主动元件阵列母基板以及显示面板的制作方法

专利名称：主动元件阵列母基板以及显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基板以及显示装置的制造方法，且尤其涉及一种主动元 件阵列母基板以及显示面板的制作方法。
背景技术：
随着计算机性能的大幅进步以及因特网、多媒体技术的高度发展，视频 或影像装置的体积日渐趋于轻薄。在显示器的发展上，随着光电技术与半导体 制造技术的进步，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越 特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。市场对于液晶显示器的性能要求是朝向高对比(high contrast ratio)、 无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮 度高(high luminance)、高色彩丰富度、高色彩饱和度、快速反应与广视角等 特性。目前，能够达成广视角要求的技术有扭转向列型(twist nematic， TN) 液晶加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换型(in-plane switching, IPS)液晶显示器、边际场切换型(fringe field switching)液晶显示器、多域 垂直配向型(multi-domain vertically alignment, MVA)液晶显示器等方式。现有的多域垂直配向式液晶显示面板是利用配向结构(alignment structure)的配置以令不同区域内的液晶分子以不同角度倾倒，而达到广视角 的功效，其中配向结构包括配向凸块(alignment protrusion)以及位于电极上 的配向狭缝(alignment slit)。然而，位于配向凸块与配向狭缝周围的液晶分 子往往因其倾倒方向不明确(disclination)而造成漏光的情形，如此一来，将 导致液晶显示器的显示对比度降低。若为了解决上述漏光的情形而额外配置对 应于配向凸块或配向狭缝的遮光层，则将造成显示开口率的损失。因此， 一种 聚合物稳定配向(Polymer-stablized alignment, PSA)以形成多配向领域的配 向方式被提出，以改善多域垂直配向式液晶显示面板显示对比不佳的问题。一般而言，聚合物稳定配向的方式须先将反应性单体掺杂于液晶层中，并施与液晶层一固化预定电压。在此电压下以一光线照射液晶层，则反应性单体 会聚合并固化，以于液晶层两侧的基板上同时形成聚合物层。传统上，上述施予固化预定电压是经由一配置于主动元件阵列母基板的显 示区外的固化走线而传递至像素阵列，并且，在现有的固化走线中，其是利用 一与主动元件的栅极同时形成的膜层进行制作的。然而，在进行主动元件阵列 母基板的后续工艺(如掺杂工艺)时，此固化走线容易受到后续掺杂工艺的影 响而自基板上剥落，使得固化预定电压无法顺利传递至显示区内的像素电极 上，导致成一整面基板上的液晶层无法被固化配向，严重影响聚合物稳定配向 液晶显示器的良率与制作。因此，如何改进聚合物稳定配向固化线路的设计， 实为目前聚合物稳定配向液晶显示器在制作上亟待克服的课题之一。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种主动元件阵列母基板，以解决聚 合物^l定配向固化线路的固化走线在工艺中剥落等问题。本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种显示面板的制作方法，其 可以避免固化走线受到像素阵列的掺杂工艺的影响，以解决聚合物稳定配向固 化线路的固化走线在工艺中剥落等问题。为实现上述目的，本发明提供一种主动元件阵列母基板。此主动元件阵 列母基板包括基板、多个像素阵列以及聚合物稳定配向固化线路。其中，基板 具有多个面板预定区、 一与面板预定区连接的线路区、 一第一切割线以及一第 二切割线，其中第二切割线与面板预定区的边缘切齐，且第一切割线位于基板 的边缘与第二切割线之间的线路区上。每一像素阵列位于每一面板预定区内， 每一像素阵列具有多个阵列排列的主动元件，且这些主动元件包括一多晶硅 层、 一栅绝缘层、 一栅极层、 一第一介电层、 一源极漏极层，其中多晶硅层位 于基板上，栅绝缘层覆盖多晶硅层，栅极层位于多晶硅层上方的栅绝缘层上， 第一介电层覆盖栅极层，且第一介电层与栅绝缘层具有多个共同暴露出部分多 晶硅层的开口，源极漏极层则位于第一介电层上，并经由第一介电层的开口而 与多晶硅层连接。此外，聚合物稳定配向固化线路配置于线路区上，且聚合物稳定配向固化线路包括多个固化接合垫(curing pad)以及多条固化走线 (curing line)。其中，固化接合垫位于基板边缘与第一切割线之间。特别的是，固化走线具有一上导电层，上导电层与对应的固化接合垫以及对应的像素 阵列连接，且上导电层与源极漏极层为同一膜层。在本发明的一实施例中，上述的第一介电层更位于线路区上，且每一固 化走线包括位于上导电层与基板之间的第一介电层。在本发明的一实施例中，上述的每一固化走线还包括一金属内联机结构(via structure)。此金属内联机结构邻近对应的像素阵列，且每一固化走 线的上导电层经由金属内联机结构而与对应的像素阵列电性连接。更进一步而 言，第一介电层更位于金属内联机结构中，且金属内联机结构具有一下导电层， 其中下导电层与栅极层为同一膜层，且上导电层、第一介电层以及下导电层构 成金属内联机结构。在每一金属内联机结构中，第一介电层具有一暴露出下导 电层的接触窗，且上导电层通过接触窗与下导电层连接。在本发明的一实施例中，上述的每一像素阵列包括多个分别与对应的主 动元件电性连接的像素电极，且像素电极与固化接合垫电性连接。在本发明的一实施例中，上述的每一固化接合垫包括一介电图案、 一第一导电图案以及一第二导电图案。具体而言，介电图案位于基板上，其中固化接合垫的介电图案与主动元件的第一介电层为同一膜层。第一导电图案位于介电图案上，且第一导电图案与源极漏极层为同一膜层。第二导电图案位于第一导电图案上，且第二导电图案与像素电极为同一膜层。值得一提的是，聚合物稳定配向固化线路还可以包括一第二介电层，其中第二介电层覆盖固化走线，并暴露出每一固化接合垫的第二导电图案。在本发明的一实施例中，上述的多晶硅层具有多个多晶硅岛，多晶硅岛 分别具有一通道区以及位于通道区两侧的一源极区以及一漏极区，且源极区与漏极区的材质为掺杂的多晶硅。更详细而言，在上述的各主动元件中，第一介 电层的开口位于栅极层的两侧，且第一介电层的开口与栅绝缘层共同暴露出源 极区以及漏极区，源极漏极层经由第一介电层的开口以与栅绝缘层而分别与每 一多晶硅岛中的源极区以及漏极区电性连接。在本发明的一实施例中，上述的固化走线的线宽范围实质上约为200微 米至10000微米。在本发明的一实施例中，上述的每一面板预定区包括像素阵列的其中之 一以及一位于像素阵列外围的驱动电路区，驱动电路区位于像素阵列与线路区之间。而且，为实现上述目的，本发明另提出一种显示面板的制作方法。此显 示面板的制作方法包括下列步骤。首先，提供一主动元件阵列母基板，其中形 成主动元件阵列母基板的方法例如可先提供一基板，其中基板具有多个面板预 定区、 一与面板预定区连接的线路区、 一第一切割线以及一第二切割线，第二 切割线与面板预定区的边缘切齐，且第一切割线位于基板的边缘与第二切割线 之间的线路区上。接着，于基板的面板预定区中分别形成多个像素阵列，并且 于线路区上形成一聚合物稳定配向固化线路。更具体而言，在上述步骤中所形 成的每一像素阵列具有多个阵列排列的主动元件，且聚合物稳定配向固化线路 包括多个固化接合垫以及多条固化走线，其中固化接合垫形成于基板边缘与第 一切割线之间，固化走线与对应的固化接合垫以及对应的像素阵列连接。在上 述步骤中，形成主动元件以及聚合物稳定配向固化线路的方法包括下列步骤。 首先，形成一多晶硅层于每一面板预定区的基板上，其中多晶硅层具有多个多 晶硅岛。接着，形成一栅绝缘层覆盖多晶硅层。的后，形成一栅极层于多晶硅 层上方的栅绝缘层上。继之，进行一掺杂工艺，以于每一多晶硅岛中形成一源 极区、 一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的通道区。之后，形成一第一介 电层覆盖栅极层，且第一介电层具有多个分别暴露出部分源极区与漏极区的开 口。接着，于上述的掺杂工艺进行后，同时形成一源极漏极层以及一上导电层， 其中源极漏极层形成于第一介电层上，并经由第一介电层的开口而分别与每一 多晶硅岛中的源极区以及漏极区电性连接，上导电层形成于线路区上，其中形 成于基板边缘与第一切割线之间的上导电层构成固化接合垫，且连接于对应的 固化接合垫以及对应的像素阵列之间的上导电层构成固化走线。在形成上述的主动元件阵列母基板之后，接着提供一平行主动元件阵列 母基板的对向基板。之后，形成一液晶层于主动元件阵列母基板与对向基板之 间，其中液晶层中具有多个可聚合单体，分布于液晶层中。接着，输入一固化 预定电压至固化接合垫，其中固化预定电压经由固化走线的上导电层而传递至 对应的像素阵列中，以与对向基板形成一电压差，可聚合单体依据电压差倾倒 一角度。之后，提供一紫外光，照射于倾倒角度的液晶层中。继之，沿第一切 割线移除固化接合垫，以及沿第二切割线将面板预定区彼此分离，以使每一显 示面板形成于对应的每一面板预定区中。基于上述，本发明的主动元件阵列母基板中的固化走线与主动元件的源 极漏极层配置于同一膜层，因此，可以避免固化走线在制作过程中受到掺杂工 艺的影响，解决聚合物稳定配向固化线路的固化走线产生剥落等问题。此外， 在本发明的显示面板的制作方法中，构成固化走线的上导电层以及主动元件的 源极漏极层是在掺杂工艺之后所形成，因而可以有效避免固化走线受到像素阵 列的掺杂工艺的影响，解决固化走线剥落等问题，维持聚合物稳定配向固化线 路的正常运作。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的 限定。


图1为本发明一实施例的主动元件阵列母基板的示意图；图2A与图2B分别为本发明一实施例的主动元件阵列母基板的局部剖面示意图；图3A 图3E为本发明一实施例的主动元件阵列母基板的制作方法； 图4为本发明一实施例的主动元件阵列母基板上的聚合物稳定配向固化 线路示意图；图5为图4中的金属内联机结构的剖面示意图；图6A 图6D为本发明一实施例的显示面板的制作方法。其中，附图标记200:主动元件阵列母基板210:212C:线路区212P220:像素阵列230:232:固化接合垫234:234A:上导电层240:242:多晶硅层243:244:栅极层245:246:源极漏极层242C242D:漏极区2421242S:源极区246Di极导体246S:源极导体 260:第二介电层
250:驱动电路区 270:像素电极 330:接触窗
422:可聚合单体
Cl:第一切割线
310:金属内联机结构 410:对向基板
434:液晶聚合物层
C2:第二切割线 H:开口
D:掺杂工艺 UV:紫外光 AV:电压差
V:固化预定电压
具体实施例方式
本发明提出一种布局于主动元件阵列母基板上的聚合物稳定配向固化线 路，在现有的工艺中，考虑基板上的线路布局以及调和各道工艺对于固化走线 的冲击，本发明的主动元件阵列母基板利用适当膜层作为固化走线，以改善现 有的固化走线受到后续如掺杂工艺的波及，进而避免导致固化走线剥落的问 题。此外，在本发明的显示面板的制造方法中，固化走线的形成工艺是在主动 元^^的掺杂工艺后进行的，可以有效解决现有固化走线的剥落问题。以下将列 举些许实施例搭配图式详细说明本发明的固化走线以及使用该固化走线的主 动元件阵列母基板。
图l为本发明一实施例的主动元件阵列母基板的示意图。请参照图l,此 主动元件阵列母基板200包括一基板210、配置于基板210上的多个像素阵列 220以及聚合物稳定配向固化线路230。如图l所示，基板210可依据产品而 划分为多个面板预定区212P以及一与面板预定区212P连接的线路区212C， 并且基板210上具有一第一切割线C1以及一第二切割线C2，其中第二切割线 C2与面板预定区212P的边缘切齐，且第一切割线Cl位于基板210的边缘与 第二切割线C2之间的线路区212C上。
此外，每一像素阵列220位于每一面板预定区212P内，且每一像素阵列 220具有多个阵列排列的主动元件240。如图1所示，在基板210的线路区212C 上设置对应于各像素阵列220的多个聚合物稳定配向固化线路230，其中聚合 物稳定配向固化线路230包括多个固化接合垫232 (curing pad)以及多条固化 走线234(curing line)。固化接合垫232位于基板210边缘E与第一切割线Cl之间。值得注意的是，固化走线234具有一上导电层234A (绘示于2A中)， 且固化走线234的上导电层234A (绘示于2A中)与对应的固化接合垫232以 及对应的像素阵列220连接。在介绍固化走线234与主动元件240的膜层结构 之前，先说明主动元件阵列母基板上各构件的布局方式。
具体来说，以图1中标示为面板预定区212P'为例，说明面板预定区212P 的范围，在面板预定区212P'中包括像素阵列220以及一位于像素阵列220外 围的驱动电路区250，驱动电路区250位于像素阵列220与线路区212C之间。 祥言之，当主动元件阵列母基板200用于制作成显示面板时，像素阵列220 将位于显示面板的显示区，用以显示影像。
更详细来说，如图1的放大图所示，每一像素阵列220包括多个分别与对 应的主动元件240电性连接的像素电极270，固化接合垫232 (譬如是RGB固 化接合垫)举例是与像素电极270电性连接，此外，若固化接合垫232为栅固 化接合垫(或是共通固化接合垫)，则是与栅极线(或共通线)电性连接。在进行 聚合物稳定配向的固化工艺中，聚合物稳定配向固化线路230用以传递一固化 预定电压至对应的像素阵列220中，而在像素阵列220的像素电极270与对向 电极阵列之间形成一电场，以使得液晶层的液晶分子随着此电场的作用而倾倒 一特定角度，并经由如照光等固化工艺后，而使液晶层边界的液晶分子形成一 具有预倾角的液晶聚合物层。在信号的传递路径上，聚合物稳定配向固化线路 230中的固化接合垫232为进行聚合物稳定配向的液晶单体固化(PSAmonomer curing process)工艺时，固化接合垫232譬如可直接与外加电源接触，以接 收外加电源所输入的固化预定电压，而此固化预定电压再经由固化走线234 而传递至对应的像素阵列220中。主动元件阵列母基板200是利用一与主动元 件240的源极漏极层246 (绘示于图2A)为同一膜层的上导电层234A (绘示 于图2A)来制作固化走线234，以解决现有的固化走线因剥落而导致整面液晶 层无法被固化配向的问题。
以下将以图1所示的主动元件阵列母基板200为例，列举几例并详细说 明固化走线234的膜层以及主动元件240的膜层的结构，请参照图2A与图2B, 下文将一并说明。为了清楚说明固化走线以及主动元件的膜层结构以及膜层之 间的相对位置关系，在图2A与图2B中仅示意性地绘示出各膜层的堆栈关系及 相对位置，而省略了主动元件阵列母基板200上其它可能构件的绘示。请参照图1与图2A，特别的是，固化走线234的上导电层234A与主动元 件240中的源极漏极层246为同一膜层，而固化走线234与主动元件240的膜 层结构将详述于下文。
请参照图2A，在本实施例中，主动元件240例如是顶栅极型的多晶硅薄 膜晶体管。具体而言，主动元件240大体上可由一多晶硅层242、 一栅绝缘层 243、 一栅极层244、 一第一介电层245以及一源极漏极层246所构成。如图 2A所示，多晶硅层242位于基板210上，栅绝缘层243覆盖多晶硅层242,栅 极层244位于多晶硅层242上方的栅绝缘层243上，第一介电层245覆盖栅极 层244，且第一介电层245与该栅绝缘层243具有多个共同暴露出部分多晶硅 层242的开口H,源极漏极层246则位于第一介电层245上，并经由第一介电 层245的开口H而与多晶硅层242连接。另一方面，如图2A所示，固化走线 234则由上导电层234A所构成，其中固化走线234的上导电层234A与主动元 件240的源极漏极层246属于同一膜层，因此在图中以相同的填满表示。此处 所谓同一膜层是指上导电层234A与源极漏极层246是利用同一道光掩模工艺 所制作完成的，因此，即使二者在基板210上的高度平面不同，也可谓之同一 膜层。
请参照图2B，其绘示本发明另一实施例的固化走线234与主动元件240 的剖面示意图。请参照图2B，基于进一步保护固化走线234结构的考虑，设 计者也可以将用以覆盖主动元件240的第二介电层260,进一步地覆盖在固化 走线234的上导电层234A上，如图2B所示。当然，设计者也可以基于其它设 计需求，如增加附着力、避免基板210中的杂质扩散至上导电层234A而影响 其信号传递效率等，更可于固化走线234的上导电层234A与基板210之间设 置第一介电层245,换言之，第一介电层245的成膜领域可布局于面板预定区 212P的主动元件240中，以及扩及线路区212C的固化走线234中，使得每一 固化走线234包括位于上导电层234A与基板210之间的第一介电层245。
为了更明确地描述本实施例的制作方法，以下将以图2B所示的主动元件 阵列母基板200为例，详细说明固化走线以及主动元件的制作方法，请参照图 3A 图犯，下文将一并说明。
请先参照图3A，形成一多晶硅层242于每一面板预定区212P的基板210 上，且多晶硅层242具有多个多晶硅岛2421，而图3A中仅示意性地绘示一个多晶硅岛2421为例进行说明。接着，于多晶硅层242上形成一栅绝缘层243， 以覆盖多晶硅岛2421。
接着，请参照图3B，于栅绝缘层243上形成一栅极层244，且栅极层244 位于多晶硅岛2421的上方。继之，进行一掺杂工艺D，以于每一多晶硅岛2421 中形成一源极区242S、 一漏极区242D以及位于源极区242S与漏极区242D之 间的通道区242C，其中源极区242S与漏极区242D的材质例如是掺杂多晶硅。 值得注意的是，此时，位于线路区212C上的固化走线234 (绘示于图2B)尚 未形成，因此，即使在进行主动元件240工艺中较具冲击力的掺杂工艺D时， 也不会对尚未成膜的固化走线造成不良的影响。
之后，如图3C所示，于栅绝缘层243上形成一第一介电层245,以覆盖 栅极层244，在本实施例中，第一介电层245也会同时形成于线路区212C中 预定形成固化走线234的区域。并且，第一介电层245与栅绝缘层243中具有 多个分别暴露出部分源极区242S与漏极区242D的开口 H。
继之，如图3D所示，于第一介电层245上形成源极漏极层246，并同时 于预定形成固化走线234的区域上形成上导电层234A,其中源极漏极层246 经由第一介电层245的开口 H而分别与每一多晶硅岛2421中的源极区242S 以及漏极区242D电性连接。更具体来说，源极漏极层246包括源极导体246S 以及漏极导体246D,其中源极导体246S经由第一介电层245的开口 H而与每 一多晶硅岛2421中的源极区242S连接，而漏极导体246D经由第一介电层245 的另一开口H而与每一多晶硅岛242I中的漏极区242D连接。另一方面，形成 于基板210边缘与第一切割线Cl之间的上导电层234A构成固化接合垫232， 且连接于对应的固化接合垫232以及对应的像素阵列220之间的上导电层 234A构成固化走线234。值得注意的是，在实际工艺中，位于线路区212C上 的固化走线234的上导电层234A是在主动元件240的掺杂工艺D之后才形成 的，因此即使在主动元件阵列母基板200上进行对膜层较具冲击力的掺杂工艺 D，也不会影响在其之后才形成的上导电层234A。
接着，如图3E所示，于主动元件240以及固化走线234上形成一第二介 电层260，并且第二介电层260具有暴露出漏极导体的开口H。之后，于第二 介电层260上形成像素电极270,且像素电极270经由第二介电层260的开口 H而与漏极导体246D连结。借此，由于固化走线234上用以传递信号的上导电层234A是与主动元件240的源极漏极层246属于同一膜层，在实际的制作流程中，上导电层234A与源极漏极层246是在主动元件240的掺杂工艺之后所形成的，如此一来，固化走线234的上导电层234A可以免于掺杂工艺中掺质粒子的冲击，进而有效解决现有固化走线234剥落的问题。
为了更明确地描述本发明的主动元件阵列基板，以下将以图4来详细说明聚合物稳定配向固化线路的布局。
图4为本发明一实施例的主动元件阵列母基板上的聚合物稳定配向固化线路示意图，其中图4为图1中位于线路区上的聚合物稳定配向固化线路230局部放大示意图。请参照图4，聚合物稳定配向固化线路230上的固化接合垫232是位于基板210边缘与第一切割线Cl之间，且实务上在完成后续特定的工艺后，通过沿第一切割线Cl进行切割而移除固化接合垫232或其它线路。另一方面，固化走线234大体位于第二切割线C2以及固化接合垫232之间，且当主动元件240阵列基板210应用至显示面板时，在完成大部分的制作流程后，沿着第二切割线C2进行切割而将面板预定区212P彼此分离，以使每一显示面板形成于对应的每一面板预定区212P中。
此外，如图4所示，固化走线234将来自固化接合垫232的固化预定电压传递至对应的像素阵列220中。并且，在本实施例中，固化走线234的上导电层234A例如是通过跳线设计而与像素阵列220电性连接。祥言之，每一固化走线234还包括一金属内联机结构310 (via structure),此金属内联机结构310邻近对应的像素阵列220,且每一固化走线234的上导电层234A经由金属内联机结构310而与对应的像素阵列220中的像素电极270电性连接。
更进一步而言，图5为图4中的金属内联机结构的剖面示意图，其中图5 —并绘示出本发明的实施例中的固化接合垫232、像素阵列220的其中一像素结构以及金属内联机结构310的剖面示意图。请参照图5，详细说明金属内联机结构一实施例的结构。在本实施例中，第一介电层245更位于金属内联机结构310中，其中金属内联机结构310具有一与栅极层244为同一膜层的下导电层320,且上导电层234A、第一介电层245以及下导电层320构成金属内联机结构310，在每一金属内联机结构310中，第一介电层245具有一暴露出下导电层320的接触窗，且上导电层234A通过接触窗330与下导电层320连接。并且，如图5所示，以下详细说明固化接合垫232 —实施例的结构。在本实施例中，每一固化接合垫232包括一介电图案232A、一第一导电图案232B以及一第二导电图案232C。具体而言，介电图案232A位于基板210上，且介电图案232A与第一介电层245为同一膜层，换句话说，在本实施例中，固化接合垫232的介电图案232A、固化走线234的第一介电层245以及主动元件240中的第一介电层245属于同一膜层，并且三者可通过同一光掩模工艺完成制作。如图5所示，第一导电图案232B位于介电图案232A上，且第一导电图案232B与源极漏极层246可通过同一光掩模工艺来进行制作而为同一膜层。此外，第二导电图案232C位于第一导电图案232B上，且第二导电图案232C与像素电极270可通过同一光掩模工艺来进行制作而为同一膜层。值得一提的是，如同前述，聚合物稳定配向固化线路230还可以包括一第二介电层260，其中第二介电层260覆盖固化走线234，并暴露出每一固化接合垫232的第二导电图案232C。并且，在本实施例中，固化走线234的线宽范围实质上约为200微米至10000微米。
以下将以前述图1与图2B所绘示的主动元件阵列母基板200为例，说明利用主动元件阵列母基板制作出显示面板的制作方法，请参照图6A 图6D并搭配图l，下文将一并说明。
首先，请参照图6A与图1，提供一主动元件阵列母基板200，其中形成主动元件阵列母基板200的方法例如可先提供一基板210,而在此基板210上事先规划多个面板预定区212P、 一与面板预定区212P连接的线路区212C、 一第一切割线Cl以及一第二切割线C2，其中第二切割线C2与面板预定区212P的边缘切齐，且第一切割线Cl位于基板210的边缘与第二切割线C2之间的线路区212C上。
接着，于基板210的面板预定区212P中分别形成多个像素阵列220，并且于线路区212C上形成一聚合物稳定配向固化线路230。更具体而言，像素阵列220与聚合物稳定配向固化线路230的形成方式如前述的图3A 图犯所述，不再赘述。并且，在形成上述的主动元件阵列母基板200之后，提供一平行主动元件阵列母基板200的对向基板410。
之后，如图6B所示，形成一液晶层420于主动元件阵列母基板200与对向基板410之间，其中液晶层420中具有多个可聚合单体422，分布于 晶层420中。
接着，如图6C所示，自固化接合垫232输入一固化预定电压V，其中固化预定电压V经由固化走线234的上导电层234A而传递至对应的像素阵列220中，以与对向基板410之间形成一电压差AV。可聚合单体422则依据此电压差A V倾倒一特定角度，其中可令此角度为液晶分子长轴中心线与基板之间的夹角。之后，提供一紫外光UV，照射于具有上述倾倒角度的液晶层420中，以使液晶层420中边界的部分可聚合单体422进行一聚合反应，因而使得液晶层中的可聚合单体422依据上述的倾倒角度形成一具有预倾角的液晶聚合物层434。
继之，如图6D所示，在沿第一切割线Cl移除固化接合垫232,以及沿第二切割线C2将面板预定区212P彼此分离之后，每一显示面板则形成于对应的每一面板预定区212P中，其中切割第一切割线Cl以及切割第二切割线C2的步骤可为同时或依序，也就是先切割第一切割线Cl再在切割第二切割线C2或是先切割第二切割线C2再切割第一切割线C1，在此并不局限。因此，通过选用适当膜层作为聚合物稳定配向固化线路230的固化走线234，可以防止现有固化走线234剥落的问题，以使显示面板在原有的制作流程下，提高产品良率。
综上所述，本发明的主动元件阵列母基板以及显示面板的制作方法中，一并考虑工艺因素，将固化走线与主动元件的源极漏极层设计成相同的膜层。借此，由于固化走线的上导电层是在主动元件的掺杂工艺之后才形成的，因此可以有效避免固化走线遭受掺杂工艺的破坏，维持聚合物稳定配向固化线路的正常运作。如此一来，可以利用现有工艺来顺利进行液晶层的固化配向工艺，提高产品良率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种主动元件阵列母基板，其特征在于，包括一基板，具有多个面板预定区、一与该些面板预定区连接的线路区、一第一切割线以及一第二切割线，其中该第二切割线与该面板预定区的边缘切齐，且该第一切割线位于该基板的边缘与该第二切割线之间的线路区上；多个像素阵列，其中每一像素阵列位于每一面板预定区内，每一像素阵列具有多个阵列排列的主动元件，且该些主动元件包括一多晶硅层，位于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该多晶硅层；一栅极层，位于该多晶硅层上方的该栅绝缘层上；一第一介电层，覆盖该栅极层，且该第一介电层与该栅绝缘层具有多个暴露出部分该多晶硅层的开口；以及一源极漏极层，位于该第一介电层上，并经由该第一介电层的该些开口而与该多晶硅层连接；以及一聚合物稳定配向固化线路，配置于该线路区上，其中该聚合物稳定配向固化线路包括多个固化接合垫，位于该基板边缘与该第一切割线之间；以及多条固化走线，具有一上导电层，该上导电层与对应的该些固化接合垫以及对应的该像素阵列连接，且该上导电层与该源极漏极层为同一膜层。
2. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该第一介 电层更位于该线路区上，且每一固化走线包括位于该上导电层与该基板之间的 该第一介电层。
3. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一固化 走线还包括一金属内联机结构，邻近对应的该像素阵列，且每一固化走线的该 上导电层经由该金属内联机结构与对应的该像素阵列电性连接。
4. 根据权利要求3所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该第一介 电层更位于该些金属内联机结构中，且该些金属内联机结构具有一下导电层， 其中该下导电层与该栅极层为同一膜层，且该上导电层、该第一介电层以及该下导电层构成该些金属内联机结构，在每一金属内联机结构中，该第一介电层 具有一暴露出该下导电层的接触窗，且该上导电层通过该接触窗与该下导电层 连接。
5. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一像素 阵列包括多个分别与对应的主动元件电性连接的像素电极，且该些像素电极与 该些固化接合垫电性连接。
6. 根据权利要求5所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一固化接合垫包括一介电图案，位于该基板上，其中该介电图案与该第一介电层为同一膜层；一第一导电图案，位于该介电图案上，且该第一导电图案与该源极漏极 层为同一膜层；以及一第二导电图案，位于该第一导电图案上，且该第二导电图案与该些像 素电极为同一膜层，其中该聚合物稳定配向固化线路还包括一第二介电层，覆 盖该些固化走线，并暴露出每一固化接合垫的该第二导电图案。
7. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该多晶硅 层具有多个多晶硅岛，该些多晶硅岛分别具有一通道区以及位于该通道区两侧 的一源极区以及一漏极区，且该些源极区与该些漏极区的材质为掺杂的多晶 硅，.其中在各主动元件中，该第一介电层的该些开口位于该栅极层的两侧，且 该第一介电层的开口与该栅绝缘层共同暴露出该源极区以及该漏极区，该源极 漏极层经由该第一介电层的该些开口以及该栅绝缘层而分别与每一多晶硅岛 中的该源极区以及该漏极区电性连接。
8. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该些固化 走线的线宽范围为200微米至10000微米。
9. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一面板 预定区包括该些像素阵列的其中之一以及一位于该像素阵列外围的驱动电路 区，该些驱动电路区位于该些像素阵列与该线路区之间。
10. —种显示面板的制作方法，其特征在于，包括 提供一主动元件阵列母基板，其中形成该主动元件阵列母基板的方法包括提供一基板，该基板具有多个面板预定区、 一与该些面板预定区连 接的线路区、 一第一切割线以及一第二切割线，该第二切割线与该面板 预定区的边缘切齐，且该第一切割线位于该基板的边缘与该第二切割线之间的线路区上；以及分别形成多个像素阵列于该基板的该些面板预定区中，且形成一聚 合物稳定配向固化线路于该线路区上，其中每一像素阵列具有多个阵列 排列的主动元件，该聚合物稳定配向固化线路包括多个固化接合垫以及 多条固化走线，该些固化接合垫形成于该基板边缘与该第一切割线之 间，该些固化走线与对应的该些固化接合垫以及对应的该像素阵列连 接，且形成该些主动元件以及该聚合物稳定配向固化线路的方法包括 形成一多晶硅层于每一面板预定区的该基板上，其中该多晶 硅层具有多个多晶硅岛；形成一栅绝缘层覆盖该多晶硅层； 形成一栅极层于该多晶硅层上方的该栅绝缘层上； 进行一掺杂工艺，以于每一多晶硅岛中形成一源极区、 一漏 极区以及位于该源极区与该漏极区之间的通道区；形成一第一介电层覆盖该栅极层，且该第一介电层具有多个 分别暴露出部分该源极区与该漏极区的开口；以及于该掺杂工艺后，同时形成一源极漏极层以及一上导电层， 其中该源极漏极层形成于该第一介电层上，并经由该第一介电层 的该些开口而分别与每一多晶硅岛中的该源极区以及该漏极区电 性连接，该上导电层形成于该线路区上，其中形成于该基板边缘 与该第一切割线之间的该上导电层构成该些固化接合垫，且连接 于对应的该些固化接合垫以及对应的该像素阵列之间的该上导电 层构成该些固化走线； 提供一对向基板，平行该主动元件阵列母基板；形成一液晶层于该主动元件阵列母基板与该对向基板之间，其中该液晶 层中具有多个可聚合单体，分布于该液晶层中；输入一固化预定电压至该些固化接合垫，其中该固化预定电压经由该些 固化走线的该上导电层而传递至对应的像素阵列中，以与该对向基板形成一电压差，该些可聚合单体依据该电压差倾倒一角度；提供一紫外光，照射于倾倒该角度的该液晶层中； 沿该第一切割线移除该些固化接合垫；以及沿该第二切割线将该些面板预定区彼此分离，以使每一显示面板形成于 对应的每一面板预定区中。
全文摘要
本发明公开了一种主动元件阵列母基板，其包括基板、多个像素阵列以及聚合物稳定配向固化线路。基板具有多个面板预定区、一线路区、一第一切割线以及一第二切割线，其中第一切割线位于基板的边缘与第二切割线之间的线路区上。像素阵列中的主动元件具有多晶硅层。聚合物稳定配向固化线路位于线路区上，并包括多个固化接合垫与多条固化走线，其中固化接合垫位于基板边缘与第一切割线之间。固化走线具有一与对应的固化接合垫以及对应的像素阵列连接的上导电层，且上导电层与源极漏极层为同一膜层。因此，固化走线可避免产生剥落等问题，维持聚合物稳定配向固化线路的正常运作。
文档编号G02F1/1362GK101661203SQ200910170768
公开日2010年3月3日 申请日期2009年9月11日 优先权日2009年9月11日
发明者徐文斌, 许宗义, 赵之尧, 陈育懋 申请人:友达光电股份有限公司