有源矩阵基板、显示面板、显示装置以及电子设备的制作方法

专利名称：有源矩阵基板、显示面板、显示装置以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及有源矩阵基板、显示面板、显示装置、以及电子设备，特别是涉及具有 以下像素电极的有源矩阵基板、以及具有该有源矩阵基板的显示面板、显示装置、以及电子 设备该像素电极为长方形，该长方形的和数据线平行的第2边的长度比和栅极线平行的 第1边的长度短。
背景技术：
液晶显示装置被广泛地应用于笔记本电脑、计算机显示器、电视接收机、数字照相 机等各种电子设备的显示装置。液晶显示装置包括与各像素电极连接的开关元件、控制开关元件从而给像素电极 施加电压的栅极线、数据线等多个信号线。栅极线传送由栅极驱动电路生成的栅极信号，数 据线传送由数据驱动电路生成的数据电压，开关元件根据栅极信号将数据电压传送到像素 电极。这样的栅极驱动电路以及数据驱动电路一般以多个集成电路芯片的形态安装于 基板。在液晶显示装置的制造费用中，这样的集成电路芯片占很高的比率。尤其是，数据驱 动集成电路芯片与栅极驱动电路芯片相比构造复杂、集成困难，相对栅极驱动电路芯片价 格较高。因此，近年来，为了实现削减栅极驱动电路芯片的数量从而削减驱动器成本的目 的，提出了具有使栅极线的条数为分辨率的3倍，使源极线的条数为分辨率的1/3，使构成 一个像点的红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各子像素的纵横比大约为1 3的矩形的构造 (RGB横条构造)的液晶显示装置(例如参考专利文献1)。图10和图11分别是表示专利文献1所记载的液晶显示装置的关键部位的概略结 构的平面图。如图10和图11所示，专利文献1所记载的液晶显示装置包括横向延伸的栅极线 101、纵向延伸并和栅极线交叉的数据线102、具有和这些栅极线101以及数据线102平行的 四个边的像素电极103、与上述像素电极103的至少一部分重叠从而在与像素电极103的重 叠部分形成辅助电容的作为辅助电容线的维持电极线104。图10所示的维持电极线104包括和数据线102基本平行延伸的干线104a、从干线 104a分支的多个维持电极104b l(Me。这些维持电极104b l(Me与栅极线101接近而 且平行地从干线10 向两侧与栅极线平行地延伸。另外，图11所示的维持电极线104配置在相邻的两条栅极线101之间的靠近某一 方栅极线101的位置，与栅极线基本平行地延伸。如图10和图11所示，无论任何，在上述专利文献1所记载的液晶显示装置的像素 电极103中，和栅极线101平行的两个横边103a比和数据线102平行的两个纵边10 的 长度长，大约为3倍。因此，与上述像素电极103的横边103a比纵边10 小的情形相比，位于各行的像素电极103的条数少，相反，位于各列的像素电极103的条数多。因此，由于数据线102的 整体条数减少，所以能够减少数据驱动电路芯片的数量从而节约材料费。现有技术文献专利文献专利文献1 日本国公开专利公报“特开2007-79568号公报(
公开日2007年3 月㈨曰)，，

发明内容
发明要解决的问题但是，在一般情况下，辅助电容线经由与数据线的交叉部电容而受到数据线的电 位变动的影响，从而发生电位变动。在直到该辅助电容线的电位回到所希望的电位为止，晶 体管的栅极处于关闭的情形下，最终像素电极电位受栅极关闭后的辅助电容线的电位变动 的影响而变化，会发生串扰。如图11所示的液晶显示装置的维持电极线104存在由于其构 造而经由与数据线102的交叉部电容，受到数据线电位变动的影响，容易发生电位变动的 问题。另外，如图10所示的液晶显示装置，因为具有和数据线102平行的干线10 及从 干线10 分支的维持电极104b l(Me，所以与相邻的数据线102之间的寄生电容大，存在 伴随特定的数据线102的电位变动，维持电极线104的电位也会变动的问题。该维持电极线104的电位变动依赖于数据线102的电位变动量，即显示图案。例 如图12的(a)所示，本来要显示的图像为在灰调子的基底上有黑色或白色的窗口图案的情 形，对此进行说明。在这种情形下，如果如上所述维持电极线104的电位发生变动，例如按 图10所示的结构就会如图12(b)所示，在实际显示的图像中，在上述窗口图案的上下看见 暗带或者亮带，该现象被称为串扰(投影)现象。这样的结果会导致图像的质量恶化。另 外，按图11所示的结构就会在窗口图案的左右看见暗带或者亮带。另外，专利文献1所记载的液晶显示装置的像素电极结构，因为和栅极线101平行 的横边103a比和数据线102平行的纵边10 长，所以由和栅极线平行配置的维持电极线 104(参考图10)或者维持电极104b 104e(参考图10)所遮光的区域在子像素区域整体 (显示区域)中所占的比率大。因此，与和栅极线101平行的横边103a比和数据线102平 行的纵边103短的像素电极构造(RGB纵条构造)相比存在开口率低的问题。本发明鉴于上述问题点而做出，其目的是提供能获得确保辅助电容并且与以往的 显示装置相比串扰少的显示装置的有源矩阵基板及具有该有源矩阵基板的显示面板、显示 装置、以及电子设备，上述显示装置具备像素电极，该像素电极为长方形，该长方形的和数 据线平行的第2边的长度比和栅极线平行的第1边的长度短。另外，本发明的另一目的是 提供能获得与以往的显示装置相比开口率高的显示装置的有源矩阵基板及具有该有源矩 阵基板的显示面板、显示装置、以及电子设备，上述显示装置具备像素电极，该像素电极为 长方形，该长方形的和数据线平行的第2边的长度比和栅极线平行的第1边的长度短。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备栅极线和数据线， 其按矩阵状配置；多个像素电极，其具有与上述栅极线平行的第1边和与上述数据线平行且比上述第1边短的第2边；辅助电容线，其与上述栅极线平行配置；以及连接配线，其与 上述像素电极电连接，上述辅助电容线的一部分和连接配线的一部分隔着绝缘膜重叠，从 而形成将上述辅助电容线和连接配线的相互重叠的区域分别作为电极的辅助电容元件，上 述辅助电容线与上述栅极线相比条数少，和在与上述数据线平行的方向配置的多个像素电 极分别电连接的多个连接配线隔着上述绝缘膜分别重叠于1条上述辅助电容线。另外，本发明的显示面板具备上述有源矩阵基板；相对基板，其与上述有源矩阵 基板相对；以及显示介质层，其设置在上述有源矩阵基板和相对基板之间。此外，作为上述 显示介质层，例如可以列举液晶层。另外，本发明的显示装置的特征在于具备上述显示面板。而且，本发明的电子设备 的特征在于具备上述显示装置。根据上述各种结构，因为辅助电容线与栅极线相比条数少，并且与栅极线平行配 置，所以与图11所示的以往的液晶面板相比，辅助电容线和数据线的交叉部电容少，辅助 电容线很难受到数据线的电位变动的影响。另外，能够减轻辅助电容线的负载。而且不会 发生如图10所示的以往的液晶面板那样的由于和相邻的数据线之间的寄生电容的原因， 伴随特定的数据线的电位变动，辅助电容线的电位发生变动的问题。如上所述，因为辅助电容线与栅极线相比条数少，所以多个连接配线隔着绝缘膜 分别重叠于1条上述辅助电容线。因此，上述辅助电容线在与多个连接配线之间分别形成 辅助电容元件。因此，通过使用上述有源矩阵基板，能够得到不但确保足够的辅助电容，而且串扰 少的显示面板、显示装置、以及电子设备。如上所述，辅助电容线经由与数据线的交叉部电容，受到数据线的电位变动的影 响，发生电位变动。在直到该辅助电容线的电位回到所希望的电位，晶体管的栅极处于关闭 的情形下，最终像素电极电位会受栅极关闭后的辅助电容线的电位变动的影响而变化，发 生串扰。为了不发生串扰，可以考虑(1)减小辅助电容线和数据线的交叉部电容，使得难 以接受数据线的电位变动；(2)减小辅助电容线整体的负载(电容、电阻)；(3)增加驱动辅 助电容线的输入信号源的驱动能力(但是，消耗电力会增加)。如上所述，根据上述各结构，因为辅助电容线和数据线的交叉部电容少而得到的 上述(1)、⑵的效果，所以能够抑制串扰。另外，根据上述有源矩阵基板的结构，能够取得上述(2)的效果(能够减小辅助电 容线整体的负载)，因此上述(3)的输入信号源的驱动能力较小即可。而且，数据线和辅助 电容线交叉的部位少，能够减小数据线的负载。因此，根据上述各结构，除具有上述效果以 外，还具有能够得到消耗电力少的显示装置的优点。而且，根据上述结构，如上所述，即使上述辅助电容线的条数少于栅极线的条数， 由于上述第1边比上述第2边长，相邻的上述连接配线之间不会发生短路。另外，根据上述各结构，由于辅助电容线的条数比栅极线的条数少，能够抑制显示 装置的由辅助电容线造成的开口率的降低，上述显示装置具有像素电极，该像素电极为长 方形，该长方形的和数据线平行的第2边的长度比和栅极线平行的第1边的长度短。因此， 根据上述各结构，能够提供透射率高、可视性优良的显示装置。
优选上述栅极线设置在上述像素电极之间，上述辅助电容线隔着上述绝缘膜与上 述像素电极重叠配置。上述辅助电容线比栅极线条数少。因此，根据上述结构，在具有和数据线平行的第 2边的长度比和栅极线平行的第1边的长度短的长方形的像素电极的显示装置中，能够减 少沿与上述第1边平行的方向延伸设置的配线在显示区域中占的面积。另外，优选在上述有源矩阵基板中，按照相对于在成为显示面板时用于进行彩色 显示的最小构成单位的像素为1个的比例配置有上述辅助电容线。在此，所谓“按照相对于在成为显示面板时用于进行彩色显示的最小构成单位的 像素为1个的比例配置有上述辅助电容线”是指最终这样形成有源矩阵基板，而不是指将上 述有源矩阵基板和相对基板粘合而实际形成显示面板。也就是说，上述结构为，在上述有源矩阵基板中，按照相对于最小构成单位的像素 为1个的比例配置上述辅助电容线。在上述最小构成单位的像素中用于进行彩色显示的滤 色器既可以设置在上述有源矩阵基板上，也可以设置在为了成为显示面板而粘合的相对基 板上。不管配置在哪里，只要按照相对于“在成为显示面板时用于进行彩色显示的最小构成 单位的像素”为1个的比例配置上述辅助电容线即可。根据上述结构，无需不均等地配置像素重复间距，能够使每个最小构成单位的像 素的开口率保持一定。因此，使用上述有源矩阵基板，能够得到具有均勻的显示质量的显示 面板以及显示装置。另外，优选在上述有源矩阵基板中，在成为显示面板时用于进行彩色显示的特定 的显示色的子像素内配置有上述辅助电容线的至少一部分。上述结构也是指最终这样形成有源矩阵基板，而不是指将上述有源矩阵基板和相 对基板粘合而实际形成显示面板。也就是说，上述结构表示在上述有源矩阵基板中，按照在 上述子像素内配置上述辅助电容线的至少一部分的方式设置上述辅助电容线。此外，在此 情形下用于进行彩色显示的滤色器既可以设置在上述有源矩阵基板上，也可以设置在为了 成为显示面板而粘合的相对基板上。根据上述结构，能够得到没有颜色不均勻的、显示效果优良的显示装置。另外，优选上述辅助电容线的至少一部分配置在蓝色子像素内。人类对蓝色的视觉灵敏度(感知各波长的亮度的强度)较低。因此，将成为遮光 区域的辅助电容线的至少一部分配置在蓝色子像素内，能够将实际的亮度的降低控制在最 小范围。优选上述辅助电容线和上述栅极线配置在同一层。根据上述结构，能够在同一工序中形成上述辅助电容线和栅极线，从而能够削减 工序数。另外，根据上述结构，把覆盖栅极线的栅极绝缘膜作为上述绝缘膜，即形成辅助电 容的介电体(电容绝缘膜)而使用。另外，优选形成上述辅助电容元件的一方电极的至少一部分和与上述多个像素电 极分别对应设置的晶体管的半导体层位于同一层。根据上述结构，不会增加工序，能够高效地形成辅助电容，从而能够得到开口率 高、可视性优良的显示装置。另外，优选上述连接配线和晶体管的漏极电极电连接，上述晶体管与多个像素电
7极分别对应设置，上述多个像素电极配置在与上述数据线平行的方向，上述漏极电极和上 述辅助电容元件之间的配线的至少一部分和上述晶体管的半导体层位于同一层。另外，优 选上述漏极电极和上述辅助电容元件之间的配线的与上述栅极线重叠的区域是注入了杂 质的半导体层。根据上述各种结构，都能够使漏极电极的配线电阻低电阻化，并且充电特性稳定， 从而能够提供没有亮度不均勻的显示品质优良的显示装置。另外，优选上述辅助电容线包括与上述栅极线平行的主线和从该主线向与上述数 据线平行的方向延伸的分支线。另外，优选上述有源矩阵基板还包括与上述数据线平行配 置的辅助电容线，各辅助电容线按矩阵状配置。根据上述各结构，都能够缩短漏极电极和辅助电容线之间的配线长度，从而能够 提供开口率更高、可视性优良的液晶显示装置。而且，由于能够大幅降低辅助电容线的电 阻，因此能够进一步减轻数据线的电位变动的影响。结果，能提供串扰少、显示质量优良的 液晶显示装置。发明效果如上所述，本发明的有源矩阵基板、显示面板、显示装置、以及电子设备，如上所 述，因为辅助电容线与栅极线相比条数少，并且与栅极线平行配置，所以辅助电容线和数据 线的交叉部电容少，辅助电容线很难受到数据线的电位变动的影响。另外，能够减轻辅助电 容线的负载，而且不会发生由于和相邻的数据线之间的寄生电容的原因，伴随特定的数据 线的电位变动，辅助电容线的电位发生变动的问题。因此，能够抑制串扰。另外，如上所述，因为辅助电容线与栅极线相比条数少，所以多条连接配线隔着绝 缘膜分别重叠于1条上述辅助电容线。因此，上述辅助电容线在与多条连接配线之间分别 形成辅助电容元件。因此，通过使用上述有源矩阵基板，具有能够得到不但确保足够的辅助电容，而且 与以往的显示面板或者显示装置相比，串扰少的显示面板、显示装置、以及电子设备的效 果，上述显示面板具备像素电极，该像素电极为长方形，该长方形的和数据线平行的第2边 的长度比和栅极线平行的第1边的长度短。再有，根据本发明，因为能够减小辅助电容线整体的负载，所以输入信号源的驱动 能力较小即可。而且，数据线和辅助电容线交叉的部位少，能够减轻数据线的负载。因此， 根据本发明，除具有上述效果以外，还具有能够得到消耗电力少的显示装置的效果。而且，根据本发明，如上所述，即使上述辅助电容线的条数少于栅极线的条数，由 于像素电极的与数据线平行的第2边的长度比与栅极线平行的第1边的长度短，因此相邻 的上述连接配线之间不会发生短路。另外，根据本发明，如上所述，由于辅助电容线的条数比栅极线的条数少，所以能 够抑制显示装置的由辅助电容线造成的开口率的降低，上述显示装置具备像素电极，该像 素电极为长方形，该长方形的和数据线平行的第2边的长度比和栅极线平行的第1边的长 度短。因此，根据上述结构，能够提供透射率高、可视性优良的显示装置以及电子设备。


图1是本发明的实施方式1的液晶显示装置的液晶面板的等效电路图。
图2是将图1所示的液晶面板1沿A-A’线切断时的该液晶面板的关键部位的概 略结构的截面3是将图1所示的液晶面板1沿B-B’线切断时的该液晶面板的关键部位的概 略结构的截面图。图4是本发明的实施方式2的液晶显示装置的液晶面板的等效电路。图5是将图4所示的液晶面板1沿C-C’线切断时的该液晶面板的关键部位的概 略结构的截面图。图6是本发明的实施方式3的液晶显示装置的液晶面板的等效电路。图7是本发明的实施方式4的液晶显示装置的液晶面板的等效电路。图8是本发明的实施方式4的液晶显示装置的其它液晶面板的等效电路。图9是本发明的实施方式4的液晶显示装置的其它液晶面板的等效电路。图10是专利文献1所记载的液晶显示装置的关键部位的概略结构的平面图。图11是专利文献1所记载的其它液晶显示装置的关键部位的概略结构的平面图。图12是对以往的串扰症状进行说明的示意图，(a)是示意地表示本来要显示的图 像的图，(b)是示意地表示实际显示的图像的图。
具体实施例方式以下对本发明的实施方式进行详细的说明。[实施方式1]以下根据图1 图3，说明本发明的一种实施方式。图1是本实施方式的液晶显示装置的液晶面板的等效电路。此外，为了便于说明，在以下的说明中，以栅极线的延伸设置方向为行方向进行说 明。但是，在使用具有本实施方式的液晶面板、或者用于该液晶面板的有源矩阵基板的液晶 显示装置的时候，毫无疑问上述栅极线可以在横向上延伸设置，当然也可以在纵向上延伸 设置。另外，本实施方式虽然将有源矩阵基板作为下侧基板(背面侧基板)，将相对基板 作为上侧基板(观察者侧基板)进行说明，但是本实施方式并不仅限于此。另外，在本实施 方式中，作为有源矩阵基板，将设有由TFTCThin Film Transistor，薄膜晶体管)所构成的 开关元件(晶体管)的TFT基板作为例子进行说明，但是本实施方式并不仅限于此。如图1所示，液晶显示装置包括有源矩阵型液晶面板1(显示面板)、配置在该液晶 面板1的显示区域的周围区域的源极驱动器2 (数据线驱动电路)、栅极驱动器3 (栅极驱动 电路)等驱动电路。如图1所示，本实施方式的液晶面板1包括在列方向(图中的上下方向)上延伸设 置的数据线SLl SLv (以下将任意的数据线称作“数据线SL” ；ν为2以上的任意整数)、 在行方向(图中的左右方向)上延伸设置的栅极线GLl (R)、GLl (G)、GLl (B) GLw(R)、 GLw(G)、GLw(B)(以下将任意的栅极线称作“栅极线GL” ；w为2以上的任意整数)、和用于 形成辅助电容Ccs的辅助电容线CSL。数据线SL和栅极线GL为矩阵状，相互交叉设置。在上述液晶面板1中，数据线SL 及栅极线GL由像素电极16所规定，配置在相邻的子像素4之间。
也就是说，在本实施方式中，由上述数据线SL和栅极线GL所包围的区域为一个子 像素(像点)，上述液晶面板1具有按矩阵状配置构成各像点的子像素4的结构。上述数据 线SL和栅极线GL分别由上述源极驱动器及栅极驱动器所驱动。上述辅助电容线CSL在行方向上延伸，配置在相邻的栅极线GL之间，与这些栅极 线GL平行。如图1所示，对各子像素4分别设有像素电极16。另外，在上述数据线SL和栅极 线GL的交叉部，作为开关元件(有源元件)，分别设有TFT21，TFT21的源极电极SE和数据 线SL连接，栅极电极GE和栅极线GL连接，漏极电极DE和像素电极16连接。上述TFT21的栅极电极GE由栅极线GL的一部分构成。另外，上述TFT21的源极电 极SE由数据线SL的一部分构成。也就是说，栅极电极GE和栅极线GL形成于同一层。另 外，源极电极SE和数据线SL形成于同一层。上述像素电极16通过与上述栅极线GL连接的TFT21被连接到数据线SL。上述像 素电极16在与未在图中示出的设置在相对基板的相对电极之间，隔着未在图中示出的液 晶层(显示介质层)形成液晶电容。上述像素电极16是和数据线SL平行的边16b (第2边)的长度比和栅极线GL平 行的边16a(第1边)的长度短的长方形。在上述液晶面板1中，设有与一个子像素4相对应的一条数据线SL、一条栅极线 GL和一个像素电极16，对于3个子像素4设有一条辅助电容线CSL。也就是说，在上述液晶 面板1中，上述辅助电容线CSL的条数为栅极线GL的条数的1/3。对各子像素4配置有与各像素电极16相对应的红色(R)、绿色(G)和蓝色⑶中 的某1色的、未在图中示出的滤色器。以下将具有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的子像素分别称作红色(R)子 像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素。在本实施方式中，如图1所示，在和数据线SL平 行的方向上(列方向)配置有不同颜色的子像素4。由在和各数据线SL平行的方向上相邻地配置的RGB3个子像素所构成的子像素群 是进行彩色显示的最小的构成单位的像素(3原色像素)。以下，将相邻地配置的RGB3个子 像素的组合称作一个单位的像素。也就是说，一个子像素4构成作为图像显示的基本单位 的像点，一个像素由RGB3个子像素(像点)构成。在上述液晶显示面板1中，辅助电容线CSL配置在蓝色子像素4中。人类对蓝色 的视觉灵敏度(感知各波长的亮度的强度)较低。因此，将成为遮光区域的辅助电容线CSL 配置在蓝色子像素，能够将实际的亮度的降低控制在最小范围。如图1所示，在上述蓝色子像素4中配置的1条辅助电容线CSL与3条连接配线 CL(引出配线)之间分别形成辅助电容Ccs，在一个子像素4(蓝色子像素4)中，该3条连 接配线CL分别与在和各数据线SL平行的方向上配置的RGB3个子像素4的3个TFT21的 漏极电极DE电连接。其次，对上述液晶面板1的截面结构进行说明。图2是表示将图1所示的液晶面板1沿A-A’线切断时的上述液晶面板1的概略 结构的截面图，图3是省略一部分来表示将图1所示的液晶面板1沿B-B’线切断时的上述 液晶面板1的概略结构的截面图。
此外，图2表示具有与数据线SLl以及栅极线GL(B)相连接的TFT21的蓝色子像 素4的概略结构。如图2及图3所示，上述液晶面板具有TFT基板10和相对基板30相对配置，液晶 层40被夹持在这一对基板之间的结构。在这一对基板的外侧(两基板的与相对面相反的 一侧的面)，可以根据需要各自设置相位差板、偏振光板。另外，在上述一对基板的外侧各自 设置的偏振光板按照相互满足正交尼科尔关系配置。在本实施方式中采用的上述相对基板30是在玻璃等透明基板31的与上述TFT基 板10相对的面上，从上述透明基板31侧按照顺序配置各色滤色器32以及黑矩阵33、相对 电极34 (共用电极)、取向膜35的所谓的滤色器基板。上述滤色器32分别与在上述TFT基板10上设置的各像素电极16相对设置。上 述滤色器32为如上所述的红色、绿色以及蓝色的3种，如图1所示，每个子像素都配置有某 一种滤色器32。黑矩阵33配置在相邻配置的各色滤色器32之间。如图2和图3所示，上述相对电极34形成在上述透明基板31的大致整个面上，作 为各子像素4共用的电极(共用电极)而使用。通过施加在上述相对电极34和像素电极 16上的电压，在上述液晶层40中形成电场，从而形成图像。上述像素电极16以及相对电极34是例如由ITO(铟锡氧化物)等透明导电膜所 形成的透明电极。此外，根据需要也可以在上述相对基板30上设置下部涂层(基础层)及上部涂层 (平坦化层)等未在图中示出的功能膜。另外一方面，上述TFT基板10具有在玻璃等透明基板11上按照顺序形成半导体 层12、栅极绝缘膜13、由图1所示的栅极线GL以及辅助电容线CSL等构成的第1金属电极 层、第1层间绝缘膜14、由图1所示的数据线SL以及漏极电极DE等构成的第2金属电极 层、第2层间绝缘膜15、像素电极16、取向膜17的结构。此外，在图2以及图3中，栅极电 极GE、栅极线GL(参考图3)、以及电极CSLE与上述第1金属电极层的一部分相当，源极电 极SE以及漏极电极DE与上述第2金属电极层的一部分相当。此外，电极CSLE由辅助电容 线CSL的一部分构成。另外，上述TFT基板10的TFT21具有在上述透明基板11上按照顺序形成半导体 层12 (沟道区域12a)、栅极绝缘膜13、栅极电极GE、第1层间绝缘膜14、源极电极SE以及 漏极电极DE的所谓顶栅结构(平面结构)。此外，根据需要，也可以设置下部涂层(基础 层)等未图示的功能膜。上述半导体层12具有由未注入杂质的本征半导体构成的沟道区域1 和由注入 了杂质的外因性半导体构成的杂质注入区域12b。在上述栅极电极GE的下部形成上述沟道 区域12a。另外，通过在上述半导体层12的沟道区域12a以外的区域注入杂质，在与上述沟 道区域1 相邻的区域形成由注入了杂质的上述半导体层(杂质注入区域12b)构成的源 极区域SA以及漏极区域DA。如图2所示，上述漏极区域DA (杂质注入区域12b)延伸设置到辅助电容线CLS (图 2中以电极CSLE表示)的下部。从而，在上述漏极电极DE和辅助电容线CSL之间，作为与 上述漏极电极DE电连接的连接配线CL，形成由注入了杂质的上述半导体层12(漏极区域 DA、杂质注入区域12b)构成的配线部。
上述半导体层12的源极区域SA以及漏极区域DA，通过在覆盖上述半导体层12的 栅极绝缘膜13以及第1层间绝缘膜14中形成的接触孔18、18分别与源极电极SE以及漏 极电极DE相连接。另外，上述漏极电极DE，通过在覆盖数据线SL以及栅极线GL的第2层间绝缘膜 15中设置的接触孔15a与像素电极16电连接。从而上述连接配线CL通过上述漏极电极 DE与像素电极16电连接。因此，上述连接配线CL的与上述辅助电容线CSL相对的区域具有像素电极电位， 作为形成上述辅助电容Ccs的一方电极CLE(下部电容电极)使用。另外，上述辅助电容线 CSL的与上述连接配线CL相对的区域作为形成上述辅助电容Ccs的另一方电极CSLE (上部 电容电极)使用。另外，在如图2以及图3所示的液晶面板1中，辅助电容线CSL和栅极电极GE (即 栅极线GL)设置在同一层。因此，覆盖栅极线GL的栅极绝缘膜13作为在上述辅助电容线 CSL和连接配线CL之间形成辅助电容Ccs的介电体(电容绝缘膜)而使用。S卩，通过上述栅极绝缘膜13和夹持上述栅极绝缘膜13相对的上述电极CLE以及 电极CSLE形成构成辅助电容Ccs的辅助电容元件CSE。此外，如图2以及图3所示，因为与栅极线GL在同一层形成辅助电容线CSL，所以 能够与栅极线GL在同一工序中形成上述辅助电容线CSL，从而能够削减工序数。另外，如图2以及图3所示，因为在上述液晶面板1中形成辅助电容Ccs的一方电 极CLE (连接配线CL)的至少一部分与形成上述TFT21的半导体层12 (沟道区域12a)位于 同一层，所以不会增加工序数，而且能够高效地形成辅助电容Ccs，从而能够得到开口率高 的可视性优良的液晶显示装置。另外，如图2的两点点划线所示的区域Pl或者如图3的两点点划线所示的区域P2 和/或区域P3那样，漏极电极DE和辅助电容元件CSE (形成辅助电容Ccs的上述电极CLE 和电极CLSE的相对区域)之间的配线(连接配线CL)的至少一部分与形成上述TFT21的 半导体层12 (沟道区域12a)位于同一层，所以漏极电极DE的配线电阻被低电阻化，充电特 性稳定。结果，能够得到没有亮度不均勻的显示品质优良的液晶显示器。另外，如图3的两点点划线所示的区域P3那样，漏极电极DE和辅助电容元件CSE 之间的配线(连接配线CL)的和栅极线GL重叠的区域为如上所述的注入了杂质的半导体 层12，所以可以避免上述重叠区域变成沟道区域而作为寄生晶体管起作用的担忧。其次，以下对上述TFT基板10的制造方法进行说明。如上所述，在该实施方式中，因为辅助电容元件CSE的下部电极(电极CLE)使用 由注入了杂质的半导体层12形成的连接配线CL，所以使用如下的制造方法。首先，在玻璃等透明基板11上，采用CVD (chemical vapor d印osition，化学气相 蒸镀)法等形成硅氧化膜从而形成底涂层(图中未示出)。其次，在上述底涂层上，采用等离子体CVD法或减压CVD法等层叠非晶硅层。然后， 采用激光退火等将上述非晶硅层多晶化而形成多晶硅膜以后，经过图案化而形成半导体层 12。此外，也可以通过减压CVD蒸镀多晶硅膜从而形成半导体层12。这种情况下，可以 根据需要将硅原子按离子方式注入而使多晶硅膜非晶质化后，进行加热处理从而使其多晶
12化。另外还可以进一步对非晶硅膜或多晶硅膜进行激光退火从而提高结晶性。接下来，为了覆盖成为沟道区域12a的区域而涂覆抗蚀剂，以该抗蚀剂作为掩膜， 选择性的注入磷等杂质离子，根据需要，进行活性化的退火，从而在上述半导体层12分别 形成沟道区域12a、源极区域SA、漏极区域DA。接下来，在形成了上述半导体层12的透明基板11上，采用减压CVD法等，形成被 称作HTO膜(High Temperature Oxide，高温氧化物)的硅氧化膜，从而形成如图2和图3 所示的栅极绝缘膜13。接下来，通过溅射法等，沉积钽、钨等，形成图案，如图2或图3所示，形成栅极线 GL、栅极电极GE、辅助电容线CSL等第1金属电极层。这样，可以在同一工序中形成栅极线 GL、栅极电极GE、辅助电容线CSL。接下来，在形成了上述第1金属电极层的上述透明基板11上，采用等离子体CVD 法等，形成硅氧化膜从而形成第1层间绝缘膜14以后，蚀刻除去上述栅极绝缘膜13和第1 层间绝缘膜14的形成接触孔18的部分。然后，通过溅射法等沉积铝等，形成图案，从而如图2或图3所示，形成数据线SL、 源极电极SE、漏极电极DE等第2金属电极层以及上述接触孔18的接触部。这样，源极电极 SE以及漏极电极DE通过上述接触孔18分别和源极区域SA以及漏极区域DA相连接。接下来，在形成了上述第2金属电极层的上述透明基板11上，采用等离子体CVD 法等，形成硅氧化膜从而形成第2层间绝缘膜15以后，蚀刻除去该第2层间绝缘膜15的形 成接触孔15a的部分。然后，在上述第2层间绝缘膜15上，形成ITOandium Tin Oxide，铟锡氧化物)膜 以后，形成图案，从而形成像素电极16。从而，像素电极16通过接触孔1 与漏极电极DE 相连接。接下来，通过印刷法，形成由聚酰亚胺树脂等取向膜材料构成的薄膜以后，采用摩 擦法等，对其表面进行取向处理，从而形成取向膜17。如上所述能够制造上述TFT基板10。此外，本实施方式中，举例说明了在同一工序中形成栅极线GL、栅极电极GE、辅助 电容线CSL的情况。但是，本发明并不仅限于此，例如也可以采用以下的方法，形成栅极线 GL、栅极电极GE、辅助电容线CSL。首先，将上述半导体层12图案化，再在其上形成栅极绝缘膜13。然后，在栅极绝缘 膜13上通过溅射法等沉积钽、钨等，形成图案，形成栅极线GL、栅极电极GE。接下来，将该 栅极电极GE作为掩膜，选择性地注入杂质离子。然后，将栅极线GL以及栅极电极GE作为 掩膜，通过溅射法等沉积钽、钨等，形成图案。这样在注入了杂质的半导体层12上形成辅助 电容线CSL。此外，在这种情形下，能够采用不同的材料形成上述栅极线GL和辅助电容线 CSL。本实施方式的液晶面板1，能够采用以前的方法，通过将这样制造的TFT基板10和 相对基板30进行粘合而制造。例如可以通过印刷法，在上述TFT基板10上形成由热固化 性树脂或紫外线固化性树脂等密封材料构成的密封部，粘合相对基板30以后，在两基板之 间通过减压法注入、封存液晶材料，形成液晶层40，从而制造上述液晶面板1。另外，上述液 晶层40还可以在TFT基板10上形成密封部以后，采用滴下法在密封部内注入液晶后，粘合 相对基板30来形成。
作为上述相对基板30，可以采用常用的相对基板，不必特别限定其结构以及制造方法。上述相对基板30可以按照以往的制造方法制造。例如，在玻璃等透明基板31上 按图案形成黑矩阵33以后，在黑矩阵33之间通过按图案形成红色、绿色、蓝色的着色层而 形成滤色器32，而且可根据需要，用丙烯酸树脂形成未在图中示出的上部涂层。接下来，在 上部涂层上，在上述透明基板31的整个面上形成ITO膜从而形成相对电极34。然后，通过 印刷法等，形成由聚酰亚胺树脂等取向膜材料构成的薄膜以后，采用摩擦法等，对其表面进 行取向处理，从而形成取向膜35。这样就能够形成相对基板30。如上所述，根据本实施方式，因为上述辅助电容线CSL与栅极线GL相比条数少，并 且和栅极线SL平行配置，所以辅助电容线CSL和数据线SL的交叉部电容少，辅助电容线 CSL很难受到数据线SL的电位变动的影响。另外，与以往相比能减轻辅助电容线的负载。 而且，根据上述液晶面板1，不会发生以往那样的由于和相邻的数据线之间的寄生电容的原 因，伴随特定的数据线的电位变动，辅助电容线的电位发生变动的问题。因此，根据本实施方式，通过使用上述TFT基板10，能够得到不但确保足够的辅助 电容而且串扰少的液晶显示装置。通常，辅助电容线通过和数据线之间的交叉部电容受到数据线的电位变动的影 响，发生电位变动。在直到该辅助电容线的电位回到所希望的电位，晶体管的栅极处于关闭 的情形下，最终像素电极电位受栅极关闭后的辅助电容线的电位变动的影响而变化，发生 串扰。为了不发生串扰，可以考虑(1)减小辅助电容线和数据线的交叉部电容，使得难 以接受数据线的电位变动；(2)减小辅助电容线整体的负载(电容、电阻)；(3)增加驱动辅 助电容线的输入信号源的驱动能力(但是，消耗电力会增加)。根据本实施方式，因为上述辅助电容线CSL和数据线SL的交叉部电容少，所以能 够得到上述(1)、O)的效果。因此能够抑制串扰。另外，根据本实施方式，由于能够取得上述(2)的效果(能够减小辅助电容线整体 的负载)，因此上述(3)的输入信号源的驱动能力较小即可。而且，数据线SL和辅助电容 线CSL交叉的部位少，能够减小数据线SL的负载。因此，能够得到消耗电力小的液晶显示
直ο而且，根据本实施方式，如上所述，即使上述辅助电容线CSL的条数少于栅极线GL 的条数，由于上述第1边比第2边长，因而相邻的上述连接配线之间不会发生短路。另外，根据本实施方式，如上所述，由于辅助电容线CSL的条数比栅极线GL的条数 少，因此与以往相比能够抑制辅助电容线所造成的开口率的降低。因此，根据本实施方式， 能够提供透射率高、可视性优良的液晶显示装置。此外，在本实施方式中，如上所述，举例说明了数据线SL以及栅极线GL配置在相 邻的子像素4之间，辅助电容线CSL隔着绝缘膜(栅极绝缘膜13、第1层间绝缘膜14、第2 层间绝缘膜1 与像素电极16重叠配置(即，配置在子像素4之内)的情况，但是本实施 方式并不仅限于此。例如，也可以在子像素4内配置栅极线GL，在子像素4之间配置辅助电 容线CSL。但是，上述辅助电容线CSL与栅极线GL相比条数少，在1像素内所占面积可以小些。因此，如本实施方式所示，在相邻的子像素4之间配置栅极线GL，在子像素4内配置辅 助电容线CSL，从而能够更加提高开口率。另外，在本实施方式中，如图1所示，举例说明了辅助电容线CSL配置在蓝色子像 素4的情形，但是本实施方式并不仅限于此。不仅限于蓝色子像素4，限定特定的颜色(最好为一种颜色)而配置辅助电容线 CSL的至少一部分，就能够得到没有颜色不均勻的，显示质量优良的液晶显示装置。因此，优 选在事先确定的某特定的显示色(规定的显示色)的子像素4内配置上述辅助电容线CSL 的至少一部分，其中，优选配置在蓝色子像素4内。另外，在本实施方式中，作为晶体管，如上所述，举例说明了使用顶栅结构的TFT21 的情形，但是本实施方式并不仅限于此，也可以使用在栅极电极GE上隔着栅极绝缘膜13形 成半导体层12的所谓的底栅结构的TFT。另外，作为上述晶体管，并不仅限于TFT，例如还 可以使用FET (场效应晶体管)。也就是说，在上述说明中，作为本实施方式的有源矩阵基板，举例说明了 TFT基板 10，但是本实施方式并不仅限于此。另外，在本实施方式中，举例说明了上述滤色器32设置在相对基板30上的情形， 但是本实施方式并不仅限于此。毫无疑问，也可以替换上述相对基板30而在TFT基板 10(即，有源矩阵基板)上设置滤色器32。另外，在本实施方式中，举例说明了用于进行彩色显示的最小构成单位的像素由 RGB三种子像素4构成的情形，但是本实施方式并不仅限于此。本实施方式也可以适用于由 RGB三原色进行的彩色显示以外的显示装置。另外，在本实施方式中，作为显示装置，对于用液晶作为显示介质的液晶显示装置 进行了说明，但是本实施方式并不仅限于此。作为上述显示介质，只要是具有光电特性的显 示介质即可，例如可以是场致发光(EL)、等离子体、电致变色等。本发明可以适用于液晶显 示装置、EL显示装置、电泳显示装置等使用该各种显示介质的各种显示装置。因此，本实施方式的有源矩阵基板以及使用该有源矩阵基板的显示面板也可以适 用于具有这些显示装置作为显示部的电子设备。作为这样的电子设备，例如可以列举手机、 PDA (Personal Digital Assistant ；便携信息终端)、DVD (Digital Versatile Disk)播放 器、无线游戏机、笔记本电脑(Personal Computer)、PC监视器、电视接收机等。此外，本实施方式的电子设备还包括这些显示装置本身。也就是说，本实施方式 的电子设备(即，具有本实施方式的有源矩阵基板或者使用该有源矩阵基板的显示面板的 电子设备)可以是液晶显示装置等显示装置，也可以是具有这些显示装置作为显示部的设 备。[实施方式2]以下根据图4以及图5对本发明的其他的实施方式进行说明。此外，在本实施方 式中，对与上述实施方式1不同之处进行说明，对具有与上述实施方式1同样的功能的构成 要素附注同样的附图标记，并省略其说明。图4是本实施方式的液晶显示装置的液晶面板1的等效电路。另外，图5是表示 将图4所示的液晶面板1沿C-C’线切断时的上述液晶面板1的概略结构的截面图。图4所示的液晶面板1，除辅助电容线CSL具有沿行方向延伸设置的主线CSLl (干线)和从该主线CSLl沿列方向延伸的分支线CSL2以外，与上述实施方式1相同。上述主线CSLl配置在相邻的栅极线GL之间，和这些栅极线GL平行。另外，分支 线CSL2配置在相邻的数据线SL之间，和这些数据线SL平行。本实施方式和上述实施方式1同样，对于由RGB3个子像素4构成的1个单位的像 素，设有1条辅助电容线CSL。因此，如图4所示，上述分支线CSL2跨过在数据线SL的延伸 设置方向上相邻的多个子像素4，从配置有主线CSLl的子像素4 (本实施方式为蓝色子像素 4)延伸设置到与该子像素4相邻的未配置主线CSLl的子像素4 (红色以及绿色子像素4)。 此外，在本实施方式中，与配置有主线CSLl的子像素4相邻的未配置主线CSLl的子像素4 是指与配置有主线CSLl的子像素相同的像素内的未配置主线CSLl的子像素4。如图5所示，在本实施方式中也是，将上述辅助电容线CSL的主线CSLl和栅极电 极GE(栅极线GL)设置在同一层。能够在同一工序中形成上述主线CSLl和栅极电极GE(栅 极线GL)。另外，如图5所示，例如，将分支线CSL2和源极电极SE (数据线SL)设置在同一层。 从而，能够在同一工序中形成上述分支线CSL2和源极电极SE (数据线SL)。上述主线CSLl和分支线CSL2通过在该上述主线CSLl和分支线CSL2之间层叠的 第1层间绝缘膜14中设置的贯通孔14a电连接。从而，能够形成具备在行方向上延伸设置 的主线CSLl和从该主线CSLl沿列方向延伸的分支线CSL2的辅助电容线CSL。如上所述，根据本实施方式，和栅极线GL平行配置的主线CSL 1的条数为栅极线 GL的1/3，辅助电容线CSL和数据线SL交叉的部位少。因此，辅助电容线CSL和数据线数 SL的交叉部电容少，辅助电容线CSL很难受到数据线SL的电位变动的影响，同时还能够减 轻辅助电容线CSL的负载。因此，能够得到串扰少的液晶显示装置。另外，由于能够减轻辅 助电容线CSL以及数据线SL的负载，因此，能够得到消耗电力少的液晶显示装置。另外，如图4所示，根据本实施方式，因为辅助电容线CSL具有上述分支线CSL2，所 以能够缩短漏极电极DE和辅助电容线CSL之间的配线长度，能够提供透射率高、可视性优 良的液晶显示装置。而且，由于能够大幅降低辅助电容线CSL的电阻，因此能够进一步减轻 数据线SL的电位变动的影响。结果，能提供串扰少、显示质量更优良的液晶显示装置。[实施方式3]以下根据图6对本发明的又一实施方式进行说明。另外，在本实施方式中，对与上 述实施方式1、2不同之处进行说明，对具有与上述实施方式1、2同样的功能的构成要素附 注同样的附图标记，并省略其说明。图6是本实施方式的液晶显示装置的液晶面板1的等效电路。如图6所示的液晶面板1具有沿行方向延伸设置的辅助电容线CSL11(横配线) 和沿列方向延伸设置的辅助电容线CSL12(纵配线)，这些辅助电容线CSLll和辅助电容线 CSL12按矩阵状配置，除此以外，与上述实施方式1相同。上述辅助电容线CSLll配置在相邻的栅极线GL之间，和这些栅极线GL平行。另 外，辅助电容线CSL12配置在相邻的数据线SL之间，和这些数据线SL平行。图中虽然没有示出，本实施方式的液晶面板1也是，沿行方向延伸设置的作为辅 助电容线的辅助电容线CSL11，与图5所示的上述实施方式2所记载的液晶面板1的主线 CSLl同样，与栅极电极GE(栅极线GL)设置在同一层。能够在同一工序中形成上述辅助电容线CSLll和栅极电极GE (栅极线GL)。另外，沿列方向延伸设置的作为辅助电容线的辅助电容线CSL12，与图5所示的上 述实施方式2所记载的液晶面板1的分支线CSL2同样，例如，与源极电极SE (数据线SL)设 置在同一层。能够在同一工序中形成上述辅助电容线CSL12和源极电极SE(数据线SL)。这些辅助电容线CSLll和辅助电容线CSL12，通过在其之间层叠的第1层间绝缘 膜14中设置的贯通孔14a电连接。从而，能够形成如图6所示的矩阵状配置的辅助电容线 CSL11、CSL12。在本实施方式中也是，与上述实施方式1、2同样，和栅极线GL平行配置的辅助电 容线CSLll的条数为栅极线GL的1/3，辅助电容线CSLll和数据线SL交叉的部位少。因 此，辅助电容线CSLll和数据线数SL的交叉部电容少，辅助电容线CSLl 1、CSL12很难受到 数据线SL的电位变动的影响，同时还能够减轻辅助电容线CSL11、CSL12的负载。因此，能 够得到串扰少的液晶显示装置。另外，由于能够减轻辅助电容线CSL11、CSL12以及数据线 SL的负载，因此，能够得到消耗电力少的液晶显示装置。另外，如图6所示，根据本实施方式，因为辅助电容线CSL11、CSL12配置成矩阵状， 所以能够缩短漏极电极DE和辅助电容线CSL11、CSL12之间的配线长度，能够提供透射率更 高、可视性优良的液晶显示装置。而且，由于能够大幅降低辅助电容线CSL11、CSL12的电 阻，因此能够减轻数据线SL的电位变动的影响。结果，能提供串扰少、显示质量更优良的液 晶显示装置。[实施方式4]以下根据图7、图8对本发明的又一实施方式进行说明。另外，在本实施方式中，对 与上述实施方式1 3不同之处进行说明，对具有与上述实施方式1 3同样的功能的构 成要素附注同样的附图标记，并省略其说明。在上述实施方式1 3中，说明了对3个子像素4，设有1条在行方向延伸设置的 辅助电容线的情形。在本实施方式中，说明对3个子像素4，设有2条在行方向延伸设置的 辅助电容线的情形。图7、图8均是本实施方式的液晶显示装置的液晶面板1的等效电路。如图7所示的液晶面板1，在1个像素内具有沿行方向延伸设置的2条辅助电容线 CSL0连接配线CL沿列方向延伸设置，至少和1条辅助电容线CSL相对。在本实施方式中，对红色以及蓝色子像素4分别设置辅助电容线CSL，从而在红色 以及蓝色的子像素4中，与各子像素4中设置的TFT21的漏极电极DE电连接的连接配线CL 在和各子像素4中设置的辅助电容线CSL的交叉部分别形成辅助电容Ccs。另外，与绿色子 像素4中设置的TFT21的漏极电极DE电连接的连接配线CL在和红色及蓝色子像素4中设 置的辅助电容线CSL之间，分别形成辅助电容Ccs。另外，如图8所示的液晶面板1，在1个像素内具有沿行方向延伸设置的2条辅助 电容线CSL21 (主线)、以及从这些辅助电容线CSL21沿列方向延伸而和这些辅助电容线 CSL21相互连接的分支线CSL22。如图8所示的液晶面板1，除在1个像素内具有沿行方向 延伸设置的2条辅助电容线CSL21以外，和如图5所示的液晶面板1具有同样的结构。如 图8所示，上述辅助电容线CSL21设置在红色和蓝色的子像素4中。另外，如图9所示的液晶面板1和如图6所示的实施方式3记载的液晶面板1同样，具有沿行方向延伸设置的辅助电容线CSL11(横配线)和沿列方向延伸设置的辅助电容 线CSL12(纵配线)。这些辅助电容线CSLll和辅助电容线CSL12按矩阵状配置。如图9所 示的液晶面板1除在1个像素内具有沿行方向延伸设置的2条辅助电容线CSLll以外，与 如图6所示的液晶面板1具有相同的结构。如图9所示，上述辅助电容线CSLll设置在红 色和蓝色的子像素4中。在实施方式1 3中的任意一种所记载的液晶面板1的制造方法中，仅需要变更 配线的布局，与这些实施方式1 3中的任意一种所记载的液晶面板1的制造方法同样进 行，能够形成如图7 图9所示的液晶面板1。如图7 图9所示，本实施方式的液晶面板1的与栅极线GL平行配置的辅助电容 线的条数为栅极线GL的条数的2/3。因此，在本实施方式中也是，能够比以往减少辅助电 容线和数据线交叉的部位。因此，在本实施方式中也是，辅助电容线和数据线数SL的交叉 部电容少，辅助电容线很难受到数据线SL的电位变动的影响，同时还能够减轻辅助电容线 CSL11、CSL12的负载。因此，能够得到串扰少的液晶显示装置。另外，由于减轻辅助电容线 以及数据线SL的负载，因此，能够得到消耗电力少的液晶显示装置。另外，在本实施方式中也是，和实施方式2、3所记载的液晶面板1同样，因为能够 缩短漏极电极和辅助电容线之间的配线长度，所以能够提供透射率高、可视性优良的液晶 显示装置。而且，由于能够大幅降低辅助电容线的电阻，因此能够减轻数据线SL的电位变 动的影响。结果，能提供串扰少、显示质量更优良的液晶显示装置。如上所述，本发明并不仅限于与栅极线GL平行的辅助电容线CSL的条数为栅极线 GL的条数的1/3的情形(即，相对于用于进行彩色显示的最小构成单位的像素而设置1个 的情形)，只要与栅极线GL平行的辅助电容线CSL的条数比栅极线GL的条数少即可。但是，如果要按照1/2、1/4、1/5等单位，配置辅助电容线CSL，则为了使每个最小 构成单位的像素的开口率保持一定，需要不均等地配置像素重复间距。另外，如果漏极电极 和辅助电容线之间的配线长度太长，会在降低透射率和可视性的同时，还会对辅助电容线 的电阻加负载。因此，优选辅助电容线CSL的条数，如上所述，相对于用于进行彩色显示的 最小构成单位的两个像素为1条，或者，相对于用于进行彩色显示的最小构成单位的像素 为1条或2条，如上述实施方式1所记载的，从开口率来看，更优选相对于用于进行彩色显 示的最小构成单位的像素为1条或2条。本发明并不仅限于上述各实施方式，可以在权利要求所示的范围内作各种各样的 变更，本发明的技术范围还包括将不同的实施方式所分别披露的技术方案进行适当组合而 得到的实施方式。工业实用性本发明的有源矩阵基板以及使用该有源矩阵基板的显示面板能够适用于液晶显 示装置等显示装置、以及使用该显示装置的手机、PDA、DVD播放器、无线游戏机、笔记本电 脑、PC显示器、电视接收机等电子设备。附图标记说明1 液晶面板；2 源极驱动器；3 栅极驱动器；4 子像素；10 =FTF基板(有源矩阵 基板)；11 透明基板；12 半导体层；1 沟道区域；12b 杂质注入区域；13 栅极绝缘膜； 14 第1层间绝缘膜；14a 贯通孔；15 第2层间绝缘膜；15a 接触孔；16 像素电极；17 取向膜；18 接触孔；21 =TFT(晶体管)；30 相对基板；31 透明基板；32 滤色器；33 黑 矩阵；34 相对电极；35 取向膜；40 液晶层；Pl 区域；P2 区域；P3 区域；CL 连接配线； CLE 电极；CSE 辅助电容元件；CSL 辅助电容线；CSLl 主线；CSL2 分支线；CSLll 辅助 电容线；CSL12 辅助电容线；CSL21 辅助电容线；CSL22 :分支线；CSLE 电极；DA 漏极区 域；SA 源极区域；DE 漏极电极；GE 栅极电极；SE 源极电极；GL 栅极线；SL 数据线。
权利要求
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备 栅极线和数据线，其按矩阵状配置；多个像素电极，其具有与上述栅极线平行的第1边和与上述数据线平行且比上述第1 边短的第2边；辅助电容线，其与上述栅极线平行配置；以及 连接配线，其与上述像素电极电连接，上述辅助电容线的一部分和连接配线的一部分隔着绝缘膜重叠，从而形成将上述辅助 电容线和连接配线的相互重叠的区域分别作为电极的辅助电容元件， 上述辅助电容线与上述栅极线相比条数少，和在与上述数据线平行的方向配置的多个像素电极分别电连接的多个连接配线隔着 上述绝缘膜分别重叠于1条上述辅助电容线。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于 上述栅极线设置在上述像素电极之间，上述辅助电容线隔着上述绝缘膜与上述像素电极重叠配置。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于按照相对于在成为显示面板时用于进行彩色显示的最小构成单位的像素为1个的比 例配置有上述辅助电容线。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于在成为显示面板时用于进行彩色显示的特定的显示色的子像素内配置有上述辅助电 容线的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于 上述辅助电容线的至少一部分配置在蓝色子像素内。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于 上述辅助电容线和上述栅极线配置在同一层。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于形成上述辅助电容元件的一方电极的至少一部分和与上述多个像素电极分别对应设 置的晶体管的半导体层位于同一层。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵基板，其特征在于上述连接配线和晶体管的漏极电极电连接，上述晶体管与多个像素电极分别对应设 置，上述多个像素电极配置在与上述数据线平行的方向，上述漏极电极和上述辅助电容元件之间的配线的至少一部分和上述晶体管的半导体 层位于同一层。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于上述漏极电极和上述辅助电容元件之间的配线的与上述栅极线重叠的区域是注入了 杂质的半导体层。
10.根据权利要求1 9中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于上述辅助电容线包括与上述栅极线平行的主线和从该主线向与上述数据线平行的方 向延伸的分支线。
11.根据权利要求1 9中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于还包括与上述数据线平行配置的辅助电容线， 各辅助电容线按矩阵状配置。
12.—种显示面板，其特征在于，具备权利要求1 11中任一项所述的有源矩阵基板； 与上述有源矩阵基板相对的相对基板；以及 在上述有源矩阵基板和相对基板之间设置的显示介质层。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于 上述显示介质是液晶层。
14.一种显示装置，其特征在于 具备权利要求12所述的显示面板。
15.一种电子设备，其特征在于 具备权利要求12所述的显示面板。
全文摘要
TFT基板(10)具备按矩阵状配置的栅极线(GL1(R)、GL1(G)、…)以及数据线(SL1、SL2、…)；具有与栅极线(GL1(R)、GL1(G)、…)平行的边(16a)和与数据线(SL1、SL2、…)平行且比边(16a)短的边(16b)的多个像素电极(16)；与栅极线(GL1(R)、GL1(G)、…)平行的辅助电容线(CSL)；以及与像素电极(16)电连接的连接配线(CL)。辅助电容线(CSL)与栅极线(GL1(R)、GL1(G)、…)相比条数少，和在与数据线(SL1、SL2、…)平行的方向配置的多个像素电极(16)分别电连接的多个连接配线(CL)隔着绝缘膜分别重叠于1条辅助电容线(CSL)，从而形成辅助电容元件(CSE)。
文档编号G02F1/133GK102150192SQ200980135562
公开日2011年8月10日 申请日期2009年6月19日 优先权日2008年10月15日
发明者海濑泰佳 申请人:夏普株式会社