通常伴随着存储线的宽度的增大， 由此显示基板的开口率(aperture ratio )会降低并且显示质量会恶化。

发明内容
本发明提供了具有改进的电容和开口率的显示基板及显示装置。 本发明的附加特征将在随后的描述中阐述，并AU亥描述而部分地变得明
显，或者可以通过实践本发明而习知。
本发明公开了一种显示基板，该显示基板包括第一开关元件、第一间隔
物(first spacer)、第 一像素电极、第一电容器电极和配向层(alignment layer)。第一开关元件连接到多条信号线。第一间隔物布置在第一开关元件上。第一 像素电极与第 一开关元件的漏极电极接触。第 一像素电极连接到第 一 电容器 电极。第一电容器电极布置在第一间隔物上。配向层布置在第一像素电极和 第一电容器电极上。显示基板还可以包括与第一像素电极重叠的第一存储线。
本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括显示基板和面对该显示
基板的相对基板。显示基板包括第一开关元件，连接到第一像素电极；第 一间隔物，布置在第一开关元件上；第一电容器电极，连接到第一像素电极 并布置在第一间隔物上；以及第一配向层，布置在第一像素电极和第一电容 器电极上。显示基板还可以包括与第一像素电极重叠的第一存储线。相对基 板与显示基板结合以插入液晶分子。相对基板包括公共电极以及形成在公共 电极上的第二配向层，该公共电极面对第一像素电极和第一电容器电极。
应当理解，上述一般的描述和下面详细的描述都是示范性和说明性的， 并旨在提供对本发明的进一步解释。


附图提供了对本发明的进一步理解并被并入和构成本说明书的一部分，
附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。 图1为示出根据本发明第一示范性实施例的显示装置的平面图。 图2A和图2B分别为沿图1的IA-IA，和IB-IB，线的截面图。 图3A、图4A、图5A和图6A为示出图2A所示的像素区域的制造方法
的截面图。图3B、图4B、图5B和图6B为示出图2B所示的像素区域的制
造方法的截面图。 、
图7为示出根据本发明第二实施例的显示装置的平面图8A和图8B分别为沿图7的IIA - IIA，和IIB - IIB，线的截面图。
图9A和图IOA为示出图8A所示的像素区域的制造方法的截面图。图
9B和图IOB为示出图8B所示的像素区域的制造方法的截面图。
图11为示出根据本发明第三示范性实施例的显示装置的平面图。
图12A、图12B和图12C分别为沿图11的inA-IIIA'、 IIIB - IIIB，和
inc-mc，线的截面图。
图13为示出才艮据本发明第四示范性实施例的平面图。图14A和图14B分别为沿图13的IVA - IVA，和IVB - IVB，线的截面图。
具体实施例方式
在下文中参照附图更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的实施 例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施并且不应^皮解释为限于这里阐 述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开充分，并将本发明的范围充 分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，层和区域的尺寸和相 对尺寸可以被夸大。附图中相同的附图标记指代相同的元件。
应当理解，当一元件或层被称为在另一元件或层"上"、"连接到"和/ 或"耦合到，，另一元件或层时，它可以直接在.另一元件或层上或者直接连接 到、耦合到另一元件或层，或者可以存在插入的元件或层。相反，当一元件 被称为"直接"在另一元件或层"上"、"直接连接到"和/或"直接耦合到" 另一元件或层时，没有插入的元件或层存在。相同的附图标记始终指代相同 的元件。如这里所用的，术语"和/或"包括所列相关项目的一个或更多的任 何和所有组合。
应当理解，虽然这里可以使用术语第一、第二和第三来描述各种元件、 部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受 限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一 元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，以下讨论的第一元件、部件、 区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本 发明的教导。
为便于描述此处可以使用诸如"在…之下"、"在…下面"、"下(lower )"、 "在…之上"、"上(upper)"等等空间相对性术语以描述如附图所示的一个 元件或部件与另一个(些)元件或部件之间的关系。应当理解，空间相对性 术语是用来概括除附图所示取向之外的使用或操作中的器件的不同取向的。 例如，如果附图中的器件翻转过来，被描述为"在"其它元件或部件"之下" 或"下面"的元件将会在其它元件或部件的"上方"。因此，示范性术语"在… 下面，，就能够涵盖之上和之下两种取向。器件可以采取其它取向(旋转90 度或在其它取向)，此处所用的空间相对性描述符做相应解释。
这里所用的术语仅仅是为了描述特定实施例，并非要限制本发明。如此 处所用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式"一(a)"、 "一(an)"和"该(the )，，均同时旨在包括复数形式。还应当理解，术语"包括(comprise )" 和/或"包括(comprising)",当在本说明书中使用时，指定了所述特征、整 体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、 整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。
这里参照截面图描述本发明的实施例，这些截面图为本发明的理想化实 施例(以及中间结构)的示意图。因而，举例来说，由制造技术和/或公差引 起的插图形状的变化是可能发生的。因此，本发明的实施例不应被解释为仅 限于此处示出的区域的特定形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差在 内。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并非要示出器 件区的精确形状,也并非要限制本发明的范围。
除非另行定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具 有本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的同样的含义。还应当理 解，诸如通用词典中所定义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解 释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为
理想化的或过度形式化的意义。
在下文中，将参照图1和图2描述根据本发明的第一示范性实施例的显 示基板和显示装置。
图1为示出根据本发明第一示范性实施例的显示装置的平面图。图2A 和图2B分别为沿图1的IA-IA，和IB-IB，线的截面图。
参照图1、图2A和图2B,根据本发明第一实施例的显示装置501包括 第一显示基板101、相对基板200和液晶层300。
第一显示基板101包括多条信号线GL1、 GL2、 DL1、 DL2、 DL3和 DL4,形成在第一基底(first base substrate) 110上;多条存储线121、 123、 125和127;用作开关元件的多个薄膜晶体管(TFT) SW1、 SW2和SW3; 连接到TFTSW1、 SW2和SW3的多个像素电极181、 183和185;多个电容 器电极182、 184和186;多个第一间隔物171;以及第一配向层190。
信号线包括多条栅极线GL1和GL2以及多条数据线DL1、 DL2、 DL3 和DL4。栅极线GL1和GL2以及数据线DL1 、 DL2、 DL3和DL4彼此交叉 并由此划分多个像素区域P1、 P2和P3。
栅极线GL1和GL2包括第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。第一栅极 线GL1和第二栅极线GL2在第一方向Dl延伸并沿第二方向D2布置，第二方向D2不同于第一方向Dl。第二方向D2可以是相对于第一方向Dl的竖 直方向，第一方向Dl可以是水平方向。数据线DL1、 DL2、 DL3和DL4在 第二方向延伸并沿第一方向D1布置。数据线DL1、 DL2、 DL3和DL4包括 第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4， 所有这些数据线都与第一栅极线GL1和第二栅极线GL2交叉。第一栅极线 GL1和第二栅极线GL2以及第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据 线DL3和第四数据线DL4划分第一像素区Pl、第二像素区P2和第三像素 区P3。
存储线121 、123、 125和127包括沿第二方向D2延伸的第一存储线121、 第二存储线123、第三存储线125和第四存储线127。第一存储线121、第二 存储线123、第三存储线125和第四存储线127通it沿第一方向Dl延伸的 连接线SL而彼此连接。连接线SL可以邻近第二4册极线GL2设置。第一存 储线121与第二数据线DL2重叠，第二存储线123与第三数据线DL3重叠， 第三存储线125与第四数据线DL4重叠，第四存储线127与第一数据线DL1 重叠。第一存储线121、第二存储线123、第三存^f渚线125和第四存储线127 可以通过图案化形成第一槺极线GL1和第二栅极线GL2的栅极金属层来形 成。第一存储线121、第二存储线123、第三存储线125和第四存储线127 可以比第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线 DL4宽。
TFT SW1 、 SW2和SW3包括第一 TFT SW1 、第二 TFT SW2和第三TFT SW3，它们分别连接到第一栅极线GL1。
第一TFT SW1包括第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1、第一漏极 电极DE1和第一有源图案140a。第一TFTSW1可以形成在第一栅极线GL1 和第二数据线DL2交叉的区域。第一栅极电极GE1连接到第一栅极线GL1， 第一源极电极SE1连接到第二数据线DL2。第一漏极电极DE1与第一源极 电极SE1间隔开。第一漏极电极DE1的边缘部分在第一像素区域P1中延伸。 第一TFTSW1的沟道部分由第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1的间隔 部分限定。第一有源图案140a形成在第一源极电极SEl和第一漏极电极DEl 下方。第一有源图案140a可以包括半导体层142和欧姆接触层144，半导体 层142可以包括非晶硅，欧姆接触层144可以包括注入有高浓度n+杂质的非 晶硅。第 TFTSW1的沟道部分暴露第一有源图案140a的半导体层142。此外，第二 TFT SW2可以形成在第一栅极线GL1和第三数据线DL3交 叉的区域。第二TFTSW2包括连接到第一栅极线GL1的第二栅极电极GE2、 连接到第三数据线DL3的第二源极电极SE2、与第二源极电极SE2间隔开 的第二漏极电极DE2以及形成在第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2下 方的第二有源图案(未示出)。第二漏极电极DE2的边缘部分可以在第二像 素区域P2中延伸。
第三TFT SW3可以形成在第一槺极线GL1和第四数据线DL4交叉的区 域。第三TFTSW3包括连接到第一栅极线GL1的第三栅极电极GE3、连接 到第四数据线DL4的第三源极电极SE3、与第三源极电极SE3间隔开的第 三漏极电极DE3以及第三有源图案140c。第三漏极电极DE3的边缘部分可 在第三像素区域P3中延伸。
第一显示基板101还可以包括形成在第一基底IIO上的栅极绝缘层130 和钝化层160。
栅极绝缘层130形成在第一基底110 (包括第一栅极线GL1和第二栅极 线GL2以及第一栅极电极GE1 、第二栅极电极GE2和第三栅极电极GE3 ) 上。第一有源图案140a、第二有源图案(未示出)以及第三有源图案M0c 形成在第一基底110和栅极绝缘层130上。
钝化层160形成在第 一基底110(包括第 一数据线DL1 、第二数据线DL2、 第三数据线DL3和第四数据线DL4、第一源极电极SE1、第二源极电极SE2 和第三源极电极SE3以及第一漏极电极DE1、第二漏极电极DE2和第三漏 极电极DE3)上。钝化层160包括多个接触孔，该多个接触孔分别暴露第一 漏极电极DE1 、第二漏极电极DE2和第三漏极电极DE3。
像素电极181、 183和185包括第一像素电极181、第二像素电极183 和第三像素电极185。第一像素电极181、第二像素电极183和第三像素电 极185形成在钝化层160上。
第一像素电极181形成在第一像素区Pl上并电连接到第一 TFT SW1。 第一像素电极181接触第一漏极电极DE1。第一像素电极181与第一存储线 121和第四存储线127重叠。
第一主电容器由第一存储线121和第四存储线127以及栅极绝缘层130 和钝化层160限定，第一存储线121和第四存储线127与第一像素电极181 重叠，栅极绝缘层130和钝化层160插设在第一存储线121和第一像素电极181之间以及第四存储线127和第一像素电极181之间。第一存储线121与 第一像素电极181的重叠宽度以及第四存储线127与第一像素电极181的重 叠宽度中的每个是第一宽度(wl)。在下文中，第一面积定义为第一存储线 121与第一像素电极181的重叠面积。第四存储线121与第一像素电极181 的重叠面积可以与第一面积基本相同。
第二像素电极183形成在第二像素区P2上并电连接到第二 TFT SW2。 第二像素电极183接触第二漏极电极DE2。
第二像素电极183与第一存储线121和第二存储线123重叠，由此限定 第二主电容器。第一存储线121与第二像素电极183的重叠宽度以及第二存 储线123与第二像素电极183的重叠宽度中的每个是第一宽度(wl )。第一 存储线121与第二像素电极183的重叠面积可以与第一面积基本相同，第二 存储线123与第二像素电极183的重叠面积可以与第一面积基本相同。
第三像素电极185形成在第三像素区域P3上并电连接到第三TFT SW3。 第三像素电极185接触第三漏极电极DE3。
第三像素电极185与第二存储线123和第三存储线125重叠，由此限定 第三主电容器。第二存储线123与第三像素电极185的重叠宽度以及第三存 储线125与第三像素电极185的重叠宽度中每个是第一宽度(wl)。第二存 储线123与第三像素电极185的重叠面积可以与第一面积基本相同，第三存 储线125与第三像素电极185的重叠面积可以与第一面积基本相同。
第一间隔物171分别形成在第一TFTSW1、第二TFTSW2和第三TFT SW3上。第一间隔物171形成在第一TFTSW1的沟道部分、第二TFTSW2 的沟道部分和第三TFTSW3的沟道部分上。
第一间隔物171可以保持第一显示装置501的单元间隙(cell gap)，该 单元间隙是第一显示基板101与相对基板200之间的间隙。第一间隔物171 可以用作保持单元间隙的单元间隙间隔物。第一显示装置501的单元间隙可 以为约3.5pm至约4.5|im。
第一间隔物171可以使第一TFTSW1、第二TFTSW2和第三TFT SW3 与第一电容器电极182、第二电容器电极184和第三电容器电极186 (形成 在第一TFTSW1、第二TFTSW2和第三TFTSW3上)之间绝缘。第一间隔 物171可以使电容器电极182、 184和186与第一有源图案140a、第二有源 图案和第三有源图案140c的半导体层142之间绝缘。在本发明的示范性实施例中，在第一显示装置501中的第一间隔物171具有彼此基本相同的高度。 电容器电极182、 184和186分别形成在第一TFTSW1、第二TFTSW2 和第三TFTSW3上的第一间隔物171上。电容器电极182、 184和186与相 对基板200的公共电极240—起限定多个子电容器。子电容器可以与第一主 电容器、第二主电容器和第三主电容器一起充入(charge)像素的电子。
第一电容器电极182形成在第一间隔物171 (形成于第一TFTSW1上) 上。第一电容器电极182连接到第一像素电极181。第一电容器电极182通 过第一间隔物171与第一TFTSW1绝缘，由此可以防止在第一TFTSW1中 产生截止电流(off current),该截止电流由电流流入第一有源图案140a而产 生。
此外，第二电容器电极184形成在第一间隔物171(形成于第二TFT SW2 上)上。第二电容器电极184连接到第二像素电极183。第三电容器电极186 形成在第一间隔物171 (形成于第三TFTSW3上)上。第三电容器电极186 连接到第三像素电极185。
第一配向层190形成在第一基底110的整个面上，该第一基底110具有 第一像素电极181、第二像素电极183和第三像素电极185、第一电容器电 极182、第二电容器电极184和第三电容器电极186以及第一间隔物171。
相对基板200包括形成在第二基底210上的遮光图案(light-blocking pattern) 220、多个滤色器232、 234和236、公共电极240以及第二配向层 250,第二基底210面对第一基底110。
遮光图案220形成在第二基底210的区域上，该区域对应于第 一栅极线 GL1和第二栅极线GL2以及第一数据线DL1、第二数据线DL入第三数据 线DL3和第四数据线DL4。遮光图案220可以形成在第二基底210的与第 一TFTSW1、第二TFT SW2和第三TFT SW3相对应的区域上。第二基底 210可以被遮光图案220划分以形成第一像素区Pl、第二像素区P2和第三 像素区P3。
滤色器包括形成在第一像素区Pl上的第一滤色器232、形成在第二像 素区P2上的第二滤色器234以及形成在第三像素区P3上的第三滤色器236。 例如，第一滤色器232可以表示红色，第二滤色器234可以表示绿色，第三
滤色器可以表示蓝色。
公共电极240形成在第二基底210 (包括遮光图案220以及第一滤色器232、第二滤色器234和笫三滤色器236)上。公共电极240形成在第二基底 210的整个面上。
保护层(overcoating layer)(未示出)可以形成在第二基底210 (包括遮 光图案220、第一滤色器232、第二滤色器234和第三滤色器236)与公共电 极240之间。
第二配向层250形成在公共电极240上。在第一显示基板101与相对基 板200结合之后，第二配向层250与第一配向层190相对并相接触。
液晶层300插设在第一显示基板101和相对基板200之间。液晶层300 包括插设在第一显示基板101和相对基板200之间的多个液晶分于。液晶分 子设置在第一配向层190和第二配向层250之间。.
第一子电容器由公共电极240和第一电容器电极182限定。电容器包括 彼此面对的两个电极以及插设在这两个电极之间的电介质材料，其中第一电 容器电极182用作一个电极，公共电极240用作第二电极，第一配向层190 和第二配向层250用作电介质材料。第一子电容器与第一主电容器一起用作 第一像素区P1的电容器。第一子电容器可以将第一像素区P1的电子充入到 第一配向层190和第二配向层250中，第一配向层190和第二配向层250插 设在第一电容器电极182和公共电极240之间。
此外，第二子电容器由公共电极240和第二电容器电极184限定。第二 子电容器可以与第二主电容器一起充入第二像素区P2的电子。第三子电容 器由公共电极240和第三电容器电极186限定。第三子电容器可以与第三主 电容器一起充入第三像素区P3的电子。第二子电容器和第三子电容器与第 一子电容器基本相同，除了它们的位置以外。因此，将省略对第二子电容器 和第三子电容器的任何进一步的描述。
与将第一像素电极181中的所有电子充入到第一主电容器中相比，通过 将第一像素电极181中的一些电子充入到第一子电容器中，第一主电容器的 电容可以被减小。换言之，与将第一像素电极181中的所有电子充入到第一 主电容器中相比，第一存储线121和第四存储线127的宽度可以被减小。此 外，与将所有电子充入到第二像素电极183和第三像素电极185的每个中相 比，第二存储线123和第三存储线125的宽度可以被减小。根据第一存储线 121、第二存储线123、第三存储线125和第四存储线127的宽度减小，第一 显示装置501的开口可以增大,从而第一显示装置501的开口率可以被提高。因此，可以改善第一显示装置501的亮度并可以改善第一显示装置501的显 示质量。
在下文中，将参照图3A、 3B、 4A、 4B、 5A、 5B、 6A和6B来描述图 1、 2A和2B中示出的显示装置的制造方法。在显示装置的制造方法中，将 参照图2A和2B描述制造相对基板的工艺。
图3A、 4A、 5A和6A是示出图2A和3B中示出的像素区的制造方法的 截面图，图4B、5B和6B是示出图2B中示出的像素区的制造方法的截面图。 图3A、 4A、 5A和6A是显示装置的第一像素区的截面图，图3B、 4B、 5B 和6B是显示装置的第三像素区的截面图。
图3A和3B是示出形成TFT SW1、 TFT SW2和TFT SW3的步骤的截 面图，TFT SW1 、 TFT SW2和TFT SW3连接到第一基底110上的信号线 GL1、 GL2、 DL1、 DL2、 DL3禾口 DL4。
参照图3A和3B，栅极金属层(未示出)形成在第一基底IIO上，栅极 金属层通过光刻工艺来图案化以形成第一栅极线GL1和第二栅极线GL2、 第一存储线121、第二存储线123、第三存储线125和第四存储线127以及 第一栅极电极GE1、第二栅极电极GE2和第三栅极电极GE3。
栅极绝缘层130形成在第一基底110 (包括第一栅极线GL1和第二栅极 线GL2、第一存储线121、第二存储线123、第三存储线125和第四存储线 127以及第一栅极电极GE1、第二栅极电极GE2和第三栅极电极GE3)上。 可用于栅极绝缘层130的材料的示例为硅氮化物、硅氧化物等。
半导体层142、欧姆接触层144和源极金属层(未示出)形成在包括栅 极绝缘层130的第一基底110上。半导体142、欧姆接触层144和源极金属 层通过只使用一个掩模的光刻工艺图案化以形成第一有源图案140a、第二有 源图案(未示出)和第三有源图案140c、第一数据线DL1、第二数据线DL2、 第三数据线DL3和第四数据线DL4、第一源极电极SE1、第二源极电极SE2 和第三源极电极SE3以及第一漏极电极DE1、第二漏极电极DE2和第三漏 极电极DE3。由此，半导体层142和欧姆接触层144可以保留在第一数据线 DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4下方。
钝化层160形成在第一基底110上。钝化层160被图案化以形成暴露出 第一漏极电极DE1、第二漏极电极DE2和第三漏极电极DE3的边缘部分的 接触孔。可用于钝化层160的材料的示例为硅氮化物、硅氧化物等。在一个实施例中，采用第一掩模图案化半导体层142和欧姆接触层144 以形成第一有源图案140a、第二有源图案(未示出)和第三有源图案140c。 然后，源极金属层形成在第一基底110 (包括第一有源图案140a、第二有源 图案(未示出)和第三有源图案140c)上，采用第二掩^t图案化源极金属层 以形成第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线 DL4、第一源极电极SE1、第二源极电极SE2和第三源极电极SE3以及第一 漏极电极DE1、第二漏极电极DE2和第三漏极电极DE3。在这种情况下， 半导体层142和欧姆接触层144可以不保留在第一数据线DL1、第二数据线 DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4下方。
图4A和4B是示出在第一基底110(包括第一TFTSW1、第二TFTSW2 和第三TFTSW3)上形成第一间隔物171的工艺的截面图。
参照图4A和4B，光敏有机层170形成在包括第一TFTSW1、第二TFT SW2和第三TFT SW3的第一基底110上。可用于光敏有机层170的材料的 示例为正型光致抗蚀剂合成物。
第一掩模10设置在包括光敏有机层170的第一基底110之上。第一掩 模10包括阻挡光提供到第一基底110上的遮光部分12和透过光的透射部 分14。第一掩模10的遮光部分12设置在第一 TFT SW1、第二 TFT SW2 和第三TFT SW3之上。第一掩模10的透射部分14设置在除了包括第一 TFTSW1、第二TFTSW2和第三TFTSW3的区域之外的剩余区域之上。
光敏有机层170用光来曝光并通过显影液来显影。由此，在第一 TFT SW1、第二TFT SW2和第三TFT SW3上的光敏有机层170保留在第一基 底110上，在其他区域上的光敏有机层170被显影液去除。
在一些实施例中，光敏有机层170可以采用负型光致抗蚀剂合成物来形 成。第一掩模10的遮光部分12和透射部分14可以^皮反转。由此，光敏有 机层170的被光照射的部分可以保留在第一基底110上，光敏有机层170 的没有被光照射的部分可以#1去除。
图5A和5B是示出在包括第一间隔物171的第一基底110上形成第一 像素电极181、第二像素电极183和第三像素电极185以及第一电容器电极 182、第二电容器电极184和第三电容器电极186的工艺的截面图。
在图5A和图5B中，光敏有机层170被显影，由此在第一TFTSW1、 第二 TFT SW2和第三TFT SW3上形成第一间隔物171。第一间隔物171分别形成在第一 TFT SW1 、第二 TFT SW2和第三TFT SW3的沟道部分上。 第一间隔物171的高度可以彼此基本相同。
透明电极层180形成在包括第一间隔物171的第一基底110上。可用于 透明电极层180的材料的示例为铟锡氧化物、铟锌氧化物等。
透明电极层180通过光刻工艺图案化以形成第一像素电极181、第二像 素电极183和第三像素电极185以及第一电容器电极182、第二电容器电极 184和第三电容器电极186。第一像素电极181连接到第一电容器电极182, 第二像素电极183连接到第二电容器电极184，第三像素电极185连接到第 三电容器电极186。
图6A和6B是示出在第一基底110 (包括第一像素电极181、第二像素 电极183和第三像素电极185以及第一电容器电极182、第二电容器电极 184和第三电容器电极186)上形成第一配向层190的工艺的截面图。
参照图6A和6B,第一配向层190形成在第一基底110 (包括第一像素 电极181、第二像素电极183和第三像素电极185以及第一电容器电极182、 第二电容器电极184和第三电容器电极186)上。
可用于第一配向层190的材料的示例为包括聚酰亚胺化合物的有机材 料。有机材料被涂敷在第一基底110 (包括第一像素电极181、第二像素电 极183和第三像素电极185以及第一电容器电极182、第二电容器电极184 和第三电容器电极186)上以形成预备层(preparation layer)。该预备层被 研磨布(rubbing cloth)摩#~以形成第一配向层190。在一些实施例中，具 有光敏性的有机材料被涂敷在第一基底110上，将光提供到有机材料以形 成第一配向层190。
参照图2A和2B,在形成相对基板200的工艺中，遮光图案220形成在 第二基底210上。
在一个实施例中，金属层(未示出)可以形成在第二基底210上并通过 光刻工艺图案化以形成遮光图案220。金属层可以包括4各、4各/铬氧化物等。 在一些实施例中，遮光图案220可以通过将有机墨(organic ink)喷射在第 二基底210上而形成。
在一个实施例中，滤色器232、 234和236形成在包括遮光图案220的 第二基底210上。滤色器232、 234和236通过光刻工艺图案化彩色光致抗 蚀剂层(未示出)而形成，该彩色光致抗蚀剂层形成在第二基底210上。在一些实施例中，滤色器232、 234和236可以通过将彩色墨喷射在第二基 底210上而形成。
公共电极240形成在包括遮光图案220和滤色器232、 234和236的第 二基底210上。可用于公共电极240的材料的示例为铟锡氧化物、铟锌氧 化物等。第二配向层250形成在包括公共电极240的第二基底210上。形 成第二配向层250的工艺与形成第一配向层190的工艺基本相同。因此， 将省略任何进一步的描述。
第一显示基板101与相对基板200结合。第一间隔物171插设在第一显 示基板101和相对基板200之间。设置在第一间隔物171上的第一配向层 l卯接触相对基板200的第二配向层250。第一间隔物171可以用作保持第 一显示基板101和相对基板200之间的单元间隙的单元间隙间隔物。
液晶分子可以:故注入到第一显示装置501中以形成液晶层300，驱动第 一显示基板101和相对基板200上的组件的驱动部件(未示出)与第一显 示基板101结合，从而制造第一显示装置501。
根据本发明的示范性实施例，有机层(形成在钝化层160上并平坦化第 一显示基板101)被省略。第一子电容器、第二子电容器和第三子电容器采 用第一间隔物171来形成。由此，制造第一显示装置的工艺可以是简单的， 从而第一显示装置的产率可以被提高。此外，开口率可以通过第一子电容 器、第二子电容器和第三子电容器而提高，显示质量可以被改善。
在下文中，将参照图7、 8A和8B来描述根据本发明第二示范性实施例 的显示基板和显示装置。图7是示出根据本发明第二实施例的显示装置的 平面图，图8A和8B分别是沿图7的IIA - IIA，和IIB - IIB，线的截面图。
在图7、 8A和8B中，根据本发明第二示范性实施例的第二显示装置与 图1、 2A和2B中示出的根据本发明第一示范性实施例的第一显示装置基 本相同，除了第二像素区包括第二间隔物和第三间隔物以外。此外，第二 像素区与第一像素区基本相同，除了第二间隔物和第三间隔物以外。因此， 将省略任何进一 步的描述。
参照图7、 8A和8B,才艮据本发明第二示范性实施例的第二显示装置503 包括第二显示基板103、相对基板200和液晶层300。
第二显示基板103包括形成在第一 TFT SW1 、第二 TFT SW2和第三TFT SW3上的多个第二间隔物172以及形成在第一斥册极线GL1上和邻近第一栅极线GL1的区域上的第三间隔物173。
连接到第一像素电极181的第一电容器电极182以及第一配向层190形 成在设置于第一TFTSW1上的第二间隔物172上。第二电容器电极184和 第一配向层190形成在设置于第二丁FTSW2上的第二间隔物172上。第三 电容器电极186和第一配向层190形成在设置于第三TFT SW3上的第二间 隔物172上。形成在第二间隔物172上的第一配向层190与第二配向层250 间隔开。形成在第二间隔物172上的第一配向层190与第二配向层250之 间的距离可以是第一距离(x)。
第一子电容器由第一电容器电极182、相对基板200的公共电极240、 第一配向层190、第二配向层250和液晶分子限定。此外，第二子电容器由 第二电容器电极184、公共电极240、第一配向层190、第二配向层250和 液晶分子限定。此外，第三子电容器由第三电容器电极186、公共电极240、 第一配向层190、第二配向层250和液晶分子限定。
当外部压力施加到第二显示装置503时，第二间隔物172可以恒定地保 持第二显示基板103和相对基板200之间的距离。
在确定第一子电容器、第二子电容器和第三子电容器的电容时，当第一 电容器电极182、第二电容器电极184和第三电容器电极186的面积不变时， 第一距离(x)越大则电容越小。此外，第一距离(x)越小，则电容越大。 换言之，第一距离(x)与电容成反比。
第一距离(x)可以是0<x$1.0nm。考虑到在第二显示基板103与相对 基板200之间的结合工艺和/或第二间隔物172的形成工艺中的工艺容限， 第一距离(x)可以为约0.3pm。
第一配向层190形成在第三间隔物173上并与第三间隔物173接触。形 成在第三间隔物173上的第一配向层190与第二配向层250接触。第三间 隔物173可以用作保持第二显示基板103和相对基板200之间的距离的单 元间隙间隔物。由于形成了第三间隔物173,透光区的面积会减小，因此第 三间隔物173可以形成在对于改变亮度不敏感的区域中。例如，第三间隔 物173邻近在第一像素区P1、第二像素区P2和第三像素区P3之中的包括 蓝色滤色器236的第三像素区P3而形成。第三间隔物的顶表面173高于第 二间隔物172的顶表面。第三间隔物173和第二间隔物172的顶表面的高 度差可以与第一距离(x)基本相同。换言之，第三间隔物173的顶表面可以比第二间隔物172的顶表面高出第一距离(x)。根据本发明的第二示范性实施例，与将第一像素电极181的所有电子充 入到第一主电容器相比，通过将第一像素电极181中的一些电子充入到第 一子电容器中，可以减小第一主电容器的电容。换言之，与将第一像素电 极181的所有电子充入到第一主电容器相比，第一存储线121和第四存储 线127的宽度可以被减小。此外，与将所有电子充入到第二像素电极183 和第三像素电极185中的每个相比，第二存储线123和第三存储线125的 宽度可以被减小。根据第一存储线121、第二存储线123、第三存储线125 和第四存储线127的宽度的减小，第二显示装置503的开口可以增大，由 此第二显示装置503的开口率可以净皮提高。因此，可以改善第二显示装置 503的亮度，并可以改善第二显示装置503的显示质量。此外，因为形成在第二间隔物172上的第一配向层190并不与第二配向 层250接触，并且第三间隔物173恒定地保持单元间隙，所以可以减小第 二间隔物172和相对基板200的接触面积。因此，可以提高在第二显示基 板103与相对基板200之间滴入(dropping)液晶分子的容限。在下文中，将描述根据第二示范性实施例的第二像素区的制造方法。在 根据第二示范性实施例的第二像素区的制造方法中，第一TFTSW1、第二 TFT SW2和第三TFT SW3的形成工艺与根据本发明第一示范性实施例的 第一TFTSW1、第二TFTSW2和第三TFTSW3的形成工艺基本相同。因 此，将省略任何进一步的描述。图9A和10A是示出图8A中示出的像素区的制造方法的截面图，图9B 和10B是示出图8B中示出的像素区的制造方法的截面图。参照图9A和9B，钝化层160形成在包括第一 TFT SW1 、第二 TFT SW2 和第三TFTSW3的第一基底110上。光敏有机层(未示出)形成在钝化层 160上。例如，光敏有机层可以包括正型光致抗蚀剂合成物。第二掩模20设置在包括光敏有机层的第一基底110之上。第二掩模20 包括部分透光的第一区22、遮光的第二区24以及完全透光的第三区26。 在一个实施例中，第二掩模20可以是狭缝掩模，在该狭缝掩模中第一区22 包括多个狭缝。在一些实施例中，第二掩模20可以是半色调掩模(halftone mask )，在该半色调掩模中第一 区22包括半透射层(semi-transmitting layer )。当透射穿过第三区26的光的强度定义为"100"时，透射穿过第一区22的光的强度(y)可以是0〈y〈100。透射穿过第一区22的光的强度(y)可 以是5(Ky〈100。在一些实施例中，透射穿过第一区22的光的强度(y)可 以是8(Ky〈100。
光敏有机层暴露到光并由显影液显影。因此，对应于第一区22的光敏 有机层170部分地保留在第一基底110上以在第一TFT SW1、第二TFT SW2 和第三TFT SW3上形成第二间隔物172，对应于第二区24的光敏有机层 170整体地保留以形成高于第二间隔物172的第三间隔物173。第三间隔物 173的顶表面高于第二间隔物172的顶表面。第三间隔物173和第二间隔物 172的顶表面的高度差可以是第二距离(z)。第二距离(z)可以是0〈z^l.0pm。 第二距离(z)的范围可以与第一距离(x)的范围基本相同。
参照图IOA和10B,透明电极层(未示出)形成在包括第二间隔物172 和第三间隔物173的第一基底110上。透明电极层通过光刻工艺图案化以 形成第一像素电极181、第二像素电极183和第三像素电极185以及第一电 容器电极182、第二电容器电极184和第三电容器电极186。第一像素电极 181、第二像素电极183和第三像素电极185中的每个形成在第一像素区 Pl、第二像素区P2和第三像素区P3的每个中的钝化层160上。第一电容 器电极182、第二电容器电极184和第三电容器电极186中的每个形成在每 个第二间隔物172上。第三间隔物173上的透明电极层被去除。
第一配向层190形成在第一电极110 (包括第一像素电极181、第二像 素电极183和第三像素电极185以及第一电容器电极182、第二电容器电极 184和第三电容器电极186)上。第二显示基板103与相对基板200结合， 相对基板200包括形成在第二基底210上的公共电极240和第二配向层 250，第二基底210包括遮光图案220和滤色器232、 234和236。
在下文中，将参照图11描述根据本发明第三示范性实施例的显示基板 和显示装置。图ll是示出根据本发明第三示范性实施例的显示装置的平面 图。
图12A、 12B、 12C分别为沿图11的IIIA —IIIA，， IIIB - IIIB，和IIIC-
mc，线的截面图。
在图11、 12A、 12B和12C中，根据本发明第三示范性实施例的第三显 示装置与图1、图2A和2B示出的根据本发明第一示范性实施例的第一显 示装置基本相同，除了第三像素区以外。而且，第三像素区与第一像素区基本相同，除了第 一示范性实施例的第 一 间隔物和第三电容器电极以外。 因此，将省略任何进一步的描述。
参照图11、 12A、 12B和12C，第三显示装置505包括第三显示基板105、 相对基板200和液晶层300。
第三显示基板105包括形成在第一TFTSW1和第二TFTSW2中的每个 上的多个第二间隔物172以及形成在第三TFT SW3上的第四间隔物174。
连接到第一像素电极181的第一电容器电极182、第二间隔物172和第 一配向层190形成在第一TFTSW1上。连接到第二像素电极183的第二电 容器电极184、第二间隔物172和第一配向层190形成在第二TFTSW2上。 形成在第二间隔物172上的第一配向层190与相对基板200的第二配向层 250间隔开第一距离(x)。第一距离(x)可以是(Xx^l.Onm。
通过形成第一子电容器(包括第一电容器电极182和相对基板200的公 共电极240)和第二子电容器(包括第二电容器电极184和公共电极240)， 第一宽度(wl)可以被减小，该第一宽度是第一存储线121与第一像素电 极181的重叠宽度或第四存储线127与第一像素电极181的重叠宽度。此 外，第一宽度(wl )可以被减小，该第一宽度是与第二像素电极183重叠 的第五存储线124或与第三像素电极185重叠的第六存储线126。第五存储 线124形成在第三数据线DL3下方，第六存储线126形成在第四数据线 DL4下方。
第四间隔物174形成在设置于第三TFTSW3上的钝化层160上。第四 间隔物174可以与钝化层160接触。第一配向层190形成在第四间隔物174 上。形成在第四间隔物174上的配向层190与第二配向层250接触。第四 间隔物174可以用作保持第三显示基板105与相对基板200之间的距离的 单元间隙。当第一面积为第一存储线121与第一像素电极181的重叠面积 时，第一存储线121与第二像素电极183的重叠面积以及第五存储线124 与第二像素电极183的重叠面积中的每个可以是第一面积。
第五存储线124与第三像素电极185重叠的重叠面积是第二面积。第二 面积比第一面积宽。第六存储线126与第三像素电极185重叠的面积是第 二面积。第五存储线124和第六存储线126与第三像素电极185重叠了第 二宽度(w2)。第二宽度(w2)比第一宽度(wl)宽，第一存储线121与 第 一像素电极181重叠了第一宽度(wl)。第 一存储线121可 比第五存储线124和第六存储线126窄。第三像素区P3的开口率可以不改变，第三像 素区P3可以被影响以增大亮度或/和减小亮度。由此，可以只增大第一像 素区Pl和第二像素区P2的开口率并可以提高亮度，由此可以增大第四显 示装置507的开口率可以增大并提高第四显示装置507的亮度。根据本发明第三示范性实施例的第三显示基板的制造方法与图2A、 2B、 3A、 3B、 4A、 4B、 5A、 5B、 6A和6B中示出的第一显示基板的制造方法 基本相同，除了形成第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极、第一 电容器电极和第二电容器电极以及形成第二间隔物和第四间隔物之外。因 '此，将省略任何进一步的描述。在根据本发明第三示范性实施例的第三显示基板的制造方法中，钝化层 160形成在包括第一 TFT SW1 、第二 TFT SW2和第三TFT SW3的第 一基 底110上。光敏有机层(未示出)形成在钝化层160上并采用第三掩模图 案化以形成第二间隔物172和第四间隔物174。第三掩模包括对应于第一 TFT SW1和第二 TFT SW2的第四区以及对应 于第三TFT SW3的第五区。当光敏有机层包括正型光致抗蚀剂合成物时， 第四区可以是半透射部分，第五区可以是遮光部分。透明电极层形成在第 一基底110上，然后被图案化以形成第一像素电极181、第二像素电极183 和第三像素电极185、第一电容器电极182和第二电容器电极184。在下文中，将参照图13描述根据本发明第四示范性实施例的显示基板 和显示装置。图13为示出根据本发明第四实施例的显示装置的平面图，图 14A和14B分别为沿图13的IVA-IVA，和IVB-IVB，线的截面图。在图13、 14A和14B中，根据本发明第四示范性实施例的第四显示装 置与根据本发明第二示范性实施例的第二显示装置基本相同，除了形成在 第三TFTSW3上的第一间隔物和第一电容器电极。因此，将省略任何进一 步的描述。参照图13、 14A和14B,根据本发明第四示范性实施例的第四显示装置 507包括第四显示基板107、相对基板200和液晶层300。第四显示基板107包括形成在第一TFTSW1和第二TFTSW2上的多个 第二间隔物172以及形成在第三TFTSW3上的多个第一间隔物171。第一 间隔物171可以用作单元间隙间隔物。第四显示基板107还包括第一电 容器电极182,形成在设置于第一TFTSW1上的第二间隔物172上；第二电容器电极184，形成在设置于第二TFTSW2上的第二间隔物172上；以 及第三电容器电极186，形成在设置于第三TFT SW3上的第一间隔物171 上。第一电容器电极182连接到第一像素电极181，第二电容器电极184 连接到第二像素电极183,第三电容器电极186连接到第三像素电极185。 第二间隔物172可以低于第一间隔物171。由此，形成在第一电容器电极 182和第二电容器电极184上的第一配向层190与第二配向层250间隔开第 一距离(x)。形成在第三电容器电极186上的第一配向层190接触第二配 向层250。
第一子电容器由第一电容器电极182、相对基板200的公共电极240、 插设在第一电容器电极182和公共电极240之间的第一配向层190和第二 配向层250以及液晶分子限定。第一存储线121与第一像素电极IS1重叠 以及第四存储线127与第一像素电极181重叠的第一宽度可以被减小，从 而可以提高第一像素区Pl的开口率。
此外，可以通过形成包括第二电容器电极184和公共电极240的第二子 电容器来提高第二像素区P2的开口率。此外，可以通过形成包括第三电容 器电极186和公共电极240的第三子电容器来提高第三像素区P3的开口 率。第三子电容器还可以包括第一间隔物171。第一间隔物171可以保持第 三显示基板107和相对基板200之间的距离。
根据本发明第四示范性实施例的第四显示基板的制造方法与图2A、 2B、 3A、 3B、 4A、 4B、 5A、 5B、 6A和6B中示出的第一显示基板的制造方法 基本相同，除了形成第一间隔物和第二间隔物以外。因此，将省略任何进 一步的描述。
在根据本发明第四示范性实施例的第四显示基板的制造方法中，钝化层 160形成在包括第一TFTSW1、第二TFTSW2和第三TFTSW3的第一基 底110上。光敏有机层(未示出)形成在钝化层160上并采用第四掩模图 案化以形成第一间隔物171和第二间隔物172。
第四掩4莫包括对应于第一 TFT SW1和第二 TFT SW2的第六区以及对应 于第三TFT SW3的第七区。当光敏有机层包括正型光致抗蚀剂合成物时， 第六区可以是部分透光部分，第七区可以是遮光部分。透明电极层形成在 第一基底110上，然后被图案化以形成第一像素电极181、第二像素电极 183和第三像素电极185以及第一电容器电极182、第二电容器电极184和根据本发明的示范性实施例，第一间隔物形成在第一开关元件上，第一 电容器电极形成在第一间隔物上，子电容器由第一电容器电极和公共电极 限定。因此，主电容器的电容量可以被减少掉与子电容器的电容量相等的 电容量。因此，通过减小第一存储线占据的面积可以提高显示装置的开口率。
此外，当第一电容器电极形成在第一开关元件上时，通过在第一开关元 件上设置第一间隔物使得第一开关元件与第一电容器电极彼此绝缘。因此，
可以防止在第一开关元件中形成截止电流(Ioff)，由此可以改善第一开关
元件的电性能。
此外，在多个开关元件中，形成在每个升关元件上的间隔物的高度小于 单元间隙，该单元间隙是显示基板与相对基板之间的距离，因此可以改善 滴入液晶的容限，并可以保护多个间隔物。因此，可以防止形成因改变单
元间隙而产生的瑕疯(stain )。
本领域技术人员应当理解，可以作出各种改进和变化而在不背离本发明 的精神和范围。因此，本发明旨在覆盖本发明的改进和变化，只要它们落 在权利要求及其等同物的范围内。
权利要求
1.一种显示基板，包括第一开关元件；第一间隔物，布置在所述第一开关元件上；第一像素电极，连接到所述第一开关元件的漏极电极；第一电容器电极，连接到所述第一像素电极并布置在所述第一间隔物上；第一存储线，与所述第一像素电极重叠；以及配向层，布置在所述第一像素电极和所述第一电容器电极上。
2. 如权利要求1所述的显示基板，还包括第二像素电极，布置在第二像素区中，该第二像素区邻近基底的布置有 所述第 一像素电极的第 一像素区；第二开关元件，包括连接到所述第二像素电极的漏极电极；第二间隔物，布置在所述第二开关元件上，所述第二间隔物具有与所述 第一间隔物的高度相同的高度；以及第二电容器电极，连接到所述第二像素电极并布置在所述第二间隔物上。
3. 如权利要求2所述的显示基板，还包括第二存储线，与所述第二像素电极重叠，其中所述第二存储线与所述第 二像素电极的重叠面积基本与所述第一像素电极与所述第一存储线的重叠 面积相同。
4. 如权利要求3所迷的显示基板，还包括第三间隔物，该第三间隔物的高度大于所述第一间隔物和所述第二间隔 物的高度。
5. 如权利要求4所述的显示基板，其中所述第一间隔物与所述第三间隔 物的高度差不大于1.0^im。
6. 如权利要求3所述的显示基板，其中所述第一间隔物和所述第二间隔 物起到单元间隙间隔物的作用。
7. 如权利要求1所述的显示基板，还包括第二间隔物，布置在基底的第二像素区中，该第二像素区邻近布置有所述第 一像素电极的第 一像素区，所述第二间隔物的高度大于所述第 一间隔物 的高度。
8. 如权利要求7所述的显示基板，其中所述第二间隔物起到单元间隙间 隔物的作用。
9. 如权利要求8所述的显示基板，还包括 第二像素电极，布置在所述第二像素区中；和第二存储线，与所述第二像素电极重叠，所述第二存储线与所述第二像 素电极的重叠面积比所述第一存储线与所述第一像素电极的重叠面积宽。
10. 如权利要求9所述的显示基板，其中所述第一间隔物与所述第二间 隔物的高度差不大于1.0|im。
11. 如权利要求7所述的显示基板，还包括 第二像素电极，布置在所述第二像素区中；和第二存储线，与所述第二像素电极重叠，所述第二存储线与所述第二像 素电极的重叠面积比所述第一存储线与所述第一像素电极的重叠面积宽。
12. 如权利要求11所述的显示基板，其中所述第一间隔物与所述第二间 隔物的高度差不大于l.Onm。
13. —种显示基板，包括 第一开关元件；第一间隔物，布置在所述第一开关元件上； 第一像素电极，连接到所述第一开关元件的漏极电极； 第 一电容器电极，连接到所述第 一像素电极并布置在所述第 一间隔物 上；和配向层，布置在所述第一像素电极和所述第一电容器电极上。
14. 如权利要求13所述的显示基板，其中所述第一间隔物起到单元间隙 间隔物的作用。
15. 如权利要求14所述的显示基板，还包括与所述第一像素电极重叠的 第一存储线。
16. 如权利要求13所述的显示基板，还包括布置在第二像素区中的单元 间隙间隔物，所述第二像素区邻近布置有所述第 一像素电极的第 一像素区。
17. 如权利要求16所述的显示基板，其中所述第一间隔物与所述单元间 隙间隔物的高度差不大于l.Onm。
18. 如权利要求16所述的显示基板，其中没有电容器电极布置在所述单 元间隙间隔物上，所述显示基;f反还包括第二存储线，该第二存储线与形成在 所述第二像素区上的第二像素电极重叠。
19. 一种显示装置，包括显示基板，包括第一开关元件，连接到第一像素电极；第一间隔物， 布置在所述第一开关元件上；第一电容器电极，连接到所述第一像素电极， 所述第一电容器电极布置在所述第一间隔物上；第一存储线，与所述第一像 素电极重叠；以及第一配向层，布置在所述第一像素电极和所述第一电容器 电极上；和相对基板，与所述显示基板结合，液晶分子设置在所述相对基板与所述 显示基板之间，所述相对基板包括面对所述第一像素电极和所述第一电容器 电极的公共电极以及布置在所述公共电极上的第二配向层。
20. 如权利要求19所述的显示装置，其中所述第一配向层的设置在所述 第一电容器电极上的部分与所述第二配向层接触。
21. 如权利要求20所述的显示装置，其中所述显示基板还包括 第二像素电极，布置在第二像素区中，该第二像素区邻近布置有所述第一像素电极的第一像素区；和第二存储线，与所述第二像素电极重叠，其中所述第 一存储线与所述第 一像素电极的重叠面积与所述第二存储 线与所述第二像素电极的重叠面积基本相同。
22. 如权利要求19所述的显示装置，其中所述第一配向层的设置在所述 第一电容器电极上的部分与所述第二配向层间隔开。
23. 如权利要求22所述的显示装置，其中所述第一配向层的设置在所述 第一电容器电极上的部分与所述第二配向层之间的距离(x)为0<x^l.0^im。
24. 如权利要求23所述的显示装置，其中所述显示基板还包括 第二像素电极，布置在第二像素区中，该第二像素区邻近布置有所述第一像素电极的第一像素区；开关元件，具有连接到所述第二像素电极的漏极电极；第二间隔物，布置在所述第二开关元件上，所述第二间隔物的高度与所述第一间隔物的高度基本相同；以及第二电容器电极，连接到所述第二像素电极，所述第二电容器电极布置在所述第二间隔物上。
25. 如权利要求24所述的显示装置，其中所述显示基板还包括 第三间隔物，布置在信号线连接到所述第一开关元件的区域中，所述第三间隔物的高度大于所述第一间隔物的高度，其中所述第一配向层的设置在所述第三间隔物上的部分接触所述第二 配向层。
26. 如权利要求25所述的显示装置，还包括第二存储线，与所述第二像素电极重叠，其中所述第二像素电极与所述 第二存储线的重叠面积基本等于所述第一像素电极与所述第一存储线的重 叠面积。
27. 如权利要求23所述的显示装置，其中所述显示基板还包括 第二像素电极，布置在第二像素区中，该第二像素区邻近布置有所述第一像素电极的第一像素区；第二开关元件，包括连接到所述第二像素电极的漏极电极；和 第二间隔物，布置在所述第二开关元件上，所述第二间隔物的高度大于所述第一间隔物的高度。
28. 如权利要求27所述的显示装置，还包括第二存储线，与所述第二像素电极重叠，其中所述第二存储线与所述第 二像素电极的重叠面积比所述第一存储线与所述第一像素电极的重叠面积宽。
29. 如权利要求28所述的显示装置，其中所述相对基板还包括 具有选自红色和绿色中的一种颜色的滤色器，布置在所述相对基板的所述第一像素区中；和具有蓝色的滤色器，布置在所述第二像素区中。
30. —种显示装置，包括显示基板，该显示基板包括第一开关元件，连接到第一像素电极；第 一间隔物，布置在所述第一开关元件上；第一电容器电极，连接到所述第一 像素电极，该第一电容器电极布置在所述第一间隔物上；以及第一配向层， 布置在所述第一像素电极和所述第一电容器电极上；和相对基板，与所述显示基板结合，液晶层设置在所述相对基板与所述显 示基板之间，所述相对基板包括面对所述第一像素电极和所述第一电容器电极的公共电极以及布置在所述公共电极上的第二配向层。
31. 如权利要求30所述的显示装置，其中所述第一间隔物起到单元间隙 间隔物的作用。
32. 如权利要求31所述的显示装置，还包括 第一存储线，与所述第一像素电极重叠。
33. 如权利要求30所述的显示装置，还包括单元间隙间隔物，布置在第二像素区中，该第二^f象素区邻近布置有所述 第 一像素电极的第 一像素区。
34. 如权利要求33所述的显示装置，其中所述第一间隔物与所述单元间 隙间隔物的高度差(z)为0<z$1.0,。
35. 如权利要求33所述的显示装置，其中没有电容器电极布置在所述单 元间隙间隔物上，所述显示基板还包括第二存储线，该第二存储线与布置在 所述第二像素区中的第二像素电极重叠。
全文摘要
本发明涉及一种显示基板及具有该显示基板的显示装置，本发明的示范性实施例包括第一开关元件；第一间隔物，布置在第一开关元件上；第一像素电极，连接到第一开关元件；第一电容器电极，连接到第一像素电极并布置在第一间隔物上；第一存储线，与第一像素电极重叠；以及第一配向层，布置在第一像素电极和第一电容器电极上。
文档编号G02F1/1362GK101609237SQ200910145888
公开日2009年12月23日 申请日期2009年6月17日 优先权日2008年6月17日
发明者宋世泳, 申暻周, 蔡钟哲 申请人:三星电子株式会社