专利名称：提高掩膜临界尺寸均匀度的方法
技术领域：
本发明涉及硅半导体器件技术领域，特别涉及提高掩膜临界尺寸均勻度(critital dimension uniformity, CDU)的方法。
背景技术：
随着晶 圆上临界尺寸的持续缩小，对掩膜(mask)的临界尺寸的精度要求也越来 越高，而掩膜的CDU是一个重要的衡量指标。一般，在掩膜的制造过程中，首先提供透 明基板，在该透明基板上先形成金属层，然后在该金属层上形成光刻胶层，通过在特定 区域曝光以及显影，将部分区域的光刻胶层移除并露出被移除的光刻胶层下的金属层。 之后再通过干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺刻蚀掉露出的金属层。完全去除光刻胶层后，在 透明基板上便形成了遮光与透光的图案，最后再加上透明的保护膜，至此便完成了掩膜 的制作。因此，在掩膜的每一制造步骤中，都存在许多影响CDU的因素，包括电子束曝 光、显影以及刻蚀等。例如，图1为掩膜制作过程中显影步骤的示意图。如图1所示， 在显影步骤中，形成有金属层和光刻胶层的基板11放置在载物台12上，载物台12由连 接到旋转电机(未图示)的转杆14支撑，旋转电机控制转杆14带动载物台12和基板11 旋转。在载物台12上方还设有喷射显影液到基板11上的喷嘴13。通过调整载物台12 的高度可以控制显影液喷射到基板11上的落点，且通过旋转基板11可以使落点处的显影 液流动到基板11上的其它区域。然而，由于落点处的显影液更新速度比其它区域快， 而且落点处的显影液的量比其它区域也多，因此会造成临界尺寸在径向方向上的分布差 异，即掩膜CDU的降低。此外，CDU还受形成有金属层和光刻胶层的基板的保存环境 影响。例如，当保存环境为空气时，表面的光刻胶层会受到空气中的氨的侵蚀，这也会 影响到光刻胶层的质量，进而导致掩膜CDU的降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高掩膜临界尺寸均勻度的方法，以解决现有技术 中由掩膜的制造流程造成的掩膜临界尺寸均勻度降低的问题。本发明提供一种提高掩膜临界尺寸均勻度的方法，包括步骤1，提供用于制作掩膜的至少两块测试板，将所述至少两块测试板划分成固 定值的多个区域，并设定所述每个区域的初始光刻能量，其中，所述固定值选取为使得 相邻两个区域能反应出临界尺寸的细微变化；步骤2，将所述至少两块测试板按照所述初始光刻能量制作成掩膜，并测试所述 每个区域的临界尺寸；步骤3，计算所述每个区域的临界尺寸的平均值，得到初始临界尺寸表；步骤4，选取任一区域为基准区域，根据所述初始临界尺寸表计算所述每个区域 与所述基准区域的临界尺寸差值，得到初始临界尺寸差值表；步骤5，根据所述初始临界尺寸差值表计算初始光刻能量修正表，并修正所述每个区域的初始光刻能量，得到修正后的光刻能量表；步骤6，提供用于制作掩膜的又一块测试板，将所述又一块测试板按照修正后的 光刻能量表制作成掩膜，并测试所述每个区域的临界尺寸，得到临界尺寸表； 步骤7，根据所述临界尺寸表计算所述每个区域与所述基准区域的临界尺寸差 值，得到临界尺寸差值表；步骤8，判断所述临界尺寸差值表是否符合工艺要求，如果符合，至此结束，如 果不符合，根据所述临界尺寸差值表计算光刻能量修正表，并修正所述每个区域的光刻 能量，得到修正后的光刻能量表，并跳转到步骤6。优选的，所述光刻能量表中的光刻能量必须满足最小光刻能量要求，同时又不 能过大而使得光刻边界过于粗糙。优选的，所有测试板为形成有金属层和光刻胶层的基板。与现有技术相比，本发明提供的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法，通过将掩膜 临界尺寸的差异分布反馈到掩膜制作过程中的光刻步骤，进而调整光刻步骤的光刻能量 分布，达到提高掩膜临界尺寸均勻度的目的。
图1为掩膜制作过程中显影步骤的示意图；图2为根据本发明的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法的流程图；图3为根据本发明的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法的实施例的设定将掩膜划 分成100个区域的示意图以及掩膜在每个区域中的结构示意图；图4为采用根据本发明的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法前后的掩膜的临界尺 寸三维分布图。
具体实施例方式为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步的说明。在背景技术中已经提及，在掩膜的制作过程中，都存在许多影响掩膜临界尺寸 均勻度的因素，导致掩膜临界尺寸均勻度偏低。本发明的核心思想在于，通过将掩膜临界尺寸的差异分布反馈到掩膜制作过程 中的光刻步骤，进而调整光刻步骤的光刻能量分布，达到提高掩膜临界尺寸均勻度的目 的。图2为根据本发明提供的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法的流程图，包括Sl 提供用于制作掩膜的至少两块测试板，将所述至少两块测试板划分成固定 值的多个区域，并设定所述每个区域的初始光刻能量，其中，所述固定值选取为使得相 邻两个区域能反应出临界尺寸的细微变化。本实施例中，设定将所述至少两块测试板沿 横向和纵向划分成IOX 10矩阵，即划分成100个区域，如图3所示。所述至少两块测试 板的每个对应区域的初始光刻能量相等。S2 将所述至少两块测试板按照所述初始光刻能量制作成掩膜，并测试所述每 个区域的临界尺寸。图3还显示了制成的掩膜在每个区域中的结构示意图，包括遮光区域21和透光区域22。优选的，所述测试板为形成有金属层和光刻胶层的基板，此时遮光 区域21为金属层。本实施例中，测得的临界尺寸为金属层的临界尺寸，即形成的金属层 图案的宽度。S3:计算所述每个区域的临界尺寸的平均值，得到初始临界尺寸表。例如， 其中一块测试板第一区域的临界尺寸为第一数值，另一块测试板第一区域的临界尺寸为 第二数值，则所述第一区域的临界尺寸的平均值为所述第一数值和所述第二数值的平均 值。这是为了确认掩膜制作过程是稳定的，即所述第一数值和所述第二数值之间相差不 大。S4 选取任 一区域为基准区域，根据所述初始临界尺寸表计算所述每个区域与 所述基准区域的临界尺寸差值，得到初始临界尺寸差值表。S5 根据所述初始临界尺寸差值表计算初始光刻能量修正表，并修正所述每个 区域的初始光刻能量，得到修正后的光刻能量表。例如，在本实施例中，如果某个区域 比基准区域的金属层的临界尺寸大，说明可以通过增加这个区域的光刻能量来减小临界 尺寸，进而减小与基准区域的临界尺寸差值。反之，如果某个区域比基准区域的金属层 的临界尺寸小，说明可以通过减小这个区域的光刻能量来增大临界尺寸，进而减小与基 准区域的临界尺寸差值。对于某一具体的光刻条件，包括曝光光源、光刻胶层种类等， 光刻能量的变化量与临界尺寸的调整量之间的关系是一定的，因此根据临界尺寸差值就 可以计算出需要修正多少光刻能量。优选的，所述修正后的光刻能量表中的光刻能量必 须满足最小光刻能量要求，即光刻能量必须能形成光刻胶层图案，同时又不能过大而使 得光刻边界过于粗糙。S6提供用于制作掩膜的又一块测试板，将所述又一块测试板按照修正后的光 刻能量表制作成掩膜，并测试所述每个区域的临界尺寸，得到临界尺寸表。S7 根据所述临界尺寸表计算所述每个区域与所述基准区域的临界尺寸差值， 得到临界尺寸差值表。S8判断所述临界尺寸差值表是否符合工艺要求，如果符合，至此结束，如果 不符合，根据所述临界尺寸差值表计算光刻能量修正表，并修正所述每个区域的光刻能 量，得到修正后的光刻能量表，并跳转到S6。根据具体工艺的要求不同，临界尺寸差值 表中的所有差值必须控制在不同的范围内。表1显示了本实施例的划分成100个区域的掩膜的某次得到的光刻能量修正表。 表中，“ + ”代表增大光刻能量，“_”代表减小光刻能量。表 权利要求
1.一种提高掩膜临界尺寸均勻度的方法，其特征在于，包括步骤1，提供用于制作掩膜的至少两块测试板，将所述至少两块测试板划分成固定值 的多个区域，并设定所述每个区域的初始光刻能量，其中，所述固定值选取为使得相邻 两个区域能反应出临界尺寸的细微变化；步骤2，将所述至少两块测试板按照所述初始光刻能量制作成掩膜，并测试所述每个 区域的临界尺寸；步骤3，计算所述每个区域的临界尺寸的平均值，得到初始临界尺寸表； 步骤4，选取任一区域为基准区域，根据所述初始临界尺寸表计算所述每个区域与所 述基准区域的临界尺寸差值，得到初始临界尺寸差值表；步骤5，根据所述初始临界尺寸差值表计算初始光刻能量修正表，并修正所述每个区 域的初始光刻能量，得到修正后的光刻能量表；步骤6，提供用于制作掩膜的又一块测试板，将所述又一块测试板按照修正后的光刻 能量表制作成掩膜，并测试所述每个区域的临界尺寸，得到临界尺寸表；步骤7，根据所述临界尺寸表计算所述每个区域与所述基准区域的临界尺寸差值，得 到临界尺寸差值表；步骤8，判断所述临界尺寸差值表是否符合工艺要求，如果符合，至此结束，如果 不符合，根据所述临界尺寸差值表计算光刻能量修正表，并修正所述每个区域的光刻能 量，得到修正后的光刻能量表，并跳转到步骤6。
2.如权利要求1所述的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法，其特征在于，所述光刻能 量表中的光刻能量必须满足最小光刻能量要求，同时又不能过大而使得光刻边界过于粗 糙。
3.如权利要求1所述的提高掩膜临界尺寸均勻度的方法，其特征在于，所有测试板为 形成有金属层和光刻胶层的基板。
全文摘要
本发明提供的提高掩膜临界尺寸均匀度的方法，通过将掩膜临界尺寸的差异分布反馈到掩膜制作过程中的光刻步骤，进而调整光刻步骤的光刻能量分布，达到提高掩膜临界尺寸均匀度的目的。
文档编号G03F1/36GK102023473SQ200910195838
公开日2011年4月20日 申请日期2009年9月17日 优先权日2009年9月17日
发明者陈明 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司