专利名称：Euv光刻设备的保护模块以及euv光刻设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及保护模块，尤其EUV光刻设备的保护模块，其包括具有至少一个开口 的壳体、至少一个构件被设置在壳体中且一个或多个气体供应被设置以引导气体流入壳 体，该气流通过该至少一个开口流出。此外，本发明涉及其中布置了至少一个此类型的保护 模块的EUV光刻设备、EUV光刻设备的投射系统、照明系统和光束成形系统。
背景技术：
在EUV光刻设备中，用于极紫外(EUV)或软X射线波长范围(例如，约5nm至20nm 之间的波长)的诸如光掩模或多层镜的反射光学元件例如被用于半导体器件的光刻。由于 EUV光刻设备通常包括多个反射光学元件，它们必须具有最高可能的反射率以确保足够高 的总反射率。由于短波长辐射以及工作气氛中的残留气体而发生的反射光学元件的光学利 用的反射表面的污染，反射光学元件的反射率和寿命可被降低。由于多个反射光学元件通 常被一个接一个地设置在EUV光刻设备中，所以即使每个单独的反射光学元件上的相对小 的污染也会相对大程度地影响总反射率。用于EUV或软X射线波长范围的反射光学元件通常具有多层系统。后者包括在工 作波长具有较高实部的折射率的材料(也称为间隔体)以及在工作波长具有较低实部的折 射率的材料(也称为吸收体)的交替施加的层，其中吸收体-间隔体对形成叠层。因此在 某些方面模拟了晶体，其网络平面对应于其上发生布拉格反射的吸收体层。各单独层以及 重复的叠层的厚度可以在整个多层系统上为常数或选择性地变化，依赖于旨在实现的反射 分布。对污染敏感的构件可被并到保护壳体中。然而，在许多情况下，为了确保各个构件 的功能性，不可避免地要保留开口。因此使用了具有至少一个开口的壳体，在壳体中布置至 少一个构件，其中一个或多个气体供应被设置以将气流引入壳体，该气流通过至少一个开 口流出。然而，尤其是在比预想更高的壳体的外侧的污染物分压下，与清洗气流相反，可能 发生污染物通过该至少一个开口渗入壳体并导致壳体中例如反射光学元件的敏感构件的 污染。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种保护模块，尤其用于EUV光刻设备，以及一种EUV光 刻设备，其中对污染物敏感的构件的寿命与传统EUV光刻设备相比被延长。通过一种保护模块实现此目的，该保护模块包括具有至少一个开口的壳体，至少 一个构件被设置在该壳体中且在该壳体提供一个或多个气体供应，以将气流引入壳体，该 气流通过至少一个开口流出，其中光源布置在至少一个开口。已发现由光源发射的光影响至少一个开口处的污染物，通过所述光的吸收使得它 们具有更小的污染效果。例如，它们被激发以与真空中的其它残留气体反应以形成较少污 染的物质，或以它们被激发从而在对污染敏感的构件的表面处的吸附性能被削弱。
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至少一个开口可以例如是必须被设置在壳体中的一个或多个开口，以使得该构件 可被功能性使用。然而，在该情形也可以在壳体中不密封的位置。此外，通过EUV光刻设备以及用于EUV光刻设备的照明系统或者投射系统，其中这 些保护模块的至少一个被布置，从而实现该目的。此外，通过EUV光刻设备以及通过EUV光刻设备的光束成形系统、照明系统以及投 射系统实现该目的，EUV光刻设备包括真空腔以及至少一个构件，其中该构件被设置在真空 腔内的壳体中，所述壳体具有一个或多个气体供应以将气流引入壳体，该气流自壳体通过 至少一个开口流出，以及其中光源在至少一个开口被设置于壳体的外侧。 在从属权利要求中找到有利的构造。
本发明将参考优选的示范性实施例被更详细地解释，在这方面图1示意性显示EUV光刻设备的第一实施例；图2示意性显示EUV光刻设备的第二实施例；图3示意性显示具有光源的保护模块的第一变型实施例；图4示意性显示具有光源和透镜的保护模块的第二变型实施例；图5示意性显示具有宽带光源和单色器的保护模块的第三变型实施例；图6示意性显示具有两个窄带光源的保护模块的第四变型实施例；图7作为摘图示意性显示具有三个光源的保护模块的另一变型实施例。
具体实施例方式图1示意性示出EUV光刻设备10。主要构件是光束成形系统11、照明系统14、光 掩模17以及投射系统20。EUV光刻设备10在真空腔22中的真空条件下工作以使得EUV 辐射在其内部被吸收得尽量少。例如等离子体源或同步加速器可用作辐射源12。约5nm至20nm的波长范围内的 发出辐射(emerging radiation)首先被集中在准直器1 中。此外，借助于单色器13a，通 过改变入射角度，希望的工作波长被滤出。在所述波长范围内，准直器13b以及单色器13a 通常实现为反射光学元件。准直器通常是以壳形方式实现的反射光学元件，以实现聚焦或 准直的效果。采用垂直入射而不是掠入射的准直器也通常被称为聚光器(collector)。在 单色器通过反射发生窄波长带的滤出，通常借助于光栅结构或多层系统。在窄带辐射源的 情况下单色器也可被省掉。在光束成形系统11中相对于波长以及空间分布调节的工作束随后被引入照明系 统14。在图1所示示例中，照明系统14具有在本示例中被构造为多层镜的两个反射镜15、 16。反射镜15、16将光束引导到光掩模17上，光掩模17具有旨在被成像到晶片21上的结 构。光掩模17同样是用于EUV以及软X射线波长范围的反射光学元件，该反射光学元件根 据制造工艺被调换。借助于投射系统20，从光掩模17被反射的光束被投射到晶片21上，且 光掩模17的结构从而被成像到所述晶片上。在所示示例中，投射系统20具有在本示例中 同样被构造为多层镜的两个反射镜18、19。应指出投射系统20以及照明系统14两者都可 分别同样具有仅一个或可选择的三个、四个、五个或更多个反射镜。
在EUV光刻设备中，具体地，在EUV的辐射下长链、非挥发性碳氢化合物导致反射 镜和其它构件上的碳生长。可在真空环境中找到这些碳氢化合物的主要来源。尤其在EUV 光刻设备的诸如用于移动晶片或位移光掩模的所有可移动部分中，例如，实质包括长链、非 挥发性碳氢化合物分子的润滑剂被使用。光束成形系统11和照明系统14以及投射系统20 具有腔23、24、25等，其被构造为真空腔，用于保护不受碳污染，这是因为多层镜15、16、18、 19尤其只能在真空下工作。太多污染否则将沉积在它们的反射表面上并导致它们的反射率 的过大的损害。在图1所示的EUV光刻设备10的示例中，腔23-25用惰性气体清洗，例如，通过气 体供应30、32、34，所述气体通过开口 37、40、43、44、47排出。结果，与真空腔22的内部相 比，稍微过量的压力存在于腔23-25中，且这防止诸如碳氢化合物的污染物质例如进入准 直器1 或单色器13a或EUV反射镜15、16、18、19并沉积在光学利用表面上，在那里作为 污染。尤其采用仅可忽略地吸收5nm至20nm范围内的辐射的气体执行清洗，在EUV光刻设 备10的工作期间也可执行清洗。优选使用氦气、氩气或其它惰性气体或氢气。在光束成形系统11与照明系统14之间、照明系统14与具有操作装置(未示出) 的光掩模17之间、具有操作装置的光掩模17与投射系统20之间、以及投射系统20与具有 传送系统的晶片21之间的界面的开口 37、40、43、44、47是不可避免的，这是因为涉及了 EUV 辐射的通道区域等。在所有这些开口 37、40、43、44、47处，与清洗气流相反，碳氢化合物可 扩散到腔23-25中。尤其如果比原始所取要高的碳氢化合物分压存在于外部真空腔22中， 则这不再能够通过腔23-25中的真空补偿，因此增加了腔23-25的内部中的长链、非挥发性 碳氢化合物将到达例如诸如EUV反射镜(特别是基于多层系统)的对污染敏感的构件的表 面处的可能性，并导致在EUV辐射期间碳在那里生长。在反射镜的情况下，这导致反射率损 失以及因此的光束成形系统11、照明系统14或投射系统20的传输损耗。为了附加的对抗污染的保护，本示例中，反射镜15、16、18、19以及单色器13a被包 封在壳体沈、27、观、29中，其分别设置有专用的气体供应31、33、35、36。通过气体供应31、 33、35、36，气流被引入各个壳体沈-29中，其通过开口 37、38、41、42、45、46输出，结果壳体 的内部被清洗。这不仅将构件15、16、18、19、13a与光束成形系统11、照明系统14或投射系 统20中的其余的真空在真空技术上分离，从而构件15、16、18、19、13a位于微环境中而且被 保护不受穿透构件影响。这也使得可以在壳体26- 之一的内部使用诸如原子氢气或含氧 气体的必要的清洗气体，由此各个壳体沈-四外侧的构件不被损坏。应指出可以在壳体中分别布置一个对污染敏感的构件(例如分别在壳体观、四的 反射镜18、19或壳体沈中的单色器13a)，或可替换的在壳体中布置多个对污染敏感的构件 (例如壳体27中的反射镜15、16)。应进一步指出的是，为了更加清楚，这里的图示总是仅 显示每个壳体有一个气体供应，但是当然也可能提供多个气体供应，例如为了改变供应的 气体的组成。通过清洗的壳体形成的微环境被设计用于特定的污染物抑制速率，并且不总能补 偿微环境之外的不希望的较高的污染物分压。作为抵抗污染物渗透的附加保护，光源48-56 被布置在壳体26-29以及腔23-25的关键开口。由光源48-56发射的光影响开口 37、38、 41、45、46处的污染物，通过光吸收使得它们具有较小的污染效果。例如，它们被激发以与真 空中的其它残留气体反应以形成较少的污染物质，或它们被激发使得它们的表面吸附性能改变。在优选实施例中，光源被选择使得它们各自发射的光的波长适合于离解特定的污 染物。离解产物一般具有较小的污染效果。例如，它们通常是可被排出的挥发性化合物。 离解污染物所需的能量或波长依赖于各种污染物内的键的类型。其波长位于紫外波长范围 的光源被优先选择。此波长范围大约对应于包含用于离解大多数种类的键的能量的能量范 围。其波长位于400nm至150nm的光源被有利地使用。具有较短波长的光也可被用以有利 的效果。这将采用长链、非挥发性碳氢化合物形式的污染物示例更详细地解释。相当大比 例的碳氢化合物具有碳-碳和碳-氢键。通过光离解的长链、非挥发性碳氢化合物的离解 根据要被离解的键可发生在不同的波长。因此，例如碳单键在约343nm的波长被离解，碳双 键在约196nm的波长被被离解，且氢碳键在约的波长被离解。在一些例子中，有利的 是用于离解产物的反应物存在于残留气氛中，从而产生不带电且稳定、更小、更具挥发性的 分子。因此，例如，在氢分子存在的情况下丙烷分子可被离解为乙烷分子，通过在具有343nm 的波长的光下辐射。将长链非挥发性碳氢化合物离解为较短的挥发性的碳氢化合物的优点 在于，产生的短碳氢化合物在通常基于多层系统形成的EUV反射镜的表面的材料上具有足 够差的吸附性能。因此，在受影响的表面的EUV辐射时，相比于长链碳氢化合物的吸附，发 生显著较少的碳生长。 有利地，使用的光源是作为UV光源的水银灯或受激准分子激光器。受激准分子激 光器是窄带光源且允许高辐射强度。尽管该高强度，但因为不发射红外辐射，所以对被照射 的开口的环境热负载小。根据受激物质，受激准分子激光器可用于UV范围内的各种波长； 例如，氯化氙在308nm发射、溴化氙在观2歷发射，氟化氩在193nm发射，且氟在157nm发射。 溴化氙受激准分子激光器因此适合于例如离解氢-碳键，且氟化氩受激准分子激光器适合 于离解碳双键。水银灯是宽带光源。低压水银灯具有小的可见光成分和主峰为约254nm的大的紫 外光成分。汞齐灯产生可比的光谱，具有较高功率密度和较长寿命。此外，汞齐灯可在高达 90 0C的环境温度下使用，而低压水银灯只能在较低的环境温度下使用。中压水银灯在400nm 至250nm的波长范围内选择性地发射。借助于单色器或合适的滤波器，例如343nm的波长 可从中压水银灯或其它水银灯的光谱中被滤出，以离解碳单键。总体地，为了尽可能多地离解各种键，在要被照射的开口处提供来自最大可能的 波长范围的光或尽可能提供多种不同波长的光是有利的。然而，这可能被光源的空间要求 限制。如果相关开口被尽可能完全地照射，则实现了尤其好的光离解效果，旨在避免通 过该相关开口的例如长链、非挥发性碳氢化合物形式的污染物的渗透。为此目的，在图1所 示示例中，两个光源48a、48b、5la、5Ib而不是一个光源被设置在开口 37、42、46处。对一个 开口设置三个、四个、五个或更多个光源也是尽量可能的。如果多于一个光源被设置在一开 口处，它们可根据它们发射的不同波长的光被选择，每个波长被选择以离解不同的键。结果 污染物可被特别有效地离解。应指出，原则上，一个或多个光源可被布置在要被照射的开口的内侧以及外侧。然 而，开口的外侧的布置是优选的，首先因为那里一般将会有更多空间用于布置一个或多个光源，其次因为当污染物在渗入各个微环境之前被离解时，污染被更有效地抑制。布置在开 口的外侧的另外的优点在于，还减少了内侧的散射的光成分，否则这将导致成像模糊。此外，应指出除了反射光学元件之外，也可能容纳另外的构件，用于保护不受微环 境中的污染，形式为具有通过专用的光源照射的开口的净化的壳体。这些包括例如由易受 污染影响的材料制成的所有构件、或其功能可被污染损伤的其它构件，诸如例如用于探测 或设置其他构件位置、或用于探测EUV光刻设备的工作辐射的强度、或用于探测EUV光刻设 备的内部的污染程度的传感器。图2示意性示出具有保护模块的EUV光刻设备100的另一示例，该保护模块包括 具有照射开口的气体清洗的壳体。布置在真空腔101内的是用于集中来自5nm至20nm的 波长范围内的辐射源(未示出)的辐射的聚光反射镜(collector mirror) 102，照明系统的 反射镜103、104、105、106以及107、光掩模108、以及投射系统的反射镜110、111、112、113、 114和115，光掩模在物平面109上具有旨在通过光束117被投射到晶片116上的结构。所 有的反射镜 102-107,110-115 以及晶片 116 布置在壳体 119、120、121、122、124、125、126、 127、1 中，使得它们的反射表面及其各自要被曝光的表面(也就是说对污染敏感的表面) 位于壳体119-128中。在图2所示的示例中，所有的壳体被彼此流体连接，使得用于清洗壳体119-1 或 用于相比于真空腔101内的真空增加壳体119-128内的压力的气体通过供应118被送入准 直器反射镜102的壳体119。气体从壳体119流出通过过渡件到达反射镜103、104的下一个 壳体120。从壳体119到壳体120的过渡件用作壳体120的气体供应。所有的壳体119-1 以这种方式被彼此连接。为了产生压力梯度使得气体从壳体119流动进入壳体120，壳体 120以及另外的壳体中存在开口，该开口由箭头1 指示，且气体可通过该开口逃逸。在此 情况下，壳体也可具有多个开口，例如诸如壳体120、121、126、127。泵可被连接到开口以泵 浦气体。尤其有利的是，不旨在流入真空腔101的残留的气体分子或残留的气体原子旨在 从壳体119-1 中移除。为了防止有害污染物通过开口渗透，光源130、131、132、133、134、135、136、137、 138、139、140、141、142、143被布置在开口处以照射开口，使得通过吸收来自光源130-143 的光，有害的污染物变得更不有害，例如使得它们被离解成为更少污染的分子。因此，例如， 长链、非挥发性的碳氢化合物可被离解成在反射镜面或晶片表面上具有减小的吸附的较短 的挥发性碳氢化合物。根据空间条件，为了能够将其尽可能完全地照射，每个开口布置一个 或多个光源。在光源135的情况下，甚至可以用一个光源照射两个开口。光源130-143优 选为UV光源。下面解释用于EUV光刻设备以及光束成形系统、照明系统或投射系统中的保护模 块的各种实施例。图3至6示意性示出被布置在真空腔201中的保护模块200的不同的变型。对污 染敏感的构件，例如反射光学元件(诸如例如具有多层涂层的EUV反射镜)被布置在位于 真空腔201中的壳体202中。壳体202设置有通过其气流被引入的气体供应203，气流通过 开口 204流出，从而壳体的内部被清洗且污染物渗入壳体202因此被有效地防止，直到壳体 202外侧的特定的污染物分压。为了加强此效果以及即使在意料不到的高的污染物分压下 尽可能地防止元件206的污染，在图3所示示例中，光源207在开口 204被布置在壳体202外侧，从而照射开口 204并且在该过程中将污染物离解为更少污染的物质。在此情况下，光 源207通过安装件210被固定到壳体202。在图4所示示例中，与图3所示相比，透镜215被布置在光源207与开口 204之 间，从而空间扩展由光源207发出的光，使得开口 204被完全照射。这提高了离解可以通过 该开口渗透的污染物的效率。在此示例中，光源207通过安装件211被固定到真空腔201。 它也可被固定到开口 204附近的任何其它结构部件。在图5所示示例中，光源207是通过安装件212被固定到壳体202的宽带光源。借 助于在此实现为光栅单色器216的滤波器，对应于离解在单独的情况下是干扰的污染物中 的键所需的能量的波长被滤出。为了也逐渐滤出其它适当的波长，光栅单色器215可相对 于光源207被有利地旋转。相比于图5所示示例，在图6所示示例中，采用两个窄带光源207和208，其在分别 不同波长发射，从而离解干扰污染物的两个不同的键。两个光源207、208通过安装件213、 214被固定到真空腔201或被照射的开口 204附近的其它结构部件。应指出为了提供一个或多个波长用于离解键，在该开口处布置三个、四个、五个或 更多个光源也是可能的。图7作为摘图示意性示出通过三个光源207、208、209照射壳体部 分205中的大开口 204。其波长优选位于400nm至150nm的范围内，特别优选在350nm至 ISOnm的范围内。在其它实施例中，优选使用150nm或更短的波长。此外，应指出宽带和窄 带光源也可被结合。参考标号
10EUV光刻设备
11光束成形系统
12EUV辐射源
13a单色器
13b准直器
14照明系统
15第一反射镜
16第二反射镜
17光掩模
18第三反射镜
19第四反射镜
20投射系统
21曰tl· 日日/T
22真空腔
23-25腔
26-29壳体
30-36气体供应
37-47开口
48-56光源
100EUV光刻设备
10
101真空腔
102聚光反射镜
103--107反射镜
108光掩模
109物平面
110--115反射镜
116曰tl· 日日/T
117光束路径
118气体供应
119--128壳体
129气体排出
130--143光源
200保护模块
201真空腔
202壳体
203气体供应
204开口
205壳体部分
206构件
207--209光源
210--214安装件
215透镜
216光栅单色器
1权利要求
1.一种保护模块，包括具有至少一个开口(37-47、204)的壳体(23-29、119-128、 202)，在所述壳体中布置至少一个构件(13a、13b、15、16、18、19、103-107、110-115、116、 206)，且在所述壳体提供一个或多个气体供应(30-36、118、203)，从而将气流引入所述壳体 (23-29、119-128、202)，所述气流通过所述至少一个开口 (37-47,204)流出，其特征在于 光源(48-56、130-143、207-209)被布置在所述至少一个开口(37_47、204)处。
2.如权利要求1所述的保护模块，其特征在于所述光源(48-56、130-143、207-209) 发射的辐射的波长适于离解污染物质。
3.如权利要求1或2所述的保护模块，其特征在于所述光源(48-56、130-143、 207-209)是用于紫外辐射的光源。
4.如权利要求1至3的任一所述的保护模块，其特征在于所述光源(48-56、130-143、 207-209)具有宽带光谱。
5.如权利要求1至3的任一所述的保护模块，其特征在于所述光源(48-56、130-143、 207-209)具有窄带光谱。
6.如权利要求1至5的任一所述的保护模块，其特征在于多个光源(207-209)被布 置在所述至少一个开口(37-47、204)处。
7.如权利要求1至6的任一所述的保护模块，其特征在于所述一个或多个光源 (48-56,130-143,207-209)以所述至少一个开口(37_47、204)被完全照射的方式被布置和 /或装备。
8.如权利要求1至7的任一所述的保护模块，其特征在于所述一个或多个光源 (48-56,130-143,207-209)被布置在所述壳体(23-29,119-128,202)的外侧。
9.如权利要求1至8的任一所述的保护模块，其特征在于所述构件实现为反射光学 元件(13a、13b、15、16、18、19、103-107、110-115、206)。
10.一种EUV光刻设备，其中如权利要求1至9的任一所述的至少一个保护模块(200) 被布置。
11.一种用于EUV光刻设备的投射系统，其中如权利要求1至9的任一所述的至少一个 保护模块(200)被布置。
12.一种用于EUV光刻设备的照明系统，其中如权利要求1至9的任一所述的至少一个 保护模块(200)被布置。
13.一种用于EUV光刻设备的照明光束成形系统，其中如权利要求1至9的任一所述的 至少一个保护模块(200)被布置。
14.一种EUV光刻设备，包括真空腔02-25、101)以及至少一个构件(13a、13b、15、 16、18、19、103-107、110-115、116)，其中所述构件被布置在所述真空腔(22-25,101)内的 壳体03-四、119-1 )中，所述壳体具有一个或多个气体供应(30-36、118)，从而将气流引 入所述壳体03-四、119-1观)，所述气流通过至少一个开口(37-47)自所述壳体03-四、 119-128)流出，其特征在于光源(48-56、130-143)在所述至少一个开口 (37-47,204)被 布置在壳体(23-29,119-128)的外侧。
15.如权利要求14所述的EUV光刻设备，其特征在于所述光源08-56、130-143)发 射的辐射的波长适于离解污染物质。
16.如权利要求14或15所述的EUV光刻设备，其特征在于所述光源(48-56、130-143)是用于紫外辐射的光源。
17.如权利要求14至16的任一所述的EUV光刻设备，其特征在于所述光源(48-56、 130-143)具有宽带光谱。
18.如权利要求14至16的任一所述的EUV光刻设备，其特征在于所述光源(48-56、 130-143)具有窄带光谱。
19.如权利要求14至18的任一所述的EUV光刻设备，其特征在于多个光源(48-56、 130-143)被布置在所述至少一个开口(37-47)处。
20.如权利要求14至19的任一所述的EUV光刻设备，其特征在于所述一个或多个光 源08-56、130-143)以所述至少一个开口(37-47)被完全照射的方式被布置和/或装备。
21.如权利要求14至20的任一所述的EUV光刻设备，其特征在于所述构件实现为反 射光学元件(13a、13b、15、16、18、19、103-107、110-115)。
22.一种用于EUV光刻设备的投射系统，包括真空腔05、101)以及至少一个构件(18、 19、110-116)，其中所述构件(18,19,110-116)被布置在所述真空腔(25,101)内的壳体 (28,29,123-127)中，所述壳体具有一个或多个气体供应(35，36、118)，从而将气流引入所 述壳体08、四、123-127)，所述气流通过至少一个开口 05、46、1四)自所述壳体08、四、 123-127)流出，其特征在于光源(54,55,135-143)在所述至少一个开口(45、46、129)被 布置在壳体⑶、29、123-127)的外侧。
23.一种用于EUV光刻设备的照明系统，包括真空腔O4、101)以及至少一个构件(15、 16、103-107)，其中所述构件(15,16,103-107)被布置在真空腔(24,101)内的壳体(27、 120-122)中，所述壳体具有一个或多个气体供应(33、118)，从而将气流引入所述壳体&、 120-122)所述气流通过至少一个开口 02、129)自所述壳体07、120-122)流出，其特征在 于光源(51、130-135)在所述至少一个开口 02、129)被布置在壳体Q7、120_122)的外 侧。
24.一种用于EUV光刻设备的光束成形系统，包括真空腔03)以及至少一个构件 (13a)，其中所述构件(13a)被布置在真空腔内的壳体06)中，所述壳体具有一个或 多个气体供应(31)，从而将气流引入所述壳体06)，所述气流通过至少一个开口(38)自所 述壳体06)流出，其特征在于光源(48、49)在所述至少一个开口(38)被布置在壳体06) 的外侧。
25.如权利要求22至M的任一所述系统，其特征在于所述光源G8、49、51、M、55、 130-143)发射的辐射的波长适于离解污染物质。
26.如权利要求22至25的任一所述系统，其特征在于所述光源G8、49、51、M、55、 130-143)是用于紫外辐射的光源。
27.如权利要求22至沈的任一所述系统，其特征在于所述光源G8、49、51、M、55、 130-143)具有宽带光谱。
28.如权利要求22至沈的任一所述系统，其特征在于所述光源G8、49、51、M、55、 130-143)具有窄带光谱。
29.如权利要求22至观的任一所述系统，其特征在于多个光源G8、49、51、M、55、 130-143)被设置在所述至少一个开口处。
30.如权利要求22至四的任一所述系统，其特征在于所述一个或多个光源(48、49、.51、54、55、130-143)以所述至少一个开口(38、42、45、46、129)被完全照射的方式被设置和/或装备。
31.如权利要求22至30的任一所述系统，其特征在于所述构件实现为反射光学元件 (13a、15、16、18、19、103-107、110-115)。
全文摘要
在EUV光刻设备(10)中，为了延长对污染敏感的构件的寿命，提议将它们布置在保护模块中。保护模块包括具有至少一个开口(37-47)的壳体(23-29)，至少一个构件(13a、13b、15、16、18、19)被布置于所述壳体中且设置一个或多个气体供应(30-36)，从而将气流引入该壳体(23-29)，该气流通过该至少一个开口(37-47)流出。为了有效防止污染物质渗入保护模块中，具有一个或多个波长的光源(48-56)被布置在至少一个开口(37-47)处，该光源照射所述开口(37-47)，通过该照射，污染物质在它们穿过开口(37-47)之前可被离解。
文档编号G03F7/20GK102144190SQ200980134668
公开日2011年8月3日 申请日期2009年8月1日 优先权日2008年9月5日
发明者乌尔里克·尼肯, 弗兰兹·凯勒, 德克·H·埃姆, 本·班尼, 蒂莫·劳弗, 詹斯·库格勒 申请人:卡尔蔡司Smt有限责任公司